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CN1770237B - 有源显示器件及其驱动方法 - Google Patents

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CN1770237B CN2005101089206A CN200510108920A CN1770237B CN 1770237 B CN1770237 B CN 1770237B CN 2005101089206 A CN2005101089206 A CN 2005101089206A CN 200510108920 A CN200510108920 A CN 200510108920A CN 1770237 B CN1770237 B CN 1770237B
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Abstract

在利用时间灰度级法时，有产生伪轮廓的问题。由此，本发明的目的是在有源显示器件中使用隔行扫描方法以减少伪轮廓的产生，并且提供新颖驱动电路以及新颖驱动方法。本发明提供一种使用隔行扫描法的有源显示器件，其中，当奇数帧时，在像素的奇数行奇数列的像素以及偶数行偶数列的像素进行显示，当偶数帧时，在像素的奇数行偶数列的像素以及偶数行奇数列的像素进行显示。结果，无需提高帧频就能减少伪轮廓的产生。

Description

有源显示器件及其驱动方法
技术领域
本发明涉及一种防止产生伪轮廓的有源显示器件的驱动方法。此外，本发明涉及一种具有为了实现上述目的的驱动电路的有源显示器件。 
背景技术
被称为时间灰度级法的驱动方法是有源显示器件的显示方式之一。术语“时间灰度级”是指一种通过将一个帧周期分成多个子帧周期并且在每个子帧周期期间内通过控制元件的发光或非发光而执行灰度级显示的方法。 
然而，在用时间灰度级法来执行显示的情况下，有可能出现伪轮廓，使图像质量恶化。伪轮廓是这样的一种现象，其中当显示中间灰度级时在图像中看到亮线和暗线不自然地混合在一起。 
为了防止伪轮廓，已提出了隔行扫描图像等离子体显示器的驱动方法，该方法根据奇数(偶数)场的最后子场和偶数(奇数)场的一个或多个子场的持续值的总计，决定上述奇数(偶数)场的最后子场的相对亮度(参考专利文献1)。 
另外，为了防止屏幕的闪烁，已提出了如下方法：在等离子体显示器中，将一个场分成8个子场并且在其低4位中通过隔行扫描法每隔一个扫描电极地进行选址(参考专利文献2)。 
专利文献1日本专利公开2000-148084 
专利文献2日本专利公开Hei11-24628 
专利文献1和专利文献2所记载的等离子体显示器是无源显示器件。无源显示器件的驱动方法与在其像素部分中含有多个半导体元件的有源显示器的不同。并且，在专利文献1和专利文献2中，没有对将隔行扫描方法应用于等离子体显示器时的驱动电路进行详细描述。 
发明内容
从而，本发明的目的是在有源显示器件尤其是具有发光元件的有源显示器件中防止产生伪轮廓，并且提供一种利用隔行扫描方法的新颖驱动方法。另外，提供一种利用隔行扫描方法的有源显示器件的新颖驱动电路。 
鉴于上述问题，本发明的特征在于，在有源显示器件尤其是具有发光元件的有源显示器件中采用隔行扫描方法进行显示。更优选的是，本发明的特征在于，对应于多个像素以栅格形式提供显示区域和非显示区域。为了以栅格形式提供显示区域和非显示区域，在驱动电路中提供开关装置。 
本发明的具体的一个方式是一种有源显示器件的驱动方法，该有源显示器件包括：以矩阵形式排列的多个像素，该驱动方法包括以下步骤：当奇数帧时，在所述像素的奇数行奇数列的像素以及偶数行偶数列的像素进行显示；当偶数帧时，在所述像素的奇数行偶数列的像素以及偶数行奇数列的像素进行显示。 
此外，本发明的另一个方式是一种有源显示器件，包括：在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素，其中，用于控制与所述信号线连接的半导体元件的电路包含移位寄存器和锁存器电路，所述移位寄存器包含移位寄存器单元，所述锁存器电路包含锁存器单元和被输入用来控制选择该锁存器单元的用于反转的信号的布线，邻近的所述锁存器单元连接到邻近的所述移位寄存器单元之间，通过来自所述移位寄存器单元的信号和所述用于反转的信号选择所述邻近的锁存器单元中的一个。 
此外，本发明的另一个方式是一种有源显示器件，包括：在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素，其中，用于控制与所述信号线连接的半导体元件的电路包含移位寄存器和锁存器电路，所述移位寄存器包含移位寄存器单元，所述锁存器电路包含锁存器单元、被输入用来控制选择该锁存器单元的用于反转的信号的布线、以及由所述用于反转的信号转换的开关装置，邻近的所述锁存器单元连接到邻近的所述移位寄存器单元之间，通过所述开关装置选择所述邻近的锁 存器单元中的一个。 
此外，本发明的另一个方式是一种有源显示器件，包括：在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素，其中，用于控制与所述扫描线连接的半导体元件的电路包含被输入用于选择的信号的布线、AND电路、移位寄存器和电平转换器，所述AND电路被提供以便输入来自所述移位寄存器的信号和所述用于选择的信号并且给所述电平转换器输出信号。 
此外，本发明的另一个方式是一种有源显示器件，包括：在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素，其中，用于控制与所述信号线连接的半导体元件的电路包含移位寄存器和锁存器电路，所述移位寄存器包含移位寄存器单元，所述锁存器电路包含锁存器单元、被输入用来控制选择该锁存器单元的用于反转的信号的布线、以及由所述用于反转的信号转换的开关装置，所述锁存器单元连接到邻近的所述移位寄存器单元之间。 
根据本发明，利用时间灰度级法而显示灰度级的有源显示器件可以防止伪轮廓。尤其是，通过使用本发明，无需提高帧频就能防止伪轮廓的产生，因此，这是较佳的。 
另外，根据本发明，利用时间灰度级法而显示灰度级的有源显示器件可以防止产生条纹的隔行扫描缺陷。 
附图说明
图1(包括图1A和1B)是表示本发明的驱动方法的概念图。 
图2A和2B是表示使用本发明的驱动方法的定时图。 
图3是表示本发明的扫描线驱动电路的图。 
图4是表示本发明的信号线驱动电路的图。 
图5(包括图5A和5B)是表示本发明的驱动方法的概念图。 
图6A和6B是表示使用本发明的驱动方法的定时图。 
图7是表示本发明的扫描线驱动电路的图。 
图8是表示本发明的信号线驱动电路的图。 
图9是表示本发明的面板结构的截面图。 
图10A到10C是表示提供在本发明的像素部分的发光元件的截面图。 
图11A到11C是表示提供在本发明的像素部分的发光元件的截面图。 
图12A到12C是表示可以应用于本发明的像素部分的像素电路的图。 
图13A到13F是表示本发明的电子器件的图。 
实施方式 
以下对于本发明的实施方式根据参考附图进行说明。然而，本发明可以使用各种样式来实施，除非背离本发明的趣旨以及范围，否则可以改变其方式以及详细，这是对于同行的技术人员来说是显而易见的。因此，本发明不是局限于本实施方式所记述内容而被解释的。注意，在说明实施方式的全部附图中，相同的部分以及具有同样机能的部分以相同的参考标号标注，并省略重复说明。 
实施方式1 
本实施方式将说明在利用时间灰度级法而显示灰度级的有源显示器件中应用隔行扫描方法的驱动方法，以及为了实现上述目的的驱动电路。 
在图1中表示，将半导体元件以矩阵形状排列的有源显示器件的像素部分的模式图，其中，显示像素以白色表示，非显示像素以黑色表示。这样的像素部分中，当第一帧时只显示奇数行的像素(参考图1A)，当第二帧时只显示偶数行的像素(参考图1B)。就是说，在像素部分上以条形状提供显示区域和非显示区域。这样的第一帧和第二帧能够相当于时间灰度级的一个子帧。 
注意，在本实施方式中，第一帧表示奇数帧，第二帧表示偶数帧。 
另外，本发明的像素部分可以当奇数帧时只显示偶数行的像素，且当偶数帧时只显示奇数行的像素。 
图2A和2B表示用来实现上述显示的定时图。图2A表示用于选择在奇数帧的行方向信号线(下文中称为扫描线)的扫描线启动脉冲(GSP)、 扫描线时钟信号(GCK)、用于选择的信号(ENB)。此外，图2A表示用于选择列方向信号线(下文中称为信号线)的启动脉冲(SSP)、启动时钟信号(SCK)。并且，图2A表示根据上述信号被写入的图像信号(DATA)的定时。 
图2B表示偶数帧的定时图。当和图2A的情况比较时，ENB信号的High和low被反转，并其他的定时与图2A中的相似。 
在奇数帧中，只有当ENB信号为High时才选择像素部分的奇数行像素。而且，在偶数帧中，只有当ENB信号为High时才选择像素部分的偶数行像素。也就是说，在本发明的像素部分中，只有当ENB信号为High时才选择像素部分的扫描线。 
在输入SSP信号之后将图像信号(DATA)输入到被选择的像素中。此外，像素信号(DATA)可以在一个时钟脉冲门周期中被接收。注意，被选择的像素指的是，包含与被选择的扫描线连接的半导体元件的像素。 
对关于控制用来实现上述显示的扫描线，换言之，控制与扫描线连接的半导体元件的开/关的电路(下文中称为扫描线驱动电路)进行说明。另外，对关于控制用来实现如上所述的显示的信号线，换言之，控制与信号线连接的半导体元件的开/关的电路(下文中称为信号线驱动电路)进行说明。 
图3表示，包含移位寄存器301、电平转换器304以及缓冲器305的扫描线驱动电路。被输入SSP信号(306)的移位寄存器301包含多个移位寄存器单元302a-302c。在移位寄存器301和电平转换器304之间提供有AND电路303a-303c，每个AND电路的输入端子连接到邻近的移位寄存器单元之间以及输入ENB信号(307)的信号线，并且该输出端子连接到电平转换器304。在本发明中，每个帧分别选择不同的扫描线，所以在图3所示的扫描线驱动电路中根据ENB信号(307)对由移位寄存器301选择的结果执行输出控制。 
注意，在本发明中，形成AND电路的位置不局限于图3。只要能够输入ENB信号和来自移位寄存器的信号且将AND电路的输出信号输出到 电平转换器，就可以在任何位置上提供AND电路。 
也就是说，本发明的扫描线驱动电路的特征在于，提供有输入ENB信号的信号线以及根据ENB信号和来自移位寄存器的信号来决定其输出信号的AND电路。另外，在本发明中提供AND电路的目的是执行根据ENB信号的输出控制，因此，也可以利用能够取得相同功能的逻辑电路，如NAND电路。 
接下来，关于信号线驱动电路将参考图4进行说明。本发明所使用的信号线驱动电路包括移位寄存器401、第一锁存器电路402、第二锁存器电路403、电平转换器404、以及缓冲器405。被输入SSP信号(408)的移位寄存器401包含多个移位寄存器单元406a-406c。第一锁存器电路402包含多个锁存器单元407a-407f。邻近的锁存器单元连接到邻近的移位寄存器单元之间。此外，每个锁存器单元连接到输入第一数据信号(DATA1)409和第二数据信号(DATA2)410之一的信号线。在本实施方式中，多个锁存器单元与信号线连接以便交替输入DATA1和DATA2。与DATA1和DATA2连接的一组锁存器单元连接到邻近的相同移位寄存器之间。通过使用所述各个锁存器单元接收DATA1和DATA2，而且向第二锁存器电路403输出信号。 
被输入锁存器信号(LAT)411的第二锁存器电路403向电平转换器404输出信号。 
注意，在使用如图1所示的隔行扫描法的情形中，信号线驱动电路只要能够顺序选择所有像素部分的信号线就可以。另外，本实施方式说明将两个信号线DATA1和DATA2并联输入的情况，但也可以提供一个、三个或更多的信号线。 
根据上述的本发明，可以减少在实施时间灰度级法的有源显示器件中产生的伪轮廓。 
另外，传统上为了防止伪轮廓需要提高帧频。但是，当提高帧频时，有可能引起驱动电路的负担和图像信号的信息量的增加。由此，增加驱动电路的负担，特别是锁存器电路的频率，所以导致用于输入图像信号的布线数量的增加。因此，通过使用本发明的驱动方法以及 驱动电路，无需提高帧频就能防止伪轮廓的产生，从而不增加驱动电路的负担，因此，这是较佳的。 
通过利用隔行扫描法可以减半图像信号的信息量。其结果，可以减少信号线和扫描线的数量，从而提高开口率(aperture ration)。 
应该注意，在利用隔行扫描法时，有亮度减低的担忧。然而，通过将有机材料应用于本发明的有源显示器件的发光元件，由于该发光元件产生指数函数性的亮度减低，所以伴随亮度减低而来的供应电压的增加并不成问题。也就是说，跟被应用于等离子体显示器相比，隔行扫描法更优选被应用于具有包含有机材料的发光元件的有源显示器件。 
另外，在本发明中，作为与信号线以及扫描线连接的半导体元件可以使用薄膜晶体管。 
实施方式2 
本实施方式将说明与实施方式1不同的隔行扫描法。 
当应用上述专利文献1以及专利文件2所提供的驱动方法时容易看到条纹。因此，本实施方式提供一种在防止伪轮廓的同时抑制发生该条纹的驱动方法。 
在图5中表示将半导体元件以矩阵形状排列的有源显示器件的像素部分，其中，显示像素以白色表示，非显示像素以黑色表示。这样的像素部分中，当第一帧时只显示奇数行奇数列的像素以及偶数行偶数列的像素(参考图5A)，当第二帧时只显示奇数行偶数列的像素以及偶数行奇数列的像素(参考图5B)。就是说，在像素部分上以栅格形式提供显示区域和非显示区域。 
注意，在本实施方式中，第一帧表示奇数帧，第二帧表示偶数帧。 
另外，本发明的像素部分可以当奇数帧时只显示奇数行偶数列的像素以及偶数行奇数列的像素，且当偶数帧时只显示奇数行奇数列的像素以及偶数行偶数列的像素。 
图6A和6B表示用来实现上述显示的定时图。图6A表示用于选择当奇数帧时的行方向扫描线的扫描线启动脉冲(GSP)、扫描线时钟信号 (GCK)、用于反转的信号(SW)。此外，图6A表示用于选择列方向信号线的启动脉冲(SSP)、启动时钟信号(SCK)。并且，图6A表示根据上述信号被写入的图像信号(DATA)的定时。 
图6B表示偶数帧的定时图。当和图6A的情况比较时，SW信号被反转，并且其他的定时与图6A中的相似。 
在奇数帧中，当SW信号为High时选择奇数列的像素，并当SW信号为Low时选择偶数列的像素。而且，在偶数帧中，当SW信号为High时选择偶数列的像素，并当SW信号为Low时选择奇数列的像素。 
在输入SSP信号之后将图像信号(DATA)输入到被选择的像素中。注意，被选择的像素指的是，包含与被选择的扫描线连接的半导体元件的像素。 
对关于用来实现上述显示的扫描线驱动电路以及信号线驱动电路进行说明。 
图7表示，包含移位寄存器701、电平转换器704以及缓冲器705的扫描线驱动电路。被输入SSP信号(706)的移位寄存器701包含多个移位寄存器单元702a-702c。邻接的移位寄存器单元之间与电平转换器704连接。 
上述本发明的扫描线驱动电路可以顺序选择所有扫描线。 
本实施方式可以使用如图3所示的被输入ENB信号的扫描线驱动电路。 
接下来，关于信号线驱动电路将参考图8进行说明。本发明所使用的信号线驱动电路包括移位寄存器801、第一锁存器电路802、第二锁存器电路803、电平转换器804、以及缓冲器805。被输入SSP信号(808)的移位寄存器801包含多个移位寄存器单元806a-806c。第一锁存器电路802包含多个锁存器单元807a-807f以及多个开关装置Sw(a)-Sw(f)。邻近的锁存器单元连接到邻近的移位寄存器单元之间。另外，使用SW信号(SW)810控制开关装置Sw(a)-Sw(f)，以便选择邻接的锁存器单元之一。这样的受相反的定时控制的开关装置可以使用极性不同的半导体元件。通过使用各个所述锁存器单元接收DATA，而且向第二锁存 器电路803输出信号。 
被输入锁存器信号(LAT)811的第二锁存器电路803向电平转换器804输出信号。 
应该注意，当利用图5所示的隔行扫描法时，各个帧的每一信号线转换输入DATA的像素列。因此，其特征在于，根据SW信号转换作为输入对象的像素列。从而，不局限于图8所示的信号线驱动电路，只要在各个帧中能够转换作为输入DATA对象的像素列就可以。 
根据上述的本发明，可以抑制在实施时间灰度级法的有源显示器件中发生条纹，并且可以减少伪轮廓的产生。 
尤其是，通过使用本发明的驱动方法以及驱动电路，与实施方式1同样，无需提高帧频就能防止伪轮廓的产生，因此，这是较佳的。 
通过利用隔行扫描法可以减半图像信号的信息量。结果，可以减少信号线和扫描线的数量，从而提高开口率。 
应该注意，在利用隔行扫描法时，有亮度减低的担忧。然而，通过将有机材料应用于本发明的有源显示器件的发光元件，由于该发光元件产生指数函数性的亮度减低，所以伴随亮度减低而来的供应电压的增加并不成问题。也就是说，跟被应用于等离子体显示器相比，隔行扫描法更优选被应用于具有包含有机材料的发光元件的有源显示器件。 
另外，在本发明中，作为与信号线和扫描线连接的半导体元件可以使用薄膜晶体管。 
实施方式3 
本实施方式将说明具有本发明的像素部分和驱动电路的面板的结构。 
图9表示在像素部分100的周边部分上提供有驱动电路的面板，其中，该驱动电路包含上述实施方式所描述的扫描线驱动电路901以及信号线驱动电路902。 
扫描线驱动电路901包含移位寄存器、电平转换器、缓冲器。另外，信号线驱动电路902包含移位寄存器、第一锁存器电路、第二锁存器电 路、电平转换器、缓冲器。像素部分100包含多个像素，并在像素中提供有发光元件。在下面的实施方式中描述像素的截面结构 
通过使用在同一衬底上形成的半导体元件可以形成信号线驱动电路902、扫描线驱动电路901、像素部分100。例如，使用在玻璃衬底上形成的薄膜晶体管可以形成信号线驱动电路901、扫描线驱动电路902、像素部分100。另外，可以使用IC芯片将信号线驱动电路902以及扫描线驱动电路901安装到玻璃衬底上。 
本实施方式可以与上述实施方式自由组合。 
实施方式4 
本实施方式将使用图12A-12C描述本发明的有源显示器件具有的像素的等效电路图。 
图12A是像素的等效电路图的一个例子，其包括信号线6114、电源线6115、扫描线6116，以及位于它们交点的发光元件6113、晶体管6110和6111、和电容器6112。通过信号线驱动电路将图像信号输入到信号线6114。晶体管6110可以根据输入到扫描线6116的选择信号控制该图像信号向晶体管6111的栅极的电位供给。晶体管6111可以根据该图像信号的电位控制向发光元件6113的电流供给。电容器6112可以保持晶体管6111的栅源之间的电压。应当注意，图12A中提供了电容器6112，然而，如果晶体管6111的栅电容或者其它的寄生电容足以保持栅源之间的电压，那么就可以不提供电容器6112。 
图12B是在图12A所示的像素中另外提供晶体管6118和扫描线6119的像素的等效电路图。通过提供晶体管6118使晶体管6111的栅和源的电位彼此相等，从而可以迫使电流不流入到发光元件6113。因此，每个子帧周期的长度可以设置得比将视频信号输入到全部像素中的周期更短。 
图12C是在图12B所示的像素中另外提供晶体管6125和布线6126的像素的等效电路图。晶体管6125的栅电位通过布线6126得以稳定。另外，晶体管6111和晶体管6125在电源线6115和发光元件6113之间串联连接。因此，在图12C中，晶体管6125控制提供给发光元件6113的电流 量，而晶体管6111控制电流是否供给发光元件6113。 
应当注意，本发明的像素电路不局限于在本实施方式中所述的结构，只要是用时间灰度级进行显示的显示器件就可以适用本发明。并且，本实施方式可以自由地与上述的实施方式结合。 
实施方式5 
在本实施方式中，将描述具有发光元件的像素的截面结构。即将使用图10A至10C描述在用于控制向上述发光元件的电流供给的晶体管是p沟道型薄膜晶体管(TFT)的情况下的一个像素的截面结构。注意，在本发明中，将发光元件的阳极和阴极的两个电极中能够通过晶体管控制电位的其中一方称为第一电极，另一方称为第二电极。在图10A至10C中将说明第一电极是阳极并且第二电极是阴极的情况。然而，第一电极是阴极并第二电极是阳极也是可以的。 
图10A表示在TFT 6001是p沟道型并且从发光元件6003发出的光从第一电极6004一侧获取的情况下的像素截面图。在图10A中，发光元件6003的第一电极6004电连接至TFT 6001。 
TFT 6001被层间绝缘膜6007覆盖，并且具有开口的堤6008形成在层间绝缘膜6007上。在堤6008的开口中，部分地暴露第一电极6004，并且依次堆叠第一电极6004、场致发光层6005和第二电极6006。 
层间绝缘膜6007可以由有机树脂膜、无机绝缘膜、或者以硅氧烷材料作为起始材料而形成的包含Si-O-Si键的绝缘膜(以下称为硅氧烷绝缘膜)来形成。应当注意，硅氧烷包含Si-O-Si键并由硅(Si)和氧(O)的键形成其骨架结构，且使用至少包含氢的有机基团(例如烷基或者芳烃)作为取代基。另外，使用氟基团作为取代基或者使用氟基团和至少包含氢的有机基团作为取代基都可以。层间绝缘膜6007还可以使用所谓的低介电常数材料(low-k材料)而形成。 
堤6008可以使用有机树脂膜、无机绝缘膜、或者硅氧烷绝缘膜形成。例如在使用有机树脂膜的情况下，可以用丙烯酸、聚酰亚胺、或者聚酰胺，而在使用无机绝缘膜的情况下，可以用氧化硅、氮氧化硅等。优选地，堤6008使用光敏有机树脂膜形成且在第一电极6004上形 成开口，并使该开口的侧面具有连续曲率的斜坡，这可以防止第一电极6004和第二电极6006连接。 
第一电极6004由透射光的材料或者足以透射光的厚度形成，并且由适合用作阳极的材料形成。例如，第一电极6004可以由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、掺镓的氧化锌(GZO)、或者另外的透光导电氧化物形成。或者，第一电极6004可以由包含ITO和氧化硅的氧化铟锡(以下简称ITSO)或者包含氧化硅的氧化铟与2至20atomic％的氧化锌(ZnO)的混合物形成。此外除了上述透光导电氧化物以外，第一电极6004还可以由例如以下的膜形成，即选自TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等中的一种或多种的单层膜；氮化钛膜和以铝作为主要成分的膜的层叠膜；或者氮化钛膜、以铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构的层叠膜。然而，当采用透光导电氧化物之外的材料时，将第一电极6004形成得具有足以透射光的厚度(优选约5至30nm)。 
第二电极6006可以由反射或者遮挡光的材料和膜厚度来形成，并且由具有低功函数的金属、合金、导电化合物、或它们的混合物等来形成。具体地，可以使用诸如Li和Cs的碱金属、诸如Mg、Ca和Sr的碱土金属、包含上述金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等等)、以及上述金属的化合物(CaF2或CaN)、或者例如Yb或Er的稀土金属。当提供电子注入层时，也可以使用另外的导电层，例如Al层。 
场致发光层6005由单层或者多层构成。在由多层构成的情况下，这些层根据载流子运输性质可以分为空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层等等。当场致发光层6005除发光层之外还具有空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层中的任何一层时，在第一电极6004上依次堆叠空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层和电子注入层。注意，各层之间的边界并不必清楚，有可能各层材料的一部分混合而边界不能清楚地区分。每层可以由有机材料或者无机材料形成。其中有机材料，可以使用高、中和低分子材料中的任何材料。注意，中分子材料指的是其中重复结构单元的数 量(聚合度)大约为2至20的低聚物。在空穴注入层和空穴输运层之间并不存在清楚的区别，两者都不可避免地具有空穴输运特性(空穴迁移率)。为方便区分，被称为空穴注入层的是与阳极接触的层，被称为空穴输运层的是与空穴注入层接触的层。电子输运层和电子注入层也是同样的，两者都不可避免地具有电子输运性(电子迁移率)，为方便区别，与阴极接触的层被称为电子注入层，而与电子注入层接触的层被称为电子输运层。在一些情况下发光层兼有电子输运层的功能，因此还会被称为发光电子输运层。 
在图10A所示的像素中，从发光元件6003射出的光可以从第一电极6004一侧获取，如空心箭头所示。 
图10B是一个像素的截面图，其中TFT 6011是p沟道型并且从发光元件6013发出的光从第二电极6016一侧获取。在图10B中，发光元件6013的第一电极6014电连接到TFT 6011。在第一电极6014上依次堆叠场致发光层6015和第二电极6016。 
第一电极6014由反射或者遮挡光的材料及厚度来形成，并且由适于用作阳极的材料形成。例如，第一电极6014可以由选自TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag、Al等等中的一种或多种的单层；氮化钛膜和以铝作为主要成分的膜的叠层；或者氮化钛膜、以铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构的叠层形成。 
第二电极6016由透射光的材料或者足以透射光的厚度来形成，并且可以由具有低功函数的金属、合金、导电化合物、或者它们的混合物形成。具体地，可以使用碱金属(例如Li和Cs)、碱土金属(例如Mg、Ca和Sr)、包含上述金属的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等等)、上述金属的化合物(CaF2或CaN)、或者稀土金属(例如Yb和Er)。当提供电子注入层时，也可以使用另外的导电层，例如Al层。而且，将第二电极6016形成得具有足以透射光的厚度(优选约5至30nm)。注意，第二电极6016还可以由另外的透光导电氧化物形成，例如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、和掺镓的氧化锌(GZO)。或者，可以使用包含ITO和氧化硅的氧化铟锡(ITSO)或者包含氧化硅的氧化铟和2至 20atomic％的氧化锌(ZnO)的混合物。在采用透光导电氧化物的情况下，优选在场致发光层6015中提供电子注入层。 
可以与图10A所示的场致发光层6005类似地形成场致发光层6015。 
在这样的图10B所示的像素中，从发光元件6013射出的光可以从第二电极6016一侧获取，如空心箭头所示。 
图10C是一个像素的截面图，其中TFT 6021是p沟道型并且从发光元件6023发出的光从第一电极6024一侧和第二电极6026一侧获取。在图10C中，发光元件6023的第一电极6024电连接至TFT 6021。在第一电极6024上，依次堆叠场致发光层6025和第二电极6026。 
可以与图10A所示的第一电极6004类似地形成第一电极6024，同时可以与图10B所示的第二电极6016类似地形成第二电极6026。可以与图10A所示的场致发光层6005类似地形成场致发光层6025。 
在图10C所示的像素中，从发光元件6023射出的光可以从第一电极6024一侧和第二电极6026一侧获取，如空心箭头所示。 
本实施方式可以自由地同上述实施方式相组合。 
实施方式6 
在本实施方式中，使用图11A至11C描述在用于控制向发光元件的电流供应的晶体管是n沟道型TFT的情况下的像素的截面结构。注意，在图11A至11C中说明第一电极是阴极而第二电极是阳极的情况。然而，第一电极是阳极而第二电极是阴极也是可以的。 
图11A是一个像素的截面图，其中TFT 6031是n沟道型并且从发光元件6033射出的光从第一电极6034一侧获取。在图11A中，发光元件6033的第一电极6034电连接至TFT 6031。在第一电极6034上，依次堆叠场致发光层6035和第二电极6036。 
第一电极6034由透射光的材料或者足以透射光的厚度来形成，并且可以由具有低功函数的金属、合金、导电化合物、或者这些材料的混合物等形成。具体地，除了碱金属(例如Li和Cs)、碱土金属(例如Mg、Ca和Sr)、包含它们的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等等)、以及这些金属的化合物(CaF2或CaN)之外、还可以使用稀土金属(例如Yb和Er)。当 提供电子注入层时，也可以使用另外的导电层，例如Al层。而且，将第一电极6034形成为足以透射光的厚度(优选约5至30nm)。另外，为了抑制第一电极6034的薄层电阻，可以使用透光导电氧化物形成透光导电层并使其与具有足以透射光的厚度的上述导电层的顶部或底部接触。注意，第一电极6034可以仅由使用氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、掺镓的氧化锌(GZO)等其他透光导电氧化物的导电层形成。或者，可以使用包含ITO和氧化硅的氧化铟锡(ITSO)或者包含氧化硅的氧化铟和2至20％的氧化锌(ZnO)的混合物。在采用透光导电氧化物的情况下，优选在场致发光层6035中提供电子注入层。 
第二电极6036由反射或者遮挡光的材料和厚度来形成，并由适于用作阳极的材料形成。例如，第二电极6036可以由TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag以及Al等等中的一种或多种的单层膜；氮化钛膜和以铝作为主要成分的膜的叠层；或者氮化钛膜、以铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构的叠层等形成。 
可以与图11A所示的场致发光层6005类似地形成场致发光层6035。在场致发光层6035除发光层之外还具有空穴注入层、空穴输运层、电子输运层和电子注入层中的任何层的情况下，在第一电极6034上依次堆叠电子注入层、电子输运层、发光层、空穴输运层和空穴注入层。 
在图11A所示的像素中，从发光元件6033射出的光可以从第一电极6034一侧获取，如空心箭头所示。 
图11B是一个像素的截面图，其中TFT 6041是n沟道型并且从发光元件6043射出的光从第二电极6046一侧获取。在图11B中，发光元件6043的第一电极6044电连接到TFT 6041。在第一电极6044上，依次堆叠场致发光层6045和第二电极6046。 
第一电极6044由反射或者遮挡光的材料和厚度来形成，并且可以由具有低功函数的金属、合金、导电化合物、或者这些材料的混合物等等形成。具体地，除了碱金属(例如Li和Cs)、碱土金属(例如Mg、Ca和Sr)、包含它们的合金(Mg:Ag，Al:Li，Mg:In等等)、以及这些金属的化合物(CaF2或CaN)之外、还可以使用稀土金属(例如Yb和Er)。当提 供电子注入层时，也可以使用另外的导电层，例如Al层。 
第二电极6046由透射光的材料或者足以透射光的厚度来形成，并且由适于用作阳极的材料形成。例如，第二电极6046可以由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、掺镓的氧化锌(GZO)等等其他的透光导电氧化物形成。或者，第二电极6046可以由包含ITO和氧化硅的氧化铟锡(ITSO)或者包含氧化硅的氧化铟和2至20％的氧化锌(ZnO)的混合物形成。此外，除了上述透光导电氧化物之外，第二电极6046可以使用，例如，TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr、Ag和Al等中的一种或多种的单层膜；氮化钛膜和以铝作为主要成分的膜的叠层；或者氮化钛膜、以铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构的叠层等而形成。然而，当采用透光导电氧化物以外的材料时，将第二电极6046形成为足以透射光的厚度(优选约5至30nm)。 
与图11A所示的场致发光层6035类似地形成场致发光层6045。 
在图11B所示的像素中，从发光元件6043射出的光可以从第二电极6046一侧获取，如空心箭头所示。 
图11C是一个像素的截面图，其中TFT 6051是n沟道型并且从发光元件6053射出的光从第一电极6054一侧和第二电极6056一侧获取。在图11C中，发光元件6053的第一电极6054电连接至TFT 6051。在第一电极6054上，依次堆叠场致发光层6055和第二电极6056。 
可以与图11A所示的第一电极6034类似地形成第一电极6054。可以与图11B所示的第二电极6046类似地形成第二电极6056。可以与图11A所示的场致发光层6035类似地形成场致发光层6055。 
在图11C所示的像素中，从发光元件6053射出的光可以从第一电极6054一侧和第二电极6056一侧获取，如空心箭头所示。 
本实施方式可以自由地同上述实施方式相组合。 
实施方式7 
具有本发明的有源显示器件的电子器件包括电视机(有时称之为电视或电视接收机)、数字照相机、数字摄像机、便携式电话机(有时称之为移动电话或手机)、便携式信息终端(例如PDA)、便携式游戏机、 用于计算机的监视器、计算机、放音装置(例如汽车用立体声系统)和具备有记录介质的图像再现装置(如家用游戏机)等。图13A至13F表示这种设备的具体例子。 
图13A中所示的便携式信息终端包括主体9201、显示部分9202等。该显示部分9202可以适用本发明的有源显示器件。其结果，可以提供减少发生伪轮廓的便携式信息终端。 
图13B中所示的数字摄像机包括显示部分9701和9702等。该显示部分9701可以适用本发明的有源显示器件。其结果，可以提供减少发生伪轮廓的数字摄像机。 
图13C中所示的便携式电话机包括主体9101、显示部分9102等。该显示部分9102可以适用本发明的有源显示器件。其结果，可以提供减少发生伪轮廓的便携式电话机。 
图13D中所示的便携式电视机包括主体9301、显示部分9302等。该显示部分9302可以适用本发明的有源显示器件。其结果，可以提供减少发生伪轮廓的便携式电视机。作为这种电视机，本发明的有源显示器件可广泛地适用于搭载在便携式电话机等的便携式信息终端中的小型结构、能搬运的中型结构、或者大型结构(例如40英寸或更大)。 
图13E中所示的便携式计算机包括主体9401、显示部分9402等。该显示部分9402可以适用本发明的有源显示器件。其结果，可以提供减少发生伪轮廓的便携式计算机。 
图13F中所示的电视机包括主体9501、显示部分9502等。该显示部分9502可以适用本发明的有源显示器件。其结果，可以提供减少发生伪轮廓的电视机。 
如以上所述，根据本发明的有源显示器件，可以提供减少发生伪轮廓的电子器件。 
本说明书根据2004年9月27日被日本专利局受理的日本专利申请编号2004-280075而制作，所述申请内容包括在本说明书中。 

Claims (11)

1.一种有源显示器件的驱动方法，其中所述有源显示器件包括以矩阵形式排列的多个像素，并且在多个帧周期中的每一个的图像信号被输入到所述多个像素中，所述驱动方法包括以下步骤：
在所述多个帧周期的奇数帧周期中，在奇数行奇数列的像素以及偶数行偶数列的像素显示图像；
在所述多个帧周期的偶数帧周期中，在奇数行偶数列的像素以及偶数行奇数列的像素显示图像。
2.一种有源显示器件的驱动方法，其中所述有源显示器件包括以矩阵形式排列的多个像素，并且在多个帧周期中的每一个图像信号被输入到所述多个像素中，所述驱动方法包括以下步骤：
在所述多个帧周期的奇数帧周期中，在奇数行奇数列的像素以及偶数行偶数列的像素显示图像，并且当输入到所述像素的反转信号为高(High)时，图像信号被输入到所述奇数列的像素中；
在所述多个帧周期的偶数帧周期中，在奇数行偶数列的像素以及偶数行奇数列的像素显示图像，并且当输入到所述像素的反转信号为高时，图像信号被输入到所述偶数列的像素中。
3.根据权利要求1的有源显示器件的驱动方法，其中，当在所述奇数帧周期中输入到所述像素的反转信号为高时，在所述偶数帧周期中输入到所述像素的反转信号为低(Low)。
4.一种有源显示器件，包括：
在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素；
与每个所述多个信号线连接的半导体元件；
用于控制所述半导体元件的电路，该电路又包括：
包含移位寄存器单元的移位寄存器；以及
锁存器电路，其包括锁存器单元以及被输入反转信号以用来控制选择所述锁存器单元的布线，
其中，邻近的锁存器单元连接到连接相邻移位寄存器单元的引线，
并且，通过来自所述移位寄存器单元的信号和所述反转信号来选择所述邻近的锁存器单元中的一个。
5.一种有源显示器件，包括：
在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素；
与每个所述多个信号线连接的半导体元件；
用于控制所述半导体元件的电路，该电路又包括：
包含移位寄存器单元的移位寄存器；以及
锁存器电路，其包括锁存器单元以及被输入反转信号以用来控制选择所述锁存器单元的布线、以及由所述反转信号转换的开关元件，
其中，邻近的锁存器单元连接到连接相邻移位寄存器单元的引线，
并且，通过所述开关元件选择所述邻近的锁存器单元中的一个。
6.一种有源显示器件，包括：
在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素；
与每个所述多个扫描线连接的半导体元件；
用于控制所述半导体元件的电路，该电路又包括：
被输入选择信号的布线；
移位寄存器；
电平转换器；以及
被输入来自所述移位寄存器的信号和所述选择信号，并被连接以便给所述电平转换器输出信号的AND电路。
7.一种有源显示器件，包括：
在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素；
与每个所述多个扫描线连接的半导体元件；
用于控制所述半导体元件的电路，该电路又包括：
被输入选择信号的布线；
移位寄存器；
电平转换器；以及
被输入来自所述移位寄存器的信号和所述选择信号，并被连接以便给所述电平转换器输出信号的AND电路；
其中，所述多个信号线与所述多个像素连接以便给控制所述半导体元件的电路所选择的像素输入图像信号。
8.一种有源显示器件，包括：
在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素；
与每个所述多个信号线连接的半导体元件；
用于控制所述半导体元件的电路，该电路又包括：
包含移位寄存器单元的移位寄存器；以及
锁存器电路，其包括锁存器单元和被输入用来控制选择该锁存器单元的反转信号的布线，
其中，邻近的锁存器单元连接到连接相邻移位寄存器单元的引线。
9.一种有源显示器件，包括：
在多个信号线与多个扫描线的交点处的多个像素；
与每个所述多个信号线连接的半导体元件；
用于控制所述半导体元件的电路，该电路又包括：
包含移位寄存器单元的移位寄存器；以及
锁存器电路，其包括锁存器单元、被输入用来控制选择该锁存器单元的反转信号的布线、以及由所述反转信号转换的开关元件，
其中，邻近的锁存器单元连接到连接相邻移位寄存器单元的引线。
10.根据权利要求5的有源显示器件，其中具有第一极性的半导体元件以及具有第二极性的半导体元件被用作所述开关元件。
11.根据权利要求9的有源显示器件，其中具有第一极性的半导体元件以及具有第二极性的半导体元件被用作所述开关元件。
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