[go: up one dir, main page]

CN1698160A - 等离子体显示面板的制造方法 - Google Patents

等离子体显示面板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1698160A
CN1698160A CNA2004800005654A CN200480000565A CN1698160A CN 1698160 A CN1698160 A CN 1698160A CN A2004800005654 A CNA2004800005654 A CN A2004800005654A CN 200480000565 A CN200480000565 A CN 200480000565A CN 1698160 A CN1698160 A CN 1698160A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
film
plasma display
holding member
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800005654A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100479082C (zh
Inventor
窱崎淳
高濑道彦
古川弘之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1698160A publication Critical patent/CN1698160A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100479082C publication Critical patent/CN100479082C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H10P72/7611
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H10P72/7622
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/01Generalised techniques
    • H01J2209/012Coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T50/00Aeronautics or air transport
    • Y02T50/60Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

一种将等离子体显示面板的基板(13)保持于基板保持部件(1)而对该基板进行成膜的等离子体显示面板的制造方法,其特征在于,所述基板保持部件(1)通过排列多个框体(2)而构成,由所述框体(2)中的至少一个将等离子体显示面板的基板(13)在其周边部保持,而且在保持基板(13)的框体(2)中设置有向保持的基板的非成膜面侧(13b)突出而包围基板(13)的突出部(5)。由于突出部(5)作为遮挡板发挥作用,因此可以抑制经过了基板保持部件(1)的开口部(4)的成膜材料绕到基板(13)的非成膜面(13b)而附着的问题。

Description

等离子体显示面板的制造方法
技术领域
本发明涉及在作为大画面、薄型、轻量的显示装置已知的等离子体显示面板(PDP)用的基板上进行成膜的等离子体显示面板的制造方法,以及此时所用的等离子体显示面板的基板保持部件。
背景技术
PDP是,例如在图像显示面侧的基板上形成有电极、形成有覆盖电极的介电层、并且形成有作为覆盖该介电层的保护层的氧化镁(MgO)膜。
其中,例如作为形成保护层的方法,广泛地采用成膜速度快并能够形成比较良好的MgO膜的电子束蒸镀法(参照《2001 FPDテクノロジ一大全》,株式会社电子ジャ一ナル,2000年10月25日,598页~600页)。
关于在PDP的基板上的MgO的成膜,为了连续进行对多张基板的成膜,通过用基板保持部件保持基板,以此状态使基板保持部件接触或连接于搬送滚筒、金属丝、链条等搬送装置,并在成膜装置内搬送,而进行连续成膜。
但是在这种情况下,因为基板在被基板保持部件保持着的状态进行成膜,所以在基板保持部件的保持基板区域以外的区域也形成膜。而且这种形成于基板保持部件的膜,在反复成膜的过程中,膜厚度逐渐变厚,其结果,有时在成膜装置内脱落,成为成膜装置内的尘埃源。如果在成膜装置内存在这种尘埃,则有时在成膜过程中,尘埃会卷入膜中,或混入膜原料中,会给所形成的膜的质量带来不良影响。
其中,作为解决上述问题的方法之一,例如有如图9所示的一个例子的方法,即,将多个框体2配置而构成基板保持部件1,由该框体2将等离子体显示面板的基板3在其周边部保持。即,如果基板保持部件1是如图9所示的结构,则由于基板保持部件1的保持基板3部分以外的区域成为开口部4,所以膜不会附着在基板保持部件1的保持基板3的区域以外的区域。这里,图9(a)是表示基板保持部件1的概略结构的平面图,图9(b)是图9(a)的A-A剖面图。
其中,在形成MgO膜的时候,为了确保其作为保护层的物性,需要控制MgO的氧缺损,为此,有时候在成膜时进行导入氧或含有氧的气体。
在这种情况下,由于成膜时的真空度成为比一般的蒸镀低的真空度,因此平均自由行程变得较短,蒸镀物(成膜材料)的前进的直线性被损害,由此发生通过了基板保持部件1的开口部4的成膜材料的一部分绕到与被保持的基板3的成膜面3a侧相反的非成膜面3b侧,而部分附着在非成膜面3b侧的情况。在这种情况下,由于在基板3上发生成膜材料附着的区域和没有附着的区域的分布,成为看起来不同的状态,因而发生给图像显示带来不良影响的问题。
本发明是鉴于这种课题而做出的,其以实现一种等离子体显示面板的制造方法为目的,该制造方法在等离子体显示面板的基板上的成膜中,通过抑制成膜材料在非成膜面上的附着,制造能够优质地显示图像的等离子体显示面板。
发明的公开
为了达到上述目的,本发明的等离子体显示面板的制造方法是一种将等离子体显示面板的基板保持于基板保持部件而对该基板进行成膜的等离子体显示面板的制造方法,其特征在于,基板保持部件通过配置多个框体而构成,由该框体中的至少一个将基板在其周边部保持,而且在保持基板的框体上,设置有向所保持的基板的非成膜面侧突出而包围基板的突出部。
另外,为了达到上述目的,本发明的等离子体显示面板的基板保持部件是一种在等离子体显示面板的基板上进行成膜时使用的等离子显示面板的基板保持部件,其特征在于,通过配置多个框体而构成,由该框体中的至少一个将基板在其周边部保持,而且在保持基板的框体上,设置有向所保持的基板的非成膜面侧突出而包围基板的突出部。
附图的简单说明
图1是表示根据本发明的一种实施方式的等离子体显示面板的概略结构的一个例子的剖面透视图。
图2是表示根据本发明的一种实施方式的成膜装置的概略结构的一个例子的剖面图。
图3是表示根据本发明的一种实施方式的基板保持部件的概略结构的图。
图4是表示根据本发明的一种实施方式的其他基板保持部件的概略结构的剖面图。
图5是用于表示根据本发明的一种实施方式的其他基板保持部件的概略结构的部分放大透视图。
图6是用于表示根据本发明的一种实施方式的其他基板保持部件的概略结构的部分放大透视图。
图7是用于表示根据本发明的一种实施方式的其他基板保持部件的概略结构的部分放大透视图。
图8是用于表示根据本发明的一种实施方式的其他基板保持部件的概略结构的部分放大透视图。
图9是表示以往的基板保持部件的概略结构的图。
实施发明的最佳方式
以下,用附图说明根据本发明的一种实施方式的PDP的制造方法。
首先,说明PDP的结构的一个例子。图1表示通过本发明的一种实施方式的PDP的制造方法制造的PDP的概略结构的一个例子的剖面透视图。
PDP11的前面板12的结构是,具有,显示电极16,其由形成在前面侧的,例如玻璃等透明而绝缘性的基板13的一个主面上的扫描电极14和维持电极15构成;覆盖该显示电极16的介电层17;进而覆盖该介电层17的例如用MgO形成的保护层18。扫描电极14和维持电极15,以减小电阻为目的,是在透明电极14a、15b上层叠由金属材料例如Ag构成的总线电极14b、15b的结构。
另外,背面板19的结构是,具有,地址电极21,其在背面侧的例如玻璃等绝缘性的基板20的一个主面上形成;覆盖该地址电极21的介电层22;在介电层22上的位于相当于相邻接的地址电极21之间的位置的隔壁23;在隔壁23之间的发光为红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的荧光体层24R、24G、24B。
而且,前面板12与背面板19是隔着隔壁23互相相对使得显示电极16与地址电极21相交成直角,将图像显示区域外的周围用密封部件密封而构成的。在前面板12与背面板19之间形成的放电空间25中,以约66.5kPa的压力封入有例如Ne-Xe系、He-Xe系的放电气体。
而且,放电空间25的显示电极16与地址电极21的交叉部作为放电单元26(单位发光区域)而动作。
下面,关于上述PDP11,同样一边参照图1一边说明其制造方法。
对于前面板12,在基板13上,首先将扫描电极14及维持电极15形成为条纹状。具体地说,在基板13上,通过蒸镀、溅射等成膜工艺形成透明电极14a、15a的材料,例如ITO的膜,此后,通过光刻法等进行构图,从而形成条纹状的透明电极14a、15a,进而在此上面,通过蒸镀、溅射等成膜工艺形成总线电极14b、15b的材料例如Ag,此后,通过光刻法等进行构图,从而形成条纹状的总线电极14b、15b。通过以上这样,可以得到由条纹状的扫描电极14和维持电极15构成的显示电极16。
其次,将如上所形成的显示电极16用介电层17被覆。介电层17,通过用例如丝网印刷涂上含有铅系玻璃材料的膏剂之后进行烧成,使之成为规定的层厚度(约20μm~50μm,优选约40μm)而形成。作为上述的含有铅系玻璃材料的膏剂,可使用例如PbO、B2O3、SiO2以及CaO与有机粘合剂(例如,将乙基纤维素溶解于α-萜品醇而形成的粘合剂)的混合物。其中,有机粘合剂是指将树脂溶解于有机溶剂形成的物质,作为树脂除了乙基纤维素之外也可以使用丙烯酸树脂,作为有机溶剂也可以使用丁基卡必醇等。进而,也可以将分散剂(例如甘油三油酸酯)混入这些有机粘合剂中。
此后,将如上所述形成的介电层17用保护层18被覆。保护层18是由例如MgO组成的,通过蒸镀、溅射等成膜工艺使其成为规定的厚度(约0.4μm~1μm,优选约0.6μm)而形成。
另一方面,对于背面板19,在基板20上将地址电极21形成为条纹状。具体地说,通过蒸镀、溅射等成膜工艺将地址电极21的材料例如Ag的膜形成于基板20上,此后,通过光刻法等进行构图,从而形成条纹状的地址电极21。
其次,将如上所述形成的地址电极21用介电层22被覆。介电层22,通过将含有铅系玻璃材料的膏剂用例如丝网印刷法涂布之后进行烧成,使之成为规定的厚度(约10μm~50μm,优选约10μm)而形成。
其次,将隔壁23形成为例如条纹状。隔壁23与介电层22同样,例如通过丝网印刷法将例如含有铅系玻璃材料的膏剂以预定的间隔反复地涂布后,进行烧成而形成。其中,例如在画面的大小为32英寸~65英寸的情况下,隔壁23的间隙的尺寸大致为130μm~360μm。
而且,在隔壁23与隔壁23之间的沟里,形成由红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各荧光体粒子构成的荧光体层24R、24G、24B。这是通过将由各色荧光体粒子与有机粘合剂组成的膏状的荧光油墨涂布后,将其烧成,使得有机粘合剂烧失,形成为各色荧光体粒子相粘合而成的荧光体层24R、24G、24B的。
将如上制造的前面板12与背面板19重叠在一起,使得前面板12的显示电极16与背面板19的地址电极21相交成直角,同时将用密封用玻璃形成的密封部件插入周边,通过将其在比介电层17的烧成温度低的温度下烧成而使之形成气密封层(未图示),进行密封。而且,一旦使放电空间25内排气到高真空后,通过将例如He-Xe系、Ne-Xe系的放电气体以预定的压力封入而制造PDP11。
如上所述,在PDP11的制造工序中,使用了很多成膜工艺。因此,以通过蒸镀形成MgO的保护层18的情况为例子,用附图说明该成膜工艺。
首先,说明成膜装置的结构的一个例子。图2是表示用于形成保护层18的成膜装置30的概略结构的一个例子的剖面图。
该成膜装置30,由对等离子体显示面板的基板13使MgO蒸镀而形成作为MgO薄膜的保护层18的蒸镀室31、用于在将MgO投入于蒸镀室31之前对基板13进行预加热的同时进行预排气的基板投入室32、以及用于在蒸镀室31内的蒸镀结束后,将取出的基板13冷却的基板取出室33构成。
以上的基板投入室32、蒸镀室31、基板取出室33分别成为密封结构以便可以使其内部成为真空气氛,各室分别独立地具有真空排气系统34a、34b、34c。
另外,贯通基板投入室32、蒸镀室31、基板取出室33设置了由搬送滚筒、金属丝或链条等构成的搬送装置35,并且在成膜装置30的外边与基板投入室32之间、基板投入室32与蒸镀室31之间、蒸镀室31与基板取出室33之间、基板取出室33与成膜装置30的外边之间,分别由可开关的隔壁36a、36b、36c、36d隔开。而且,通过使搬送装置35的驱动与隔壁36a、36b、36c、36d的各自的开关相连动,可以在使基板投入室32、蒸镀室31、基板取出室33的各自的真空度的变动为最小限度的状态下,使基板13从成膜装置30的外边按基板投入室32、蒸镀室31、基板取出室33的顺序经过各室,进行在各室里的预定的处理,此后,搬出至成膜装置30的外边。而且通过以上的动作,通过将多张基板13连续投入,可以连续进行MgO的成膜。
另外,在基板投入室32和蒸镀室31的各室中,分别设置有用于加热基板13的加热灯37a、37b。
而且在蒸镀室31中,预先设置有已放入了作为蒸镀源38a的MgO颗粒的炉床38b、电子枪38c、施加磁场的偏转磁铁(未图示)等,借助于偏转磁铁所产生的磁场将电子枪38c所照射的电子束38d偏转而照射到蒸镀源38a上,使其产生作为蒸镀源38a的MgO的蒸气流38e。此后,使所产生的蒸气流38e淀积在基板13的表面而形成MgO的保护层18。这里,预先设置有用于导入氧气或含有氧气的气体的引入装置39,以便将蒸镀时的蒸镀室31的气氛形成为氧气气氛,以使得被蒸镀的MgO成为优质的MgO,由此一边导入氧气或含有氧气的气体,一边进行蒸镀,因此蒸镀时的蒸镀室31内的真空度与一般的蒸镀的情况相比,成为比较低的真空度。另外,蒸气流38e,在不需要时,可以由遮挡板38f遮断。
还有,作为成膜装置30的结构,除了上述的以外,例如,根据基板13的温度分布的设定条件,还可以在基板投入室32与蒸镀室31之间设置一个或其以上的用于加热基板13的基板加热室,而且,在蒸镀室31与基板取出室33之间也可以设置一个或其以上的基板冷却室等等。
在以上的成膜装置30中,基板13的搬送是在将之保持于基板保持部件1的状态下,将基板保持部件1与成膜装置30的搬送装置35相接触或连接而进行的。
因此,下面用图3说明本发明的一种实施方式的基板保持部件1。
图3(a)中示出基板保持部件1的概略结构的平面图,图3(b)中示出图3(a)的A-A剖面图。
如图3所示,基板保持部件1是排列多个框体2而构成的,由该框体2的至少一个将等离子体显示面板的基板13在其周边部保持。而且,其特征在于,在保持了基板13的框体2中,设置有向与所保持的基板13的成膜面13a相反侧的非成膜面13b侧突出并且包围基板13的突出部5。而且,不保持基板13的框体2的部分成为开口部4。
由于基板保持部件1是具有如上所述的开口部4的结构,因此,从图2的成膜装置30的炉床38b出来的蒸气流38e之中飞翔到基板13以外的区域的部分,就经过开口部4,因此不会附着在基板保持部件1上。其结果,可以抑制由于成膜材料附着、堆积在基板保持部件1上之后脱落,而在成膜装置30内变成尘埃的问题的发生。
另外,由于保持了基板13的框体2具备向所保持的基板13的非成膜面13b侧突出并包围基板13的突出部5,因此可以抑制由于如上所述的与一般的蒸镀相比为低的真空度导致的平均自由工序变短,成膜材料飞翔时的前进直线性被损害,经过了基板保持部件1的开口部4的成膜材料的一部分绕到被保持的基板13的非成膜面13b侧的问题的发生。这是因为,突出部5发挥将绕过来的成膜材料遮挡的作用。为了使该遮挡作用更为有效,突出物5的高度H优选为距离基板13的非成膜面13b大于等于1mm,从实际上的操作性或在如图2所示的成膜装置30中,通过使搬送装置35的上边的空间尽量小从而使成膜工序当中的真空度等条件更稳定的观点来看,优选为小于等于100mm。另外,在高度H为1mm左右的情况下,宽度W(图3)优选是大于等于10mm,高度H越高,宽度W可以越小。
另外,突出部5除了如图3所示,直线地突出之外,只要是具有将经过开口部4飞翔过来的成膜材料遮挡的效果的形状即可,如图4所示的弯曲的形状等,不特别限定形状。
另外,作为排列多个框体2而形成的结构,除了将多个框体2组合之外,还可以举出各种各样的结构,如通过削出板状的物体后设置孔的方式作为一体物而构成的结构等。
还有,作为用于框体2保持基板13的保持装置6,例如,还有图5~图8中列举的结构。图5~图8是将基板保持部件1的一部分放大显示的图。图5中所示的保持装置6是如下构成的,即框体2的截面为L字状或倒T字状,框体2的横部作为将基板13从下方支持的支持装置6a发挥作用,其纵部,作为规定基板13的面方向的位置的规定装置6b发挥作用。因此,基板13是可以通过镶在规定装置6b里而载置在支持装置6a上来保持。也就是说,这种情况形成作为框体2的纵部的规定装置6b兼作突出部5的结构。
另外,图6所示的基板保持部件1的保持装置6是如下构成的,即框体2只由纵部构成,该框体2作为规定基板13的面方向的位置的规定装置6b发挥作用,并且,在框体2的下面侧,设置了从下方支持基板13的支持装置6a。因此,基板13可以通过镶在规定装置6b里而载置在支持装置6a上来保持。这种情况形成框体2兼作规定装置6b和突出部5的结构。
另外,图7所示的保持装置6是如下构成的,即框体2只由横部构成,该框体2发挥作为将基板13从下方支持的支持装置6a的作用,而且,在框体2的上面侧,设置有规定基板13的面方向的位置的规定装置6b。因此,基板13可以通过镶在规定装置6b里而载置在支持装置6a上来保持。在这种构造中,由于规定装置6b是离散的,因此包围基板13的突出部5可以相对于规定装置6b另设。
还有,突出部5也可以是相对于基板保持部件1的另外的元件,例如图8中所示,即使是通过任何方法安装在基板保持部件1的框体2上的结构也可以。
如果保持装置6是如上所述的结构,由于基板13是可以通过载置于设置在框体2的保持装置6的支持装置6a上而保持,因此基板13相对于基板保持部件1的安装与拆卸,只要将之向框体2的上方提起来即可,该操作非常简单即可完成。
下面,用图1~图3说明将基板13保持于如上所述的基板保持部件1、由搬送装置35在成膜装置30内搬送、对基板13进行成膜时的工序的一个例子。
首先,将例如由图3所示结构的基板保持部件1保持的基板13投入如图2所示的成膜装置30的基板投入室32,一边由真空排气系统34a进行预备排气,一边用加热灯37a进行加热。这时,基板13为已形成了显示电极16和介电层17的状态。
基板投入室32内如果达到预定的真空度,就打开隔壁36b,同时用搬送装置35将已经被加热状态下的基板13在将之保持于基板保持部件1的状态下搬送到蒸镀室31。
在蒸镀室31中,由加热灯37b加热基板13而使之维持一定的温度。该温度设定为100℃~400℃左右以避免显示电极16和介电层17的热劣化。而且,在关闭遮挡板38f的状态,通过由电子枪38c将电子束38d照射到蒸镀源38a而进行预备加热,进行预定的排气后,由导入装置39导入氧气或含有氧气的气体。通过该导入,真空度成为与一般的蒸镀相比低的真空度。在这种状态下,一打开遮挡板38f,MgO的蒸气流38e就向基板保持部件1保持的基板13喷射。其结果,在基板13上由向基板13飞来的成膜材料在基板13上形成MgO膜的保护层18。
这里,由于基板保持部件1是如图3所示的结构,因此飞翔于基板13以外的区域的成膜材料将通过基板保持部件1的开口部4,所以在基板保持部件1的附着大大被抑制。
另外,由于在保持了基板13的框体2上,设置有向与所保持的基板13的成膜面13a相反侧的非成膜面13b侧突出而包围基板13的突出部5,因此通过基板保持部件1的开口部4的成膜材料,受到突出部5的作为遮挡板的作用,因此成膜材料绕到基板13的非成膜面13b而附着的问题也被抑制。
而且,一旦形成于基板13上的MgO的蒸镀膜即保护层18的厚度达到预定值(约0.4μm~1μm,优选为约0.6μm),便关闭遮挡板38f,通过隔壁36c将基板13搬送到基板取出室33。这里,搬送装置35构成为只在基板保持部件1的两端部与之接触或连接而搬送,由此,当在蒸镀室31内蒸镀时,不会发生由搬送装置35在基板13上出现影子而使作为蒸镀膜的保护层18的质量上产生问题。
而且,在基板取出室33将基板13冷却到等于或低于预定的温度后,从基板保持部件1的框体2的保持装置6取出基板13来。其中,由于本实施方式采用将基板13通过载置在设置于框体2的支持装置6a上来保持的结构,因此其取出只要往框体2的上方提起来就行,其操作非常简单即可。
另外,将蒸镀完的基板13取出后的基板保持部件1,保持新的未成膜的基板13后,再被投入到成膜装置30中。
还有,在上述说明中,对基板13在蒸镀室31内的MgO的蒸镀,可以以停止搬送而静止的状态进行,也可以一边搬送一边进行蒸镀,都没有问题。
另外,成膜装置30的结构也不限于上述,对于为进行生产节拍调整等而在各室之间设置有缓冲室的结构、设置了为进行加热·冷却的室的结构、以批量处理方式在室内设置基板保持部件30而进行成膜的结构,也都能够得到本发明的效果。还有,即使成膜装置为批量处理方式的且在室内设置有基板保持部件1的结构的情况下,通过将保持基板13的基板保持部件1如上述构成,就能够得到同样的效果。
在以上的说明中,是以由MgO形成保护层18的情况为例子进行说明的,本发明除此以外,以将为了形成显示电极16的ITO或银的材料进行成膜的情况为代表,在将基板13保持于基板保持部件1的状态下进行成膜的时候,可得到同样的效果。
另外,以上的说明中,作为成膜方法,是以电子束蒸镀法为例进行说明的,但不仅电子束蒸镀法,即使在如根据空心阴极方式的离子镀法、以及溅射等在减压下进行的成膜方法中,也能够得到同样的效果。
工业上的可利用性
本发明能够抑制在等离子体显示面板基板的非成膜面上成膜材料的附着,作为大画面、薄型而轻量的显示装置已知的等离子体显示面板的制造方法等是有用的。

Claims (6)

1.一种等离子体显示面板的制造方法,其是将等离子体显示面板的基板保持于基板保持部件而对该基板进行成膜的等离子体显示面板的制造方法,其特征在于,所述基板保持部件通过排列多个框体而构成,由所述框体中的至少一个将所述基板在其周边部保持,而且在保持所述基板的框体中设置有向保持的所述基板的非成膜面侧突出而包围所述基板的突出部。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法,其特征在于,突出部的高度为距离基板的非成膜面1mm~100mm。
3.如权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法,其特征在于,框体具有保持结构,该保持结构包括将基板从下方支持的支持结构,和规定所述基板的面方向的位置的规定结构,所述基板通过镶在所述规定结构里而载置在所述支持结构上来保持。
4.一种等离子体显示面板的基板保持部件,其是向等离子体显示面板的基板进行成膜的时候使用的等离子体显示面板的基板保持部件,其特征在于,所述基板保持部件通过排列多个框体而构成,由所述框体中的至少一个将所述基板在其周边部保持,而且在保持所述基板的框体中设置有向保持的所述基板的非成膜面侧突出而包围所述基板的突出部。
5.根据权利要求4所述的等离子体显示面板的基板保持部件,其特征在于,突出部的高度为距离基板的非成膜面1mm~100mm。
6.根据权利要求4所述的等离子体显示面板的基板保持部件,其中,框体具有保持结构,该保持结构包括将基板从下方支持的支持结构,和规定所述基板的面方向的位置的规定结构,所述基板通过镶在所述规定结构里而载置在所述支持结构上来保持。
CNB2004800005654A 2003-04-04 2004-04-05 等离子体显示面板的制造方法 Expired - Fee Related CN100479082C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP101263/2003 2003-04-04
JP2003101263 2003-04-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1698160A true CN1698160A (zh) 2005-11-16
CN100479082C CN100479082C (zh) 2009-04-15

Family

ID=33156754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800005654A Expired - Fee Related CN100479082C (zh) 2003-04-04 2004-04-05 等离子体显示面板的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7942971B2 (zh)
CN (1) CN100479082C (zh)
WO (1) WO2004090928A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105304547A (zh) * 2014-06-05 2016-02-03 三星显示有限公司 衬底处理装置及使用其的衬底处理方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721807B1 (ko) * 2003-02-18 2007-05-25 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 플라즈마 디스플레이 패널의 기판 지지구
JP4363491B1 (ja) * 2008-06-09 2009-11-11 トヨタ自動車株式会社 成膜体の製造方法
US10026436B2 (en) * 2009-07-01 2018-07-17 Nordson Corporation Apparatus and methods for supporting workpieces during plasma processing
DE102012111078A1 (de) * 2012-11-16 2014-05-22 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Substratträger
CN104051311B (zh) * 2014-07-08 2017-06-09 深圳市华星光电技术有限公司 基板传送装置及适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺
WO2018037907A1 (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5374147A (en) * 1982-07-29 1994-12-20 Tokyo Electron Limited Transfer device for transferring a substrate
JPS6445760U (zh) 1987-09-14 1989-03-20
JPH08134653A (ja) 1994-11-11 1996-05-28 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JPH08186081A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
FR2733253B1 (fr) * 1995-04-24 1997-06-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface
CH692000A5 (de) * 1995-11-13 2001-12-31 Unaxis Balzers Ag Beschichtungskammer, Substratträger hierfür, Verfahren zum Vakuumbedampfen sowie Beschichtungsverfahren.
JPH09266240A (ja) 1996-03-27 1997-10-07 Nippon Steel Corp Cvd装置のサセプタ用治具
JP3015740B2 (ja) * 1996-08-12 2000-03-06 株式会社移動体通信先端技術研究所 超伝導薄膜の形成方法
DE19753656C1 (de) * 1997-12-03 1998-12-03 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur Vakuumbeschichtung von Gleitlagern
US6146504A (en) * 1998-05-21 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate support and lift apparatus and method
JP2000001771A (ja) 1998-06-18 2000-01-07 Hitachi Ltd 誘電体保護層の製造方法とその製造装置、並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネルと画像表示装置
DE60044384D1 (de) * 1999-02-25 2010-06-24 Kaneka Corp Photoelektrische Dünnschicht-Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zur Abscheidung durch Zerstäubung
US6355108B1 (en) * 1999-06-22 2002-03-12 Applied Komatsu Technology, Inc. Film deposition using a finger type shadow frame
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
JP2001316797A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Mitsubishi Electric Corp 成膜装置および成膜装置に用いる防着部材
JP4398065B2 (ja) * 2000-05-19 2010-01-13 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
JP4906018B2 (ja) * 2001-03-12 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置
US6397776B1 (en) * 2001-06-11 2002-06-04 General Electric Company Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators
SG114589A1 (en) * 2001-12-12 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
US6960263B2 (en) * 2002-04-25 2005-11-01 Applied Materials, Inc. Shadow frame with cross beam for semiconductor equipment
US20040083976A1 (en) * 2002-09-25 2004-05-06 Silterra Malaysia Sdn. Bhd. Modified deposition ring to eliminate backside and wafer edge coating

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105304547A (zh) * 2014-06-05 2016-02-03 三星显示有限公司 衬底处理装置及使用其的衬底处理方法
CN105304547B (zh) * 2014-06-05 2019-11-19 三星显示有限公司 衬底处理装置及使用其的衬底处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060068084A1 (en) 2006-03-30
US7942971B2 (en) 2011-05-17
WO2004090928A1 (ja) 2004-10-21
CN100479082C (zh) 2009-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4179540B2 (ja) 電界放出表示装置の製造方法
CN1253913C (zh) 电子发射性薄膜和用它的等离子体显示面板及其制造方法
CN1698160A (zh) 等离子体显示面板的制造方法
JP5373605B2 (ja) 封着パネルの製造方法
JP4470518B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2004319474A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
CN101080797A (zh) 等离子显示面板的制造方法
KR100721807B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 기판 지지구
JP4691896B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4706203B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
KR100632854B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 및 기판 지지구
KR100659010B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
CN1698159B (zh) 等离子显示屏的制造方法
KR100626507B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
CN1518753A (zh) 等离子显示屏的制造方法及煅烧装置
CN1518754A (zh) 等离子显示屏的制造方法及煅烧装置
JP2007335363A (ja) 画像表示装置
JP2008010195A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090415

Termination date: 20140405