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CN1303538A - 表面声波装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种在具有近似于36度旋转Y切割的切割角的钽酸锂基片上带有电极膜的SAW装置,该电极膜包括具有改进功率耐久性的铝单晶膜。SAW装置在一个基片上带有叉指型电极。基片由38至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造,每根叉指型电极包括一层钛膜和一层形成在其上的铝膜,并且铝膜是仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜。

Description

表面声波装置
本发明涉及一种表面表面声波装置，更具体地说，涉及一种带有具有改进功率耐久性的电极膜的表面声波装置。
表面声波(SAW)装置，一般为SAW滤波器和SAW谐振器，在诸如移动电话和无绳电话之类的移动通信设备中普遍用来代替介电滤波器作为RF滤波器。原因在于SAW装置，特别是SAW滤波器具有比介电滤波器小的尺寸，并且当比较相同尺寸的装置时，前者具有较好的电气特性。
SAW装置至少包括一个压电基片、一个形成在压电基片表面上的金属膜形式的梳形电极图案、及一个容纳压电基片和电极图案的外壳。作为压电基片，使用铌酸锂、钽酸锂和石英晶体。特别对于RF带滤波器，经常使用具有大机电耦合常数的铌酸锂和钽酸锂。把铝等用作电极图案。
图5表示用来制备常规SAW装置的一种通常的过程。首先，在步骤(a)清理压电基片50。在步骤(b)，把作为电极材料的金属膜51沉积在压电基片50上，如通过蒸发或喷镀。一层光致抗蚀剂涂敷到金属膜51上，例如通过旋转涂敷。如在步骤(c)所示，光致抗蚀剂按希望图案在校准器中暴光并且显影，得到光致抗蚀剂图案52。此后，在步骤(d)，通过湿刻蚀或干刻蚀把金属膜加工成希望的电极图案53。在步骤(e)，通过使用液体脱膜剂或除灰除去用于形成图案的光致抗蚀剂。此后，在步骤(f)，通过切割把具有电极图案形成在其上的压电基片切成多个芯片。然后在步骤(g)，把每个切割的芯片用粘合剂固定到外壳上。下个步骤(h)借助于粘结导线布线。最后，在步骤(i)把一个盖焊接到外壳上以便保证气密性。步骤(j)检查性能，借此完成以后的过程。最近，为了实现进一步的小型化和除去与导线粘结有关的残余电感的目的，一种使SAW芯片面对着外壳且完成与金属耳的连接的面向下连接方法，有时用来代替步骤(g)和(h)。
用在近似1 GHz的RF带中的SAW装置具有短寿命的问题，因为指状物的宽度和在梳状电极的指状物之间的距离窄到1微米。SAW装置的寿命主要取决于电极膜的功率耐久性。作为在SAW装置中的电极材料，原来使用铝(Al)，因为其低比重和低电阻。然而，当把铝涂敷到电极膜上时，一项重要的任务是增大电极膜的功率耐久性以符合SAW装置的增大频率。在SAW装置的操作期间，与频率成比例的重复应力施加到压电基片上的电极膜上。施加到电极膜上的重复应力招致铝原子的迁移，这引起在电极膜中产生的小丘和空穴之类的缺陷，显著降低SAW装置的性能。这种电极膜的变坏现象随着频率变高和供给功率变大变得更显著。当频率变高时，必须从设计要求减小电极膜厚度和变窄电极指状物的宽度。对于组合的这些因素，电极膜随频率变高更易受缺陷的影响。就是说，功率耐久性降低是一个严重问题。
作为改进由铝原子迁移造成的电极膜变坏现象的手段，J.I.Latham等公开了向铝添加铜(Cu)之类的少量异种金属以形成铝铜(Al-Cu)合金(薄固体膜，64,pp9-15,1979年)。铝的合金化抑制在电极膜中产生小丘和空穴，并且改进SAW装置的功率耐久性。
向铝添加少量异种金属以形成铝合金以便改进电极的功率耐久性的许多其他例子公开在JP-B 7-107967(Al-Ti合金)、日本专利No.2,555,072(Al-Ge合金)、JP-A 64-80113(Al-Cu-Mg合金)及JP-A 1-128607(Al-Zn合金)中。在这些情况下，通过向铝添加少量异种金属，抑制铝原子的迁移由此阻止电极变坏。然而，对铝添加异种金属不认为是最佳的，因为这必然导致电极膜电阻的增大，引起在SAW装置中有增大的损失。
人们相信，铝原子的扩散速率沿晶粒边界比在晶粒内高，就是说，晶粒边界扩散占优势。因而假定，在SAW装置中由重复应力引起的铝原子迁移主要沿晶粒边界，并且这已经在先有技术中指出。因此，期望如果能从铝电极膜消除或大大地减少晶粒边界，就是说，如果把铝电极膜近似制成单晶的，则会显著改进功率耐久性。由于在电极膜中引入电阻的一个因素是在晶粒边界处电子的散布，所以晶粒边界的消除是最佳的：减小电阻，并因此减小SAW装置的损失。
在JP-A 55-49014中已经公开，把基本上单晶的电极材料应用于SAW装置的电极膜。据说，基本上为单晶的电极材料的使用能提高SAW装置的性能，而与建造SAW装置的材料类型无关。出版物描述了建议分子束外延方法作为用来形成这种电极膜的方法。出版物没有提到什么电极材料在什么条件下沉积在什么基片材料上以形成膜，而是仅公开了由上述单晶电极膜的使用期望SAW装置性能改进的一般讨论。不清楚改进多少Q值和老化性能。另外指出，分子束外延方法具有违背SAW装置的低成本制造的问题，包括昂贵的系统和缓慢的膜沉积速率。
一个把单晶或结晶单向取向的铝膜应用于SAW装置的电极膜的说明例子公开在日本专利No.2,545,983中。在该专利中，通过把在25度旋转Y切割至39度旋转Y切割范围内的旋转Y切割石英晶体基片用作压电基片，并且在高速率(沉积速率40埃/秒)和低温(基片温度80℃)下实现蒸发，这里得到一种(311)定向膜，据说这是接近单晶的外延生长膜。尽管在低温蒸发的情况下，在下面石英晶体基片与铝电极膜之间的粘合(就是说，膜粘结强度)可能成为一个问题，该专利指示，一层非常薄的Ti或Cr膜在石英晶体基片与铝膜之间形成到这样一种程度，以致于不损害铝膜的取向。
另外，在其中电极膜的功率耐久性如上述那样成为一个严重问题的RF带滤波器中，铌酸锂和钽酸锂因为其机电耦合常数常常用作压电基片。特别是，36度旋转Y切割钽酸锂具有比铌酸锂高的温度稳定性。因此，36度旋转Y切割钽酸锂基片用在其中温度稳定性重要的用途中。
然而，在以上提到的日本专利No.2,545,983中仅公开了当石英晶体用作压电基片时铝膜的(311)取向，而没有地方描述把钽酸锂用作基片。
而且，JP-A 5-199062公开了把铝单晶膜用作SAW装置的电极膜和一种用来形成铝单晶膜的装置。ST或LST切割石英晶体在其中用作压电基片。据说，基片表面形成到其中小半球形岛基本上均匀分布的一种岛状结构上，这些岛允许铝单晶膜通过蒸发或喷镀形成。作为对岛状结构形成和处理基片表面的技术，先有技术刻蚀技术据说是适用的。描述了象石英晶体，在构造RF带滤波器时有用的铌酸锂，例如作为用来形成铝单晶膜的装置也是有效的，但既没有说明性例子也没有关于除石英晶体之外的材料的数据。
JP-A 6-132777公开与铝单晶膜有关的另一种先有技术工艺。它表明，当以非常低的沉积速率沉积在非常平的清洁晶体表面上时，得到铝单晶膜。特别描述了，通过真空蒸发在LST切割石英晶体基片上形成铝单晶膜、通过真空蒸发在128度旋转Y切割铌酸锂基片上形成铝单晶膜、及通过真空蒸发在112度旋转X切割钽酸锂基片上形成铝单晶膜是可能的。然而，该方法要求以可重复的方式保持基片晶体表面清洁和减慢膜形成速率，可能留下一个违背批量生产的问题。出版物没有地方提到36度旋转Y切割钽酸锂。
JP-A 7-135443描述了一种SAW装置，该SAW装置包括一个石英晶体、钽酸锂、铌酸锂、四硼酸锂等的单晶压电基片；一个由与铝不易反应的金属或化合物形成的至1至30埃厚度的底层膜；及在底层膜上的铝或铝合金电极布线。在出版物的例子中，构造SAW装置，使用64°旋转Y切割铌酸锂基片，把B、C、Si、Ge、BN及Si3N4作为底层膜的构成材料，及把Al膜作为电极布线。在一个比较例中，构造带有Ti底层膜的SAW装置。它描述到，在所有例子和比较例中，Al膜具有一种(111)单向取向结构，而不是Al膜是单晶膜。出版物描述到，当使用诸如36°旋转Y切割钽酸锂基片之类的另一种基片时，与64°旋转Y切割铌酸锂基片的使用相比没有显著差别。
JP-A 8-204483描述了一种用来制备SAW装置的方法，其中(100)、(110)或(111)取向的单晶铝或铝合金膜形成在钽酸锂或铌酸锂单晶压电基片上。该出版物的方法要求通过在特定条件下的离子束刻蚀从基片除去受影响的表面层，以便由单晶膜形成梳形电极。那么该方法不太适用于批量生产。
JP-A 8-154030描述了一种以在LiNbO3或LiTaO3基片上的(111)取向外延膜的形式包括电极膜的SAW装置，其中这样选择基片的结晶平面，从而在电极材料与基片之间的晶格错配可以具有小于10.0％的正值，由此使在电极膜中的晶体缺陷最小。在出版物的例子中描述到，使用(013)面LiTaO3，即，具有40至48°旋转切割角的LiTaO3，可实现+5.1％的错配。在出版物中声称，基于电极膜先前形成为独立于缺陷数量的(111)取向外延膜的假设，错配的量影响在电极膜中的缺陷数量。本发明者对形成在具有40至48°旋转切割角的LiTaO3基片上的Al膜进行了粉末x射线衍射，其中多个衍射波峰指示该Al膜是多晶膜，特别是显著的衍射波峰指示产生了Al(111)。就是说，该Al膜是在(111)密集取向的多晶膜，而不可能形成单晶Al膜。由该事实推测，在以上出版物中描述的(111)取向外延膜仅指示一种其晶体在与基片晶体结构一致取向的同时生长的高度定向膜，而不是单晶膜。
而且，JP-A 9-167936描述了一种包括一个LiTaO3基片和一个形成在基片表面上且主要由Al构成的电极图案的SAW装置，其中LiTaO3基片具有绕X轴从Y轴向Z轴旋转38至46°角的取向。在该出版物中，对于36°旋转Y切割LiTaO3通过把切割角设置为较大角，实现带宽的扩大和在高频区域中矩形比的改进。在该出版物中描述的切割角近似于以上提到的JP-A 8-154030，但没有提到Al电极图案的多晶性。
JP-A 5-183373描述了保证最紧密填充的(111)面取向的电极材料形成在LiTaO3等的压电基片上。然而，该出版物没有描述形成(111)面取向的电极膜必需的特定装置。在其中通过离子束喷镀把约2,000埃厚的Al膜蒸发在36°旋转Y-X切割LiTaO3基片上的例子中，当设置100mA的离子电流、1,400eV的加速电压、及140℃的基片温度时，得到(111)取向膜。该出版物的发明者提出了与在文献Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.33,PP.3015-3017,1994中的发明基本相同的内容。在该文章中描述的Al膜显然由其表面的电子显微镜图象判断成多晶，并且由RHEED(反射高能电子衍射)图象也判断成是在(111)面密集取向的高度定向膜而不是单晶。
WO99/16168描述了一种包括36°旋转Y切割钽酸锂压电基片和形成在其上的叉指型电极的SAW装置，其中叉指型电极包括钛底层金属膜和形成在其上的铝膜，钛底层金属膜至少330埃厚，并且铝膜是(111)取向的多晶膜。就是说，在该出版物中没有得到单晶Al膜。
JP-A 59-55615在例子中描述了压电基片材料、形成在其上的导电材料薄膜第二层的构成材料及形成其上的导电材料薄膜第一层的构成材料的组合。例如，例9的组合选择LiTaO3作为基片材料，Ti作为其上的第二层构成材料，及Al作为其上的第一层构成材料。然而，在该出版物的例子中，没有提到基片的切割取向和用作电极膜的第一层的结晶。
如基于至此公开的先有技术工艺在以上讨论的那样，关于SAW装置越来越关心的是其中使用的铝电极膜的功率耐久性。为了解决该问题，已经提出了使电极膜为单晶或基本上为单晶的手段。由于晶粒边界在单晶或基本上为单晶的电极膜中不存在或几乎不存在，所以铝原子沿晶粒边界的扩散受到抑制，并且减小电阻，实现改进的功率耐久性。
由于36度旋转Y切割钽酸锂具有良好的温度稳定性，所以如果单晶或基本上为单晶的电极膜能形成在其上，则实现具有改进温度稳定性和功率耐久性的SAW装置。
然而，至此公开的单晶膜形成工艺具有设备昂贵、膜生长速率如此之慢而妨碍批量生产、及使用的基片限于石英的缺陷。在最好建造RF带滤波器的近似36度旋转Y切割钽酸锂压电基片的情况下，其中电极膜的功率耐久性是一个问题，还没有提出用来容易形成单晶铝电极膜的手段。
本发明的目的在于提供一种在具有近似于36度旋转Y切割的切割角的钽酸锂基片上带有电极膜的SAW装置，该电极膜包括具有改进功率耐久性的铝单晶膜。
以上目的通过如下构造实现。
(1)一种表面声波装置在一个基片上带有叉指型电极，
该基片由38至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造，
每根叉指型电极包括一层钛膜和一层形成在钛膜上的铝膜，
铝膜是仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜。
(2)(1)的SAW装置，其中与铝膜的(112)面或与其结晶等效的面相正交的方向垂直于基片表面取向。
(3)(1)或(2)的SAW装置，其中基片由40至42度旋转Y切割钽酸锂单晶建造。
(4)(1)至(3)任一项的SAW装置，其中钛膜具有10埃至小于1,000埃的厚度。
图1是图代用照片，表示在40度旋转Y切割钽酸锂基片上形成有100埃厚钛膜和3,000埃厚铝膜的试样的晶体结构和选择区域电子衍射图象。
图2是图代用照片，表示在36度旋转Y切割钽酸锂基片上形成有100埃厚钛膜和3,000埃厚铝膜的试样的晶体结构和选择区域电子衍射图象。
图3表示在钽酸锂基片上形成有100埃厚钛膜和3,000埃厚铝膜的试样的粉末x射线衍射图案，其中曲线1对应于36度旋转Y切割基片，曲线2对应于40度旋转Y切割基片，及曲线1对应于42度旋转Y切割基片。
图4表示在钽酸锂基片上形成有1,000埃厚钛膜和3,000埃厚铝膜的试样的粉末x射线衍射图案，其中曲线1对应于36度旋转Y切割基片，曲线2对应于40度旋转Y切割基片，及曲线1对应于42度旋转Y切割基片。
图5表示用来构造SAW装置的过程。
图6表示用来测试SAW装置的功率耐久性的测量电路。
本发明者进行了经验研究，试图在近似于通常用作用于RF带滤波器的压电基片的36度旋转Y切割的钽酸锂基片上形成单晶铝膜。结果，本发明者已经发现，从在先有技术中常用的36度旋转Y向较大角侧，即38度至44度旋转Y，增大用于晶体切削的切割取向，把一层钛膜形成在该基片上，及把一层铝膜形成在该钛膜上时，铝膜成为单晶膜。在把如此形成的铝单晶膜用作电极膜的SAW装置中，电极膜的功率耐久性急剧提高。
本发明的SAW装置包括一个带有一个表面的基片及形成在基片表面上的至少一对叉指型电极(或梳状电极)。叉指型电极每个包括一层形成在基片上的钛膜和一层形成在钛膜上的铝膜。
基片由38度至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造。就是说，这里采用的切割取向是角度在绕作为旋转轴的X轴从Y轴向Z轴的38度至44度范围内旋转的取向。如果基片的切割取向在比38度旋转小的角度侧，则有可能把钛膜和铝膜形成单晶膜。另一方面，如果基片的切割取向在比44度旋转大的角度侧，则表面滤的传播损失增大，并且该损失在要求把铝膜厚度减小到低于1μm频带中变得显著。为了进一步减小传播损失，最好把切割取向设置到40至42度旋转Y。
基片的切割取向能通过x射线衍射确认。基片的尺寸不是关键性的，尽管当它应用于SAW装置时，基片一般具有在表面声波传播方向约1至10mm的尺寸和在横向约0.5至5mm的尺寸。注意在电极形成步骤中，一般使用具有3英寸直径的圆基片，并且多个叉指型电极同时形成在基片上。
在本发明中，铝膜是单晶膜。如在这里使用的那样，“单晶膜”是指仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的膜。在RHEED(反射高能电子衍射)分析时，斑点是否产生及另外是否能看到条纹成为确定膜是否是单晶的标准。在选择区域电子衍射中，斑点的产生仅是判断膜是单晶的标准。相反，如果膜是多晶，则环状图案产生在选择区域电子衍射图象中。
注意，对于在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜，在粉末x射线衍射图案中没有发现衍射条纹。在由粉末x射线衍射仪分析时，膜本身由常规粉末x射线衍射仪分析，以产生x射线衍射图案而不是把膜粉碎成对其确定x射线衍射图案的粉末。
在本发明的实施中，铝膜常常是单晶膜，其中与(112)面或与其结晶等效的面垂直的方向垂直于基片的表面取向。
在铝膜下面的钛膜随钛纯度增大变得更合乎需要。最好使用具有至少99.9％纯度的钛膜。钛膜的厚度最好至少为10埃，以便形成均匀膜而且大于1,000埃较好，高达800埃更好及最好高达600埃，以便允许铝膜成为单晶膜。
形成钛膜的方法不是关键性的，尽管最好使用诸如蒸发和喷镀之类的蒸汽相生长方法。对于钛膜，从膜厚度控制的观点看沉积速率最好是约0.1至10埃/秒。
形成铝膜的方法不是关键性的，尽管最好使用诸如蒸发和喷镀之类的蒸汽相生长方法。对于铝膜，沉积速率最好是约10至50埃/秒。按照对其应用SAW装置的频带可以适当地确定铝膜的厚度。对于适于在约800 MHz至2 GHz范围中的频率下工作的RF带滤波器，常常采用0.2至1μm的厚度。
叉指型电极的指状物具有按照对其应用SAW装置的频带可以适当地确定的宽度。例如，对于800 MHz至2 GHz的频带通常采用约0.5至1.3μm的指状物宽度。
首先，这里提供有40度旋转Y切割钽酸锂基片(此后称作40LT)、42度旋转Y切割钽酸锂基片(此后称作42LT)、及常规常用的36度旋转Y切割钽酸锂基片(此后称作36LT)作为比较例。基片通过一系列步骤清理，包括在中性洗涤剂溶液中的超声波清洗、纯水冲洗、在异乙醇中的超声波清洗、在丙酮中的超声波清洗、再次在异乙醇中的超声波清洗、纯水冲洗、及干燥。
在每个基片上，形成具有表1中所示厚度的钛膜和具有3,000埃的厚铝膜以建造电极膜，得到一个测试试样。也构造一个没有钛膜的试样。对于每层膜的形成，采用电子束蒸发。使用的蒸发源是具有99.999％纯度的铝和具有99.99％纯度的钛。在蒸发期间，最终压力是1.0×10-4 Pa，并且基片在100至150℃的温度下。用于铝的沉积速率是约30埃/秒。用于钛的沉积速率为了膜厚度控制容易设置为低达1至5埃/秒，因为形成极薄的膜。
其次，通过选择区域电子衍射仪检查每个试样上电极膜的结晶度。
图2是试样的选择区域电子衍射图象，其中100埃厚的钛膜形成在36LT基片上，并且其上形成3,000埃厚的铝膜。在该选择区域电子衍射图象中，产生的状环图案指示铝膜是多晶。
图1是试样的选择区域电子衍射图象，其中100埃厚的钛膜形成在40LT基片上，并且其上形成3,000埃厚的铝膜。在该选择区域电子衍射图象中，只产生斑点图案，指示铝膜是单晶。基于图1中所示的斑点位置和衍射仪固有的摄象长度，确定这些斑点的晶面指数，发现在图1中的电子束入射方向是[112]轴向。因此，在该单晶铝膜中，(112)面或与其结晶等效的面生长，并且与这些面正交的方向垂直于基片表面取向。
由选择区域电子衍射仪也检查其中100埃厚的钛膜形成在42LT基片上、且其上形成3,000埃厚铝膜的试样。确认这种铝膜是单晶膜，并且与(112)面或与其结晶等效的面正交的方向垂直于基片表面取向。
而且，在每个试样上的电极膜用普通粉末x射线衍射仪型号XMP18(Mac Science Co.)检查结晶度。图3表示具有100埃厚钛膜的试样的衍射曲线，而图4表示具有1,000埃厚钛膜的试样的衍射曲线。在图3和4中，曲线1对应于36LT基片，曲线2对应40LT基片，及曲线3对应于42LT基片。
由图3看到，在36LT基片(曲线1)的情况下，明确地观察到铝的(111)衍射波峰，指示该铝膜是高度(111)取向的多晶膜。在40LT基片(曲线2)和42LT基片(曲线3)的情况下，没有观察到铝的衍射波峰，指示铝膜是单晶膜。注意认为在图3中观察到的宽小波峰归因于来自基片的钽酸锂晶体的反射。
另一方面，在图4中，在所有试样上观察到铝的(111)衍射波峰。因而说明，当钛膜具有1,000埃的厚度时，铝膜不会成为单晶膜。
对于这里构造的所有试样的铝膜，选择区域电子衍射的结果表示在表1中。在表1中，当确认铝膜是单晶膜，并且与(112)面或与其结晶等效的面正交的方向垂直于基片表面取向时，试样评定为“○”。当判断铝膜是多晶膜时，试样评定为“×”。而且当由粉末x射线衍射进行估计时，在膜上确定没有衍射波峰判断为单晶膜，而在膜上确定有衍射波峰判断为多晶膜。
表1钛膜             基片厚度(埃)   36LT 40LT 42LT-        ×          ×       ×50        ×          ○       ○100       ×          ○       ○500       ×          ○       ○1000      ×          ×       ×
表1显示当晶体切削的切割取向设置在由本发明限定的范围内、且钛膜形成为用于铝膜的底涂层时得到的优点。
其次，检查电极膜的功率耐久性是否实际上通过本发明改进。为800 MHz带设计的梯型SAW滤波器用作用来测试功率耐久性的SAW装置。
测试试样是在42LT基片上具有由100埃厚钛膜和4,000埃厚铝膜组成的电极膜的发明滤波器、和具有以4,000埃厚铝膜的形式直接形成在36LT基片上的电极膜的比较滤波器。由选择区域电子衍射仪和粉末x射线衍射仪检查试样，发现在发明滤波器中的铝膜是单晶的，而在比较滤波器中的铝膜是(111)取向多晶膜。膜形成条件与以上试样中的相同。电极指状物的节距，即表面声波的波长是约4.5μm。
在测试功率耐久性(寿命试验)时，使用滤波器通带内的最高频率。加速条件包括80℃的环境温度和28 dBm的输入功率。图6表示用于在试验中使用的功率耐久性试验的测量电路。在图6中，一个振荡器61产生一个高频信号，该高频信号由一个高频放大器62放大到28 dBm，并且经一个隔离器68供给到一个在80℃下在恒温腔63中的SAW滤波器64。SAW滤波器64连接到一个高频瓦特计69上。为了保证在功率供给时的电气性能，一个网络分析器65跨过SAW滤波器64经方向耦合器70和衰减器71连接。一个控制器67经用来控制下述单元的GP-IB电缆66连接到振荡器61、高频瓦特计69及网络分析器65上。
按照当滤波器的插入损失增大到0.5 dB时的失效时间(TF)估计功率耐久性(装置寿命)。发明的滤波器表现出比比较滤波器长约20,000倍的寿命。确认由本发明大大地改进了电极膜的功率耐久性。
在本发明的SAW装置中，由具有近似于36度旋转Y切割、比铌酸锂具有更好温度稳定性的钽酸锂建造基片，并且在电极膜中的铝膜是单晶膜。那么本发明的SAW装置具有优良的温度稳定性，并且电极膜具有优良的功率耐久性。因此，本发明对于增大必须使用细梳状电极的滤波器，例如用有移动通信设备中的RF带滤波器，的寿命是有效的。另外，简单地通过选择基片的切割取向和把钛膜形成为底涂层，本发明保证铝膜总是形成为单晶膜。因此，本发明的SAW装置能以较低成本批量制造。

Claims (4)

1．一种表面声波装置，在一个基片上带有叉指型电极，
所述基片由38至44度旋转Y切割钽酸锂单晶建造，
每根所述叉指型电极包括一层钛膜和一层形成在钛膜上的铝膜，
所述铝膜是仅在选择区域电子衍射分析时产生斑点的单晶膜。
2．根据权利要求1所述的表面声波装置，其中与所述铝膜的(112)面或与其结晶等效的面相正交的方向垂直于基片表面取向。
3．根据权利要求1或2所述的表面声波装置，其中所述基片由40至42度旋转Y切割钽酸锂单晶建造。
4．根据权利要求1至3任一项所述的表面声波装置，其中所述钛膜具有10埃至小于1,000埃的厚度。
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