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CN1898609A - 用于图形化不同宽度的线的复合光学光刻方法 - Google Patents

用于图形化不同宽度的线的复合光学光刻方法 Download PDF

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CN1898609A
CN1898609A CNA2004800384788A CN200480038478A CN1898609A CN 1898609 A CN1898609 A CN 1898609A CN A2004800384788 A CNA2004800384788 A CN A2004800384788A CN 200480038478 A CN200480038478 A CN 200480038478A CN 1898609 A CN1898609 A CN 1898609A
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CN
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CNA2004800384788A
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亚恩·博罗多夫斯基
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Intel Corp
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Intel Corp
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    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种复合图形化技术可以包括两个光刻过程。第一光刻过程可以使用干涉光刻在光致抗蚀剂上形成具有基本相等宽度的线和间隙的干涉图形。第二光刻过程可以使用一种或更多种非干涉光刻技术，例如光学光刻、压印光刻和电子束光刻，来打断图形化的线的连续性，并形成预期的集成电路特征。

Description

用于图形化不同宽度的线的复合光学光刻方法
背景
集成电路(IC)制造过程可以在晶片上沉积各种材料层，并在所沉积的层上形成光敏抗蚀剂(光致抗蚀剂(photoresist))。所述过程可以使用光刻来使光通过被图形化的掩模版(reticle)(掩模(mask))到达光致抗蚀剂，或者使光从被图形化的掩模版(掩模)反射到达光致抗蚀剂。来自掩模版的光将被图形化的图像转移到光致抗蚀剂上。所述过程可以去除被曝光的光致抗蚀剂部分。一种过程可以蚀刻晶片未受剩余的光致抗蚀剂保护的部分，以形成集成电路特征。
半导体工业可以不断地努力降低晶体管特征的尺寸，以便提高晶体管密度并改善晶体管性能。这种愿望已经驱使了在光刻技术中使用的光波长的减小，以便在光致抗蚀剂中限定出更小的IC特征。制造和运转复杂的光刻曝光工具可能花费更巨。
常规的图形化技术可能使用配备有复杂照明系统的昂贵的衍射受限的、高数值孔径(NA)、高像差校正的透镜或工具。常规图形化技术也可能使用复杂和昂贵的掩模，所述掩模采用各种相移器(phase shifter)和复杂的光学邻近校正(optical proximity correction，OPC)。
附图简要说明
图1A示出了一种干涉光刻装置。
图1B示出了具有狭缝的衍射光栅的实施例，所述狭缝允许光通过并被投影光学光刻系统投影，从而在衬底的光致抗蚀剂上辐射和形成光栅的图形化图像。
图2示出了由图1A或图1B的所述光刻装置产生的间隙和线的干涉图形(interferencepattern)的潜像或实像。
图3A示出了由干涉光刻过程和第二光刻过程在光致抗蚀剂上形成的具有不同宽度的线的预期布图(layout)。
图3B示出了(a)由干涉光刻过程或采用相移(phase shifted)掩模的光学投影光刻所形成的等宽的连续、非曝光线和被曝光的间隙的潜图形以及(b)要由第二光刻过程形成的特征。
图3C示出了图2的非曝光线和被曝光的间隙的潜图形已经被第二光刻过程更改以后的布图。
图3D示出了与图3C相关的经过光学邻近校正的线特征的轴。
图4A到图4H示出了用于曝光光致抗蚀剂上的区域的第二光刻过程以及后续的显影、蚀刻和剥离过程的实施例。
图5示出了具有可移动晶片台的复合光学光刻曝光系统。
图6示出了第二图形化系统的光学光刻实现。
图7是复合光刻图形化技术的流程图。
图8示出了产生用于第二光刻过程的掩模的布图的过程。
图9示出了设计布图的实施例。
图10示出了剩余布图的实施例。
图11示出了沿D方向扩展之后的剩余布图。
详细描述
本申请涉及复合光学光刻图形化技术，与常规光刻技术相比，所述技术可以形成更小的集成电路特征。对于衬底(substrate)上给定的区域，复合图形化技术可以提供更高的集成电路特征密度。
复合图形化技术可以包括两个光刻过程。第一光刻过程可以使用辐射源和干涉光刻装置在光致抗蚀剂上形成交替的、连续的宽度基本相等的线和间隙的图形。第二光刻过程可以使用一种或更多种非干涉光刻技术来打断图形化线的连续性，并形成期望的集成电路特征，所述干涉光刻技术例如光学光刻、压印光刻(imprint lithography)和电子束(e-beam)光刻。
复合图形化技术可以形成具有相近但不等宽度的线的图形。在集成电路(IC)制造中，可能期望具有相近但不等宽度的图形化线(例如在平均线宽的±5-20％的范围内)，例如用于图形化具有略微不同宽度的栅极。具有略微不同宽度的栅极可以优化集成电路的速度和功率性能。
在另一个实施方案中，第一过程可以包括非干涉光刻技术，并且第二过程可以包括干涉光刻技术。
第一光刻过程
图1A示出了干涉光刻装置100(也被称作干涉曝光装置)。干涉光刻装置100可以包括分束器(beam splitter)104和两个反射镜106A、106B。分束器104可以从具有预先确定的曝光波长(λ)的辐射源接收辐射(radiation)，例如经过准直和扩束的激光束102。分束器104可以将辐射102引导到反射镜106A、106B。反射镜106A、106B可以在具有光敏介质的衬底108上形成干涉图形200(图2)，光敏介质例如光致抗蚀剂层107。可以获得很多具有各种复杂性和精密性的干涉光刻工具设计。正光致抗蚀剂或负光致抗蚀剂均可以用于这里所描述的过程。θ可以是光致抗蚀剂107的表面法线和入射在光致抗蚀剂107上的辐射光束之间的角度。
图2示出了由图1A的干涉光刻装置100产生的间隙(space)204(被曝光)和线(line)202(非曝光)的干涉图形200的潜像或实像。“潜(latent)”指光致抗蚀剂107上由于辐射所致经历了化学反应但是还未在溶液中显影以便去除正色调光致抗蚀剂107的被曝光区域的图形(下面描述的图4C)。线202可以具有基本相等的宽度。间隙204可以具有或不具有和线202的宽度相等的宽度。
“节距(pitch)”是图2中线宽度和间隙宽度之和。如光学领域普通技术人员所知的那样，可以被具有预先确定的波长λ和数值孔径NA的投影光学曝光装置分辨的“最小节距”可以被表示为：
节距/2＝(k1(λ/ni))/NA，
其中，NA是光刻工具中投影透镜的数值孔径，k1叫做瑞利(Rayleigh)常数，而“ni”是衬底108和光学投影系统的最后一个元件，例如反射镜106A和108B，之间的介质的折射率。目前在微光刻中使用的光学投影系统使用空气，空气有ni＝1。可替换地，对于液浸式显微光刻系统，ni＞1.4。对于ni＝1，节距可以被表示为：
节距/2＝k1λ/NA
节距＝2k1λ/NA
NA可以被表示为：
NA＝n0sinθ。
NA可以等于1。
如果k1＝0.25并且n0约等于1，则节距可以被表示为：
节距＝2(.25)λ/n0sinθ≌λ/2sinθ。
其他的k1值可以大于0.25。
图1A的干涉光刻装置100可以获得如下表示的“最小节距”(最小线宽度加上间隙宽度)：
最小节距≌λ/2。
线202和间隙204可以具有接近λ1/2的节距P1，其中λ1是在干涉光刻过程中使用的辐射波长。波长λ1可以等于193nm、157nm或超紫外(extreme ultraviolet，EUV)波长，例如11到15nm。通过改变图1A中干涉光束的角度θ可以获取更大的节距。
被曝光的间隙204或者非曝光线202的最小特征尺寸可以等于、小于或大于四分之一个曝光波长(λ/4)。
代替分束器104，可以使用例如棱镜或者衍射光栅的任何分光元件作为干涉光刻系统的部分在光致抗蚀剂107上产生交替的线202和间隙204的图形200。
图1B示出了衍射光栅120的实施例，衍射光栅120具有允许光通过并(在投影光学设备的帮助下)聚焦在衬底108的光致抗蚀剂107上的狭缝122。衍射光栅120结合投影光学设备可以产生和图1A的分束器104及反射镜106A、106B相同的干涉图形200(图2)。
代替图1A和图1B中的装置，第一光刻过程可以使用交替相移掩模和光学投影光刻来形成在k1接近0.25的情况下线和间隙的图形。
第一光刻过程(通过干涉光刻或采用交替相移掩模的光学投影光刻完成，所述交替相移掩模组成具有能被光学投影系统分辨的最小节距的衍射光栅)可以定义最终图形布图的所有最小临界特征的宽度和/或长度。
由干涉光刻形成的干涉图形200的尺寸可以等于一个管芯、多个管芯或整个晶片，例如300毫米晶片或者更大的下一代晶片尺寸。由于大的焦深，干涉光刻可以具有对干涉图形200的良好尺寸控制。
干涉光刻可以比基于透镜的光刻具有更低的分辨率极限(lower resolution limit)和更好的尺寸控制。因为干涉光刻的焦深可以是数百到数千微米，和某些常规光刻技术的几分之一微米的焦深(例如0.3微米)形成对照，所以干涉光刻可以比基于透镜的光刻具有更高的工艺容限(process margin)。焦深在光刻中可能很重要，因为光致抗蚀剂由于以下原因可能并非完全平坦(a)光致抗蚀剂在一个或更多个金属层和电介质层上形成，或(b)半导体晶片自身可能并非足够平坦。
和其他的光刻技术形成对照，干涉光刻的实施方案可能不需要复杂的照明装置、昂贵的透镜、投影及照明光学设备或复杂的掩模。
第二光刻过程
图3A示出了由上述第一光刻过程和下述第二光刻过程形成的预期布图300的实施例。布图300包括光致抗蚀剂107(图1A)上的曝光区204、311A、311B和具有不同宽度W1、W2、W3的非曝光特征309、310、312。为了说明的目的，在图3A中，布图和宽度W1、W2、W3上的差别可能被夸大。两个相继的特征309之间的节距P1可以是大约λ1/2，其中λ1是上述干涉光刻的辐射波长。波长λ1可以等于193nm、157nm、紫外、深紫外、真空紫外或超紫外(extreme ultraviolet，EUV)波长，例如11到15nm。
图3B示出了(a)由上述第一光刻过程形成的连续、非曝光线202和被曝光的间隙204的图形，以及(b)要由第二光刻过程形成的特征309、310、311、312。线202和间隙204可以具有接近λ1/2的节距P1。由第一(例如干涉)光刻过程形成的每条线202具有宽度W3，W3可以是第二光刻过程后电路布图300(图3A)中所预期的最宽的特征312的宽度。宽度W3可以比要由第二光刻过程形成的其他特征309、310的宽度W1、W2大。线宽W1可以是要形成的预期特征309的最小宽度。线宽W2可以是要形成的预期特征309的中等宽度。
图3C示出由第一光刻过程形成的非曝光线202和被曝光间隙204的潜像200被第二光刻过程更改后的布图325。第二光刻过程可以包括一种或更多种非干涉光刻技术，诸如光学光刻、压印光刻和电子束光刻、或光学无掩模光刻或电子束无掩模光刻的常规光刻技术。第二光刻过程可以使用紫外、深紫外、真空紫外或超紫外(EUV)光刻。
在图3C中，第二光刻过程可以曝光光致抗蚀剂上的区域320。第二光刻过程可以使用具有(a)用于曝露区域320的透明区域以及(b)不透明(非透明)区域的掩模(在下面进一步地描述)上的图像，所述掩模的不透明区域可以使用诸如铬的材料。掩模的清晰透射区域将曝露图3C中的区域，这将曝光之前非曝光(潜像)线202的部分。这就打断了非曝光线202的连续性。因此，被曝光的区域320移除部分潜线202A、202B、202C、202D，或调整潜线202A、202B、202C、202D的宽度。用于第二光刻过程的掩模的锯齿状(jagged)特征将在光致抗蚀剂上任何需要(例如针对特征312)的地方保留W3，并且在其他地方辐射额外的光，从而用光学邻近校正(OPC)(在下面描述)将线202从W3变窄到预期宽度W1和W2。此外，第二光刻过程可以曝光图3C中的区域4，以形成图3A中的特征311A、311B。
可替换地，如果第二光刻过程使用EUV波长，则可能在该波长上没有透明材料。EUV光刻系统的部件，包括要被使用的掩模，可能都是反射性的。非EUV掩模上的清晰(透射)区域在EUV掩模上将是反射性区域，并且非EUV掩模上的不透明(铬)区域在EUV掩模上将是吸收性区域。
如图3C中所示，由第二光刻过程曝光的区域320不完全形成图3A中功能性电子电路布图300的预期特征309、310、312，因为在特征309、310、312和被曝光区域320间存在着细的缝隙(gap)。为了形成具有预期宽度W1和W2的特征309、310、312，第二光刻过程可以使用掩模上的光学邻近校正来将具有宽度W3的潜像线202(由第一步光刻过程形成)调整到所预期的线宽W1和W2(由电子设计线标识)。对于第二图形化步骤采用的衍射受限光刻来说，在第二光刻过程中所使用的掩模的透明和非透明/不透明区域边缘之间的光强可能不是阶梯函数。对于掩模上不透明区域边缘的位置的处理可以导致潜像的额外曝光以及后续的潜像线宽改变，所述潜像线宽改变是第二图形化步骤的结果。这种不透明像的处理构成光学邻近校正(OPC)。OPC被用于计算、处理和调整掩模的不透明/非透明(例如铬)区域的边缘范围(extension)。掩模可以呈现由OPC产生的尺寸变化(sizing)，从而引起潜像中的改变，并完全形成具有多种线宽W1、W2、W3的特征309、310、312。
第二光刻过程可以使用掩模或掩模版(掩模和掩模版在显微光刻中是可互换使用的术语)(图4B和8-11)。第二光刻过程的曝光掩模(或包括OPC校正的无掩模图形化工具数据库)的图形布图可以是(a)预期的最终图形布图300(图3A)和(b)由第一光刻过程形成的图形200(图2)之间的布尔差(Boolean Difference)。可以使布图300的大小适应掩模制造生产尺寸要求以及第一和第二光刻过程间的重叠控制。如果第二光刻过程使用透射曝光掩模，则掩模布图(或其对应的无掩模图形化数据库)将包括(a)用于允许图3C的区域320、314中的辐射的透明部分以及(b)用于阻挡区域320、314之外的辐射的不透明掩模背景。因此，在第一和第二光刻过程中，间隙204和图3C中的区域320、314分别被曝露给辐射。
第二光刻过程可以导致经过OPC校正的线特征的轴具有小的移位Δ(例如，对于先进的光刻来说几个纳米)，如图3D中示出。根据是否对线202的左边或右边施加了OPC，图2和图3B中每条线的中心纵轴可以略微地向左或向右偏移。通过将相应的设计容限增加同样小的量，可以适应这种位移的出现。在有OPC的情况下，区域322、323、324、325和326被曝光以形成如图3A中所示的预期的特征309、310。Δ可以小于或等于λ1/80。
第二光刻过程的节距P2可以是约1.5(λ1/2)(或2(λ1/2))或更大，即是上述干涉光刻过程的节距尺寸P1(λ1/2)的1.5倍(或2倍)，或更大。
图4A到图4H示出了第二光刻过程以及后续的显影、蚀刻和剥离过程的实施例，第二光刻过程用于曝光光致抗蚀剂107上的区域320(图3C)。在图4A中，光致抗蚀剂107可以形成在(例如被涂敷在)衬底108上。利用图1A的干涉光刻装置100，可以在光致抗蚀剂107上形成潜干涉图形200或实干涉图形200(图2)。第二光刻工具(第二光刻过程)可以使光通过被图形化的掩模或掩模版404，以便曝光图4B中光致抗蚀剂107的预期区域302。光403可以启动在被曝光的区域320中的反应。光403可以是248nm、194nm、157nm或超紫外(EUV)辐射，例如具有大约11到15nm的波长。
光致抗蚀剂107和衬底108可以从光刻工具中移走，并在温度受控的环境中烘焙。辐射曝光和烘焙可以改变被曝光的区域320和间隙204(图2)相对于光致抗蚀剂107的没有被曝光的区域的可溶性。光致抗蚀剂107可以被“显影”，即被放在显影剂中并且经受水(H2O)基溶液，以便去除图4C中光致抗蚀剂107被曝光的区域320和间隙204，在抗蚀剂中形成预期图形。如果使用“正”光致抗蚀剂，则被曝光区域320和间隙204可以通过所述溶液来去除。衬底108未受剩余光致抗蚀剂107保护的部分410在图4D中可以被蚀刻，以便形成预期的电路特征。在图4E中可以剥离剩余的光致抗蚀剂107。
第二光刻过程可以使用无掩模图形化技术。
组合干涉光刻技术和非干涉技术可以提供比较高的IC图形密度缩放比例(对于任何可用波长，在k1＝0.25处图形化)。
图形化最小节距特征的干涉光刻可以将193nm沉浸式光刻(immersion lithography)扩展到66nm的节距，并且可以将EUV干涉工具的性能向下扩展到6.7nm的节距。
干涉光刻可以具有全反射设计，例如Lloyds反射镜干涉光刻系统，它可以实现具有157nm到13.4nm之间的可用波长的系统设计，例如分别具有37nm和30nm的对应最小节距的氖放电光源(大约74nm的波长)和氦放电光源(58.4nm的波长)。
图5示出了具有可移动晶片台545的复合光学光刻系统500。复合光学光刻系统500可以包括环境外壳505，例如洁净室或其他适于在衬底上印刷特征的场所。外壳505包围着第一图形化系统510(例如干涉光刻系统)和第二(非干涉)图形化系统515。第一图形化系统510可以包括用于在光致抗蚀剂上提供干涉图形的准直辐射光源520和干涉光学设备525。
第二图形化系统515可以使用几种技术其中的一种来图形化光致抗蚀剂。例如，第二图形化系统515可以是电子束投影系统、压印印刷系统，或者光学光刻系统。另外，第二图形化系统515可以是无掩模模块，例如电子束直写模块、离子束直写模块，或者光学直写模块。
两个系统510和515可以共享公共掩模处理子系统530、公共晶片处理子系统535、公共控制子系统540，以及公共工作台545。掩模处理子系统530可以定位系统500中的掩模。晶片处理子系统535可以定位系统500中的晶片561。控制子系统540随着时间调节系统500的一个或更多个属性或者设备。例如，控制子系统540可以调节系统500中设备的位置、对准或操作。控制子系统540还可以调节环境外壳505内的辐射剂量、聚焦、温度或者其他环境质量。
控制子系统540还能够在第一曝光台位置555和第二曝光台位置550之间平移工作台545。工作台545包括用于夹紧晶片561的晶片夹具(wafer chuck)560。在第一位置555，工作台545和夹具560可以将被夹紧的晶片561呈送给第一图形化系统510进行干涉图形化。在第二位置550，工作台545和夹具560可以把被夹紧的晶片561呈送给第二图形化系统515进行图形化。
为了保证晶片561被夹具560和工作台545正确定位，控制子系统540可以包括对准传感器565。对准传感器565可以传感并控制晶片561的位置(例如使用晶片对准标记)，以便将第二图形化系统515形成的图形与由第一图形化系统510形成的图形对准。如上所述，当将不规则性引入重复性干涉特征阵列时，可以使用这样的定位。
图6示出了第二图形化系统515的光学光刻实施方案。具体来说，第二图形化系统515可以是步进重复投影系统。这样的图形化系统515可以包括照明装置605、掩模台610、掩模630和投影光学设备615。照明装置605可以包括辐射光源620和光阑/聚光器625。辐射光源620可以和图5中的辐射光源520相同。另外，辐射光源620可以是单独的设备。辐射光源620可以在与辐射光源520相同或不同的波长发出辐射。
光阑/聚光器625可以包括一个或更多个用于收集、准直、滤光和聚焦从辐射光源520发出的辐射的设备，以增加照射到掩模台610上的照明均匀度。掩模台610可以支撑照明路径中的掩模630。投影光学设备615可以减小图像的大小。投影光学设备615可以包括滤光投影透镜。当工作台545平移被夹紧的供照明装置605进行曝光的晶片561通过掩模台610和投影光学设备615时，对准传感器565可以保证曝光与重复性的干涉特征阵列200对齐，以便将不规则性引入重复性阵列200。
对准(Alignment)
干涉光刻装置100上的现有对准传感器(未示出)可以将由第一光刻过程产生的图形200(图2)对准到由其他过程形成的先前层图形。现有的对准传感器可以位于晶片之上，并适于感知晶片上的标记。
通过间接对准(第二光刻过程图形化利用现有的对准传感器对准到先前层图形)或利用潜像对准传感器的直接对准(第二光刻过程图形化直接与第一光刻过程图形200对准)，可以实现将第二光刻过程对准到第一光刻过程。
图7是复合光学光刻图形化技术的流程图。在光致抗蚀剂上进行的干涉光刻曝光(在700)后面可以跟随着向相同的光致抗蚀剂施加第二光刻曝光(在702)。光致抗蚀剂可以被烘焙，并且，如果光致抗蚀剂对干涉光刻和(多种)第二光刻曝光波长两者都敏感，则光致抗蚀剂的可溶部分可以在704处被显影。
图8示出了用于产生上述第二光刻过程的掩模布图的过程800。过程800可以由一个或更多个单独或共同运作的执行者来执行(例如器件制造商、掩模制造商或代工厂)。过程800也可以完全或部分地由执行一组机器可读指令的数据处理设备来执行。
执行过程800的执行者在805接收设计布图。设计布图是处理之后的布图块或衬底的期望物理设计。图3A和图9示出了这样的设计布图300、900的实施例。可以以机器可读形式接收设计布图300、900。布图300、900的物理设计可以包括沟槽和沟槽之间的连接盘(land)的集合。沟槽和连接盘可以是直线的且平行的。沟槽和连接盘不需要贯穿整个布图块规则地重复。例如，可以在布图300、900中的任意位置切断沟槽和连接盘其中之一或者两者的连续性。
返回图8，在810，执行过程800的执行者也可以接收交替的平行的线202和间隙204(图2)的图形阵列布图200。可以通过干涉光刻技术，即辐射的干涉，在光致抗蚀剂107上形成图形阵列布图200。可以以机器可读形式接收图形阵列布图200。
返回图8，在815，执行者可以从图形阵列布图200(图2)减去设计布图900(图9)。从图形阵列布图200减去设计布图900可以包括将设计布图900中的沟槽与图形阵列布图200中的线或间隙对准，并且确定设计布图900中的不规则性防止与图形阵列布图200完全重叠的位置。
图10示出了剩余布图1000的实施例，剩余布图1000指示设计布图900不与图形阵列布图200(图2)完全重叠的位置。剩余布图1000可以是机器可读形式。减法可以是布尔型的，因为剩余布图1000中的位置可能只具有两种状态其中的一个。具体来说，剩余布图1000包括具有“未重叠”状态的第一位置1005的各个区域和具有“重叠”状态的第二位置1010的连续区域。
返回图8，在820，执行者可以对剩余布图1000中的位置区域进行大小调整。剩余布图1000的大小调整可以导致图11中被改变的机器可读剩余布图1100。图11示出了在沿着D方向的这种扩展之后的剩余布图1100。当图形阵列是平行的线202和间隙204的阵列200时，具有当前状态的区域1105的大小在垂直于线202和间隙204的方向上可以被增加。可以合并某些区域1105。
返回图8，在825，执行者可以使用剩余布图1000产生图10中的印刷掩模。可以使用图11的大小被调整的剩余布图1100产生印刷掩模，以便生成任意形状的特征，用于将不规则性引入重复性阵列，例如图形阵列200(图2)。产生印刷掩模可以包括产生印刷掩模的机器可读描述。产生印刷掩模也可以包括在掩模衬底中真实地具体实施印刷掩模。
已经描述了很多实施方案。尽管如此，要理解，不偏离本申请的精神和范围可以作出各种修改。因此，其他的实施方案在所附权利要求书的范围以内。

Claims (24)

1.一种系统，包括：
第一装置，所述第一装置用于将线和间隙的干涉图形辐射到光致抗蚀剂上，所述线具有基本相等的第一宽度，所述间隙被曝露给辐射；以及
第二装置，所述第二装置用于辐射所述光致抗蚀剂的选定区域，所述选定区域将所述线的部分曝露给辐射，其中被所述第二子系统曝光的所述选定区域的节距至少是所述干涉图形的节距的1.5倍。
2.如权利要求1所述的系统，其中，由所述第二装置形成的特征的第二宽度等于所述干涉图形的线的所述第一宽度。
3.如权利要求1所述的系统，其中，由所述第二装置形成的特征的第二宽度小于所述干涉图形的线的所述第一宽度。
4.如权利要求1所述的系统，其中，所述第二装置使用掩模上的光学邻近校正(OPC)来调整特征宽度。
5.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一装置包括分束器。
6.如权利要求1所述的系统，其中，所述第一装置包括衍射光栅。
7.如权利要求1所述的系统，其中，所述第二装置包括基于掩模的光学光刻工具。
8.如权利要求1所述的系统，其中，所述第二装置包括电子束光刻工具。
9.如权利要求1所述的系统，其中，所述第二装置包括具有数据库的无掩模光学光刻工具。
10.一种方法，包括：
在光致抗蚀剂上形成非曝光线和被曝光的间隙的干涉图形，所述线具有第一宽度；
将至少一条线的一部分曝露给辐射，以便形成具有第二宽度的特征，所述第二宽度小于所述第一宽度，其中所述特征的节距至少是所述干涉图形节距的1.5倍。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述特征的节距大于所述干涉图形节距的1.5倍。
12.如权利要求10所述的方法，其中，所述辐射具有预先确定的波长，所述干涉图形接近等于所述波长除以2的节距。
13.如权利要求10所述的方法，还包括以布尔型减法从(b)所述干涉图形减去(a)给定层的最终设计布图来产生印刷掩模。
14.一种系统，包括：
第一图形化系统，所述第一图形化系统用于产生在光敏介质上的第一被曝光线阵列；以及
第二图形化系统，所述第二图形化系统用于产生第二曝光，所述第二曝光减少由所述干涉曝光装置形成的所述阵列的规则性，所述第二曝光形成具有第二宽度的特征，所述第二宽度小于所述线的第一宽度，其中所述特征的节距至少是所述被曝光线阵列的节距的1.5倍。
15.如权利要求14所述的系统，还包括用于将由所述第二图形化系统产生的所述第二曝光对准到由所述第一图形化系统形成的所述第一被曝光阵列的对准传感器。
16.如权利要求14所述的系统，还包括公共控制系统，用于使所述第一图形化系统和第二图形化系统能向所述光敏介质提供第一和第二曝光。
17.如权利要求14所述的系统，其中，所述第一图形化系统包括干涉曝光装置，并且所述第二图形化系统包括投影光学光刻系统，所述投影光学光刻系统包括投影光学设备、晶片工作台，以及降低所述阵列中的规则性的掩模，所述阵列由所述干涉曝光装置生成。
18.如权利要求14所述的系统，其中，所述第一图形化系统包括干涉曝光装置，并且所述第二图形化系统包括压印系统，所述压印系统包括投影光学设备、晶片工作台，以及降低所述阵列中的规则性的掩模，所述阵列由所述干涉曝光装置生成。
19.如权利要求14所述的系统，其中，所述第一图形化系统包括干涉曝光装置，并且所述第二图形化系统包括电子投影系统，所述电子投影系统包括投影光学设备、晶片工作台，以及降低所述阵列中的规则性的掩模，所述阵列由所述干涉曝光装置生成。
20.如权利要求14所述的系统，其中，所述第一图形化系统包括干涉曝光装置，并且所述第二图形化系统包括无掩模模块、投影光学设备和晶片工作台，所述无掩模模块用于降低由所述干涉曝光装置生成的所述阵列中的规则性。
21.如权利要求20所述的系统，其中，所述无掩模模块包括光学直写模块。
22.如权利要求20所述的系统，其中，所述无掩模模块包括电子束直写模块。
23.如权利要求20所述的系统，其中，所述无掩模模块包括离子束直写模块。
24.如权利要求14所述的系统，其中，所述第一图形化系统包括干涉曝光装置，并且所述第二图形化系统包括X射线邻近投影系统，所述X射线邻近投影系统包括用于降低由所述干涉曝光装置生成的图形中的规则性的掩模、投影光学设备以及晶片工作台。
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