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CN1533610A - 装备有电极的透明基片 - Google Patents

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CN1533610A CNA02805525XA CN02805525A CN1533610A CN 1533610 A CN1533610 A CN 1533610A CN A02805525X A CNA02805525X A CN A02805525XA CN 02805525 A CN02805525 A CN 02805525A CN 1533610 A CN1533610 A CN 1533610A
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Abstract

本发明涉及一种透明的基片，特别是玻璃基片，该基片装备有一电极，特别是用于太阳能电池，该基片包括一厚度为500nm的，特别是至多400nm或者至多300nm或者至多200nm的钼Mo基导电层。

Description

装备有电极的透明基片
本发明涉及一种透明基片，特别是玻璃基片，该基片装备有一电极。该导体基片特别用于做成太阳能电池的一部分。
事实上，公知太阳能电池中包含有该种类型的导体基片，然后在其上涂覆一层一般由含铜Cu、铟In和铯Se和/或硫S的黄铜矿制成的吸收剂。例如可以为CuInSe2类型的材料。该类型的材料公知缩写为CIS。
对于这种应用类型，该电极通常为Mo基材料，因为该种材料具有许多优势：它是一种电的良导体(电阻率相对较小，约为5.2mW.cm)。由于该种材料具有很高的熔点(2610℃)，可以对其进行必要的高温热处理。该材料在一定程度上很好地耐硒和硫腐蚀。通常需要在含有硒或者硫的气氛中进行吸收剂层的沉积，而该含有硒或者硫的气氛会使大多数金属发生腐蚀。相反，钼特别是与硒在表面发生反应，形成MoSe2，但保持了其大多数性能，特别是电性能，且与CIS层保持适当的电接触。最后，钼是一种与CIS层很好粘合的材料，它甚至倾向于促进该CIS层的晶体生长。
然而，在考虑工业化生产时，该种材料具有一主要缺点：即材料成本太高。事实上，Mo层通常是通过阴极溅射(利用磁场的增强作用)被沉积的。然而Mo靶比较昂贵。为获得所需电导率性能，(在一含有S或者Se的气氛中经处理后材料每平方电阻小于2，最好是小于1-0.5ohm：每平方)，需要通常为700nm-1微米厚的Mo层，这一点是不可不考虑的。
所以本发明的目的是获得一种装备一电极的基片，该电极用于太阳能电池，该基片的生产工艺更加简单和/或其生产成本比现有的Mo电极更便宜，但是其性能，特别是电学性能，等同于所需应用或者至少满足于所需应用。
本发明的对象首先是一透明的基片，特别是玻璃基片，该基片装备了一电极，特别是适用于太阳能电池的电极，且该电极包括一厚度最多为500nm的，特别是至多400nm或者至多300nm或者至多200nm的钼基导电层。该导电层的厚度最好是至少20nm，或者至少50或者80或者100nm。
在本发明的范围内，术语“层”应理解为一连续层或者一不连续层，特别是其上具有一些图案(例如对连续层进行蚀刻，或者直接沉积具有所需图案的不连续层，或使用一种掩模系统等等)。这适用于本申请中所提到的所有的层。
本发明的方法不在于利用其它金属完全取代钼，因为没有任何金属材料被视为具有足够好的耐蚀性，特别是在与硒或者硫接触以及在上面提到的热处理过程中，而没有发生严重腐蚀(可能存在的Mo的腐蚀问题同样会影响覆盖Mo的吸收剂层)。相反，该种方法已经显著地减小了钼层的厚度：其结果是钼层的厚度--远小于1微米--远远小于通常使用的钼层的厚度，该厚度完全能获得所需电学性能。因此，其结果是大大节省了原材料成本。降低钼层厚度还具有另一个优势：即可以允许通过控制沉积参数采用阴极溅射方法沉积出这些具有较高应力的薄层，而没有在厚层沉积情况中发生的层离问题。一些薄层还倾向于具有较少的针孔缺陷。
为了确保较薄的钼层保留了其所有的效果，本发明最好可替换地或者结合地使用多个变化(然而这些变化是可选择的)。
根据第一种变化，方便地在该基片和电极之间插入一称作阻挡层的层。该层的主要作用是阻碍该基片中的物质向电极、远至吸收剂层(也可能是相反情况，即物质由电极向基片中扩散)中扩散。当该基片是玻璃材质时，更易于由玻璃向外扩散并侵蚀电极和吸收剂层特别是碱金属元素。设计这样的阻挡层允许了使用通过浮选法获得的氧化硅-碳酸钠-氧化钙的标准玻璃作为基片，而没有电极和黄铜矿的吸收剂层发生腐蚀的危险。在本发明范围内，由于腐蚀对较厚的层的损害作用大于对较薄的层的损害作用，所以较薄的钼层是最重要的。
该阻挡层材质最好选用以下至少一种电介质材料：氮化硅或者氮氧化硅，氮化铝或者氮氧化铝，氧化硅或者氮氧化硅。(可能含有少量Al或者硼类型的金属)的氮化硅已被证明特别有效。这是一种具有很强惰性的材料，对热处理几乎不敏感并且成功地阻挡了碱金属元素的扩散。
该阻挡层的厚度最好为至少20nm，特别是至少100nm或者120或者150nm，厚度至多为300nm，特别是至多250nm或者200nm。
根据第二种变形，它可以“补偿”钼层厚度的降低，以便获得一即便不能比厚的钼层导电性更高，大致上也与厚的钼层导电性相当的电极。根据本发明，解决方法在于：在电极中的Mo基层中加入至少一个不同的其它种导电层。这种“补偿”型导电层最好选择成本低于钼的材料制成(通过阴极溅射)沉积成薄层。
该“补偿”型导电层，或者“补偿”型导电层的组合(多层情况)厚度最好为至少10nm，特别是至少40nm。最好该厚度至多为300nm，其选择范围最好是50-200nm或者300nm。
根据该第二种变形的第一个实施例，该电极至少包括一以一种金属或者以至少两种金属的合金为基的“补偿”型导电层，称作M。可能涉及到特别是下列金属或者合金：Cu，Ag，Al，Ta，Ni，Cr，NiCr，钢。最好在钼基层的下面布置这种“补偿”型金属层：在该种布置结构中，钼层将金属层与硒或者硫隔开，这些元素具有较强的腐蚀性而钼对它们来说具有一定的抗蚀性。
根据该第二种变形的第二个实施例，作为第一个实施例的备选方案，或者与第一个实施例相结合，该电极包括至少一以金属氮化物为基的“补偿”型导电层，称作M‘N；特别涉及到了下面的至少一种金属的氮化物：Ta，Zr，Nb，Ti，Mo，Hf。该层可以位于钼基层的下面或者上面(也可以是两层，分别位于所述层的上面和下面)。在元素氮方面，该氮化物可以是按化学计量配比，低于化学计量配比或者高于化学计量配比的。当通过反应阴极溅射法在一金属靶上进行沉积时，特别是通过改变在溅射室中的氮的百分含量可以调整化合物的计量配比。
结合了以上两者优点，一特别有利的实施例在于通过设计一在M层和Mo基层之间加入M’N层。在这个布置结构中，该M’N氮化物层不仅作为导电层，而且还作为阻挡(或者至少是显著地降低)物质在两金属(M和Mo)层之间相互扩散的层。结果是TiN，TaN，ZrN，Nbn和MoN层有效地阻挡铜扩散进入钼层。结果同时显示HfN层对阻挡铝扩散进入钼层特别有效(基于HfN的化学式不仅包括按化学计量配比的化合物，还可以涉及低于化学计量配比或者高于化学计量配比的氮化物，正如本文中所述的所有的其它的氮化物化学式)。
根据本发明，可能存在下述电极的布置结构，其中各层顺序如下：
                   M/Mo/M’N
                   M/M’N/Mo
                   M/Mo
                   M’N/Mo
                  Mo/M’N
若金属M层为银基时，最好确保其与下层附着性良好(例如在一布置结构中的Si3N4型阻挡层，即阻挡层/M层/M’N层/Mo层)，在所述的阻挡层和所述的银基层之间插入一以氧化锌为基的形核层。为确保多层间具有更好的结合力，在银层上面提供第二层以氧化锌为基的薄层。该以ZnO为基的层或可能掺加(Al，B等)的ZnO层的厚度例如可选为至少5nm，例如在7-20nm之间。
该电极的导电层的总厚度最好小于或者等于600nm，特别是小于或者等于500或者400nm。
该电极的每平方电阻最好是小于或者等于2Ω/□，特别是小于或者等于1Ω/□，最好小于或者等于0.50或者0.45Ω/□：这些值适用于太阳能电池的电极。
根据一优选变化，本发明致力于改进该太阳能电池的外观。由于当该太阳能电池装备到建筑物的一些墙壁或者屋顶上时，其建筑物“内侧”的外观(在外侧，电极形成一镜面)不总是非常美观。反射光中的比色反应对改进较敏感。
根据本发明，对该附属问题的解决方法之一在于包括在实际电极下面的多层涂镀层中用于光学目的的前述的阻挡层。该光学涂镀层包括至少两个具有不同的折射率的电介质材料层。通过改变层厚和层间的折射率差，可以通过干涉非常精细地调节反射中具有多层涂镀层的基片的比色反应。
该涂镀层，最好包括具有较高折射率(例如1.9-2.3)的层和具有较低折射率(例如1.4-1.7)的层之间的相间排列。这种涂镀层的实施例为例如Si3N4/SiO2或者Si3N4/SiO2/Si3O4。
作为解决方法之一的备选方案或者与解决方法之一相结合的解决方法之二在于，使用含有至少一氮化物M’N基层的电极，并且略微改变氮的化学计量配比。这是因为研究发现略低或者略高的化学计量配比可保持同样的电学性能，但是允许基片的比色反应在一定范围内变化。通过结合这两种解决方法，增加了调节基片的比色反应的选择。
作为前述两种解决方法中至少一种的备选方案或者与前述两种解决方法中至少一种相结合的解决方法之三在于，在该电极下面布置，特别是在该阻挡层和电极之间插入一薄的吸收剂层。例如可以涉及TiN型的金属氮化物层，并且其厚度最好在2-15nm范围内。因此可以具有玻璃/阻挡层，如Si3N4/薄的吸收剂层，如TiN/SiO2/Mo型的顺序层：在这种情况中，该吸收剂层位于光学涂镀层Si3N4/SiO2的“中间”。
由此可以获得装备有这样的涂镀层和电极的基片，该基片在反射方面在色度测量系统(L，a*，b*)中具有与蓝-绿色相对应的负的a*和b*的值或者与粉红色相对应的略正的a*值和负的b*值。
本发明的对象还包括前面定义的且在电极上面有一层黄铜矿吸收剂层的基片。
本发明的对象还包括用于太阳能电池的所述基片。
现在借助于非限定的用于太阳能电池的电极实施例对本发明进行详细说明，如图1和图2所示的具有多层涂镀层的玻璃基片的显微照片所示。
每个实施例使用一2毫米厚的透明的氧化硅-碳酸钠-氧化钙玻璃基片(该玻璃基片的厚度通常为1-4或者1-3毫米)。
通过磁场增强的阴极溅射，将全部涂镀层沉积在该玻璃基片上：
-在惰性气氛中，使用相应的金属靶的金属层，
-在含有惰性气体和氮气的混合气氛中，使用相应的金属靶的金属氮化物层，
-在含有惰性气体和氮气混合物的反应气氛中，使用搀杂(Al)的Si靶的氮化硅层，
-在含有惰性气体和氧气混合物的反应气氛中，使用搀杂(Al)的Si靶的氧化硅层。
然后按照下面的方法对涂镀层进行检测：
1-在所有涂镀层沉积完毕后，使用4点法测量每平方的电阻R□(1)，
2-所述“青铜”试验：该试验在于，在空气中350℃下加热装备所有涂镀层的玻璃10分钟。该试验用于检验是否钠已从玻璃中扩散到电极内。在该试验最后，再次使用4点法测量每平方的电阻，R□(2)。此外，使用显微镜(放大率为*100和*1000)检验是否热处理导致产生一些缺陷(针孔)等；
3-所述“硒化”试验：该试验在于，在硒环境中，再次加热装备所有涂镀层的玻璃10分钟。硒的温度为200-240℃之间，玻璃的温度在325-365℃之间。在该试验最后，再测量每平方的电阻R□(3)，并由此计算出硒化之前/之后的电阻率差ΔR□(3)。应注意的是，这种硒化试验事实上远比在实际应用中“严苛”。这是由于本发明在此首先仅与电极的生产相关。然而当太阳能电池作为一个整体被生产出来时，在CIS层沉积后进行硒化步骤：在太阳能电池的正常生产周期中，该电极被黄铜矿层“保护”而免于直接与硒相接触。
以下被视为得到满意电极的一些有利条件：
-玻璃中的钠避免向电极中扩散，
-电极对青铜试验和硒化试验具有一定的抗力：即几乎没有缺陷，和足够大的每平方电阻，
-电极很好地粘附在CIS层上，
-电极容易蚀刻，特别是激光蚀刻。
实例1-7
实例1
该实例使用一阻挡层和一钼单层电极，顺序如下：
玻璃/Si3N4(200nm)/Mo(500nm)
图1是在硒化步骤之后，放大1000倍的玻璃的显微照片。该显微照片显示几乎没有缺陷存在，即使有尺寸也较小。可以认为该电极的质量很好。
实例1a
该实例使用与图1相同的多层堆叠结构，但是其中Mo层明显较薄，顺序如下：
玻璃/Si3N4(200nm)/Mo(200nm)
实例2
该实例使用一阻挡层和一双层电极，即一金属M层和一Mo层，顺序如下：
玻璃/Si3N4(200nm)/Ag(50nm)/Mo(175nm)
实例3
该实例使用与实例2相同的结构，但是其中为另一种类型的金属M层，顺序如下：
玻璃/Si3N4(200nm)/Al(100nm)/Mo(175nm)
实例4
该实例使用一阻挡层和一金属/金属氮化物/Mo层三层电极，顺序如下：
玻璃/Si3N4(200nm)/Cu(100nm)/Tin(100nm)/Mo(175nm)
实例5
该实例使用与实例4相同的结构，但是铜层具有不同的厚度：玻璃/Si3N4(200nm)/Cu(50nm)/Tin(100nm)/Mo(175nm)
图2为硒化试验后，放大1000倍的实例5中具有多层涂镀层的玻璃部分的显微照片。该显微照片显示几乎没有缺陷存在，即使有尺寸也较小。该是照片与图1的照片相类似。
实例6
该实例使用一阻挡层和一三层电极，顺序如下：
玻璃/Si3N4(200nm)/Ag(50nm)/Tin(100nm)/Mo(175nm)
与实例2相对应，但是多出一TiN层。
实例7
该实例使用一阻挡层和一三层电极，顺序如下：
玻璃/Si3N4(200nm)/Al(100nm)/TiN(100nm)/Mo(175nm)
与实例3相对应，但是多出一TiN层。
下面的表1列出了实例1-7的R□(1)，R□(2)值，在青铜试验后缺陷的数量(“缺陷”)，和ΔR□(3)，这些术语在上面已经被解释过。
                                       表1
         实例     R□(1)     R□(2)     缺陷    ΔR□(3)，
实例1Si3N4/Mo     0.37     0.37     无     0à-5％
实例1bisSi3N4/Mo     0.98     0.96     无     0à-3％
实例2Si3N4/Ag/Mo     0.42     0.42     无     -17％
实例3Si3N4/Al/Mo     0.36     0.34     无     -
实例4Si3N4/Cu/TiN/Mo     0.45     0.45     无     -9％
实例5Si3N4/Cu/TiN/Mo     0.44     0.44     无     -10％
实例6Si3N4/Ag/TiN/Mo     0.44     0.44     无     -12％
实例7Si3N4/Al/TiN/Mo     0.38     0.36     无     -
从这些数据可以得出如下结论：
钼层小于200nm时，R□值明显小于1ohm/平方，与金属氮化物层和/或者合理厚度的金属层相关(总的说，双层或者三层电极的总厚度小于400或500nm)。
由于在所有的实例中，R□(1)和R□(2)值是相同的或者近似相同，因此Si3N4阻挡层对于防止由于钠的扩散而使电极发生腐蚀非常有效。因此这些也防止CIS类型的吸收剂层发生腐蚀。
还可以选择具有Mo的单层电极(实例1：具有500nm厚度并且与阻挡层连接)。该电极的效果良好：具有仅仅200nm的Mo的复合层甚至还可以具有小于1ohm/平方的电阻。这证明了至今一直认为的应使用更加厚的Mo层的观点是没有毕要的。
实例8-11b
这些实例用来调整反射中电极的比色反应。
在所有实例中的钼层厚度为400nm或者500nm。在玻璃侧的比色反应方面，由于形成一几乎不透明的镜面层，钼层厚度超过50-100nm就不具有任何作用：结果与175或者200nm的钼层一样。
实例8
该实例使用下面的多层堆叠结构：
玻璃/Si3N4(200nm)/TiN(100nm)/Mo(400nm)
TiN层在含有20％体积百分比氮气的反应性气氛中通过反应溅射法沉积。
实例8a
该结构与实例8相同，但是这里TiN层在含有40％体积百分比氮气的反应性气氛中沉积。
实例8b
该结构与实例8相同，但是这里TiN层在含有70％体积百分比氮气的反应性气氛中沉积。
下表给出了以上3个实例的色度测量系统(L，a*，b*)中a*和b*值，在玻璃侧进行数值测量，以及R□值(在青铜试验之前进行测量)
                      表2
    实例     a*     b* R□(ohm.carré)
实例8     -8,6     19,4     0,44
实例8a     -9,2     1,5     0,38
实例8b     -11,6     -3,6     0,35
可以看到TiN的化学计量配比的变化(根据沉积时N2量)没有显著地改变该电极的电学性能。另一方面，该变化允许大大改变a*，甚至b*值：实例8的b*值非常正，因此呈红色，而实例8b的b*值略微为负，因此呈蓝-绿色。
实例8的TiN层是略微低于化学计量配比的，实例8a的TiN层大致为化学计量配比的，而实例8b倾向于高于氮的化学计量配比的。
实例9
在该实例中，Si3N4阻挡层(折射率大约为2)与SiO2基的附加层(折射率大约为1.45)相结合，以便制成高折射率/低折射率的光学涂镀层。
该结构为：
玻璃/Si3N4(200nm)/SiO2(20nm)/TiN(100nm)/Mo(400nm)
TiN层在含有20％体积百分比氮气的气氛中沉积。
实例9a
类似实例9，TiN层在含有40％体积百分比氮气的气氛中沉积。
实例9b
类似实例9，TiN层在含有70％体积百分比氮气的气氛中沉积。
下表给出了以上3个实例的a*和b*值以及R平方。
                      表3
    实例     a*     b* R□(ohm.carré)
实例9     -8,1     22,5     0,34
实例9a     -10,6     -8,3     0,38
实例9b     -14,0     5,5     0,35
实例10
该实例中，使用的氮化物层是NbN，结构如下：
玻璃/Si3N4(200nm)/SiO2(30nm)/NbN(100nm)/Mo(500nm)
NbN层在含有20％体积百分比氮气的气氛中沉积。
实例10a
类似实例10，但是NbN层在含有40％体积百分比氮气的气氛中沉积。
实例10b
类似实例10，但是NbN层在含有70％体积百分比氮气的气氛中沉积。
下表给出了以上3个实例的a*和b*值以及R平方。
                         表4
实例     a*     b* R□(ohm/carré)
实例10     -14     -0,5     0,29
实例10a     -10,6     -9,2     0,37
实例10b     -17,6     -0,9     0,42
这里，虽然NbN高于化学计量配比的，但a*，b*值是负数，这对应于强度变化的好看的蓝-绿色。
实例11
该实例采取了实例10，10a，10b中层的顺序，但是Si3N4和SiO2层的厚度不同，
结构如下：
玻璃/Si3N4(150nm)/SiO2(90nm)/NbN(100nm)/Mo(500nm)
实例11a
该实例采取了实例11的层的顺序，但是NbN层在含有40％体积百分比氮气的气氛中沉积。
实例11b
该实例采取了实例11的层的顺序，但是NbN层在含有70％体积百分比氮气的气氛中沉积。
下表给出了以上3个实例的a*和b*值以及R平方。
                     表5
    实例     a*     b* R□(ohm/carré)
实例11     0,3     -7,6     0,34
实例11a     2,8     -10,3     0,33
实例11b     8,8     -14,2     0,28
这些实例中呈粉红色，被视为美观。
实例12
该实例结构如下：
玻璃/Si3N4(150nm)/SiO2(65nm)/Si3N4(15nm)/Mo(500nm)
包括一具有的高折射率/低折射率/高折射率结构的3层光学涂镀层的阻挡层。
下表给出了用于前述实例的一些数据。
                     表6
  实例     a*     b* R□(ohm/carré)
  实例12     -4.1     -6.3     0,28
该实例因此具有同样强度较小的蓝-绿色。
总之，根据本发明，可以通过改变氮化物层的化学计量配比和/或将一过滤层加入到至少两层其中就包含有阻挡层的层中可以对电极的颜色进行精确调节。此外证明了，一旦通过了青铜试验后，该实例的第二系列的a*，b*值变化较小(小于±2)。

Claims (24)

1.一种透明基片，特别是玻璃材质的，其特征在于，它装备有一电极，特别是用于太阳能电池，包括一层钼Mo基的，厚度至多为500nm，特别是至多为400或者300nm或者至多为200nm的导电层。
2.如权利要求1所述的基片，其特征在于，该钼基层的厚度至少为20nm，特别是至少为50nm或者80nm。
3.如上述任一项权利要求所述的基片，其特征在于，它装备有至少一阻挡层，特别是用于阻挡碱金属元素，该阻挡层被插入到所述基片和所述电极之间。
4.如权利要求3所述的基片，其特征在于，该阻挡层以电介质材料为基，该电介质材料选自至少一种下述化合物：氮化硅或者氮氧化硅，氮化铝或者氮氧化铝，氧化硅或者碳氧化硅。
5.如权利要求3或者4所述的基片，其特征在于，该阻挡层的厚度至少为20nm，特别是至少为100nm，并且优选最多为300nm，特别是最多为250nm或者200nm。
6.如上述任一项权利要求所述的基片，其特征在于，该电极至少包括一不同于钼基层的“补偿”型导电层，。
7.如权利要求6所述的基片，其特征在于，该“补偿”型导电层，或者若有两层，则在它们之中的至少一层的厚度至少为10nm，特别是至少为40nm，并且最好为最多300nm，并且最好厚度在50-200nm之间。
8.如权利要求6或者7所述的基片，其特征在于，该电极包括至少一以金属或者合金为基的“补偿”型导电层M，特别是选自下述的金属或者合金之一：Cu，Ag，Ta，Cr，NrCr，钢。
9.如权利要求6-8任一项所述的基片，其特征在于，在钼基导电层下面，该电极包括至少一以金属或者金属合金为基的“补偿”型导电层M。
10.如权利要求6-9任一项所述的基片，其特征在于，该电极包括至少一以下述的金属：Ta，Zr，Nb，Ti，Mo，Hf的氮化物为基的“补偿”型导电层M’N，所述氮化物在氮含量方面可以低于化学计量配比，等于化学计量配比或者高于化学计量配比。
11.如权利要求10所述的基片，其特征在于，该M’N层在钼基层的下面和/或者上面。
12.如权利要求8和权利要求10所述的基片，其特征在于，该M’N层位于M层和钼基层之间。
13.如权利要求8和/或者10所述的基片，其特征在于，该电极包括下述的层顺序之一：M/Mo/M’N；M/M’N/Mo；M/Mo；M’N/Mo；Mo/M’N。
14.如上述任一项权利要求所述的基片，其特征在于，电极的导电层的总厚度小于或者等于600nm，特别是小于或者等于500nm。
15.如上述任一项权利要求所述的基片，其特征在于，该电极的每平方的电阻R□小于或者等于2Ω/□，特别是小于或者等于1Ω/□，最好小于或者等于0.50或者0.45Ω/□。
16.如权利要求3所述的基片，其特征在于，该阻挡层形成用于光学目的的部分多层涂镀层，该多层涂镀层包括至少两层具有不同折射率的介电物质层。
17.如权利要求16所述的基片，其特征在于，它包括具有1.9-2.3之间高折射率的层和1.4-1.7的低折射率的层的交迭，特别是按照如下顺序：Si3N4/SiO2或者Si3N4/SiO2/Si3N4。
18.如权利要求16或者17所述的基片，其特征在于，该光学涂镀层的成分组成至少部分控制该基片在反射中的比色反应，特别是在具有负的a*，b*值的蓝-绿色或者在具有略微正的a*值和负的b*值的粉红色中。
19.如权利要求10所述的基片，其特征在于，该氮化物层M’N的氮的化学计量配比至少部分控制该基片在反射中的比色反应，特别是在具有负的a*，b*值的蓝-绿色或者在具有略微正的a*值和负的b*值的粉红色中。
20.如权利要求3所述的基片，其特征在于，特别是厚度最好为2-15nm之间的可见的TiN吸附薄层，被插入到该阻挡层和电极之间，使得可以控制该基片在反射中的比色反应，特别是在具有负的a*，b*值的蓝-绿色或者在具有略微正的a*值和负的b*值的粉红色中。
21.根据上述任一项权利要求所述的基片，其特征在于，它包含一层黄铜矿吸附在该电极上面。
22.根据权利要求1-20所述的任一项所述的基片的应用，用作太阳能电池的电极。
23.根据权利要求21所述的基片的应用，用作制造太阳能电池。
24.一种太阳能电池，其特征在于，它包括如权利要求21所述的基片。
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