CN1763612A - 电光装置的制造方法和制造装置、电光装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

制造能够进行高质量的图像显示且能够实现长寿命化的电光装置，并且提高成品率。电光装置的制造方法，包括：第1工序，该工序在夹持电光物质的一对基板的至少一方的基板面上形成电极；第2工序，该工序将由无机材料构成的取向膜的基底膜，通过将无机材料的飞行方向相对于基板面所成的角度以使相对于该飞行方向电极的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值进行第1PVD法而形成在电极的上层侧；以及第3工序，该工序将由无机材料构成的上述取向膜，通过将上述角度固定为与在第1PVD法设定的值不同的指定值或以与第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法而形成在上述基底膜的上层侧。

Description

电光装置的制造方法和制造装置、电光装置和电子设备

技术领域

本发明涉及例如液晶装置等的电光装置的制造方法和制造装置以及具有利用该制造方法制造的电光装置的例如液晶投影机等的电子设备。

背景技术

如专利文献1或2所公开的那样，在利用这种制造方法制造的电光装置中，被夹持在一对基板间的电光物质的取向控制，利用在例如一对基板中的至少一方的基板上的与电光物质相对的基板面上形成的无机取向膜进行。在制造电光装置时，无机取向膜利用例如倾斜蒸镀法形成。

按照专利文献1，在上述基板面上形成电极等之后，在同一制造装置内利用倾斜蒸镀法形成无机取向膜。这时，将上述基板面与对于上述基板面的无机材料的飞行方向或行进方向所成的角度分别固定为2种角度来形成无机取向膜。

此外，按照专利文献2，当在上述基板面上利用倾斜蒸镀法形成无机取向膜时，为使上述基板面上的无机材料的蒸镀角和无机取向膜的膜厚均匀而控制无机材料的蒸气流的流通方向。

专利文献1：特开平6-186563号公报。

专利文献2：特开2003-129225号公报。

然而，在上述基板面上，在无机取向膜的基底的表面上由于例如像素电极等的存在而形成了台阶。并且，在形成无机取向膜时，在基底表面上，相对于无机材料对于上述基板面的飞行方向产生成为台阶的阴影的部分，在该部分上有可能会难以附着或完全不能附着无机材料。因此，在与基底表面的台阶对应的无机取向膜的一部分上，由于电光物质的取向限制力减弱而产生光泄漏等，所以电光装置的显示图像的质量将劣化。

此外，当按照使无机材料的柱状构造物相对于基板面以指定角度排列的方式使无机取向膜的成膜速度减小时，难以使无机取向膜的膜厚形成得厚。由于无机取向膜的膜密度小，所以当膜厚薄时，有可能会由于电光物质与像素电极接触而发生短路。

而且，无机取向膜由例如容易吸收二氧化硅(SiO₂)等的水分的无机材料形成。因此，当无机取向膜的膜厚薄时，由于被无机取向膜吸收而水分向无机取向膜中扩散，进而浸入到形成无机取向膜的基底的像素电极或用于驱动该像素电极的像素开关元件等中，从而有可能损坏像素电极等。

其结果，将降低电光装置的制造工艺中的成品率并且难以使电光装置实现长寿命化。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供制造进行高质量的图像显示且能够实现长寿命化的电光装置、并且能够提高成品率的电光装置的制造方法和制造装置以及利用这样的制造方法制造的电光装置和具有该电光装置的液晶投影机等的电子设备。

为了解决上述问题，本发明的第1电光装置的制造方法，是制造具有夹持电光物质而构成的一对基板的电光装置的电光装置的制造方法，包括：第1工序，该工序在上述一对基板的至少一方的基板的成为与上述电光物质相对的基板面上形成用于按每个像素的方式对上述电光物质施加指定电压的电极；第2工序，该工序将由无机材料构成的取向膜的基底膜，通过将上述无机材料的飞行方向相对于上述基板面所成的角度以使相对于该飞行方向上述电极的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值而进行第1PVD法而形成在上述电极的上层侧；以及第3工序，该工序将由无机材料构成的上述取向膜，通过将上述角度固定为与在上述第1PVD法设定的值不同的指定值或以与上述第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法而形成在上述基底膜的上层侧。

在利用本发明的第1电光装置的制造方法制造的电光装置中，在一对基板间，作为电光物质夹持着例如液晶。在不驱动电光装置的状态下，利用由无机材料构成的取向膜、即无机取向膜的表面形状效果，使电光物质在一对基板间呈指定的取向状态。在电光装置驱动时，通过利用对电光物质按每个像素的方式经由电极施加与图像信号对应的电压来改变电光物质的取向膜状态，对例如从光源入射的光进行调制。并且，通过由电光物质调制的光作为显示光出射而进行图像显示。

在本发明的第1电光装置的制造方法中，第1工序中，在一对基板中的一方的基板的与电光物质相对的基板面上，作为电极例如按每个像素的方式形成像素电极。其中，像素电极在例如制入了用于驱动像素电极的布线或驱动元件的叠层结构的最上层形成。由于像素电极例如按每个像素的方式以指定的图案形成为岛状或条状，所以在叠层结构的最外表面形成了与像素电极的相对于基板面的垂直方向的厚度对应地产生的台阶。

此外，在叠层结构中，形成了多个形成布线或驱动元件的至少一部分的导电膜，并且形成了用于使在不同的层形成的导电膜相互层间绝缘的层间绝缘膜。并且，在利用例如布线或驱动元件和层间绝缘膜进行层间绝缘的状态下形成像素电极。

因此，当在叠层结构的下层的表面产生与相对于导电膜的基板面的垂直方向的厚度对应的台阶时，往往由于该台阶形状反映出上层的各个表面形状，而在像素电极的表面或在基板面上平面看在像素电极间露出到叠层结构的最外表面的层间绝缘膜的表面上也产生台阶。

另外，例如在一对基板中的另一方的基板上，在与电光物质相对的基板面上，作为电极与多个像素电极相对地也形成对置电极。

接着，在第2工序中，通过作为第1PVD(Physical Vapor Deposition)法对形成了像素电极的基板实施例如倾斜蒸镀法或离子束溅射法，而在形成了像素电极的基板面上形成取向膜的基底膜。例如在将第1PVD法作为倾斜蒸镀法进行时，产生二氧化硅(SiO₂)等的无机材料的蒸气流，并且在本发明的作为“无机材料的飞行方向”的无机材料的蒸气流的行进方向上配置形成了像素电极的基板面。这时，在基板面上，在上述叠层结构的最外表面，以使相对于无机材料的蒸气流的对于基板面的行进方向成为台阶的阴影的部分不是总在1处产生的方式，将无机材料的蒸气流的行进方向相对于基板面所成的角度固定为例如垂直。或者，这时也可以使无机材料的蒸气流的行进方向相对于基板面所成的角度连续地改变为多个值。

并且，通过使无机材料的蒸气流与叠层结构的最外表面接触，埋入各像素电极而以像素电极上的膜厚成为指定值的膜厚形成基底膜。更具体而言，基底膜通过无机材料的柱状构造物排列在基板面上而形成。在基底膜中，柱状构造物相对于基板面而成的角度与无机材料的蒸气流的行进方向相对于基板面而成的角度对应。并且，通过将柱状构造物相对于基板面而成的角度采用垂直或垂直以外的角度，在相对于基板面垂直或倾斜的状态下排列柱状构造物，成长无机材料的膜而形成基底膜。

因此，在基板面上，在上述叠层结构的最外表面的台阶附近也能够无间隙地排列柱状构造物，该台阶成为由基底膜覆盖的状态。虽然在基底膜的表面形成了反映在叠层结构的最外表面产生的台阶的台阶形状，但基底膜的表面的台阶比在叠层结构的最外表面产生的台阶小。由此，通过在基底膜的表面大幅度缓和叠层结构的最外表面的台阶，能够实现平坦化。

此外，能够使基底膜的成膜速度大于第3工序中的取向膜的成膜速度。特别是基底膜与取向膜的取向功能无关。因此，由于针对基板面上的基底膜的成长方向等不需要进行与取向膜形成时相同的严格的控制，所以不需要复杂的制造装置。其结果，可以增大成膜速度而容易形成膜厚大的基底膜，并且能够将该基底膜作为膜密度高的膜、即致密的膜以低成本形成。

此外，通过利用例如倾斜蒸镀法进行第2工序的第1PVD法和第3工序的第2PVD法，第2工序和第3工序能够用相同的制造装置进行制造。

然后，在第3工序中，作为第2PVD法进行例如倾斜蒸镀方，利用二氧化硅(SiO₂)等无机材料形成取向膜。

在这种情况下，将作为无机材料的飞行方向的无机材料的蒸气流的行进方向相对于基板面所成的角度固定为与例如第1PVD法不同的指定值而配置形成了基底膜的基板面。这时，优选地为了获得在取向膜中能够进行取向控制的表面形状效果，而使第3工序中的取向膜的成膜速度小于第2工序中的基底膜的成膜速度，将柱状构造物按照相对于基板面成指定的角度的方式均匀地排列。

或者，这时，例如将无机材料的飞行方向相对于基板面所成的角度固定为与第1PVD法所使用的1个或多个值的角度中的任意一个相同(例如，与基板面垂直)的指定值，并且，以与第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法。这时，例如，如上所述，为了将柱状构造物按照相对于基板面成指定的角度的方式均匀地排列，如使成膜速度减小等，作为成膜条件使成膜速度等不同。

如上所述，使基底膜的表面不存在台阶或台阶变小。即，由于能够使之成为几乎平坦的状态，所以在第3工序中，能够防止在基底膜的表面产生相对于蒸气流的行进方向成为台阶的阴影的部分。因此，通过使无机材料的蒸气流与基底膜的表面接触，能够在基底膜上将无机材料的柱状构造物按照该柱状构造物相对于基板面成指定的角度的方式均匀地排列。或者，假设即使由于电极等引起的表面台阶未由基底膜改善，但由于该表面台阶由基底膜覆盖，所以与该表面台阶对应地产生的取向膜的缺陷也可以由基底膜弥补。即，针对取向膜的致密性、耐水性或耐湿性等，只要由基底膜提高了它们的性质，即使在取向膜本身成膜时在成为阴影的部分膜质差也几乎没有问题。

在这样形成的取向膜中，柱状构造物间的间隙与基底膜相比变大，取向膜的膜密度小于基底膜。其中，虽然第3工序中的取向膜的成膜速度小于第2工序中的基底膜的成膜速度，但由于取向膜只要以能够得到表面形状效果的程度的膜厚形成即可，所以即使成膜速度小，也能够容易地形成取向膜。

并且，在第3工序之后，例如在将一对基板粘合之后，通过将电光物质注入到该一对基板之间而形成电光装置。

另外，在第3工序中，也可以利用离子束溅射法进行第2PVD法。此外，除了一对基板中形成像素电极的一方的基板外，在另一方的基板上，在与电光物质相对的基板面上，可以在利用与第2工序相同的步骤形成基底膜之后按与第3工序相同的步骤形成取向膜，或者也可以不形成基底膜而按与第3工序相同的步骤形成取向膜。这时，如上所述，在另一方的基板上形成了对置电极时，在对置电极的上层侧形成取向膜。

因此，在利用以上说明的本发明的第1电光装置的制造方法制造的电光装置中，在取向膜中能够得到均匀的表面形状效果，从而能够防止局部取向限制力弱而产生取向不良。其结果，在电光装置中，能够防止由于电光物质的取向不良而产生光泄漏等，从而能够进行高质量的图像显示。

此外，在本发明的第1电光装置的制造方法中，能够增大基底膜的膜厚且能够将基底膜形成为致密的膜。因此，能够防止像素电极与电光物质接触，并且能够防止被膜厚和膜密度小的取向膜吸收的水分从该取向膜向基底膜扩散进而浸入像素电极等。因此，本发明的第1电光装置的制造方法能够提高成品率，并且在由该第1电光装置的制造方法制造的电光装置中，能够提高耐水性和耐湿性而使电光装置实现长寿命化。

在本发明的第1电光装置的制造方法的一种方式中，在上述第3工序中形成膜密度比上述基底膜小的取向膜。

按照这种方式，通过将基底膜形成为致密的膜并且增大基底膜的膜厚，能够防止例如像素电极与电光物质接触，并且能够提高由该第1电光装置的制造方法制造的电光装置的耐水性和耐湿性。

此外，能够增大成膜速度而形成基底膜。因此，通过对于用于进行电光物质的取向控制的取向膜另外地设置基底膜并调整基底膜的成膜速度，能够大幅度地缩短用于形成取向膜和基底膜的无机材料的成膜时间。

在本发明的第1电光装置的制造方法的另一种方式中，以比上述第2工序低的成膜速度形成上述取向膜。

按照这种方式，通过使取向膜的成膜速度小于基底膜的成膜速度，并在基底膜上将无机材料的柱状构造物按照相对于基板面成指定的角度的方式均匀地排列，在取向膜中能够得到均匀的表面形状效果。特别是还能够大幅度地缩短为了形成1组具有所希望的耐水性或耐湿性的基底膜和取向膜所需要的将第2和第3工序组合的成膜时间。此外，如上所述，由于利用相对于取向膜另外地设置的基底膜能够确保耐水性和耐湿性，所以能够将取向膜形成为高质量的膜并且能够实现长寿命化。

在本发明的第1电光装置的制造方法的另一种方式中，上述第3工序利用与上述基底膜相同的无机材料形成上述取向膜。

按照这种方式，能够利用相同的无机材料形成与基底膜成为一体的高质量的取向膜。但是，即使不完全相同，利用与基底膜类似的无机材料同样也能够形成高质量的取向膜，此外，利用与基底膜不同的无机材料也能够形成取向膜。

在本发明的第1电光装置的制造方法的另一种方式中，将上述1个或多个角度设为垂直来进行上述第1PVD法。

按照这种方式，在第2工序中作为第1PVD法进行例如倾斜蒸镀法时，在作为电极形成了例如像素电极的基板面上，能够按照在上述的叠层结构的最外表面上相对于对于无机材料的蒸气流的基板面的行进方向不产生成为台阶的阴影的部分的方式，将无机材料蒸镀到叠层结构的最外表面上。因此，能够将基底膜通过在上述叠层结构的最外表面的台阶附近也排列无机材料的柱状构造物而形成，并且，能够使基底膜的表面几乎为平坦的状态且增大膜厚而形成为致密的膜。

另外，在这种方式中，“垂直”不仅是将例如作为“无机材料的飞行方向”的无机材料的蒸气流的行进方向相对于基板面所成的角度设为文字所述的垂直的情况，也包含只要不产生与上述的叠层结构的最外表面的台阶对应的阴影程度的垂直即可的实际的直角。

在本发明的第1电光装置的制造方法的另一种方式中，在上述第2工序中使上述角度连续地改变为多种角度而进行上述第1PVD法。

按照这种方式，在第2工序中，在作为第1PVD法进行例如倾斜蒸镀法时，在作为电极形成了例如像素电极的基板面上，使得在上述的叠层结构的最外表面上相对于对于无机材料的蒸气流的基板面的行进方向不产生成为台阶的阴影的部分而能够将无机材料蒸镀到叠层结构的最外表面。因此，通过在上述的叠层结构的最外表面的台阶附近也排列无机材料的柱状构造物而形成基底膜，并且，能够使基底膜的表面几乎为平坦的状态且能够增大膜厚而形成为致密的膜。

在本发明的第1电光装置的制造方法的另一种方式中，利用倾斜蒸镀法进行上述第2工序的上述第1PVD法或上述第3工序的上述第2PVD法。

按照这种方式，通过在第2工序中使无机材料的蒸气流与叠层结构的最外表面接触或在第3工序中使无机材料的蒸气流与基底膜的表面接触而使无机材料的柱状构造物排列在基板面上，能够形成基底膜或者形成取向膜。

在本发明的第1电光装置的制造方法的另一种方式中，利用离子束溅射法进行上述第2工序的上述第1PVD法或上述第3工序的上述第2PVD法。

按照这种方式，与利用倾斜蒸镀法进行第1PVD法或第2PVD法时一样，通过调整无机材料的飞行方向相对于基板面所成的角度并且调整无机材料的成膜速度等的成膜条件而将无机材料的柱状构造物排列在基板面上，能够形成基底膜或者形成取向膜。

在本发明的第1电光装置的制造方法的另一种方式中，上述第1工序包括作为上述电极形成像素电极的工序、形成用于驱动上述像素电极的布线或驱动元件的工序、以及形成用于将该布线或驱动元件与上述像素电极层间绝缘的层间绝缘膜的工序。

按照这种方式，能够防止在形成于一对基板中的一方的基板上的像素电极的上层侧的取向膜中产生取向不良。此外，能够防止像素电极与电光物质进行接触，并且能够防止被膜厚和膜密度小的取向膜吸收的水分向该取向膜中扩散进而浸入像素电极等。

为了解决上述问题，本发明的第2电光装置的制造方法，是制造具有夹持电光物质而构成的一对基板的电光装置的电光装置的制造方法，包括：第1工序，该工序在上述一对基板中的一方的基板的成为与电光物质相对的基板面上形成用于按每个像素的方式规定开口区域的遮光膜之后，在该遮光膜的上层侧形成与在上述一对基板中的另一方的基板上按每个像素的方式所形成的像素电极相对的对置电极；第2工序，该工序将由无机材料构成的取向膜的基底膜，通过将上述无机材料的飞行方向相对于上述基板面所成的角度以使相对于该飞行方向上述对置电极的表面的台阶的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值进行第1PVD法而形成在上述对置电极的上层侧；以及第3工序，该工序将由无机材料构成的上述取向膜，通过将上述角度固定为与在上述第1PVD法设定的值不同的指定值或以与上述第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法而形成在上述基底膜的上层侧。

按照本发明的第2电光装置的制造方法，在第1工序中，在一对基板中的一方的基板的成为与电光物质相对的基板面上形成条状或格子状的遮光膜。并且，在另一方的基板上的遮光膜的上层侧形成与多个像素电极相对的对置电极。在该对置电极的表面上形成了相对于遮光膜的基板面的垂直方向的厚度对应地产生的台阶。

在第2工序中，与上述的本发明的第1电光装置的制造方法一样，通过对于形成了对置电极的另一方的基板的基板面实施第1PVD法而形成基底膜，并且，在第3工序中，在基底膜上形成取向膜。在第2工序中，在对置电极的表面的台阶附近也能够在基板面上无间隙地排列柱状构造物。由此，在与对置电极的表面产生的台阶对应地在基底膜的表面产生的台阶与对置电极的表面的台阶相比变小或者成为几乎平坦的状态。因此，在第3工序中，在基底膜上能够使柱状构造物按照相对于基板面成指定的角度的方式均匀地排列。或者，假设即使由遮光膜引起的表面台阶没有因基底膜而得到改善，与该表面台阶对应地产生的取向膜的缺陷也由基底膜所弥补。

因此，在本发明第2电光装置的制造方法中，在一对基板中的另一方的基板上，能够防止在与对置电极的表面的台阶对应的部分在取向膜中产生取向不良。此外，由于能够将基底膜增大膜厚而形成为致密的膜，所以能够防止对置电极与电光物质进行接触。此外，能够防止被膜厚和膜密度小的取向膜吸收的水分从该取向膜向基底膜扩散进而浸入对置电极等。因此，在以上说明的本发明的第2电光装置的制造方法中，能够获得与本发明的第1制造方法相同的效果。

为了解决上述问题，本发明的电光装置，具有：夹持电光物质而构成的一对基板；在该一对基板的至少一方的基板的成为与上述电光物质相对的基板面上形成的用于按每个像素的方式对上述电光物质施加指定电压的电极；通过将上述无机材料的飞行方向相对于上述基板面所成的角度以使相对于该飞行方向上述电极的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值进行第1PVD法，而在上述电极的上层侧由上述无机材料形成的基底膜；通过将上述角度固定为与在上述第1PVD法设定的值不同的指定值或以与上述第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法，而在上述基底膜的上层侧由无机材料形成的取向膜。

由于本发明的电光装置是利用上述的本发明的第1电光装置的制造方法制造的，所以能够进行高质量的图像显示并且能够实现长寿命化。

为了解决上述问题，本发明的电子设备，具有：上述的本发明的电光装置。

由于本发明的电子设备具有上述的本发明的电光装置，所以能够实现稳定地进行高质量的图像显示并且长寿命化的投影型显示装置、电视机、移动电话、电子记事簿、文字处理器、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、工作站、可视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。此外，作为本发明的电子设备，也能够实现例如电子页面等电泳装置、电子发射装置(Field Emission Display和Conduction Electron-Emitter Display)、以及作为使用这些电泳装置、电子发射装置的DLP(Digital LightProcessing)等。

为了解决上述问题，本发明的电光装置的制造装置，是制造具有夹持电光物质而构成的一对基板的电光装置的电光装置的制造装置，具有：第1装置，该装置在上述一对基板的至少一方的基板的成为与上述电光物质相对的基板面上形成用于按每个像素的方式对上述电光物质施加指定电压的电极；第2装置，该装置将由无机材料构成的取向膜的基底膜，通过将上述无机材料的飞行方向相对于上述基板面所成的角度以使相对于该飞行方向上述电极的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值而进行第1PVD法而形成在上述电极的上层侧；以及第3装置，该装置将由无机材料构成的上述取向膜，通过将上述角度固定为与在上述第1PVD法设定的值不同的指定值或以与上述第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法而形成在上述基底膜的上层侧。

本发明的电光装置的制造装置与上述的本发明的第1电光装置的制造方法一样，制造能够进行高质量的图像显示且实现长寿命化的电光装置，并且能够提高成品率。

本发明的这样的作用和其它优点通过以下说明的实施例即可了解。

附图说明

图1是表示本实施例的电光装置的整体结构的平面图。

图2是图1的H-H′剖面图。

图3(a)是更详细地表示TFT阵列基板侧的结构的剖面图，图3(b)是用于说明取向膜的液晶的取向的模式图。

图4是多个像素的各种元件、布线等的等效电路图。

图5是用于说明一起在尺寸比较大的玻璃基板上形成多个本实施例的电光装置的部分平面图。

图6是用于说明本实施例的电光装置的制造工艺的各工序的流程的图。

图7是用于模式地说明电光装置的制造所使用的制造装置的各工序的流程的模式图。

图8是表示TFT阵列基板侧的制造工艺的各工序中的与图3(a)对应的剖面的结构的剖面图。

图9(a)是表示第2处理室的结构例的图，图9(b)是模式地表示无机材料的飞行方向与TFT阵列基板的基板面的配置关系的模式图。

图10是针对本实施例的电光装置的制造工艺中的步骤S3的工序的比较例表示与图3(a)对应的剖面的结构的剖面图。

图11是针对电光装置的制造工艺中的步骤S2的工序的变形例表示与图3(a)对应的剖面的结构的剖面图。

图12是针对对置基板侧的制造工艺的各工序更详细地表示对置基板侧的结构的剖面图。

图13是表示作为应用液晶装置的电子设备的一例的投影机的结构的平面图。

图14是表示作为应用液晶装置的电子设备的一例的个人计算机的结构的立体图。

图15是表示作为应用液晶装置的电子设备的一例的移动电话的结构的立体图。

标号说明

9a-像素电极，10-TFT阵列基板，16、22-取向膜，17、25-基底膜，20-对置基板，50-液晶层。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施例。在以下的实施例中，以作为本发明的电光装置的一例的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。

1.电光装置的结构

首先，参照图1和图2说明本实施例的电光装置的整体结构。

其中，图1是从对置基板侧看到的TFT阵列基板及在其上形成的各构成要素的平面图，图2是图1的H-H′剖面图。另外，在以下参照的各图中，为了使各层或各部件在图面上达到能够识别程度的大小，而使每个层或每个部件的缩放比例不同。

在图1和图2中，在本实施例的电光装置中，TFT阵列基板10与对置基板20相对配置。在TFT阵列基板10与对置基板20之间封入了液晶层50，TFT阵列基板10与对置基板20利用设置在位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封部件52相互粘接。

密封部件52由用于将两基板粘合的例如紫外线固化树脂或热固化树脂、或者紫外线·热并用型固化树脂等构成，在制造工艺中涂敷到TFT阵列基板10上之后，利用紫外线照射、加热等使之固化。在密封部件52中分散了用于使TFT阵列基板10与对置基板20的间隔(间隙)成为指定值的玻璃纤维或玻璃微珠等间隔部件56。图2表示作为间隔部件56将大致球状的玻璃微珠混入到密封部件52中的结构。另外，也可以在混入到密封部件52中之外或代替混入其中而将间隔部件56配置到图像显示区域10a或位于图像显示区域10a的周边的周边区域。

在图1中，与配置了密封部件52的密封区域的内侧并行地在对置基板20侧设置了用于规定图像显示区域10a的边框区域的遮光性的边框遮光膜53。但是，这样的边框遮光膜53的一部分或全部也可以作为内置遮光膜而设置在TFT阵列基板10侧。

在周边区域中位于配置了密封部件52的密封区域的外侧的区域上，沿TFT阵列基板10的一边设置了数据线驱动电路101和外部电路连接端子102。此外，扫描线驱动电路104沿着与该一边相邻的2边且覆盖在上述边框遮光膜53上地设置。此外，为了将这样地设置在图像显示区域10a的两侧的2个扫描线驱动电路104间连接，沿着TFT阵列基板10的剩下的一边并且覆盖上述边框遮光膜53地设置了多条布线105。

此外，在对置基板20的4个角部配置了起两基板间的上下导通端子的作用的上下导通部件106。另一方面，在TFT阵列基板10上在与这些角部相对的区域设置了上下导通端子。由此，能够在TFT阵列基板10与对置基板20之间获得电导通。

在图2中，在TFT阵列基板10上形成了作为驱动元件的像素开关用的TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)或制入了扫描线、数据线等的布线的叠层结构。关于该叠层结构的详细结构，在图2中省略了图示，在该叠层结构的最上层按每个像素的方式以指定的图案岛状地形成了由ITO(Indium Tin Oxide)等透明材料构成的像素电极9a。并且，在像素电极9a上，埋入像素电极9a而形成了图中未示出的取向膜16的基底膜，在该基底膜上设置了由例如二氧化硅(SiO₂)等无机材料构成的取向膜16。

另一方面，在对置基板20的与TFT阵列基板10的相对面上形成了遮光膜23。遮光膜23在例如对置基板20的相对面上平面看形成格子状。在对置基板20上，由遮光膜23规定非开口区域，由遮光膜23所划分的区域成为开口区域。另外，也可以将遮光膜23形成为条状，而利用该遮光膜23和设置在TFT阵列基板10侧的数据线等各种构成要素规定非开口区域。

并且，在遮光膜23上，由ITO等透明材料构成的对置电极21与多个像素电极9a相对地形成。此外，在遮光膜23上，在图像显示区域10a中，为了进行彩色显示，也可以在包含开口区域和非开口区域的一部分的区域上形成图2未图示的滤色器。

在对置基板20的相对面上的制入了这些各种构成要素的叠层结构之上形成了由例如二氧化硅(SiO₂)等无机材料构成的取向膜22。另外，也可以在TFT阵列基板10和对置基板20中的任意一方的相对面上形成取向膜。此外，也可以由通过对利用聚酰亚胺等有机材料形成的有机膜实施摩擦处理而得到的有机取向膜形成TFT阵列基板10侧的取向膜16和对置基板20侧的取向膜22中的任意一方。但是，无机取向膜与有机取向膜相比具有耐光性优异的特性。因此，为了使电光装置实现长寿命化，最好是使用无机取向膜。

此外，液晶层50由例如混合一种或几种向列液晶的液晶构成，在未施加来自像素电极9a的电场的状态下，在一对取向膜16和22之间取指定的取向状态。在TFT阵列基板10上，取向膜16在图像显示区域10a和从图像显示区域10a延伸而连续地形成在包含周边区域的密封区域的区域上。此外，在对置基板20上，例如在与形成在TFT阵列基板10上的取向膜16相同的区域形成了取向膜22。

另外，在图1和图2所示的TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等之外，也可以形成对图像信号线上的图像信号进行采样并供给数据线的采样电路、在图像信号之前分别将指定电压电平的预充电信号供给多条数据线的预充电电路、以及用于检查制造过程中或出厂时的该电光装置的质量、缺陷等的检查电路等。

在此，图3(a)是更详细表示图2所示的TFT阵列基板10侧的结构的剖面图，图3(b)是模式地表示由于在TFT阵列基板10上形成的取向膜16而形成的液晶的取向。

在图3(a)中，在TFT阵列基板10中与液晶层50相对的一侧的基板面上形成制入了TFT等各种构成要素的叠层结构90，在该叠层结构90的最上层按每个像素的方式形成了像素电极9a。

各像素电极9a的相对于TFT阵列基板10的基板面的垂直方向的厚度d3为例如83(nm)左右。在叠层结构90的最外表面上形成了与各像素电极9a的厚度d3对应地产生的台阶。

另外，图3(a)省略了叠层结构90的详细结构，在叠层结构90中形成了多个形成扫描线等布线或TFT等驱动元件中的至少一部分的导电膜，并且形成了用于使在不同的层形成的导电膜相互层间绝缘的层间绝缘膜。并且，在例如布线或驱动元件由层间绝缘膜进行层间绝缘的状态下形成了像素电极9a。

因此，当与导电膜在相对于TFT阵列基板10的基板面的垂直方向的厚度对应的台阶在叠层结构90的下层的表面产生时，由于该台阶形状反映了上层的各个表面形状，所以在像素电极9a的表面或TFT阵列基板10的基板面上，平面看在像素电极9a间在叠层结构90的最外表面露出的层间绝缘膜的表面上也产生台阶。另外，关于在叠层结构90的表面形成的台阶，在图3(a)和图3(b)省略了其详细的结构。

在TFT阵列基板10上，在各像素电极9a的上层侧形成了取向膜16的基底膜17。基底膜17由与取向膜16相同或不同的无机材料形成。此外，基底膜17，为了使该基底膜17在像素电极9a上的膜厚成为指定值，其按照相对于TFT阵列基板10的基板面的垂直方向的厚度d2成为例如120～130(nm)的方式形成。在这种情况下，基底膜17在像素电极9a上的厚度为40～50(nm)左右。此外，优选地基底膜17与取向膜16相比形成为致密的膜。

由这样地形成的基底膜17覆盖叠层结构90的最外表面，并且，在叠层结构90的最外表面产生的台阶也由基底膜17所覆盖。虽然在基底膜17的表面产生了反映在叠层结构90的最外表面产生的台阶的台阶形状，但基底膜17的表面的台阶比在叠层结构90的最外表面产生的台阶小。由此，通过在基底膜17的表面大幅度地缓和叠层结构90的最外表面的台阶，能够实现平坦化。

如图3(b)所示，在基底膜17的表面，通过无机材料的柱状构造物16a相对于TFT阵列基板10的基板面构成指定的角度地排列，取向膜16，例如以该取向膜16的TFT阵列基板10的垂直方向的膜厚d1为20～30(nm)的方式形成。另外，优选地将取向膜16的膜厚d1与基底膜17的膜厚d2相加的膜厚(d1+d2)在5～500(nm)的范围内。

如上所述，由于基底膜17的表面具有良好的平坦性，所以在基底膜17上，能够使柱状构造物16a按照该柱状构造物16a相对于基板面成指定角度的方式均匀地排列。这样形成的取向膜16能够利用表面形状效果使液晶分子50a取向。在本实施例中，由于在取向膜16中能够得到均匀的表面形状效果，所以在电光装置中，能够防止在液晶层50中由于取向不良而引起光泄漏等，从而能够进行高质量的图像显示。

此外，优选地基底膜17形成为与取向膜16相比膜厚d2厚且致密的膜。如果这样地构成，能够防止像素电极9a与液晶接触，并且能够防止被膜厚和膜密度小的取向膜16吸收的水分从该取向膜16向基底膜17扩散进而浸入像素电极9a等。因此，在本实施例的电光装置中，能够提高耐水性和耐湿性从而实现长寿命化。

另外，假设叠层结构90的表面的台阶并没有由基底膜17所改善，但由于该表面台阶由基底膜17所覆盖，所以与该表面台阶对应地产生的取向膜16的缺陷也由基底膜17所弥补。即，针对取向膜16的致密性、耐水性或耐湿性等，只要由基底膜17提高了这些性质，即使在取向膜16本身成膜时在成为阴影的部分膜质差也几乎没有问题。

下面，参照图4说明如上述构成的电光装置的电路结构和动作。图4是构成电光装置的图像显示区域的形成矩阵状的多个像素的各种元件、布线等的等效电路。

在图4中，在构成本实施例的电光装置的图像显示区域10a的形成矩阵状的多个像素上，分别形成了像素电极9a和用于开关控制该像素电极9a的TFT30，供给图像信号的数据线6a与该TFT30的源极电连接。写入数据线6a的图像信号S1、S2、...、Sn可以按这个顺序按线依次进行供给，也可以对于相邻的多条数据线6a以每组的方式进行供给。

此外，栅电极3a与TFT30的栅极电连接，构成为在指定的定时向扫描线11a和栅电极3a脉冲式地将扫描信号G1、G2、...、Gm按这个顺序按线依次进行施加。像素电极9a与TFT30的漏极电连接，通过使作为开关元件的TFT30只在一定期间关闭其开关，在指定的定时写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...、Sn。

经由像素电极9a写入作为电光物质的一例的液晶的指定电平的图像信号S1、S2、...、Sn在像素电极9a与形成在对置基板20上的对置电极21之间被保持一定期间。液晶通过利用所施加的电压电平改变分子集合的取向或秩序能够调制光而进行灰度级显示。如果是常白模式，与按每个像素单位所施加的电压对应地对于入射光的透过率减少，如果是常黑模式，与按每个像素单位所施加的电压对应地对于入射光的透过率增加，总体上从电光装置射出具有与图像信号对应的对比度的光。

其中为了防止所保持的图像信号泄漏，与在像素电极9a与对置电极21之间形成的液晶电容并联地附加存储电容70。存储电容70包括与扫描线11a并列地设置的固定电位侧电容电极并且包括固定为恒定电位的电容电极300。

2.电光装置的制造方法

下面，参照图5～图10说明上述的本实施例的电光装置的制造工艺。

图5是用于说明在尺寸比较大的玻璃基板上一起形成多个本实施例的电光装置的部分平面图。首先，在进入本实施例的电光装置的制造工艺的各工序的说明之前，作为其前提，设采用在图5所示的尺寸比较大的玻璃基板S上一起形成多个本实施例的电光装置的方式。即，在玻璃基板S上按照分别在纵横排列成矩阵状的方式形成电光装置，在各电光装置中，分别形成参照图1～图4说明的各种构成要素(TFT30或扫描线11a、数据线6a等、或者扫描线驱动电路104或数据线驱动电路101等等)。另外，图5所示的玻璃基板S相当于图1和图2所示的TFT阵列基板10。

此外，在图5中，仅图示了TFT阵列基板10侧的形成各种构成要素的玻璃基板S，但另外在图5所未图示的玻璃基板上形成了对置电极21、取向膜22等而形成了多个对置基板20。并且，使图5未图示的另外的玻璃基板与玻璃基板S相对，针对各个电光装置分别利用密封部件52将它们粘合，并将液晶封入TFT阵列基板10和对置基板20之间。然后，通过裁切玻璃基板S和图5未图示的另外的玻璃基板而制造出图1和图2所示的各个电光装置。

下面，在以上的前提下，参照图6～图9说明本实施例的电光装置的制造工艺。图6是表示用于说明本实施例的电光装置的制造工艺的各工序的流程的图，图7是用于模式地说明电光装置的制造所使用的制造装置中的各工序的流程的模式图。此外，图8是表示TFT阵列基板10侧的制造工艺的各工序中与图3(a)对应的剖面的结构的剖面图。此外，图9(a)是概要地表示图7中的第2处理室的结构例的图，图9(b)是模式地表示无机材料的飞行方向与TFT阵列基板10的基板面的配置关系的模式图。

首先，在图6和图8(a)中，在图7所示的第1处理室501内，在TFT阵列基板10上，在制入了数据线6a、扫描线11a、TFT30等的叠层结构90的最上层形成像素电极9a(步骤S1)。

接着，将TFT阵列基板10从图7所示的第1处理室501输送到第2处理室502，在第2处理室502中，通过作为第1PVD(Physical VaporDeposition)法例如对于TFT阵列基板10实施倾斜蒸镀法或离子束溅射法，在TFT阵列基板10的形成了像素电极9a的基板面上形成基底膜17(步骤S2)。

另外，如后面所述，优选地取向膜16也与基底膜17一样地作为第2PVD法利用倾斜蒸镀法或离子束溅射法来形成。下面，对利用倾斜蒸镀法形成基底膜17和取向膜16进行说明。

如图9(a)所示，在第2处理室502中，设置了产生二氧化硅(SiO₂)等无机材料的蒸气流的蒸镀源512和保持TFT阵列基板10的保持机构514。在第2处理室502内，TFT阵列基板10，按照连接蒸镀源512和TFT阵列基板10的基板面重心位置的基准线X1、和与TFT阵列基板10的基板面垂直相交的直线X2所成的角θ0成为指定值的方式，由保持机构514保持。因此，通过改变角度θ0，能够调整由在图9(a)和图9(b)中的箭头Y1所示的在蒸镀源512中产生的无机材料的蒸气流的行进方向、即无机材料的飞行方向，与在TFT阵列基板10上形成基底膜17或取向膜16的基板面所成的角度θ1。

如图8(b)所示，在步骤S2的工序中，在TFT阵列基板10上的叠层结构90的最外表面上，以相对于无机材料的蒸气流的行进方向Y1、成为台阶的阴影的部分不是总在1处产生的方式，将角度θ1固定为例如垂直。并且，在第2处理室502内，通过使无机材料的蒸气流与叠层结构90的最外表面接触，埋入各像素电极9a而形成基底膜17。

这时，与参照图3(a)和图3(b)说明的取向膜16一样地通过使蒸镀到TFT阵列基板10的基板面上的无机材料的柱状构造物排列在叠层结构物90的最外表面上而形成基底膜17。在基底膜17中，柱状构造物相对于基板面所成的角度与无机材料的蒸气流的行进方向Y1相对于TFT阵列基板10的基板面所成的角度θ1对应。因此，通过将角度θ1固定为直角而使柱状构造物相对于基板面以垂直直立的状态进行排列，即使在叠层结构物90的台阶附近，也能够使柱状构造物在基板面上无间隙地排列，并且能够使基底膜17的成膜速度大于取向膜16的成膜速度。特别是基底膜17与取向膜16的取向功能无关。因此，由于针对TFT阵列基板10的基板面上的基底膜17的成长方向等不需要进行与取向膜16形成时相同的严格的控制，所以不需要复杂的制造装置。其结果，能够增大成膜速度而容易形成膜厚大的基底膜17，并且能够将该基底膜17以低成本形成为膜密度高的膜、即致密的膜。

然后，在将TFT阵列基板10保持在第2处理室502内的状态下在基底膜17上形成取向膜16(步骤S3)。这时，使无机材料的蒸气流的行进方向Y1相对于TFT阵列基板10的形成了基底膜17一侧的基板面所成的角度θ1固定为得到用于在取向膜16中进行取向控制的表面形状效果那样的指定值。这时的角度θ1成为与基底膜形成时不同的指定值。

图10是针对步骤S3的工序的比较例表示与图3(a)对应的剖面的结构的剖面图。在没有形成基底膜17而形成取向膜16的情况下，叠层结构90的最外表面与无机材料的蒸气流接触。这时，在叠层结构90的最外表面产生了相对于蒸气流的行进方向Y1成为台阶的阴影的部分C1。其结果，有可能无机材料难以或完全不能蒸镀到该部分C1上。

对此，在本实施例中，象已经说明的那样，能够使基底膜17的表面不存在台阶或台阶变小，即能够成为几乎平坦的状态。因此，如图8(c)所示，当使基底膜17的表面与无机材料的蒸气流接触时，能够防止在基底膜17的表面相对于蒸气流的行进方向Y1产生成为台阶的阴影的部分。因此，如上所述，在基底膜17上能够使无机材料的柱状构造物16a均匀地排列。在这样形成的取向膜16中，与基底膜17相比，柱状构造物16a间的间隙变大，因而取向膜16的膜密度小于基底膜17。

其中，如上所述，为了使无机材料的柱状构造物16a均匀地排列，优选地使取向膜16的成膜速度小于基底膜17的成膜速度。在这种情况下，由于取向膜16只要以能够得到表面形状效果程度的膜厚形成即可，所以即使成膜速度小，也能够容易地形成取向膜16。

在图6中，与步骤S1～步骤S3的TFT阵列基板10的制造工序并行地或在其前后，在图7未图示的处理室内，在对置基板20上形成制入了遮光膜23或对置电极21等的叠层结构(步骤S4)，接着，形成取向膜22(步骤S5)。

然后，将TFT阵列基板10和对置基板20输送到图7所示的第3处理室503内，在第3处理室503内，通过密封部件52将在TFT阵列基板10上形成了取向膜16的一侧与在对置基板20上形成了取向膜22的一侧相互粘合(步骤S6)。

接着，将相互粘合状态的TFT阵列基板10和对置基板20输送到图7所示的第4处理室504内，在第4处理室504内，将液晶注入到TFT阵列基板10和对置基板20之间(步骤S7)。

因此，在以上说明的本实施例的制造工艺中，象已经说明的那样，能够防止像素电极9a与液晶接触，并且能够防止被膜厚和膜密度小的取向膜16吸收的水分从该取向膜16向基底膜17扩散进而浸入像素电极9a等。因此，能够提高电光装置的制造成品率。

3.变形例

下面，参照图11和图12说明本实施例的电光装置的制造工艺的变形例。

图11是针对图6的步骤S2的工序的变形例表示与图3(a)对应的剖面的结构的剖面图。

在步骤S2的工序中，在第2处理室502内，也可以使无机材料的蒸气流的行进方向Y1与在TFT阵列基板10上的形成基底膜17或取向膜16的基板面所成的角度θ1连续地改变为多个值而进行倾斜蒸镀法。由此，在图11中，着眼于多个像素电极9a中的1个像素电极，在TFT阵列基板10的基板面上，使对于像素电极9a的无机材料的蒸气流的行进方向改变为由该行进方向与TFT阵列基板10的基板面所成的角度成为垂直的箭头Y1c所示的方向、或者如箭头Y1a和箭头Y1b所示的朝向在叠层结构90的最外表面成为由于像素电极9a产生的台阶的阴影的部分的方向。这样，在TFT阵列基板10上的叠层结构90的最外表面，通过相对于无机材料的蒸气流的行进方向不产生成为台阶的阴影的部分地使无机材料的蒸气流与叠层结构90的最外表面接触，能够形成基底膜17。因此，通过在叠层结构90的最外表面的台阶附近排列无机材料的柱状构造物也能够形成基底膜17。

此外，如以下说明，也可以利用与TFT阵列基板10侧相同的步骤在对置基板20侧形成取向膜22。图12是更详细地表示对置基板20侧的制造工艺的各工序的与图2所示的对置基板20侧的剖面对应的结构的剖面图。

在图12(a)中，象已经说明的那样，在对置基板20上与液晶层50相对的基板面上形成制入了遮光膜23或对置电极21等的叠层结构。如图12(a)所示，在成为叠层结构的最外表面的对置电极21的表面上，与遮光膜23的相对于对置基板20的基板面的垂直方向的厚度对应地产生了台阶。

在图12(b)中，利用与已经说明的步骤S2相同的工序在对置电极21上形成取向膜22的基底膜25。这时，通过在对置电极21的表面的台阶附近无间隙地排列柱状构造物，也能够形成基底膜25。因此，在基底膜25的表面上，能够使与对置电极21的表面的台阶对应地产生的台阶比对置电极21的表面的台阶小，从而能够实现平坦化。

然后，在图12(C)中，利用与已经说明的步骤S3相同的工序，在基底膜25上形成取向膜22。与TFT阵列基板10侧的取向膜16一样，通过在基底膜25上使柱状构造物以相对于对置基板20的基板面成指定的角度的方式均匀地排列而能够形成取向膜22。

通过这样地在对置基板20侧形成取向膜22，在对置基板20上与对置电极21的表面的台阶对应的部分，能够防止在取向膜22中产生取向不良，并且能够防止对置电极21与液晶接触。此外，能够防止被膜厚和膜密度小的取向膜22吸收的水分从该取向膜22向基底膜25扩散进而浸入对置电极21等。或者，假设即使由遮光膜23引起的对置电极21的表面台阶没有通过基底膜25得到改善，与该表面台阶对应地产生的取向膜22的缺陷也可以由基底膜25所弥补。

4.电子设备

下面，说明将上述的液晶装置应用于各种电子设备的情况。

4-1.投影机

首先，说明将该液晶装置作为光阀使用的投影机。图13是表示投影机的结构例的平面图。如该图所示，在投影机1100内部设置了由卤素灯等白色光源构成的灯单元1102。从该灯单元1102射出的投影光由配置在光导1104内的4块反射镜1106和2块分色镜1108分离为RGB的3原色，并入射到作为与各原色对应的光阀的液晶面板1110R、1110B和1110G上。

液晶面板1110R、1110B和1110G的结构与上述的液晶装置相同，它们分别由从外部电路(图示省略)供给外部连接用端子102的R、G、B的原色信号来驱动。并且，由这些液晶面板调制的光从3个方向入射到分色棱镜1112上。在该分色棱镜1112中，R和B光折射90度，而G光直线行进。因此，各色的图像被合成，其结果，通过投影透镜1114彩色图像被投影到屏幕等上。

其中，对于各液晶面板1110R、1110B和1110G的显示像来说，液晶面板1110G的显示像需要相对于液晶面板1110R、1110B的显示像左右反转。

另外，由于与R、G、B各原色对应的光利用分色棱镜1108入射到液晶面板1110R、1110B和1110G上，所以不需要设置滤色器。

4-2.移动型计算机

下面，说明将液晶装置应用于移动型的计算机的例子。图14是表示该个人计算机的结构的立体图。在图中，计算机1200由具有键盘1202的本体部1204和液晶显示单元1206构成。该液晶显示单元1206通过在上述的液晶装置1005的背面附设后照灯而构成。

4-3.移动电话

下面，说明将该液晶面板应用于移动电话的例子。图15是表示该移动电话的结构的立体图。在图中，移动电话1300具有多个操作按钮1302和反射型的液晶装置1005。对于该反射型的液晶装置1005，根据需要可以在其前面设置前照灯。

另外，除了参照图13～图15说明的电子设备外，还有液晶电视、取景器型和监视器直视型的视频磁带录像机、汽车导航装置、呼机、电子记事簿、计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、具有触摸面板的装置等。并且，当然也能够应用于这些各种电子设备。

本发明不限于上述的实施例，在不违反权利要求和说明书全体所述的发明的宗旨或思想的范围内能够进行适当变更，而伴随这样的变更而获得的电光装置的制造方法和制造装置以及具有利用该制造方法制造的电光装置的电子设备也包含在本发明的技术范围内。

Claims (13)

1.一种电光装置的制造方法，是制造具有夹持电光物质而构成的一对基板的电光装置的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，该工序在上述一对基板的至少一方的基板的成为与上述电光物质相对的基板面上形成用于按每个像素的方式对上述电光物质施加指定电压的电极；

第2工序，该工序将由无机材料构成的取向膜的基底膜，通过将上述无机材料的飞行方向相对于上述基板面所成的角度以使相对于该飞行方向上述电极的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值进行第1PVD法而形成在上述电极的上层侧；以及

第3工序，该工序将由无机材料构成的上述取向膜，通过将上述角度固定为与在上述第1PVD法设定的值不同的指定值或以与上述第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法而形成在上述基底膜的上层侧。

2.如权利要求1所述的电光装置的制造方法，其特征在于：上述第3工序包括形成比上述基底膜的膜密度小的取向膜的工序。

3.如权利要求1或2所述的电光装置的制造方法，其特征在于：上述第3工序包括以比上述第2工序低的成膜速度形成上述取向膜的工序。

4.如权利要求1～3中的任意一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于：上述第3工序包括由与上述基底膜相同的无机材料形成上述取向膜的工序。

5.如权利要求1～4中的任意一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于：上述第2工序包括将上述1个或多个角度设为垂直而进行上述第1PVD法的工序。

6.如权利要求1～4中的任意一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于：上述第2工序包括使上述角度连续地变化为多种角度而进行上述第1PVD法的工序。

7.如权利要求1～6中的任意一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于：利用倾斜蒸镀法进行上述第2工序的上述第1PVD法或上述第3工序的上述第2PVD法。

8.如权利要求1～6中的任意一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于：利用离子束溅射法进行上述第2工序的上述第1PVD法或上述第3工序的上述第2PVD法。

9.如权利要求1～8中的任意一项所述的电光装置的制造方法，其特征在于：上述第1工序包括作为上述电极形成像素电极的工序、形成用于驱动上述像素电极的布线或驱动元件的工序、以及形成用于将该布线或驱动元件与上述像素电极进行层间绝缘的层间绝缘膜的工序。

10.一种电光装置的制造方法，是制造具有夹持电光物质而构成的一对基板的电光装置的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，该工序在上述一对基板中的一方的基板的成为与电光物质相对的基板面上形成用于按每个像素的方式规定开口区域的遮光膜之后，在该遮光膜的上层侧形成与在上述一对基板中的另一方的基板上按每个像素的方式所形成的像素电极相对的对置电极；

第2工序，该工序将由无机材料构成的取向膜的基底膜，通过将上述无机材料的飞行方向相对于上述基板面所成的角度以使相对于该飞行方向上述对置电极的表面的台阶的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值进行第1PVD法而形成在上述对置电极的上层侧；以及

第3工序，该工序将由无机材料构成的上述取向膜，通过将上述角度固定为与在上述第1PVD法设定的值不同的指定值或以与上述第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法而形成在上述基底膜的上层侧。

11.一种电光装置，其特征在于，具有：

夹持电光物质而构成的一对基板；

在该一对基板的至少一方的基板的成为与上述电光物质相对的基板面上形成的用于按每个像素的方式对上述电光物质施加指定电压的电极；

通过将上述无机材料的飞行方向相对于上述基板面所成的角度以使相对于该飞行方向上述电极的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值而进行第1PVD法，在上述电极的上层侧由上述无机材料形成的基底膜；

通过将上述角度固定为与在上述第1PVD法设定的值不同的指定值或以与上述第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法，在上述基底膜的上层侧由无机材料形成的取向膜。

12.一种电子设备，其特征在于：具有权利要求11所述的电光装置。

13.一种电光装置的制造装置，是制造具有夹持电光物质而构成的一对基板的电光装置的电光装置的制造装置，其特征在于，包括：

第1装置，该装置在上述一对基板的至少一方的基板的成为与上述电光物质相对的基板面上形成用于按每个像素的方式对上述电光物质施加指定电压的电极；

第2装置，该装置将由无机材料构成的取向膜的基底膜，通过将上述无机材料的飞行方向相对于上述基板面所成的角度以使相对于该飞行方向上述电极的阴影不是总在1处产生的方式设定为1个或多个值而进行第1PVD法，形成在上述电极的上层侧；以及

第3装置，该装置将由无机材料构成的上述取向膜，通过将上述角度固定为与在上述第1PVD法设定的值不同的指定值或以与上述第1PVD法不同的成膜条件进行第2PVD法，形成在上述基底膜的上层侧。

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