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CN1308715C - 掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法 - Google Patents

掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法 Download PDF

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CN1308715C
CN1308715C CNB2004100846384A CN200410084638A CN1308715C CN 1308715 C CN1308715 C CN 1308715C CN B2004100846384 A CNB2004100846384 A CN B2004100846384A CN 200410084638 A CN200410084638 A CN 200410084638A CN 1308715 C CN1308715 C CN 1308715C
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姜本学
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Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
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Abstract

一种掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法,它是采用脉冲激光沉积法,将Yb3+:GGG多晶靶材的表层分子熔蒸出来,在加热的纯YAG衬底上生成Yb3+:GGG平面光波导。本方法可以在纯YAG衬底上生长出符合需要的微米量级的Yb3+:GGG平面光波导。不仅节省材料,还可以批量生产,对激光技术以及集成光学的发展具有重要的意义。

Description

掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法
技术领域
本发明涉及平面光波导,特别是一种掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法,具体地涉及到在纯YAG单晶衬底上生长一层Yb3+:GGG单晶薄膜,这是一种优良的平面光波导材料。Yb3+:GGG平面光波导是优异的激光、光电材料,具有十分广泛的应用前景。
背景技术
Yb3+离子为最简单的激活离子,仅有一个基态和一个激发态。其优点是:
1.Yb3+离子吸收带在0.9-1.1μm波长范围,能与InGaAs激光二极管泵浦源耦合,且吸收带宽;
2.量子缺陷低;
3.不存在激发态吸收和上转换,光转换效率高;
4.荧光寿命长,有利于储能。
脉冲激光沉积方法最近已经在光电子领域取得了很大的应用。单晶光波导与体单晶相比具有小的激光阈值和高的增益。由于GGG晶体具有比YAG高得多的折射率(nGGG=1.2377,nYAG=1.2016)和小的失配率(小于2.9%),所以很容易制成性能优良的光波导。但是采用现有技术生长的大块Yb3+:GGG晶体,应用于集成光学等领域,要加工成微米量级晶片,这是十分困难的事。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服在先技术生长的大块Yb3+:GGG晶体难以加工成微米量级晶片的问题,提供一种掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法,以满足微光学领域和日益发展的激光技术及集成光学的需要。
本发明掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法是采用脉冲激光沉积(PLD:pulsed laser deposition)的方法,用ArF准分子激光器,通过透镜将能量密度聚光后,经光学窗口照射到装置内的Yb3+:GGG多晶靶材,使表层分子熔蒸出来,到达纯YAG衬底上成膜。
本发明所用的脉冲激光沉积法制备Yb3+:GGG平面光波导的装置示意图见图1,将ArF准分子激光(激光波长为193nm)通过透镜聚光,经光学窗口照射到装置内的Yb3+:GGG多晶靶材,靶材吸收激光后,由于电子激励而成为高温熔融状态,使材料表面数十纳米被蒸发气化,气体状的微粒以柱状被放出并扩散,在离靶材的表面数厘米处相对放置的适当被加热的纯YAG衬底上附着、堆积从而淀积成Yb3+:GGG薄膜。
本发明的Yb3+:GGG平面光波导的制备方法的具体工艺流程如下:
<1>将清洗的双面抛光或单面抛光的纯YAG衬底及Yb3+:GGG多晶靶材送入脉冲激光淀积装置的腔内;
<2>将腔内抽成超高真空,然后充入氧气气氛;
<3>对YAG衬底进行加热,升温至500~900℃,将ArF准分子激光通过透镜聚焦光,经光学窗口照射到装置腔内的Yb3+:GGG多晶靶材,表层分子熔蒸后在纯YAG衬底上成膜,缓慢降至室温后,即可得到高质量的Yb3+:GGG薄膜。
本发明与在先技术生长Yb3+:GGG体单晶相比,采用提拉法或坩埚下降法生长的高质量纯YAG作为衬底,在纯YAG衬底上生长出符合需要的微米量级Yb3+:GGG平面光波导,克服了采用在先技术生长体单晶加工困难的问题,极大的节省了材料。本发明适宜批量生产,能够满足激光技术迅猛发展的市场需求,具有良好的经济效益。
附图说明
图1是本发明方法采用的脉冲激光沉积(PLD)装置的示意图。
图中:1为ArF准分子激光,λ=248nm,2为衬底,3为转靶。
具体实施方式
实施例1
用上述的脉冲激光沉积(PLD)制备Yb3+:GGG单晶薄膜的装置和具体的工艺流程:
<1>将清洗的尺寸为10×10mm2,双面抛光的纯YAG衬底2及Yb3+:GGG多晶靶材3送入脉冲激光淀积系统;
<2>将腔内抽成超高真空,然后充入氧气气氛;
<3>对衬底进行加热,升温至600℃,将脉宽25ns的ArF准分子激光1通过透镜以10J/cm2的能量密度聚光,经光学窗口照射到装置内的Yb3+:GGG多晶靶材3,靶材3表层分子熔蒸后在纯YAG衬底2上成膜,缓慢降温后即可得到高质量的Yb3+:GGG薄膜。
实施例2
用上述的脉冲激光沉积(PLD)制备Yb3+:GGG单晶薄膜的装置和具体的工艺流程:
<1>将清洗的尺寸为10×10mm2,双面抛光的纯YAG衬底及Yb3+:GGG多晶靶材送入脉冲激光淀积系统;
<2>将腔内抽成超高真空,然后充入氧气气氛;
<3>对衬底进行加热,升温至900℃,将脉宽25ns的ArF准分子激光器通过透镜以10J/cm2的能量密度聚光,经光学窗口照射到装置内的Yb3+:GGG多晶靶材,靶材表层分子熔蒸后在纯YAG衬底上成膜,缓慢降温后即可得到高质量的Yb3+:GGG平面光波导。
实施例3
用上述的脉冲激光沉积(PLD)制备Yb3+:GGG单晶薄膜的装置和具体的工艺流程:
<1>将清洗的尺寸为10×10mm2,双面抛光的纯YAG衬底及Yb3+:GGG多晶靶材送入脉冲激光淀积系统;
<2>将腔内抽成超高真空,然后充入氧气气氛;
<3>对衬底进行加热,升温至800℃,将脉宽25ns的ArF准分子激光器通过透镜以10J/cm2的能量密度聚光,经光学窗口照射到装置内的Yb3+:GGG多晶靶材,靶材表层分子熔蒸后在纯YAG衬底上成膜,缓慢降温后即可得到高质量的Yb3+:GGG平面光波导。
实施例4
用上述的脉冲激光沉积(PLD)制备Yb3+:GGG单晶薄膜的装置和具体的工艺流程:
<1>将清洗的尺寸为10×10mm2,双面抛光的纯YAG衬底及Yb3+:GGG多晶靶材送入脉冲激光淀积系统;
<2>将腔内抽成超高真空,然后充入氧气气氛;
<3>对衬底进行加热,升温至500℃,将脉宽25ns的ArF准分子激光器通过透镜以10J/cm2的能量密度聚光,经光学窗口照射到装置内的Yb3+:GGG多晶靶材,靶材表层分子熔蒸后在纯YAG衬底上成膜,缓慢降温后,即可得到高质量的Yb3+:GGG平面光波导。

Claims (2)

1.一种掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法,其特征在于选取Yb3+:GGG多晶靶材,在纯YAG单晶衬底上用脉冲激光淀积法生长一层Yb3+:GGG平面光波导。
2.根据权利要求1所述的掺镱钆镓石榴石平面光波导的制备方法,其特征在于包括如下具体步骤:
<1>将清洗的双面抛光或单面抛光的纯YAG单晶衬底及Yb3+:GGG多晶靶材送入脉冲激光淀积装置腔内;
<2>将腔内抽成超高真空,然后充入氧气气氛;
<3>对衬底进行加热,升温至500~900℃,将ArF准分子激光通过透镜聚光,经光学窗口照射到装置内的Cr4+,Yb3+:GGG多晶靶材,靶材表层分子熔蒸后,在纯YAG单晶衬底上成膜,缓慢降至室温后即可得到高质量的Yb3+:GGG平面光波导。
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