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CN1638537A - 发光器件、具有发光器件的显示装置及该装置的制造方法 - Google Patents

发光器件、具有发光器件的显示装置及该装置的制造方法 Download PDF

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CN1638537A
CN1638537A CNA2004100822695A CN200410082269A CN1638537A CN 1638537 A CN1638537 A CN 1638537A CN A2004100822695 A CNA2004100822695 A CN A2004100822695A CN 200410082269 A CN200410082269 A CN 200410082269A CN 1638537 A CN1638537 A CN 1638537A
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CN
China
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barrier layer
layer
electrode
oxide
light emitting
Prior art date
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CNA2004100822695A
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郑载勋
金勋
崔埈厚
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Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

一种发光器件,包括形成在衬底上的发光元件、形成在发光元件上的第一阻挡层及介于发光元件和第一阻挡层之间的吸收层。第一阻挡层防止空气中的氧或湿气渗透到产生光的发光元件中。吸收层吸收通过第一阻挡层的氧或湿气。发光器件可以具有减小的体积和提高的寿命。本发明还公开了一种具有该发光器件的显示装置及该显示装置的制造方法。

Description

发光器件、具有发光器件的显示装置及该装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光器件、具有该发光器件的显示装置、以及制造该显示装置的方法。特别是,本发明涉及一种具有减小的体积和提高的耐用性的发光器件、包括该发光器件的显示装置、以及制造该显示装置的方法。
背景技术
近年来,信息处理装置变得更加重要且信息处理装置被广泛地用于不同工业的各个领域。但是,因为被信息处理装置处理的数据通常表示为电信号或编码,所以用户不能用肉眼直接识别被处理的数据。因此,用户需要显示装置作为界面以便识别被信息处理装置被处理的数据。
显示装置通常分为发射显示装置和非发射显示装置。发射显示装置典型包括阴极射线管(CRT)、等离子体显示屏(PDP)、发光二极管(LED)、电致发光显示(ELD)器件等。非发射显示装置典型包括液晶显示(LCD)器件、电化学显示(ECD)、电泳图像显示(EPID)等。
在发射显示装置中,ELD器件变得越来越重要。根据其电致发光材料,ELD器件典型分为无机电致发光显示器件和有机电致发光显示器件。
有机电致发光显示器件具有阳极电极和阴极电极以及有机发光层。由于有机发光层由有机材料组成,氧气或湿气渗透到有机发光层中,造成有机发光层的性能恶化。当有机发光层与空气中的氧或湿气接触时,有机发光层的寿命将会快速缩短。
表1表示传统有机电致发光显示器件产生光的亮度。在表1中,有机电致发光显示器件暴露在低质量环境中,该环境中湿气的含量大约为80%,温度大约为80℃,且所施加的电流大约为20mA/cm2。有机电致发光显示器件的寿命对应于当有机电致发光显示器件所产生光的亮度变为其初始亮度一半时的时间。
                                 表1
  时间(小时)     亮度(%)
    0     100
    5     81
    10     75.5
    15     71
    20     67
    25     64
    30     60
    35     57
    40     53
    43.6     50
如表1所示,随着时间的流逝,有机电致发光显示器件所产生光的亮度成比例地快速降低。在大约43小时后,有机电致发光显示器件所产生光的亮度减小到其初始亮度的一半。即,当有机电致发光显示器件与空气中的湿气或氧快速接触时,有机电致发光显示器件可具有大约43小时的寿命。
考虑到这个问题,提供了一种有机电致发光显示器件,其包括防止湿气或氧与有机电致发光显示器件直接接触的金属帽。但是,当有机电致发光显示器件被金属帽覆盖时,湿气或氧可以经由金属帽与有机电致发光显示器件之间的缝隙逐渐渗透到有机电致发光显示器件中。因此,由于渗透的氧或湿气,有机电致发光显示器件的电特性和寿命可能逐渐恶化。而且,当有机电致发光显示器件具有金属帽时,有机电致发光显示器件可能具有增加的体积和重量。
发明内容
本发明提供一种具有减小体积的发光器件,其通过阻挡氧或湿气的渗透而防止发光层的恶化。
本发明还提供一种通过采用该发光器件来增加寿命的显示装置。
本发明还提供一种采用该发光器件后寿命增加的显示装置的制造方法。
根据本发明的一个示范性实施例,一种发光器件包括衬底、发光元件、至少一个第一阻挡层和至少一个吸收层。该发光元件位于衬底上以产生光。第一阻挡层形成在发光元件上以防止氧或湿气渗透到第一阻挡层中。吸收层形成在发光元件和第一阻挡层之间以吸收通过第一阻挡层的一部分氧或湿气。发光元件包括第一电极、与第一电极对应的第二电极、以及形成在第一电极和第二电极之间的有机发光层。第二电极可以包括透明的导电材料或不透明的导电材料,且同样第一电极可以包括不透明的导电材料或透明的导电材料。第一阻挡层可以包括二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛、聚乙炔族、聚酰亚胺族等。吸收层可以包括氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝等。发光器件可以包括形成在第一阻挡层上的加强元件和/或形成在吸收层和发光元件之间的第二阻挡层。第二阻挡层可以包括二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛、聚乙炔族、聚酰亚胺族等。这里,吸收层可以包括钙、钡、镁、铝等。此外,发光器件可以进一步包括交替地位于发光元件上的多个第一阻挡层和多个吸收层。
根据本发明的另一个示范性实施例,用于显示图像的显示装置包括衬底、显示元件、第一阻挡层和吸收层。显示元件位于衬底上以产生用于显示图像的红光、绿光和蓝光。第一阻挡层形成在发光元件上以防止氧或湿气渗透进第一阻挡层。吸收层介于发光元件和第一阻挡层之间以吸收通过第一阻挡层的一部分氧或湿气。
根据本发明的又一个示范性实施例,如下制造显示装置。在该方法中,用于产生光的显示元件形成在衬底上。吸收层形成在显示元件上以吸收渗透到吸收层中的一部分氧或湿气。第一阻挡层形成在显示元件和吸收层之间以防止氧或湿气渗透到第一阻挡层中。第二阻挡层可以形成在显示元件和吸收层之间。
根据本发明,发光器件包括至少一个第一阻挡层和/或至少一个吸收层。第一阻挡层防止空气中的氧或湿气渗透到发光元件中。吸收层吸收渗透其中的氧或湿气。此外,吸收层可以在其中形成氧化物或氢氧化物。因此,阻挡层和吸收层一起有效地防止氧和/或湿气渗透到发光元件中。此外,通过防止氧和/或湿气的渗透,具有发光器件的显示装置可具有提高的寿命和可靠性。
附图说明
参考结合附图考虑的以下详细描述,本发明的上述和其它的特征和优点变得更容易理解,在附图中:
图1是说明根据本发明的一个实施例的发光器件的横断面视图;
图2是说明图1中的发光元件的横断面视图;
图3是说明根据本发明的另一个实施例的发光器件的横断面视图;
图4是说明形成在图1的第一阻挡层上的加强元件的横断面视图;
图5是说明根据本发明的又一实施例的发光元件的横断面视图;
图6是说明根据本发明的一个实施例的显示装置的横断面视图;
图7A到7D是说明根据本发明的一个示范性实施例制造显示装置的方法的横截面视图;
图8是说明根据本发明的另一个示范性实施例制造显示装置的方法的横截面视图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本发明,在附图中示出了本发明的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式实现且不应该解释为局限在前述的实施例中;更恰当的说,提供这些实施例使得本公开将是彻底且完整的,并向本领域的技术人员传达本发明的范围。在附图中,为了清楚起见层和区域的厚度被放大了。全文中相同的附图标记表示相似或相同的元件。应当理解,当提到诸如层、区域或衬底的一个元件在另一个元件“上”或“上面”时,可以直接在其它元件上或也可以存在介于其间的元件。
发光器件
图1是说明根据本发明的一个实施例的发光器件的横断面视图以及图2是说明图1中的发光元件的横断面视图。
参考图1,发光器件100包括衬底110、发光元件120、吸收层140、以及第一阻挡层130。
衬底110可以包括透明板。例如,衬底110包括透明玻璃衬底或例如聚碳酸酯、聚酯磺酸盐的柔性衬底。可替换地,衬底110可以包括不透明衬底。例如不透明衬底包括金属衬底。
参考图1和图2,用于产生光的发光元件120形成在衬底110上。发光元件120包括直接形成在衬底110上的第一电极121、位于第一电极121上的有机发光层123、以及位于该有机发光层123上的第二电极125。
第一电极121对应于阳电极,其提供空穴,而第二电极125对应于阴电极,其提供电子。
有机发光层123介于第一和第二电极121和125之间。当电子和空穴被分别注入到有机发光层123中时,通过将电子与空穴耦合而产生激子。当激子由激发态变为基态时,该有机发光层123产生光。
第一电极121可以使用诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成。第二电极125可以使用诸如钙、钡、镁、铝(Al)或它们的合金的金属而形成。可替换地,第一电极121可以使用金属形成,而第二电极125可以使用透明导电材料形成。
有机发光层123可以被渗透到有机发光层123中的氧或湿气恶化,从而由此大大地减小了有机发光层123产生光的亮度。
为了防止有机发光层123的特性恶化,在发光器件120中设置第一阻挡层130。即,通过阻止氧或湿气通过第一阻挡层130,第一阻挡层130防止发光器件120恶化。第一阻挡层130可以使用透明的无机材料或透明的无机化合物(如玻璃或透明的氧化铝)形成。可替换地,第一阻挡层130可以使用不会与氧或湿气反应的透明有机材料形成。优选地,第一阻挡层130将由发光器件120产生的光的透射率控制在大约40到大约100百分比。特别是,相比较于第一阻挡层130包括透明有机材料或透明有机化合物的情况,包括透明无机材料或无机化合物的第一阻挡层130可以通过有效地阻挡氧或湿气而更有效地防止有机发光层123的恶化。
但是,相比较于包括透明有机材料或有机化合物的第一阻挡层130,包括透明无机材料或无机化合物的第一阻挡层130可具有相对高的制造成本的缺点。因此,如果情况需要,第一阻挡层130包括有机材料或无机材料。
在本发明的一个实施例中,第一阻挡层130可以使用诸如氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)、氧化镁膜(MgO)、氧化铝膜(AlO)、氮化铝膜(AlN)或氧化钛膜(TiO)的无机材料形成。当第一阻挡层130包括这些无机材料时,因为第一阻挡层130具有相对致密的结构,则第一阻挡层130可以有效地防止氧或湿气的渗透。
在本发明的另一个实施例中,第一阻挡层130可以使用诸如聚乙炔族或聚酰亚铵族的有机材料形成。
第一阻挡层130可以具有大约100到大约100,000的厚度,以便通过充分地阻挡氧或湿气而保护发光元件120。例如,第一阻挡层130具有大约1到大约60[g/m2.天]的氧或湿气的渗透量。
吸收层140形成在第一阻挡层130和发光元件120之间。吸收层140与通过其中的氧反应,使得根据氧与包含在吸收层140中的成分之间的反应在吸收层140中形成氧化物。此外,吸收层140与通过其中的湿气反应,使得根据氢氧化物与包含在吸收层140中的成分之间的反应在吸收层140中形成氢氧化物。可替换地,吸收层140可以物理吸收氧或湿气。
为了防止氧或湿气的渗透,吸收层140包括使用与氧或湿气充分反应的材料形成的薄膜。例如,吸收层140包括氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)等。
当吸收层140直接与发光元件120接触时,吸收层140可以包括诸如氧化钙、氧化钡、氧化镁或氧化铝的金属氧化物。吸收层140可以具有大约10到大约10,000的厚度以便适当地将透射率调节到大约40到大约90百分比。当吸收层140具有薄的厚度时,由发光元件120产生的光可以容易地通过吸收层140。
在本发明的一个实施例中,发光元件120可以包括连续地形成在衬底110上的不透明第一电极、有机发光层以及透明第二电极。可替换地,发光元件120可以包括依次地位于衬底110上的不透明第一电极、有机发光层和透明第二电极。
图3是说明根据本发明的另一实施例的发光器件的横断面视图。
参考图3,发光器件包括交替地位于发光元件120上的吸收层140和第一阻挡层130,以便由此通过阻挡渗透到发光元件120中的氧或湿气而保护发光元件120。相比较于一个吸收层和一个第一阻挡层,交替形成的吸收层140和第一阻挡层130更有效地防止阻挡氧或湿气从中通过。因此,可以有效地保护发光元件120不受氧或湿气的影响。
当吸收层140和第一阻挡层130形成在发光元件120上时,吸收层140、第一阻挡层130和/或发光元件120将会由于冲击、振动、刮擦等而被损伤。
图4是说明形成在图1中的第一阻挡层上的加强元件的横截面视图。
参考图4,具有高机械强度的加强元件150形成在第一阻挡层130上。加强元件150可以包括塑料树脂或玻璃。加强元件150辅助地防止氧或湿气渗透到第一阻挡层130中。
如上所述,至少一个吸收层140和至少一个第一阻挡层130形成在发光元件120上。吸收层140与空气中的湿气或氧反应以形成氧化物或氢氧化物,使得氧或湿气不能渗透到发光元件120中。此外,第一阻挡层130阻挡湿气或氧的渗透,由此有效地防止发光元件120恶化。因此,发光元件120可以具有提高的特性。
图5是说明根据本发明的又一实施例的发光器件的横断面视图。在本实施例中,除了第二阻挡层160,发光器件具有与图1中的发光器件基本相同的结构。
参考图5,发光器件包括介于发光元件120和吸收层140之间的第二阻挡层160。第二阻挡层160可以使用二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化钛等形成。可替换地,第二阻挡层160可以使用聚乙炔族或聚酰亚铵族形成。即,第二阻挡层160可以使用与第一阻挡层130基本相同的材料形成。
由于第二阻挡层160形成在发光元件120上,所以吸收层140位于第一阻挡层130和第二阻挡层160之间。
当吸收层140形成在第一和第二阻挡层130和160之间时,吸收层140可以包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、它们的氧化物等。在吸收层140包括钙、钡、镁或铝的情况下,吸收层140可以有效地与氧或湿气反应。因此,氧或湿气可能很难通过吸收层140,使得可以有效地防止发光元件120恶化。
表2表示发光元件120所产生光的亮度随时间的变化。在表2中,发光元件120暴露在低质量的环境中,在该环境中湿气的含量大约为80%,温度大约为80℃且所施加的电流大约为20mA/cm2。这里,发光元件120受到第一阻挡层130、吸收层140和第二阻挡层160的保护。
                                        表2
    时间(小时)     亮度(%)
    0     100%
    100     67.7%
    200     61.0%
    300     57.0%
    400     54.0%
    500     52.0%
    590     50.0%
如表2所示,发光元件120所产生光的亮度随着时间的流逝成比例地慢慢减小。在大约500小时到600小时后,由发光元件120产生的光的亮度减小到其初始亮度的一半。相比较于表1中的传统发光元件的寿命,发光元件120的寿命增加了超过几十倍。
如上所述,第一阻挡层130、吸收层140和第二阻挡层160依次地形成在发光元件120上从而由此防止发光元件120的寿命减少。
显示装置
图6是说明根据本发明的一个实施例的显示装置的横断面视图。
参考图6,显示装置200包括衬底210、显示元件220、第一阻挡层230和吸收层240。
衬底210可以包括透明板或不透明板。例如,衬底210包括透明玻璃板。
显示元件220包括第一电极221、有机发光层223、以及第二电极225。第一电极222以矩阵结构设置于衬底210上。有机发光层223位于第一电极221上,且第二电极225形成在有机发光层223上。
在本发明的一个实施例中,每一个第一电极221与阳极电极对应,其将空穴提供给有机发光层223。第一电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或无定形氧化铟锡(a-ITO)等的透明导电材料。
第二电极225对应于阴极电极,其将电子提供给有机发光层223。第二电极225可以包括诸如铝或铝合金的不透明导电材料。
位于第一电极221和第二电极225之间的有机发光层223利用空穴和电子结合引起的结合能来产生光。有机发光层223可以包括空穴注入层223a和发光层223b。发光层223b可以包括用于产生红光的发红光层、用于产生绿光的发绿光层、和用于产生蓝光的发蓝光层。
在本发明的一个实施例中,包括铝或铝合金的第二电极225可以位于衬底210上,有机发光层223可以形成在第二电极225上。这里,包括ITO、IZO或a-ITO的第一电极221可以位于有机发光层223上。
第一阻挡层230包围显示元件220以防止氧或湿气渗透到显示元件220中。因此,第一阻挡层230可通过阻挡氧或湿气通过其中而防止显示元件220的恶化。此外,第一阻挡层230可以提高由有机发光层223产生的光的亮度。
第一阻挡层230可包括要与氧或湿气反应的透明无机材料或透明有机材料。第一阻挡层230的光透射率可以在大约40到大约100百分比的范围内。
当第一阻挡层230包括透明无机材料时,第一阻挡层230可有利地防止氧或湿气渗透到显示元件220中。如果第一阻挡层230包括透明有机材料,则第一阻挡层230可以某种程度地阻碍氧或湿气渗透到显示元件220中。但是,当第一阻挡层230使用透明有机材料形成时,相比较于透明无机材料,第一阻挡层230的制造成本可以显著地减少。
第一阻挡层230可以使用诸如金属氧化物的无机材料形成。例如,第一阻挡层230包括二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛等。这些金属氧化物具有致密的结构,使得第一阻挡层230可以有效地防止氧或湿气渗透进发光元件220中。可替换地,第一阻挡层230可以包括诸如聚乙炔族或聚酰亚铵族的有机材料。
第一阻挡层230可以具有大约100到大约100μm的厚度,以便充分地防止氧或湿气渗透到发光元件220中。这里,第一阻挡层230可以具有大约1到大约60[g/m2.天]范围内的氧或湿气的渗透量。
吸收层240形成在第一阻挡层230和发光元件220之间。包含在吸收层240中的成分与通过其中的氧或湿气反应,由此在其中形成氧化物或氢氧化物。因此,可以有效地防止氧或湿气的渗透。例如,吸收层240包括诸如氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)等的金属氧化物。可替换地,吸收层240可以包括诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)等的高活性金属。
特别是,当吸收层240可以直接与发光元件220接触时,吸收层240包括诸如氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝等的金属氧化物。但是,当含有高活性金属的吸收层240可以直接接触发光元件220时,发光元件220可能被腐蚀或损坏。
吸收层240可以具有大约10到大约10,000的厚度以便将其光透射率控制在大约40到大约90百分比。当吸收层240具有薄的厚度时,由发光元件220产生的光可以容易地通过吸收层240。因此,发光元件220可以包括连续形成在衬底210上的透明的第一电极、有机发光层和不透明的第二电极。可替换地,发光元件220可以包括顺序地形成在衬底210上的不透明的第一电极、有机发光层和透明的第二电极。
制造显示装置的方法
图7A到7D是说明根据本发明的一个示范实施例制造显示装置的方法的横断面视图。
参考图7A,第一电极221以矩阵形状形成在衬底210上。在形成第一电极221的工艺中,使用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)在衬底210上形成透明的导电薄膜。通过光刻工艺将透明导电薄膜构图成矩阵形式,从而由此在衬底210上形成第一电极221。
参考图7B,具有空穴注入层223a和发光层223b的有机发光层223被形成在第一电极221上。在本发明的一个实施例中,在空穴注入层223a形成于第一电极221上后,将发光层223b形成在空穴注入层223a上。
形成第二电极225以覆盖发光层223b。可以使用铝或铝合金通过溅射工艺或蒸发工艺形成第二电极225。
参考图7C,吸收层240被形成在第二电极225上。吸收层240可以使用诸如氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝等的金属氧化物形成。吸收层240具有从第二电极225的上表面测量的、大约10到大约1μm的厚度,使得吸收层240具有大约40%到大约90%的光穿过其中的透射率。通过与吸收层240中含有的成分反应,空气中的氧或湿气变为氧化物或氢氧化物。因此,吸收层240防止显示元件220由于氧或湿气而恶化。
参考图7D,第一阻挡层230形成在吸收层240上。第一阻挡层230可以包括诸如二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛等无机材料。可替换地,第一阻挡层230可以包括诸如聚乙炔族、聚酰亚铵族等有机材料。第一阻挡层230阻碍氧或湿气渗透。
在本发明的一个实施例中,多个第一阻挡层230和多个吸收层240可以交替形成,以便完全防止氧或湿气渗透到其中。
图8是说明根据本发明的另一个示范性实施例制造显示装置的方法的横断面视图。在本实施例中,除了形成第二阻挡层230的步骤,制造显示装置的方法基本上与参考图7A到7D描述的方法相同。
参考图8,在于衬底210上形成第二电极225之后,第一阻挡层260被形成在衬底210上以覆盖第二电极225。第一阻挡层260可以包括诸如二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛等无机材料。可替换地,第一阻挡层260可以包括诸如聚乙炔族、聚酰亚铵族的有机材料。第一阻挡层260阻碍来自外部的氧或湿气渗透。
形成吸收层240以覆盖第一阻挡层260。吸收层240可以包括诸如钙、钡、镁、铝等活性金属。因此,吸收层240可容易地与氧或湿气反应。因此,氧或湿气不可能通过吸收层260到达显示元件220,使得显示元件220的电特性改善。吸收层240可以具有大约10到大约10,000的厚度,以精确地将其光透射率控制在大约40到大约90百分比。
第二阻挡层230被形成在吸收层240上。第二阻挡层230可以包括诸如二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛等的无机材料。可替换地,第二阻挡层230可以包括诸如聚乙炔族、聚酰亚铵族等有机材料。即,第二阻挡层230使用与第一阻挡层260基本相同或不同的材料形成。第二阻挡层230辅助地阻碍氧或湿气的渗透到其中。因此,第一和第二阻挡层260和230以及吸收层240可以更有效地防止氧或湿气渗透进显示元件220。
根据本发明,发光器件包括至少一个第一阻挡层和/或至少一个吸收层。第一阻挡层防止空气中的氧或湿气渗透进发光元件。吸收层与渗透到其中的氧或湿气反应,使得吸收层吸收氧或湿气。此外,吸收层可以在其中形成氧化物或氢氧化物。因此,阻挡层和吸收层一起有效地防止氧和/或湿气渗透进发光元件。此外,具有该发光器件的显示装置可以具有增加的寿命和减小的体积。
尽管已经描述了本发明的示范性实施例,应当理解,由于许多明显的变化都是可能的,而不脱离如所附权利要求的精神或范围,则由所附权利要求所限定的本发明并不局限于上述列出的特殊细节。

Claims (30)

1.一种发光器件,包括:
衬底;
发光元件,设置在该衬底上以产生光;
至少一个第一阻挡层,形成在该发光元件上以防止氧或湿气渗透到该第一阻挡层中;以及
至少一个吸收层,形成在所述发光元件和所述第一阻挡层之间以吸收通过所述第一阻挡层的一部分所述氧或湿气。
2.根据权利要求1的发光器件,其中所述吸收层通过与通过所述第一阻挡层的一部分所述氧或湿气反应而形成氧化物或氢氧化物。
3.根据权利要求1的发光器件,其中所述发光元件包括第一电极、对应于所述第一电极的第二电极、以及形成在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层。
4.根据权利要求3的发光器件,其中所述第二电极由透明的导电材料组成且所述第一电极由不透明的材料组成。
5.根据权利要求3的发光器件,其中所述第二电极由不透明的导电材料组成且所述第一电极由透明的导电材料组成。
6.根据权利要求1的发光器件,其中所述第一阻挡层由二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛或它们的组合中的至少一种组成。
7.根据权利要求1的发光器件,其中所述第一阻挡层由聚乙炔族、聚酰亚铵族或它们的结合中的至少一种组成。
8.根据权利要求1的发光器件,其中所述第一阻挡层具有大约100到大约100,000的厚度且具有大约1到大约60g/m2.天的氧或湿气的渗透量。
9.根据权利要求1的发光器件,其中所述第一阻挡层的光透射率在大约40到大约100百分比的范围内。
10.根据权利要求1的发光器件,其中所述吸收层由氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝或它们的结合中的至少一种组成。
11.根据权利要求1的发光器件,其中所述吸收层具有大约1到10μm的厚度以将所述吸收层的光透射率调节到大约40到大约90百分比。
12.根据权利要求1的发光器件,进一步包括形成在所述第一阻挡层上的加强元件。
13.根据权利要求1的发光器件,其中多个所述第一阻挡层和多个所述吸收层交替地设置在所述发光元件上。
14.根据权利要求1的发光器件,进一步包括形成在所述吸收层和所述发光元件之间的第二阻挡层。
15.根据权利要求14的发光器件,其中所述第二阻挡层由二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛或它们的结合中的至少一种组成。
16.根据权利要求14的发光器件,其中所述第二阻挡层由从聚乙炔族、聚酰亚铵族或它们的结合所构成的组中选择出的至少一种组成。
17.根据权利要求14的发光器件,其中,所述吸收层由钙、钡、镁、铝、氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝或它们的结合中的至少一种组成。
18.一种用于显示图像的显示装置,包括:
衬底;
显示元件,设置于该衬底上以产生用于显示图像的红光、绿光和蓝光;
第一阻挡层,形成在该发光元件上以防止氧或湿气渗透进所述第一阻挡层;以及
吸收层,介于所述发光元件和所述第一阻挡层之间以吸收通过所述第一阻挡层的一部分氧或湿气。
19.根据权利要求18的显示装置,其中所述吸收层通过与通过所述第一阻挡层的一部分氧或湿气反应而形成氧化物或氢氧化物。
20.一种制造显示装置的方法,包括:
在衬底上形成用于产生光的显示元件;
在该显示元件上形成吸收层以吸收渗透到该吸收层中的氧或湿气;及
形成第一阻挡层以防止所述氧或湿气渗透进所述第一阻挡层。
21.根据权利要求20的方法,其中所述吸收层被形成为通过与所述氧或湿气反应形成来形成氧化物或氢氧化物。
22.根据权利要求20的方法,其中形成显示元件包括:
使用透明的导电材料在该衬底上形成第一电极;
在该第一电极上形成有机发光层;以及
使用不透明的导电材料在所述有机发光层上形成第二电极。
23.根据权利要求20的方法,其中形成显示元件包括:
使用不透明的导电材料在该衬底上形成第一电极;
在该第一电极上形成有机发光层;以及
使用透明的导电材料在所述有机发光层上形成第二电极。
24.根据权利要求20的方法,其中使用钙、钡、镁、铝、氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝或它们的结合中的至少一种形成所述吸收层。
25.根据权利要求20的方法,其中使用二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛以及它们的结合中的至少一种形成所述第一阻挡层。
26.根据权利要求20的方法,其中使用聚乙炔族、聚酰亚铵族或它们的结合中的至少一种形成所述第一阻挡层。
27.根据权利要求20的方法,进一步包括在所述显示元件和所述吸收层之间形成第二阻挡层。
28.根据权利要求27的方法,其中使用从由二氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化铝、氮化铝和氧化钛构成的组中选出的任何一种形成该第二阻挡层。
29.根据权利要求27的方法,其中使用聚乙炔族、聚酰亚铵或它们的结合中的至少一种形成所述第二阻挡层。
30.根据权利要求27的方法,其中使用钙、钡、镁、铝、氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝或它们的结合中的至少一种形成所述吸收层。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103137885A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件的复合封装结构及其封装方法
CN103137886A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件的复合封装结构及其封装方法
CN104009058A (zh) * 2013-02-27 2014-08-27 宏达国际电子股份有限公司 显示模块及其制造方法
CN104183795A (zh) * 2013-05-27 2014-12-03 纬创资通股份有限公司 有机光电元件封装结构以及封装方法
CN109904345A (zh) * 2019-02-28 2019-06-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 封装结构及其显示装置
CN110710013A (zh) * 2017-06-09 2020-01-17 株式会社Lg化学 封装膜
CN110710012A (zh) * 2017-06-09 2020-01-17 株式会社Lg化学 封装膜
CN110731017A (zh) * 2017-06-09 2020-01-24 株式会社Lg化学 封装膜

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006252885A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置、露光ヘッド、画像形成装置、電子機器
EP1875779A4 (en) * 2005-04-15 2009-11-25 Ifire Ip Corp MAGNESIUM OXIDE-CONTAINING BARRIER LAYER FOR ELECTROLUMINESCENCE INDICATIONS WITH THICK ELECTRIC
KR100637129B1 (ko) * 2005-08-05 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100647714B1 (ko) 2005-12-02 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 흡습 능력이 개선된 유기 전계 발광 디스플레이 장치
US20070215863A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Lucent Technologies Inc. Fabricating apparatus with doped organic semiconductors
WO2008043853A2 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Opco Gmbh Photochromic film
JP5082652B2 (ja) * 2007-07-30 2012-11-28 凸版印刷株式会社 透明積層体及びその製造方法、並びに電子デバイス
US7855509B2 (en) * 2007-09-27 2010-12-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Transparent drying agent and organic electroluminescent device
TWI381569B (zh) * 2008-12-30 2013-01-01 Ind Tech Res Inst 有機發光二極體裝置及其封裝方法
DE102009023350A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
US9282614B2 (en) 2013-02-27 2016-03-08 Htc Corporation Electronic device and fabricating method of display module of electronic device
US20140339661A1 (en) * 2013-05-20 2014-11-20 T3Memory, Inc. Method to make mram using oxygen ion implantation
KR20150082013A (ko) * 2014-01-07 2015-07-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN105742327B (zh) 2016-02-15 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示装置及其制备方法
CN114203927A (zh) * 2021-12-02 2022-03-18 长春若水科技发展有限公司 一种柔性黄光有机发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
JP3409764B2 (ja) 1999-12-28 2003-05-26 日本電気株式会社 有機el表示パネルの製造方法
JP4116764B2 (ja) * 2000-10-27 2008-07-09 松下電工株式会社 有機電界発光素子の作製方法
TWI222838B (en) * 2001-04-10 2004-10-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Packaging method of organic electroluminescence light-emitting display device
JP4910263B2 (ja) * 2001-09-18 2012-04-04 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
JP2003217829A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Toyota Industries Corp 有機elディスプレイパネル
JP3977669B2 (ja) 2002-03-07 2007-09-19 双葉電子工業株式会社 有機el素子
KR100475849B1 (ko) * 2002-04-17 2005-03-10 한국전자통신연구원 습식 공정에 의하여 형성된 엔캡슐레이션 박막을 갖춘유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법
TWI304706B (zh) * 2002-08-30 2008-12-21 Au Optronics Corp
GB0222649D0 (en) * 2002-09-30 2002-11-06 Microemissive Displays Ltd Passivation layer
TWI232693B (en) * 2002-10-24 2005-05-11 Toppoly Optoelectronics Corp Hygroscopic passivation structure of an organic electroluminescent display

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103137885A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件的复合封装结构及其封装方法
CN103137886A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件的复合封装结构及其封装方法
CN104009058A (zh) * 2013-02-27 2014-08-27 宏达国际电子股份有限公司 显示模块及其制造方法
CN104183795A (zh) * 2013-05-27 2014-12-03 纬创资通股份有限公司 有机光电元件封装结构以及封装方法
CN110710013A (zh) * 2017-06-09 2020-01-17 株式会社Lg化学 封装膜
CN110710012A (zh) * 2017-06-09 2020-01-17 株式会社Lg化学 封装膜
CN110731017A (zh) * 2017-06-09 2020-01-24 株式会社Lg化学 封装膜
US11342534B2 (en) 2017-06-09 2022-05-24 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film
CN109904345A (zh) * 2019-02-28 2019-06-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 封装结构及其显示装置

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