[go: up one dir, main page]

CN1471735B - 一种led芯片及其制造方法 - Google Patents

一种led芯片及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1471735B
CN1471735B CN018181406A CN01818140A CN1471735B CN 1471735 B CN1471735 B CN 1471735B CN 018181406 A CN018181406 A CN 018181406A CN 01818140 A CN01818140 A CN 01818140A CN 1471735 B CN1471735 B CN 1471735B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
thin
substrate
resilient coating
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN018181406A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1471735A (zh
Inventor
S·巴德尔
M·费雷尔
B·哈恩
V·海勒
H·-J·卢高尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN1471735A publication Critical patent/CN1471735A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1471735B publication Critical patent/CN1471735B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
    • H10H20/01335—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于制作具有一个以III-V族氮化物半导体材料为基的薄膜元件(11)的、产生辐射的半导体芯片的方法，首先在外延衬底(100)上淀积薄膜元件(11)，该薄膜元件与一个载体(5)连接，然后从该薄膜元件去掉外延衬底(100)。外延衬底(100)具有一个用多晶SiC或多晶GaN或用SiC、GaN或蓝宝石制成的衬底本体(1)，该衬底本体借助于一层粘附层(3)与一层生长层(2)连接，并在该生长层上用外延法淀积薄膜元件(11)的层序列。此外，描述了一个这样制作的产生辐射的半导体芯片。

Description

一种LED芯片及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于制作具有一个以III-V族氮化物半导体材料为基的薄膜元件的、产生辐射的半导体芯片的方法。该方法包括下列步骤：在一个外延衬底上淀积薄膜元件的一个层序列；将该薄膜元件与一个载体连接；从该薄膜元件去掉外延衬底。
本发明还涉及一种以III-V族氮化物半导体材料为基的、产生辐射的半导体芯片。该半导体芯片具有一个用III-V族氮化物半导体材料制成的多层薄膜元件，该薄膜元件具有一个n型面和一个p型面。
背景技术
以GaN为基的产生辐射的半导体器件例如可从文献US 5874747中得知。这种半导体器件包括一个多层的、由GaN或一种以它为基的材料制成的半导体本体。根据上述文献，在一个SiC衬底上生长GaN基的各层。
由GaN衍生的或使用GaN的材料以及以此为基的、例如三元或四元混合晶体都属于III-V族氮化物半导体材料，其中尤指这些材料：AlN、InN、AlGaN(Al1-xGaxN，0≤x≤1)，InGaN(In1-xGaxN，0≤x≤1)，InAlN(In1-xAlxN，0≤x≤1)和AlInGaN(Al1-x-yInxGayN，0≤x≤1，0≤y≤1)。
所谓“III-V族氮化物半导体材料”下面就是指上面列出的那类材料；此外，还包括在外延生长上列材料系统的各层时所用来构成缓冲层的材料。
此外，从US 5679152中已知一种在一个合适的衬底例如Si衬底上外延生长GaN基半导体本体的方法，在GaN各层外延淀积后，就地去掉衬底。
从US 5786606中已知具有一个中间SiC衬底的GaN基半导体本体，该衬底是在原来的外延衬底上形成的。在制作时去掉原来的衬底本体。
使用具有一个SiC衬底的半导体本体意味着在制造半导体器件时需要相当可观的附加费用，因为SiC衬底本身就是极其昂贵的。在用III-V族氮化物半导体材料为基的半导体本体时，如果把SiC衬底部分装入半导体器件中，则该半导体器件的成本直接与SiC衬底的成本联系在一起。这样就难于经济地制造该半导体器件。
此外，SiC衬底在III-V族氮化物半导体为基的半导体芯片中会导致辐射效率的减少，因为SiC部分地吸收了由芯片发射的辐射并由此减少可输出的辐射的百分比。
在US 5679152描述的制造方法中，在用SiC衬底的情况下，只可能使用很薄的衬底，这种薄衬底在外延后必须立即去掉。这种衬底的容许厚度一般低于1微米。
为了避免由于硅和III-V族氮化物半导体为基的材料之间的不同的热膨胀系数而在半导体内产生裂纹，这样薄的衬度是需要的。
发明内容
本发明的目的是提出一种以III-V族氮化物半导体材料为基的产生辐射的半导体芯片，这种芯片技术简单、制造成本低，并具有高的外部量子输出效率。
此外，本发明的目的是提出一种制造方法。
这个目的是通过上述类型的方法如此来实现：外延衬底具有一个用多晶SiC、多晶GaN、SiC、GaN或蓝宝石制成的衬底本体，该衬底本体借助于一层粘附层与一层生长层连接；
一在生长层上用外延法淀积薄膜元件的层序列。
所述目的还通过上述类型的半导体芯片如此来实现：薄膜元件用p型面叠置在一个导电载体上，并在n型面上具有一个接触面；半导体本体的与接触面邻接的外延层具有AlGaN基的材料，其中，面向接触面的一面比背离接触面的一面具有较高的含铝量，且该缓冲层包含若干由不同于这个剩余的缓冲层的III-V族氮化物半导体材料制成的导电区。
本发明的有利改进方案可从下文得知。
根据本发明，以III-V族氮化物半导体材料为基的、产生辐射的半导体芯片设计为薄膜元件。
所谓薄膜元件在这里理解为一个半导体层序列，该半导体层序列只由以III-V族氮化物半导体材料为基的外延叠层组成。
该薄膜元件由多个III-V族氮化物半导体外延层组成，其中半导体本体在一面上由一层n型的外延层界定，而与此外延层对应的一面则由一层P型外延层界定。
该薄膜元件用P型面叠置在一个导电载体上，该载体具有该薄膜元件的安装面并最好可同时用来接通该薄膜元件。
在该薄膜元件的n型面形成一个相应的接触面。下面所谓的“接触面”就是指这个接触面而不再赘述。
这样制成的半导体芯片有一大优点，即不用厚的(＞100微米)外延衬底例如SiC衬底，因而降低了半导体器件的材料费用。
这种薄膜结构的另一个优点在于，半导体本体只含有一个吸收辐射的衬底的一些小的残余或者根本就不含有吸收辐射的衬底。
所以通过使用反射的载体可提高辐射效率。
本发明的一个有利的改进方案在于，在该薄膜元件时，在n型面上界定的外延层作为导电的缓冲层构成。
为了避免外延衬底和该缓冲层后面各外延层之间的晶格匹配缺陷，一般都在GaN基半导体本体的制作过程中形成缓冲层。
导电的缓冲层具有一大优点，即用这样形成的半导体本体可以制造一个垂直导电的半导体器件。
与绝缘的缓冲层比较，这是有优点的，因为垂直导电的半导体芯片可用较小的费用实现接通。另外，可实现有源层的较大的横向延伸。
在本发明的一个特别有利的方案中，该缓冲层做成一个多层序列，通过不同成分的多层序列可达到这样的优点：不论缓冲层的导电能力还是其后的GaN基各层的匹配都可达到最佳化。
在本发明的一个优选方案中，该缓冲层用AlGaN基材料制成，例如Al1-xGaxN(0≤x≤1)和Al1-x-yInxGayN(0≤x≤1，0≤y≤1，x+y＜1)。
为了获得一层良好导电的缓冲层，缓冲层朝上述接触面的一面用低的Al含量制成，是特别有利的。
此外，由于低含铝量的这些层的表面质量和晶体质量较差，所以缓冲层背离该接触面的一面用高含铝量制成是有利的。通过高含铝量提高了缓冲层的表面质量，并达到了其后的III-V族氮化物半导体基各层的良好匹配。
所以，接触面的一面具有低的含铝量和对应一面具有高的含铝量的缓冲层的一大优点，是构成了一层同时具有高表面质量的导电缓冲层。
根据本发明，为了制作一种以III-V族氮化物半导体材料为基的、产生辐射的半导体器件，III-V族氮化物半导体基的各层叠置在一个外延衬底上，其衬底本体具有一个与III-V族氮化物半导体材料匹配的或一个比III-V族氮化物半导体材料大的热膨胀系数，而且该半导体器件在外延一侧由一层最好含有Si(111)的薄的生长层界定。
在制作III-V族氮化物半导体本体时，外延衬底的热膨胀由衬底本体来确定，是有优点的，这样，该衬底的热性能就与叠置各层相似。
Si(111)表面具有六方形的结构，所以适合作为III-V族氮化物半导体材料的外延表面。
此外，Si(111)表面容易处理和外延准备。Si(111)的处理技术由于这种材料在半导体工业中的卓有成效的应用，是众所周知的和经过考验的。
所以，制作具有一个直径明显大于市售SiC衬底的直径的外延衬底，也是有优点的。
Si(111)表面的可达到的表面质量也远优于SiC衬底的表面质量。
作为衬底本体最好用多晶的SiC、GaN或与GaN基各层良好热匹配的多晶GaN。此外，衬底本体可含有蓝宝石(α-Al2O3)，蓝宝石的热膨胀系数比III-V族氮化物半导体材料的热膨胀系数大。
这种衬底本比先有技术所用的衬底便宜得多，因为这种衬底本体是淀积在生长层的表面上的，因而有利于减少对衬底本体的晶体性能的诸多要求。由于减少了这方面的要求，故可使用特别廉价的多晶材料。
衬底本体最好通过一层用硅氧化物或硅氮化物制成的吸附层与生长层连接。
在该衬底本体和生长层之间的粘附层可用简单的方式构成，而且上述材料可保证特别稳定的连接。
在本发明的一个特别优选的改进方案中，在设置了以III-V族氮化物半导体为基的叠层后，继续实施制造方法，即在下一个步骤中，在III-V族氮化物半导体基的叠层上设置一个载体。
然后，从III-V族氮化物半导体基各层去掉外延衬底。
所以具有这样的优点：外延衬底或衬底本体可以再利用或继续使用。
Si(111)生长层作为外延表面使用对去掉外延衬底是有利的，因为半导体本体可轻易地例如通过腐蚀从衬底本体去掉。Si(111)生长层是一层消耗层。
在用单晶的SiC衬底本体的情况下，半导体本体的经济制造的可能性对这种制造方法是特别有利的，因为昂贵的SiC衬底本体又可再利用或继续使用。
在本发明制造方法的一个优选的改进方案中，在去掉外延衬底后，在半导体本体去掉了外延衬底的表面上设置一个接触面。
本发明制造方法的一个有利的方案在于，在去掉外延衬底之前，蚀刻许多III-V族氮化物半导体层。
这里所谓的蚀刻可理解为把外延层侧向分成许多单个的、在外延衬底上以一定距离并排布置的外延层叠所采取的手段。在通过腐蚀去掉外延层叠时，蚀刻有利于实现经受腐蚀作用的表面的放大。
在本发明的一个有利的改进方案中，在用上述制造方法时，首先在以III-V族氮化物半导体材料为基的外延各层上设置一个中间载体以代替载体，然后去掉外延衬底，并在去掉了该外延衬底的外延叠层的一侧上设置一个载体，在下一个步骤中去掉该中间载体。
用这个改进措施有利于以III-V族半导体材料为基的层的层序列相对于该载体按上述制造方法进行倒装，这种倒装有利于后续工序尤其是封装时能够利用这个倒装的层序列。
本发明制造方法的一个特别有利的方案在于，一层导电的缓冲层作为第一层设置在外延衬底上。
这层缓冲层是特别有利的，这样就为其后的外延层产生了一个具有最佳匹配晶格结构的表面，这个表面同时被后面的层材料很好地漫润，从而可实现随后各层的均匀生长。
由于这个缓冲层的导电性，因而可制作具有上述有利性能的垂直导电的半导体器件。
这个缓冲层最好由以AlGaN为基的许多单层组成。
这样做是有优点的，因为高含铝量的缓冲层为以III-V族氮化物半导体材料为基的其他各层形成了一个晶格匹配的和良好浸润的表面，但导电性较差，而低含铝量的缓冲层则是导电良好的，但具有较差的晶本质量和表面质量。
通过这许多层的组合可兼有高导电率和高晶体质量。
为此，这样做是有利的：衬底一面构成较高含铝量的一层，并朝外延叠层方向即在缓冲层背离外延衬底的一面上淀积较低含铝量的一层。
在本发明制造方法的一个特别有利的改进方案中，该缓冲层分两个步骤形成。
在第一个步骤中，在延伸衬底的生长层上设置若干导电区。特别适合作导电区材料的，是一种InGaN基材料，例如In1-xGaxN(0≤x＜1)和In1-x-yAlxGayN(0≤x≤1，0≤y≤1和x+y＜1)或GaN。
由于Si和Ga易于形成域结构，所以达到了导电区的相当均匀的排列。
在第二个步骤中，这些导电区用一层整平填充层覆盖，并填充这些导电区之间的间隙。
作为这种用途特别适用的材料是一种含铝量高的AlGaN化合物。这样制成的缓冲层很适合用于淀积基于III-V族氮化物半导体材料的其他各层并具有高的导电性。
本发明的其他特征、优点和适用范围可从结合附图的三个实施例的下面的说明中得知。
附图说明
附图表示：
图1一种本发明器件的一个实施例的示意断面图；
图2一种本发明制造方法的一个实施例的示意图；
图3一层导电缓冲层的本发明制造方法的示意图。
具体实施方式
在不同的实施例中，相同或作用相同的部分分别用相同的参考号表示。
图1中所示的产生辐射的半导体芯片具有一个薄膜元件形式的半导体本体11，该半导体本体由一层导电的缓冲层9和一个层序列8组成，该层序列尤其含有以III-V族化合物半导体材料为基的外延叠层。在缓冲层9上设置了一个接触面12，该接触面也可不象图1所示那样，而是也可只覆盖半导体本体11的上表面的一部分并例如可具有Al或由Al组成，并作为焊盘构成。
层序列8的结构决定半导体本体11或由此构成的芯片的功能。这个层序列8也含有用来产生辐射的有源层。
半导体本体11没有外延衬底。
在缓冲层9的一面上，半导体本体11做成n型，而在该面对应的一面则做成P型。
半导体本体11用P型面叠置在导电载体5的一个主面上。
载体5背离半导体本体11的一面具有第二个接触面10。
这样制成的半导体芯片具有垂直的、即垂直于各层平面导电的优点，这样就实现了侧向相当均匀的电流通过该器件和简单的键合。
另一个优点是，该芯片在横向内的定标是不成问题的。所谓定标可理解为过渡到芯片的其他横向尺寸。这种过渡是容易的，因为该芯片在横向内没有蚀刻图形，亦即没有布局。
而在一个主面上例如具有两个不同接触面的横向蚀刻的元件时，则在横向定标时必须考虑横向的结构的尺寸。
一个垂直导电芯片的前提是一层导电的缓冲层9。这层例如用III-V族氮化物半导体材料制成两层。缓冲层9的精确状况结合图3导电缓冲层的制作来说明。
由于III-V族氮化物半导体材料的直接的带内跃迁和带隙的尺寸，按本发明制成的半导体本体特别适用来实现主波长在黄、绿、蓝绿或紫色光谱范围内的发光二极管芯片和具有特高发光强度的发光二极管以及实现发射波长在绿至紫色光谱范围内的半导体激光器。
图2表示本发明一个实施例的6个中间步骤a至f的示意图。
起点是一个多层的外延衬底100(图2a)。衬底本体1用SiC优先用多晶SiC制成。
在衬底本体1上形成一层最好用硅氧化物制成的粘附层3，该粘附层连接该衬底本体与一薄的生长层2，该生长层例如用Si(111)制成。
生长层2的厚度选择得很小，其热膨胀主要由位于其下的衬底本体1来决定。典型地，生长层2的厚度大约在0.1微米和20微米之间，最好小于10微米，尤其是最好为0.1微米和2微米之间。
在下一个步骤中，在生长层2的表面上淀积多层用III-V族氮化物半导体材料制成的层4，见图2b。
最好首先在生长层2的表面上形成一层导电的AlGaN缓冲层9，因为GaN本身和InGaN化合物Si(111)或SiC表面很难浸润。
缓冲层9和在其上淀积的以III-V族化合物半导体材料为基的邻接层是n型的。
在离外延衬底100的对应一面上则邻接一层或多层的P型外延层叠。
在n型和p型层之间形成具有0≤x≤1，0≤y≤1和x+y＜1的Al1-x-yGaxInyN基的若干层，就狭义而言，这若干层是用来产生辐射的。业内公知的全部产生辐射的半导体结构，特别是在形成一个单异质结构或双异质结构情况下的pn结以及单量子阱结构和多量子阱结构对此都是适合的。
在下一个步骤中，通过台面型蚀刻侧向制作Al1-x-yGaxInyN基的各层，如图2C所示，由此形成许多隔离的、在外延衬底100上并排排列的层叠。这些层叠就是产生辐射的芯片的尚未分割的薄膜元件11。
台面型蚀刻一直进行到外延衬底100的生长层2，以便在下一个步骤中容易实现薄膜元件11从外延衬底100去掉。
在蚀刻Al1-x-yGaxInxInyN基的层叠4后，在背离外延衬底100的、薄膜元件11的P型侧上叠置一个载体5或中间载体13。作为载体材料例如可用GaA s或Cu。
在下一个步骤中(图2e)，从薄膜元件11上去掉外延衬底100。去掉通过湿法腐蚀来实现，并破坏生长层2。湿法腐蚀所需的费用例如比去掉SiC衬底本体少得多。
在使用一个中间载体13的情况下，在去掉延伸衬底100以后，在其部位上叠置一个载体5，然后去掉中间载体13。
在这两种方案中，在这个步骤结束时形成的结构是十分相似的，唯一的区别在于，在用中间载体13时，缓冲层9位于半导体本体面向载体5的一面(图2e，右)。在另一种情况中，在背离半导体本体11的一面上形成缓冲层。
然后半导体本体11和载体5分别设置接触面12或10。随后在半导体本体11之间切断载体5，于是产生许多图1所示的半导体芯片(图2f)。
薄膜元件11压焊到载体5或中间载体13结合外延衬底100随后的去掉而有利于外延衬底本体1的继续使用，从而在SiC作为衬底本体材料的情况中实现明显的费用下降。
此外，避免了在SiC衬底上产生的全部吸收损失，从而明显提高辐射效率。
在另一种制造方法中，在用多晶SiC或多晶GaN这类廉价的衬底本体时，如果它的再利用没有特别的优点，也可把整个衬底腐蚀掉。
图3结构4个中间步骤的示意图来说明导电的缓冲层9的制作。
象上述的制造方法那样，作为外延衬底100用一个在外延侧具有一生长层2的SiC或多晶SiC衬底本体，该生长层例如含有Si(111)(图3a)。
在第一个步骤中，在生长层2上淀积一层多量子点形式的核晶层6(图3b)。
为此要用的材料具有低含铝量(＜50％)的AlGaInN、InGaN或GaN。这些量子点是高导电的，但不形成闭合的层。所以在该生长层的表面上形成许多相互没有连接的导电区。覆盖率可在1％和99％之间变化，视材料成分而定。
在量子点层6上淀积一层含铝量高的AlGaN基的整平填充层7，例如AlxGa1-xN(x＞0.5)(图3C)，这样就形成一个平面结构9。
导电区6通过缓冲层9形成沟状的连接，并保证缓冲层9的良好的导电性。
在下一个步骤中，在缓冲层9上淀积一个层序列8，该层序列包括以III-V族化合物半导体材料为基的外延层叠(图3D)，这个层序列主要决定半导体器件的功能。
薄膜元件和单个半导体芯片的其他制作步骤相当于例如结合图2A至2C所述的相应步骤。
当然，本发明不受结合上述实施例所进行的说明的限制。
特别是分别给出范围的半导体材料的成分可满足各方面的要求和该元件预定的使用范围。
此外，在半导体本体的有源层内，通过半导体材料的成分可以确定产生的辐射的主波长。

Claims (26)

1.用于制作具有一个以III-V族氮化物半导体材料为基的薄膜元件(11)的、产生辐射的半导体芯片的方法，其步骤是：
-在一个外延衬底(100)上淀积薄膜元件(11)的一个层序列；
-将该薄膜元件与一个载体(5)连接；
-从该薄膜元件去掉外延衬底(100)，
其特征为：
-外延衬底(100)具有一个用SiC、GaN或蓝宝石制成的衬底本体(1)，该衬底本体借助于一层粘附层(3)与一层生长层(2)连接；
-在生长层(2)上用外延法淀积薄膜元件(11)的层序列。
2.按权利要求1的方法，
其特征为，
生长层(2)具有Si(111)层(2)。
3.按权利要求1的方法，
其特征为，
粘附层(3)用硅氧化物或硅氮化物制成。
4.按权利要求1的方法，
其特征为，
在设置载体(5)之前，把薄膜元件(11)的层序列蚀刻成许多单独的、相互隔离的薄膜元件(11)。
5.按权利要求1的方法，
其特征为，
在去掉外延衬底后接通薄膜元件(11)。
6.按权利要求1的方法，
其特征为，
在设置该层序列后，继续按下列步骤实施该方法：
-在该层序列上设置一个中间载体；
-去掉外延衬底；
-在去掉了该外延衬底的该层序列的一侧上设置一个载体(5)；
-去掉中间载体。
7.按权利要求6的方法，
其特征为，
在设置该中间载体之前，蚀刻许多GaN基叠层。
8.按权利要求6或7的方法，
其特征为，
在去掉该中间载体之前，接通薄膜元件(11)。
9.按权利要求1的方法，
其特征为，
作为生长层(2)表面上的第一层做成导电的缓冲层(9)。
10.按权利要求9的方法，
其特征为，
缓冲层(9)由以AlGaN为基的多个单层组成。
11.按权利要求10的方法，
其特征为，
缓冲层(9)与生长层(2)邻接的单层的含铝量高于从生长层(2)看去的、置于该单层后面的一个单层的含铝量。
12.按权利要求10或11的方法，
其特征为，
缓冲层(9)背离生长层(2)的一侧上的单层的含铝量低于从生长层(2)看去的、置于该单层前面的一个单层的含铝量。
13.按权利要求10的方法，
其特征为，
该缓冲层按下列步骤制作：
-在生长层(2)上制作许多相隔距离的导电区；
-涂覆整平用的填充层(7)。
14.按权利要求13的方法，
其特征为，
通过使用InGaN材料、GaN材料或InN材料形成这些导电区。
15.按权利要求13或14的方法，
其特征为，
填充层(7)具有含高铝量的AlGaN或AlGaInN而可形成平面的表层。
16.按权利要求1的方法，
其特征为，
该生长层的厚度为1微米和20微米之间。
17.按权利要求1的方法，
其特征为，
该外延衬底具有一个与薄膜元件(11)的材料匹配的热膨胀系数或具有一个大于该材料的热膨胀系数。
18.按权利要求1的方法，
其特征为，
外延衬底(100)具有一个用多晶SiC或者多晶GaN制成的衬底本体(1)。
19.按权利要求16的方法，
其特征为，
该生长层的厚度小于10微米。
20.以III-V族氮化物半导体材料为基的、产生辐射的半导体芯片，具有一个用III-V族氮化物半导体材料制成的多层薄膜元件(11)，该薄膜元件具有一个n型面和一个p型面，
其特征为，
薄膜元件(11)用p型面叠置在一个导电载体(5)上，并在n型面上具有一个接触面(12)；
半导体本体(11)的与接触面(12)邻接的外延层具有AlGaN基的材料，其中，面向接触面(12)的一面比背离接触面(12)的一面具有较高的含铝量，且该缓冲层包含若干由不同于这个剩余的缓冲层的III-V族氮化物半导体材料制成的导电区。
21.按权利要求20的半导体芯片，
其特征为，
这些导电区由一种InGaN基的材料组成、由InN组成或者由GaN构成。
22.按权利要求21的半导体芯片，
其特征为，
这些导电区由In1-xGaxN组成，其中，0≤x＜1，或者这些导电区由含有少量铝的、可构成这些导电区的In1-x-yAlxGayN组成，其中，0＜x＜1，0≤y＜1并且x+y＜1。
23.按权利要求20至22任一项的半导体芯片，
其特征为，
缓冲层(9)多层地由以AlGaN为基的多个单层组成。
24.按权利要求23的半导体芯片，
其特征为，
与薄膜元件(11)邻接的单层(9)的含铝量比从该单层看去的、位于该薄膜元件后面的一个单层的含铝量低。
25.按权利要求20的半导体芯片，
其特征为，
所述载体(5)对于所产生的辐射是能穿透的或部分能穿透的。
26.按权利要求20的半导体芯片，
其特征为，
载体(5)具有一层反射层来反射所产生的辐射或至少部分地设置了一个表面来反射所产生的辐射。
CN018181406A 2000-08-31 2001-08-31 一种led芯片及其制造方法 Expired - Lifetime CN1471735B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10042947A DE10042947A1 (de) 2000-08-31 2000-08-31 Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
DE10042947.5 2000-08-31
PCT/DE2001/003348 WO2002019439A1 (de) 2000-08-31 2001-08-31 Verfahren zum herstellen eines strahlungsemittierenden halbleiterchips auf iii-v-nitridhalbleiter-basis und strahlungsemittierender halbleiterchip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1471735A CN1471735A (zh) 2004-01-28
CN1471735B true CN1471735B (zh) 2010-05-26

Family

ID=7654526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN018181406A Expired - Lifetime CN1471735B (zh) 2000-08-31 2001-08-31 一种led芯片及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6849878B2 (zh)
EP (1) EP1314209B1 (zh)
JP (2) JP4177097B2 (zh)
CN (1) CN1471735B (zh)
DE (1) DE10042947A1 (zh)
TW (1) TW584971B (zh)
WO (1) WO2002019439A1 (zh)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10051465A1 (de) * 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
WO2001084640A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LUMINESZENZDIODENCHIP AUF DER BASIS VON GaN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENBAUELEMENTS
JP2003532298A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子
TWI289944B (en) * 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
JP4250909B2 (ja) * 2002-05-20 2009-04-08 ソニー株式会社 半導体素子の分離方法および転写方法
GB2388957A (en) * 2002-05-24 2003-11-26 Imp College Innovations Ltd Quantum dots for extended wavelength operation
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
DE10245631B4 (de) * 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
DE10350707B4 (de) * 2003-02-26 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrischer Kontakt für optoelektronischen Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI243488B (en) 2003-02-26 2005-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electrical contact-area for optoelectronic semiconductor-chip and its production method
EP2270887B1 (en) * 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7589003B2 (en) * 2003-06-13 2009-09-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University, A Corporate Body Organized Under Arizona Law GeSn alloys and ordered phases with direct tunable bandgaps grown directly on silicon
WO2005015609A2 (en) * 2003-06-13 2005-02-17 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Sixsnyge1-x-y and related alloy heterostructures based on si, ge and sn
JP4218597B2 (ja) 2003-08-08 2009-02-04 住友電気工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP4110222B2 (ja) 2003-08-20 2008-07-02 住友電気工業株式会社 発光ダイオード
EP1569263B1 (de) * 2004-02-27 2011-11-23 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Verbinden zweier Wafer
US7332365B2 (en) * 2004-05-18 2008-02-19 Cree, Inc. Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method
US7791061B2 (en) * 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7259402B2 (en) * 2004-09-22 2007-08-21 Cree, Inc. High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode
US8513686B2 (en) * 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7737459B2 (en) 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US8288942B2 (en) 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
US7932111B2 (en) 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
KR100631980B1 (ko) * 2005-04-06 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자
US8575651B2 (en) * 2005-04-11 2013-11-05 Cree, Inc. Devices having thick semi-insulating epitaxial gallium nitride layer
US8674375B2 (en) * 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
CN1988109B (zh) * 2005-12-21 2012-03-21 弗赖贝格化合物原料有限公司 生产自支撑iii-n层和自支撑iii-n基底的方法
US20070194342A1 (en) * 2006-01-12 2007-08-23 Kinzer Daniel M GaN SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS EMPLOYING GaN ON THIN SAPHIRE LAYER ON POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
JP2009539227A (ja) 2006-05-31 2009-11-12 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および照明方法
TW200802941A (en) * 2006-06-22 2008-01-01 Univ Nat Central A quantum photoelectric element of antimony compound
DE102006060410A1 (de) * 2006-06-30 2008-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaserchip
US7885306B2 (en) 2006-06-30 2011-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Edge-emitting semiconductor laser chip
CN101554089A (zh) * 2006-08-23 2009-10-07 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
EP2064489B1 (en) * 2006-09-23 2019-01-02 YLX Incorporated Brightness enhancement method and apparatus of light emitting diodes
EP2095011A1 (en) 2006-12-04 2009-09-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
CN101622493A (zh) * 2006-12-04 2010-01-06 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
US8026517B2 (en) * 2007-05-10 2011-09-27 Industrial Technology Research Institute Semiconductor structures
US20080303033A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Cree, Inc. Formation of nitride-based optoelectronic and electronic device structures on lattice-matched substrates
US8123384B2 (en) * 2007-07-17 2012-02-28 Cree, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
KR100872678B1 (ko) 2007-07-23 2008-12-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자의 제조 방법
JP4148367B1 (ja) 2007-08-02 2008-09-10 富山県 細胞のスクリーニング方法
US8617997B2 (en) 2007-08-21 2013-12-31 Cree, Inc. Selective wet etching of gold-tin based solder
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
JP5212777B2 (ja) * 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
US20110114022A1 (en) * 2007-12-12 2011-05-19 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
US8021487B2 (en) 2007-12-12 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US9012253B2 (en) 2009-12-16 2015-04-21 Micron Technology, Inc. Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods
DE102009060749B4 (de) 2009-12-30 2021-12-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US8997832B1 (en) 2010-11-23 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Method of fabricating micrometer scale components
US20130330911A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Yi-Chiau Huang Method of semiconductor film stabilization
US9064709B2 (en) * 2012-09-28 2015-06-23 Intel Corporation High breakdown voltage III-N depletion mode MOS capacitors
US10134727B2 (en) 2012-09-28 2018-11-20 Intel Corporation High breakdown voltage III-N depletion mode MOS capacitors
US9911813B2 (en) * 2012-12-11 2018-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Reducing leakage current in semiconductor devices
US8896008B2 (en) 2013-04-23 2014-11-25 Cree, Inc. Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes
DE102014116141B4 (de) 2014-11-05 2022-07-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips, optoelektronischer Halbleiterchip sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102017108385A1 (de) * 2017-04-20 2018-10-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbarren und Halbleiterlaser sowie Verfahren zur Herstellung von Laserbarren und Halbleiterlasern
TWI637481B (zh) 2017-11-29 2018-10-01 財團法人工業技術研究院 半導體結構、發光裝置及其製造方法
DE102018104785A1 (de) 2018-03-02 2019-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von transferierbaren Bauteilen und Bauteilverbund aus Bauteilen
DE102018104778A1 (de) 2018-03-02 2019-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteilverbund aus optischen Bauteilen, Verfahren zur Herstellung eines Bauteilverbunds und Bauelement mit einem optischen Bauteil
CN115347450A (zh) * 2022-08-22 2022-11-15 福建慧芯激光科技有限公司 一种iii-v族化合物半导体光芯片与硅基电芯片实现晶圆级别集成的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1190491A (zh) * 1995-05-08 1998-08-12 克里研究公司 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
US5851905A (en) * 1996-07-11 1998-12-22 North Carolina State University Methods of forming indium gallium nitride or aluminum indium gallium nitride using controlled hydrogen gas flows
US5985687A (en) * 1996-04-12 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0760790B2 (ja) * 1987-05-13 1995-06-28 シャープ株式会社 化合物半導体基板
US4912532A (en) * 1988-08-26 1990-03-27 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
JP2542447B2 (ja) * 1990-04-13 1996-10-09 三菱電機株式会社 太陽電池およびその製造方法
US5286335A (en) * 1992-04-08 1994-02-15 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off and deposition of thin film materials
US5244818A (en) * 1992-04-08 1993-09-14 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off of thin film materials and for the fabrication of three dimensional integrated circuits
US5391257A (en) * 1993-12-10 1995-02-21 Rockwell International Corporation Method of transferring a thin film to an alternate substrate
US5679152A (en) 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
JP2669368B2 (ja) * 1994-03-16 1997-10-27 日本電気株式会社 Ｓｉ基板上化合物半導体積層構造の製造方法
US5585648A (en) * 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3182346B2 (ja) * 1995-08-31 2001-07-03 株式会社東芝 青色発光素子及びその製造方法
US5798537A (en) * 1995-08-31 1998-08-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Blue light-emitting device
JP3409958B2 (ja) * 1995-12-15 2003-05-26 株式会社東芝 半導体発光素子
US5874747A (en) * 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
JPH1022226A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Super Silicon Kenkyusho:Kk エピタキシャルウエハ製造方法及び装置
JP3214367B2 (ja) 1996-08-12 2001-10-02 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
JPH10215035A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Toshiba Corp 化合物半導体素子及びその製造方法
US5880491A (en) * 1997-01-31 1999-03-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force SiC/111-V-nitride heterostructures on SiC/SiO2 /Si for optoelectronic devices
JP3914615B2 (ja) 1997-08-19 2007-05-16 住友電気工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US6033995A (en) * 1997-09-16 2000-03-07 Trw Inc. Inverted layer epitaxial liftoff process
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JP3036495B2 (ja) * 1997-11-07 2000-04-24 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JPH11145515A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法
US6599133B2 (en) * 1997-11-18 2003-07-29 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing III-V compound semiconductor structures with an integral non-continuous quantum dot layer utilizing HVPE techniques
JPH11284228A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体素子
JP4126749B2 (ja) * 1998-04-22 2008-07-30 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP3525061B2 (ja) * 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
US6329063B2 (en) * 1998-12-11 2001-12-11 Nova Crystals, Inc. Method for producing high quality heteroepitaxial growth using stress engineering and innovative substrates
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US6328796B1 (en) * 1999-02-01 2001-12-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Single-crystal material on non-single-crystalline substrate
US20010042866A1 (en) * 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
WO2001006546A2 (en) * 1999-07-16 2001-01-25 Massachusetts Institute Of Technology Silicon on iii-v semiconductor bonding for monolithic optoelectronic integration
US6214733B1 (en) * 1999-11-17 2001-04-10 Elo Technologies, Inc. Process for lift off and handling of thin film materials
US6646292B2 (en) * 1999-12-22 2003-11-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Semiconductor light emitting device and method
US6495867B1 (en) * 2000-07-26 2002-12-17 Axt, Inc. InGaN/AlGaN/GaN multilayer buffer for growth of GaN on sapphire
US6562648B1 (en) * 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
US6583034B2 (en) * 2000-11-22 2003-06-24 Motorola, Inc. Semiconductor structure including a compliant substrate having a graded monocrystalline layer and methods for fabricating the structure and semiconductor devices including the structure
US6498073B2 (en) * 2001-01-02 2002-12-24 Honeywell International Inc. Back illuminated imager with enhanced UV to near IR sensitivity
US6497763B2 (en) * 2001-01-19 2002-12-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic device with composite substrate
JP4211256B2 (ja) * 2001-12-28 2009-01-21 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、電気光学装置、電子機器
US6562127B1 (en) * 2002-01-16 2003-05-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of making mosaic array of thin semiconductor material of large substrates

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1190491A (zh) * 1995-05-08 1998-08-12 克里研究公司 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
US5985687A (en) * 1996-04-12 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials
US5851905A (en) * 1996-07-11 1998-12-22 North Carolina State University Methods of forming indium gallium nitride or aluminum indium gallium nitride using controlled hydrogen gas flows

Also Published As

Publication number Publication date
JP5183085B2 (ja) 2013-04-17
US20030197170A1 (en) 2003-10-23
US20050104083A1 (en) 2005-05-19
US7105370B2 (en) 2006-09-12
JP4177097B2 (ja) 2008-11-05
EP1314209A1 (de) 2003-05-28
US6849878B2 (en) 2005-02-01
DE10042947A1 (de) 2002-03-21
JP2004508720A (ja) 2004-03-18
TW584971B (en) 2004-04-21
JP2007201493A (ja) 2007-08-09
EP1314209B1 (de) 2012-10-03
CN1471735A (zh) 2004-01-28
WO2002019439A1 (de) 2002-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1471735B (zh) 一种led芯片及其制造方法
KR101178361B1 (ko) 반도체 칩의 제조 방법
CN101562223B (zh) 半导体元件
US8946865B2 (en) Gallium—nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
US7880186B2 (en) III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region
RU2515205C2 (ru) Полупроводниковые светоизлучающие устройства, выращенные на композитных подложках
TWI416757B (zh) 多波長發光二極體及其製造方法
US6876009B2 (en) Nitride semiconductor device and a process of manufacturing the same
KR20070011916A (ko) 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP2008205514A (ja) Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体素子
CN101728462A (zh) 多波长发光二极管及其制造方法
WO2022145453A1 (ja) 半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体基板の製造装置、電子部品および電子機器
US20110024775A1 (en) Methods for and devices made using multiple stage growths
JP3718329B2 (ja) ＧａＮ系化合物半導体発光素子
CN101232067B (zh) 发光二极管及其制造方法、集成发光二极管、以及显示器
JPH10173236A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
JP2009123836A (ja) 窒化物半導体発光素子
CN100364123C (zh) GaN基发光器件制作方法及其器件结构
US6753552B1 (en) Growth-selective structure of light-emitting diode
JP3728305B2 (ja) 選択成長を応用した発光ダイオード装置
KR100699057B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR20130068701A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101199796B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법
KR20140059522A (ko) 질화갈륨 기판을 포함하는 발광소자 및 이를 포함하는 발광 다이오드 패키지
JP2007300146A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100526

CX01 Expiry of patent term