[go: up one dir, main page]

CN1960000A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1960000A
CN1960000A CNA2006101504580A CN200610150458A CN1960000A CN 1960000 A CN1960000 A CN 1960000A CN A2006101504580 A CNA2006101504580 A CN A2006101504580A CN 200610150458 A CN200610150458 A CN 200610150458A CN 1960000 A CN1960000 A CN 1960000A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pearl
display unit
transparent electrode
exemplary embodiment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101504580A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100573902C (zh
Inventor
李相泌
成沄澈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1960000A publication Critical patent/CN1960000A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100573902C publication Critical patent/CN100573902C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示装置,包括:绝缘基板;有机层,设置于绝缘基板上;共用电极,设置于有机层上;以及珠层,包括来自有机层的光所穿过的多个珠。一种制造显示装置的方法,包括:在绝缘基板上形成有机膜;在有机膜上形成第一透明电极层;以及在第一透明电极层上形成包括多个珠的珠层。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请交叉参考
本申请要求于2005年11月1日提交的韩国专利申请第2005-0103746号的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法,具体地说,涉及一种显示装置及其制造方法,其包括用于扩散光线的珠层(bead layer),因此提高了其光学效率。
背景技术
在平板显示器中,有机发光二极管(OLED)因其可以以低电压驱动、厚度薄、重量轻、具有宽视角、具有较短响应时间等而受到关注。
在有源矩阵OLED中,薄膜晶体管与每个像素区相连,并根据像素区控制有机发光层的发光。每个像素区包括像素电极,每个像素电极与相邻的像素电极电分离,以便每个像素可以被单独地驱动。隔离壁形成于像素区之间。隔离壁防止像素电极之间短路,因此将像素区彼此隔离开。空穴注入层和有机发射层可以依次形成于隔离壁之间的像素电极上。在有机发光层上形成共用电极。
根据从有机发光层所发出光线的方向,OLED分成底层发光型和顶层发光型。
在底层发光型和顶层发光型的OLED中,光线均从有机发光层发出,经过多个具有不同折射率的层发射到外部。由于这些层具有不同的折射率,因此光线被分散并且亮度降低。如果为增加亮度将发光设为高亮度的话,能耗将增加,并且加速光学装置的劣化。
发明内容
例示性实施例提供一种显示装置及其制造方法,其中通过减少散射效应提高亮度。
一个例示性实施例提供一种显示装置,包括:绝缘基板;有机层,设置于绝缘基板上;共用电极,设置于有机层上;以及珠层,包括来自有机层的光所穿过的多个珠。
在例示性实施例中,珠层设置于共用电极上。
在例示性实施例中,共用电极包括多个透明电极层,并且珠层插在透明电极层之间。
在例示性实施例中,珠具有大约1.5到大约2.0的折射率。
在例示性实施例中,珠为半球形的。
在例示性实施例中,珠具有大约2微米(μm)到大约10微米(μm)的直径。
在例示性实施例中,珠具有2微米(μm)到大约6微米(μm)的高度。
在例示性实施例中,珠包括以下之一:聚苯乙烯、聚碳酸酯、Sio2、Tio2以及包含上述至少一种物质的组合物。
在例示性实施例中,共用电极包括双层,双层的上层包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)。
在例示性实施例中,上层具有大约0.03微米(μm)到大约1.5微米(μm)的厚度。
在例示性实施例中,显示装置还包括钝化层,设置于共用电极上,并且具有大约1.3到大约2.0的折射率。
另一个例示性实施例提供一种制造显示装置的方法,方法包括:在绝缘基板上形成有机膜;在有机膜上形成第一透明电极层;以及在第一透明电极层上形成包括多个珠的珠层。
在例示性实施例中,形成珠层包括在第一透明电极层上喷涂多个珠。
在例示性实施例中,形成珠层包括丝网印刷。
在例示性实施例中,方法还包括在所述珠层上形成第二透明电极层。
在例示性实施例中,方法还包括在第二透明电极层上形成钝化膜。
一个例示性实施例提供一种制造显示装置的方法,方法包括:在绝缘基板上形成有机膜;在有机膜上形成第一透明电极层和第二透明电极层;以及在第二透明电极层上形成包括多个珠的珠层。
在例示性实施例中,形成珠层包括在第二透明电极层上喷涂多个珠。
在例示性实施例中,形成珠层包括丝网印刷。
在例示性实施例中,方法还包括在所述珠层上形成钝化膜。
附图说明
结合附图,本发明上述的和/或其它方面及优势将从下面的实施例描述中变得明显且易于理解。附图中:
图1是本发明所涉及的显示装置的例示性实施例的等效电路图;
图2A和2B是图1中的显示装置的横截面视图;
图3示出了用于制造本发明所涉及的显示装置的丝网印刷设备的例示性实施例;
图4示出了用于制造本发明所涉及的显示装置的印网掩模的例示性实施例;
图5示出了用于制造本发明所涉及的显示装置的印网掩模的另一个例示性实施例;
图6是用于制造本发明所涉及的显示装置的方法的例示性实施例的横截面视图;以及
图7是本发明所涉及的显示装置的另一例示性实施例的横截面视图。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的实施例进行描述,其中相同标号表示相同元件,必要时避免重复的描述。然而,本发明可以以多种不同的方式来实施,而不应认为其局限于这里所阐述的实施例。当然,提供这些实施例,是为了使本公布更全面、更充分,并向本领域技术人员充分表达本发明的范围。为清晰起见,附图中层和区域的尺寸及相对尺寸可以进行放大。
可以理解,当指出一个元件或层在另一元件或层“之上”或“连接至”另一元件或层时,其可以直接在另一元件或层之上或直接连接至另一元件或层,或者两者之间具有中间元件或层。相反,当指出一个元件或层“直接”在另一元件或层之上或“直接连接至”另一元件或层时,两者之间就不存在中间元件或层。在文中使用时,术语“和/或”包括一个或多个项目的任意及所有组合。
可以理解,虽然术语“第一、第二、第三”等在此处可用于描述不同的元件、部件、区域、层和/或截面,这些元件、部件、区域、层和/或截面不应被这些词所限制。这些词仅是用于区别一个元件、部件、区域、层或截面与另一个区域、层或截面。因此,在不脱离本发明的启示下,下面讨论的第一元件、部件、区域、层或截面也可表示为第二元件、部件、区域、层或截面。
为了便于描述,文中可使用空间上相对的术语,如“上面的”“上部的”等,以便描述图中所示出的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。可以理解,除图中所描述的方向以外,空间上相对的术语旨在还包括所使用或操作中的装置的不同方向。例如,如果翻转图中的装置的话,相对于其它元件或特征描述为“上面的”或“上部的”元件则应相对于所述的其它元件或特征位于“下面的”或“下部的”。因此,示例性的典型“上面的”可包括“上面的”方向以及“下面的”方向两者。另外,装置可以其它方式定位(旋转90度或在其它方向),并且可以是此处使用且相应地解释的空间上相关的描述词。
此处所使用的术语仅用于描述特定的实施例的目的,并非旨在限制本发明。正如此处所使用的,除非本文以其它方式清楚地指出,否则单数形式的“一个”和“这个”也旨在包括复数形式。还可以理解,当用在本说明书中时,术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”说明所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件的存在,但不排除另外一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
下面参照作为本发明的理想实施例(及中间结构)的示意性示图的横截面示图描述本发明的实施例。对此,可以预料,由于例如制造技术和/或公差等原因会导致与所示形状的不同。因此,本发明的实施例不应被解释为局限于此处所示的特定形状的范围,而应认为包括例如由于制造而导致的形状上的偏差。
例如,示为矩形的注入区域(implanted region)通常会在其边缘处具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度梯度(gradient of implantconcentration),而不具有从注入区域到非注入区域的双重变化。同样地,通过注入形成的埋藏区域(bury region)可导致在埋藏区域和进行注入所经过的表面之间的区域内的一些注入。因此,图中示出的区域是本质性的示意,不应认为它们的形状示出了装置的区域的真实形状,也不应认为限制本发明的范围。
除非以其它方式限制,否则此处所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员的一般理解相同的含义。还可以理解,术语(例如由一般使用的词典所限定的术语)应被解释为具有与它们在相关领域下的含义相一致的含义,除非此处特别地这样限定,否则不应解释成理想的或太正式的意义。
下面,将参照附图对本发明进行详细描述。
图1是本发明所涉及的显示装置的例示性实施例的等效电路图。
参照图1,显示装置1包括多条信号线。这些信号线包括:栅极线,用于传输扫描信号;数据线,用于传输数据信号;以及驱动电压线,用于施加驱动电压。数据线和驱动电压线相邻,并且基本上彼此平行设置。另外,栅极线与数据线和驱动电压线都交叉。相邻的栅极线基本上彼此平行设置,并且基本上垂直于数据线和驱动电压线。
像素包括:有机发光装置(LD)、开关晶体管Tsw、驱动晶体管Tdr以及电容器C。
驱动晶体管Tdr具有:控制端子,连接至开关晶体管Tsw;输入端子,连接至驱动电压线;以及输出端子,连接至有机发光装置LD。
有机发光装置LD具有:阳极,连接至驱动晶体管Tdr的输出端子;以及阴极,连接至共用电压Vcom。有机发光装置LD发出的光的亮度根据从驱动晶体管Tdr中输出的电流强度而变化,因此显示图像。从驱动晶体管Tdr中输出的电流强度根据施加于驱动晶体管Tdr的控制端子与输入端子之间的电压而变化。
开关晶体管Tsw具有:控制端子,连接至栅极线;输入端子,连接至数据线;以及输出端子,连接至驱动晶体管Tdr的控制端子。开关晶体管Tsw响应施加到栅极线的扫描信号,将来自于数据线的数据信号传输至驱动晶体管Tdr。
电容器C连接在驱动晶体管Tdr的控制端子与输入端子之间。电容器C储存并保持待输入至驱动晶体管Tdr的控制端子的数据信号。
参照图2-6,对显示装置及其制造方法的例示性实施例进行描述。
图2A和2B是显示装置的横截面视图,其仅示出了驱动晶体管Tdr。图2B是图2A中“A”的局部放大视图。
第一基板110可包括绝缘材料,如玻璃、石英、塑料等。栅电极121形成于绝缘基板110上。栅极绝缘层131形成于绝缘基板110和栅电极121之上。在例示性实施例中,栅极绝缘层131可包括氮化硅(SiNx)等。
半导体层132和欧姆接触层133依次形成于位置和/或尺寸与栅电极121相应的栅极绝缘层131之上。在例示性实施例中,半导体层132可包括非晶硅,欧姆接触层133可包括高度掺杂n型杂质的n+非晶氢化硅。欧姆接触层133相对于栅电极121被有效地分成两部分。
正如图2A中示出的实施例,源电极141和漏电极142各自形成于欧姆接触层133和栅极绝缘层131上。源电极141和漏电极142相对于栅电极121被有效地隔离。
钝化膜151形成于源电极141、漏电极142和暴露于源电极141和漏电极142之间的半导体层132的上部上。在例示性实施例中,钝化膜151可包括氮化硅(SiNx)。钝化膜151从漏电极142上被部分地移除。
有机膜171设置于覆盖薄膜晶体管Tdr的钝化膜151上。有机膜171的上表面近似平面,且在漏电极142上被部分地移除。在例示性实施例中,有机膜171可包括以下之一:苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)系、烯烃(olefin)系、丙烯酸树脂(acrylicresin)系、聚酰亚胺(polyimide)系、聚四氟乙烯(teflon)系、全氟化聚合物(cytop)系、多氟环丁烷(perfluorocyclobutane)系以及包括至少一种上述物质的组合物。
像素电极181形成于有机膜171上。像素电极181可被认为是阳极,并为有机层220提供空穴。在顶部发光型显示装置1的例示性实施例中,提供空穴的像素电极181可包括不透明的金属,如镍(Ni)、铬(Cr)等。用于像素电极181的金属具有高功函(workfunction)(但不限于此),以便平稳有效地注入空穴。像素电极181通过接触孔153连接到漏极142。
在可替换的例示性实施例中,像素电极181可包括诸如可在共用电极230中找到的透明导电材料。在像素电极181包括透明导电材料的情况下,光线也许不射向共用电极230(例如在示出的例示性实施例中),而射向绝缘基板110的相对方向。
隔离壁(partition wall)211形成于像素电极181和有机膜171上,并围绕像素电极181。隔离壁211隔开像素电极181,并限定像素区。隔离壁211减少薄膜晶体管Tdr的源电极141和漏电极142与共用电极230发生短路的机率,或有效地防止短路。
在例示性实施例中,隔离壁211可包括(但不限于)感光材料,例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等,其具有耐热性和耐溶剂性。在另一例示性实施中,隔离壁211可包括无机材料,例如Sio2和/或Tio2。隔离壁211可具有有机层和无机层构成的双层结构。
有机层220形成于未被隔离壁211覆盖的像素电极181上。有机层220包括空穴注入层221和发光层222。
在例示性实施例中,空穴注入层221可包括空穴注入材料,例如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩,3,4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT)和聚苯乙烯基磺酸(polystyrene sulfonic acid,PSS)。空穴注入材料被喷墨(inkjet)成水中悬浮(aquatic suspension)状,以形成空穴注入层221。
在例示性实施例中,发光层222可包括三个分别发出红光、绿光和蓝光的子层。每个像素可包括三个子层中的一个。
来自于像素电极181的空穴和来自于共用电极230的电子在发光层222中组合成电子空穴对,并且当电子空穴对去活(inactivated)时发出光线。
共用电极230设置于隔离壁211和发光层222之上。共用电极230本质上用作阴极,以向发光层222提供电子。共用电极230包括多个透明电极层231和232。第一透明电极层231可包括具有低功函的金属,以便向发光层222提供电子,第二透明电极层232可包括透明导电材料,以盖住第一透明电极层231。
在例示性实施例中,第一透明层231可包括(但不限于)镁和银的合金或钙和银的合金。在一个例示性实施例中,第一透明层231的厚度可在大约50纳米(nm)到大约200纳米(nm)的范围内。当第一透明电极231的厚度小于50nm时,电阻过度增大,以致于不能有效地施加共用电压。另一方面,当第一透明电极231的厚度大于200nm时,共用电极230可能不透明。
在例示性实施例中,第二透明层232可包括(但不限于)氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)。在例示性实施例中,第二透明层232的厚度d3可在大约0.03微米(μm)到大约1.5微米(μm)的范围内。在一个例示性实施例中,ITO或IZO的折射率在大约1.7到大约1.9的范围内。
在第二透明层232上形成具有多个珠(bead)241的珠层240。每个珠241具有基本上为半球形的形状,且有效地起到用于散射入射光线的透镜的作用。珠241加强了穿过共用电极230的光线的扩散。珠层240有效地用作液晶显示器(LCD)的扩散片和/或棱镜片,因此加强了光线的扩散。
参照附图2B,接触第二透明电极层232的珠241可具有底部直径d1在例示性实施例中,底部直径d1可在大约2μm到大约10μm的范围内。珠241的高度d2可在大约2μm到大约6μm的范围内。每个像素设置多个珠241,其中珠241的尺寸可根据像素的大小变化。
在例示性实施例中,珠241可包括(但不限于)可在LCD的隔板(spacer)中找到的聚苯乙烯,和/或包括至少以下之一:聚碳酸酯、Sio2和Tio2
珠241可包括多种不同的材料中的任一种,只要该材料能形成具有基本上为半球形的形状即可。在一个例示性实施例中,珠241的折射率可在大约1.5至2.0的范围内。
由于珠层240与第二透明电极层232接触,因此珠241优选地具有与第二透明电极层232的折射率近似的折射率。如果珠241和第二透明电极层232折射率有很大不同的话,那么具有大于临界角的入射角的光线遭遇全内反射,而不射到外部。当全内反射发生时,珠层240不能充分地散射光线。在例示性实施例中,珠241的折射率等于或基本上近似于第二透明电极层232的折射率。
钝化层250设置于珠层240上,用于保护珠层240。在例示性实施例中,钝化层250的折射率优选地近似于第二透明层232的折射率,因此有效地传输光线。在一个例示性实施例中,钝化层250的折射率在大约1.3到大约2.0的范围内。钝化层250可包括(但不限于)至少以下之一:聚碳酸酯、Sio2和Tio2。在可替换的例示性实施例中,钝化层250可通过涂布单独的膜形成。
图3示出了用于制造本发明所涉及的显示装置,具体地,用于制造珠层240和钝化层250的丝网印刷(screen printing)设备的例示性实施例;图4示出了用于制造珠层的印网掩模(screen mask)的例示性实施例;图5示出了用于制造本发明所涉及的显示装置的印网掩模的另一个例示性实施例;以及图6是示出了制造本发明所涉及的显示装置的方法的例示性实施例的横截面视图。
参照图3,丝网印刷设备包括:工作台10,在其上安置有显示装置1;印网掩模20,置于工作台10上;掩模架30,支撑印网掩模20的至少一侧,并将印网掩模20与工作台10隔开;压件(squeeze)40,扫描印网掩模20;以及控制器(未示出),控制压件驱动器(未示出),以使得压件40从印网掩模20的一侧向另一侧线性地移动。
显示装置1安置于工作台10上,印网掩模20置于显示装置1的上面。印网掩模20包括:印刷部21,对应于围绕印刷部21的显示装置1支撑件23a和23b;以及掩模框架25,设置于支撑件23a、23b的至少一侧上,并固定印网掩模20。印刷部21的大小和形状基本上对应于显示装置的大小和形状。在例示性实施例中,印刷部21可具有基本上为矩形的形状。
在例示性实施例中,支撑件23a、23b由柔性材料(例如塑料)制成,并设置于印刷部21的边缘处,从而很好地牵拉印刷部21,以减小或有效地防止印刷部21的下垂。当压件40挤压印刷部21时,支撑件23a、23b与印刷部21一起上下运动。掩模框架25安置于掩模架30上(将在后面描述),并且掩模架30支撑印网掩模20,以减小或有效地防止当压件40运转时印网掩模20的运动。
掩模架30设置在工作台10的相对两侧上,且彼此相对。当压件40运转时,掩模架30固定并支撑印网掩模20,并将印网掩模20与显示装置1隔开预定的距离。在此,印网掩模20和显示装置1之间的间隙d4可根据显示装置1的尺寸变化。在一个例示性实施例中,间隙d4可为大约5厘米(cm)到大约30厘米(cm)。
压件40扫描印网掩模20,并通过印刷部21将印刷物质241a挤压到显示装置1上。印刷物质可包括(但不限于)聚碳酸酯等。
压件40从印网掩模20的第一支撑端23a到与第一支撑端23a相对的第二支撑端23b运动,例如线性地运动,将堆放在第一支撑端23a中的聚碳酸酯241a涂布到印刷部21上。同时,压件40朝向显示装置1按压印刷部21,并将聚碳酸酯241a从印刷部21中挤出到显示装置1上。由压件40按压的印刷部21变形,以靠近显示装置1,然后在压件40通过那里之后,又恢复到与基板110相间隔。
如图4中所示,用于形成珠层240的印网掩模50具有网状图案53和块状图案51。在例示性实施例中,网状图案53和块状图案51可以基本上有规律的间隔设置。网状图案53可形成为多种适于形成珠层240的形状中的任一种,如基本上为矩形的形状。在一个例示性实施例中,矩形网状图案53形成有网孔,以便在形成(例如通过丝网印刷形成)珠层240期间聚碳酸酯241a可从中通过。印刷物质不能通过块状图案51。如图4的实施例中所示,网状图案53彼此隔开预定的间距,形成基本上为矩阵的形状。
图5中示出的用于形成钝化层250的印网掩模60设置有网状图案63和块状图案61。因为钝化层250实质上是沉积在显示装置1的整个表面上,没有预定的图案,所以网状图案63占据了印网掩模60的大部分。
图6示出了制造(例如通过丝网印刷制造)包括珠层240的显示装置的方法的例示性实施例。图4中示出的印网掩模50置于显示装置1上,压件40沿一个方向(例如从左至右)运动。印网掩模50密集地形成有网状图案53。
压件40在印网掩模50上运动,并通过网状图案53将聚碳酸酯241a挤出到显示装置1上。
在例示性实施例中,多个珠241形成于与一个像素电极181相对应的区域内。因此,多个网状图案53形成于与该像素电极181相对应的区域内。对从网状图案53挤出到第一透明电极层232的聚碳酸酯241a进行处理,例如使之硬化,并形成为基本上具有半球形的形状。
在例示性实施例中,为了硬化聚碳酸酯241a,可向聚碳酸酯241a施加紫外(UV)线或热量。
形成珠层240之后,钝化层250通过图5中的压件40和印网掩模60形成于珠层240上。在例示性实施例中,钝化层250包括无机材料或无机绝缘材料。
在可替换的例示性实施例中,钝化层250可通过沉积法,例如溅射法或化学气相沉积(CVD)法形成。
在另一可替换的例示性实施例中,与珠层240和钝化层250相似,发光层222和有机层220可通过丝网印刷法形成。
在另一例示性实施例中,与用于LCD的隔板相似,可通过喷涂珠241而不使用压件40形成珠层240。
图7是根据本发明的显示装置的另一例示性实施例的横截面视图。显示装置包括介于第一透明电极层231和第二透明电极层232之间的珠层242。
与图1-6中的珠层240相似,珠层242具有与第二透明电极层232的折射率近似的折射率。在例示性实施例中,可通过在第一透明电极层231上喷涂珠241或使用压件40形成珠层242。
在示出的例示性实施例中,通过形成珠层240、242,穿过共用电极230并基本上直线传播的光量增加,并且表面反射的光被扩散。优势地,散射的光减少且亮度增加,因此与没有珠层240、242的情形相比能耗减少。
示出的例示性实施例提供了一种显示装置及其制造方法,其中通过减少散射效应提高亮度。
示出的例示性实施例提供了一种显示装置及其制造方法,其中能耗减少。
虽然已示出了并描述了本发明的几个实施例,但是本领域的技术人员可以意识到,在不背离本发明(其保护范围在所附权利要求及其等同物内限定)原则和精神的前提下这些实施例可以变化。

Claims (20)

1.一种显示装置,包括:
绝缘基板;
有机层,设置于所述绝缘基板上;
共用电极,设置于所述有机层上;以及
珠层,包括多个珠,来自所述有机层的光穿过所述珠。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述珠层设置于所述共用电极上。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述共用电极包括多个透明电极层,并且
所述珠层位于所述透明电极层之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述珠具有大约1.5到大约2.0的折射率。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述珠为半球形。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述珠具有大约2微米(μm)到大约10微米(μm)的直径。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述珠具有大约2微米(μm)到大约6微米(μm)的高度。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述珠包括以下之一:聚苯乙烯、聚碳酸酯、Sio2、Tio2以及包含上述至少一种物质的组合物。
9.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述共用电极包括双层,所述双层的上层包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述上层具有大约0.03微米(μm)到大约1.5微米(μm)的厚度。
11.根据权利要求4所述的显示装置,还包括钝化层,设置于所述共用电极上,并且具有大约1.3到大约2.0的折射率。
12.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
在绝缘基板上形成有机膜;
在所述有机膜上形成第一透明电极层;以及
在所述第一透明电极层上形成包括多个珠的珠层。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述形成珠层包括在所述第一透明电极层上喷涂所述多个珠。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,所述形成珠层包括丝网印刷。
15.根据权利要求12所述的方法,还包括:
在所述珠层上形成第二透明层。
16.根据权利要求15所述的方法,还包括:
在所述第二透明电极层上形成钝化膜。
17.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
在绝缘基板上形成有机膜;
在所述有机膜上形成第一透明电极层和第二透明电极层;以及
在所述第二透明电极层上形成包括多个珠的珠层。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述形成珠层包括在所述第二透明电极层上喷涂所述多个珠。
19.根据权利要求17所述的方法,其中,所述形成珠层包括丝网印刷。
20.根据权利要求17所述的方法,还包括:
在所述珠层上形成钝化膜。
CNB2006101504580A 2005-11-01 2006-10-31 显示装置 Active CN100573902C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050103746 2005-11-01
KR1020050103746A KR100717269B1 (ko) 2005-11-01 2005-11-01 디스플레이장치 및 그 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101725506A Division CN101388365A (zh) 2005-11-01 2006-10-31 制造显示装置的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1960000A true CN1960000A (zh) 2007-05-09
CN100573902C CN100573902C (zh) 2009-12-23

Family

ID=37995379

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101725506A Pending CN101388365A (zh) 2005-11-01 2006-10-31 制造显示装置的方法
CNB2006101504580A Active CN100573902C (zh) 2005-11-01 2006-10-31 显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008101725506A Pending CN101388365A (zh) 2005-11-01 2006-10-31 制造显示装置的方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7800100B2 (zh)
JP (1) JP2007128879A (zh)
KR (1) KR100717269B1 (zh)
CN (2) CN101388365A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10033014B2 (en) 2013-03-15 2018-07-24 Pixelligent Technologies Llc. Advanced light extraction structure
US10050236B2 (en) 2013-07-08 2018-08-14 Pixelligent Technologies Llc Advanced light extraction structure
US10144842B2 (en) 2013-03-15 2018-12-04 Pixelligent Technologies Llc High refractive index nanocomposite layer
CN111430571A (zh) * 2020-04-09 2020-07-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101515426B1 (ko) * 2008-11-11 2015-04-27 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리, 백라이트 어셈블리를 포함하는 액정 표시 장치, 및 이들의 제조 방법
KR100970482B1 (ko) * 2008-12-04 2010-07-16 삼성전자주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
KR20110038513A (ko) * 2009-10-08 2011-04-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101972463B1 (ko) 2011-02-18 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101884737B1 (ko) * 2011-08-09 2018-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9991463B2 (en) * 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
KR101476893B1 (ko) 2012-11-29 2014-12-26 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이용 스크래치 방지 필름
JP6231281B2 (ja) * 2013-01-23 2017-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102090276B1 (ko) * 2013-08-08 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 광학 필름
JP2015069806A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR102278603B1 (ko) * 2014-04-14 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9166188B1 (en) * 2014-06-10 2015-10-20 Arolltech Co., Ltd. Organic light emitting diode device
KR102377173B1 (ko) * 2015-08-25 2022-03-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR20190047169A (ko) * 2017-10-26 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102800123B1 (ko) * 2019-02-01 2025-04-24 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN112558354B (zh) * 2020-12-09 2022-02-22 华南理工大学 一种背光基板以及显示面板

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05273512A (ja) 1992-03-27 1993-10-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルおよびその製造方法と液晶投写型テレビジョン
JPH11111464A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Kawaguchiko Seimitsu Kk El表示パネル
JPH11126685A (ja) 1997-10-22 1999-05-11 Nec Kansai Ltd 電界発光灯
HK1042675B (zh) * 1999-01-15 2004-06-25 3M Innovative Properties Company 傳熱的方法
KR100590254B1 (ko) * 2000-10-06 2006-06-15 삼성에스디아이 주식회사 전면발광구조를 갖는 유기발광소자 및 그 제조방법
JP2003100444A (ja) 2001-09-26 2003-04-04 Keiwa Inc 面照明装置
JP2003257627A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Hitachi Ltd 有機el表示装置と封止フィルム及びそれらの製造方法
JP4115794B2 (ja) * 2002-09-24 2008-07-09 日東電工株式会社 光拡散板の作製方法
JP2004127560A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Hitachi Ltd 有機el表示装置
KR20040073648A (ko) * 2003-02-14 2004-08-21 오리온전기 주식회사 취출 효율이 향상된 유기 el 소자
JP2005011793A (ja) * 2003-05-29 2005-01-13 Sony Corp 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置
JP2004363049A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置
JP4561201B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP4453385B2 (ja) * 2004-02-13 2010-04-21 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP5005164B2 (ja) * 2004-03-03 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 発光素子,発光型表示装置及び照明装置
KR100705181B1 (ko) * 2004-03-16 2007-04-06 주식회사 엘지화학 나노 크기의 반구형 볼록부를 갖는 기판 또는 전극을이용한 고효율 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2005283832A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10033014B2 (en) 2013-03-15 2018-07-24 Pixelligent Technologies Llc. Advanced light extraction structure
US10144842B2 (en) 2013-03-15 2018-12-04 Pixelligent Technologies Llc High refractive index nanocomposite layer
US10516140B2 (en) 2013-03-15 2019-12-24 Pixelligent Technologies, Llc Advanced light extraction structure
US11355737B2 (en) 2013-03-15 2022-06-07 Pixelligent Technologies Llc Advanced light extraction structure
US10050236B2 (en) 2013-07-08 2018-08-14 Pixelligent Technologies Llc Advanced light extraction structure
CN105531824B (zh) * 2013-07-08 2018-08-31 皮瑟莱根特科技有限责任公司 先进的光提取结构
US10522791B2 (en) 2013-07-08 2019-12-31 Pixelligent Technologies, Llc Advanced light extraction structure
CN111430571A (zh) * 2020-04-09 2020-07-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070047045A (ko) 2007-05-04
JP2007128879A (ja) 2007-05-24
US7800100B2 (en) 2010-09-21
US20070096642A1 (en) 2007-05-03
CN100573902C (zh) 2009-12-23
KR100717269B1 (ko) 2007-05-15
US20100320895A1 (en) 2010-12-23
CN101388365A (zh) 2009-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1960000A (zh) 显示装置及其制造方法
US9865837B2 (en) Light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN1967343A (zh) 从两侧发光的显示装置
CN1575056A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法、具备其的显示装置
CN1638569A (zh) 双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法
CN1677207A (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN101043047A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1545824A (zh) 发光面板
CN1638544A (zh) 一种有机电致发光器件及其制造方法
CN1577414A (zh) 显示装置
CN1945847A (zh) 显示装置及其制造方法
CN105448952A (zh) 有机发光显示面板及其制造方法
CN1967864A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1633619A (zh) 半透过反射型液晶显示器件
CN103715204B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN1282012C (zh) 半透过型显示装置
CN1675581A (zh) 液晶显示装置
CN1870278A (zh) 透射反射型液晶显示板及其制造方法
CN101030587A (zh) 像素结构及其制造方法
CN1479144A (zh) 制造液晶显示装置的方法
CN101060130A (zh) 有源式有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN1920664A (zh) 蚀刻带及使用该蚀刻带制造液晶显示器的阵列基板的方法
CN1893090A (zh) 显示基板、其制造方法和具有其的显示装置
CN1900782A (zh) 显示装置的制造方法
CN1828971A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121226

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121226

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd.