[go: up one dir, main page]

CN1398147A - 发光装置和其制造方法 - Google Patents

发光装置和其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1398147A
CN1398147A CN02126173.3A CN02126173A CN1398147A CN 1398147 A CN1398147 A CN 1398147A CN 02126173 A CN02126173 A CN 02126173A CN 1398147 A CN1398147 A CN 1398147A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
organic compound
compound layer
emitting device
molecular weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02126173.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100416884C (zh
Inventor
濑尾哲史
下垣智子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1398147A publication Critical patent/CN1398147A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100416884C publication Critical patent/CN100416884C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/143—Polyacetylene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

具有优越发光性能的发光元件通过在具有使用高分子量材料的有机化合物层的发光元件的制造中形成部分地包括发光物质(发光区)的区域提供。其中具有50或更高聚合度的高聚合物溶于溶剂中的溶液通过旋涂法施加，然后，由与高聚合物同样的重复单元组成并具有2－5的聚合度的低聚合物和发光物质共蒸发以形成发光区(105)，只有低聚合物蒸发淀积在发光区上以形成有机化合物层(103)。这样，可部分地形成发光区(105)。

Description

发光装置和其制造方法
发明领域
本发明涉及具有使用高分子量有机化合物(高分子量材料)的发光元件的发光装置。特别是，本发明涉及其中由相同重复单元组成的有机化合物(聚合体)包括发光材料(phosphor)的发光装置和其制造方法。注意，本技术说明中发光装置指图像显示装置、发光装或光源。并且，其中连接器，例如FPC(柔性印刷电路)、TAB(带自动接合)带或TCP(载带包装)附连到发光元件上的模块，其中印刷线路板配备在TAB带或TCP末端的模块，以及其中IC(集成电路)通过COG(玻璃上芯片)法直接安装在发光元件上的模块都包括在发光装置中。
发明背景
本发明的发光元件是通过在上面加电场发光的元件。关于发光机制，据说是从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴通过向夹住有机化合物层的电极施加电压在有机化合物层中复合以产生激发态的分子(下文中称作“分子激子”)，当分子激子回到基态时释放能量发光。
注意，尽管认为单重激子态和三重激子态对于有机化合物产生的某种分子激子是可能的，当任何激发态有助于发光时都包括在本技术说明中。
在这种发光元件中，有机化合物层通常由具有小于1μm厚度的薄膜制造。此外，由于发光元件是自发光型元件，从而有机化合物层本身发光，不需要用在传统液晶显示中的背光源。这样，一个很大的优点是可制造非常薄和轻的发光元件。
并且，当考虑到例如具有大约100nm-200nm厚度的有机化合物层的载流子迁移率时，在载流子从注入到复合的周期大约是几十纳秒。即使从载流子复合到发光的过程所需的周期也包括在该周期中，发光也在毫秒的量级内进行。
另外，由于发光元件是载流子注入型发光元件，它可由直流电压驱动，很难产生噪音。根据驱动电压，有机化合物层由具有大约100nm厚度的均匀超薄膜构成，选择使载流子到有机化合物层中的注入势垒减小的电极材料，并引入异质结构(两层结构)。这样达到5.5V100cd/m2的充足的亮度(参考文献1：C.W.Tang and S.A.VanSlyke“有机电致发光二极管”Applied Physics Letters，vol.51，No.12，pp.913-915(1987))。
从诸如薄型、轻质、高速响应、和直流低电压驱动的性能看，这种发光元件作为下一代平板显示元件而著名。此外，由于发光元件是自发光型并有宽的视角，可见度相对的好。这样，可以认为发光元件作为用于便携式装置的显示屏幕的元件是有效的。
现在，组成有机化合物层的材料主要分类成两种材料：低分子量材料和高分子量材料。
如果从膜形成方面进行比较，这些在下面的点是不同的。即，虽然低分子量材料通过真空蒸发法在衬底上作为薄膜形成，高分子量材料通过诸如旋涂的湿工艺在衬底上由有机溶剂的溶液形成。注意，当通过真空蒸发法进行膜形成时，使用遮蔽掩模(shadow mask)技术的传统图形形成是可能。此外，有一个优势是由于真空中的干工艺会保留多种材料。另一方面，在旋涂法的情形中，有一个优势是膜形成在大面积衬底很容易并可以以低成本进行很短的时间。因而，已经发展了利用各性能的元件。
然而，当从材料方面考虑时，优势是使用具有物理性能从而机械强度高并很难产生凝聚和晶化的高分子量材料。当高分子量材料具有高机械强度时，可制造能够拉伸并能受弯曲处理的柔性元件。当凝聚和晶化很难产生时，可预计高温条件下的使用。换言之，当使用高分子量材料时，制造元件的条件被放松，并可预计各种用途。
并且，包括发光材料的发光区域在有机化合物层的部分形成以设定载流子的复合区域。这样，防止了载流子的扩散。复合区域可远离电极，发光性能可提高两倍(参考文献2：C.W.Tang，S.A.VanSlyke和C.H.Chen；Electro Lunminescence of Doped Organic Thin Film；J.Appl.Phys.，vol.55，No.9，pp.3510-3515(1987))。
并且，尽管不同于发光材料包括在使用高分子量材料的发光元件的有机化合物层部分且发光区域形成于其中的情形，如图11所示的叠层结构是众所周知的。
图11中，阳极1102、有机化合物层1103、阴极1104形成于衬底1101上。有机化合物层1103变成空穴输运层1105和发光层1106的叠层结构。这里，空穴输运层1105由作为受体材料的PRDOT((聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)，poly(3，4-ethylene dioxythiophene))和聚苯乙烯磺酸酯(polystyrene sulfonic)(PSS)构成，发光层1106由聚对亚苯基亚乙烯基(polyparaphenylene vinylene)的共聚物构成。注意，由于对溶剂具有不同溶解性的材料用于这些层的各层，可形成叠层结构。
然而，在使用低分子量材料的情形中，做了其中包括发光材料的发光区域形成于有机化合物层部分中以设定载流子复合区域的报导。当使用高分子量材料时，有一个问题是部分地包括发光材料的发光区域的形成从材料性能上是困难的。
并且，在如图11所示的叠层结构的情形中，通过使用高分子量材料叠层结构的功能分离是可能的。另一方面，由于组成空穴输运层1105的材料不同于组成发光层1106的材料，还有一个问题是容易产生由于叠层界面中的能量传递引起的猝灭。
发明简述
因而，为了解决上述问题，本发明的目的是在制造包括使用高分子量材料的有机化合物层的发光元件的情形中形成部分地包括发光材料的区域(发光区域)而不用用于有机化合物层不同的高分子量材料，由此产生具有较高发光性能的发光元件。
并且，通过使用这类发光元件提供具有优于传统装置的元件性能的发光元件。另外，提供用该发光元件制造的电子设备。
本发明的特征在于包括发光材料的区域，即，发光区域在由高分子量材料构成的有机化合物层部分形成。注意，对于本发明中高分子量材料，在由同样重复单元组成的聚合物(同样主链结构满足于此)中，具有2-5的聚合度的聚合物称作低聚合物，具有50或以上的聚合度的聚合物称作高聚合物。
传统地，高分子量材料溶于溶剂中以制得溶液，并用喷墨法或旋涂法形成形成膜。这样，有可能在有机化合物层的部分形成发光区，利用高分子量材料的溶解特性得到叠层结构有限制。
本发明的特征在于其中具有50或更高聚合度的高聚合物溶于溶剂中的溶液通过旋涂法涂敷，然后由与高聚合物同样的重复单元组成并具有2-5的聚合度的低聚合物和发光材料共蒸发以形成发光区，只有低聚合物蒸发淀积在发光区以形成有机化合物层。注意，根据本发明，由于高聚合物和低聚合物都由同样的重复单元组成，叠层界面中的注入势垒可最小化。
另外，形成于有机化合物层部分中的发光层可远离阳极和阴极，不与之接触。这样，可防止由于到两个电极的能量传递引起的猝灭。
根据本技术说明中公开的发明的结构，提供有包含包括阳极、有机化合物层、和阴极的发光元件的发光装置，其中有机化合物层由高分子量材料构成并部分地具有包括低聚合物和发光材料的发光区。
根据本发明的另一种结构，提供有包含包括阳极、有机化合物层、和阴极的发光元件的发光装置，其中有机化合物层由具有同样重复单元的高分子量材料构成，并部分地具有包括发光材料的发光区。
还是根据本发明的另一种结构，提供有包含具有绝缘界面的衬底、配备在衬底绝缘表面上的TFT、以及包括阳极、有机化合物层和阴极并与TFT电连接的发光元件的发光装置，其中有机化合物层由高分子量材料构成，并部分地具有包括低聚合物和发光材料的发光区。
还是根据本发明的另一种结构，提供有包含具有绝缘表面的衬底、配备在衬底绝缘表面上的TFT、以及包括阳极、有机化合物层和阴极并与TFT电连接的发光元件的发光装置，其中有机化合物层由具有同样重复单元的高分子量材料构成并部分地具有包括发光材料的发光区。
在本发明的发光装置中，有可能对有机化合物层的部分用低分子量材料，仍然根据本发明的另一种结构，提供有包含包括阳极、有机化合物层、和阴极的发光元件的发光装置，其中：形成有机化合物层以便被夹在阳极和阴极之间并包括由高分子量材料构成的第一有机化合物层和由低分子量构成第二有机化合物层；第一有机化合物层部分地具有包括低聚合物和发光材料的发光区；第二有机化合物层与阴极接触形成。
仍然根据本发明的另一种结构，提供有包含包括阳极、有机化合物层、和阴极的发光元件的发光装置，其中：形成有机化合物层以夹在阳极和阴极之间，并包括由高分子量材料构成的第一有机化合物层和由低分子量材料构成的第二有机化合物层；第一有机化合物层由具有同样重复单元的高分子量材料构成并部分地具有包括发光材料的发光区；第二有机化合物层与阴极接触形成。
在上面的各个结构中，高分子量材料由具有2-5的聚合度的低聚合物和具有50或更高聚合度并具有同样重复单元的高聚合物之一构成。
在上面的各个结构中，本发明的发光装置的特征在于高分子量材料包括N-乙烯基咔唑(N-vinylcarbazole)和芴(fluorene)之一作为重复单元。
在上面的各个结构中，本发明的发光装置的特征在于发光材料是荧光材料或磷光材料，并且是选自包括1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(1，1，4，4-tetraphenyl-1，3-butadiene)(下文中称作“TPB”)、4，4’-二(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-联苯基(4，4’-bis(N-(1-naphthy)-N-phenyl-amino)-biphenyl)(下文中称作“α-NPD”)、二萘嵌苯(perylene)、氧杂萘邻酮6(coumarin 6)，4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(p-二甲基氨基-苯乙烯基)-4H-.吡喃)(4-dicyanomethylene-2-methyl-6-(p-dimethylamino-styryl)-4H-pyran)(下文中称作“DCM 1”)、4-二氰基亚甲基-2-甲基-6(久洛尼定-4-基-乙烯基)-4H-吡喃)(4-dicyanomethylene-2-methyl-6(julolidine-4-yl-vinyl)-4H-pyran)(下文中称作“DCM 2”)、红荧烯(rubrene)、奈耳红(Nile Red)、N，N’-二甲基-喹吖(二)酮(N，N’-dimethyl-quinacridone)(下文中称作二甲基喹吖(二)酮(dimethyl quinacridone))、蒽(anthracene)、芘(pyrene)、9，10-二苯基蒽(9，10-diphenyl anthracene)、三(2-苯基吡啶)铱(tris(2-phenylpyridine)iridium)(下文中称作“Ir(ppy)3”)、和  2，3，7，8，12，13，17，18-八乙烷基-21H，23H-卟啉-铂(2，3，7，8，12，13，17，18-octaethyl-21H，23H-porphyrin-platinum)(下文中称作“PtOEP”)的组中的一个或多个成分。
在上面的各个结构中，本发明的发光装置的特征在于第二有机化合物层由具有电子输运性能和空穴阻挡性能之一的低分子量材料构成。
而且，在上面的各个结构中，本发明的发光装置的特征在于第二有机化合物层包含具有喹啉骨架的铝配合物，其具有电子输运性能，具体的有三(8-喹啉醇)-铝(tris(8-quinolinolato)-aluminum)(下文中称作“Apq3”)，三(4-甲基-8-喹啉醇)铝(tris(4-methyl-8-quiolinolato)aluminum)(下称Almq)或二(2-甲基-8-喹啉醇(4-苯基-酚)-铝(bis(2-methyl-8-quinolinolato)-(4-phenyl-phenolato)-alumihum)(下文中称作“BAlq”)，此外，还有具有苯并恶唑(benzoxazole)骨架或苯并噻唑(benzothiazole)骨架的锌配合物，具体的有二(2-(2-羟苯基)-苯并恶唑-锌(bis(2-(2-hydroxyphenyl)-benzoxazolato-zinc)(下文中称作“Zn(PBO)2”)或二(2-(2-羟苯基)-苯并噻唑)-锌(bis(2-(2-hydroxyphenyl)-benzothiazolato)-zinc)(下文中称作“Zn(PBT)2”  )。
更进一步，在上面的各个结构中，本发明的发光装置的特征在于第二有机化合物层包含(2-(4-联苯基)-5-(4-t-丁基苯基)-1，3，4-恶二唑)((2-(4-biphenylyl)-5-(4-t-butyl phenyl)-1，3，4-oxadiazole)(下文中称作“PBD”)、浴桐灵(bathocuproine)(下文中称作“BCP”)或红菲绕啉(bathophenanthroline)，它是1，3，4-恶二唑(1，3，4-oxadiazole)的衍生物，或5-(4-联苯基)-3-(4-叔-丁基苯基)-4-苯基-1，2，4-三唑(5-(4-biphenylyl)-3-(4-ter-butylphenyl)-4-phenyl-1，2，4-triazole)(下文中称作“TAZ”)，其作为具有空穴阻挡性能的材料是1，2，4-三唑(1，2，4-triazole)衍生物。
并且，没有其中上述各个结构中有机化合物层只由上述有机材料构成的情形。有机化合物层还可通过将已知的无机材料于其部分组合来形成。即，本发明的有机化合物层包括部分地具有无机材料的有机化合物层。
按照惯例，当用高分子量材料时，发光区不能部分地设定。然而根据如上所示本发明的结构，由于发光区可在高分子量材料构成的有机化合物层中部分地形成，可防止由于能量传递引起的猝灭。这样，可改善发光元件的元件性能。
注意，来自本发明的发光装置的发光包括由于至少单重激发态和三重激发态之一引起的发光。
并且，根据关于如本技术说明中公开的制造发光装置的方法的结构，提供有制造发光装置的方法，所述发光装置的特征在于高聚合物通过涂敷法加到阳极上以形成第一有机化合物层，然后低聚合物和发光材料通过共蒸发法蒸发淀积在第一有机化合物层上以形成发光区，进一步低聚合物通过蒸发法蒸发淀积在发光区上以形成第二有机化合物层，从而得到由第一有机化合物层、发光区和第二有机化合物层组成的有机化合物层。
并且，当制造本发明的发光装置时，低分子量材料可用于有机化合物层的部分。根据本发明的另一种结构，提供有制造发光装置的方法，所述发光装置的特征在于高聚合物通过涂敷法加到阳极上以形成第一有机化合物层，然后低聚合物和发光材料通过共蒸发法蒸发淀积在第一有机化合物层上以形成发光区，进一步低分子量材料通过蒸发法蒸发淀积在发光区上以形成第二有机化合物层，从而得到由第一有机化合物层、发光区和第二有机化合物层组成的有机化合物层。
注意，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于涂敷法是旋涂法、印刷法和喷墨法。
注意，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于高聚合物对有机溶剂有溶解性，低聚合物和低分子量材料可通过蒸发法用于膜形成。
并且，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于具有同样重复单元的具有2-5的聚合度的低聚合物和具有50或更高聚合度的高聚合物之一用作高分子量材料。
并且，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于包括N-乙烯基咔唑(N-vinylcarbazole)和芴(fluorene)之一作为重复单元的材料用作高分子量材料。
而且，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于选自包含TPB、α-NPB、二萘嵌苯(perylene)、氧杂萘邻酮6(coumarin 6)、DCM 1、DCM 2、红荧烯(rubrene)、奈耳红(Nile Red)、二甲基喹吖(二)酮(dimethylquinacridone)、蒽(anthracee)、芘(pyrene)、9，10-联苯蒽(9，10-diphenylanthracene)、Ir(ppy)3和PtOEP的组中的至少一种成分用作发光材料。
更进一步，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于选自包含甲苯、苯、氯苯、二氯苯、氯仿、四氢化萘(tetralin)、二甲苯(xylene)、二氯甲烷、环己烷、NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)(NMP(N-methyl-2-pyrrolidone))、二甲亚砜(dimethylsulfoxide)、环己酮(cyclohexanone)、二氧六环(dioxane)和THF(四氢呋喃，tetrahydrofuran)的组中的至少一种溶剂用作有机溶剂。
并且，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于具有电子输运性能和空穴阻挡性能之一的材料用作低分子量材料。
并且，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于Alq3、Almq、BAlq、Zn(PBO)2、或Zn(PBT)2用作具有电子输运性能的材料。
并且，在上面的各个结构中，本发明的制造方法的特征在于PBD、BCP、管菲罗啉(vasophenanthroline)、或TAZ用作具有空穴阻挡性能的材料。
附图简要说明
在随附的图中：
图1是示出根据本发明的发光装置的元件结构的说明性视图；
图2A和2D是示出根据本发明制造发光装置的步骤的说明性视图；
图3是示出蒸发室的说明性视图；
图4是示出根据本发明的发光装置的元件结构的说明性视图；
图5A和5B是示出根据本发明的发光装置的材料组成和元件结构的说明性视图；
图6A和6B是示出根据本发明的发光装置的材料组成和元件结构的说明性视图；
图7A和7B是示出发光装置的像素部分和俯视图；
图8A和8B是示出有源矩阵发光装置的说明性视图；
图9是示出无源矩阵发光装置的说明性视图；
图10A-10H示出电子设备的实例；
图11A是示出发光装置的传统实例的说明性视图；以及
图12A和12B是示出反转交错TFT的结构的说明性视图。
优选实施方案的详细说明
本发明的实施方案样式将用图1和2A-2D说明。本发明的发光装置包括具有图1所示元件结构的发光元件。
如图1所示，衬底101上形成阳极102，形成有机化合物层103以被阳极102和阴极104夹住。注意，本实施方案样式中，有机化合物层103由其中多个同样的重复单元聚合的聚合物构成。
并且，可能变成发光中心的发光物质部分地被包括在有机化合物层103的部分中，发光区105形成于其中。
其次，制造图1所示发光元件的方法将用图2A-2D说明。如图2A所示，阳极202形成于衬底201上。注意在本发明中，玻璃或石英，其是透明的，用于衬底201，透明导电材料用于阳极202。
并且，由绝缘材料构成的绝缘膜在阳极202上形成。注意，当阳极202上形成的绝缘膜部分地刻蚀时，可形成绝缘层203以覆盖阳极202的末端部分。
其次，如图2B所示，第一有机化合物层204形成于阳极202和绝缘层203上。注意，在本实施方案样式中，具有高功函数和空穴输运性能的材料作为组成第一有机化合物层204的高分子量材料是优选的，使用具有50或更高聚合度(n)的高聚合物。
注意，这里，其中高聚合物溶于有机溶剂中的溶液用旋涂法涂敷并在60℃-80℃加热20分钟-30分钟以除去有机溶剂。这样，得到第一有机化合物层204。注意，这时的处理气氛可设为真空。
然后，发光区205形成于第一有机化合物层204上。注意发光区205用由与用作第一有机化合物层204的材料的高聚合物同样的重复单元组成并具有2-5的聚合度(n)的低聚合物和变成发光中心的发光物质通过共蒸发形成。
注意，当形成发光区205时，在图3所示的蒸发室中进行膜形成。如图3所示，衬底301架在支架302上，蒸发源303(303a和303b)在下面提供。提供有机化合物304(304a和304b)用于蒸发源303(303a和303b)。本实施方案样式中，具体的，提供低聚合物用于蒸发源303a，提供发光物质用于蒸发源303b。此外，分别提供挡板306(306a和306b)用于蒸发源303(303a和303b)。注意，为了在成膜室310中均匀地形成膜，蒸发源303(303a和303b)或受到蒸发的衬底301优选地运动(转动)。
并且，蒸发源303(303a和303b)由导电金属材料构成。当蒸发源303(303a和303b)内部的有机化合物304(304a和304b)由上面施加的电压产生的电阻加热时，它们蒸发并蒸发淀积在衬底301的表面上。本技术说明中衬底301的表面包括衬底和上面形成的薄膜。这里，阳极形成于衬底301上面。
注意，挡板306(306a和306b)用于控制蒸发的有机化合物304(304a和304b)的蒸发淀积。换言之，当挡板打开时，通过加热蒸发的有机化合物304(304a和304b)可被蒸发淀积。
并且，反淀积屏蔽物307提供在成膜室310中，从而没有被以蒸发而蒸发淀积在衬底上的有机化合物可以被淀积。由于整个反淀积屏蔽物307可通过配备在其周围的加热导线308加热，淀积的有机化合物可以被蒸发。这样，没有蒸发淀积的有机化合物可再次恢复。
注意，当配备在第一蒸发源303a中的低聚合物和配备在第二蒸发源303b中的发光物质通过共蒸发同时蒸发淀积在衬底上时，形成图2C所示的发光区205。
其次，当只有第二蒸发源303b的挡板306b关闭时，第二有机化合物层206只由来自第一蒸发源303a的低聚合物构成(图2C)。注意，当膜形成在这里连续地进行时，可防止界面中的杂质污染。
最后，由导电材料制成的阴极207形成于第二有机化合物层206上以制造发光元件208。
通过上述步骤，具有发光区105的发光元件可如图1所示形成于有机化合物层103的部分。
根据本发明，由于包括发光物质的发光区105可在由同样重复单元组成的有机化合物层103的部分形成以设定用于在此发光的区域，发光元件的发光效率可进一步改善。此外，由于发光区105可在离开电极(阳极和阴极)的一个距离形成，可防止由于发光区105和电极(阳极和阴极)之间的能量传递引起的猝灭。
另外，根据本发明，不仅可用图1所示的元件结构，而且可用图4的结构。图4中，阳极402形成于衬底401上，有机化合物层405(第一有机化合物层405a和第二有机化合物层405b)形成于阳极402上，阴极403形成于第二有机化合物层405b上。第一有机化合物层405a和第二有机化合物层405b的叠层结构不同于图1所示的结构。
图4中，高分子量材料的高聚合物通过旋涂法形成为膜，低聚合物和发光物质共蒸发以形成部分包括发光区404的第一有机化合物层405a。这之后，由低分子量材料构成的第二有机化合物层405b通过蒸发法形成。注意，具有电子输运性能或空穴阻挡性能的材料可用作低分子量材料。
注意，图4所示的发光元件的第二有机化合物层405b不是由与组成第一有机化合物层405a的材料同样的重复单元组成的有机化合物构成。然而，如图1的情形，发光区可远离电极。此外，可改善载流子输运性能并选择性地阻挡载流子。这样，可提高载流子的复合性能并可进一步改善元件性能。
【实施方案1】
本实施方案中，具有图1所说明结构的发光元件将用图5A和5B说明。
如图5A所示，根据本实施方案的发光元件的元件结构，有机化合物层502形成于阳极501上，阴极503形成于有机化合物层502上，包括发光物质508的发光区504形成于有机化合物层502的部分。
并且，图5B详细地示出组成有机化合物层502的材料的组分。注意包括N-乙烯基咔唑(N-vinylcarbazole)作为重复单元505的高分子量材料用于本实施方案中。此外，本实施方案中N-乙烯基咔唑(N-vinylcarbazole)用作重复单元505，具有50或更高聚合度(n)的聚合物称作高聚合物506，具有2-5的聚合度(n)的聚合物称作低聚合物507。
并且，在本实施方案中，高聚合物506可溶于有机溶剂，低聚合物507是具有升华性的材料。
并且，作为本实施方案中用于溶解高聚合物的有机溶剂，可用甲苯、苯、氯苯、二氯苯、氯仿、四氢化萘(tetralin)、二甲苯(xylene)、二氯甲烷、环己烷、NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)(NMP(N-methyl-2-pyrrolidone))、二甲基亚砜(dimethylsulfoxide)、环己酮(cyclohexanone)和THF(四氢呋喃，tetrahydrofuran)等。
并且，本实施方案中荧光材料和磷光材料可用于发光物质508。
作为荧光材料，可用其中产生蓝色发光的1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(1，1，4，4-tetraphenyl-1，3-butadiene)(TPB)、α-NPD)、二萘嵌苯(perylene)，其中产生绿色发光的氧杂萘邻酮6(coumarin6)，其中产生红(橘红)色发光的DCM1、红荧烯(rubrene)、和奈耳红(Nile Red)，其中产生黄绿色发光的二甲基喹吖(二)酮(dimethylquinacridone)等。此外，可用蒽(anthracene)、芘(pyrene)、9，10-二苯基蒽(9，10-diphenylanthracene)等，其是凝聚的多环荧光物质。
并且，作为磷光材料，可用其中产生绿光的Ir(ppy)3、其中产生红光的PtOEP和稀土金属配合物的Eu(TTA)3phen。另外，Ir(ppy)3和DCM2可共蒸发以产生红色发光。
此后，将说明制造本实施方案中的发光元件的方法。首先，其中高分子量材料溶于有机溶剂中的溶液通过旋涂法涂敷于阳极501上以形成膜。注意，这里，使用包括N-乙烯基咔唑(N-vinylcarbazole)作为重复单元的高聚合物，并使用其中高聚合物溶于甲苯的溶液。此外，本实施方案中可用包括基于芴(fluorene)的化合物作为重复单元的高聚合物。
通过旋涂法的膜形成之后，在80℃进一步加热3分钟除去甲苯以形成由高聚合物506构成的膜。
其次，包括N-乙烯基咔唑作为重复单元的低聚合物507和发光物质508同时共蒸发以形成发光区504。
发光区504形成之后，只有包括N-乙烯基咔唑的低聚合物507(聚合度(n)＝2-5)通过蒸发法形成为膜以形成由低聚合物507构成的膜。注意，这时所形成的膜的厚度优选的是30nm-50nm。本实施方案中，膜形成在40nm的膜厚。此外，本实施方案中，包括N-乙烯基咔唑和PBD的低聚合物可共蒸发以改善电子输运性能。
通过上述步骤，部分地包括发光区504的有机化合物层502可形成于阳极501上。
其次，阴极503形成于有机化合物层502上。铝可用作组成阴极503的材料。此外，可用镁和银的合金(下文中称作Mg∶Ag)、镁和铟的合金(下文中称作Mg∶In)、或镁和铜的合金(下文中称作Mg∶Cu)。另外，除了镁以外可使用钙作为碱金属的合金。更进一步，可用铝和锂的合金(下文中称作Al∶Li)等。
并且，由金属氧化物或金属氟化物构成的极薄膜绝缘层可形成于阴极503和有机化合物层502的界面中。Li2O、MgO、Al2O3等可用作金属氧化物。LiF、MgF2、SrF2等用作金属氟化物，由这类材料构成的膜优选地形成在0.5nm-1.5nm的膜厚。
通过以上步骤，在所需位置包括发光物质508的发光区域504可形成于由同样重复单元组成的高分子量材料构成的有机化合物层502中。这样，有机化合物层502中的发光区域504可设定在特殊的位置。此外，本实施方案中由于发光区504可离开电极一个距离而形成，可防止由于能量传递引起的猝灭。
【实施方案2】
本实施方案中，其中有机化合物层的结构不同于实施方案1所示的结构的情形将用图6A和6B说明。
如图6A所示，根据本实施方案的发光元件的元件结构，有机化合物层602形成于阳极601上，阴极603形成于有机化合物层602上，包括发光物质610的发光区605形成于有机化合物层602的部分。此外，本实施方案中，空穴输运层604形成于发光区605下面，由具有电子输运性能的低分子量材料构成的电子输运层606形成于发光区605上。
并且，图6B详细地示出组成有机化合物层602的材料的组分。注意包括N-乙烯基咔唑作为重复单元607的高分子量材料611用于本实施方案中。此外，本实施方案中，N-乙烯基咔唑用作重复单元607，具有50或更高聚合度(n)的聚合物称作高聚合物608，具有2-5的聚合度(n)的聚合物称作低聚合物609。
并且，在本实施方案中，高聚合物608可溶于有机溶剂，低聚合物609是具有升华性的材料。
并且，作为本实施方案中用于溶解高聚合物的有机溶剂，可用甲苯、苯、氯苯、二氯苯、氯仿、四氢化萘、二甲苯、二氯甲烷、环己烷、NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)、二甲基亚砜、环己酮和THF(四氢呋喃)等。
并且，类似于实施方案1所示的荧光材料和磷光材料在本实施方案中可用于发光物质610。这里，使用Ir(ppy)3，其是三重态发光材料。
此后，将说明制造本实施方案中的发光元件的方法。首先，其中高分子量材料溶于有机溶剂中的溶液通过旋涂法涂敷于阳极601上以形成膜。注意，这里，使用包括N-乙烯基咔唑作为重复单元的高聚合物，并使用其中高聚合物溶于甲苯的溶液。此外，本实施方案中可用包括基于芴的化合物作为重复单元的高聚合物。
通过旋涂法的膜形成之后，在80℃进一步加热30分钟除去甲苯以形成由高聚合物608构成的膜。
其次，包括N-乙烯基咔唑作为重复单元的低聚合物609和作为发光物质610的Ir(ppy)3同时共蒸发以形成发光区605。
发光区605形成之后，电子输运层606由低分子量材料613通过蒸发法形成。注意，这里形成的电子输运层606的膜厚设为30nm-50nm。
注意本实施方案形成的电子输运层606包括空穴阻挡层。Alq3、Almq、BAlq、Zn(PBO)2、Zn(PBT)2等可用作具有电子输运性能的有机化合物，其组成电子输运层606。此外，由BCP、vathophenanthroline、PBD或TAZ构成的层可作为空穴阻挡层形成以夹住它在发光区和电子输运层之间。
本实施方案中，BCP和Alq3层叠以形成由低分子量材料613构成的电子输运层606。
通过上述步骤，由高分子量材料和低分子量材料构成并部分地包括发光区605的有机化合物层602形成于阳极601上，然后其上形成阴极603。铝可用作组成阴极603的材料。此外，可用镁和银的合金(下文中称作Mg∶Ag)、镁和铟的合金(下文中称作Mg∶In)、或镁和铜的合金(下文中称作Mg∶Cu)。另外，可使用除了镁以外用钙作为碱金属的合金。
更进一步，可用铝和锂的合金(下文中称作Al∶Li)等。
并且，由金属氧化物或金属氟化物构成的极薄膜绝缘层可形成于阴极603和有机化合物层602的界面中。Li2O、MgO、Al2O3等可用作金属氧化物。LiF、MgF2、SrF2等用作金属氟化物，由这类材料构成的膜优选地形成在0.5nm-1.5nm的膜厚。
通过以上步骤，在由同样重复单元组成的高分子量材料611的所需位置包括发光物质610的发光区域605可形成于由高分子量材料和低分子量材料构成的有机化合物层602中。这样，有机化合物层602中的发光区域605可设定在特定的位置。此外，由于可形成使用低分子量材料613的功能区，发光元件的元件性能可进一步改善。此外，由于本实施方案中发光区605可离开电极一个距离而形成，可防止由于能量传递引起的猝灭。
【实施方案3】
这里，图7A详细地示出根据本发明形成的并在实施方案1中说明的发光装置的像素部分的俯视结构，图7B是电路图。由于共同的参考符号用在图7A和7B中，这些优选地互相指代。
本实施方案中，由参考编号702的区域所指的TFT称作开关TFT，由参考编号706的区域所指的TFT称作电流控制TFT，二者都由本发明的有机TFT构成。注意，开关TFT 700的源与源信号线703连接，其漏与漏导线704连接。此外，漏导线704与电流控制TFT 705的栅电极706电连接。
并且，形成开关TFT 700的沟道区，与源和漏接触并与同栅信号线702电连接的栅电极701(701a和701b)重叠。
并且，电流控制TFT 705的源与电流供给线707电连接，其漏与漏导线708电连接。此外，漏导线与虚线所指的阳极(像素电极)709电连接。
注意，本实施方案的结构可通过与实施方案1或实施方案2的结构组合实现。
【实施方案4】
本实施方案中，通过本发明的制造方法制造的有源矩阵发光装置的外观将用图8A和8B说明。注意，图8A是表示发光装置的俯视图，图8B是沿着图8A的线A-A’得到的横截面视图。虚线所指的参考编号801指源信号线驱动器电路，802指像素部分，803指栅信号线驱动器电路。此外，参考编号804指密封衬底，805指密封剂。空间807产生在密封剂805所围绕的内部区域。
注意，参考编号808指用于传送输入到源侧驱动器电路801和栅侧驱动器电路803的信号的导线，视频信号和时钟信号从作为外部输入终端的FPC(柔性印刷电路)809接收。尽管这里只示出FPC 809，印刷导线板(PWB)可附连到FPC 809。本技术说明中的发光装置不仅包括发光装置的主体，而且包括FPC 809或PWB所附连的发光装置。
其次，横截面结构将用图8B说明。尽管驱动器电路和像素部分形成于衬底810上，这里也标明了作为驱动器电路的源侧驱动器电路801和像素部分802。
注意，源侧驱动器电路801由其中n沟道TFT 813和p沟道TFT 814组合的CMOS电路组成。组成驱动器电路的TFT可以组成已知的CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路。此外，尽管本实施方案中指出其中驱动器电路形成于衬底上的驱动器集成型，这种类型不是必须使用的，驱动器电路可以不形成于衬底上而形成于外部。
并且，像素部分802由多个像素组成，每个包括电流控制TFT 811和与其漏电连接的阳极812。
并且，绝缘层813形成于阳极812和第一有机化合物层814的两个末端，发光区815和第二有机化合物层816形成于阳极812上。另外，阴极817形成于第二有机化合物层816上。这样制造出由阳极812、有机化合物层和阴极817组成的发光元件818。
阴极817还作为对所有像素共同的导线，并通过连接导线808与FPC 809电连接。
并且，为了密封形成于衬底810上的发光元件818，衬底810通过密封剂805接合到密封衬底804。注意，可以提供由树脂膜构成的隔离物以保持密封衬底804和发光元件818之间的间隔。诸如氮的惰性气体密封在密封剂805围绕的空间807中。注意环氧基树脂优选地用作密封剂805。此外，理想的是密封剂805是使湿气和氧的透过最小的材料。另外，具有吸湿作用的物质和具有氧化保护作用的物质可以包括在空间807中。
并且，本实施方案中，由FPR(玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、Mylar、聚酯、丙烯酸(acry1ic)等构成的塑料衬底可用作除了玻璃衬底和石英衬底之外组成密封衬底804的材料。此外，密封衬底804用密封剂805接合到衬底上，然后可用密封剂密封以便于覆盖侧面(暴露的表面)。
当发光元件通过上述步骤密封在空间807中时，可完全对外界封闭，并可防止诸如湿气和氧的促进有机化合物层退化的物质从外界的进入。这样，可得到具有高度可靠性的发光元件。
注意，本实施方案的结构可通过与实施方案1-实施方案3的任何结构自由地组合来实现。
【实施方案5】
本实施方案中，其中制造具有本发明的元件结构的无源(简单矩阵)发光装置的情形将给予说明。图9用于该说明。图9中，参考编号901指玻璃衬底，902指由透明导电膜制成的阳极。本实施方案中，氧化铟和氧化锌的化合物通过蒸发法形成用于透明导电膜。注意，虽然图9中没有示出，多个阳极排列在平行于纸面的条形中。
并且，形成由绝缘材料构成的围堤903以便于穿过排列在条形中的阳极902。围堤903与阳极902接触并在垂至于纸面的方向形成。
其次，形成有机化合物层904。本实施方案中，首先，其中具有50或更高聚合度(n)的N-乙烯基咔唑的高聚合物溶于甲苯的溶液通过旋涂法涂敷并在80℃加热3分钟以挥发溶剂。这样，第一有机化合物层905形成在50nm-150nm的膜厚。
其次，具有2-5的聚合度(n)的N-乙烯基咔唑的低聚合物和可能成为发光中心的发光物质共蒸发以形成具有20nm-40nm膜厚的发光区906。注意，本实施方案中，高聚合物(608)可溶于有机容机中，低聚合物(609)是具有升华性的材料。
并且，类似于实施方案1所表明的荧光材料和磷光材料可在本实施方案中用于发光物质。
另外，具有2-5的聚合度(n)的N-乙烯基咔唑的低聚合物可蒸发淀积在发光区906中以形成第二有机化合物层907。这样，可形成由第一有机化合物层905、发光区906和第二有机化合物层907组成的有机化合物层904。由于有机化合物层904沿着围堤903产生的凹槽形成，它们在垂至于纸面的方向排列在条形中。
其次，形成阴极908。注意，阴极908用金属掩膜通过蒸发法形成于有机化合物层904上。
注意，由于本实施方案中下电极由透明阳极902构成，有机化合物层中产生的光发射到下侧(衬底901侧)。
其次，陶瓷衬底作为密封衬底910制备。在本实施方案的结构中，由于优选的先遮挡性能，使用陶瓷衬底。还可用塑料或玻璃构成的衬底。
这样制备的密封衬底910通过紫外老化树脂制成的密封剂911接合到所得到的衬底上。注意，由密封剂911围绕的内部空间909变成封闭的空间并用诸如氮或氩的惰性气体密封。此外，在封闭的空间中909提供以氧化钡代表的吸湿材料是有效的。最后，FPC 912附连到衬底上以完成无源发光装置。注意，根据本发明，有机化合物层可通过与实施方案1或实施方案2中所示的材料自由地组合来形成。
【实施方案6】
尽管具有顶部栅TFT的有源矩阵发光装置在实施方案4中说明，本发明不限于这种TFT结构。这样，如图12A和12B中所示，发光装置可用底部栅TFT(典型的是反转交错TFT)实现。此外，反转交错TFT可用任何方式形成。另外，尽管其中发射由发光元件在阳极侧(衬底侧)产生的光(向下发射型)的结构用在实施方案4中，也可使用如本实施方案所指出的其中光从阴极侧发射(向上发射型)的结构。
注意，图12A是使用底部栅TFT的发光装置的俯视图。目前，没有进行通过密封衬底的密封。源侧驱动器电路1201、栅侧驱动器电路1202和像素部分1203形成于衬底上。图12B是当发光装置沿着图12A的线x-x’切割时像素部分1203中的区域1204的横截面视图。
图12B中，将只说明形成于像素部分1203中的TFT的电流控制TFT。参考编号1211指衬底，1212指作为基础的绝缘膜(下文中称作基膜)。透明衬底，典型的，玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和晶化玻璃衬底可用作衬底1211。然而，需要的是衬底在制造工艺中耐最大处理温度。
并且，尽管基膜1212在特别地使用包括可运动离子的衬底或导电衬底的情形中是有效的，它可以不提供在石英衬底中。包括硅的绝缘膜优选地用作基膜1212。注意，本技术说明中“包括硅的绝缘膜”具体地指包括对硅有预定比例的氧或氮的绝缘膜，诸如氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜(SiOxNy：x和y以任意整数表示)。
参考编号1213指由p沟道TFT制成的电流控制TFT。注意，本实施方案中由于发光元件的阳极与电流控制TFT 1213连接，理想的是电流控制TFT由p沟道TFT制成。然而本发明不限于这种结构，电流控制TFT可由n沟道TFT构成。
电流控制TFT 1213由包括源区1214、漏区1215和沟道形成区1216的有源层、栅绝缘膜1217、栅电极1218、夹层绝缘膜1219、源导线1220和漏导线1221组成。本实施方案中，电流控制TFT 1213是p沟道TFT。
并且，开关TFT的漏区与电流控制TFT 1213的栅电极1218连接。尽管没有示出，具体地，电流控制TFT 1213的栅电极1218通过漏导线(没有示出)与开关TFT的漏区(没有示出)电连接。注意，尽管栅电极1218变成单栅结构，它也可以变成多栅结构。此外，电流控制TFT 1213的源导线1220与电流供给线(没有示出)连接。
电流控制TFT 1213是用于控制注入到发光元件中的电流数量的元件，使得相对大量的电流流入其中。这样，优选的是沟道宽度(W)设计得大于开关TFT的宽度。此外，为了防止过量的电流流进电流控制TFT 1213，优选的是沟道长度(L)设计得更长。理想地，设为每像素0.5μA-2μA(优选地，每像素1μA-1.5μA)。
并且，电流控制TFT 1213和有源层(特别地，沟道形成区)的膜厚可增加(到优选地，50nm-100nm，更优选的，60nm-80nm)以抑制TFT的退化。
电流控制TFT 1213的形成之后，形成夹层绝缘膜1219，并形成与电流控制TFT 1213电连接的阳极1223。注意，本实施方案中，用于电连接电流控制TFT 1213和阳极1223的导线以及阳极1223同时由同样的材料构成。此外，优选的是具有更大功函数的导电材料用作组成阳极1223的材料。典型的，有诸如镍、钯、钨、金和银的列举的金属。注意，本实施方案中，优选的是阳极1223是不透光的。除此以外，更优选的是使用具有高反光性的材料。
阳极1223的形成之后，形成绝缘层1224。注意，绝缘层1224也称作围堤。
其次，形成有机化合物层。注意，本实施方案中的有机化合物层具有与实施方案1所说明的同样的结构。换言之，有机化合物层的组成包括由高聚合物构成的第一有机化合物层1225、通过共蒸发低聚合物和发光物质形成的发光区1226和由低聚合物构成的第二有机化合物层1227。注意，实施方案1中所示的材料优选地用作组成有机化合物层的材料。
其次，阴极1228形成于有机化合物层上。优选的是具有2.5eV-3.5eV的功函数的导电材料用作阴极1228的材料。典型的，优选地用包括碱金属元素或碱土金属元素的导电膜、包括铝的导电膜或其中铝、银等层叠于导电膜上的膜。由于本实施方案涉及向上发光型，故严格地采取阴极1228有透光性。这样，当使用这些金属时，具有大约20nm厚度的超薄膜是优选的。
通过以上步骤，可制造具有反转交错TFT的发光装置。注意，本实施方案中制造的发光装置可在图12B所示的箭头(向上)所指的方向发光。
由于反转交错TFT有一种结构使得步骤的数目与顶部栅TFT相比很容易减少，故非常有优势的是制造成本的减少，这是本发明的一个目的。
注意，根据本实施方案的结构，表明了具有其中提供反转交错TFT并且光从发光元件阳极侧发射的元件结构的发光装置。然而，如本实施方案所示其中光从发光元件的阴极侧发射的结构还可与实施方案4所示的顶部栅TFT组合。此外，其中如实施方案4所示光从发光元件的阳极侧发射的元件结构可与本实施方案所示的反转交错TFT组合。另外，有机化合物层会通过与实施方案1和实施方案2自由地组合来形成。
【实施方案7】
使用发光元件的发光装置是自发光型，因而与液晶显示装置相比在亮的环境中有优越的可见度，有更宽的视角。因而发光装置可用于各种电子设备的显示部分。
采用根据本发明制造的电子设备包括视频相机、数码相机、护目镜式显示器(头戴式显示器)、导航系统、音响再现装置(汽车音响系统、音响部件系统等)、笔记本电脑、游戏机、个人数字助理(可移动计算机、可移动电话、便携式游戏机、电子图书等)和配备有记录介质的图像再现装置(具体地，适用于再现诸如数字通用盘(DVD)的记录介质并配备有能显示其图像的显示装置的装置)。特别地作为用于个人数字助理其屏幕在许多情形中从侧面观察，对于具有宽的视角有很高的要求，于是具有发光元件的发光装置优选的应用于此。图10A-10H示出其具体地实例。
图10A示出显示装置其包含诸如框架2001、支架2002、显示部分2003、扬声器部分2004、和视频输入终端2005的部分。本发明的发光装置可用在显示部分2003中。包括发光元件的发光装置是自发光型的，所以与液晶显示装置相比，它不需要背光源并实现很薄的显示部分。注意显示装置包括用于显示信息的所有显示装置例如用于个人电脑的、用于接收电视广播的和用于广告的。
图10B示出数码静止相机，其包含诸如机体2101、显示部分2102、图像接收部分2103、操作键2104、外部连接端口2105、和快门2106的部分。本发明的发光装置可用在显示部分2102中。
图10C示出笔记本电脑，其包含诸如机体2201、框架2202、显示部分2203、键盘2204、外部连接端口2205、和指点鼠标2206的部分。本发明的发光装置可用在显示部分2203中。
图10D示出可移动电脑，其包含诸如机体2301、显示部分2302、开关2303、操作键2304、和红外端口2305的部分。本发明的发光装置可用在显示部分2302中。
图10E示出配备有记录介质的便携式图像再现装置(具体地，DVD回放装置)，其包含诸如机体2401、框架2402、显示部分A 2403、显示部分B 2404、记录介质(诸如DVD)读入部分2405、操作键2406、和扬声器部分2407的部分。显示部分A 2403主要显示图像信息，显示部分B 2404主要显示文本信息，本发明的发光装置可用在显示部分A 2403中和显示部分B 2404中。注意家庭游戏机等包括在配备有记录介质的图像再现装置的类别中。
图10F示出护目镜式显示器(头戴式显示器)，其包含诸如机体2501、显示部分2502、和臂部分2503的部分。本发明的发光装置可用在显示部分2502中。
图10G示出视频相机，其包含诸如机体2601、显示部分2602、框架2603、外部连接端口2604、遥控接收端口2605、图像接收端口2606、电池2607、声音输入部分2608、和操作键2609的部分。本发明的发光装置可用在显示部分2602中。
这里图10H示出便携式电话，其组成包括机体2701、框架2702、显示部分2703、声音输入单元2704、声音输出单元2705、操作键2706、外部连接端口2707、和天线2708。本发明的发光装置可用在显示部分2703中。注意在显示部分2703中，通过在黑色背景上显示白色字符有可能压缩移动电话的电源消耗。
注意如果有机发光材料的发光亮度将来会改善，还可实现对前投式或背投式投影仪的应用其中载有输出的图像信息的光用透镜等放大以投影。
另外上面提到的电子设备经常用于通过诸如Internet或CATV(有线电视)的电子通讯线发布的显示信息。尤其是显示移动图像信息的频率有增加。有机材料有高的响应速度，这样使用有机材料的发光装置优选的用于显示移动图像。
并且在发光装置中发光部分消耗电能。因而，优选的是信息以如此的方式显示以至于发光部分尽可能的减少。因此，在发光装置用于如个人数字助理中所见的那样主要显示文本信息的显示部分，特别地，移动电话或声音再现装置，优选的进行驱动从而文本信息通过使用发光部分来形成而不发光的部分用作背景。
如上所述，根据本发明的制造方法的发光装置可用于任何领域的电子设备，具有极宽的应用范围。并且本实施方案的电器可用作根据实施方案1-实施方案6制造的发光装置中的显示部分。
【实施方案8】
通常利用高分子量材料的溶解性能很难得到叠层结构。本实施方案中表明了其中找到了对本发明中的高聚合物和低聚合物有不同溶解度的溶剂，然后高聚合物和低聚合物溶解在不同的溶剂中，它们组成的叠层通过旋涂法制造的情形。
首先聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯(polyethylenedioxythiophene/polystyrene su1fonate)(缩写形式：PEDOT/PSS)的混合水溶液用旋涂法涂敷到玻璃衬底上，其中ITO作为阳极形成为膜，在大约100nm的厚度，蒸发湿气以形成具有30nm厚度的空穴注入层。其次，2，5-二烷氧基-聚(对亚苯基)(2，5-dialkoxy-poly(paraphenylene)(缩写形式：RO-PPP)(下面的分子式(1))作为高聚合物溶解在甲苯中，具有50nm厚度的膜通过旋涂法形成以制造空穴输运层。
Figure A0212617300281
其次，作为PPP的低聚合物(寡聚物)的RO-5P(下面的分子式(2))和红荧烯作为掺杂物溶于酮基溶剂(环己酮等)，膜作为发光区形成为大约20nm的厚度。由于RO-PPP对酮基溶剂很难溶解，没有一种空穴输运层和发光区混合的情形。注意，这时发光区可以形成为层的形状而是团簇形。
注意，如上所述只通过旋涂法制造的叠层在本实施方案中可用作有机化合物层。然而，该情形中，由于得到了一种结构，其中发光区与其次形成的阴极接触形成，故猝灭容易发生。这样，为了在本实施方案中产生更高效率的发光，理想的是电子输运层通过蒸发法形成于发光区和阴极之间。三唑(Triazole)(TAZ)衍生物等可用作组成电子输运层的材料。最后，Al∶Li合金作为阴极蒸发到150nm的厚度以得到本发明的发光元件。
通过实施本发明，用高分子量材料作有机化合物层的发光装置中的发光区可设定在所需的位置，由此发光元件的元件性能可得到改善。此外，由于可得到其中发光区远离阳极和阴极的结构，可防止来自发光区由于能量传递引起的猝灭。

Claims (25)

1.一种发光装置，所述发光装置包括：
发光元件，
其中发光元件包括阳极、有机化合物层、和阴极，并且
其中有机化合物层包括高分子量材料，并部分地具有包括低聚合物和发光物质的发光区。
2.一种发光装置，所述发光装置包括：
发光元件，
其中发光元件包括阳极、有机化合物层、和阴极，并且
其中有机化合物层包括具有同样重复单元的高分子量材料，并部分地具有包括发光物质的发光区。
3.一种发光装置，所述发光装置包括：
形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜晶体管；
以及
与薄膜晶体管电连接的发光元件，
其中发光元件包括阳极、有机化合物层、和阴极，并且
其中有机化合物层包括高分子量材料，并部分地具有包括低聚合物和发光物质的发光区。
4.一种发光装置，所述发光装置包括：
形成在具有绝缘表面的衬底上的薄膜晶体管；
以及
与薄膜晶体管电连接的发光元件，
其中发光元件包括阳极、有机化合物层、和阴极，并且
其中有机化合物层包括具有同样重复单元的高分子量材料，并部分地具有包括发光物质的发光区。
5.一种发光装置，所述发光装置包括：
发光元件，
其中发光元件包括具有插入其间的有机化合物层的阳极、和阴极，
其中有机化合物层包括包括高分子量材料的第一有机化合物层和第二有机化合物层，
其中第一有机化合物层部分地具有包括低聚合物和发光物质的发光区，并且
其中第二有机化合物层包括低聚合物并与阴极接触形成。
6.一种发光装置，所述发光装置包括：
发光元件，
其中发光元件包括具有插入其间的有机化合物层的阳极、和阴极，
其中有机化合物层包括包括具有同样重复单元的高分子量材料的第一有机化合物层和第二有机化合物层，
其中第一有机化合物层部分地具有包括发光物质的发光区，并且
其中第二有机化合物层包括低聚合物并与阴极接触形成。
7.一种发光装置，所述发光装置包括：
发光元件，
其中发光元件包括具有插入其间的有机化合物层的阳极、和阴极，
其中有机化合物层包括包括高分子量材料的第一有机化合物层和第二有机化合物层，
其中第一有机化合物层部分地具有包括低聚合物和发光物质的发光区，并且
其中第二有机化合物层与阴极接触形成。
8.一种发光装置，所述发光装置包括：
发光元件，
其中发光元件包括具有插入其间的有机化合物层的阳极、和阴极，
其中有机化合物层包括包括高分子量材料的第一有机化合物层和包括低分子量材料的第二有机化合物层，
其中第一有机化合物层包括具有同样重复单元的高分子量材料并部分地具有包括发光物质的发光区，并且
其中第二有机化合物层与阴极接触形成。
9.根据权利要求7和8之一的发光装置，其中第二有机化合物层包括具有电子输运性能和空穴阻挡性能之一的低分子量材料。
10.根据权利要求9的发光装置，其中具有电子输运性能的低分子量材料是选自包含具有喹啉骨架的铝配合物、具有苯并噻唑骨架和苯并恶唑骨架之一的锌配合物和1，3，4-恶二唑衍生物的组中的一个。
11.根据权利要求9的发光装置，其中具有空穴阻挡性能的低分子量材料是选自包含1，3，4-恶二唑衍生物、1，2，4-三唑衍生物和菲咯啉衍生物的组中的一个。
12.根据权利要求5-8任何一个的发光装置，其中发光区和第二有机化合物层互相接触形成。
13.根据权利要求1-8任何一个的发光装置，其中高分子量材料包括具有2-5的聚合度的低聚合物和具有50或更高聚合度的高聚合物之一。
14.根据权利要求1-8任何一个的发光装置，其中高分子量材料包括N-.乙烯基咔唑和芴之一作为重复单元。
15.根据权利要求1-8任何一个的发光装置，其中发光物质包括选自包含1，1，4，4-.四苯基-1，3-丁二烯、4，4’-二(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-联苯基、二萘嵌苯、氧杂萘邻酮6、4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(p-二甲基氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃、4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(久洛尼定-4-基-乙烯基)-4H-吡喃、红荧烯、奈耳红、N-N’-二甲基-]喹吖(二)酮、蒽、芘、9，10-联苯蒽、三(2-苯基吡啶)铱、和2，3，7，8，12，13，17，18-八乙烷基-21H，23H-卟啉-铂的组中的至少一个。
16.根据权利要求1-8任何一个的发光装置，其中发光装置结合到选自包含显示装置、数码静止相机、笔记本电脑、可移动电脑、包括记录介质的便携式图像再现装置、护目镜式显示器、视频相机和便携式电话的组中的至少一个中。
17.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
通过敷贴方法将包括高聚合物的高分子量材料施加到阳极上以形成第一有机化合物层；
在第一有机化合物层上通过共蒸发法蒸发淀积包括低聚合物和发光物质的高分子量材料以形成发光区；以及
在发光区上通过蒸发法蒸发淀积包括低聚合物的高分子量材料以形成第二有机化合物层。
18.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
通过敷贴方法将包括高聚合物的高分子量材料施加到阳极上以形成第一有机化合物层；
在第一有机化合物层上通过共蒸发法蒸发淀积包括低聚合物和发光物质的高分子量材料以形成发光区；以及
在发光区上通过蒸发法蒸发淀积低分子量材料以形成第二有机化合物层。
19.根据权利要求18制造发光装置的方法，其中低分子量材料是具有电子输运性能和空穴阻挡性能之一的材料。
20.根据权利要求19制造发光装置的方法，其中具有电子输运性能的材料是选自包含具有喹啉骨架和铝配合物、具有苯并噻唑骨架和苯并恶唑骨架之一的锌配合物和1，3，4-恶二唑衍生物的组中的一个。
21.根据权利要求19制造发光装置的方法，其中具有空穴阻挡性能的低分子量材料是选自包含1，3，4-恶二唑衍生物、1，2，4-三唑衍生物和菲咯啉衍生物的组中的一个。
22.根据权利要求17和18中任何一个制造发光装置的方法，其中低聚合物具有2-5的聚合度，高聚合物具有50或更高的聚合度。
23.根据权利要求17和18中任何一个制造发光装置的方法，其中低聚合物具有高分子量材料是包括N-.乙烯基咔唑和芴之一作为重复单元的材料。
24.根据权利要求17和18中任何一个制造发光装置的方法，其中发光物质包括选自包含包含1，1，4，4-.四苯基-1，3-丁二烯、4，4’-二(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-联苯基、二萘嵌苯、氧杂萘邻酮6、4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(p-二甲基氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃、4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(久洛尼定-4-基-乙烯基)-4H-吡喃、红荧烯、奈耳红、N-N’-二甲基-喹吖(二)酮、蒽、芘、9，10-联苯蒽、三(2-苯基吡啶)铱、和2，3，7，8，12，13，17，18-八乙烷基-21H，23H-卟啉-铂的组中的至少一个。
25.根据权利要求17和18中任何一个制造发光装置的方法，其中发光装置结合在选自包含显示装置、数码静止相机、笔记本电脑、可移动电脑、包括记录介质的便携式图像再现装置、护目镜式显示器、视频相机和便携式电话的组中的至少一个中。
CNB021261733A 2001-07-13 2002-07-12 发光装置和其制造方法 Expired - Fee Related CN100416884C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001213139 2001-07-13
JP213139/2001 2001-07-13
JP213139/01 2001-07-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1398147A true CN1398147A (zh) 2003-02-19
CN100416884C CN100416884C (zh) 2008-09-03

Family

ID=19048175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021261733A Expired - Fee Related CN100416884C (zh) 2001-07-13 2002-07-12 发光装置和其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (3) US6908695B2 (zh)
CN (1) CN100416884C (zh)
TW (1) TW552824B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100561748C (zh) * 2004-11-02 2009-11-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和发光器件
CN102110782A (zh) * 2010-12-06 2011-06-29 电子科技大学 一种有机发光器件及其制备方法
CN103325959A (zh) * 2003-05-30 2013-09-25 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 柔性多层封装材料和具有该封装材料的电子器件

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
SG111968A1 (en) * 2001-09-28 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
JP2004063363A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子
GB0309355D0 (en) * 2003-04-24 2003-06-04 Univ Cambridge Tech Organic electronic devices incorporating semiconducting polymer
JP4062171B2 (ja) 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
US6977389B2 (en) * 2003-06-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Planar polymer memory device
US7259443B2 (en) * 2003-06-26 2007-08-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for forming patterns on a filled dielectric material on substrates
US7198859B2 (en) * 2003-07-25 2007-04-03 Universal Display Corporation Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
DE10339772B4 (de) * 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101246247B1 (ko) * 2003-08-29 2013-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치
US7541734B2 (en) * 2003-10-03 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative
CN100502050C (zh) * 2004-08-13 2009-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
KR100668609B1 (ko) * 2004-09-24 2007-01-16 엘지전자 주식회사 백색광원소자
TWI326379B (en) * 2005-09-20 2010-06-21 Au Optronics Corp A double-sided liquid crystal display
EP1777758A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device
EP1814173B1 (en) * 2006-01-30 2017-01-04 Micron Technology, Inc. Electronic device containing semiconductor polymers and corresponding manufacturing process
TWI273530B (en) * 2006-03-10 2007-02-11 Au Optronics Corp Dual screen organic electroluminescent display
US7598381B2 (en) * 2006-09-11 2009-10-06 The Trustees Of Princeton University Near-infrared emitting organic compounds and organic devices using the same
US8339040B2 (en) * 2007-12-18 2012-12-25 Lumimove, Inc. Flexible electroluminescent devices and systems
JP5220091B2 (ja) * 2008-02-26 2013-06-26 株式会社アルバック 成膜源、蒸着装置、有機ｅｌ素子の製造装置
JP5611538B2 (ja) * 2008-05-16 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 ベンゾオキサゾール誘導体、およびベンゾオキサゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、照明装置、並びに電子機器
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
SE534257C2 (sv) 2009-10-28 2011-06-21 Lunavation Ab En ljusemitterande elektrokemisk anordning, ett system innefattande en sådan anordning samt användning av en sådan anordning
KR101730498B1 (ko) * 2010-10-22 2017-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US9273079B2 (en) 2011-06-29 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9741946B2 (en) 2012-12-20 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element containing organic iridium exhibits blue-green to blue light emission
WO2015133999A1 (en) * 2014-03-04 2015-09-11 Empire Technology Development Llc Backlight units and methods of making the same
WO2018183341A1 (en) 2017-03-27 2018-10-04 Firouzeh Sabri Light weight flexible temperature sensor kit
CN110504377B (zh) * 2019-08-22 2022-03-29 云谷（固安）科技有限公司 一种有机发光显示器件及其制备方法以及显示面板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JPH0696858A (ja) 1992-09-10 1994-04-08 Toppan Printing Co Ltd 有機薄膜ｅｌ素子
JPH0860145A (ja) 1994-08-25 1996-03-05 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JP3224396B2 (ja) * 1996-05-29 2001-10-29 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
US6013538A (en) * 1997-11-24 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating and patterning OLEDs
US6563263B1 (en) * 1998-09-07 2003-05-13 Fuji Electric Co., Ltd. Multi-colored organic EL device with protective layer
JP2001052867A (ja) * 1999-08-05 2001-02-23 Toyota Motor Corp 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2001189193A (ja) 1999-10-05 2001-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子とその製造方法、およびそれを用いた表示装置、照明装置
KR20010090848A (ko) 1999-10-05 2001-10-19 모리시타 요이찌 발광소자와 그 제조방법, 및 그것을 이용한 표시장치,조명장치
US6515417B1 (en) * 2000-01-27 2003-02-04 General Electric Company Organic light emitting device and method for mounting
US6692845B2 (en) 2000-05-12 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103325959A (zh) * 2003-05-30 2013-09-25 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 柔性多层封装材料和具有该封装材料的电子器件
CN100561748C (zh) * 2004-11-02 2009-11-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和发光器件
US7683532B2 (en) 2004-11-02 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and light emitting device
US8174178B2 (en) 2004-11-02 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and light-emitting device
US8890407B2 (en) 2004-11-02 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and light-emitting device
CN102110782A (zh) * 2010-12-06 2011-06-29 电子科技大学 一种有机发光器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW552824B (en) 2003-09-11
US20050208697A1 (en) 2005-09-22
US20070054428A1 (en) 2007-03-08
US6908695B2 (en) 2005-06-21
US20030020088A1 (en) 2003-01-30
CN100416884C (zh) 2008-09-03
US7148076B2 (en) 2006-12-12
US7413916B2 (en) 2008-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1398147A (zh) 发光装置和其制造方法
US6867538B2 (en) Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices
CN1474637A (zh) 电致发光元件以及采用它的发光器件
CN100340002C (zh) 发光器件及其制造方法和薄膜形成装置
CN1269231C (zh) 发光器件和制造该器件的方法
CN100350623C (zh) 发光装置
CN1444427A (zh) 发光器件及其制造方法
CN1729724A (zh) 有机发光元件
CN1543282A (zh) 发光元件以及发光器件
CN1551692A (zh) 发光器件以及电子器具
CN1610465A (zh) 发光元件以及发光器件
CN1902984A (zh) 发光元件
CN1610460A (zh) 发光器件以及电子器件
CN1543276A (zh) 发光器件和电子器具、以及制造设备
CN1378409A (zh) 有机发光元件和使用该元件的显示设备
CN1578558A (zh) 用于发光元件的电子注入成分、发光元件及发光器件
CN1434669A (zh) 显示器件及其制造方法
CN1604696A (zh) 发光器件
CN1428869A (zh) 发光装置、制造发光装置的方法、及其制造设备
CN1454035A (zh) 发光器件及其制造方法
CN1369573A (zh) 沉积装置和沉积方法
CN1353464A (zh) 发光装置
CN101036246A (zh) 发光元件和发光器件
CN1612663A (zh) 发光元件、含该元件的发光器件、及含该器件的电子器件
CN1469691A (zh) 发光器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080903

Termination date: 20180712

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee