[go: up one dir, main page]

CN1980352A - 可变增益装置 - Google Patents

可变增益装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1980352A
CN1980352A CN 200510127639 CN200510127639A CN1980352A CN 1980352 A CN1980352 A CN 1980352A CN 200510127639 CN200510127639 CN 200510127639 CN 200510127639 A CN200510127639 A CN 200510127639A CN 1980352 A CN1980352 A CN 1980352A
Authority
CN
China
Prior art keywords
group
transistor elements
output
unit
gain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 200510127639
Other languages
English (en)
Other versions
CN100499764C (zh
Inventor
余仲哲
徐献松
李立民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beyond Innovation Technology Co Ltd
Original Assignee
Beyond Innovation Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beyond Innovation Technology Co Ltd filed Critical Beyond Innovation Technology Co Ltd
Priority to CNB2005101276397A priority Critical patent/CN100499764C/zh
Publication of CN1980352A publication Critical patent/CN1980352A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100499764C publication Critical patent/CN100499764C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Abstract

一种具有高度线性且具有宽广调整增益范围的可变增益装置包括有一转导单元,依据一输入电压,输出为一输出电流;一控制单元,是根据可变增益装置的增益控制信号,用来调整增益放大单元的电流增益值大小;以及一增益放大单元,将转导单元输出的电流信号,依控制单元决定的电流增益值大小通过内部电路的作用,而得到另一由转导单元输出的电流信号按控制单元决定的电流增益值大小且增益值大小可调整的电流信号;以及一输出直流准位控制单元,是用来控制可变增益装置输出信号的直流准位;一输出单元,是根据输出直流准位控制单元及增益放大单元产生的信号产生一输出信号。

Description

可变增益装置
技术领域
本发明是有关于一种信号处理的装置,结构或设计方法,且特别是有关于一种可改变增益的信号处理装置,结构或设计方法。
背景技术
在影像信号处理系统中,系统所接收到的信号大小在传输的过程中常发生大范围的变化。因此,为了使系统所接收的信号大小能自动调整为满足系统中影像输入信号的输入规格,通常会使用一些具有自动增益控制(Auto Gain Control,AGC)的电路。而在自动增益控制系统(AGC)中,具有可变增益的装置,或称为可变增益的放大器(Variable Gain Amplifier,VGA)为不可缺少的元件。
为了使接收到的信号能符合各种系统中影像输入信号的规格要求,在文献中有许多种可变增益放大器(VGA)的架构被广泛的使用及讨论。另外,为了使系统有较佳的影像输出品质,则可变增益放大器(VGA)需具有低失真度、高频宽的特性。同时,为了克服系统所接收到的信号大小具有大范围变化的特性,则可变增益放大器(VGA)需具有广泛增益调整范围及高度线性。因此,如何制作一具有低失真度、高频宽及宽广增益调整范围的可变增益放大器(VGA)为影像信号处理系统中不可缺少关键元件。
请参阅图1绘示为一种习知的可变增益放大器的电路图。如图1,习知的可变增益放大器是由六个晶体管101、102、103、104、105、106、一衰减电阻网路113、第一个输出电阻107、第二个输出电阻108、第一个电流源109、第二个电流源110、第三个电流源111以及第四个电流源112所构成。其中,晶体管101及晶体管102构成一输入差动对,而衰减电阻网路113包括二组衰减电阻RA1至RAn及RB1至RBn与2(n+1)切换开关SA1至SA(n+1)及SB1至SB(n+1),其中n为一正整数。
晶体管101、103和衰减电阻网路113内的部份衰减电阻RA1至RAx,以及晶体管102、104和衰减电阻网路113内的部份衰减电阻RB1至Rby,分别形成一个转导的回授电路,而以上的x和y都是小于n的正整数。另外,晶体管103、105,以及晶体管104、106分别形成一电流增益放大级(Current GainStages)。而由于晶体管101及102分被强制导通第一电流源109的电流值,以及第二电流源110的电流值。因此,输入端的晶体管101、102理想上可视为一直流准位的偏移(DC level shifter)。因此,从晶体管101、102的闸极(gate)的输入电压会线性的转移至晶体管101、102的源极(source)。而晶体管103及晶体管104所导通的电流皆可分为一直流电流加上一交流电流。其中,晶体管103所导通的直流电流值为第三电流源111扣除第一电流源109的电流值,而交流电流值大约为输入信号除以衰减电阻网路113内的部份衰减电阻。此部份衰减电阻为不含于上述转导回授电路的电阻。若要改变放大器的增益值时,则藉由切换相对应的切换开关SA1,SA2,…,SA(n+1)及SB1,SB2,…SB(n+1)(每次只有一对相对应的切换开关会导通,其余的切换开关皆呈现开路),交流电流值就会随每一对切换开关SA1,SA2,…,SA(n+1)及SB1,SB2,…SB(n+1)所对应的衰减电阻而改变,此效应分别通过电流增益放大级晶体管103、105及晶体管104、106将交流电流的变化分别对应到第一个输出电阻107及第二个输出电阻108,而得到我们所需要的增益值。
在习知的电路中,是衰减电阻及切换开关导通时切换开关的内阻值共同决定所产生的增益值.但是,切换开关导通时切换开关SA1,SA2,…,SA(n+1),SB1,SB2,…SB(n+1)的内阻值会随着输入信号的振幅大小改变而随之增减,同时每一个切换开关导通时的内阻值也会不同,因此造成输出的线性度不足。另外当可变增益放大器的规格需要具有宽广的增益范围且要求最小单位增益值较小时,所需要的衰减电阻与切换开关会太多且复杂,造成生产成本的增加。其中所谓的最小单位增益值是指二相邻的切换开关所对应的增益值的差值,由于此可变增益放大器为一线性放大器,故每二相邻的切换开关所对应的增益差的差值差异不大。
发明内容
本发明的目的是提供一具有高度线性、宽广增益范围同时可符合各种系统所需的最小单位增益值的可变增益装置(或放大器)。
本发明的另一个目的是提供一个具有调整输出直流准位的可变增益放大器,藉由可调整输出直流准位控制单元,可以克服在半导体制程中,因制程参数飘移的影响所产生的元件值误差和元件不匹配现像所产生的直流准位飘移,因此藉由可调整输出直流准位控制单元,可变增益放大器输出信号能够容易的符合下一级单元所需的输入信号范围。
本发明提供了一种具有宽广增益范围及可调整输出直流准位的线性可变增益放大器,可变增益放大器包括有转导单元、增益放大单元、增益控制单元、输出直流准位控制单元及一输出单元。其中,转导单元会将一输入电压,输出为一输出电流至增益放大单元。一增益控制单元,该增益控制单元会根据可变增益放大器的增益控制信号,来调整增益放大单元的电流增益大小。增益放大单元会接收转导单元的输出电流信号及由增益控制单元决定的增益大小,再通过其内部的电流增益放大电路而得到另一增益值大小可调整的由转导单元输出的电流信号按增益控制单元决定的增益大小所产生的电流信号。而输出直流准位控制单元会调整可变增益放大器输出信号的直流准位。输出单元接收由增益放大单元产生的电流信号并由直流准位控制单元决定输出信号的直流准位后产生可变增益放大器的输出信号。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1绘示为一种习知的可变增益放大器的电路图。
图2绘示为依照本发明的一较佳实施例的一种可变增益放大器的电路方块图。
图3绘示为依照本发明的一较佳实施例的一种可变增益放大器的电路图。
图4绘示为依照本发明的一较佳实施例的一种电压切换开关的电路图。
101、102、103、104、105、106:晶体管
113:衰减电阻网路
107、108、RA1~RAn、RB1~RBn:电阻
109、110、111、112:电流源
200:可变增益放大器
201:转导单元
202:增益放大单元
203:控制单元
204:输出直流准位控制单元
300:转导单元
301:第一电流源
302:第二电流源
303、304、382、401、402:PMOS晶体管
305:电阻性元件
306、307、311、312、313、314、383、384、385、386、401、403:NMOS晶体管
308:第三电流源
309:第四电流源
310:增益放大单元
320:增益控制单元
321、322、323、324、325、326:电压切换开关
327、328、329、404:反相器
330:第一直流准位控制电路
331:第五电流源
332:第六电流源
333:第七电流源
334、335、SA1~SA(n+1)、SB1~SB(n+1):切换开关
340:输出单元
350:输出电阻
360:直流电源电压
370:电源接地端
380:第二直流准位控制电路
381:第八电流源
387:第九电流源
404:反向器
具体实施方式
请参阅图2绘示为依照本发明的一较佳实施例的一种可变增益放大器的电路方块图。如图2,可变增益放大器200包括转导单元201,其用来将一输入电压INPUT转换成一输出电流I_OUTPUT;一增益控制单元203,是根据可变增益放大器200的增益大小控制信号206产生增益控制信号207;一增益放大单元202,用来接收转导单元201的输出电流信号I_OUTPUT及增益控制信号207;其中增益放大单元202内部的电路依据增益控制信号207决定一可调整范围的电流增益值,并将转导单元201的输出电流信号I_OUTPUT依此增益值放大(或缩小)后产生一输出信号I’_OUTPUT;一输出直流准位控制单元204,用来产生一直流位准信号DC_LEVEL,以调整可变增益放大器200输出信号OUTPUT的直流准位;以及一输出单元205,接收增益放大单元202的输出I’_OUTPUT及输出直流准位控制单元204的输出DC_LEVEL,以产生输出信号OUTPUT。
请参阅图3绘示为依照本发明的一较佳实施例的一种可变增益放大器的电路图。如图3,在本实施例中,除了包括一转导单元300、增益放大单元310、增益控制单元320外,另外还有包括一输出电阻350的输出单元340、直流电压源360,电源接地端370及由第一直流准位控制电路330及第二直流准位控制电路380两部份电路共同组成的输出直流准位控制单元。
本实施例为一单端输入、单端输出的可变增益放大器,同时在本实施例中皆以MOS晶体管来构成。其中转导单元300是由第一电流源301、第二电流源302、第三电流源308、第四电流源309、PMOS晶体管303、304、一电阻性元件305、NMOS晶体管306、307所组成。
增益放大单元310包括NMOS晶体管311、312、313、314。增益控制单元320是由电压切换开关321、322、323、324、325、326及反相器327、328、329所构成。
输出直流准位控制单元中的第一直流准位控制电路330包括第五电流源331、第六电流源332、第七电流源333及导通开关334、335。而第二直流准位控制电路380是由第八电流源381、PMOS晶体管382、NMOS晶体管383、384、385、386及第九电流源387所组成。
在本实施例中,增益放大单元310为一具有3bit的增益调整范围,其中3bit的增益控制方式是棌用二位元(Binary)数位控制信号B0、B1、B2来调整增益范围。第一直流准位控制电路330为一具有2bit的输出直流准位调整范围。在第一直流准位控制电路330中亦采用二位元(Binary)数位控制信号C0和C1来调整输出信号的直流准位。其中,增益放大单元310通过增益控制单元320来调整增益放大单元310的电流增益值,并通过电流增益值的改变,在输出单元340即可得到一可调整振幅的输出信号。
在本实施例的架构中,若要将可变增益放大器扩充为一具有N位元(N为一正整数)的增益控制范围,则需在增益放大单元310中,增加NMOS晶体管的数量。同时,在增益控制单元320中,也增加相对应的电压切换开关321、322、323、324、325、326及反相器327、328、329以及在第二直流准位控制电路380中增加相对应的NMOS晶体管数量即可。
另外,为克服输出直流准位因半导体制程中,制程参数的飘移而产生元件的阻值改变或元件不匹配程度的影响,而导致了输出直流准位的飘移,输出直流准位控制单元中的第一直流准位控制电路330亦可以更改为具有Mbit的数位控制方式,其中M也为一正整数,根据需要M可与N相等,也可以不相等。其可变增益放大器的详细内容的说明将分述如下。
可变增益放大器的输入端是由PMOS晶体管差动对303和304所构成,其中PMOS晶体管304和303的源极二端以一电阻元件305相连接,且第一电流源301和第二电流源302分别连接于直流电压源360,以及PMOS晶体管303和304的源极端。由于PMOS晶体管303和304分别被强制导通第三电流源308及第四电流源309所产生的电流,因此PMOS晶体管303和304理想上可视为一直流准位的偏移。藉此,从PMOS晶体管303和304的闸极端输入的电压会线性的转移至PMOS晶体管303和304的源极端。
NMOS晶体管306和307的导通电流可分为一直流电流值及一交流电流值的总合。详细地说,NMOS晶体管306和307的直流电流值分别为第一电流源301的电流值扣除第三电流源308的电流值,以及第二电流源302的电流值扣除第四电流源309的电流值。另外,交流电流值大约为PMOS晶体管303和304闸极端的输入电压差除以衰减电阻305。在本实施例中,由于可变增益放大器为单端输入和单端输出,因此PMOS晶体管304的闸极电压会固定为一直流偏压值,而此直流偏压值的选择需视输入信号INPUT振幅范围而定。
在增益放大单元310中,NMOS晶体管314与转导单元300中的NMOS晶体管306形成一电流镜(Current Mirror)结构,因此NMOS晶体管306所导通的直流电流值与交流电流会被复制到NMOS晶体管314上,但导通的电流比值则需视电流镜的电流放大比值来决定,亦即由NMOS晶体管306与NMOS晶体管314的通道宽度(Channel Width)及通道长度(Channel Length)的比值决定。在本实施例所提供的架构中,一但决定了此电流放大比值,则可变增益放大器的输出增益值就与此电流放大比值成一关系式。
在本实施例中,假设电流放大比值为1,亦即NMOS晶体管314和306具有相同的通道长度Ln和通道宽度Wn。另外,为能调整增益放大单元310的电流增益值,因此在本实施例中,采用一具有3bit增益调整范围的增益放大单元。其增益放大单元310包括NMOS晶体管311、312及NMOS晶体管313。其中,为使可变增益放大器的输出具有良好的线性度,因此NMOS晶体管311、312和313的通道长度会与NMOS晶体管314相同(或同时与NMOS晶体管306相同),但NMOS晶体管311、312和313的通道宽度则需视增益范围而调整。
为了达到输出增益具有高度线性度,因此在本实施例中,NMOS晶体管313的通道宽度为Wna,NMOS晶体管312的通道宽度为2Wna。另外,NMOS晶体管311的通道宽度为4Wna。因此,可变增益放大器的增益范围可藉由NMOS晶体管311、312和313的导通或截止来调整。
此外,增益控制单元320是由电压切换开关321、322、323、324、325、326以及反相器327、328、329所构成。而电压切换开关321、322、323、324、325和326,如图4所示,是由NMOS晶体管401和403、PMOS晶体管402,反相器404、以及电源接地端405所构成。其中电压切换开关321、322、323、324、325、326为一三端元件,此三端元件分别为控制端0、信号输入端1及信号输出端2。其中,电压切换开关321、322、323、324、325和326的电路架构如图4所示。
当电压切换开关321、322、323、324、325和326控制端0的电压为一高准位时,则相对应连到NMOS晶体管311、312、313、383、384及385闸极的信号输出端2所输出的信号就为信号输入端1所提供的直流偏压准位。反之,当控制端0的电压为一低准位时,则信号输出端2的输出准位就是一接地端准位。因此,通过增益控制单元320的控制信号B2、B1和B0,即可控制电压切换开关321、322、323、324、325和326的输出端2的电压状态。而增益放大单元310则依据电压切换开关321、322、323、324、325和326的输出端2的电压状态,来控制增益放大单元310的NMOS晶体管311、312和313,以及第二直流准位控制电路380的NMOS晶体管383、384和385的导通状态,而达到增益放大调整的功能。在本实施例中,当B2=’0’,B1=’0’,B0=’0’时,可变增益放大器有最小的增益值,反之当B2=’1’,B1=’1’,B0=’1’时,可变增益放大器有最大的增益值。其中’0’及’1’为逻辑信号的高、低准位。
由于本实施例为一单端输入以及单端输出的可变增益放大器,当增益放大单元310中的NMOS晶体管311、312和313导通或关闭时,则输出单元340会因NMOS晶体管311、312和313为导通或关闭状态而影响输出信号的直流准位。为克服此问题,则需增加一第二直流准位控制电路380。此第二直流准位控制电路380包括第八电流源381、PMOS晶体管382、NMOS晶体管383、384、385和386,以及第九电流源387。
其中,NMOS晶体管385与增益放大单元的NMOS晶体管313;NMOS晶体管384与NMOS晶体管312;以及NMOS晶体管383与NMOS晶体管311,都会分别具有相同的通道长度及通道宽度。由于第二直流准位控制电路380的帮助,当改变增益控制单元320的控制信号B2、B1、B0的状态时,则增益控制单元320的电压切换开关321及其所对应的电压切换开关324;电压切换开关322及其所对应的电压切换开关325;以及电压切换开关323及其所对应的电压切换开关326的输出端2的输出状态会相反。也就是说,当电压切换开关321的输出端2的输出电压为一直流偏压时,则其所对应的电压切换开关324的输出端2的输出电压为一接地电压。
因此,当增益放大单元310的NMOS晶体管311、312和313导通或关闭时,其对输出端所增加或减少的直流电流会通过NMOS晶体管383、384和385的导通或关闭而相互的取消。藉此,输出直流准位就不会因控制信号B2、B1和B0的状态改变而有所影响。
在半导体制程中,因制程参数的飘移,会使得元件的阻值以及电气特性产生微小的改变,因而对输出单元340的输出信号的直流准位产生影响。而此直流准位的改变极可能会影响下一级元件的工作特性,而造成下一级元件输出产生错误的结果。因此,必需通过直流准位控制单元中的第一直流准位控制电路330来改变输出信号的直流准位。在本实施例中,直流准位控制单元中的第一直流准位控制电路330可以由第五电流源331、第六电流源332、第七电流源333以及导通开关334和335所构成。其中,电流源331是提供可变增益放大器直流准位的基准值,而电流源332、333及切换开关334、335则用来微调输出直流准位。因此,藉由直流准位控制信号C0、C1即可改变输出信号的直流准位,以符合下一级元件的工作特性。
上述的实施例为本发明的实施例之一,因此本发明不受限于以PMOS晶体管为输入差动对,而用NMOS晶体管构成增益放大电路。也就是说,熟习此技艺者亦可采用NMOS晶体管为输入差动对,而以PMOS晶体管构成增益放大电路。同时,本发明亦可采用PNP晶体管及NPN晶体管来构成,只要使用PNP晶体管取代PMOS晶体管,采用NPN晶体管取代NMOS晶体管即可。
而通过增益值大小的设定,在实际应用中,除了可以把输入信号放大之外,也可以在输入信号过大时,把输入信号缩小。
本发明的主要优点,在于增益放大电路是通过改变晶体管的电流比值来达成增益值范围的调整。由于本发明是通过电流比值来改变增益范围,因此输出信号增益值的变化是非常线性的。利用此改变增益范围的控制方法,可以容易的设计一具有宽广增益范围及输出具有高度线性的可变增益放大器。而本发明的另一优点为输出直流准位控制单元的设计,是通过直流准位控制电路来克服元件在半导体制程中因参数的飘移所产生的误差造成输出信号直流准位的飘移。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟习此技艺的本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视前述的申请的技术方案范围所界定的为准。

Claims (24)

1、一种可变增益装置,其特征在于其包括:
一转导单元,根据一输入信号而产生一电流信号;
一增益放大单元,具有多数个第一组晶体管元件,与该转导单元形成一电流镜电路,且每一该些第一组晶体管元件的通道长宽比不相同,以将该转导单元所产生的电流信号依据对应的晶体管元件的通道长宽比以对应的比例进行复制;以及
一增益控制单元,依据该可变增益装置所被设的增益大小产生一控制信号来决定该增益放大单元内的该些第一组晶体管的状态。
2、根据权利要求1所述的可变增益装置,其特征在于其更包括一直流偏压电路,该直流偏压电路具有多数个第二组晶体管元件,且每一该些第二组晶体管元件与该些第一组晶体管元件对应的一晶体管元件具有相同的通道长宽比。
3、根据权利要求2所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的该些第一组晶体管元件的一晶体管元件导通时,该些第二组晶体管元件中对应的晶体管元件则为关闭。
4、根据权利要求3所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的增益控制单元包括多数个反向器,用以分别接收多数个控制信号,控制该些第二组晶体管元件的导通/关闭状态,使其与该些第一组晶体管元件中对应的晶体管元件的状态相反。
5、根据权利要求2所述的可变增益装置,其特征在于其中直流偏压电路更包括两电流源,该两电流源的电流值差与该转导单元的电流信号的直流成分约略相等。
6、根据权利要求1所述的可变增益装置,其特征在于其更包括一输出单元,该输出单元通过一输出电阻而连接至一直流电压源。
7、根据权利要求1所述的可变增益装置,其特征在于其更包括一输出直流准位控制单元,该输出直流准位控制单元连接至该增益放大单元且具有多数个电流源及至少一个导通开关,该至少一导通开关控制该些电流源中对应的电流源以调整该增益放大单元的输出直流电压准位。
8、根据权利要求7所述的可变增益装置,其特征在于其更包括一直流偏压电路,该直流偏压电路具有多数个第二组晶体管元件,且每一该些第二组晶体管元件与该些第一组晶体管元件对应的一晶体管元件具有相同的通道长宽比。
9、一种可变增益装置,其特征在于其包括:
一转导单元,根据一输入信号而产生一电流信号;
一增益放大单元,具有多数个第一组晶体管元件,与该转导单元形成一电流镜电路,且每一该些第一组晶体管元件依据该电流信号而产生对应的一电流;
一增益控制单元,依据该可变增益装置被设的增益大小产生一增益大小控制信号来切换该增益放大单元内的该些第一组晶体管的状态;以及
一输出直流准位控制单元,依据该增益大小控制信号来调整输出直流准位。
10、根据权利要求9所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的该些第一组晶体管元件为MOS晶体管。
11、根据权利要求9所述的可变增益装置,其特征在于其更包括一直流偏压电路,该直流偏压电路具有多数个第二组晶体管元件,且每一该些第二组晶体管元件与该些第一组晶体管元件对应的一晶体管元件具有相同的通道长宽比。
12、根据权利要求11所述的可变增益装置,其特征在于其中该些第一组晶体管元件的一晶体管元件导通时,该些第二组晶体管元件中对应的晶体管元件则为关闭。
13、根据权利要求11所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的增益控制单元包括多数个反向器,用以分别接收多数个控制信号,控制该些第二组晶体管元件的导通/关闭状态,使其与该些第一组晶体管元件中对应的晶体管元件的状态相反。
14、根据权利要求11所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的输出直流准位控制单元还包括:
多数个电流源;以及
至少一切换开关,分别依据至少一控制信号,而决定是否将对应的电流源所产生的电流耦合至该增益放大单元及该直流偏压电路。
15、根据权利要求9所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的输出单元该更通过一输出电阻而连接至一直流电压源。
16、一种可变增益装置,其特征在于其包括:
一转导单元,用以产生一电流信号;
一增益放大单元,具有多数个第一组晶体管元件,与该转导单元形成一电流镜电路,且每一该些第一组晶体管元件的通道(Channel)长宽比都不相同,以将该转导单元所产生的电流信号依据对应的第一组晶体管元件的通道长宽比以对应的比例进行复制;
一增益控制单元,依据该可变增益装置被预设的增益大小产生增益控制信号来切换该增益放大单元内的该些第一组晶体管的状态;以及
一输出直流准位控制单元,依据一直流控制信号来调整输出直流准位。
17、根据权利要求16项所述的可变增益装置,其特征在于其更包括一直流偏压电路,该直流偏压电路具有多数个第二组晶体管元件,且每一该些第二组晶体管元件与该些第一组晶体管元件对应的一晶体管元件具有相同的通道长宽比。
18、根据权利要求17所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的增益控制单元包括多数个反向器,用以分别接收多数个控制信号以设定该可变增益装置的增益大小,且每一该些反向器的输出都分别控制该些第二组晶体管元件的导通/关闭状态,使之与该些第一组晶体管元件中对应的晶体管元件的状态相反。
19、根据权利要求16所述的可变增益装置,其特征在于其更包括一输出单元,用以作为该可变增益装置的输出端。
20、根据权利要求18所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的输出单元该更通过一输出电阻而连接至一直流电压源。
21、根据权利要求16所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的输出直流准位控制单元包括:
多数个电流源;以及
多数个切换开关,分别依据该些直流位准控制信号,而决定对应的电流源的电流导通状况。
22、一种可变增益装置,其特征在于其包括:
一转导单元,根据一输入信号而产生一电流信号;
一增益放大单元,具有多数个第一组晶体管元件,与该转导单元形成一电流镜电路,且每一该些第一组晶体管元件依据该电流信号而产生对应的一电流;
一直流偏压电路,该直流偏压电路具有多数个第二组晶体管元件及两电流源,且每一该些第二组晶体管元件与该些第一组晶体管元件中对应的一晶体管元件具有相同的通道长宽比及该些第二组晶体管元件的电流值是根据该两电流源的电流值差而决定;以及
一增益控制单元,依据该可变增益装置的增益控制信号来切换该增益放大单元内的该些第一组晶体管及该些第二组晶体管的状态。
23、根据权利要求22所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的该些第一组晶体管元件的一晶体管元件导通时,该些第二组晶体管元件中对应的晶体管元件则为关闭。
24、根据权利要求23所述的可变增益装置,其特征在于其中所述的增益控制单元包括多数个反向器,用以分别接收多数个控制信号,控制该些第二组晶体管元件的导通/关闭状态,使其与该些第一组晶体管元件中对应的晶体管元件的状态相反。
CNB2005101276397A 2005-12-06 2005-12-06 可变增益装置 Expired - Fee Related CN100499764C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101276397A CN100499764C (zh) 2005-12-06 2005-12-06 可变增益装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101276397A CN100499764C (zh) 2005-12-06 2005-12-06 可变增益装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1980352A true CN1980352A (zh) 2007-06-13
CN100499764C CN100499764C (zh) 2009-06-10

Family

ID=38131318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101276397A Expired - Fee Related CN100499764C (zh) 2005-12-06 2005-12-06 可变增益装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100499764C (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107356890A (zh) * 2017-06-19 2017-11-17 宁波中车时代传感技术有限公司 基准可调的可编程线性霍尔传感器芯片
CN112033530A (zh) * 2020-08-17 2020-12-04 湖北三江航天万峰科技发展有限公司 一种光电探测器的增益控制电路

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6256482B1 (en) * 1997-04-07 2001-07-03 Frederick H. Raab Power- conserving drive-modulation method for envelope-elimination-and-restoration (EER) transmitters
JPH1127068A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 利得制御増幅器及びその制御方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107356890A (zh) * 2017-06-19 2017-11-17 宁波中车时代传感技术有限公司 基准可调的可编程线性霍尔传感器芯片
CN112033530A (zh) * 2020-08-17 2020-12-04 湖北三江航天万峰科技发展有限公司 一种光电探测器的增益控制电路
CN112033530B (zh) * 2020-08-17 2023-03-31 湖北三江航天万峰科技发展有限公司 一种光电探测器的增益控制电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN100499764C (zh) 2009-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3260615B2 (ja) 電圧制御発振器
TWI452830B (zh) Signal conversion circuit and track-to-rail circuit
US20110291724A1 (en) Duty cycle correction circuit
KR20020028783A (ko) 선형 가변 이득 증폭기
CN112039444B (zh) 一种提升正温度系数变化范围的增益放大器
US20240088874A1 (en) Operational amplifier-based hysteresis comparator and chip
JP2015195508A (ja) 差動増幅回路および半導体集積回路
CN116938222B (zh) 补偿校准电路、输出驱动器及电子设备
JP2011124647A (ja) 可変利得増幅器
US7786804B2 (en) Driving amplifier circuit with digital control and DC offset equalization
CN107171650B (zh) 可变增益放大电路
GB2381971A (en) Rail-to-rail CMOS comparator
TWI792643B (zh) 相位內插器與相位緩衝器電路
CN100499764C (zh) 可变增益装置
US11482973B2 (en) Receiving circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same
CN107786185B (zh) 相位内插器
CN108075739A (zh) 可变增益放大器
US7286014B2 (en) Variable gain device
JP7453562B2 (ja) 差動増幅回路、受信回路及び半導体集積回路
CN116073921A (zh) 用于校正低附加噪声差分信号的占空比和相位误差的电路
CN115987272A (zh) 信号接收器
JPWO2003028210A1 (ja) 低消費電力の可変利得増幅器
KR20080000220A (ko) 동기회로의 지연 장치 및 그 제어방법
CN114204935B (zh) 缓冲电路
JP7729065B2 (ja) トランスインピーダンス増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090610

Termination date: 20181206