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CN1949081B - 光刻装置 - Google Patents

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CN1949081B
CN1949081B CN2006101321217A CN200610132121A CN1949081B CN 1949081 B CN1949081 B CN 1949081B CN 2006101321217 A CN2006101321217 A CN 2006101321217A CN 200610132121 A CN200610132121 A CN 200610132121A CN 1949081 B CN1949081 B CN 1949081B
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Abstract

本发明公开了一种光刻装置,其中圆形传感器通过三个板簧安装在基底台上,所述板簧围绕传感器的热轴线均匀隔开。该板簧布置成两个彼此可拆卸连接的安装部。板簧是弹性的,并允许传感器因热膨胀和收缩而相对基底台移动,但是可以确保传感器的热心不相对基底台移动。

Description

光刻装置
技术领域
本发明涉及一种光刻装置。
背景技术
光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置例如可以用于集成电路(IC)的制造。在这种情况下,构图部件或者可称为掩模或中间掩模版,它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分,一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地,单一的基底将包含被相继构图的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器,它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部,已知的光刻装置还包括所谓的扫描器,它通过在辐射束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案,并且同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。
在其上安装有基底的基底台上使用传感器以使基底和带图案的辐射束对准。传感器包括透射像传感器(TIS)、光点传感器和扫描器上集成的透镜干涉仪(ILIAS)传感器。在现有技术中,这些传感器粘接在基底台上。
发明内容
期望的是缓解与安装在基底台上的物件的热膨胀和收缩相关联的问题。
根据本发明的一个方面,提供一种光刻装置,包括:构造成保持基底的基底台;和通过至少一个安装件安装在所述基底台上的物件,其中所述安装件连接在所述物件和所述基底台之间,并且具有弹性,由此允许所述物件相对所述基底台移动。
根据本发明的一个方面,提供一种光刻装置,包括:构造成保持基底的基底台;和通过安装件安装在所述基底台上的物件,所述安装件包括与所述物件连接的第一安装部和与所述基底台连接的第二安装部,所述第一和第二安装部可拆卸地连接,并且可变形成沿第一轴线线性移动以及旋转变形成通过彼此垂直并垂直于所述第一轴线的两个轴线。
根据本发明的一个方面,提供一种光刻装置,包括:构造成保持基底的基底台;和安装在所述基底台上的物件,其中所述物件通过三个板簧安装,所述板簧围绕所述物件的热心均匀间隔地布置,使得所述板簧能够向内和向外的径向移动,由此确保在热膨胀或收缩时所述物件的中心相对所述基底台不变。
根据本发明的一个方面,提供一种光刻装置,包括:构造成保持基底的基底台;和安装在所述基底台的凹座中的传感器,其中在平面中所述传感器为圆形,并与所述基底台隔开。
附图说明
现在仅仅通过实例的方式,参考随附的示意图描述本发明的各个实施例,其中相应的参考标记表示相应的部件,其中:
图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置;
图2示出了具有用于各个传感器和封闭盘支座的凹座的基底台,所有这些凹座都具有三个粘接在合适位置的安装件的第二安装部;
图3示出了在没有基底台、但存在传感器和封闭盘支座时处于使用状态的三个安装件;
图4示出了安装件的前视图和侧视图;
图5示出了基底台的凹座中的安装件的第二安装部;
图6示出了粘接在传感器上的安装件的第二安装部;和
图7示出了在下面的三个安装件的第一安装部。
具体实施方式
图1示意性地示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括:照射系统(照射器)IL,其配置成调节辐射束B(例如UV辐射);支撑结构(例如掩模台)MT,其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA,并与配置成依照某些参数精确定位该构图部件的第一定位装置PM连接;基底台(例如晶片台)WT,其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W,并与配置成依照某些参数精确定位该基底的第二定位装置PW连接;以及投影系统(例如折射投影透镜系统)PL,其配置成将由构图部件MA赋予给辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件,例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件,或者其任意组合。
支撑结构可以支撑MT即承受构图部件MA的重量。它可以一种方式保持构图部件,该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件,例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构图部件。支撑结构可以是框架或者工作台,例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影系统位于期望的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射束在其截面赋予图案从而在基底靶部中形成图案的任何装置。应该注意,赋予给辐射束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致,例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地,赋予给辐射束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。
构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的实例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的,它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个实例采用微小反射镜的矩阵排列,每个反射镜能够独立地倾斜,从而沿不同的方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统,包括折射光学系统,反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统,或其任何组合,如适合于所用的曝光辐射,或者适合于其他方面,如浸没液体的使用或真空的使用。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
如这里所指出的,该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者,该装置可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列,或采用反射掩模)。
光刻装置可以具有两个(双平台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多平台式”装置中,可以并行使用这些附加台,或者可以在一个或者多个台或支座上进行准备步骤,而一个或者多个其它台或支座用于曝光。
光刻装置还可以是这样一种类型,其中至少部分基底由具有相对高的折射率的液体如水覆盖,从而填充投影系统和基底之间的空间。浸没液体也可以应用于光刻装置中的其他空间,例如应用于掩模和投影系统之间。浸没技术在本领域中是公知的,它可以用于增大投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”不表示结构如基底必须浸没在液体中,而是表示液体在曝光期间位于投影系统和基底之间。
参考图1,照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构,例如当辐射源是准分子激光器时。在这种情况下,不认为辐射源构成了光刻装置的一部分,辐射束借助于光束输送系统BD从源SO传输到照射器IL,所述光束输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下,辐射源可以是光刻装置的组成部分,例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL,如果需要连同光束输送系统BD一起可以称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节装置AD,其配置成调节辐射束的角强度分布。一般地,至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外,照射器IL可以包括各种其它部件,如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束,从而使该光束在其横截面上具有期望的均匀度和强度分布。
辐射束B入射到保持在支撑结构(如掩模台MT)上的构图部件(如掩模MA)上,并由构图部件进行构图。横向穿过掩模MA后,辐射束B通过投影系统PL,该投影系统将光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)的辅助下,可以精确地移动基底台WT,从而例如在辐射束B的光路中定位不同的靶部C。类似地,例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间,可以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)来使掩模MA相对于辐射束B的光路精确定位。一般地,借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位),可以实现掩模台MT的移动,所述长行程模块和短行程模块构成第一定位装置PM的一部分。类似地,利用长行程模块和短行程模块也可以实现基底台WT的移动,其中长行程模块和短行程模块构成第二定位装置PW的一部分。在步进器的情况下(与扫描装置相对),掩模台MT可以只与短行程致动装置连接,或者固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA与基底W。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部,但是它们也可以设置在各个靶部(这些标记是公知的划线对准标记)之间的空间中。类似地,在其中在掩模MA上提供了超过一个管芯的情况下,可以在各个管芯之间设置掩模对准标记。
所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用:
1.在步进模式中,掩模台MT和基底台WT基本保持不动,同时赋予辐射束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT,使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中,曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中,当赋予辐射束的图案被投影到靶部C时,同步扫描掩模台MT和基底台WT(即单次动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向通过投影系统PL的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中,曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向),而扫描动作的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在其他模式中,当赋予辐射束的图案被投影到靶部C上时,掩模台MT基本保持不动地支撑可编程构图部件,同时移动或扫描基底台WT。在该模式中,一般采用脉冲辐射源,并且在每次移动基底台WT之后,或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程构图部件。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中,所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列型。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变化,或者采用完全不同的使用模式。
图2从上面显示了在浸没光刻装置中使用的基底台WT,其中浸液在成像过程中位于投影系统PL和基底W之间。
突起台或卡盘定位在凹座10中。突起台或卡盘将在成像过程中使基底W保持在合适的位置。
在传统上,在传感器的热膨胀和收缩过程中,特别是在浸液布置在投影系统和被成像物件之间的浸没光刻装置中可能发生热膨胀和收缩,基底台上传感器的位置会产生偏移。这就在基底的定位过程中导致不精确,这是传感器和基底台之间粘接界面中摩擦和滞后现象的结果。这在浸没光刻系统中尤其是一个问题,但是在非浸没系统中也是一个问题。
传感器如透射像传感器(TIS)、光点传感器或ILIAS传感器将定位在凹座20中。用于传感器的凹座20可以在平面上为环形或圆形,这与传统不同,在传统上传感器成形为使得所述传感器在浸没光刻中受到的作用力最小,以及使所述传感器在基底台WT上占据的空间最小。
提供另一个用于封闭盘支座的传感器30。封闭盘支座在其未被使用时可支撑封闭盘。在基底交换过程中可以下面的方式使用封闭盘。在基底W被成像之后,基底台WT定位在投影系统PL下方,使得封闭盘位于投影系统PL下方。然后封闭盘与液体供给系统连接,该液体供给系统在成像过程中在投影系统PL和基底W之间提供浸液,从而不必停止液体供给系统,并且在基底交换过程中该投影系统的最后一个元件保持湿润,由此防止干燥污点。当封闭盘与液体供给系统连接时,可以移开基底台WT。当在基底台WT上提供一个新的基底之后,基底台WT定位成使得封闭盘被卸载到封闭盘支座上,然后移动基底台WT从而开始对基底W的成像。
在浸没光刻法的成像过程中对传感器的温度控制(传感器被湿成像,即与具有位于传感器和投影系统之间的浸液的基底处于相同的条件下)很难。在传统上,传感器粘接在基底台上合适的位置处,由于传感器与基底台WT的整体接触中的摩擦和滞后作用,较大的热膨胀或收缩可能导致传感器的位置相对基底台WT偏移。
在该实施例的设计中,传感器在平面中为圆形并安装在凹座20中,使得在传感器的外周边和凹座20的内周边之间存在间隙。因此,由于存在基底台WT,传感器可不受抑制地膨胀和收缩。提供圆形传感器以允许如下面所描述地进行布置,使得确保传感器的中心相对基底台WT大体上静止,所述中心位于设置传感元件的地方。这是因为圆形传感器(其形状可以是圆柱形)将围绕热中心轴线相等地膨胀和收缩。现有技术的传感器就不是这种情况,其形状奇特并且膨胀和收缩不均匀。
提供圆形传感器也意味着可以密封基底台WT和传感器之间的间隙使得浸液不会泄漏到该间隙中。例如,可以布置一简单的环形粘贴件,从而桥接传感器的顶面和基底台WT的顶面之间的间隙,由此密封传感器和基底台之间的间隙。在这种情况下,对称的位移更容易处理。
此外,圆形传感器的使用可以使用传感器安装件,所述安装件定位在基底台WT和传感器本身之间。这些安装件围绕热心轴线对称地布置,所述轴线穿过传感器的热心(该热心在圆形传感器的情况下是其中心),并垂直于传感器和基底台WT的顶面。该安装件围绕热轴线对称地定位并距热轴线相等的间隔。安装件的形式可以是板簧(具有相同的弹性常数),其固定地连接到基底台WT、传感器的底部(例如通过粘接),当传感器尺寸随着温度波动而变化时,每个板簧安装件可弹性地膨胀和收缩相同的量,从而传感器的热膨胀或热收缩导致传感器的热心相对基底台WT保持不变。
现在参考图3-7详细描述如上所述的板簧安装件。尽管结合这些安装件的使用描述了本发明,但是明显地可以使用超过三个安装件。这些安装件围绕传感器的热轴线对称地定位,从而确保对围绕传感器周边的热膨胀相同的阻力。以同样的方式具有相同优点地安装封闭盘支座。传感器的底面或凹座的底面都不必是完全平整的,因为安装件的弹性可以确保没有因任何不均衡而导致的变形。
图3示出了三个安装件100。该安装件由第一安装部140和第二安装部160构成。第一安装部140粘接在传感器上,而第二安装部160粘接在基底台WT上。第一和第二安装部通过螺丝固定件120可拆卸地连接在一起。该螺丝固定件120通过第一安装部140中的通孔旋进第二安装部160中的接收孔126(在图5中示出)。螺栓头下方是弹簧盘122和垫圈124,从而防止施加到形式为螺栓的螺丝固定件120上的扭矩使定位的传感器移动。
第一安装部140和第二安装部160由低膨胀系数的材料构成,优选是热膨胀系数在20℃和30℃之间小于5×10-6-1。该材料也是弹性的,一种适合于这种标准的材料是INVAR(商标),它是一种具有低热膨胀系数的金属,其杨氏模量(“E”)大约为1.4×1011Nm2。由该材料可以容易地机械加工出安装件100的复杂形状。
如所示出的,安装件100围绕传感器的热心以120°的间隔布置。每个安装件具有用作板簧的部分,用于允许安装件的顶部相对安装件的底部在从热心径向向外的方向移动。在示出的实施例中,在第一安装部140中提供机械薄弱部,该机械薄弱部形成为上部构件142和下部构件144之间的较薄部分(参见图3)。上部构件142定位成距第二安装部160最远,它是粘接在传感器上的部分。下部构件144是最靠近第二安装部160的部分,它定位在传感器的远端。较薄部分146允许上部构件142相对下部构件144在热心的径向向外(或向内)的方向线性移动。该较薄部分还可以允许上部构件142相对下部构件144围绕第一轴线旋转,所述第一轴线垂直于热轴线和平行于传感器的顶面以及平行于热心的径向向外的方向。下面将参考图4详细地进行描述。
较薄部分146在第一轴线的方向是细长的,由此大体上防止上部构件142相对下部构件144围绕平行于热轴线的轴线旋转。在较薄部分146的中心提供一切口,以便定位螺丝固定件120的头部。
第二安装部160也包括上部构件164和下部构件162。上部构件164通过一对细长构件166与下部构件162有效地连接,机械加工出倒置礼帽形状的间隙168,且端部向下朝帽顶倾斜。该细长构件166连接在远离下部构件162定位的上部构件164的相对侧面上,使得上部构件164因细长构件166的弯曲而相对下部构件162旋转。第一安装部140和第二安装部160可相对彼此旋转,使得第一安装部的上部构件142和下部构件144所围绕旋转的轴线垂直于第二安装部160的上部构件和下部构件162、164相对彼此所围绕旋转的轴线。下面将参考图4详细地进行描述。
细长构件166在第二轴线方向上具有一定厚度,从而防止上部构件和下部构件162、164沿平行于螺丝固定件120的纵轴的轴线的相对旋转。
每个第一安装部140具有向下突出的接合构件180。该接合构件180在其内表面上具有接合面,该接合面与第二安装部160的突起170相互作用。接合面和突起以点接触的方式邻接,并允许在使用螺栓120固定第一安装部140和第二安装部160之前使传感器相对基底台WT精确定向。下面将参考图7详细地进行描述。
现在参考图4,描述装配好的安装件的各个部分之间的旋转和线性移动的类型。使用该结构时,仅有三种类型的运动应该是可能的。第一种运动是第一安装部的顶部相对下部构件144的线性移动200。该移动沿从热轴线径向向内和向外的方向200。该移动通过较薄部分146的偏斜实现,并且是传感器相对基底台WT热膨胀和收缩的原因。该移动在机械上等同于板簧并具有弹性。
也可以由较薄部分146提供第二种允许的移动,其围绕垂直于热轴线的第一轴线210旋转。第三种类型的移动是围绕第二轴线220的旋转,所述第二轴线垂直于第一轴线并大体上穿过热轴线。
第二安装部160的上部构件164相对第二安装部160的下部构件通过第二轴线220旋转。
安装件100已经描述成在安装件的特定部分之间具有各种可能的移动和旋转。很明显其它类型的布置也是可能的,从而允许不同类型的移动,因此可以设计一种安装件,它可允许所有上述移动但以不同的方式提供这些移动。例如,可以在第二安装部而不是第一安装部中提供线性移动。
图5和6示出了如何将传感器50安装在基底台WT的凹座20中。该凹座20具有三个粘接于其底面的第二安装部。第二安装部定向成使得每个安装部的第二轴线穿过传感器的热轴线,以及使得安装件围绕热轴线相等地间隔开,在这种情况下存在三个以120°的间隔隔开的安装件。
在图6中示出了传感器50,其具有粘接在合适位置的第一安装部140。这些安装部定向成使得其第一轴线垂直于传感器50的热轴线230。
每个安装件具有略微不同的接合构件180,下面将参考图7描述其原因。螺丝固定件120已布置在安装件中,并可通过传感器50的顶面中的孔达到。当传感器定位在凹座20中时螺丝固定件120容纳在接收孔126中。
为了确保传感器50相对基底台WT正确对准可以提供接合构件180。图7示出了提供两个接合构件180,使得当传感器50与基底台WT正确对准时其接合面位于同一平面中。可以提供其它接合构件180,使得其接合面位于垂直于其中其它两个接合面所处平面的平面中。这样可以确保两个处于同一平面中的接合面当与第二安装部160上的相应突起170点接触时在Rz和y自由度上正确对准传感器。处于其本身平面的接合面用于在x自由度上定位,所有三个界面共同配合确保在z、Rx和Ry方向的正确对准。因此,当传感器安装在基底台WT上时推动传感器直到第一安装部140的接合面定位成靠在第二安装部的突起170上。螺栓具有足够的空间以限定传感器的x、y和Rz的移动。当正确定位时,使用前述扭矩紧固螺栓。
因此,当螺丝固定件120被紧固时,接合面和突起170不起作用。
本发明提供一种安装物件例如封闭盘支座或传感器的方式,它可确保在物件热膨胀或收缩时物件的中心(在传感器的情况下,定位传感器的检测部的位置)相对基底台WT大体上保持不变。此外,以两部分的方式提供安装件可以容易地将传感器向基底台Wt上装配、定位和从基底台拆卸。
尽管所示出的安装件均匀地围绕热心定位,但是也可以不是这种情况,它们不必以120°的间隔进行定位,也不必定位在距热心相等的距离。
尽管在本申请中可以具体参考使用该光刻装置制造IC,但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用,例如,用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应该理解,在这种可替换的用途范围中,这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用可以认为分别与更普通的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后,可以在例如涂布显影装置(通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方,这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外,例如为了形成多层IC,可以对基底进行多次处理,因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。
尽管在上面可以具体参考在光学光刻法中使用本发明的实施例,但是应该理解本发明可以用于其它应用,例如压印光刻法,在本申请允许的地方,本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中,构图部件中的外形限定了在基底上形成的图案。构图部件的外形还可以挤压到施加于基底上的抗蚀剂层中,并在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后,可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射,包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365,355,248,193,157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长),以及粒子束,例如离子束或电子束。
本申请使用的术语“透镜”可以表示任何一个各种类型的光学部件或其组合,包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例,但是应该理解可以不同于所描述的实施本发明。例如,本发明可以采取计算机程序的形式,该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的机器可读指令,或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
上面的描述是为了说明,而不是限制。因此,对本领域技术人员来说显而易见的是,在不脱离下面描述的权利要求的范围的条件下,可以对所描述的发明进行各种修改。

Claims (4)

1.一种光刻装置,包括:
构造成保持基底的基底台;和
通过至少一个安装件安装在所述基底台上的物件,
其中所述安装件连接在所述物件和所述基底台之间,并且包括弹性材料,从而允许所述物件相对所述基底台移动;
其中,所述安装件由第一安装部和第二安装部构成,所述第一和第二安装部中的一个与所述物件连接,所述第一和第二安装部中的另一个与所述基底台连接;
其中,所述第一安装部具有大体上垂直于所述物件顶面的接合面,所述接合面布置成与所述第二安装部的表面点接触;
其中,所述至少一个安装件包括三个围绕所述物件的中心轴线均匀定位的安装件,其中所述接合面中的两个大体上处于相同的第一平面中,而另一个接合面处于垂直于第一平面的平面中。
2.如权利要求1所述的光刻装置,其中所述第一和第二安装部彼此可拆卸地连接。
3.如权利要求1所述的光刻装置,其中所述第一安装部形成有机械薄弱部,以便允许围绕所述第一安装部的上部构件和所述第一安装部的下部构件之间的第一轴线弯曲旋转,其中所述上部构件与所述物件连接,所述下部构件与所述第二安装部连接。
4.如权利要求1所述的光刻装置,其中所述第二安装部形成有机械薄弱部,以便允许围绕所述第二安装部的上部构件和所述第二安装部的下部构件之间的第二轴线弯曲旋转,其中所述上部构件与所述第一安装部连接,所述下部构件与所述基底台连接。
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