CN1879300B

CN1879300B - 去耦叠层体声谐振器器件

Info

Publication number: CN1879300B
Application number: CN200480032452.2A
Authority: CN
Inventors: J·D·拉森三世; S·L·艾利斯
Original assignee: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd
Current assignee: Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Priority date: 2003-10-30
Filing date: 2004-10-29
Publication date: 2011-12-21
Anticipated expiration: 2024-10-29
Also published as: EP1528674B1; CN1868121B; EP1528674A1; CN1868121A; JP2005137002A; CN1879300A; US20060114080A1; DE602004012511D1; US20050093653A1; US7424772B2; DE602004012511T2; CN100505535C; US7019605B2; CN1902819A

Abstract

一种去耦叠层体声波谐振器DSBAR器件(100)，包含下薄膜体声波谐振器FBAR(110)、堆叠在下FBAR上的上FBAR(120)，以及位于所述FBAR之间的声波去耦器(130)。每个FBAR包含相对的平面电极(112、114)以及位于所述电极之间的压电元件(116)。该声波去耦器包含由声阻抗不同的声波去耦材料制成的声波去耦层(182、183)。声波去耦层的声阻抗和厚度决定该声波去耦器的声阻抗，并因此决定DSBAR器件的通带宽度。于是可以使用工艺兼容的声波去耦材料，从而使声波去耦器具有特定的声阻抗和通带宽度，而由于缺乏具有这种声阻抗的工艺兼容的声波去耦材料，以其它方式不能获得该声阻抗和该通带宽度。

Description

去耦叠层体声谐振器器件

背景技术

在许多不同类型的消费及工业电子产品中使用电子带通滤波器以选择或抑制某一频率范围内的电学信号。近年来，这种产品的物理尺寸已经趋于显著减小，同时该产品的电路复杂度趋于增大。John D.Larson III的标题为Stacked Bulk Acoustic Resonator Band-PassFilter with Controllable Pass Bandwidth的美国专利申请序列号No.10/699298公开了基于叠层体声波谐振器(Stacked Bulk AcousticResonator，DSBAR)的高度微型化、高性能、低成本的带通滤波器。DSBAR包含层叠的薄膜体声波谐振器(FBAR)和位于所述FBAR之间的声波去耦器。

在许多种电子装置种使用变换器以执行各种功能，这些功能为例如变换阻抗、将单端电路连接到平衡电路或反过来、以及提供电绝缘。然而，并非所有变换器具有所有这些性能。例如，自耦变换器并不提供电绝缘。John D.Larson III和Richard Ruby的标题为Thin-FilmAcoustically-Coupled Transformer的美国专利申请序列号No.10/699481公开了一种高度微型化、高性能、低成本的变换器，该变换器具有每一个均包含声波去耦器的一个或多个DSBAR。该薄膜声波耦合变换器(Film Acoustically-coupled Transformer，FACT)能够在从UHF到微波的电学频率范围内提供一个或多个下述属性：阻抗变换、平衡电路与非平衡电路之间的耦合、以及电绝缘。FACT通常还具有低的插入损耗、足以容纳蜂窝电话RF信号的频率范围的带宽、例如小于当前在蜂窝电话中使用的变换器的尺寸、以及低的制造成本。

在本公开中，将上述带通滤波器和FACT以及包含一个或多个DSBAR的其它器件(每个DSBAR包含位于其组成FBAR之间的声波去耦器)称为去耦叠层薄膜体谐振器器件，或者更为准确地称为DSBAR器件。

如上述美国专利申请序列号No.10/699289及10/699481(母案申请)所公开的，DSBAR器件具有这样的带通特征，即通带宽度由声波去耦器的性能确定。在母案申请所公开的DSBAR器件的实施例中，声波去耦器被实现为单个声波去耦层。每个DSBAR的声波去耦层为由声阻抗抗不同于组成DSBAR的FBAR的材料的声阻抗的声波去耦材料形成的层。声波去耦材料的声阻抗是指在材料中应力与粒子速度的比，并用瑞利(Rayleigh)(简写为rayl)来度量声阻抗。

在实际的实施例中，声波去耦材料为塑料材料，其声阻抗小于FBAR的材料的声阻抗。典型的塑料声波去耦材料的声阻抗小于10，而FBAR材料的声阻抗大于30。这些实施例的通带宽度取决于声波去耦材料的声阻抗。因此，通过简单地选用具有恰当声阻抗的声波去耦材料，DSBAR器件的通带宽度似乎是可定义的。

实践中已经证明，简单地通过选用恰当的声波去耦材料来定义DSBAR器件的通带宽度是困难的。声阻抗位于使用典型FBAR材料产生的最常用通带宽度的范围内，并且还具有承受在声波去耦层已经形成之后执行的处理中所使用的高温和腐蚀剂的能力的材料的数目实际上很少。

因此需要一种定义DSBAR器件的通带宽度的替代方式。

发明内容

本发明一方面提供了一种去耦叠层体声波谐振器(DSBAR)器件，该器件包含下薄膜体声波谐振器(FBAR)、堆叠在下FBAR上的上FBAR、以及所述FBAR之间的声波去耦器。每个FBAR包含相对的平面电极以及所述电极之间的压电元件。该声波去耦器包含由声阻抗不同的声波去耦材料制成的声波去耦层。所述声波去耦层的声阻抗和厚度决定声波去耦器的声阻抗，并因此决定DSBAR器件的通带宽度。可以使用工艺兼容的声波去耦材料，从而使声波去耦器具有特定的声阻抗(由此具有特定的通带宽度)，而由于缺乏具有这种声阻抗的工艺兼容的声波去耦材料，以其它方式不能获得该声阻抗。

在一实施例中，DSBAR器件为薄膜声波耦合变换器(FACT)，并且还包含附加的下FBAR、堆叠在该附加下FBAR上的附加上FBAR、以及位于这些附加FBAR之间的附加声波去耦器。每个附加FBAR包含相对的平面电极和位于这些电极之间的压电元件。该附加声波去耦器包含由声阻抗不同的声波去耦材料制成的声波去耦层。FACT还包含互连所述下FBAR的第一电路、以及互连所述上FBAR的第二电路。

另一方面，本发明提供了包含下薄膜体声波谐振器(FBAR)、堆叠在下FBAR上的上FBAR、和位于所述FBAR之间的声波去耦器的DSBAR器件。每个FBAR包含相对的平面电极以及位于这些电极之间的压电元件。该声波去耦器的声阻抗范围为约2Mrayl至约4Mrayl。在一实施例中，该声波去耦器包含声阻抗范围为约2Mrayl至约4Mrayl的声波去耦材料制成的不多于一层的声波去耦层。在另一个实施例中，该声波去耦器包含由具有各不相同的声阻抗的声波去耦材料制成的声波去耦层。

附图说明

图1为对根据本发明的DSBAR器件的各实施例计算得到的频率响应进行比较的图示，所述DSBAR器件使用了具有根据本发明的不同结构的声波去耦器。

图2A为带通滤波器的实施例的俯视图，该带通滤波器作为根据本发明的DSBAR器件的第一示例。

图2B为在图2A中所示的带通滤波器沿图2A中剖面线2B-2B的截面视图。

图2C为图2B中的部分的放大视图，示出了由具有不同声阻抗的声波去耦材料层构成的声波去耦器的实施例。

图2D为和图2C相似的放大视图，示出了该声波去耦器的备选实施例。

图3A示出了作为根据本发明的DSBAR器件的第二示例的薄膜声波耦合变换器(FACT)的实施例的俯视图。

图3B为沿剖面线3B-3B的图3A中所示的FACT的截面视图。

图3C为沿剖面线3C-3C的图3A中所示的FACT的截面视图。

图3D为图3B的部分的放大视图，示出了由具有不同声阻抗的声波去耦材料层构成的声波去耦器的实施例。

图3E为和图3D相似的放大视图，示出了该声波去耦器的备选实施例。

图3F为图3A所示的FACT示例的电路的示意图。

图3G为图3A中所示的FACT的实施例的电路的示意图，其包含感应器以减轻寄生电容的影响。

图4A至4J为示出了根据本发明制作DSBAR器件的工艺的俯视图。

图4K至4T为分别沿图4A至4 J中剖面线4K-4K、4L-4L、4M-4M、4N-4N、4O-4O、4P-4P、4Q-4Q、4R-4R、4S-4S、以及4T-4T的截面视图。

具体实施方式

本申请人已经发现，包含由声阻抗不同的声波去耦材料形成的声波去耦层的多层声波去耦器可有利地用于定义DSBAR器件的通带宽度。在DSBAR器件中，多层声波去耦器被构造成对频率等于DSBAR器件的通带中心频率的声波信号施加为π/2弧度的整数倍的相位变化，该多层声波去耦器表现为似乎是单层声波去耦器，其中该单层声波去耦器的有效声阻抗不同于该多层声波去耦器的声波去耦材料的声阻抗且标称厚度等于该单层声波去耦器的声波去耦材料中声波信号波长的1/4。当声波去耦器为多层声波去耦器时，本公开中提到的声波去耦器的声阻抗应被理解为指该声波去耦器的有效声阻抗。多层声波去耦器允许使用工艺兼容的声波去耦材料以获得单层声波去耦器无法获得的声阻抗(以及因此DSBAR器件的通带宽度)，其中单层声波去耦器无法获得所述声阻抗的原因为缺乏具有相同声阻抗的工艺兼容的声波去耦材料。

具有n个声波去耦层的声波去耦器的声阻抗Z_n由等式(1)定义：

Z_{n} = \frac{Σ_{1}^{n} Z_{j} \frac{t_{j}}{v_{j}}}{Σ_{1}^{n} \frac{t_{j}}{v_{j}}} - - - (1)

其中Z_j为声波去耦层j的声波去耦材料的声阻抗，t_j为声波去耦层j的厚度，v_j为声波去耦层j的声波去耦材料中的声速。

该声波去耦器被构造成对一声波信号施加相位变化Δφ，该相位变化Δφ为π/2弧度的奇数整数倍即(2m+1)π/2弧度(其中m为整数)，该声波信号的标称频率等于该DSBAR的中心频率。由下式给出该声波去耦器施加的相位变化Δφ：

Δ = 2 π f_{0} Σ_{1}^{n} \frac{t_{j}}{v_{j}} - - - (2)

因此：

Σ_{1}^{n} \frac{t_{j}}{v_{j}} = \frac{(2 m + 1)}{4 f_{0}} - - - (3)

在m＝0的实施例中：

Σ_{1}^{n} \frac{t_{j}}{v_{j}} = \frac{1}{4 f_{0}} - - - (4)

因此，根据本发明，在工艺兼容的声波去耦材料的声阻抗提供了预期通带宽度的DSBAR器件的实施例中，声波去耦器包含由这种声波去耦材料制成的单个声波去耦层。另外，在任何单个工艺兼容的声波去耦材料的声阻抗不提供预期通带宽度的DSBAR器件的实施例中，声波去耦器包含通常由两种不同声波去耦材料制成的声波去耦层，这两种声波去耦材料中的一种的声阻抗大于预期声阻抗，另一种的声阻抗小于预期声阻抗。选择这些声波去耦层的厚度以将声波去耦器的声阻抗设置成提供预期通带宽度的声阻抗，并将由声波去耦施加的相位变化设置成π/2弧度的奇数整数倍。

图1示出了根据本发明的DSBAR器件的五个示例实施例的计算得到的通带频率响应。曲线185示出了一实施例的频率响应，其中声波去耦器包含由声阻抗约为4Mrayl的第一声波去耦材料制成的单个声波去耦层。曲线189示出了一实施例的频率响应，其中声波去耦器包含由声阻抗约为2Mrayl的第二声波去耦材料制成的单个声波去耦层。曲线186、187、188示出了相应实施例的频率响应，其中声波去耦器包含由第一声波去耦材料制成的第一声波去耦层和第二声波去耦材料制成的第二声波去耦层，且其中第一声波去耦层和第二声波去耦层分别占由声波去耦器施加的整体相移的75％和25％、50％和50％、以及25％和75％。这些声波去耦器都被构造成对频率等于DSBAR器件的通带中心频率的声波信号施加π/2弧度的标称相位变化。曲线185 至189所代表的各实施例的声波去耦器的声阻抗为4.9、3.3、3.0、2.5、及2.1Mrayl。图1演示了DSBAR器件的通带宽度是如何随声波去耦器声阻抗的减小而减小。

图1所示各频率响应几乎没有呈现不真实假象(spurious artifact)的迹象，无论声波去耦器包含单个声波去耦层(曲线185及189)还是包含由具有不同声阻抗的声波去耦材料制成的两个声波去耦层(曲线186至188)。由于声波去耦层的声阻抗比增大到超过一，具有两个或更多个声波去耦层的实施例的频率响应呈现不真实假象的可能性更大，例如，在声阻抗比超过约6的实施例中可能出现不真实假象。下面将更加详细地描述图1。

图2A是作为根据本发明的DSBAR第一示例的带通滤波器的示例实施例100的俯视图。图2B为沿图2A中剖面线2B-2B的截面图。带通滤波器100包含DSBAR106。DSBAR106包含下薄膜体声波谐振器(FBAR)110，堆叠在下FBAR120上的上FBAR120、以及位于这两个FBAR之间的声波去耦器130。

FBAR110包含相对的平面电极112和114以及位于这两个电极之间的压电元件116。FBAR120包含相对的平面电极122和124以及这两个电极之间的压电元件126。

声波去耦器130位于FBAR110和120之间，特别地，位于FBAR110的电极114和FBAR120的电极122之间。该声波去耦器控制FBAR110和120之间的声能的耦合。该声波去耦器在所述FBAR之间耦合的声能小于所述FBAR之间直接接触所耦合的能量。在图2B所示以及图2C中放大形式的示例中，声波去耦器130包含由第一声波去耦材料制成的声波去耦层182和由第二声波去耦材料制成的声波去耦层183。这些声波去耦材料具有不同的声阻抗。

在所示实施例中，DSBAR106悬置于在衬底102中定义的腔104上方。这种悬置DSBAR的方式允许FBAR110和120响应于施加在其中一个的电极之间的输入电信号而机械谐振。在接收输入电信号的FBAR中产生的声能通过声波去耦器130传递到另一个FBAR。接收该声能的FBAR将部分声能转换成在其电极之间所提供的输出信号。可以采用允许FBAR响应于输入电信号而机械谐振的其它悬置方案。例如，DSBAR可位于形成于衬底102之内或之上的失配声波Bragg反射器(未示出) 之上，如Lakin在美国专利No.6107721中所公开的。

在所示示例中，分别通过电迹线133和135，将FBAR110的电极112和114分别电连接到焊盘132和134。此外，通过电迹线137和139分别将FBAR120的电极122和124电连接到焊盘134和138。在输入和输出之间提供电绝缘的实施例中，电迹线137连接到另外的焊盘(未示出)，而不是连接到焊盘134。

图3A为作为根据本发明的DSBAR器件的第二示例的薄膜声波耦合变换器(FACT)的示例实施例200的俯视图。图3B和3C为分别沿图3A中剖面线3B-3B和3C-3C的截面图。图3F为图3A中所示FACT示例的电路的示意图。

FACT200包含衬底102以及去耦层叠体声波谐振器(DSBAR)106和108。各个DSBAR包含下薄膜体声波谐振器(FBAR)、上FBAR、以及所述FBAR之间的声波去耦器。FACT200还包含分别将DSBAR106和108的下FBAR110和150互连的电路，以及分别将DSBAR106和108的上FBAR120和160互连的电路。图3F示出了一示例，其中电路141反平行地连接DSBAR106的下FBAR110和DSBAR108的下FBAR150，电路142串联连接DSBAR106的上FBAR120和DSBAR108的上FBAR160。

在DSBAR106中，下FBAR110包含相对的平面电极112和114以及位于所述电极之间的压电元件116，上FBAR120包含相对的平面电极122和124以及所述电极之间的压电元件126。在DSBAR108中，下FBAR150包含相对的平面电极152和154以及所述电极之间的压电元件156，上FBAR160包含相对的平面电极162和164以及所述电极之间的压电元件166。

在FACT200中，DSBAR106具有位于下FBAR110和上FBAR120之间的声波去耦器130，特别地该声波去耦器位于下FBAR110的电极114和上FBAR120的电极122之间。声波去耦器130控制FBAR110和120之间的声能的耦合。声波去耦器130在FBAR110和120之间耦合的声能低于传统叠层体声波谐振器(SBAR)中这两个FBAR直接接触时所耦合的能量。此外，DSBAR108具有位于FBAR150和160之间的声波去耦器170，特别地该声波去耦器位于下FBAR150的电极154和上FBAR160的电极162之间。声波去耦器170控制FBAR150和160 之间的声能的耦合。声波去耦器170在FBAR150和160之间耦合的声能低于这两个FBAR直接接触时所耦合的能量。由声学去耦器130和170定义的声能的耦合确定FACT200的通带宽度。

在图3A至3C以及图3D所示放大视图所示的示例中，声波去耦器130和170为包含由具有不同声阻抗的声波去耦材料制成的声波去耦层的声波去耦器180的相应部分。在其它实施例中，声波去耦器130和170在结构上是独立的。

在所示示例中，DSBAR106和DSBAR108悬置在定义于衬底102内的公共腔104上，该悬置方式和前述参考图2A和2B所描述的方式相似。同样如前所述，可以采用允许构成DSBAR的FBAR响应于输入电信号而机械谐振的其它悬置方案。或者，DSBAR106和DSBAR108可悬置在衬底102内的相应单个腔(未示出)上。

图3F示意性示出了互连DSBAR106和108并将DSBAR106和108连接到外部电路(未示出)的电路的示例。电路141将下FBAR110和150反平行地连接到信号端子143和接地端子144。在图3A至3C所示实施例中，焊盘138提供信号端子143，且焊盘132和172提供接地端子144。在该实施例中，由下述电迹线提供电路141(图3F)：从焊盘132延伸到FBAR110的电极112的电迹线133、从FBAR110的电极114延伸到与互连焊盘176电接触的互连焊盘136的电迹线137、从互连焊盘176延伸到信号焊盘138的电迹线139、从互连焊盘176延伸到FBAR150的电极152的电迹线177、从FBAR150的电极154延伸到焊盘172的电迹线、以及互连焊盘132和172的电迹线167。

在图3F所示示例电路图中，电路142将上FBAR120和160串联连接到信号端子145和146以及可选的中心抽头端子147。在图3A至3C所示的实施例中，焊盘134和174提供信号焊盘145和146，焊盘178提供中心抽头端子147。在该实施例中，由下述电迹线提供电路142：从焊盘134延伸到FBAR120的电极124的电迹线135、从FBAR120的电极122延伸到FBAR160的电极162的电迹线171、从迹线171延伸到中心抽头137的电迹线179、以及从FBAR160的电极164延伸到焊盘174的电迹线175。图中还示出了由电迹线169互连的焊盘163和168，该电迹线为焊盘134和174提供了局部地电势。在所示示例中，电迹线169还延伸到焊盘178。在其它示例中，焊盘178是浮置的。

图3F中所例举的电学连接提供了具有平衡初级和4∶1阻抗变换比的FACT，或者具有平衡次级、1∶4阻抗变换比的FACT。下FBAR或者也可并联、串联、以及反串联地互连，上FBAR或者也可并联、反并联、以及反串联地互连以获得其它阻抗变换比。

现在参考图2C和2D，并另外参考图2A和2B，图2C为图2B一部分的放大视图，该图示出了带通滤波器100的DSBAR106的声波去耦器130的第一示例实施例的部分。声波去耦器130的该实施例包含由具有不同声阻抗的声波去耦材料制成的声波去耦层182和183，所述声波去耦层共同为声波去耦器130提供了一声阻抗，该声阻抗为带通滤波器100提供了其预期通带宽度。图2D为图2B的部分的放大视图，示出了带通滤波器100的DSBAR106的声波去耦器130的第二示例实施例的部分。声波去耦器130的该实施例包含由声波去耦材料制成的单个声波去耦层184，该声波去耦材料的声阻抗为带通滤波器100提供了其预期通带宽度。图2C和2D分别另外地示出了声波去耦器130位于其间的FBAR110和120(图2B)的电极114和122的部分。

现在参考图3D和3E，并另外地参考图3A至3C，图3D为图3B一部分的放大视图，该图示出了DSBAR108的声波去耦器170的第一示例实施例的部分。声波去耦器170的该实施例包含由具有不同声阻抗的声波去耦材料制成的声波去耦层182和183，所述声波去耦层共同为声波去耦器170提供了一声阻抗，该声阻抗为FACT200提供了其预期通带宽度。图3E为图3B一部分的放大视图，该图示出了DSBAR108的声波去耦器170的第二示例实施例的部分。声波去耦器170的该实施例包含由声波去耦材料制成的单个声波去耦层184，该声波去耦材料的声阻抗为FACT200提供了其预期通带宽度。图3D和3E分别另外地示出了声波去耦器170位于其间的(图3B)FBAR150和160的电极154和162部分。DSBAR106的声波去耦器130在结构上和图2B及2C所示的声波去耦器170及声波去耦器130相同。

现在将参考图2C及2B更加详细地描述在图2C中所示的带通滤波器100的声波去耦器130的实施例。提供图3B至3E中所示声波去耦器130和170的声波去耦器180在结构和性能上是相似的。因此，对声波去耦器130的下述描述也适用于图3B至3E中所示的各声波去耦器，将不分别描述在图3B至3E中所示的各声波去耦器。

在图2所示的示例中，声波去耦器130包含由声阻抗为Z₁的第一声波去耦材料制成的声波去耦层182以及由声阻抗为Z₂的第二声波去耦材料制成的第二声波去耦层183，其中Z₂不同于Z₁。第一声波去耦材料中的声速为v₁，第二声波去耦材料中的声速为v₂。第一声波去耦层182的标称厚度为t₁第二声波去耦层183的标称厚度为t₂。

带通滤波器100具有带通频率响应。该带通响应的通带宽度取决于声波去耦器130的声阻抗Z₂。声波去耦器130的声阻抗介于声波去耦层182和183的声波去耦材料的声阻抗Z₁和Z₂之间。具体地，声波去耦器130的声阻抗由下式给出：

Z₂＝((Z₁t₁/v₁)+(Z₂t₂/v₂))/((v₁/t₁)+(v₂/t₂)) (5)

声波去耦器130被构造成对声学信号施加为π/2弧度的奇数整数倍(即，(2m+1)π/2，其中m为等于或大于零的整数)的标称相位变化，该声学信号频率f₀等于DSBAR器件100的通带的中心频率。这种声波去耦器的总厚度为(t₁+t₂)，该厚度标称地等于频率与DSBAR器件通带中心频率相等的声学信号在该声波去耦器中的波长λ_n的1/4的奇数整数倍。(2m+1)π/2的相位变化对应于通过声波去耦器130的传播时间(2m+1)/4f₀。在所示示例中，声波去耦器130包含厚度分别为t₁和t₂的声波去耦层182和183，其中的声速分别为v₁和v₂。传播穿过声波去耦器130的时间由(t₁/v₁+t₂/v₂)给出。因此：

(t₁/v₁+t₂/v₂)＝(2m+1)/(4f₀) (6)

在整数m＝0的实施例中：

(t₁/v₁+t₂/v₂)＝1/(4f₀) (7)

从方程(5)和(6)或(7)可以计算出声波去耦层182和183的厚度t₁和t₂的值，所述值使声波去耦层130具有预期声阻抗以及对频率等于DSBAR器件100通带中心频率的声学信号施加(2m+1)π/2或π/2的标称相位变化的结构。此外，通过改变声波去耦层182和183的厚度而改变声波去耦器130的声阻抗并同时维持由声波去耦器施加的等于(2m+1)π/2弧度的标称相位变化，可简单地改变DSBAR器件100的带宽。下面参考图1更加详细地描述这一点。

声波去耦器130最小厚度的实施例，即，其中声波去耦器被构造成对频率等于DSBAR器件100的通带中心频率f₀的声学信号施加π/2弧度(m＝0)的标称相位变化，该实施例和对频率为f₀的上述声学信号施加为π/2弧度的大于1(m＞1)的奇数整数倍(即，3π/2、5π/2、...、(2m+1)π/2)的标称相位变化的更厚声波去耦器相比，频率响应与理想的频率响应更接近得多。具有最小厚度的声波去耦器(m＝0)的DSBAR器件的频率响应没有具有更厚声波去耦器(m＞0)的DSBAR器件表现出的不真实假象。

使用最小厚度的声波去耦器可得到平滑的频率响应，获得这种频率响应的代价是，电极114和122形成寄生电容器，且声波去耦器130的电容比具有更厚声波去耦器的实施例的电容大得多。在寄生电容会引发问题的应用中，例如在需要高的共模抑制比的应用中，通过将电感器和寄生电容器并联，即如图3G所示将电感器连接在电极114和122之间，即可隔绝该寄生电容。如果需要DC隔离，可将隔直流电容器(未示出)与该电感器串联连接以提供DC隔离。在Larson III等人的标题为“Film Acoustically-Coupled Transformer With IncreasedCommon Mode Rejection”的美国专利申请序列号No.10/XXX,XXX(Agilent Docket No.10031284)中公开使用电感器隔绝寄生电容器的影响。

图3G示出了用C_P做标记并用虚线表示的电容器符号，其代表包含电极114和122的寄生电容器C_P以及声波去耦器130。如前所述，在声波去耦器130为最小厚度声波去耦器的实施例中，寄生电容器的电容为最大值。在FACT200中，将电感器195连接在位于声波去耦器130相对侧上的电极114和电极122之间。这将电感器195和寄生电容器C_P并联连接。电感器195与寄生电容器C_P和端子143、144之间的电容C₀的并联组合形成了谐振频率位于通带内的并联谐振电路196。在一个实施例中，谐振频率等于FACT200的通带中心频率。

或者可以采用声波去耦器130这样的实施例，其中声波去耦层182和183的厚度与前述厚度不同，分别小于相应厚度的约±10％。或者也可以使用这个范围之外的厚度，此时性能会出现一定程度退化。然而，声波去耦层182和183的厚度应该显著不同于这样的厚度，该厚度会导致声波去耦器130对频率等于DSBAR器件通带中心频率的声学信号施加为π/2的偶数整数倍的标称相位变化。

再次回到图3A至3F，组成DSBAR器件100的声波去耦器130的声波去耦层182和183的声波去耦材料，其声阻抗和组成FBAR110和120的电极及压电元件的材料的声阻抗相差很大。在所示示例中，声波去耦层182和183的声波去耦材料的声阻抗小于组成FBAR110和120的电极及压电元件的材料的声阻抗。FBAR的压电元件116和126的压电材料通常为氮化铝(AlN)，电极112、114、122、及124的电极材料通常为钼(Mo)。AlN的声阻抗通常为约35Mrayl，Mo的声阻抗约为63Mrayl。在FBAR110和120的材料为如前所述的带通滤波器100的实施例中，声波去耦器的声阻抗范围为约2Mrayl至约4Mrayl时，可获得预期范围的通带宽度。在输入和输出之间额外提供电绝缘的带通滤波器100的实施例中，声波去耦材料中的至少一种还具有高的电阻率和低的介电常数。

在一实施例中，通过在电极114上旋涂相应声波去耦材料而形成组成声波去耦器130的声波去耦层182和183。由于声波去耦材料所涂敷到的表面的起伏不平，旋涂形成的层可能具有厚度不同的区域。这种情况下，声波去耦层182和183的厚度为位于电极114和122之间的声波去耦层部分的厚度。

如前所述，相对较少的声波去耦材料能够承受在声波去耦层182和183沉积到电极114上之后为了形成声波去耦器130而执行的制造操作的温度和腐蚀剂。下文中将会更加详细地描述，在带通滤波器100的实际实施例中，在形成声波去耦器131之后，通过溅射而沉积电极122和124以及压电元件126。在这些沉积工艺中，温度可高达400℃。此外，进行使用氢氟酸的释放腐蚀(releaseetch)从而清除衬底102和DSBAR106之间的牺牲材料。因此，使用在这些温度下且在出现这些腐蚀剂时保持稳定的塑料作为声波去耦层182和183的声波去耦材料。

和FBAR110及120的其它材料相比，塑料声波去耦材料通常具有非常大的每单位长度的声学衰减。然而，由于声波去耦器130的总厚度通常小于1□m，因此由声波去耦器130引入的声学衰减通常是可以忽略的。

在DSBAR器件100和200的一个示例实施例中，使用聚酰亚胺作为声波去耦层182的声波去耦材料，使用交联聚苯撑聚合物(crosslinked polyphenylene polymer)作为声波去耦层183的声波去耦材料。

E.I.du Pont de Nemours and Company使用其注册商标Kapton销售聚酰亚胺。聚酰亚胺的声阻抗约为4Mrayl，通过旋涂法涂敷。

交联聚苯撑聚合物已经被开发作为用于集成电路的低介电常数的电介质，因此在FBAR120的后续制作中声波去耦器130所经历的高温下仍保持稳定。本发明人已经发现，交联聚苯撑聚合物还具有约为2Mrayl的声阻抗计算值。这和聚酰亚胺的声阻抗大不相同，从而允许包含由聚酰亚胺制成的声波去耦层和由交联聚苯撑聚合物制成的声波去耦层的声波去耦器130具有有用的声阻抗范围。然而，交联聚苯撑聚合物的声阻抗和聚酰亚胺的声阻抗的差别还未大到导致DSBAR器件的频率响应中出现不真实假象。

The Dow Chemical Company(Midland MI)使用商标SiLK销售包含聚合形成相应交联聚苯撑聚合物的各种低聚物的前体溶液。采用旋涂法涂敷这些前体溶液。从另外含有助粘剂的这些前驱体溶液(指定为SiLK^TMJ)之一获得的交联聚苯撑聚合物的声阻抗计算值为2.1Mrayl，即约2Mrayl。

使用双环戊烯酮-和芳香乙炔-含单体的(biscyclopentadienone-and aromatic acetylene-containingmonomers)，制备聚合以形成交联聚苯撑聚合物的低聚物。采用这种单体形成可溶的低聚物，而无需不适当的取代。该前体溶液包含溶解于伽马-丁内酯和环己酮溶剂的特殊低聚物。前体溶液中该低聚体的百分比决定了前体溶液被涂敷时的层厚度。涂敷之后，加热以蒸发溶剂，随后固化该低聚物以形成交联聚合物。双环戊烯酮按照4+2的环化加成反应与乙炔反应，该反应形成新的芳香环。进一步的固化导致形成交联聚苯撑聚合物。在Godschalx等的美国专利No.5965679中公开了前述的交联聚苯撑聚合物。Martin等人在Development ofLow-Dielectric Constant Polymer for the Fabrication ofIntegrated Circuit Interconnect，12 ADVANCED MATERIALS，1769(2000)中描述了另外的实践细节。和聚酰亚胺相比，交联聚苯撑聚合物具有更低的声阻抗、更小的声学衰减、以及更小的介电常数。此外，前体溶液的涂敷层能够产生高质量的交联聚苯撑聚合物薄膜，其厚度范围为约40nm至约200nm，该厚度范围为声波去耦层182、183、及184的典型厚度范围。

分别使用聚酰亚胺和交联聚苯撑聚合物制作声波去耦层182、183，可以制作出声阻抗范围为大于约2.1Mrayl至小于约4Mrayl的声波去耦器130的实施例。声波去耦器130的声阻抗及由其施加的相位变化取决于声波去耦层的厚度。声波去耦层182、183的声波去耦材料或者可以分别为交联聚苯撑聚合物和聚酰亚胺。

使用图2D所示的声波去耦层130的实施例，获得声阻抗等于聚酰亚胺的声阻抗或等于交联聚苯撑聚合物的声阻抗的声波去耦器130的实施例。在本实施例中，声波去耦层130包含由聚酰亚胺或交联聚苯撑聚合物制成的单个声波去耦层184。单个声波去耦层184的厚度对声学信号施加为π/2的奇数整数倍的标称相位变化，该声学信号的频率等于DSBAR器件100的通带中心频率。

图3E示出了DSBAR器件200的声波去耦器170的实施例，其中通过分别使用由聚酰亚胺或交联聚苯撑聚合物制成的单个声波去耦层184作为声波去耦器180，获得与聚酰亚胺的声阻抗或与交联聚苯撑聚合物的声阻抗相等的声阻抗。

再次参考图3A至3F，在声波去耦器130的另一个实施例中，使用聚对二甲苯[poly(para-xylylene)]作为声波去耦层182和183之一的声波去耦材料。在该实施例中，声波去耦层182和183之一为通过真空沉积而涂敷到电极114或涂敷到另一个声波去耦层的聚对二甲苯层。聚对二甲苯在本领域中也称为聚对苯二甲撑(parylene)。可以从许多供应商那里获得用于制作聚对苯二甲撑的二聚物前体对二甲苯的二聚物(di-para-xylylene)以及用于执行真空沉积聚对苯二甲撑层的设备。聚对苯二甲撑的声阻抗计算值约为2.8Mrayl。因此，使用聚对苯二甲撑作为声波去耦层182和183之一的声波去耦材料，在其中另一个声波去耦层的声波去耦材料为交联聚苯撑聚合物的实施例中可以获得范围为大于约2.1Mrayl至小于约2.8Mrayl的声阻抗；在其中另一个声波去耦层的声波去耦材料为聚酰亚胺的实施例中可以获得范围为大于约2.8Mrayl至小于约4Mrayl的声阻抗。paralene还可用作图2D和图3E中所示的单个声波去耦层184的声波去耦材料。

在声波去耦器130的备选实施例中，声波去耦层182和183或声波去耦层184的声波去耦材料的声阻抗比FBAR110和120的材料的阻抗大得多。目前还没有具有这个性能的声波去耦材料，但将来可以获得这种材料。或者，将来可以得到具有更低声阻抗的FBAR材料。如前所述地计算了由这种高声阻抗的声波去耦层制成的声波去耦层182和183或声波去耦层184的厚度。

图1示出了带通滤波器100的计算频率响应和声波去耦器130的声阻抗的依赖关系。所示实施例的中心频率约为1830MHz。图1示出了具有声波去耦器130的下述各种实施例的通带滤波器的计算频率响应。曲线185示出了声波去耦器130一实施例的频率响应，其中该声波去耦器130的声阻抗约为4Mrayl并按如图2D所示构造成由聚酰亚胺制成的单个声波去耦层184。曲线186示出了声波去耦器130一实施例的频率响应，其中该声波去耦器的声阻抗约为3.3Mrayl并按如图2C所示构造成由聚酰亚胺制成的声波去耦层182以及由交联聚苯撑聚合物制成的声波去耦层183，其中声波去耦层182和183对由声波去耦器130施加的总相位变化的贡献分别为约75％和约25％。交联聚苯撑聚合物的声阻抗约为2Mrayl。曲线187示出了声波去耦器130一实施例的频率响应，其中该声波去耦器的声阻抗约为3.0Mrayl并按如图2C所示构造成由聚酰亚胺制成的声波去耦层182以及由交联聚苯撑聚合物制成的声波去耦层183，其中声波去耦层182和183的厚度对由声波去耦器130施加的总相位变化的贡献约各占一半。曲线188示出了声波去耦器130一实施例的频率响应，其中该声波去耦器的声阻抗约为2.5Mrayl并按如图2C所示构造成由聚酰亚胺制成的声波去耦层182以及由交联聚苯撑聚合物制成的声波去耦层183，其中声波去耦层182和183对由声波去耦器130施加的总相位变化的贡献分别为约25％和约75％。曲线189示出了声波去耦器130一实施例的频率响应，其中该声波去耦器的声阻抗约为2.1Mrayl并按如图2D所示构造成由交联聚苯撑聚合物制成的单个声波去耦层184。

表1示出了带通滤波器100的上述实施例的通带宽度计算值与该一个或多个声波去耦层厚度的依赖关系。该通带宽度相对于最大值取为-3dB。

声波解耦层182/184(聚酰亚胺)的厚度(nm)	声波解耦层183/184(交联聚苯撑聚合物)的厚度(nm)	声波解耦器130的计算所得声阻抗	通带宽度(-3dB) (MHz)
				200	0	4.0	110
187.5	50	3.5	95
				100	100	3.0	87
60	127.5	2.5	83
				0	187.5	2.1	75

表1

可以看出，带通滤波器100的通带宽度随聚酰亚胺声波去耦层182的厚度比例的增大而增大，因此声波去耦器130的声阻抗也随之增大。因此，对声波去耦层182和183的厚度进行恰当的选择，由此可以制作出具有预期通带宽度的带通滤波器100的实施例。

采用晶片尺度的制造，来同时制造和带通滤波器100或FACT200相似的成千上万的DSBAR器件。这种晶片尺度的制造使得DSBAR器件的制造变得不昂贵。下面将参考图4A至4J的俯视图和图4K至4T的截面图描述FACT200的示例实施例的示例制造方法。可以使用采用不同掩模的相同工艺制作带通滤波器100。其制造即将得到描述的FACT200的实施例的通带的标称中心频率为约1.9GHz。工作于其它频率的实施例在结构和制造上和下面示出的实施例是相似的，但厚度和横向尺寸不同。

提供单晶硅晶片。对于正在制造的各个FACT，晶片的一部分组成和FACT200的衬底102相对应的衬底。图4A至4H及图4I至4P以及下述说明描述了位于该晶片一部分之内或之上的FACT200的制造。在制造FACT200时，可以类似地制造该晶片上的其它FACT。

如图4A和4K所示，选择性地湿法腐蚀组成FACT200的衬底102的晶片部分以形成腔104。在晶片表面上沉积厚度足以填充各个腔的填充材料层(未示出)。随后平整化晶片表面，使各个腔填满填充材料。图4A和4K还示出了衬底102内填满了填充材料105的腔104。

在一实施例中，填充材料为磷硅酸盐玻璃(PSG)，并采用传统的低压化学气相沉积(LPCVD)沉积该填充材料。或者可以使用溅射或旋涂法沉积该填充材料。

在衬底102和填充材料105的主表面上沉积第一金属层。如图4B和4L所示地对第一金属层图形化以定义电极112、电极152、焊盘132、焊盘138、以及互连焊盘176。该图形化还在第一金属层内定义了在电极112和焊盘132之间延伸的电迹线133、在电极152和互连焊盘176之间延伸的电迹线177、以及在互连焊盘176和焊盘138之间延伸的电迹线139。

电极112和电极152在和晶片主表面平行的平面内通常具有不对称的形状。不对称的形状最小化了FBAR110和FBAR150(图3B)的横向模式，其中这些电极形成了这些FBAR的一部分。这在LarsonIII等的美国专利No.6215375中得到描述。电极112和电极152使填充材料105的部分表面暴露，使得随后可以通过蚀刻除去该填充材料，这将在下文中得到描述。

另外参考图3B，在第二金属层内定义电极114和154，在第三金属层内定义电极122和162，在第四金属层内定义电极124和164，这将在下文中得到详述。对其中定义了电极的金属层图形化，使得在和晶片的主表面平行的相应平面内，FBAR110的电极112和114具有相同的形状、尺寸、取向、及位置，FBAR120的电极122和124具有相同的形状、尺寸、取向、及位置，FBAR150的电极152和154具有相同的形状、尺寸、取向、及位置，且FBAR160的电极162和164具有相同的形状、尺寸、取向、及位置。通常，电极114和122还具有相同的形状、尺寸、取向、和位置，且电极154和162还具有相同的形状、尺寸、取向、和位置。

在一实施例中，每一金属层的材料为使用溅射沉积的钼，其厚度为约300nm。采用干法刻蚀分别对各金属层进行图形化。在各个金属层内定义的电极呈五边形，面积约为12000平方微米。其它的电极面积给出其它的特征阻抗。或者可以采用诸如钨、铌、和钛的其它难熔的金属作为金属层的材料。或者这些金属层可分别包含不止一种材料形成的层。在选择FACT200的电极材料时要考虑的一个因素为电极材料的声学特性：FACT200的剩余金属部分的材料的声学特性的重要性低于诸如电导率的其它特性。因此FACT200的剩余金属部分的(多种)材料可以不同于电极的材料。

沉积压电材料层，并如图4C和4M所示地对该层图形化以定义压电层117，该压电层117提供FBAR110的压电元件116和FBAR150的压电元件156。压电层117在衬底102上延伸超出腔104的范围以为焊盘163、134、178、174、168、和172提供支撑，如下面所描述。图形化压电层117以暴露焊盘132和138、互连焊盘176以及填充材料105的部分表面。还对压电层117图形化以定义窗口119，该窗口119提供了到达填充材料表面的另外部分的通路。或者可对压电层117图形化以独立地定义压电元件116和156。

在一实施例中，下面所描述的为了形成压电层117和压电层127而沉积的压电材料是通过溅射而沉积的厚度约为1.4□m的氮化铝。通过在氢氧化钾中的湿法刻蚀或通过基于氯的干法刻蚀对该压电材料图形化。该压电层的备选材料包含氧化锌、硫化镉、以及诸如钙钛矿铁电材料(包含钛锆酸铅(lead zirconium titanate)、偏铌酸铅(leadmeta niobate)、及钛酸钡)的极化铁电材料。

在压电层117上沉积第二金属层，并按图4D和4N所示对其图形化以定义电极114、电极154、焊盘172、以及和互连焊盘176电接触的互连焊盘136。该图形化还在第二金属层内定义在电极114和互连焊盘136之间延伸的电迹线137、在电极154和焊盘172之间延伸的电迹线173、以及在焊盘132和172之间延伸的电迹线167。

如图4E和4N所示，随后沉积由第一声波去耦材料制成的第一层192，接着沉积由第二声波去耦材料制成的第二层193。第二声波去耦材料的声阻抗不同于第一声波去耦材料。同样如图4E和4N所示，随后沉积第三金属层194。在图4E中，层194一部分被切除以示出层193的一部分，层193一部分被切除以示出层192的一部分。

在一实施例中，第一层192的厚度范围为约50nm至约190nm，第一声波去耦材料为采用旋涂法沉积的聚酰亚胺。在本实施例中，第二层193的厚度范围为约50nm至约140nm，第二声波去耦材料为采用旋涂法沉积的交联聚苯撑聚合物。为了形成第二层193，采用旋涂法沉积包含由双环戊烯酮-芳香乙炔-含单体的制备的低聚物的前体溶液。在一实施例中，交联聚苯撑聚合物的前体溶液为The Dow ChemicalCompany销售的SiLK^TMJ。或者，该前体溶液可以是The Dow ChemicalCompany使用商标SiLK销售的任何一种合适的前体溶液。在某些实施例中，在涂敷前体溶液之前沉积一层助粘剂。现在或者将来可以从其它供应商那里获得并可以使用含有在固化时形成声阻抗约为2Mrayl的交联聚苯撑聚合物的前体溶液。

如前所述，声波去耦层192和193的实际沉积厚度取决于声波去耦器180的预期声阻抗以及FACT200的通带中心频率。或者可沉积交联聚苯撑聚合物作为第一层192，且可选择沉积聚酰亚胺作为层193。或者可通过真空沉积来沉积前述的聚对苯二甲撑作为层192或层193的声波去耦材料。

在声波去耦材料之一为聚酰亚胺的实施例中，在沉积聚酰亚胺层之后且在执行进一步处理之前，最初在约250℃的温度下在空气中烘烤该晶片，并最后在诸如氮气的惰性气氛中在约415℃的温度下烘烤该晶片。该烘烤蒸发聚酰亚胺的挥发性成分，并防止这些挥发性成分在后续处理中的蒸发导致随后沉积的层的分离。在声波去耦材料之一为交联聚苯撑聚合物的实施例中，在沉积前体溶液层之后且在执行进一步处理之前，在诸如真空或在氮气气氛的惰性氛围中在约385℃至约450℃的温度下烘烤该晶片。该烘烤首先驱除前体溶液中的有机溶剂，随后导致低聚物如前所述地交联以形成交联聚苯撑聚合物。

如图4F和4Q地对第三金属层194图形化以定义将用于定义声波去耦器180的硬掩模195，该声波去耦器180在层192和193内包含分别由第一和第二声波去耦材料制成的声波去耦层182和声波去耦层183。声波去耦器180提供声波去耦器130和声波去耦器170。硬掩模195定义声波去耦器180的范围以及声波去耦器中窗口119的位置和范围。或者可对第三金属层194图形化，使得硬掩模195定义独立的声波去耦器130和170，而非声波去耦器180。

随后对由第一和第二声波去耦材料制成的层192和193图形化以定义具有由硬掩模195定义的形状的声波去耦器180。声波去耦器180提供声波去耦器130和声波去耦器170。对层192和193图形化，使得声波去耦器180至少覆盖电极114和电极154，并暴露填充材料105的部分表面、焊盘132、138、和172、互连焊盘136和176。还对层192及193图形化以定义窗口119，该窗口提供了通向填充材料的另外表面部分的通路。或者对层192和193图形化以定义独立的声波去耦器130和170而非声波去耦器180。

随后如图4G和4R所示再次对第三金属层194图形化以定义电极 122、电极162、和焊盘178。该重新图形化还在第三金属层内定义了在电极122和电极162之间延伸的电迹线171，以及在电迹线171和焊盘178之间延伸的电迹线179。

如图4I和4S所示沉积压电材料层，并对其图形化以定义压电层127，该压电层127提供FBAR120的压电元件126和FBAR150的压电元件166。对压电层127图形化以暴露焊盘132、138、178、和172、互连焊盘136和176、以及填充材料105的部分表面。还对压电层127图形化以定义窗口119，该窗口提供通向填充材料的另外的表面部分的通路。

如图4J和4T所示沉积第四金属层，并对其图形化以定义电极124、电极164、焊盘163、焊盘134、焊盘174、以及焊盘168。该图形化还在第四金属层内定义从电极124延伸到焊盘134的电迹线135、从电极164延伸到焊盘174的电迹线175、以及从焊盘163和焊盘168延伸到焊盘178的电迹线169。

随后对晶片进行各向同性湿法腐蚀以清除腔104内的填充材料105。如前所述，填充材料105的部分表面仍然通过窗口119被暴露。该腐蚀工艺使得薄膜声波耦合FACT200悬置在腔104上，如图3A至3C所示。

在一个实施例中，用于清除填充材料105的腐蚀剂为稀释的氢氟酸。

在焊盘172、138、132、163、134、178、174、和168的暴露表面上沉积金保护层。

随后将晶片划分成包含FACT200的单个FACT。每个FACT随后被安装在封装体内，并在FACT的焊盘172、132、163、134、178、174、及168与为封装体的部分的焊盘或其它连接之间形成电连接。

本公开使用示意性实施例详细地描述了本发明。然而，由所附权利要求定义的本发明并不确切地限于这里所描述的各实施例。

Claims

1.一种去耦叠层体声波谐振器器件，包含：

下薄膜体声波谐振器和堆叠在下薄膜体声波谐振器上的上薄膜体声波谐振器，每个薄膜体声波谐振器包含相对的平面电极以及所述电极之间的压电元件；以及

所述薄膜体声波谐振器之间的声波去耦器，该声波去耦器包含由声阻抗不同的声波去耦材料制成的声波去耦层，

其中，所述去耦叠层体声波谐振器器件还包含：

附加的下薄膜体声波谐振器以及堆叠在该附加的下薄膜体声波谐振器上的附加的上薄膜体声波谐振器，每个附加的薄膜体声波谐振器包括相对的平面电极和位于这些电极之间的压电元件；

所述附加的薄膜体声波谐振器之间的附加声波去耦器，该附加声波去耦器包含由声阻抗不同的声波去耦材料制成的声波去耦层；

将所述下薄膜体声波谐振器和所述附加的下薄膜体声波谐振器互连的第一电路；以及

将所述上薄膜体声波谐振器和所述附加的上薄膜体声波谐振器互连的第二电路。

2.权利要求1的去耦叠层体声波谐振器器件，其中

压电元件包含具有声阻抗的压电材料；且

声波去耦材料的声阻抗不同于压电材料的声阻抗。

3.权利要求1的去耦叠层体声波谐振器器件，其中：

用中心频率表征该去耦叠层体声波谐振器器件；且

声波去耦器被构造成对频率等于该中心频率的声学信号施加为π/2的奇数整数倍的标称相位变化。

4.权利要求3的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该奇数整数倍为1。

5.权利要求1至4中任意一个的去耦叠层体声波谐振器器件，还包含薄膜体声波谐振器的电极中相邻的那些之间的电学连接。

6.权利要求1至4中任意一个的去耦叠层体声波谐振器器件，其中声波去耦材料之一包含聚酰亚胺。

7.权利要求6的去耦叠层体声波谐振器器件，其中另一种声波去耦材料包含交联聚苯撑聚合物。

8.权利要求1至4中任意一个的去耦叠层体声波谐振器器件，其中声波去耦材料之一包含聚对二甲苯。

9.权利要求1至4中任意一个的去耦叠层体声波谐振器器件，其中声波去耦材料之一包含交联聚苯撑聚合物。

10.权利要求9的去耦叠层体声波谐振器器件，其中使用由TheDow Chemical Company使用商标SiLK销售的前体溶液制备该交联聚苯撑聚合物。

11.一种去耦叠层体声波谐振器器件，包含：

所述薄膜体声波谐振器之间的声波去耦器，该声波去耦器的声阻抗范围为2Mrayl至4Mrayl，

其中，所述去耦叠层体声波谐振器器件还包含：

12.权利要求11的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该声波去耦器包含仅仅一层由声阻抗范围为2 Mrayl至4 Mrayl的声波去耦材料制成的声波去耦层。

13.权利要求12的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该声波去耦器的声波去耦材料的声阻抗为2 Mrayl。

14.权利要求12的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该声波去耦器的声波去耦材料包含聚酰亚胺。

15.权利要求12的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该声波去耦器的声波去耦材料包含聚对二甲苯。

16.权利要求12的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该声波去耦器的声波去耦材料包含交联聚苯撑聚合物。

17.权利要求11的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该声波去耦器包含由具有各不相同声阻抗的声波去耦材料制成的声波去耦层。

18.权利要求17的去耦叠层体声波谐振器器件，其中：

声波去耦材料之一包含聚酰亚胺；且

声波去耦材料中的另一种包含交联聚苯撑聚合物。

19.权利要求17的去耦叠层体声波谐振器器件，其中：

声波去耦层具有各自厚度；且

该声波去耦器的声阻抗由这些声波去耦层的声阻抗和厚度决定。

20.权利要求17的去耦叠层体声波谐振器器件，其中：

用中心频率表征该去耦叠层体声波谐振器器件；且

选择声波去耦层的声阻抗和厚度，以便使得该声波去耦器对频率等于该中心频率的声学信号施加为π/2的奇数整数倍的标称相位变化。

21.权利要求20的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该奇数整数倍为1。

22.权利要求11的去耦叠层体声波谐振器器件，其中：

用中心频率表征该去耦叠层体声波谐振器器件；且

该声波去耦器被构造成对频率等于该中心频率的声学信号施加为π/2的奇数整数倍的标称相位变化。

23.权利要求22的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该奇数整数倍为1。

24.一种去耦叠层体声波谐振器器件，包含：

所述薄膜体声波谐振器之间的声波去耦器，该声波去耦器包含由声阻抗为2 Mrayl的声波去耦材料制成的声波去耦层，

其中，所述去耦叠层体声波谐振器器件还包含：

25.权利要求24的去耦叠层体声波谐振器器件，其中

该声波去耦器的声波去耦层为第一声波去耦层，该声波去耦器的声波去耦材料为第一声波去耦材料；且

该声波去耦器还包含由第二声波去耦材料制成的第二声波去耦层，该第二声波去耦材料的声阻抗不同于第一声波去耦材料的声阻抗。

26.权利要求24的去耦叠层体声波谐振器器件，其中该声波去耦器的声波去耦材料包含交联聚苯撑聚合物。