CN1979313A - 基板及采用该基板的液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明是涉及一种基板及采用该基板的液晶显示器。该基板包括多个像素电极和与该像素电极电连接的晶体管，该像素电极包括一底端和与该底端连接的弯曲端，该弯曲端与该底端界定出一光穿透率较高区域及一光穿透率较低区域，该晶体管位于该光穿透率较低区域。该基板及采用该基板的液晶显示器具有较高的光穿透率。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种基板及采用该基板的液晶显示器。
【背景技术】
随着显示技术的发展，液晶显示器由于其轻、薄且无闪烁的优点，在各领域得到广泛应用。但通常的液晶显示器视角较小，为获得较大的视角，业界提出了各种广视角技术，如平面内切换技术(InPlate Switch，IPS)、多域垂直配向技术(Mutidomain VerticalAlignment，MVA)等广视角技术。
请一起参阅图1和图2，其中图1是一种现有技术平面内切换型液晶显示器的一个像素区域的示意图，图2是施加电压时图1中II区所产生的电场以及液晶分子偏转放大示意图。该像素区域10包括数据线115、与数据线115基本垂直的栅极线113、与数据线115基本平行的公共线135、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)120、公共电极133以及像素电极131。该公共电极133包括公共电极弯曲端133a与公共电极底端133b，该像素电极131包括像素电极弯曲端131a与像素电极底端131b。该公共电极133与该公共线135连接，该像素电极弯曲端131a与公共电极弯曲端133a相互平行并交错排列，并且成折条形。
该薄膜晶体管120设置在该数据线115与该栅极线113交界处，且位于该像素电极底端131b与像素电极弯曲端131a尾端所成的钝角β1处。该薄膜晶体管120包括与该栅极线113相连接的栅极(未标示)、与该数据线115相连接的源极(未标示)以及与该像素电极131连接的漏极(未标示)。
像素电极弯曲端131a与公共电极弯曲端133a平行。在像素电极131与公共电极133施加电压时产生一电场190。此时在该像素电极底端131b与像素电极弯曲端131a尾端所成的钝角β1以及该像素电极底端131b与像素电极弯曲端131a尾端所成的锐角α1周围电场出现旋转扭曲变形，其中α1+β1＝π。施加电压时，处于平行电场区域中的液晶分子130a与处于扭曲电场区域中的液晶分子130b旋转方向相反，即处于平行电场和扭曲电场中的液晶的取向不同，扭曲电场区域由此产生暗带，引起光穿透率降低。这些缺陷也会影响液晶层的反应特性，使显示区域出现残余影像。锐角α1周围电场的变化较快，而且变化较大；而在钝角β1周围，由于相对空间较大，变化较小。电场的这种异变差异导致该锐角α1与钝角β1周围光穿透率的差异：锐角α1周围光穿透率较钝角β1周围光穿透率低得多。将该薄膜晶体管120置于光透过率较高的钝角β1处，使得该液晶显示器光穿透率较低。
【发明内容】
为克服现有技术用于光穿透率较低的缺陷，有必要提供一种光穿透率较高的基板。
还提供一种采用上述基板的液晶显示器。
一种基板，其包括多个像素电极和与该像素电极电连接的晶体管，该像素电极包括一底端和与该底端连接的弯曲端，该弯曲端与该底端的交叉处包括一光穿透率较高区域和一光穿透较低区域，该晶体管位于该光穿透率较低区域。
一种液晶显示器，其包括相对设置的第一基板、第二基板和位于该第一基板与第二基板间的液晶层，该第一基板包括多个像素电极和与该像素电极电连接的晶体管，该像素电极包括一底端和与该底端连接的弯曲端，该弯曲端与该底端界定出一光穿透率较高区域及一光穿透率较低区域，该晶体管位于该光穿透率较低区域。
与现有技术相比，上述基板和采用该基板的液晶显示器中，晶体管设置在光透过率较低的区域，而薄膜晶体管本身不透明，该晶体管覆盖的光透过率较低的区域不透光，由于光透过率较低区域的透光率本身较低，将晶体管设置在此处，可有效利用光透光率较低的区域，从而提高该像素区域的光穿透率。
【附图说明】
图1是一种现有技术液晶显示器的一个像素区域的示意图。
图2是施加电压时图1中II区所产生的电场以及液晶分子偏转放大示意图。
图3是本发明液晶显示器第一实施方式的示意图。
图4是本发明液晶显示器第一实施方式一个像素区域的示意图。
图5是施加电压时图4中V区所产生的电场以及液晶分子偏转放大示意图。
图6是本发明液晶显示器第二实施方式的一个像素区域的示意图。
图7是本发明液晶显示器第三实施方式的一个像素区域的示意图。
【具体实施方式】
本发明液晶显示器第一实施方式请一起参阅图3、图4和图5，该液晶显示器4包括第一基板41、第二基板43和位于该第一基板41和第二基板43之间的液晶层42。该第一基板41包括像素电极431、公共电极433和多个像素区域。其中图4是一个像素区域的示意图；图5是施加电压时图4中V区所产生的电场以及液晶分子偏转放大示意图。该像素区域40中，包括数据线415、与数据线415基本垂直的栅极线413、与数据线415基本平行的公共线435、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)420、公共电极433以及像素电极431。该公共电极433包括公共电极底端433b与从该公共电极底端433b突出的公共电极弯曲端433a。该像素电极431包括像素电极底端431b与从该像素电极底端431b突出的像素电极弯曲端431a。该公共电极433与该公共线435连接，该像素电极弯曲端431a与公共电极弯曲端433a相互平行并交错排列，并且成折条形。
该薄膜晶体管420设置在该数据线415与该栅极线413交界处，且位于该像素电极底端431b与像素电极弯曲端431a尾端所成的锐角α4处。该薄膜晶体管420包括与该栅极线413相连接的栅极(未标示)、与该数据线415相连接的源极(未标示)以及与该像素电极431连接的漏极(未标示)。
像素电极弯曲端431a与公共电极弯曲端433a平行。在像素电极431与公共电极433施加电压时产生一电场490。此时在该像素电极底端431b与像素电极弯曲端431a尾端所成的钝角β4以及该像素电极底端431b与像素电极弯曲端431a尾端所成的锐角α4周围电场出现旋转扭曲变形。施加电压时处于平行电场区域中的液晶分子430a与处于扭曲电场区域中的液晶分子430b旋转方向相反，即处于平行电场和扭曲电场中的液晶的取向不同，扭曲电场区域由此产生暗带。
但是，由于锐角α4周围电场的变化较快，而且变化较大；而在钝角β4周围，由于相对空间较大，电场变化较小。电场的这种异变差异导致锐角α4与钝角β4周围光穿透率的差异：锐角α4周围光穿透率较钝角β4周围光穿透率低得多。该像素区域40中，薄膜晶体管420设置在锐角α4处，而薄膜晶体管420本身不透明，该薄膜晶体管420覆盖的锐角α4角附近区域不透光，由于锐角α4周围透光率本身较低，将薄膜晶体管420设置在此处，较之前将薄膜晶体管420设置在钝角β4处，可有效利用透光率较低区域，从而提高该像素区域的光穿透率。
请参阅图6，是本发明液晶显示器第二实施方式的一个像素区域的示意图。该像素区域60与像素区域40的不同之处在于：该像素区域60中，像素电极与公共电极均为弓形，在该像素电极底端631b与像素电极弯曲端631a相交处所作的该像素电极弯曲端631a的切线与该像素电极底端631b形成锐角α6和钝角β6。薄膜晶体管设置在锐角α6处。
请参阅图7，是本发明液晶显示器第三实施方式的一个像素区域的剖视图。该像素区域70与像素区域40的不同之处在于：该像素区域70中，像素电极与公共电极均为波浪形，在该像素电极底端731b与像素电极弯曲端731a相交处所作的该像素电极弯曲端731a的切线与该像素电极底端731b形成锐角α7和钝角β7。薄膜晶体管设置在锐角α7处。
Claims (7)
1.一种基板，其包括多个像素电极和与该像素电极电连接的晶体管，该像素电极包括一底端和与该底端连接的弯曲端，该弯曲端与该底端界定出一光穿透率较高区域和一光穿透较低区域，其特征在于：该晶体管位于该光穿透率较低区域。
2.如权利要求1所述的基板，其特征在于：该光穿透率较高区域和该光穿透率较低区域分别位于该弯曲端两侧。
3.如权利要求1所述的基板，其特征在于：该晶体管是薄膜晶体管。
4.如权利要求1所述的基板，其特征在于：该像素电极的弯曲端是折条形。
5.如权利要求1所述的基板，其特征在于：该像素电极的弯曲端是弓形。
6.如权利要求1所述的基板，其特征在于：该像素电极的弯曲端是波浪形。
7.一种液晶显示器，其包括相对设置的第一基板、第二基板和位于该第一基板与第二基板之间的液晶层，该第一基板包括多个像素电极和与该像素电极电连接的晶体管，该像素电极包括一底端和与该底端连接的弯曲端，该弯曲端与该底端的交叉处包括一光穿透率较高区域及一光穿透率较低区域，其特征在于：该第一基板是权利要求1至6项中任意一项所述的基板。
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