CN1338820A

CN1338820A - 纵向耦合谐振器型的声表面波滤波器

Info

Publication number: CN1338820A
Application number: CN01124310A
Authority: CN
Inventors: 高峰裕一
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-06-26
Filing date: 2001-06-26
Publication date: 2002-03-06
Anticipated expiration: 2021-06-26
Also published as: EP1168614A2; KR20020000729A; EP1168614A3; CN1190006C; US6583691B2; US20020047759A1; JP2002009587A; KR100415280B1; JP3358615B2

Abstract

在一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中包括有由相邻的IDT末端部分提供的窄间距手指电极部分,该窄间距手指电极部分所具有的一部分手指电极的间距比该IDT中其它部分的手指电极的间距要窄,至少一对相邻手指电极中心间的距离均偏离0.25λA+0.25λB,其中λA表示由其中一个手指电极的间距决定的波长,λB表示由其中另一个手指电极的间距决定的波长。

Description

纵向耦合谐振器型的声表面波滤波器

本发明涉及一种用于诸如带通滤波器或其它的便携式电话机或电子设备的射频单元中的声表面波滤波器，更具体地说，尤其涉及一种在其声表面波的传播方向上有一系列叉指式换能器(IDTs)的纵向耦合谐振器型的声表面波设备。

同在便携式电话机的射频单元中使用的带通滤波器一样，声表面波滤波器也已被广泛的使用。带通滤波器需要有低损耗、高衰减和宽带宽。因此，为达到上述的要求已对声表面波滤波器做了各种各样的尝试。

例如，公开号为5-267990的日本专利申请公开了一种增加纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的带宽的方法。图31给出了公开号为5-267990的日本专利申请所公开的一种纵向耦合谐振器型的声表面波滤波器101。如图31中所示的临近的IDT中的相邻的两个手指电极中心间的距离Z(在下文中指IDT与IDT之间的间隔)被设置为大约是波长λI的0.25倍，而该波长λI是由手指电极间的间距决定的。图27和28是说明采用这种传统技术来增加带宽的曲线图。图27给出了产生谐振模式的频率之间的关系，图28示意性的给出了在各个不同的谐振频率下的有效电流的分布情况。

在上面所述的传统技术所采用的方法中，为形成一通频带，除了采用零阶模式(谐振模式如箭头B所示)和次阶模式(谐振模式如箭头A所示)外，还采用了一种具有在声表面波强度分布中的峰值并在IDT和IDT间隔内出现的谐振模式(谐振模式如箭头C所示)。因此，一般的，为了防止大量波的不希望的辐射，IDT和IDT之间的间隔被设置为0.50λI。从上述的传统技术中可以看出，带宽可以通过将间隔设为0.25λI而被加宽。

图29和30示出了当两个IDT间的间隔变化时，如箭头A至C所示的谐振频率的变化情况。当符合阻抗匹配的条件故意发生偏差时，如附图29和30所示的结果也是可以获得并得到确认的。需要指出的是图29和30所示的只是在谐振模式频率下相关的变化情况，而并不表示精确的谐振频率下的全部位置。

图29示出了当IDT和IDT之间的间隔变化时，基于零阶模式频率的各个谐振频率的变化，也就是，基于零阶模式的各个谐振频率间的不同频率的变化。图30示出了在各个谐振频率间的波幅电平的变化。从图29和30中可以看出，当IDT和IDT之间的间隔变化时，所有的谐振频率和波幅电平都是变化的。

如上所述的传统技术中，调整IDT和IDT之间的间隔来增加通带宽，这将参照图32进行描述。

图32是传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的一个示例的平面示意图。

在该例中，声表面波滤波器200是通过对各个电极的排列而生成的，各个电极是铝制的、沿着Y轴40±5。切断X轴传播并以LiTaO3为基底(未示出)。纵向耦合谐振器型声表面波滤波器200具有两级互连的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分201和202。声表面波滤波器201和202具有相同的设置，并且包含第一、第二和第三IDT 205-207，以及置于在第一至第三IDT 205-207两侧的反射器208和209。声表面波滤波器部分201和202按照下述规范来设计的。

手指电极的交叉宽度：43.41λI(其中λI是指由一个IDT的手指电极间的间距所决定的声表面波的波长)；

IDT手指电极的数目(IDT 205、206和207的数目分别为25、31和25)；

IDT的波长λI：4.17μm；

反射器的波长λR：4.28μm；

反射器的手指电极数目：100；

邻近的IDT间的距离D和E：0.32λI；

IDT和反射器间的间隔：0.50λR；

IDT的功率：0.73；

反射器的功率：0.55；

电极膜厚度：0.08λI；

需要指出的是在本专利说明书中，所有的IDT和IDT之间的间隔、IDT和反射器之间的间隔以及相邻的手指电极间的间隔都分别指各个手指电极中心间的距离。如上所述的功率被定义为沿着声表面波传播方向上手指电极的横向所占大小的比率，其主要取决于横向大小和手指电极与其相邻手指电极间的空间大小之和。

图33和34示出了当IDT和IDT之间的间隔D和E与为达到增加带宽的目的的上述设计值相比减小了0.005λI时如图32所示的声表面波换能器200特征曲线的变化。实线表示当IDT和IDT之间的间隔D和E减小时的特征曲线，虚线表示当应用了上述规范中的数值时的特征曲线。

图33示出了频率特征曲线，图34示出了VSWR的变化。

如图33和34所示，与从直通级别到比直通级别低的4dB间的范围相对应的通频带宽增加了大约1MHz。然而，在通频带内的插入损耗的均匀性却恶化了，VSWR降低了大约0.25。

另一方面，图35和36示出了当IDT和IDT之间的间隔D和E同上述的设计值相比增加了0.003λI时声表面波滤波器2000的特征曲线的变化，因此在通频带内的插入损耗的均匀性被增强了，并且VSWR特性也被提高了。实线表示当IDT和IDT之间的间隔D和E增加时的特征曲线，虚线表示当应用了上述规范中的数值时的特征曲线。

从图35和36中可以看出，当通频带宽变窄了约1MHz时，在通频带内的插入损耗的均匀性和VSWR可以通过增加IDT和IDT之间的间隔而得到改善。其原因在于，当试图通过调整IDT和IDT之间的间隔而生成所希望的如图29和30的特征曲线时，所有的谐振模式都将发生变化。

也就是说，既然这三种谐振模式不能独立工作，则得不到满足通频带宽、通频带内插入损耗的均匀性以及VSWR等等特性的特征曲线。

为克服上述现有技术中的问题，本发明的最佳实施例提供了一个可以解决上述技术缺点的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，在该滤波器中，上述三种谐振模式的更宽可调整性，通频带宽的设计灵活性、通频带内插入损耗的均匀性以及VSWR都被极大的增强了。

本发明的一个最佳实施例提供了一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，在该滤波器中，通频带内插入损耗的均匀性被大大的提高了，并且VSWR在不需降低通频带宽的情况下其特性也可被大大提高。

本发明的另一个最佳实施例提供了一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，在该滤波器中，在通频带内插入损耗的均匀性和VSWR特性被恶化的情况下，带宽也可以被增加。

根据本发明的一个方面，一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器包括有一个压电基底，位于沿着声表面波的传播方向延伸的压电基底上并有许多手指电极的第一、第二和第三IDT，分别的，至少第一、二、三IDT中的一个包含至少一个窄间距手指电极部分，在窄间距手指电极部分中位于与IDT的一侧临近的IDT端部的手指电极部分的间距比IDT的其它手指电极部分的间距短，至少一对相邻手指电极的中心间的距离不同于0.25λA+0.25λB，其中λA表示由其中一个手指电极的间距决定的波长，λB表示由其中另一个手指电极的间距决定的波长。

在该例中，至少一对相邻的电极不仅可以是由窄间距手指电极部分和在窄间距手指电极部分上与其邻近的其它手指电极部分提供的一对相邻手指电极，以及由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极，还可以是与上述提供相邻手指电极不同的区域提供的一对相邻手指电极。

根据本发明的另一方面，一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器包括有一个压电基底，位于沿着声表面波的传播方向延伸的压电基底上并有许多手指电极的第一、第二和第三IDT，分别的，至少第一、二、三IDT中的一个包含至少一个窄间距手指电极部分，在此部分中位于与IDT的一侧相邻的IDT端部的手指电极部分的间距比IDT的其它手指电极部分的间距短，如果λI2表示由窄间距手指电极部分中的手指电极间距决定的波长，并且λI1表示是由包括窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的其它手指电极部分的IDT中的手指电极部分的间距，由窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的手指电极部分提供的相邻手指电极中心间的距离相差0.25λI1+0.25λI2。

根据本发明的另一方面，一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器包括有：一个压电基底，位于沿着声表面波的传播方向延伸的压电基底上并有许多手指电极的第一、第二和第三IDT，分别的，至少第一、二、三IDT中的一个包含至少一个窄间距手指电极部分，在此部分中位于与IDT的一侧相邻的IDT端部的手指电极部分的间距比IDT的其它手指电极部分的间距短，如果λI2表示由窄间距手指电极部分中的手指电极间距决定的波长，并且λI1表示是由包括窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的其它手指电极部分的IDT中的手指电极部分的间距，由窄间距手指电极部分和邻近手指电极部分提供的相邻手指电极中心间的距离相差0.25λI1+0.25λI2。

根据本发明的另一方面，一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器包括有一个压电基底，位于沿着声表面波的传播方向延伸的压电基底上并有许多手指电极的第一、第二和第三IDT，分别的，至少第一、二、三IDT中的一个包含至少一个窄间距手指电极部分，在此部分中位于与IDT的一侧相邻的IDT端部的手指电极部分的间距比IDT的其它手指电极部分的间距短，如果λI2表示由窄间距手指电极部分中的手指电极间距决定的波长，并且λI1表示是由包括窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的其它手指电极部分的IDT中的手指电极部分的间距，当邻近的IDT提供了彼此相邻的窄间距手指电极部分时，由邻近的IDT提供的相邻手指电极的中心间的距离被设置相差0.5λI2，此外，当仅仅由IDT中的一个提供窄间距手指电极部分时，上述距离被设置为相差0.25λI1+0.25λI2，由窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的手指电极部分提供的相邻手指电极中心间的距离相差0.25λI1+0.25λI2。

可取的是，相邻手指电极中心间距离的偏移量达到0.25λI1。

更可取的是，由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中的一个手指电极的覆盖率相当高，其中一对相邻手指电极间的间隙也极大的减小了。

由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极之间的区域可以是敷以金属的。

根据本发明的另一方面，一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器包括有一个压电基底，位于沿着声表面波的传播方向延伸的压电基底上并有许多手指电极的第一、第二和第三IDT，分别的，至少第一、二、三IDT中的一个包含至少一个窄间距手指电极部分，在此部分中位于与IDT的一侧相邻的IDT端部的手指电极部分的间距比IDT的其它手指电极部分的间距短，一个接连在窄间距手指电极部分并具有较宽的手指电极间距的手指电极部分，一个由窄间距手指电极部分提供的具有不同的手指电极间距的手指电极部分。

可取的是，由具有不同手指电极间距的窄间距手指电极部分提供的至少一对相邻手指电极中心间的距离均相差0.25λA+0.25λB，其中λA和λB由各自的手指电极间距决定的波长。

此外，可取的是，窄间距手指电极部分是一个线性调频脉冲型手指电极部分。该线性调频脉冲型手指电极部分被设置成手指电极间距从该IDT的声表面波传播方向上的中心处向外侧递减排列。

根据本发明，提供了一种包含如上所述的多个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器并多级相互连接的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

进一步说，根据本发明，提供了一种使用了如上所述的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的通讯设备。

本发明的其它单元、特性、特征和优点将通过下面对结合附图的最佳实施例的详细说明变得更加清楚。

图1是依照第一最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的平面示意图；

图2是第一最佳实施例和参考实例中纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的频率特性曲线图；

图3是第一最佳实施例和参考实例中纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的VSWR曲线图；

图4是说明第一最佳实施例的原理的平面示意图；

图5是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X1和X4变化时，三种谐振模式间频率在位置上的变化关系的曲线图；

图6是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X1和X4变化时，三种谐振模式的波幅电平在位置上的变化关系的曲线图；

图7是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X5和X6变化时，三种谐振模式间频率在位置上的变化关系的曲线图；

图8是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X5和X6变化时，三种谐振模式间波幅电平在位置上的变化关系的曲线图；

图9是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X2和X3变化时，三种谐振模式间频率在位置上的变化关系的曲线图；

图10是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X2和X3变化时，三种谐振模式间波幅电平在位置上的变化关系的曲线图；

图11是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X1和X4与基本设计值不同时，频率特性变化的曲线图；

图12是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X5和X6与基本设计值不同时，频率特性变化的曲线图；

图13是说明当如图4所示纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的中心间距离X2和X3与基本设计值不同时，频率特性变化的曲线图；

图14是第一最佳实施例的改进实例的频率特性的曲线图；

图15是第一最佳实施例的改进实例的VSWR的曲线图；

图16是当IDT间的间隙变化时，声表面波的传播损耗的曲线图；

图17A和17B是第一最佳实施例的改进实例的平面示意图；

图18是第一最佳实施例的另一个改进实例的平面示意图；

图19是依照第二最佳实施例的平面示意图；

图20是依照第二最佳实施例的改进实例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的平面示意图；

图21是依照第三最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的平面示意图；

图22是第三最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的频率特性的曲线图；

图23是第三最佳实施例和参考实例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的VSWR的曲线图；

图24是依照第四最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的平面示意图；

图25是使用本发明的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的通讯设备的一个实例的示意性方框图；

图26是使用本发明的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的通讯设备的另一个实例的示意性方框图；

图27是给出了纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中的三种谐振频率之间的关系的曲线图；

图28说明了在如图27所示的三种谐振模式下的有效电流的分布情况；

图29是给出了在传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中IDT和IDT之间的间隔与谐振频率位置之间关系的曲线图；

图30是给出了在传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中IDT和IDT之间的间隔与三种谐振模式中波幅电平之间关系的曲线图；

图31是传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的一个实例的平面示意图；

图32是传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的另一个实例的平面示意图；

图33是当传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中IDT和IDT之间的间隔改变时，说明频率特性变化的曲线图；

图34是当传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中IDT和IDT之间的间隔改变时，说明VSWR变化的曲线图；

图35是当传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中IDT和IDT之间的间隔改变时，说明频率特性变化的曲线图；

图36是当传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中IDT和IDT之间的间隔改变时，说明VSWR变化的曲线图；

下文中，通过结合附图对本发明的最佳实施例进行描述，本发明将更清楚。

图1是依照本发明第一最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的平面示意图。此纵向耦合谐振器型声表面波滤波器和接下来的最佳实施例都是EGSM接收带通滤波器。但是，本发明的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器并不仅限于上述滤波器，并可以用作各种用途的带通滤波器。

在这个最佳实施例中，提供了一种沿着Y轴40±5°切断X轴传播并用LiTaO3基底2作为压电基底的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器1。

在声表面波滤波器1中，声表面波滤波器部分3和4是两级互连的。该声表面波滤波器部分3和4是分别具有三个IDT的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。滤波器3和4具有大体相同的配置。

在声表面波滤波器3中，第一、第二和第三IDT 5、6和7被排列在声表面波的传播方向上，反射器8和9被排列在IDT 5、6和7所在区域的两侧。

类似的，在声表面波滤波器4中，第一、第二和第三IDT 10、11和12被排列在声表面波的传播方向上，反射器13和14被排列在IDT 10、11和12所在区域的两侧。

在声表面波滤波器部分3中央的第二IDT 6的一个末端同一个输入终端15相连，同时，声表面波滤波器部分3中的第一和第三IDT 5和7的一个末端和声表面波滤波器部分4中的第一和第三IDT 10和12的一个末端电相连。声表面波滤波器部分4中的第二IDT 11的一个末端同一个输出终端16电相连，在IDT 5至7和10至12中位于与输入终端15、输出终端16以及其它IDT相连的末端的对面的所有的末端都分别与地电位相连。

在声表面波滤波器部分3中，IDT 5至7具有窄间距手指电极部分，其中的手指电极间隔相当窄。例如，手指电极5a和5b在IDT 5和6相邻的区域内也是相邻的。包含手指电极5a在内的IDT 5中的、从靠近IDT6末端的一侧开始排列的多个手指电极定义了一个窄间距手指电极部分N1，N1中的手指电极间距与IDT5中其它手指电极间距相比一样窄。也就是说，在IDT 5中，窄间距手指电极部分N1中的手指电极间距比其它的手指电极部分中的手指电极间距设置的窄一些。

类似的，在IDT 6中，包含手指电极6a在内的IDT 5中的、从靠近IDT 5末端的一侧开始排列的多个手指电极定义了窄间距手指电极部分N2。

另一方面，在IDT 6和7相邻的区域，IDT 6中的手指电极6b与IDT 7中的手指电极7a也是相邻的。包含手指电极6b在内的IDT6中的、从靠近IDT7末端的一侧开始排列的多个手指电极定义了一个窄间距手指电极部分N3。这样一来，窄间距手指电极部分N2和N3位于IDT 6的声表面波传播方向的两侧。该窄间距手指电极部分N2和N3中的手指电极间距与IDT 6的中央手指电极部分的手指电极间距相比一样窄。该窄间距手指电极部分N2和N3中的手指电极间距被设置为一致。

在IDT 7中，提供了窄间距手指电极部分N4，该窄间距手指电极部分N4含有多个位于IDT 6末端一侧的手指电极。在IDT 7中，窄间距手指电极部分N4中的手指电极间距比其它的手指电极部分中的手指电极间距要窄一些。

在IDT 10至12中也同IDT 5至IDT 7一样提供了窄间距手指电极部分N1、N2、N3和N4。

需简要说明的是，如图1中所示的手指电极的数目与实际应用中的手指电极的数目相比要小一些。

首先将要描述并不是本发明的一个实例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器1的一个基本设计实例(在下文中，指一个参考实例)。由窄间距手指电极部分N1至N4中的手指电极间距决定的波长被命名为λI2，由其它手指电极部分中的手指电极间距决定的波长被命名为λI1。

在IDT 5至7和IDT 10至12中的手指电极通频带宽W为35.8λI1。

关于IDT 5、7、10和12中的手指电极的数目，在各自的窄间距手指电极部分中手指电极的数目为4，在其它各自的手指电极部分中手指电极的数目为25。

关于IDT 6和11中的手指电极的数目，在IDT 6和11两侧的窄间距手指电极部分N2和N3中手指电极的数目分别为4。在IDT 6和11中央的手指电极部分而非窄间距手指电极部分中的手指电极的数目为27。

λI1为4.19μm；

λI2为3.90μm；

反射器8、9、13和14的波长λR为4.29μm。各个反射器中的手指电极的数目为100。

手指电极中心间的距离是指由窄间距手指电极部分和其它手指电极部分提供的一对相邻手指电极中心间的距离，该距离等于0.25λI1与0.25λI2之和。由窄间距手指电极部分和其它手指电极部分提供的一对相邻手指电极中心间的距离如图1中的箭头X1、X2、X3或X4所示。例如，该距离是指由IDT 5中的窄间距手指电极部分N1和其它手指电极部分相邻的区域提供的一对相邻手指电极中心间的距离。

邻近的IDT和IDT之间的间隔为0.50λI2。尤其在本实施例中，分别由彼此互相邻近的两个IDT的末端提供了窄间距手指电极部分。由两个邻近的IDT提供的如箭头X5或X6所示的相邻手指电极中心间的距离，被设置为0.50λI2。

IDT与反射器之间的间隔为0.50λR。

IDT 5至7和10至12的功率为0.73，反射器的功率为0.55。

电极膜厚度为0.08λI1。

在该例中，由邻近的IDT提供的相邻手指电极中心间的距离X5和X6以及由具有不同手指电极间距的邻近手指电极部分提供的相邻手指电极中心间的距离X1至X4均被设置为各个波长的0.25倍之和，各个波长是由包括一对相邻手指电极的手指电极部分中的手指电极间隙决定的。其原因在于声表面波的传播路径是持续不断的，并且由大量波导致的幅频损耗也被大大的减少。

在这个参考实例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中，损耗较低，并且与传统的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器相比，通过使用上述的三种谐振模式可以产生一个更宽的通频带。

根据本最佳实施例，在上述参考实例中的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中，每一个中心间的距离X1至X6偏离了两个波长的0.25倍之和，其中的一种波长是由包括一对相邻手指电极中的一个并且被排列到距离该相邻手指电极的一个的中心较远的多个手指电极的间隔决定的，另一种波长是由包括一对相邻手指电极中的另一个并且被排列到距离该相邻手指电极的另一个的中心较远的多个手指电极的间隔决定的。这些将在下面进一步说明。

通频带内的插入损耗和VSWR的色散，通过对上述用作基本设计的参考实例中的中心间的距离X1至X6的调整，已被极大的改进了。

在该实施例中，手指电极的通频带宽被设置为43.0λI1，中心间的距离X1至X6具有如下设置：

中心间的距离X1和X4均等于0.25λI1+0.25λI2+0.015λI1；

中心间的距离X5和X6均等于0.50λI2-0.020λI1；

中心间的距离X2和X3均等于0.25λI1+0.25λI2+0.010λI1；

为实现阻抗匹配，手指电极通频带宽按上述变化。

图2示出了该最佳实施例和上述参考实例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的频率特性，图3示出了其VSWR特性。在图2和3中，实现表示从该第一最佳实施例中得出的结果，虚线表示上述参考实例的结果。图2中也示出了如纵坐标右侧所示的放大倍数的频率特性。

从图2和3中可看出，根据本参考实例，插入损耗中的色散大大的降低了，并且在通频带内的VSWR也提高了大约0.3。不仅如此，与直通级别和比直通衰减4db的范围相对应的通带宽同参考实例中的通带宽大体上是一致的。

在本例中，由窄间距手指电极部分和具有同窄间距手指电极部分的手指电极间距不一致的手指电极部分所提供的一对相邻手指电极中心间的距离X1至X4均被设置为比参考实例中的距离要大一些。也就是说，从X1至X4的每个距离均比由一对相邻手指电极中的各个手指电极之间的间距所决定的波长之和的0.25被还要大，并且，由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极的中心间距离X5和X6也均比上述的设计值要大一些。这样，通频带内插入损耗和VSWR的色散被极大的改进了。也就是说，通频带内插入损耗和VSWR的色散在不需要使通频带变窄的情况下，被极大的改进了。

上述的优点将参照图4至10进行描述。

图4示出了从图1中所示的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器1中分出来的声表面波滤波器部分3的特征。

在如图4中所示的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分3A中，IDT 5和7的一个末端与一个输出终端17相连。

图5至10示出了当图1中纵向耦合谐振器型声表面波滤波器1的手指电极中心间距离X1至X6变化时，在谐振模式A至C(如图27和28所示)条件下频率的变化。

在这里，术语“手指电极中心间距离的变化”是指基于上述参考实例的设计值而变化的距离。图5至10示出了为从匹配状态下偏离，阻抗由50Ω换为5Ω时所得到的结果。这样，需要指出的是，图5至10示出了大致上的位置，并不是共振频率的精确位置。

图5和6示出了当如图4所示的手指电极中心间距离X1和X4变化时，在谐振模式A至C条件下频率的变化，图7和8示出了当中心间距离X5和X6(也就是IDT和IDT间的间隔)变化时，谐振模频率的变化，图9和10示出了当中心间距离X2和X3变化时，谐振模频率的变化。

在图5至10中，可以看出当各自的中心间距离变化时，根据各个中心间距离，三种谐振模式下频率的变化情况彼此是不同的。此外，为了说明当各个中心间距离变化时特征变化的不同，在上述的参考实例中，图11至13示出了当中心间距离变化±0.02λI1时频率特性的变化。

图11示出了当中心间距离X1和X4变化时的结果，图12示出了当中心间距离X5和X6变化时的结果，图13示出了当中心间距离X2和X3变化时的结果。

从图11至13中可以看出，当各个中心间距离被调整时，通频带内的变化明显的不同。也就是说，中心间距离X1至X6即中心间距离X1和X4、中心间距离X5和X6以及中心间距离X2和X3都分别是成对的。这样一来，通过调整三种类型中心间距离来控制谐振频率和等级的灵活性就极大的加强了。

在该最佳实施例中，中心间距离X1和X4被设置得比上述基本设计值要大一些，而中心间距离X5和X6被设置得比上述基本设计值要小一些。因此，调整三种谐振模式A至C中的这种排列，使得在不需要改变通频带宽的情况下，通频带内插入损耗和VSWR的偏离得到了较大的改进。

在下文中将描述一个通过调整上述三种类型的中心间距离而使得通频带变宽的第一实施例的改进实例，在该改进的实例中，同基本设计相比该电极的变化如下：

手指电极的通频带宽：46.4λI1

IDT的波长：4.20μm；

反射器的波长：4.30μm；

中心间距离X1和X4：0.25λI1+0.25λI2-0.01λI1；

中心间距X5和X6：0.50λI2-0.020λI1；

中心间距离X2和X3：0.25λI1+0.25λI2-0.015λI1。

为实现阻抗匹配，手指电极通频带宽W被改变了。并且，IDT和反射器的波长改变了，以纠正中心频率的偏离。

图14和15中示出了这个改进实例的频率特性和VSWR。

在图14和15中，实线表示这种改进的结果，而虚线表示参考实例的结果。

从图14和15中可以看出，与直通级别和比直通衰减4db的范围相对应的通带宽同参考实例相比增加了大约1MHz。在这种情况下，虽然在通频带内生成了一些波形并且VSWR同参考实例中的也是可比的，但同参考实例相比并没有显示出显著的恶化。

如上所述，在窄间距手指电极部分同其它手指电极部分相邻的区域，此外还包括，在IDT和IDT相邻的区域，这些区域上的相邻的两个手指电极的中心之间的中心间距改变得不等于原来的由各个手指电极决定的每一个波长的0.5被之和。但是这样就存在声表面波的传播等级的连续性出现变差这样一个问题。图16示出了当如图1所示的中心间距离X5和X6变化时，传播损耗的变化。IDT和IDT之间间隔的变化，也就是，中心间距离X5和X6的变化被绘制成横坐标。在零点，中心间距离是0.5λI2。由于阻抗不匹配而从插入损耗中减少一个损耗后得到的值被绘制成纵坐标。

从图16中可以看出，当中心间距离X5和X6，也就是IDT和IDT间的间隔从零点开始变化时，传播损耗加剧了。

可以假设，通过将中心间的距离X5和X6设置为比基本设计值大将近0.25λI1，周期性的偏差则变得与传统范例中的周期性偏差一样。这样一来，传播损耗将持续恶化直到它与常用实例一致为止。

类似的，当如图1所示的其它的中心间距离X1至X4变化时，则会出现上述的传播损耗。因此，更易于理解的是，中心间距离X1至X6调整值的上限小于在基本设计值的基础上加上0.25λI1(其中的λI是指由手指电极部分而非窄间距手指电极部分中的手指电极间距决定的波长)，也就是，由相邻的两个手指电极的间距决定的各个波长的0.25倍值的总和。在第一最佳实施例的EGSM接收滤波器中，调整值约为0.25λI1。调整值的下限被设置为在使蚀刻过程或垂直离开过程成为可能的范围内。

如上所述，在第一实例和上述改进实例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中，在通频带宽中用于控制色散的灵活性以及通频带中的插入损耗和VSWR也被极大的加强了。

此外，同第一最佳实施例相似，通过调整三种类型的手指电极中心间距离和通频带附近的滤波器的陡度特征来控制三种谐振模式的排列。

在上述的最佳实施例中，采用了沿着Y轴40±5°切断X轴传播并用LiTaO3为基底。但是，在该发明中对压电基底的压电材料并没有特殊限定，沿着Y轴64°至72°切断X轴传播并用LiNbO3为基底、沿着Y轴41°切断X轴传播并用LiNbO3为基底或是其它合适的基底都是可以的。

并且，在上述最佳实施例中描述了三种IDT类型的并且每个都有两级互连的第一、第二和第三IDT的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，以及一级连接的三IDT型的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分3A。本发明还可以采用如图17A所示的具有五个IDT的五IDT型的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器18，和具有多于5个IDT的多电极纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。此外，本发明还可以用于采用同如图17B所示的声表面波滤波器19与声表面波滤波器部分3A串联的设备。

并且如图18所示，位于第二纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分4A中央的IDT11A的一个交叉指型电极可以被分成两部分，并且输出终端20和21可与其分别连接。这样，就可以产生一个如本例中的具有均衡-不均衡转换功能的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

另外，当实现了两级相互连接时，第一纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分3B和第二纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分4A可以具有不同的手指电极交叉宽度，并且，各个级的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分可以具有不同与手指电极交叉宽度的设计条件。

并且，在第一最佳实施例中，由邻近的IDT提供的相邻手指的电极都同地电位相连。从如图18的声表面波滤波器部分3B中可以看出，其中的一个手指电极可以是接地电极，而另一个是信号电极。

在第一最佳实施例中，通过调整三种类型的手指电极中心间距离，也就是指手指电极中心间距离X1和X4、手指电极中心间距离X5和X6和手指电极中心间距离X2和X3，来控制三种谐振模式的排列。然而，正如上所述，当窄间距手指电极部分和邻近的手指电极部分中的两个相邻手指电极中心间的距离，或者是由邻近的IDT提供的相邻手指电极中心间的距离从由手指电极间距决定的波长的0.25倍之和开始变化时，声表面波的连续性同上面所描述的一样遭到了破坏。如在第一最佳实施例中采用的变化数值并没有极大的影响该声表面波滤波器的连续性。损耗是随上述的IDT与IDT间的间隔而增加的。

在如图19所示的第二最佳实施例中，为解决上述问题，在IDT 5和6、IDT6和7、IDT 10和11以及IDT 11和12之间的手指电极中心间距离X5和X6都增加了，并且相邻电极中的一个被设置为厚度增加了。例如，在IDT 5和6的相邻手指电极5a和6a中，一个手指电极6a的厚度增加了，而且，手指电极5a和6a之间的间隙Y1同其附近的窄间距手指电极部分中手指电极之间的间隙是相同的。如上所述，同上述的参考实例相比，在其IDT和IDT之间的间隔变大并在IDT和IDT间产生扩大区域的情况下，通频带内的插入损耗加剧了。然而，在第二最佳实施例中，每个相邻的手指电极都被设置为厚度增加，这样该手指电极之间的间隙同其附近的手指电极之间的间隙大体上是相同的。因此，插入损耗的恶化被大大减弱了。图20是依照第二最佳实施例的改进实例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的平面示意图。在第二最佳实施例中，相邻手指电极中的一个被设置为厚度增加。在如图20所示的改进实例中，IDT和IDT之间的间隔区域完全是敷以金属的。也就是说，相邻的IDT之间的区域都是是敷以金属的。同样在这种情况下，同第二最佳实施例类似，在通频带内的插入损耗的恶化趋势被大大的抑制了。这将参照据具体的实例进行描述。

下面的表1列出了当手指电极中心间距离X5和X6从0.5λI2增加了0.2λI1时得到的传播损耗的值。也就是说，表1列出了如图20所示的改进实例的第一最佳实施例中的传播损耗的值。在这里，传播损耗意味着从插入损耗中减去一个由于阻抗不匹配造成的损耗后获得的值。关于当IDT和IDT之间的间隔也就是手指电极中心间的距离X5和X6的值为0.5λI2(也就是上述的参考实例)时所获得的传播损耗也被列出来了。

表1

		传播损耗(dB)
		传播损耗(dB)	第一实施例	IDT间IDT的间隔为任意	1.75
图20的改进	IDT间IDT的间隔是敷以金属的	1.50	第一实施例	IDT间IDT的间隔为任意	1.75
图20的改进	IDT间IDT的间隔是敷以金属的	1.50	参考实例	IDT间IDT的间隔为0.50λI2	1.50

从表1中可以看出，在图20的改进实例中，传播损耗被恢复为同当手指电极中心间距离X5和X6，也就是IDT和IDT间的间隔，为0.5λI2时的相同的值。

也就是，当通过增加IDT和IDT间的间隔来控制谐振模式的位置时，插入损耗的恶化趋势可以通过在IDT和IDT间的间隔区域敷以金属得到较大的抑制。

在第一最佳实施例中，手指电极中心间距离X5和X6，也就是IDT和IDT间的间隔，它的调整值的上限被设置为在各个相邻手指电极的间距的0.25倍之和的基础上加上0.25λI而得到的值。但是，当采用第二实例的结构时该调整值可以进一步的增加。

并且，可以知道的是，当IDT和IDT间的间隔均增加时，类似的优点可以通过使相邻手指电极中的一个的厚度变薄(第二实例)和设置相邻手指电极间的间隙同附近的手指电极间间隙大体上相等而获得。

图21是依照第三最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的平面示意性图。在第三最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器31中，窄间距手指电极部分提供了两个手指电极间距。另一方面，滤波器31同第一最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器大体上相同。因此，相同的部件使用相同的附图标记，并且对于这些部件，第一实例中的说明同样适用。

声表面波滤波器部分33和34类似与第一实施例的方式，是两极互连的。在声表面波滤波器部分33中，IDT 35至37被排列在声表面波的传播方向上。IDT35至37都具有同ID T5至7类似的窄间距手指电极部分。在IDT 33中，窄间距手指电极部分N1包括具有不同手指电极间距的手指电极部分N1A和IN1B。也就是，包括位于IDT 36附近的IDT 35末端的两个手指电极的手指电极部分N1B和随后的手指电极部分N1A具有不同的手指电极间距。类似的，在IDT 6的窄间距手指电极部分N2和N3中提供了具有不同手指电极间距的手指电极部分N2A、N2B、N3A和N3B。并且类似的，在IDT 37中，窄间距手指电极部分N4A和N4B具有不同手指电极间距。

同样的，纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分34也具有类似的配置。在各个IDT中，位于与邻近的IDT末端相对较近的手指电极部分N1B、N2B、N3B和N4B归为B组，而位于与邻近的IDT末端相对较远的窄间距手指电极部分N1A、N2A、N3A和N4A归为A组。A组中的所有手指电极间距都相同，并且B组中的所有手指电极间距也都相同。

为了加强声表面波传播路径的连续性，A组的手指电极间距被设置得比B组的手指电极间距要大。

因此，在纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分33中，除了在每一个中心间距X1和X6中一对手指电极彼此相邻的区域外，还产生了像具有不同手指电极间距的手指电极彼此相邻的区域，以及在具有各个窄间距电极的手指电极部分中的一对相邻手指电极彼此相邻的区域。也就是如图21中所示的箭头X7至X10所指示的区域。在该最佳实施例中，中心间距离X1至X10均被设为由一对邻近的手指电极间距决定的波长的0.25倍之和。其它的详细设计如下。该纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分33是以与纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分33相同的方式设计的。

手指电极的交叉宽度为40.5λI1；

在包括窄间距手指电极部分的手指电极部分中的IDT的波长λI1为4.20μm；

A组的手指电极的波长λI2为3.92μm；

B组的手指电极的波长λI3为3.87μm；

相应的反射器的波长λR为4.30μm。

图22和23示出了是第三最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的频率特性和VSWR。在第一最佳实施例中前面所描述的参考实例的特性由虚线表示。

从图22和23中可看出，根据第三最佳实施例，VSWR提高了大约0.25，并且同上述的参考实例相比最小的插入损耗也充分的增加了。这样，通频带内插入损失的色散就大大的降低了。

在这种情况下，与直通级别和比直通级别衰减4db的范围相对应的通带宽同参考实例中的通带宽大体上是一致的。

也就是，同第一最佳实施例方式相似，通过调整每个窄间距手指电极部分以使之成为具有两个间距不同的手指电极部分来控制三种谐振模式A、B和C的排列，这样其特性就被大大的改进了。在第三最佳实施例中，具有不同手指电极间距的两个手指电极部分排列于每个窄间距手指电极部分中。至少可以排列具有不同间距的三个手指电极部分

并且，可以通过调整如图21所示的中心间距离X1至X10来控制上述三种谐振模式的排列。在第三最佳实施例中，控制三种谐振模式排列的灵活性同第一最佳实施例相比被进一步改进了。

图24是依照第四最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的平面示意图。在该第四最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器41中，纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分43和44同第一最佳实施例的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分3和4一样也是两级相连的。在纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分43中，在IDT 45和IDT46相互邻近的区域，IDT 45的靠近IDT 46末端一侧的手指电极部分的一部分被设置为线性调频脉冲型手指电极部分M1。并且，在靠近IDT 46的末端一侧区域内的包括末端的手指电极的IDT 45的四个手指电极的间距是线性变化的。也就是当手指电极位于距离IDT 46末端远一些时，间距是增加的。这样就提供了代替第一最佳实施例中的窄间距手指电极部分的IDT线性调频脉冲型手指电极部分M1。类似的，在IDT相互邻近的区域内，IDT 46和47中还提供了代替窄间距手指电极部分的线性调频脉冲型手指电极部分M2至M4。

为了增强声表面波传播路径的连续性，手指电极间距从IDT45的中央到靠近IDT46一侧的末端按照递减的顺序排列。纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分44也被设置得同纵向耦合谐振器型声表面波滤波器部分43类似。

通过用线性调频脉冲型手指电极部分来代替这个实施例中的窄间距手指电极部分而获得了与第一最佳实施例相同的优点。也就是，同第一最佳实施例类似，通过调整最大和最小间距的值或调整线性调频脉冲型手指电极部分中最大和最小间距的差值来控制上述三种谐振模式A、B和C排列。

图25和26是使用本发明的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器的通讯设备的示意性方框图。

在图25中，天线分离滤波器62同天线61相连。根据本发明设置的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器64和放大器65在天线分离滤波器62与混频器63接收端一侧之间相连。并且，放大器67和根据本发明设置的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器68在天线分离滤波器62与混频器66发送端一侧之间相连。在放大器同上述的平衡信号相应的情况下，根据本发明设置的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器被用作声表面波滤波器64。

并且，在用于接收端的放大器65A与图26所示的不均衡信号相应的情况下，根据本发明设置的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器被用作声表面波滤波器64。

在该通讯设备中，实现了较宽的带宽、通频带内插入损耗的加强和VSWR的改进。

根据本发明的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，至少包含最少一个窄间距手指电极部分的第一、第二和第三IDT中的一个，在此部分中从与IDT的一侧相邻的IDT端部排列的手指电极部分的间距比IDT的其它手指电极部分的间距短，其中至少一对相邻手指电极中心间距离偏离0.25λA+0.25λB，λA表示由一手指电极间距决定的波长并且λB表示由另一手指电极间距决定的波长。这样，上述的三中谐振模式的排列可以通过调整中心间距离来控制，并且实现了较宽的带宽、通频带内插入损耗均匀性的加强和VSWR的改进。

如果λI2表示由窄间距手指电极部分的手指电极间距所决定的波长，同时λI1表示由包含窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的IDT提供的手指电极部分的间距所决定的波长，当窄间距手指电极部分位于IDT相邻近的两侧时，临近IDT的相邻手指电极的中间距离偏离了0.5λI2，并且当窄间距手指电极部分仅位于一个IDT时，临近IDT的相邻手指电极的中间距离偏离0.25λI1+0.25λI2。在这种情况下，类似的，上述的三中谐振模式的排列可以通过调整中心间距离来控制，并且实现了较宽的带宽、通频带内插入损耗均匀性的加强和VSWR的改进。

在由窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分的手指电极部分提供的相邻手指电极中心间的距离偏离0.25λI1+0.25λI2的情况下，类似的，上述的三中谐振模式的排列可以通过调整中心间距离来控制，并且实现了较宽的带宽、通频带内插入损耗均匀性的加强和WSWR的改进。

当相邻手指电极中心间的距离如上述偏离时，偏离值达到约0.25λ1。因此，传播损失的色散也被大大的抑制了。

在本发明中，由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中的一个手指电极的电极覆盖率相当的高，其中的一对相邻手指电极间的间隙也大大的减小了。这样，IDT之间的声表面波的传播路径的连续性就大大的改进了，通频带内插入损耗的色散也被大大的抑制了。

类似的，在由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极之间的区域敷以金属的情况下，IDT之间的声表面波的传播路径的连续性也大大的改进了，通频带内插入损耗的色散也被大大的抑制了。

并且，当具有不同手指电极间距的手指电极部分是由窄间距手指电极部分提供时，上述三种谐振模式的排列可以通过调整邻近手指电极中的相邻手指电极中心间的距离来控制的，其中邻近手指电极具有由窄间距手指电极所提供的不同手指电极间距，并且实现了较宽的带宽、通频带内插入损耗均匀性的加强和VSWR的改进。

尤其是，在具有不同手指电极间距的手指电极部分是由窄间距手指电极部分提供的情况下，由具有不同手指电极间距的窄间距手指电极部分所提供的至少一对相邻手指电极中心间的距离分别偏离0.25λA+0.25λB，其中λA和λB表示由各个手指电极间距决定的波长。在这种情况下，可以极大的提高对于三种谐振模式排列的控制。这样，就实现了较宽的带宽、通频带内插入损耗均匀性的加强和VSWR的改进。

在窄间距手指电极部分包含有线性调频脉冲型手指电极部分的情况下，通过调整该线性调频脉冲型手指电极部分中最大和最小间距值或调整最大和最小间距值的差值来控制上述三种谐振模式排列。

特别地，当线性调频脉冲型手指电极部分被设置为手指电极间距从IDT中的声表面波传播路径的中央到两侧按线性递减排列时，声表面波的传播路径的连续性就大大的改进了，以至于插入损耗的色散也被大大的抑制了。

虽然参照目前的最佳实施对本发明进行了描述，但是应当理解，本发明在不需背离其概括的各个方面的同时可以有多种改进和修改，这就意味着附加的权利要求覆盖了在本发明的实质精神和范畴之内的所有改进和修改。

Claims

1.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，包括有：

一个压电基底；

装在压电基底上，在声表面波的传播方向并分别有多个手指电极的第一、第二和第三IDT；

至少第一、二、三IDT中的一个，其中的IDT含有至少一个在其内部被排列在邻近邻近的IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短的窄间距手指电极部分；

至少第一、二、三IDT中的一个最少包括一个窄间距手指电极部分，在窄间距手指电极部分中被排列在邻近IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短。

偏离0.25λA+0.25λB的至少一对相邻手指电极中心间的距离，其中λA表示由一个手指电极的间距决定的波长，λB表示由另一个手指电极的间距决定的波长。

2.如权利要求1所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：相邻手指电极中心间的距离的偏移值达到0.25λI1。

3.如权利要求1所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中的一个手指电极的覆盖率相当高，因此一对相邻手指电极间的间隙减小了。

4.如权利要求1所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中由邻近的IDT供的一对相邻手指电极中间的区域是金属喷涂的。

5.如权利要求1所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的窄间距手指电极部分是线性调频脉冲型手指电极部分；

6.如权利要求5所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的线性调频脉冲型手指电极部分被设置为其中的手指电极间距在声表面波传播方向上从该IDT的的中心处向外侧呈线性递减。

7.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，它包括有多个如权利要求1所述的相互间多级连接的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器构成。

8.一种通讯设备，它包含有如权利要求1所述的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

9.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，包括有：

一个压电基底；

至少第一、二、三IDT中的一个，其中的IDT含有至少一个在其内部被排列在邻近的IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短的窄间距手指电极部分；

其中λI2表示由窄间距手指电极部分中的手指电极间距决定的波长，并且λI1表示包括窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的其它手指电极部分的IDT中手指电极部分的间距；

邻近的IDT中相邻手指电极中心间的距离，当窄间距手指电极部分位于该邻近的IDT的两侧时，该距离偏离0.5λI2，而当窄间距手指电极部分只位于该邻近的IDT的一侧时，该距离不同于0.25λI1+0.25λI2。

10.如权利要求9所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：相邻手指电极中心间的距离的偏移值达到0.25λI1。

11.如权利要求9所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中的一个手指电极的覆盖率相当高，因此一对相邻手指电极间的间隙减小了。

12.如权利要求9所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中由邻近的IDT供的一对相邻手指电极中间的区域是金属喷涂的。

13.如权利要求9所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的窄间距手指电极部分是线性调频脉冲型手指电极部分；

14.如权利要求13所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的线性调频脉冲型手指电极部分被设置为其中的手指电极间距在声表面波传播方向上从该IDT的的中心处向外侧呈线性递减。

15.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，它包括有多个如权利要求9所述的相互间多级连接的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器构成。

16.一种通讯设备，它包含有如权利要求9所述的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

17.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，包括有：

一个压电基底；

偏离0.25λ1+0.25λ2的由窄间距手指电极部分和除了窄间距手指电极部分以外的其它手指电极部分提供的相邻手指电极中心间的距离。

18.如权利要求17所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：相邻手指电极中心间的距离的偏移值达到0.25λI1。

19.如权利要求17所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中的一个手指电极的覆盖率相当高，因此一对相邻手指电极间的间隙减小了。

20.如权利要求17所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中间的区域是金属喷涂的。

21.如权利要求17所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的窄间距手指电极部分是线性调频脉冲型手指电极部分；

22.如权利要求21所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的线性调频脉冲型手指电极部分被设置为其中的手指电极间距在声表面波传播方向上从该IDT的的中心处向外侧呈线性递减。

23.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，它包括有多个如权利要求17所述的相互间多级连接的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器构成。

24.一种通讯设备，它包含有如权利要求17所述的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

25.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，包括有：

一个压电基底；

由邻近的IDT提供的相邻手指电极中心间的距离，当窄间距手指电极部分位于该邻近的IDT的两侧时，该距离被设置为不同于0.5λI2，而当窄间距手指电极部分只位于该邻近的IDT的一侧时，该距离偏离0.25λI1+0.25λI2。

26.如权利要求25所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：相邻手指电极中心间的距离的偏移值达到0.25λI1。

27.如权利要求25所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中的一个手指电极的覆盖率相当高，因此一对相邻手指电极间的间隙减小了。

28.如权利要求25所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中由邻近的IDT提供的一对相邻手指电极中间的区域是金属喷涂的。

29.如权利要求25所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的窄间距手指电极部分是线性调频脉冲型手指电极部分；

30.如权利要求29所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的线性调频脉冲型手指电极部分被设置为：其中的手指电极间距在声表面波传播方向上从该IDT的的中心处向外侧呈线性递减。

31.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，它包括有多个如权利要求25所述的相互间多级连接的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器构成。

32.一种通讯设备，它包含有如权利要求25所述的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。

33.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，包括有：

一个压电基底；

至少第一、二、三IDT中的一个，其中的IDT含有至少一个在其内部被排列在邻近的IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短的窄间距手指电极部分，和一个接连的窄间距手指电极部分并具有较宽的手指电极间距的手指电极部分；

一个具有由窄间距手指电极部分提供的不同的手指电极间距的手指电极部分。

34.如权利要求233所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：由具有不同手指电极间距的窄间距手指电极部分提供的至少一对相邻手指电极中心间的距离均偏离0.25λA+0.25λB，其中λA和λB由各自的手指电极间距决定的波长。

35.如权利要求33所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的窄间距手指电极部分是线性调频脉冲型手指电极部分；

36.如权利要求35所述的一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，其特征在于：其中的线性调频脉冲型手指电极部分被设置为其中的手指电极间距在声表面波传播方向上从该IDT的的中心处向外侧呈线性递减。

37.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器，它包括有多个如权利要求33所述的相互间多级连接的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器构成。

38.一种通讯设备，它包含有如权利要求33所述的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。