CN1881055A - 液晶显示器和坏像素修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种容易修复坏像素的液晶显示器以及该液晶显示器修复坏像素的方法。液晶显示器包括：栅极线，其形成在绝缘板上，并沿第一方向延伸；数据线，其形成在绝缘板上，并沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸。数据线与栅极线电隔离。在栅极线和数据线上的每个像素中形成像素电极，薄膜晶体管(TFT)连接到栅极线、数据线和像素电极，以及修复互联部与数据线在至少两个位置上交叠。修复互联部与相邻元件绝缘。

Description

液晶显示器和坏像素修复方法

本申请要求于2005年6月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2005-0052511号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明总的来说涉及一种显示装置，具体而言涉及一种液晶显示器(LCD)以及修复LCD中坏像素的方法。

背景技术

阴极射线管(CRT)被广泛应用作为电视(TV)、监视系统、和信息终端装置(例如，计算机)的显示屏。然而，因为CRT的笨重使得其不适于体积小、重量轻的电子产品，CRT逐渐被其他类型的显示装置替代。

液晶显示器(LCD)是在很多应用中替代CRT的显示装置之一。LCD具有成为适于当今消费型电子设备的优点，例如，重量轻、薄、低能耗。LCD利用注入液晶板中的液晶的电学和光学特性来显示图像。由于上述优点，LCD被广泛地使用在包括计算机、移动通信装置等各种电子装置中。

LCD包括两个具有滤色器和TFT阵列的基板，以及介于两个基板之间的液晶层。更具体来说，在两个基板之一中，具有多条数据线、与数据线交叉的多条栅极线、以及形成在栅极线与数据线的交叉点附近的TFT。TFT通过栅极线和数据线驱动。

如果向像素提供信号的数据线仅部分导通，则该像素是“坏的”或者有缺陷。如果有了坏像素，那么当一条数据线导通时，连接到该数据线的全部其他像素因为接收不到数据信号而无法工作。这种坏像素缺陷对产量具有负面影响。为了增加LCD的产量，期望有简单修复坏像素的方法。

发明内容

本发明的实施例提供了一种液晶显示器(LCD)，其包括能够容易地修复坏像素的部件。本发明的实施例还提供了一种修复LCD中坏像素的方法。

在本发明的一个示意性实施例中，LCD包括：栅极线，形成在绝缘板上，并沿第一方向延伸；数据线，形成在绝缘板上，并沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸；以及像素电极。数据线与栅极线电隔离。在栅极线和数据线上的每个像素中形成像素电极。薄膜晶体管(TFT)连接至栅极线、数据线、和像素电极，并且修复互联部在至少两个位置上与数据线交叠。修复互联部是电绝缘的。

根据本发明的另一示意性实施例，液晶显示器包括：栅极线，形成在绝缘板上；以及数据线，形成在绝缘板上，并沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸。数据线与栅极线电隔离。在栅极线和数据线上的每个像素中形成弯曲状的像素电极。薄膜晶体管(TFT)连接至栅极线、数据线、和像素电极。修复互联部和与数据线交叠的像素间间隙对准。像素间间隙位于栅极线之间，并且修复互联部与相邻元件电绝缘。

在根据本发明的另一示意性实施例中，液晶显示器的坏像素修复方法包括：准备上述液晶显示器，并且使用激光束照射交叠部分，从而在两个位置结合数据线和修复互联部。交叠区域包括数据线与修复互联部的交叠。

附图说明

通过参考附图详细说明本发明的示意性实施例，将使本发明的上述和其他特征和优点更明显。附图中：

图1A是根据本发明示意性实施例的用于液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管(TFT)基板的平面图；

图1B是用于图1A所示LCD的共电极基板的平面图；

图1C是包括图1A中的TFT基板和共电极基板的LCD的平面图；

图2A是沿图1A的IIa-IIa’线截取的截面图；

图2B是沿图1A的IIb-IIb’和IIb’-IIb”线截取的截面图；

图2C是沿图1C的IIc-IIc’线截取的截面图；

图3是根据本发明的示意性实施例的LCD的平面图；以及

图4是根据本发明的示意性实施例的LCD的平面图。

具体实施方式

现在，将参考示出本发明优选实施例的附图，更加充分地描述本发明。通过随后详述的实施例和附图，可更容易地理解本发明以及实现本发明方法的优点和特征。然而，本发明能以不同方式实施，并且不认为被这里所述的实施例限制。而且，提供这些实施例，使得公开更加完全和完整，并且将本发明的精神完全传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求限定。相同的参考标号在全篇说明书中代表相同的元件。

将参考图1至图2C描述用于根据本发明示意性实施例的LCD的TFT基板。图1A是用于LCD的TFT基板的平面图，图1B是用于图1A所示LCD的共电极基板的平面图，以及图1C是包括图1A的TFT基板和共电极基板的LCD的平面图。图2A是沿图1A的IIa-IIa’线截取的截面图，图2B是沿图1A的IIb-IIb’和IIb’-IIb”线截取的截面图，以及图2C是沿图1C的IIc-IIc’线截取的截面图。

如图2C所示，LCD包括：TFT基板1；共电极基板2，其与TFT基板1相对；以及液晶层3，形成于基板1和2之间，具有朝向预定方向的液晶。

现在，将参考图1A、2A、2B、以及2C更详细地描述TFT基板1。

在绝缘板10上形成栅极线22，使其沿第一方向(对应于图1A的水平方向)延伸，并终止于栅极线末端24。呈凸起状的栅电极26与栅极线22电连接。栅极线末端24将来自另一层或者外部元件的选通信号传递给栅极线22。栅极线末端24的宽度延伸，以连接至外部电路。这里，栅极线22、栅电极26、以及栅极线末端24称为栅极互联部(gate interconnection)。

此外，在绝缘板10上形成存储电极线28和存储电极29。存储电极线28沿第一方向(对应于图1A的水平方向)延伸，同时越过像素区。比存储电极线28宽的存储电极29与存储电极线28电连接。这里，存储电极线28和存储电极29称为存储电极互联部(storageelectrode interconnection)。可以以各种方式改变存储电极互联部的形状和排列。

沿像素区域的边缘在绝缘板10上形成恢复互联部(recoveringinterconnection)，其与栅极互联部22、24、和26以及存储电极互联部28和29电绝缘。像素区域是具有像素电极82的区域。虽然将在随后描述恢复互联部21，对应于位于相邻像素电极82之间的像素间间隙83形成恢复互联部21。因此，可以根据像素电极82的形状以各种方式改变恢复互联部21的形状和排列。

可以由铝基金属(例如，铝(Al)和铝合金)、银基金属(例如，银(Ag)和银合金)、铜基金属(例如铜(Cu)和铜合金)、钼基金属(例如钼(Mo)和钼合金)、铬(Cr)、钛(Ti)、或者钽(Ta)形成栅极互联部22、24、26，存储电极互联部28和29，以及恢复互联部21。此外，栅极互联部22、24、26，存储电极互联部28和29，以及恢复互联部21可以具有包括两个具有不同物理特性的传导层(未示出)的多层结构。传导层之一由具有低电阻率的金属(例如铝基金属、银基金属、或铜基金属等)形成，以减少栅极互联部22、24、和26以及存储电极互联部28和29的信号延迟或电压降。另一传导层由具有与氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)很好的接触特性的材料(例如，钼基金属、Cr、Ti、或者Ta)形成。好的传导层结合的实例包括Cr下膜和Al上膜的结合，Al下膜和Mo上膜的结合等。然而，本发明不限制于具有这些组成的传导层，并且栅极互联部22、24、和26，存储电极互联部28和29，以及恢复互联部21可以由其他合适的金属和/或导体形成。

在栅极互联部22、24、和26，存储电极互联部28和29，以及恢复互联部21上形成栅极绝缘层30。

在栅极绝缘层30上形成由氢化非晶硅和多晶硅形成的半导体层40。半导体层40可以形成为岛状、线形等。在示出的实施例中，在栅电极26上形成岛状半导体层40。当形成岛状半导体层40时，其位于数据线62之下并可以在栅电极26的一部分上延伸。

在半导体层40上形成岛状欧姆接触层或者线形欧姆接触层。欧姆接触层由例如硅化物或者以高浓度掺杂n型杂质的n⁺氢化非晶硅的材料形成。本实施例的欧姆接触层55和56形成为岛状，并且分别位于源电极65和漏电极66之下。形成线形欧姆接触层，以在数据线62的下部中延伸。

在欧姆接触层55和56以及栅极绝缘层30上形成数据线62和漏电极66。数据线62沿第二方向延伸，并与栅极线22交叉。从数据线62分支出源电极65，其在欧姆接触层55的一部分上延伸。在数据线62的末端形成数据线末端68。数据线末端68接收由另一层或者外部装置施加的数据信号，并将其传递至数据线62。数据线末端68被制成宽于数据线62，以连接至外部电路。漏电极66与源电极65隔离，并位于欧姆接触层56之上。如图2A所示，源电极65和漏电极66被栅电极26隔离。数据线62、数据线末端68、以及源电极65称为数据互联部(data interconnection)。

这里，数据线62包括可以在数据线62的长度上周期性重复的角状部分和线形部分。在这种情况下，数据线62的角状部分包括两条直线，直线中的一条相对于栅极线22形成45度角，并且另一条直线相对于栅极线22形成-45度角。源电极65连接至与栅极线22和存储电极线28交叉的数据线62的线形部分。

栅极线22和数据线62交叉的区域可以具有像像素电极82一样的弯曲状。以这种方式，数据线62可以由线形部分和V形部分组合形成，如同像素的形状。然而，本发明不限于特定形状的数据线62，并且可以形成单直线形数据线62(例如，沿第二方向延伸的线或者沿第二方向对角延伸的线)。

此外，漏电极66形成为与存储电极29交叠，使得漏电极66和存储电极29将栅极绝缘层30夹入其间，以形成存储电容器。

数据线62、源电极65、以及漏电极66可以由高熔点金属(例如，Cr、钼基金属、Ta、和Ti)形成，并可具有多层结构。该多层结构可以具有由高熔点金属形成的下膜(未示出)和由低电阻材料形成的上膜(未示出)。例如，多层结构可以是Mo膜/Al膜/Mo膜的三层结构。在一些情况下，多层结构具有两层：Cr下膜和Al上膜或者Al下膜和Mo上膜。

源电极65的至少一部分与半导体层40交叠，漏电极66与源电极65通过暴露出栅电极26的间隙而分隔，并且漏电极66的至少一部分与半导体层40交叠。这里，欧姆接触层55和56分别位于半导体层40与源电极65以及与漏电极66之间，以减小接触电阻。

漏电极66的一端是与半导体层40交叠的窄条。漏电极66的另一端是与存储电极29交叠的大面积漏电极扩展单元67。

在数据线62、漏电极66、以及露出的半导体层40上沉积包括绝缘材料的保护层70。在示意性实施例中，通过由氮化硅或氧化硅组成的无机物、具有很好的平坦化特性和感光性的有机物、或者由a-Si:C:O或a-Si:O:F组成的低介电常数(low-k)绝缘材料形成保护层70。可使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积保护层70。保护层70可以是具有无机下膜和有机上膜的双层，从而在保持有机膜的良好特性的同时保护露出的半导体层40。

在保护层70中形成接触孔78和76。通过接触孔78和76露出数据线末端68和漏电极扩展单元67。在保护层70和栅极绝缘层30中形成接触孔74，通过该孔露出栅极线末端24。像素电极82通过接触孔76电连接到漏电极66，并且沿着像素的边缘形成V型。

此外，在保护层70上形成辅助栅极线末端86和辅助数据线末端88。辅助栅极线末端86和辅助数据线末端88分别与栅极线末端24和数据线末端68连接。由透明导体(例如，ITO或者IZO)或者反射导体(例如，Al)形成像素电极82、辅助栅极线末端86和辅助数据线末端88。辅助栅极线末端86和辅助数据线末端88将栅极线末端24和数据线末端68电连接至外部设备。

像素电极82通过接触孔76物理和电连接到漏电极66，从而通过漏电极66将数据电压施加到像素电极82。

被施加数据电压的像素电极82与共电极基板2的共电极90一起产生电场，从而确定位于像素电极82与共电极90之间的液晶层3的液晶分子的排列。

尽管未示出，但可以利用平行于数据线62形成的切口(未示出)将像素电极82分为多个区域。可以在切口的位置形成凸起，并且切口或凸起被认为是区域分割单元。像素电极82和共电极基板2的共电极90都可以用区域分割单元分为多个区域。液晶层3的液晶分子的排列可以通过使用区域分割单元在预定方向上形成横向场(lateral field)来确定。

可以将定向液晶层3的定向层(未示出)应用于像素电极82、辅助栅极线末端86和辅助数据线末端88、以及保护层70。

现在，将参考图1B、1C、和2C描述共电极基板。

在绝缘板110下形成用于防止光泄露的黑矩阵120和滤色器130。滤色器130包括顺序排列在像素中的产生红、绿、和蓝色的过滤器。绝缘板110包括透明绝缘材料(例如，玻璃)。外涂膜150包括有机材料，并且在滤色器130和黑矩阵120上形成。共电极90包括透明绝缘材料(例如，玻璃)，并且具有在外涂层150上形成的切口92。在这种情况下，以与像素形状相似的V型形成切口92。

如上所述，作为区域分割单元的切口92具有大约7μm至14μm的宽度。由有机材料形成的凸起可以代替切口92用做区域分割单元。

这里，黑矩阵120包括对应于数据线62的角状部分的直线部分、对应于数据线62的线形部分的直线部分、以及对应于TFT部的矩形部分。

滤色器130沿着黑矩阵120沿第二方向延伸，并且周期性地弯曲而呈现像素形状。在本实施例中，在共电极基板2上形成滤色器130。然而，本发明并不限制于此，在其他实施例中可以在TFT基板1上形成滤色器130。

共电极90面对像素电极82，并且具有相对于栅极线22形成大约45度或者-45度角度的切口92。共电极90的切口92也是V形的，并将V形像素分成两部分(即，切口92的右侧部分和左侧部分)。可以在切口92的位置上形成凸起，并且切口92或者凸起被认为是区域分割单元。

定向液晶分子5的定向膜(未示出)可以应用于共电极90。

图1C是包括图1A中的TFT基板和共电极的LCD的平面图。

当对准并结合TFT基板1和共电极基板2时，在其间形成液晶层3，并垂直定向液晶层3，从而形成根据本发明实施例的LCD基底结构。

当在像素电极82与共电极90之间没有电场，并且液晶分子5具有负介电常数各向异性时，包括在液晶层3中的液晶分子5的指向矢(director，指向)被定向为垂直于TFT基板1和共电极基板2。对准TFT基板1和共电极基板2，使像素电极82与滤色器130精确交叠。然后，通过共电极90的切口92和像素间间隙83将像素分成多个区域。在这种情况下，通过切口92和像素间间隙83将像素分成右部分和左部分。然而，V形部的右部分和左部分的每一个中的液晶具有不同的方向，使得液晶被分成四种类型区域。即，当在施加电场使包括在液晶层3中的液晶分子5的主指向矢定向时，根据液晶的朝向将像素分成四种类型区域。然而，这并未限制本发明，通过在共电极90、像素电极82、以及像素间间隙83中形成的区域分割单元(例如，切口92)，可以将像素分成多个区域。

由例如偏光板、背光板等元件在这种基底结构上形成LCD。

在这种情况下，在基底结构的两侧设置一个偏光板(未示出)，并且偏光板的透射轴之一可以与栅极线22平行，而偏光板的另一透射轴可以与栅极线22垂直。

当将电场施加到具有此结构的LCD的液晶上时，每个区域中的液晶在垂直于区域长边的方向上倾斜形成。然而，此方向垂直于数据线62，因而该方向与由形成在其间具有数据线62的两个相邻像素电极82之间的横向场倾斜形成的液晶的方向相同，使得横向场有助于每个区域的液晶定向。

将多种反转驱动方法(例如，点反转驱动)应用于位于数据线62两侧的像素电极。在点反转驱动中，具有与像素电极相反极性的电压施加到相邻像素电极。除点反转驱动之外，在LCD中通常使用列反转驱动、两点反转驱动等。因此，几乎总会形成横向场，并且其方向有助于区域的液晶定向。

此外，因为将偏光板的透射轴设置为垂直于或者平行于栅极线22，因而偏光板可以低成本制造，并且在全部区域中的液晶可相对于偏光板的透射轴以45度角定向。以这种方式，可以获得最好的亮度。

现在，将参考图1C和图2C详细描述根据本发明的实施例的LCD坏像素修复方法以及在本方法中使用的恢复互联部。

一般来说，因为数据线62比栅极线22更长，所以数据线62更容易断开。当数据线62断开并且产生坏像素时，坏像素可以使用恢复互联部21容易地修复。不需要LCD外部的单独修复电路修复坏像素。

参考图2C，修复互联部21由与绝缘板10上栅极互联部22、24、和26相同的材料形成，并与它们形成在相同层上。栅极绝缘层30夹在修复互联部21的至少一部分与数据线62之间。如上所述，像素间间隙83将相邻像素电极82隔开。修复互联部21与数据线62的交叠在像素间间隙83之下发生。这里，包括像素间间隙83、修复互联部21、以及数据线62的区域被认为是“交叠区域”。

当数据线62的中间部分断开时，激光束200从TFT基板1的绝缘板10的下部照到修复互联部21和数据线62交叠的区域。激光束200用于熔融修复互联部21的一部分、栅极绝缘层30、和位于交叠部分中的数据线62，使得修复互联部21和数据线62彼此电连接。修复互联部21和数据线62至少交叉两次，并且使用激光束200使交叉点熔融，使得修复互联部21和数据线62彼此电连接。因此，激光束200用于形成分流路径，该路径通过数据线62绕过断开部分，并且形成修复互联部21，从而可以容易地修复坏像素。

例如，激光束200可以具有绿波长带(大约532nm)。为了将通过栅极绝缘层30彼此绝缘的修复互联部21和数据线62熔化，可以施加大约0.1mJ-1mJ的激光束200。激光束200的光斑直径可以是大约1μm-4μm。

进一步，因为在修复互联部21和数据线62交叉的位置上有像素间间隙83，所以激光束200的熔融对像素电极82没有威胁。

为了使用修复互联部21来连接数据线62，修复互联部21可以与数据线62交叉至少两次。此外，为了防止像素电极82被激光束200损坏，形成修复互联部21以通过像素间间隙83和数据线62交叉的部分。可沿像素间间隙83形成修复互联部21，使得修复互联部21与像素间间隙83和数据线62交叉的部分交叠。相对于像素间间隙83的宽度B，修复互联部21的宽度A可以满足关系B≤A≤1.5B。如果修复互联部21的宽度A小于像素间间隙83的宽度B，则减小融合修复互联部21和数据线62所要求的加工余量。如果修复互联部21的宽度A比像素间间隙83的宽度B大1.5倍，则减小LCD的宽高比。

现在，将参考图3描述根据本发明第二实施例的LCD。图3是根据本发明实施例的LCD的平面图。为了说明的简洁，与第一实施例中元件相同或相似的元件将使用相同的参考标号表示，并且将不给出其详细说明。如图3所示，除下面要说明的以外，本实施例的LCD基本上具有与图1A至图1C所示的LCD相同的结构。就是，参考图3，数据线362只包括垂直延伸部，没有第一实施例的角状部分。以这种方式，因为与图1A至图1C中所述的数据线62相比，数据线362的互联部的长度减小，所以使互联部的电阻和负载减小，并且减小了信号失真。此外，可以保护由数据线362与像素电极82耦合导致的垂直条纹的形成。

现在，将参考图4描述根据本发明第三实施例的LCD。图4是根据本发明实施例的LCD的平面图。为了避免重复，与第一实施例中元件相同或相似的元件将使用相同的参考标号表示，并且将不给出其详细说明。除以下描述的以外，本实施例的LCD基本上具有与图1A至图1C所示的LCD相同的结构。参考图4，数据线462包括角状部分和线形部分。数据线462的角状部分沿像素间间隙83形成。此外，沿像素间间隙83形成修复互联部21，以增加数据线462与修复互联部21交叠的面积。这样做，也减小了使用激光束融合该交叠部分需要的加工余量。因为数据线462是弯曲的，与例如图3的实施例比较，互联部的整个长度可能增加。然而，在超高宽高比结构中，数据线462足够宽并且使用厚有机材料保护层70，使得互联部具有小负载。因此，可以忽略由于数据线462的长度增加导致的信号失真。

如上所述，本发明能够在不形成LCD外部的单独修复电路的情况下修复坏像素。

虽然上文中参考示意性实施例具体地示出和描述了本发明，但本领域技术人员将会理解，在不脱离由权利要求及其等价物所限定的本发明的精神和范围前提下，形式和细节上的各种改变均应包含其中。

Claims (18)

1.一种液晶显示器，包括：

栅极线，形成在绝缘板上，并沿第一方向延伸；

数据线，形成在所述绝缘板上，所述数据线沿第二方向延伸，并且与所述栅极线电隔离；

像素电极，形成在所述栅极线和所述数据线上的每个像素中；

薄膜晶体管，连接到所述栅极线、所述数据线、和所述像素电极；以及

修复互联部，与所述数据线在至少两个位置上交叠，所述修复互联部被电绝缘。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，存在包括所述像素电极的多像素电极，其中，所述像素电极通过每个像素中的像素间间隙彼此隔离，并且其中，所述像素间间隙位于所述数据线与所述修复互联部交叠的交叠部分之上。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，由与所述栅极线相同的材料和层形成所述修复互联部。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，沿所述像素间间隙形成所述修复互联部。

5.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，相对于所述像素间间隙的宽度B，所述修复互联部的宽度A满足关系B≤A≤1.5B。

6.一种液晶显示器，包括：

栅极线，形成在绝缘板上；

数据线，形成在所述绝缘板上，所述数据线沿第二方向延伸，并且与所述栅极线电隔离；

像素电极，在所述栅极线和所述数据线上的每个像素中形成为弯曲形状；

薄膜晶体管，连接到所述栅极线、所述数据线、和所述像素电极；以及

修复互联部，和与所述数据线交叠的像素间间隙对准，所述像素间间隙位于栅极线之间，所述修复互联部与相邻元件电绝缘。

7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，由与所述栅极线相同的材料和层形成所述修复互联部。

8.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，沿所述像素间间隙形成所述修复互联部。

9.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，相对于所述像素间间隙的宽度B，所述修复互联部的宽度A满足关系B≤A≤1.5B。

10.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述数据线包括沿所述第二方向延伸的线形部分。

11.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述数据线包括角状部分和线形部分，所述线形部分沿所述第二方向延伸。

12.根据权利要求11所述的液晶显示器，其中，所述数据线的所述角状部分包括两条直线，其中所述直线中的一条相对于所述栅极线以45度角形成，并且所述直线中的另一条相对于所述栅极线以-45度角形成。

13.一种液晶显示器的坏像素修复方法，所述方法包括：

准备所述液晶显示器，所述液晶显示器包括：

栅极线，形成在绝缘板上，并沿第一方向延伸；

数据线，形成在所述绝缘板上，所述数据线沿第二方向延伸，并且与所述栅极线电隔离；

像素电极，形成在所述栅极线和所述数据线上的每个像素中；

薄膜晶体管，连接到所述栅极线、所述数据线、和所述像素电极；以及

修复互联部，与所述数据线在至少两个位置上交叠，所述修复互联部被电绝缘；以及

使用激光束照射交叠区域，以在两个位置结合所述数据线和所述修复互联部，所述交叠区域包括所述数据线与所述修复互联部的交叠。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述激光束具有绿波长带。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述激光束具有大约532nm的波长。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述激光束具有大约0.1mJ-1mJ的能量。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述激光束的光斑具有大约1μm-4μm的直径。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述数据线和所述修复互联部的结合包括在所述激光束通过所述绝缘板之后熔融所述数据线和所述修复互联部。

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