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CN1721865A - 显示面板的制造系统及其制造方法及用于其中的检查装置 - Google Patents

显示面板的制造系统及其制造方法及用于其中的检查装置 Download PDF

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CN1721865A
CN1721865A CNA2005100807350A CN200510080735A CN1721865A CN 1721865 A CN1721865 A CN 1721865A CN A2005100807350 A CNA2005100807350 A CN A2005100807350A CN 200510080735 A CN200510080735 A CN 200510080735A CN 1721865 A CN1721865 A CN 1721865A
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display panel
film transistor
driving circuit
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岸田明人
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Agilent Technologies Inc
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Abstract

本发明提供一种用来提高最终制造良率经改善的制造系统，以及用于其中的检查装置。通过处理程序进行管理的显示装置的制造系统包括：面板基板制造机构(步骤50)，其形成半导体材料的薄膜以及形成像素的驱动电路；检查机构(步骤20)，其检查所制造的面板基板；以及安装机构(步骤30)，其将包含有机EL或液晶材料的显示媒体安装于经检查的面板基板上。检查机构所具有的检查装置决定检查时像素的各驱动电路中驱动电压的阈值，该阈值可当做面板基板制造机构中决定基板制造参数的基准。

Description

显示面板的制造系统及其制造方法及用于其中的检查装置
技术领域
本发明是关于一种有机EL(0LED)或液晶等平板显示器的面板基板的制造系统，以及此系统中所采用的制造方法，特别是关于一种制造步骤中与有机EL或液晶装配前的步骤中的面板基板检查方法，以及根据该检查结果实施的制造参数的修正方法。
背景技术
在有机EL或液晶显示器的制造步骤中实施有各种品质检查。关于显示器制造的最终阶段中判定显示图像的画质即所谓官能检查，不使用检查装置，较多的是通过目测判定。对此，在制造的中间阶段，通常可以直接使用电性或光学方法检查面板基板。至于相关检查，可以使用例如向像素电容进行充放电，提取布线电容的方法(参照专利文献1、专利文献2)。
然而，通常，用来形成包含薄膜晶体管(TFT)的驱动电路的面板基板可以使用硅系基板，根据其结晶状态的不同，众所周知的是非晶硅基板、多晶硅基板或低温多晶硅基板等。其中，存有以下缺点：非晶硅基板虽然可以于低温工序中容易地形成，但装置形成时载体的移动度较小，另一方面，多晶硅基板于装置形成时，虽然载体具有较高移动度，但需要高温工序，在工序方面，面板构造等存在各种限制。对此，低温多晶硅具有可以通过低温基板形成工序，实现实用上具有充分高的移动度的结晶。
典型的低温多晶硅基板的制造方法之一为激光退火法(非专利文献1)。具体的是，照射激光脉冲到预先成膜于玻璃基板上的非晶硅薄膜上，促进再结晶，从而实现多结晶化。至于激光，较多情况下使用准分子激光，但对于较大面板基板整面，需要照射大致均一的光线，因此研究有各种关于与激光组合的光学系的改良(参照专利文献3)。又，近年来，还开发有可视光激组合的光学系的改良(参照专利文献3)。又，近年来，还开发有可视光激光代替准分子激光的退火装置(参照非专利文献1)。
专利文献1：日本专利特开平6-43490号
专利文献2：日本专利特开平11-95250号
专利文献3：日本专利特开平11-125839号
非专利文献1：日经MicroDevice 2003年10月号No.220 P102～103
[发明所欲解决的问题]
然而，在现实的面板基板制造工序中，即使以中间阶段的试验进行试验，也会在后阶段的官能试验中仍然存在因产生“色斑”等而被判定为“不良”的装置。近年来，伴随显示器的大型化，成为“不良”的可能性增大，良率也恶化，故而期望改善制造工序。
特别是，在现实的显示面板制造时，虽然没有要求面板整面完全均一化，但要求二次元面内，局部面内分布均一。因此，即使面板面积不断增大，在制造线上因局部面内不均一而导致色斑等，从而产生“不良”时，如果可以即刻提出在之后的制造线上不会产生不良的对策，则较为理想。
因此，本发明的目的在于提供一种制造系统、用于该系统的制造方法、以及检查装置，其于制造较大面积平板显示器制品时，即使产生性能不良，也可以即刻解决，结果可维持充分高的制造良率。
发明内容
本发明所提供的制造系统是通过处理程序加以管理的系统，包含检查装置输出信号的反馈。系统包括：面板基板制造机构，其形成半导体基板的薄膜以及形成像素的驱动电路；检查机构，其检查所制造的面板基板；以及安装机构，其将包含有机EL或液晶材料的显示媒体安装在经检查的上述面板基板上。检查机构根据检查时对应于各像素而检测出的电荷，决定驱动电路中驱动电压的阈值。该阈值可以当做面板基板制造机构中决定基板制造参数的基准。反馈可以构筑为自动实施。
阈值为面板基板制造机构中决定半导体材料的薄膜形成参数的基准。通常，薄膜形成包含沉积半导体材料的薄膜的机构，以及将所沉积的薄膜退火的机构。阈值相对于此两种机构而提供，可以当做决定用来实施薄膜沉积以及退火的参数的基准。在后者的情况下，作为典型的退火方法，可以采用激光退火的方法，上述阈值可用于决定激光退火的参数。例如，在激光退火机构中，相应于所检测的各像素的驱动电路的阈值，将面板基板的至少一部分的照射条件设定为不同于其他部分的照射条件。
本发明中，于作为对象的显示基板(以下，也称为面板基板)上所设置的典型驱动电路具备：薄膜晶体管元件，其切换像素的接通/断开；电容元件，其连接于薄膜晶体管元件的闸极；以及电源连接部，其自设置于面板基板上的电源供给线导出，并连接于薄膜晶体管元件的汲极侧。系统中所设置的检查机构包括：将电荷保持于电容元件中的机构，以及于电源连接部的电位缓慢改变时，检测自电容元件流出的电荷量，决定阈值的机构。例如，检查机构通过连接于驱动电路而设置在面板基板上的数据线，取出从电容元件流出的电荷，并进行检测。在此情况下，驱动电路具备附加的负荷电容，该负荷电容连接于闸极，接收从电容元件中流出的电荷。
进而，本发明提供一种适用于上述制造系统的显示装置的制造方法。本发明的制造方法通过处理程序进行管理，包含：面板基板制造步骤，其包含半导体材料的薄膜形成步骤、以及像素驱动电路的形成步骤；检查步骤，其于中间阶段检查所制造的面板基板；以及安装步骤，其将显示媒体安装在经检查的面板基板上。检查步骤包含：决定检查时像素各驱动电路中驱动电压的阈值的步骤；以及将所决定的阈值信息提供至面板基板制造机构，以用作面板基板制造时决定制造参数的基准的步骤。半导体材料的薄膜形成步骤包含沉积半导体材料的步骤，以及激光退火所沉积的半导体材料的步骤，阈值至少可以用作激光退火步骤中决定参数的基准。于将阈值信息提供至面板基板制造机构的步骤中，该提供可以通过自动反馈机构实施。
在上述方法中，作为对象的驱动电路具备薄膜晶体管元件，其切换像素的接通/断开，电容元件，其连接于薄膜晶体管元件的闸极，以及电源连接部，其自设置于面板基板上的电源供给线导出且连接于薄膜晶体管元件的汲极侧；检查步骤包含将电荷保持于电容元件中的步骤，使电源连接部的电位缓慢改变，使电荷自电容元件流出的步骤，以及检测所流出的电荷，决定阈值的步骤。
当改变电源连接部的电位时，较为重要的是，在第一薄膜晶体管元件的闸极位置处，避免电荷自外部流出入。因此，较好的并非是变化较急速者，而应该是较缓慢者。
进而，本发明提供一种适于上述显示装置的制造系统的检查装置。该检查装置是用来检查显示面板基板上各像素分别所对应的驱动电路的动作的装置。显示基板中设有对应于各像素的驱动电路，该驱动电路具备：第一薄膜晶体管元件，其切换像素的接通/断开；电容元件，其连接于第一薄膜晶体管元件的闸极；以及电源连接部，其从显示面板基板上的电源供给线延长，且连接于第一薄膜晶体管元件的汲极侧。检查装置具备：将电荷保持于电容元件中的机构；缓慢改变电源连接部的电位，使电荷从电容元件中流出的机构；检测所流出的电荷，决定第一薄膜晶体管的驱动电压的阈值的机构；以及输出所决定的阈值信息的机构。
驱动电路具备设置于第一薄膜晶体管的闸极与显示面板基板上的数据线间的第二薄膜晶体管，检测电荷的机构包含切换控制第二薄膜晶体管，以使从电容元件中流出的电荷导向数据线的机构。第二薄膜晶体管的闸极连接于显示面板基板上的闸极线，通过闸极线控制第二晶体管。于其一例中，驱动电路将第一以及第二薄膜晶体管作为p型闸极而构成，具备附加的负荷电容，且具备于初期阶段控制第一薄膜晶体管以重设负荷电容的机构，上述附加的负荷电容连接于第一薄膜晶体管的闸极与位于第一薄膜晶体管的汲极侧的像素电极，以接收所流出的电荷。于其他例中，驱动电路将第一以及第二薄膜晶体管作为n型闸极而构成，具备进行控制以使闸极线的电位维持为固定值的机构。
[发明效果]
根据本发明，可通过有效反馈制造系统的中间检查机构所确认的驱动电路信息，有效且即刻改善制造工序以防止在最终阶段产生色斑等局部面内的不均一，从而可以提高最终制品的制造良率。
附图说明
图1是表示本发明的制造系统的制造步骤的整体方块图。
图2(a)是表示关于电压驱动型驱动电路的典型构成例的图，图2(b)是表示检查的作用的时间曲线图的图。
图3(a)是表示电流驱动型驱动电路的典型构成例的图，图3(b)是表示检查的作用的时间曲线图的图。
图4(a)、图4(b)是表示分别依据不同方法的激光退火装置的具体构成例的概略图。
符号说明
10        显示基板(面板基板)制造步骤
20        中间检查步骤
30        显示元件安装步骤
40        官能检查步骤
60        阈值信息的反馈
100，200  激光退火装置
具体实施方式
以下，参照附图，就本发明的较好实施形态的显示面板的制造系统、制造方法以及这些中所使用的检查装置加以详细说明。图1是表示本发明的制造系统的制造步骤整体的方块图。本发明关于制造系统及其方法两者均具有特征，但为了便于说明，以下使用方法相关的揭示进行说明。关于系统构成，可当做各步骤的机构加以理解。
本发明的制造工序大致包含：制造面板基板的前段步骤10，中间阶段的检查步骤20，在所制造的基板上装配液晶单元或形成有机EL元件的膜的安装步骤30，以及检查所完成的面板基板装配体的官能检查步骤40。通过官能检查步骤40的基板装配体移至其后的模组装配步骤中。
面板基板的制造步骤10包含半导体成膜步骤50以及其后的图案形成步骤70。半导体成膜步骤50包含通过低温成长而沉积例如硅等半导体材料的步骤51，以及将所沉积的薄膜实施退火处理，促进结晶化的步骤52。低温下的薄膜沉积例如可以通过等离子体CVD成膜法而实施。至于用来成膜半导体材料的基板，通常可以使用玻璃基板。在需要于高温下实施退火处理时，使用价格较高的玻璃基板，但根据激光退火等方法，可以在较低温度下(例如约400℃左右或低于400℃)实施基板处理，因此可以使用价格较低的基板。
基板上所沉积的半导体材料通常为非晶硅(非晶质)，不具有用来制造面板基板的充分的移动度。因此，需要在退火步骤52中对所沉积的基板实施退火处理，促进结晶化，实现多结晶(多晶硅)化，而提高移动度。通常，n型多晶硅需要大于等于100cm2/V·s的移动度，p型多晶硅需要大于等于50cm2/V·s的移动度。退火处理较为典型的是，根据上述基板处理的低温化要求，使用准分子激光(例如XeCl、KrF)或可视光(例如绿色光固体激光，波长532nm)的激光退火方法。
其后，对于所成膜的半导体，形成必需的电路元件以及图案。在该电路元件/图案形成步骤70中，例如可以在半导体薄膜上通过特定掩模形成抗蚀剂，通过通常的平板印刷术实施蚀刻处理，形成必需的电路元件以及图案。通过该步骤，可以在半导体薄膜上形成通过电压调变或电流调变来驱动显示像素的驱动电路。如下所述，对应于各像素的驱动电路包含用来实行切换动作的薄膜晶体管(参照图2以及图3)。
中间检查步骤20是在制造的中间阶段仅检查至上述前段为止的步骤所完成的面板基板的步骤。根据本发明的制造系统或制造方法，中间检查步骤以通过电性方法实施的阵列检查80为主，根据需要也实施光学检查85。通常，在光学检查85中，通过CCD相机等的图像解析，检查驱动电路或基板上电源或信号发送路的布线以及基板上无用物的存在。
在阵列检查80中，实施驱动电路的电性动作确认的同时，提取和像素切换动作直接相关的薄膜晶体管元件的动作阈值电压Vth。关于提取方法如下所述。检查装置(未图示)例如在确认动作阈值Vth并非在特定范围内，而为“异常”时，如图1所示，可以将该信息反馈60到前段成膜步骤50中。或在其他情况下，即使动作阈值Vth在特定范围内时，当不均一相对较大的情况下，仍然可以同样反馈该信息。即，在本发明中，其优点之一是可以反馈定量信息的动作阈值Vth，将相关定量要素反馈到成膜步骤中极为有效。即使将动作阈值Vth的“正常”“异常”状态确认为定性问题，如图1中假设性所示(参照编号65)，也可以在成膜步骤50后的电路元件/图案形成步骤中参照此信息。
通常，n型多晶硅薄膜晶体管较好的是0.5～5V的范围，p型多晶硅薄膜晶体管较好的是-0.5～-5V的范围。本发明的检查装置中，基准阈值可以根据使用者而变更，作为一例，可以将上述范围设定为“正常”范围，但是也可以设定为小于上述范围的范围(例如，n型薄膜晶体管为0.7至2V，p型薄膜晶体管为-0.7至-2V)。检查装置在检测出相关基准范围外的阈值电压时，可以将其作为异常信号输出，或直接输出所检测的数值，将其反馈60、提供至前段的薄膜沉积步骤51或退火步骤52。该反馈60较好的是通过装置间适当的有线或无线通讯机构(LAN等)自动实施，在薄膜沉积步骤51或退火步骤52中作为参照，但并不限定于自动化，也可以包含一部分人工要素。
在中间检查步骤20中发现不良部位，通过修理步骤90实施修理，而可以修复该不良部位时，在修理步骤90中实施必要的修复。至于修复方法，众所周知有各种方法，作为其例，可以列举通过激光照射实施图案的修复等。
经修复或通过检查的面板基板可以移至其后的安装步骤。在该显示元件安装步骤中，实施面板基板和液晶单元的装配或将有机EL薄膜成膜在面板基板上。从而完成作为显示装置的液晶显示器或有机EL显示器。对于所完成的显示装置，在最终阶段实施官能检查40。在官能检查40中，人可以直接依据视觉检查显示状态，确认是否存在色斑等不良情况。根据确认的结果，判断为良品的装置可以移至其后的模组装配步骤中。
本发明的主要特征在于阵列检查80的检查方法，以及通过来自检查装置的阈值信息相关的信号反馈而实现半导体成膜50的适当化方法。关于这些情况，以下更详细加以说明。
图2以及图3是表示各电压驱动型以及电流驱动型驱动电路的典型构成例(参照各图(a))以及表示检查作用的时间曲线图(参照各图(b))的图。参照这些图，就检查装置以及动作阈值Vth的提取加以说明。
在图2所示的电压驱动型驱动电路的情况下，Q1以及Q2使用n型晶体管。在检查的初期阶段，首先作为初期设定常用程序，重设电容Cfb。具体的是，在将电源供给线V1设为零电位的状态下，将晶体管Q2的闸极暂时接通，重设电容Cfb。此是用来排除从开始便存在于电容Cfb中的电荷造成的不良影响，从而高精度地测定电荷。继而，将电荷供给电压V1供给至晶体管Q2。进而，将晶体管Q1的闸极接通，通过来自数据信号线Data(m)的特定电压，将晶体管Q2接通，并且将此电压赋予至保持电容C1中后，将晶体管Q1断开。通过持续该状态一定时间，表示电极中电压的V_ITO和电容Cfb中的电压饱和，而成为预定状态。同时，晶体管Q2也为断开状态。
V1的电压从该状态缓慢下降。此处，至V1与V_ITO的电压相等为止，V_ITO的电压不产生变动。但是，如果V1与V_st的电压差超过晶体管Q2的阈值电压Vth，即V1变为低于V_ITO的电压时，那么晶体管Q2成为接通状态，其后，V_ITO追随V1而降低。在此情况下，依据V_ITO电压的降低，电容Cfb放电，电压降低。因此，数据保持用电容C1与Cfb之间的电压Vst相应于该电容Cfb电压的降低而降低。其后，降低V1直至成为预定电压为止。该预定电压可以决定为易求出电压V_st的变化量ΔV_st者。
为使因意外电荷的流出入而造成的杂讯为最小，如图所示，较好的是V1电压的降低较其他电压变化时的上升、下降充分缓慢的倾斜降低。例如，在实用检查装置中，可以将测定率设为1MHz至100MHz，可设定106～1010V/秒左右的梯度。
通过本发明的检查装置实施测定时，可以通过求出V_st电压变化量ΔV_st，决定该驱动电路的特性即阈值电压。具体的是，实施上述V1操作而达到预定电压后，将晶体管Q1的闸极再次通过Gate(n)接通，产生图中的V_st后，使用连接于数据线Data(m)的电流计或电荷计(未图示)，读出所存储的电荷，从而测定电压ΔV_st。此处，如果将V_ITO电压变化量设为ΔV_ITO，那么测定电荷量为Qn＝ΔV_st×(Cs+Cfb)，因此根据所求得的ΔV_st和ΔV_ITO＝ΔV_st×(C1+Cfb)/Cfb的关系，可以求出ΔV_ITO。
此处，Vth可以作为V1的最终值(图2中表示为V1_ref1。)以及ΔV_ITO的和与数据设定后的V_st(图2中表示为V_st1。另外，与电荷读出时的V_st大致一致。)的差而决定。即，
Vth＝(V1_ref1+ΔV_ITO)-(V_st1)          [式1]
因此，在各像素中可以判定所求得的Vth与基准电位的误差是否在特定范围内，确认各像素的驱动电路的动作性能。另外，作为其他方法，可以在改变V1的过程中监视ΔV_st，根据ΔV_st产生变化时的V1值和数据设定时即产生变化前V1值的差，决定Vth。
进而，在图3所示的电流驱动型驱动电路的情况下，晶体管Q1以及Q2使用n型。此处，和上述电压驱动类型相异，不需要重设电容Cfb。并且，电流供给线V2中供给有特定电压。此处，控制闸极信号线(n)，接通晶体管Q1。通过在数据信号布线Data(m)中预先赋予预定电压，而使晶体管Q2也为接通状态。此时，连接于晶体管Q2的源极的V 1电压设定为高于闸极。
从此状态开始降低电源供给线V1(Is)的电压。至晶体管Q2断开为止，电极(ITO)的电压V_ITO也追随其而降低。如上所述，此情况下，电流从保持电容C1流出至电容Cfb中。如果电源供给线V1的电位超过使晶体管Q2的闸极电位断开的电压(阈值电压Vth)而下降，那么就不会从C1中流出电荷。在此状态下，使晶体管Q1接通，使用连接于数据信号线(Data(m))的电流计或电荷计(未图示)，测定存储于保持电容C1中的电荷量。并且，求出各像素中供给(或写入)到保持电容C1中的电荷量和所读出的电荷量的差。并且，通过判断该差是否在特定范围内，而可以确认像素驱动电路的动作。
此处，Vth可以作为V1的初期值(图3中表示为V1_ref2。)减去ΔV_ITO的值与V_st的下降停止值(图3中表示为V_st2。另外，和电荷读出前的V_st一致。)的差而决定。即
Vth＝(V1_ref2-ΔV_ITO)-(V_st2)           [式2]
因此，和上述示例同样，该Vth可以用作确认驱动电路的动作性能的参数。
根据上述各示例相关的说明可知，根据本发明的检查装置的检查方法，可以通过一次测定求得晶体管Q2的阈值电压即Vth的值，因此和从前的电路相比，具有测定的生产量较高的优点。
检查装置依据所检测的电流或电荷量而求得的阈值Vth(即V_ITO)为作为上述前段成膜步骤的参数设定基准，而被反馈60。反馈60目的地为图1所示的半导体成膜步骤50。因此，阈值Vth可以分别作为薄膜沉积步骤51以及退火步骤52的参数设定基准。
在成膜步骤50中的前段薄膜沉积步骤51中，Vth可以作为决定成膜时间参数的基准。至于其他情况，也考虑有薄膜面内的均一性不充分，故而在基板面内位置中，Vth会产生过度不均一，可以依据Vth变更基板配置或成膜时的等离子体分布等。然而，在本发明中，较好的是至少优先反馈至设定参数易受计量器影响的后段退火步骤52。
如上所述，退火处理典型的是通过激光退火法进行。例如，至于使用准分子激光的激光退火法中典型的设定参数，可以列举压射数、能量密度、或基板温度。在可视光固体激光中，每单位面积的照射时间代替压射数成为设定参数。因此，Vth可以用作决定这些参数的基准。准分子激光以及固体激光的任一者中，能量密度均为最易控制的参数。例如，在检查装置所测定的Vth为特定范围外较高时，或即使在范围内但具有较高的趋势时，通过退火促进结晶化有可能并不充分。在相关情况下，例如可以参照所测定的Vth的大小，为提高结晶化，变更参数以使特定区域的退火中光线照射的能量密度变高。
图4是表示反馈动作阈值Vth时激光退火装置的具体构成例的概略图，(a)、(b)中例示不同的方法。
在图4(a)的装置100中，从激光光源110出射的光线照射至利用全息图、镜面等关学系120而沉积的薄膜整个宽度中。沉积有薄膜的基板130配置在可动台140上。激光光通过光学系120扩散至较广宽度中(参照编号150)。
在该例中，例如，由于激光照射的影响，薄膜的中央附近位置A1和端缘附近位置A2之间产生移动度差，其结果为，各位置的像素中的驱动电路的薄膜晶体管的阈值电压Vth有可能相异。在此种情况下，如上所述，可以依据所反馈的阈值信息，变更光学系120的设定，再次优化所照射的光线在宽度方向上的光量分布，以使A1、A2位置间不存在移动度差。在此情况下，所参照的阈值信息可以为宽度方向上，具有规定距离的复数个像素的阈值平均值。
然而，如果基板130上全区域的阈值电压Vth不在适当范围内，那么如上所述，较好的是依据阈值信息，实施激光的能量密度、或准分子激光情况下使压射数最优化的变更等。并且，如果产生移动度差的一部分原因在于薄膜的膜厚，那么在薄膜的沉积步骤51中也可以参照阈值信息，再设定参数，以使膜厚差不会产生变动。
在图4(b)的装置200中，从激光光源210出射的光线仍然照射至通过全息图、镜面等光学系220而沉积的薄膜上(参照编号250)，但是需要实施扫描，以使所照射的带状部分一部分重叠。沉积有薄膜的基板230配置在可动台240上。图中的参照编号260表示所照射的光束对于基板230的相对扫描方向。从光学系220出射的光线依次照射带状部分B1、B2，这些也包含重叠部分B3。
在该例中，在不包含B3的B1、B2各区域的像素间、或B1、B2与B3区域的像素间，阈值电压Vth有可能产生差。在相关情况下，可以依据阈值信息，在照射B1、B2各区域时变更能量密度或压射数等参数，或与(a)例同样，变更光学系220的光学特性，以使宽度方向的照射光量能够优化。即，通过利用本发明，具有以下优点：即使利用不同时间照射基板宽度方向，也可以在最终制品中使通过管理程序进行的管理较容易进行，以使面板基板中驱动电路的特性较为均一。
如上所述，就本发明的较好实施形态加以详细说明，但这些仅为例示，对业者而言可以进一步加以变形/变更。例如，薄膜沉积或激光退火的参数除本实施形态中所示者以外，也还有其他各种参数，即使利用这些也可以实现本发明，在不使用激光的退火方法中也适用本发明。

Claims (19)

1.一种显示装置的制造系统，其通过处理程序进行管理，且具有面板基板制造机构，其形成半导体材料的薄膜以及形成像素的驱动电路，检查机构，其检查所制造的面板基板，以及安装机构，其在经检查的上述面板基板上安装包含有机EL或液晶材料的显示媒体；其特征在于：
上述检查机构决定检查时上述各像素的上述驱动电路中驱动电压的阈值，该阈值供作为上述面板基板制造机构中决定基板制造参数的基准。
2.根据权利要求1所述的制造系统，其特征在于：上述阈值供作为上述面板基板制造机构中决定上述半导体材料的薄膜形成参数的基准。
3.根据权利要求2所述的制造系统，其特征在于：上述面板基板制造机构中的形成上述半导体材料的薄膜的机构，包括在玻璃基板上沉积非晶硅薄膜的机构，以及退火所沉积的上述薄膜的激光退火机构，上述阈值至少可作为上述激光退火机构的决定控制参数的基准。
4.根据权利要求3所述的制造系统，其特征在于：上述激光退火机构可以相应于上述阈值，将上述面板基板的至少一部分的照射条件设定为不同于其他部分的照射条件。
5.根据权利要求3所述的制造系统，其特征在于：上述阈值进而可用作在沉积上述薄膜时决定成膜参数的基准。
6.根据权利要求1所述的制造系统，其特征在于：其构成为上述阈值可以自动向上述面板基板制造机构反馈。
7.根据权利要求1所述的制造系统，其特征在于：上述驱动电路具备切换上述像素的接通/断开的薄膜晶体管元件，连接于该薄膜晶体管元件的闸极的电容元件，以及从设于上述面板基板上的电源供给线导出且连接于上述薄膜晶体管元件的汲极侧的电源连接部；上述检查机构具有使电荷保持于上述电容元件中的机构，以及在上述电源连接部的电位改变时，检测从上述电容元件流出的电荷量且决定上述阈值的机构。
8.根据权利要求7所述的制造系统，其特征在于：上述检查机构通过连接于上述驱动电路而设置在上述面板基板上的数据线，取出从上述电容元件中流出的电荷并检测。
9.根据权利要求7所述的制造系统，其特征在于：上述面板基板上的上述驱动电路具备连接于上述闸极且接收从上述电容元件流出的电荷的附加负荷电容元件。
10.一种显示装置的制造方法，其通过处理程序进行管理，且包含：面板基板制造步骤，其包含半导体材料的薄膜形成步骤、以及像素驱动电路的形成步骤，检查步骤，其在中间阶段检查所制造的上述面板基板，以及安装步骤，其将显示媒体安装在经检查的上述面板基板上；其特征在于：
上述检查步骤包含决定在上述检查时上述各像素的上述驱动电路中驱动电压的阈值的步骤，以及将所决定的上述阈值信息提供到上述面板基板制造机构，以作为上述面板基板制造时决定制造参数的基准的步骤。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于：上述半导体材料的薄膜形成步骤包含沉积上述半导体材料的步骤，以及激光退火经沉积的上述半导体材料的步骤，上述阈值至少用作为激光退火步骤中参数决定的基准。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于：将上述阈值信息供给到上述面板基板制造机构中的步骤包含自动反馈上述阈值信息的步骤。
13.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于：上述驱动电路具备切换上述像素的接通/断开的薄膜晶体管元件，连接于该薄膜晶体管元件的闸极的电容元件，以及从设于上述面板基板上的电源供给线导出且连接于上述薄膜晶体管的汲极侧的电源连接部；上述检查步骤包含将电荷保持于上述电容元件中的步骤，改变上述电源连接部的电位而从上述电容元件中流出电荷的步骤，以及检测流出的上述电荷，决定上述阈值的步骤。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于：上述电源连接部的上述电位的变化是以不会向上述薄膜晶体管元件的上述闸极产生电荷的流出入的速度而进行。
15.一种检查装置，其检查分别对应于显示面板基板上各像素而设置的驱动电路的动作，该驱动电路具备切换像素的接通/断开的第一薄膜晶体管元件，连接于该第一薄膜晶体管元件的闸极的电容元件，以及从上述显示面板基板上的电源供给线延长且连接于上述第一薄膜晶体管元件的汲极侧的电源连接部；该检查装置的特征在于具备：
将电荷保持在上述电容元件中的机构，
缓慢改变上述电源连接部的电位，使电荷从上述电容元件中流出的机构，
检测所流出的上述电荷，决定上述第一薄膜晶体管的驱动电压的阈值的机构，以及
输出所决定的上述阈值信息的机构。
16.根据权利要求15所述的检查装置，其特征在于：上述驱动电路具备设于上述第一薄膜晶体管的闸极与上述显示面板基板上的数据线间的第二薄膜晶体管，检测上述电荷的机构具有切换控制上述第二薄膜晶体管，以将从上述电容元件中流出的上述电荷引导向上述数据线的机构。
17.根据权利要求16所述的检查装置，其特征在于：其构成为，上述第二薄膜晶体管的闸极连接于上述显示面板基板上的闸极线，通过该闸极线控制上述第二晶体管。
18.根据权利要求15所述的检查装置，其特征在于：上述驱动电路将上述第一以及第二薄膜晶体管作为p型闸极而构成，具备附加的负荷电容，其连接于上述第一薄膜晶体管的上述闸极与位于上述第一薄膜晶体管的汲极侧的像素电极，以接收流出的上述电荷，
具备控制上述第一薄膜晶体管，以在初期阶段重设上述负荷电容的机构。
19.根据权利要求15所述的检查装置，其特征在于：上述驱动电路将上述第一以及第二薄膜晶体管作为n型闸极而构成，
具备为将上述闸极线的电位维持为规定值而进行控制的机构。
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