CN1381751B - 电光学装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

不产生迂回布线之间的短路和可靠性降低等问题，通过边缘狭窄化实现小型化。一种液晶装置1，即电光学装置，具有和第一电极10相对配置的第二电极11、在第一电极10和第二电极11之间配置的液晶。该液晶装置1还具有形成第一电极10的第一基板2和形成在第一基板2上在导通位置4a与第二电极11导通的布线14。与导通位置4a相比，布线14在内侧迂回，因此可使外侧的边缘区域比密封材料4窄。

Description

电光学装置和电子设备

技术领域

本发明涉及液晶装置、EL(电发光)器件、电泳器件等的电光学装置和使用电光学装置构成的电子设备。

背景技术

近年来，便携电话机、手表等的电子设备中，作为显示各种信息的装置广泛使用液晶装置。今后，考虑也使用EL器件。电子设备中，特别是个人计算机、便携电话机、手表等的便携型电子设备中，在壳体内部的有限空间中容纳液晶装置等。而且，由于要由液晶装置等显示的信息量增多的要求，希望液晶装置等的显示区域极度扩大，而且显示区域以外的区域，即非显示区域变窄的结构。另外，上述非显示区域叫做边缘区域。

上述液晶装置中，已知有构成显示区域的各显示点中附加开关元件的结构的有源矩阵方式的液晶装置、不使用这种开关元件的结构的无源矩阵(即单矩阵)方式的液晶装置。

这里，考虑无源矩阵方式的液晶装置，该液晶装置一般在2块基板间封装入液晶，在各基板的相对面上形成彼此正交的条状电极。该液晶装置中，2块基板上的电极彼此交叉的部分为显示点，液晶按每个显示点从外部驱动。

这样，为从外部驱动液晶，例如是将各基板的非显示区域伸出到相对的相对侧基板的外侧，这些伸出区域上分别安装驱动用IC，使用迂回布线电连接各驱动用IC的输出端子和各基板上的各电极，并且通过迂回布线将来自各驱动用IC的输出信号提供给各基板上的电极。

但是，该结构中，安装驱动用IC的区域要在各个基板上，因此有液晶装置的非显示区域，即边缘区域变大的问题。

由于成为液晶装置的左侧和右侧之一或上侧和下侧之一在单面伸出很大的形状，即不对称的形状，因此，例如将该液晶装置容纳在便携电阻设备的壳体内时，电子设备的壳体的外壳部分不增大，不能容纳该液晶装置，另外，由于壳体的外壳部分是不对称的，出现不能将液晶显示部设置在电子设备的中央等问题。

因此，以液晶装置的边缘狭窄化、边缘区域的对称化以及驱动用IC的使用数减少等为目的，对便携电话机用等的像素数不那么多的小规模液晶装置提出如下结构。即，是在2块基板上形成的全部电极与设置在零块基板上的非显示区域中的多个迂回布线的一端连接，这些迂回布线的另一端连接于1个驱动用IC的输出端子，通过该1个驱动用IC驱动各基板上的电极的方法。

图13表示这种结构的液晶装置的已有例之一。该已有例的液晶装置150中，下基板100和上基板101由矩形环状的密封材料141贴合。密封材料141内侧在整个周边上设置遮光区域180。下基板100的图的下侧的一边伸出到上基板101的外侧，由此，形成伸出区域100a。之后，在该伸出区域100a上安装1个驱动用IC102。

下基板100的与上基板101相对的面上在图中的纵向上延伸多个分段电极110，整体形成条状。这些分段电极110经迂回布线115连接于驱动用IC102的端子。另一方面，上基板101的与下基板100相对的面上在与分段电极110正交的方向，即图中的横向上延伸多个公共电极111，整体形成条状。

这些公共电极111的一端分别连接迂回布线140。这些迂回布线140沿着公共电极111的延伸方向向遮光区域180和密封材料141的外侧延伸后，弯曲沿上基板101的左右边在图中的纵向延伸，并汇集在下基板100的下边的两侧部。

汇集上基板101上形成的迂回布线140的场所设置例如各向异性导电膜、导电胶、包含导电性粒子的导电材料等构成的上下导通部142。通过该上下导通部导通部42的移动，上基板101上的迂回布线140电连接于下基板100上形成的迂回布线143。并且，该下基板100上的迂回布线143连接于驱动用IC102的各端子。

通过以上，全部迂回布线143和全部迂回布线115连接于下基板100上的驱动用IC102，从该驱动用IC102队全部分段电极110和公共电极111提供图像信号和扫描信号。

但是，上述结构的已有液晶装置150有如下的问题。即，分段电极110用的迂回布线115对应上基板101的下边中央部配置，因此用于将公共电极111用的上基板101侧的迂回布线140电连接于公共电极111用的下基板100侧的迂回布线143的上下导通部142设置在上基板101的下边的左右两侧。

这样，由于设置上下导通部142，仅使用上基板101的下边的左右两侧的有限空间，因此在配置多个迂回布线140，143的情况下，不能使迂回布线140，143的间距(即，布线宽度+布线间的间隔)变狭窄，因此，出现彼此相邻的布线间产生短路、布线可靠性降低的问题。按不产生这些问题的程度加宽迂回布线140，143的间距时，上下导通部142的占有面积增大，结果产生边缘区域加宽的问题。

因此，如图13所示那样，代替与密封材料141分别设置上下导通部142的结构，如图14所示，提出在密封材料141中混入导电粒子145来将密封材料141本身作为上下导通部的结构的液晶装置151。

具体说，公共电极111用的上基板101侧的迂回布线140和公共电极111用的下基板100侧的迂回布线143一起延伸到密封材料141的形成区域，经密封材料141电连接这些迂回布线140，143。使用导电粒子145的情况下，若开出某种程度的间隔，则相邻的迂回布线140之间或迂回布线143之间不短路。

采用这种结构的情况下，沿着基板100，101的左右边延伸的密封材料141的长度区域作为上下导通部，因此可加宽迂回布线140，143之间的间距，避免了上下导通部位置处的迂回布线140，143的短路问题。图14中，与图13相同的构成要素附加相同的符号，省略详细说明。

但是，图14所示液晶装置150的情况下，即便加宽上下导通部，与图13的情况同样，配置迂回布线140，143的区域需要设置在密封材料141的外侧。如上所述，近年来的液晶装置中，显示容量(即像素数)有增加的倾向。这样显示容量增加时，对应于此，迂回布线根数也增。如上所述，将迂回布线140，143设置在密封材料141的外侧时，增加迂回布线的根数时，迂回布线的形成区域加宽了，这种情况是液晶装置边缘狭窄化的障碍。

为了即便增加液晶装置的显示容量也不加宽迂回布线的形成区域，考虑缩小迂回布线的间距，即减小布线宽度和/或布线间间隔，但这种情况下，导致迂回布线的电阻增大，恐怕会对液晶装置的显示质量产生不良影响。例如，以50微米间距形成100根迂回布线时，需要5毫米左右的迂回布线的形成区域。在原来的布线材料中，此时的迂回电阻到达数千欧姆到数兆欧姆，有时产生信号波形失真等问题。

另外，在图14的原来液晶装置151中，公共电极111用的下基板100侧的迂回布线143配置在密封材料141的外侧，由于和外部接触，因外部的水分的影响等，恐怕对迂回布线143产生腐蚀。

发明内容

本发明为解决上述问题而作出，目的是不产生迂回布线间的短路、可靠性降低等问题，通过边缘狭窄化实现小型化。

(1)为达到上述目的，本发明的电光学装置具有第一电极、与该第一电极相对配置的第二电极以及配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电光学物质，其特征在于：具有形成上述第一电极的第一基板和形成在上述第一基板上在导通位置与上述第二电极导通的布线，该布线比上述导通位置还向内侧迂回。

根据该结构，由于将第一基板上形成的布线配置成比导通基板之间的导通部位置靠内侧，即经由基板的中央，与布线配置得比导通位置靠基板外侧的已有液晶装置相比，可使非显示区域，即边缘区域狭窄。

(2)在上述结构的电光学装置中，上述电光学物质是液晶或EL(电发光)。液晶是根据施加于其上的电场变化而改变分子配向的物质，是通过控制其配向变化调制通过该液晶的光的物质。EL是通过控制施加在其上的典雅来控制发光或不发光的自发光元件。

(3)上述结构的电光学装置中，还具有包围上述电光学物质的密封材料，上述导通位置设置在该密封材料中。这样，通过密封材料形成导通位置，则导通位置在基板的周缘的任意场所按比较宽的面积设计，因此可加宽布线的间距，从而防止产生布线短路或电阻增大的问题。

(4)在上述结构的电光学装置中，上述布线一端连接于外部电路。这里，外部电路考虑是驱动用IC自身、安装驱动用IC的TAB(带自粘贴)基板、连接放置在外部的驱动用IC和该电光学装置的FPC(柔性印刷电路)等。

(5)关于密封材料中形成导通位置的结构的上述电光学装置，在上述密封材料中可包含导通部件，上述布线和上述第二电极可通过该导通部件相互连接。

通过密封材料中混入导电粒子等导电材料，封装液晶的密封材料自身也有作为基板间导通部的功能。此时，确实实现仅导通位置上对应的电极和布线而不导通位置上不对应的电极和布线的所谓各向异性导电连接。

密封材料用作基板间导通部的情况下，可充分确保该基板间导通部的面积，因此可使布线间的间距充分。密封材料用作基板间导通部的情况下，不需要另外设置密封材料以外的基板间导通部，并且密封材料的外侧可有在基板上印刷密封材料时需要的尺寸，即有裕量空间，因此可将密封材料配置在靠近基板外周面的位置上，其结果是使电光学装置的边缘区域为最小限度。

(6)上述结构的电光学装置中，可设置多个上述第二电极，上述布线与上述多个第二电极的每一个导通并设置多个，上述多个布线中至少1条布线和与该布线对应的上述第二电极在上述第一基板的一边上导通，上述多个布线中的其他布线和与该布线对应的上述第二电极在与上述一边相对的边上导通。根据该结构，导通电极和布线的位置可分基板左右两侧或上下两侧来设定。

这样，进一步充分确保基板间导通部面积。另外，应和在一个基板上形成的多个电极导通的多个布线可适当分配给2个处所的基板间导通部。此时，将多个布线一分为二，则使边缘区域为对称形状。

(7)将导通电极和布线的位置分为基板左右两侧或上下两侧来设定的结构的电光学装置中，可对应上述第二电极中的至少1个在第一基板上设置伪图案，该伪图案在上述第二电极和上述布线之间的上述导通位置的相反侧的边上与上述第二电极相对设置。

密封材料具有封装液晶等的功能的同时，还具有插入在一对基板间将这些基板间的间隔，即单元间隙一定的功能。该单元间隙在基板表面内参差不齐，是显示不良的原因。将密封材料用作基板间导通部的情况下，电极和布线的连接场所中，密封材料与基板之间一定存在布线。但是，在电极的一端将该电极连接于布线时，另一端不存在布线，因此有密封材料和基板之间存在布线的场所和不存在布线的场所，单元间隙参差不齐，恐怕会显示不良。

因此，若不存在布线的电极的另一端上配置与布线相同厚度的伪图案，则单元间隙无论场所如何都为恒定，防止显示不良。为不使电光学装置的制造工序复杂化，布线和伪图案用相同材料形成。

(8)接着，本发明的电光学装置具有多个第一电极、与该第一电极的每一个相对配置的多个第二电极以及配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电光学物质，其特征在于：具有形成上述第一电极的第一基板和形成在该第一基板上在导通位置与上述第二电极导通的多个布线，上述多个布线中的至少1条布线和不连接于该1条布线的上述第二电极空间交叉，该交叉位置上设置遮光膜。

多个电极和多个布线分别导通时，产生因布线迂回某一布线与未和该布线连接的电极空间交叉的情况，即产生在空间空白的状态下平面看去彼此重合的情况。有时该重合部分中也存在液晶等。并且，这些情况下，为将液晶等夹在其间使布线和电极相对的状态。

本来，迂回布线的区域设定在显示区域的周边，该区域是不点亮的区域。但是，如上所述，在存在将液晶等夹在其间使布线和电极相对的区域的情况下，例如考虑通过多个布线依次将扫描信号提供给电极时，产生夹持液晶等相对的布线和电极之间施加电压的场所，驱动该部分的液晶，本来不应点亮的周围区域也点亮了，变成了白光。这样，从外部观看电光学装置的显示时，显示质量极度恶化。

针对这一点，如上所述，若在布线和电极空间交叉的区域中设置遮光膜，则即便假设该区域点亮，其中的光由遮光膜遮住，不向外部射出，由此，防止了基板周边的非显示区域出现白光，可提高显示的可视性。

(9)在设置遮光膜的结构的上述电光学装置中，可将上述第二电极形成在与上述第一基板不同的第二基板上，并且上述遮光膜形成在该第二基板上。

(10)在设置遮光膜的结构的上述电光学装置中，还设置至少包含不同的2色的着色层和区分上述2色的部件，此时，该区分的部件包含与上述遮光层实际相同的材料。由此，防止电光学装置的制造工序变复杂。

(11)上述结构的电光学装置中，上述布线由比上述第一电极的电阻低的导电膜形成。根据该结构，通过降低布线电阻，可提高显示质量。

(12)将低电阻的导电膜用作布线的结构的上述电光学装置中，上述布线具有和上述第一电极为同一层的导电膜与比上述第一电极的电阻低的导电膜的层叠膜。

(13)将低电阻的导电膜用作布线的结构的上述电光学装置中，可在上述第一基板上安装驱动用IC，该驱动用IC经上述布线驱动上述第二电极。

(14)将低电阻的导电膜用作布线的结构的上述电光学装置中，上述布线中位于上述密封材料的外侧区域的部分中不包含上述导电膜。这样，由于确实防止导电膜和外部的连接，可更进一步确实防止该导电膜的腐蚀，即布线的腐蚀。

(15)接着，本发明的电光学装置具有形成条状第一电极的第一基板；形成与上述第一电极交叉的条状第二电极的第二基板；接合上述第一基板和上述第二基板使得各个电极形成面相对的密封材料；封入上述第一基板、上述第二基板和上述密封材料包围的区域中的液晶；形成在上述第一基板上并经导通部件和上述第二基板上的第二电极导通的布线，其特征在于该布线具有比上述第一电极低的电阻的导电膜，该导电膜的一部分或全部设置在由上述密封材料包围的区域中。

这里所述的电光学装置是将液晶用作电光学物质的液晶装置，另外，是在条状的一对电极交叉的部分中形成显示点的结构的无源矩阵方式的液晶装置。

根据该结构的液晶装置，由比第一电极电阻低的导电膜形成布线，因此降低布线电阻，可很高地维持显示质量。通过将导电膜的一部分或全部设置在由密封材料包围的区域中，防止该导电膜与外部接触，防止该导电膜形成的布线被腐蚀。

(16)上述无源矩阵方式的电光学装置中，上述布线具有和上述第一电极为同一层的导电膜与比上述第一电极的电阻低的导电膜的层叠膜。

(17)上述无源矩阵方式的电光学装置中，上述导电膜由ITO形成，上述低电阻的导电膜由银元素、铝元素或包含铝或银的合金形成。这里，作为包含银的合金，考虑例如含银(Ag)98％、铂(Pt)1％、铜(Cu)1％的合金。

(18)上述无源矩阵方式的电光学装置中，在上述第一基板上安装驱动用IC，该驱动用IC经上述布线驱动上述第二电极。

(19)上述无源矩阵方式的电光学装置中，希望上述布线中位于上述密封材料的外侧区域的部分中不包含上述导电膜。这样，由于确实防止导电膜和外部的连接，可更进一步确实防止该导电膜的腐蚀，即布线的腐蚀。

(20)接着，本发明的电光学装置具有形成TFD元件的第一基板，该TFD元件与排列成点阵状的像素电极和各像素电极导通；形成与上述像素电极相对的条状第二电极的第二基板；接合上述第一基板和上述第二基板使得各个电极形成面相对的密封材料；封入上述第一基板、上述第二基板和上述密封材料包围的区域中的液晶；形成在上述第一基板上并经导通部件和上述第二基板上的第二电极导通的布线，上述TFD元件具有第一金属膜/绝缘膜/第二金属膜的层叠结构，上述布线具有比上述像素电极低的电阻的导电膜，该导电膜的一部分或全部设置在由上述密封材料包围的区域中。

这里所述的电光学装置是将液晶用作电光学物质的液晶装置，另外，是在将TFD(薄膜二极管)用作开关元件的结构的有源矩阵方式的液晶装置。

根据该结构的液晶装置，由比像素电极电阻低的导电膜形成布线，因此降低布线电阻，可很高地维持显示质量。根据该电光学装置，通过将导电膜的一部分或全部设置在由密封材料包围的区域中，防止该导电膜与外部接触，从而防止该导电膜形成的布线被腐蚀。

(21)上述有源矩阵方式的电光学装置中，上述布线具有和上述第一电极为同一层的导电膜与比上述第一电极的电阻低的导电膜的层叠膜。

(22)上述有源矩阵方式的电光学装置中，上述导电膜由与构成上述TFD元件的上述第二电极相同的层形成。

(23)上述有源矩阵方式的电光学装置中，在上述第一基板上安装驱动用IC，该驱动用IC经上述布线驱动上述第二电极。

(24)上述有源矩阵方式的电光学装置中，上述布线中位于上述密封材料的外侧区域的部分中不包含上述导电膜。这样，确实防止导电膜与外部的接触。

(25)上述有源矩阵方式的电光学装置中，和上述第一电极为同一层的导电膜由ITO形成，上述导电膜由Cr形成。

(26)接着，本发明的电子设备，其特征在于具有以上所述的结构的电光学装置。根据该结构，通过配备通过边缘狭窄化而小型化的电光学装置，不管装置整体是否小型化，都实现显示区域扩大、便于携带的电子设备。

附图的简要说明

图1是本发明的电光学装置的一个实施例，是局部断开并表示在作为电光学装置的一例的液晶装置中采用本发明时的实施例的平面图；

图2是扩大表示图1的液晶装置的显示点部分的平面图；

图3是表示沿着图2的A-A线的液晶装置的截面结构的一部分的截面图；

图4是扩大表示图1的液晶装置中的箭头D所示的上下导通部的平面图；

图5是沿着图4的B-B线表示上下导通部的截面结构的截面图；

图6是本发明的电光学装置的另一个实施例，是表示在作为电光学装置的一例的液晶装置中采用本发明时的实施例的主要部分的平面图；

图7是沿着图6的C-C线表示上下导通部的截面结构的截面图；

图8是表示形成图7所示上下导通结构的方法的一例的截面图；

图9是本发明的电光学装置的又一个实施例，是表示在作为电光学装置的一例的液晶装置中采用本发明时的又一实施例的平面图；

图10是表示本发明的电子设备的一实施例的透视图；

图11是表示本发明的电子设备的另一实施例的透视图；

图12是表示本发明的电子设备的又一实施例的透视图；

图13是表示已有液晶装置的一例的平面图；

图14是表示已有液晶装置的另一例的平面图；

图15是本发明的电光学装置的再一个实施例，是表示在作为电光学装置的一例的液晶装置中采用本发明时的再一实施例的平面图；

图16是表示图15所示的液晶装置使用的基板的平面图；

图17是表示图15所示的液晶装置的上下导通部的截面图；

图18是本发明的电光学装置的另一个实施例，是表示在作为电光学装置的一例的液晶装置中采用本发明时的另一实施例的主要部分的截面图；

图19是本发明的电光学装置的又一个实施例，是局部断开并表示在作为电光学装置的一例的液晶装置中采用本发明时的又一实施例的平面图；

图20是沿着图1的II-II线表示液晶装置的显示区域的截面结构的截面图；

图21是沿着图1的III-III线表示液晶装置的上下导通部的截面结构的截面图；

图22是扩大表示图1中箭头IV表示的布线部分的平面图；

图23是本发明的电光学装置的再一个实施例，是局部断开并表示在作为电光学装置的一例的液晶装置中采用本发明时的再一实施例的平面图；

图24是沿着图5的VI-VI线表示液晶装置的显示区域的截面结构的截面图；

图25是扩大表示图23和图24的箭头VII所示的开关元件部分的透视图；

图26是沿着图23的VIII-VIII线表示液晶装置的上下导通部的截面结构的截面图；

图27是扩大表示图23中箭头IX所示的布线部分的平面图；

图28是本发明的电光学装置的再一个实施例，是局部断开并表示在作为该电光学装置的一例的EL器件中采用本发明时的再一实施例的平面图；

图29是扩大表示沿着图28中Y-Y’线的EL器件的截面结构的截面图；

图30是扩大表示图28中箭头D所示的显示点部分的平面图；

图31是与图30的结构对应的等效电路图；

图32是表示沿着图30的M-M’线的TFT的截面结构的截面图。

发明具体实施方式

(电光学装置的第一实施例)

下面说明将本发明用于无源矩阵方式、半透射反射型进行彩色显示的液晶装置中的实施例。图1表示作为本发明的电光学装置的一实施例的液晶装置的平面结构。图2扩大表示图1的液晶装置的像素部分。图3表示沿着图2的A-A线的液晶装置的截面结构。图4扩大表示图1中箭头D所示的上下导通部。图5表示沿着图4的B-B线的密封部分的截面结构。下面所有附图中，为容易区分表示液晶装置的结构，各构成要素的膜厚和尺寸的比例可适当不同。

图1中，液晶装置1具有平面看去为长方形状的下基板2、在相同的平面看去为长方形状的上基板3。这些基板2，3由矩形环状的密封材料4贴合并彼此相对配置。密封材料4在各基板2，3的图的上侧的一边上开口，成为液晶注入口5，通过该液晶注入口5将液晶注入两个基板2，3和密封材料4包围的空间内。液晶注入结束后，液晶注入口5由封闭部件6封闭。

密封材料4整体形成为连续环状，但沿着其右边和左边(即相对的2个长边)的部分用作导通密封材料4a，沿着其上边和下边(即，相对的2个短边)的部分用作非导通密封材料4b。导通密封材料4a中混入导电粒子30等的上下导通部件，实现封装液晶的功能，同时用作上下导通部。另一方面，非导通密封材料4b中不包含导电粒子30，从而非导电密封材料4b专门实现液晶封装的功能。

下基板2比上基板3的外形尺寸大。具体说，上基板3和下基板2的上边、右边、左边的3边上这些基板的边缘，即基板的端面对齐，但图1的下边中，下基板2的周围边缘部伸出到上基板3的外侧，形成伸出区域9。

下基板2的下边侧的端部上作为电子部件安装驱动用半导体元件7，通过该半导体元件7的移动，驱动下基板2和上基板3二者上形成的电极。在密封材料4的内侧上设置矩形环状遮光层8。比该遮光层8内侧的区域为用于实际的图像显示的显示区域。

图1中，下基板2的液晶侧的表面上横向平行排列在图中的纵向上延伸的多个分段电极10，整体形成条状。另一方面，上基板3的液晶侧的表面上纵向上平行排列在与分段电极10正交的图中的横向延伸的多个公共电极11，整体形成条状。

图1中，分段电极10图示出8根，公共电极11示出10根，但实际上这些电极在各基板上形成多根。

图3中，上基板3的液晶侧表面上设置包含R(红)、G(绿)、B(兰)的各色素层13r，13g，13b的彩色滤光器13。该彩色滤光器13如图2所示，对应各分段电极10的延伸方向(及图2的上下方向)配置。各色素层13r，13g，13b的排列图案在本实施例的情况下设定为纵条形。即，R，G，B的每一个在纵向上设置同色，在横向上顺序循环排列不同的色。图2所示的横向上排列的R，G，B的3个显示点构成画面上的1个像素。

图3中，分段电极10具有按W2宽度形成的APC膜18和覆盖其的按W1的宽度形成的透明导电膜19构成的层叠结构。APC膜18是由按规定比例包含银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)的合金形成的膜。透明导电膜19例如由ITO(氧化铟锡)形成。

APC膜18中按每个显示点形成2个透光用的窗部12，这些窗部12用作透光区域。这些窗部12如图2所示配置成多岛状。这里所说的“显示点”是图2中平面看分段电极10和公共电极11重叠的区域。

如图1所示，各公共电极11两端与导通密封材料4a接触，延伸到导通密封材料4a的外侧。多个公共电极11中对于图1的上侧一半(图1中为5根)公共电极11，这些公共电极11的右端经混入导通密封材料4a的导电粒子30电连接于下基板2上的公共电极迂回布线14。

并且，这些迂回布线14伸出导通密封材料4a向基板中央部，即密封材料4包围的区域内延伸后，弯曲沿着下基板2的右边纵向延伸，横过图下侧的非导通密封材料4b延伸向伸出区域9，连接于驱动用半导体元件7的输出端子。

同样，对于图1的上侧一半(图1中为5根)公共电极11，这些公共电极11的左端经混入导通密封材料4a的导电粒子30电连接于下基板2上的公共电极迂回布线14。

并且，这些迂回布线14伸出导通密封材料4a向基板中央部，即密封材料4包围的区域内延伸后，弯曲沿着下基板2的左边纵向延伸，横过图下侧的非导通密封材料4b延伸向伸出区域9，连接于驱动用半导体元件7的输出端子。

全部的迂回布线14是比导通密封材料4a靠内侧的区域，并且配置在比遮光层8的内缘靠外侧的范围内。即，迂回布线14形成为延伸过导通密封材料4a的宽度内、导通密封材料4a和遮光层8之间的区域以及遮光层8的宽度内，通过在短边侧配置的非导通密封材料4b在伸出区域9取出，连接于在该伸出区域9中安装的驱动用半导体元件7的输出端子。

另一方面，对于分段电极10，从分段电极10的下端向非导通密封材料4b引出分段电极用迂回布线15，仍连接于驱动用半导体元件7的输出端子。如上所述，多个迂回布线14，15横过各基板2，3的下边侧的非导通密封材料4b，但由于非导通密封材料4b不具有导电性，即便迂回布线14，15以狭窄间距配置，也不用担心这些迂回布线14，15在非导通密封材料4b中短路。

本实施例的情况下，这些迂回布线14，15也与分段电极10同样，如图3所示，由APC膜18和ITO膜19的层叠膜构成。图1中，下基板2的伸出区域9的边侧上形成作为输入用布线的外部输入端子16，驱动用半导体元件7的输入端子与这些外部输入端子16的一端来连接。外部输入端子16的另一端连接未示出的布线基板，通过该布线基板向半导体元件7提供各种信号。

查看显示点部分，即像素部分的截面结构，如图3所示，APC膜18上层叠ITO膜19的2层结构的分段电极10形成在玻璃、塑料等透明基板构成的下基板2上。这些分段电极10在纸面垂直方向上延伸，从箭头U方向看去，形成条状。

分段电极10上形成聚亚酰胺等构成的配向膜20。并且，该配向膜20的表面上实施配向处理，例如摩擦处理。ITO膜19步进层叠在APC膜18的上面上，也覆盖在APC膜的侧面上形成。即，ITO膜19的宽度W1设定得比APC膜18的宽度W2大。

另一方面，玻璃、塑料等透明基板构成的上基板3的表面上形成R，G，B各色素层13r，13g，13b构成的彩色滤光器13。并且，这些彩色滤光器13上平坦化各色素层13r，13g，13b之间的台阶的同时形成保护各色素层13r，13g，13b的表面的敷层膜21。该敷层膜21是丙烯基、聚亚酰胺等树脂膜，也可以是氧化硅膜等的无机膜。

敷层膜21上形成ITO单层膜构成的多个公共电极11。这些公共电极11在纸面左右方向延伸，从箭头U方向看去形成为条状。这些公共电极11上形成聚亚酰胺等构成的配向膜22，在该配向膜22的表面上实施配向处理，如摩擦处理。上基板3和下基板2之间夹持STN()液晶等构成的液晶23。下基板2的下面侧上配置照明装置29，作为背照光。

上基板3上形成黑条25，该黑条25由例如树脂黑和反射率比较低的铬等金属等构成，设计来区分R，G，B各色素层13r，13g，13b。黑条25的宽度W比彼此相邻的一对显示点内的ITO膜19之间的间隔P1，即分段电极间的间隔大，与APC膜18之间的间隔P2大致相等。

图2中看去，表示分段电极10的轮廓的外侧的线表示ITO膜19的边缘，其内侧的线表示APC膜18的边缘，但表示黑条25的轮廓的线与表示APC膜18的边缘的线重合。即，各色素层13r，13g，13b的边界设置的黑条25的宽度W比彼此相邻的分段电极10的ITO膜19之间的间隔P1大，与APC膜18之间的间隔P2大致相等来形成。

图4中，上侧3根公共电极11的右端通过导通密封材料4a内的导电粒子30电连接于迂回布线14。另一方面，下侧的2根公共电极11参考图1容易理解，其左端电连接于迂回布线14。沿着图4的B-B线的截面图的图5中，在上基板3上形成的公共电极11的端部伸出到导通密封材料4a的外侧。另一方面，下基板2的迂回布线14的端部位于导通密封材料4a中。导通密封材料4a中混入例如直径10微米的导电粒子30，这些导电粒子30与上基板3的公共电极11和下基板2的迂回布线14接触，电连接这些公共电极11和迂回布线14。

迂回布线14与分段电极10同样，是APC膜18上层叠ITO膜19的2层结构，APC膜18的侧面也用ITO膜19覆盖。对于迂回布线14和左端连接的公共电极11，即图4的下侧的2根公共电极11，对应这些公共电极11的右端在导通密封材料4a中形成伪图案31。这些伪图案31也与迂回布线14同样为APC膜18上层叠ITO膜19的2层结构。

对于迂回布线14和右端连接的公共电极11(图4的上侧的3根公共电极11)，在和这些公共电极11的左较称作的部分的导通密封材料4的形成区域中形成伪图案31。图4中，实际上构成迂回布线14和伪图案31的APC膜周围应看到ITO膜的轮廓，但为观看图面容易，省略了对它们的图示。

本实施例的液晶装置是半他部反射型的液晶装置，进行透射显示时，图3中，来自在下基板2的背面侧上配置的照明装置29的光通过形成在APC膜18上的窗部12提供给液晶23的层。另一方面，进行反射显示时，从上基板3侧取入太阳光、室内光等外部光，通过液晶23的层后在下基板2上的APC膜18反射，再次提供给液晶23的层。

透射显示或反射显示时，如上所述那样将光提供给液晶23的层期间，在显示区域V内，通过扫描信号和数据信号选择适当的显示点，向构成该显示点的液晶施加超出阈值的电压，由此，控制液晶的配向。这样在每个显示点控制液晶的配向时，通过液晶的光在按每个显示点调制，或不调制的状态下提供给偏光板。偏光板根据是否调制光来选择通过的光，由此，向外部现实文字、数字、图形等的像。

本实施例的液晶装置中，如图1所示，作为电连接公共电极11和迂回布线14的上下导通部的导通密封材料4设置在基板2，3的周边部，在下基板2上形成的多个迂回布线14经比密封材料4靠基板中央，即在比导通位置靠内侧处迂回，从而与迂回布线14配置在密封材料4的外侧的已有液晶装置相比，使边缘区域狭窄化。

结果，存在于密封材料4的外侧的基板2，3的边缘部分不需要密封材料4印刷时的裕量，即必要尺寸，可仅剩余例如0.3微米左右，几乎不需要空间。迂回布线14的材料使用电阻率小的APC，因此实现迂回布线14的狭窄间距化，更进一步减小边缘区域。

本实施例的情况下，使用导通密封材料4a用下基板2上的1个驱动用半导体元件7承担分段电极10的驱动和公共电极11的驱动。由此，使边缘区域整体狭窄化，从而可形成适用于小型便携电子设备等的液晶装置。

如图1所示，除设驱动用半导体元件7为1个并配置在下基板2的下端侧外，将多个迂回布线14分两半左右分配来配置，使得如图1所示，边缘形状左右对称，得到将该液晶装置组装到电子设备中时，液晶显示部位于设备中央，且电子设备内的壳体的边缘区域可小型化的优点。

密封材料4本身作为上下导通部，因此作为上下导通部可确保宽的面积，从而，可加宽迂回布线14的间距。因此，不产生迂回布线14的短路、电阻增大等问题。

本实施例的液晶装置1是进行彩色显示，因此，由于R，G，B的3个显示点中形成1个像素的关系，1个显示点如图2所示是纵长的。即，与分段电极10相比，公共电极11宽度大。本实施例的情况下，如图4所示，通过上下导通公共电极11的结构加宽接合位置的面积。例如，导通密封材料4a的宽度为0.5毫米、公共电极11的宽度为200微米(即0.2毫米)时，连接面积大致为1平面毫米。这样，若可加大接触面积，可提高上下导通的可靠性。

如图4和图5所示，由于将迂回布线14配置在密封材料4内侧，迂回布线14不与外部接触，迂回布线14自身具有在使用时容易引起电子迁移的性质，但本实施例中，构成分段电极10和迂回布线14，15的ITO膜19不仅在APC膜18上面，也覆盖其侧面，因此避免了制造工序中的水分附着产生的腐蚀问题和膜表面污染引起的问题。

如图5所示，迂回布线14是APC膜18和ITO膜19的层叠膜。这里迂回布线14的整体膜厚，即APC膜18和ITO膜19的总计膜厚例如是0.3微米左右时，密封材料4中有会别14的场所和没有迂回布线14的场所有0.3微米的台阶。这种台阶原样保留时，单元间隙参差不齐，会显示不良。

关于这一点，本实施例中，如图4所示，不存在迂回布线14的公共电极11的端部配置与迂回布线14相同结构的即，相同层厚的伪图案31。由此，单元间隙与场所无关都为一定，防止显示不良。迂回布线14和伪图案31在同一工序中由同一层形成，因此形成伪图案31中仅添加掩膜图案的图案，制造工序不变复杂。

如图3所示，在上基板3上形成的黑条25设置成完全覆盖彼此相邻的分段电极10内的APC膜18之间的间隙P2，因此没有漏光，防止了混色。此外，使用反射率优良的APC膜18可提高反射型显示时的显示的明亮度，同时提高透射型显示时的色的色度，结果在反射型或透射型之一的显示时，都可鲜明地显示彩色的各色。

本实施例中，如图1所示，密封材料4由导通密封材料4a和非导通密封材料4b构成，但密封材料4可仅由导通密封材料4a构成。

本实施例中，将驱动用半导体远见7安装在伸出区域9上，但可替代的是，将驱动用半导体远见7不装载在伸出区域9上，而配置在液晶装置1的外部。此时，FPC(柔性印刷电路)等的布线基板连接于外部输入端子16，将放置在外部的半导体元件7的输出信号通过该FPC传输到迂回布线14和迂回布线15。

另外，本实施例中，表示出无源矩阵方式的半透射反射型彩色液晶装置的例子，但也可将本发明适用于具有TFD等2端子型开关元件或TFT等的3端子型开关元件的有源矩阵方式的半透射反射型彩色液晶装置。

(电光学装置的第二实施例)

图6和图7是本发明的电光学装置的其他实施例，表示将本发明适用于作为本发明的电光学装置的一实施例的液晶装置的情况的实施例的主要部分。该实施例中，液晶装置的整体结构与图1所示的前面的实施例相同，省略详细说明。本实施例与图4和图5所示的前面实施例的不同之处仅在于与上下导通部有关的结构，使用图6和图7说明该部分。图6和图7中与图4和图5中相同的结构要素附加相同的符号。

图4所示实施例中，将矩形环状密封材料4中沿着各基板2，3的右边和左边的部分构成导通密封材料4a，沿着各基板2，3的上边和下边的部分构成非导通密封材料4b。图6所示的本实施例中，沿着各基板2，3的上边和下边，即沿着相对的2个短边的部分是非导通密封材料4b，与图4等示出的前面实施例相比，没有改变。但是，本实施例中，沿着各基板2，3的右边和左边，即沿着相对的2个长边的部分为导通密封材料4a和非导通密封材料4b构成的双重结构。

即，如图6所示，密封材料4具有在宽度方向，即图6的左右方向上相邻配置的导通密封材料4a和非导通密封材料4b构成的双重结构。导通密封材料4a设置在基板周边部上，非导通密封材料4b设置在基板中央部，即液晶侧上。导通密封材料4a内部混入导电粒子30等的导电材料，由此，导通密封材料4a和液晶封装一起用作上下导通部。

非导通密封材料4b内部不混入导电材料，替代的是混入确保单元间隙的间隙材料32。由此，从而非导电密封材料4b专门承担液晶封装的功能。并且，非导通密封材料4b的形成区域内配置迂回布线14。迂回布线14的结构、设计伪图案31等与实施例4的情况相同。

液晶封装中必要的密封材料4的宽度决定为某大小，目前将其设定为例如0.5毫米。按图4所示实施例来说，则该图中导通密封材料4a的宽度S为0.5毫米。图4的实施例中，密封材料4整体构成导通密封材料4a，因此得到上下导通面积增大的优点，间距宽的公共电极11之间也不短路。

但是，迂回布线14间间距窄、将迂回布线14配置在导通密封材料4a的形成区域内时，迂回布线14之间恐怕会短路。因此，迂回布线14必须配置得比导通密封材料4a靠内侧。具体说，基板2，3的边缘，即从端面到导通密封材料4a的尺寸E为例如0.3毫米时，不将迂回布线14配置在作为基板边缘的尺寸E和导通密封材料4的宽度S的总计的0.8毫米的范围内，必须将迂回布线14配置在比其靠基板中央。因此，图4的实施例中，边缘狭窄化受到制约。

与此相对，图6所示的本实施例的情况下，导通密封材料4a和非导通密封材料4b一起用于封装液晶，因此液晶封装需要的密封材料宽度0.5毫米可按这2种密封材料相加。确保上下导通的可靠性，并且如图6所示，将例如导通密封材料4a的宽度S1设为0.2毫米，将非导通密封材料4b的宽度S2设为0.3毫米。

该情况下，密封材料4的整体宽度S是0.5毫米，因此与图4所示的实施例的情况相同，确实封装液晶。这里，与图4的实施例不同的是由于非导通密封材料4b不具有导电性，因此若避开导通密封材料4a的形成区域，则可在非导通密封材料4b的形成区域内配置迂回布线14。

具体说，图6中，基板2，3的边缘到导通密封材料4a的尺寸E为0.3毫米时，作为从基板边缘开始的尺寸E和导通密封材料4a的宽度S1的总计的0.5毫米的范围内不配置迂回布线14，但可将迂回布线14配置在比其更靠基板中央处。即，与图4的实施例相比，单面侧实现0.3毫米、从而两面侧实现0.6毫米的狭窄边缘。这样，通过采用本实施例的双重结构的密封材料4实现比图4的实施例更狭窄的边缘。

形成双重结构的密封材料4是，导通密封材料4a和非导通密封材料4b之间进入气泡时，液晶封装的可靠性降低。为不让气泡进入而形成双重结构的密封材料4，则采用例如图8所示的方法。即，上基板3上印刷成为导通密封材料4a的树脂材料，连接两个密封材料4a和4b来贴合两基板2和3。

贴合基板2，3时，如图8所示，希望导通密封材料4a的内周尺寸X的部分和非导通密封材料4b的外周尺寸X的部分彼此重合，即尺寸上重叠。这样，在环状的整个周边上无间隙地密合导通密封材料4a的内周和的导通密封材料4b的外周，几乎完全防止气泡产生。

(电光学装置的第三实施例)

图9是本发明的电光学装置的其他实施例，表示将本发明适用于作为本发明的电光学装置的一实施例的液晶装置的情况的实施例。这里所示液晶装置41的基本结构与图1所示的前面的实施例相同，省略详细说明。图9所示的液晶装置41与图1所示的液晶装置1的不同之处主要在于迂回布线的分配方法，使用图9说明该部分。

图1所示的液晶装置1中，对于多个公共电极11中上半部分的公共电极11，从这些公共电极11的右端迂回迂回布线14，另一方面，对于下半部分的公共电极11，从这些公共电极11的左端迂回迂回布线14。与此相对，图9所示的液晶装置41中，最上面位置的公共电极11从右端迂回迂回布线14，从上面开始的第二公共电极11从左端迂回迂回布线14，迂回布线141根1根地按右、左、右、左交替分配。其他结构与图1的实施例相同。

本实施例的液晶装置41中，与图1所示的液晶装置1的情况同样，可减小边缘区域，平面形状为左右对称，提高上下导通的可靠性，另外，还得到迂回布线的可靠性提高等效果。

此外，本实施例的液晶装置41中，尤其在有源矩阵方式的驱动中，通过对每1根左右分配，相邻的上下布线的迂回电阻没有差别，因此得到难以观察到边界的显示质量不同的特别的效果。

另外，按每一线上施加给公共电极11的驱动电压按正极性、负极性、正极性、...反转驱动时，左右汇总起来迂回的迂回布线14极性相同，因此得到耐腐蚀的特别的效果。

(电子设备的实施例)

图10是表示本发明的电子设备的一实施例，将本发明适用于作为电子设备的一例的便携电话中时的实施例。这里所示的便携电话1000具有主体1001，使用液晶装置的液晶显示部1002设置在该主体1001上。

图11是表示本发明的电子设备的另一实施例，将本发明适用于作为电子设备的一例的手表类型的电子设备中时的实施例。这里所示的手表类型的电子设备1100具有表主体1101，使用液晶装置的液晶显示部1102设置在该主体1101上。

图12是表示本发明的电子设备的又一实施例，将本发明适用于作为电子设备的一例的便携信息处理装置，如字处理器、个人计算机等中时的实施例。这里所示的便携信息处理装置1200通过在装置主体1201上设置键盘等的输入部1202、液晶显示部1206来形成。该液晶显示部1206使用本发明的液晶装置构成。

图10，图11，图12所示的电子设备具有使用本发明的液晶装置的液晶显示部，因此通过备有通过边缘狭窄化得到的小型液晶装置，装置整体小型化，便于携带，尽管如此，显示区域却很宽。

本发明的技术范围不限于上述记载的实施例，在不背离本发明的宗旨的范围内可进行各种变更。例如，上述实施例中，设置在基板左右的密封材料用作导通密封材料，因此简化上下导通和液晶封装用的结构，适合于边缘狭窄化，但若不追求这种效果，可采用在与密封材料不同的密封材料外侧配置各向异性导电膜和其他导电部件，从那里向内侧配置迂回布线的结构。

上下导通部的位置、数目、迂回布线对各上下导通部的分配方面可对上述实施例作适当变更。图1中，在形成分段电极10的基盘2上安装驱动用半导体元件7，但替代其，可以是在形成公共电极11的基板3上安装驱动用半导体元件7，通过上下导通部件30将分段电极10侧连接于迂回布线14的结构。

作为分段电极和迂回布线的材料，不限于APC膜，可使用银钯合金(AP)膜、其他银合金膜。上述实施例中，将本发明适用于无源矩阵方式的半透射反射型彩色液晶装置，但也适用于将TFD等用于开关元件的有源矩阵方式的液晶装置中。此时，将与元件基板相对配置且具有条状电极的相对基板考虑为图1中的上基板，则可采用与图1的实施例相同的结构。此外，不管是黑白液晶装置、反射型液晶装置、透射型液晶装置，都可适用本发明。

(电光学装置的第四实施例)

图15是本发明的电光学装置的其他实施例，表示将本发明适用于作为本发明的电光学装置的一实施例的液晶装置的情况的另一实施例。图15所示液晶装置51与图1所示的液晶装置1的不同之处主要在于在基板2，3的周边宽阔区域中设置遮光膜，其他结构与图1的液晶装置1相同。因此，图15中与图1相同的构成要素附加相同的符号，其说明从略。

图15中，基板2，3的周边部分设置遮光层58。该遮光层58如图16所示，在从上基板3的液晶侧表面的外周端面向内侧的宽阔范围内形成。即，遮光层58在从其内周缘58a开始跨过基板的外周端面的整个区域中形成。该遮光层58也设置在下基板2上。

如图15所示，遮光层58的内周缘58a包围通过分段电极10和公共电极11交叉构成的显示点组，显示点组形成的区域是用于图像显示的显示区域V，因此遮光层58的内周缘58a包围显示区域V。

遮光层58例如用与图3的黑条25相同的工序相同的材料形成。即，遮光层58用树脂黑和反射率低的铬等金属形成。

图13所示的已有液晶装置150中，迂回布线140绕过公共电极111的外侧在基板周缘部上延伸，由于迂回布线140和公共电极111平面不重叠，即空间不交叉，不需要考虑迂回布线140位置产生点亮。

但是，图15所示的本实施例的情况下，如图4所示，迂回布线14配置在导通密封材料4a内侧，因此下基板2上形成的迂回布线14和上基板3上形成的公共电极11平面重叠。迂回布线14和公共电极11平面重叠的位置在密封材料4包围的区域内，即是比导通密封材料4a内侧的区域，这里存在液晶。因此将液晶夹在其间来使迂回布线14和公共电极11相对。

这样的结构的液晶装置中提供扫描信号和数据信号来驱动液晶时，图4中，通过迂回布线14从上面开始依次一根一根地向公共电极11提供扫描信号时，例如向最上级的公共电极11施加扫描信号时，未向第二级公共电极11施加扫描信号，但连接于最上级的公共电极11的迂回布线14和第二级的公共电极11交叉的位置，即图4中符号F所示的位置的液晶上施加电压，因此驱动该部分的液晶，产生本来不应点亮的边缘区域却点亮了这样的不恰当情况，即所谓的交叉线(cross line)点亮。

关于这一点，本实施例中，如图15和17所示，在下基板3上设置遮光层58来覆盖在下基板2上形成的所有迂回布线14的形成区域，从而如上所述，显示区域V以外的区域中即便是交叉线点亮，由于该光被遮光层58遮挡，防止了射出到外部。由此，可遮隐显示中不需要的基板周围的点亮。

本实施例中，对应交叉线点亮部以外的迂回布线的形成部和密封材料的形成部的区域中也用遮光层58覆盖。这样，迂回布线14的形成引起而产生的单元厚度不均，即单元间隙不均，即液晶层的厚度不均可消除。因此，可消除认为是单元厚度不均产生的显示不匀、不需要的着色这样的密封材料4包围的区域内产生的显示不恰当。

另外，如本实施例那样，基板周围的宽阔区域用遮光层58覆盖，则显示区域V外侧的APC膜18的反射光泄漏、来自背面的照明装置29的光泄漏、基板周边的边缘区域看到白光等可同时通过遮光膜58防止。如上所述，通过在基板周边中设置跨过宽阔范围的遮光层58，可提高液晶装置的显示可视性。

(电光学装置的第五实施例)

图18本发明的电光学装置的其他实施例，表示将本发明适用于作为本发明的电光学装置的一实施例的液晶装置的情况的另一实施例。图7所示的前面实施例中，密封材料4是导通密封材料4a和非导通密封布件4b构成的双重结构。图15所示的前面实施例中，基板2，3的周边的宽阔区域中设置遮光层58。图18所示的本实施例中是对图7所示的具有双重结构的密封材料4的液晶装置设置图15所示的宽阔范围的遮光层58的结构。

图7所示实施例的情况下，由于在非导通密封布件4b的形成区域中配置迂回布线14，即便限于非导通密封布件4b的形成区域内公共电极11与迂回布线14空间交叉，也不会产生交叉线点亮的问题。但是，由于密封材料4的形成宽度的控制、密封材料4的形成位置的控制以及上基板3和下基板2的组装精度，即密封材料4的贴合精度等问题，在比密封材料4的形成区域内侧的，即液晶侧中也配置迂回布线14。

全部的迂回布线14收容在非导通密封布件4b的形成区域内没有问题，但即便一部分坏别14位于比非导通密封布件4b的形成区域内侧的中的情况下，仍有交叉线点亮的问题产生。因此，对于图7所示的使用双重结构的密封材料的结构的液晶装置，如图18所示，希望在从基板2，3的外周端面到基板的内侧方向的宽阔范围内设置遮光层58。这样，设置遮光层58可确实遮挡交叉线点亮产生的光，提高显示的可视性。

(电光学装置的第六实施例)

下面以将本发明按简单矩阵方式适用于COG(玻璃上芯片：chip onglass)方式的液晶装置中的情况为例来说明。图19表示该液晶装置的一实施例，即电光学装置的一实施例。这里所示的液晶装置201通过环状密封材料203彼此贴合在图面纵深侧配置的第一基板202a和在图面前侧配置的第二基板202b，即使之贴合构成的。

密封材料203、第一基板202a和第二基板202b包围的区域高度构成一定间隙，即单元间隙。另外，密封材料203的一部分形成液晶注入口203a。上述单元间隙内通过上述液晶注入口203a注入液晶L，注入结束后，由树脂等封装液晶注入口203a。

第一基板202a具有伸出向第二基板202b外侧的伸出区域202c，该伸出区域202c上通过导电接合部件，如ACF(各向异性导电膜)206安装驱动用IC204。如作为沿着图19的II-II线的截面图的图20所示，在第一基板202a里侧(图20所示的结构下侧)设置具有发光源207和光导体208的照明装置209，作为背照光。

图20中，第一基板202a具有基体209a，该基体209a内侧表面，即液晶L侧的表面上形成半透射反射膜211，半透射反射膜211上形成彩色滤光器212，彩色滤光器212上再形成平坦化膜213，平坦化膜213上形成第一电极214a，第一电极214a上形成配向膜216a。基体209a的外侧表面上形成相位差板217a，其上再形成偏光板218a。

如图19所示，第一电极214a通过将多个直线状电极彼此平行排列来形成条状。图中，为容易表示电极图案，扩大第一电极214a的间隔来模式表示，但实际上，第一电极214a的间隔形成得非常狭窄。

图20中，第二基板202b具有基体209b，该基体209b内侧表面，即液晶L侧的表面上形成第二电极214b，第二电极214b上形成配向膜216b。基体209b的外侧表面上形成相位差板217b，其上再形成偏光板218b。

如图19所示，第二电极214b通过将多个直线状电极按与第一电极214a正交的方向彼此平行排列来形成条状。图中，为容易表示电极图案，扩大第二电极214b的间隔来模式表示，但实际上，第二电极214b的间隔形成得非常狭窄。

图19中，第一电极214a和第二电极214b交叉的点排列为点阵状，这些交叉点的每一个分别构成一个显示点，图20的彩色滤光器212的每一个的色图案与一个显示点对应。彩色滤光器212例如是R，G，B的3原色构成1个单元来构成一个像素。即，3个显示点为1个单元来构成一个像素。

基体209a和基体209b例如由玻璃、塑料等形成。半透射反射膜211由光反射性材料，如Al(铝)形成。但是，光反射性材料为实现半透射反射的功能，其厚度按可透光的程序形成，或者在半透射反射膜211的适当位置处按适当面积比例形成使光通过的开口(未示出)。

彩色滤光器212通过使用公知的色素形成方法，例如喷墨法、颜料分散法等将颜料涂布为马赛克排列、条状排列、三角排列等适当图案来形成。平坦化膜213通过将适当的透光性树脂材料通过例如旋涂法、辊涂法等均匀涂布来形成。

电极214a和214b通过公知的成膜法，例如溅射法、真空蒸镀法将ITO(氧化铟锡)成膜，通过光刻法形成希望的形状。配向膜216a和216b在例如涂布聚亚酰胺溶液后通过烧制方法、偏移印刷法等形成。

图19中，第一基板202a的伸出区域202c上形成从第一电极214a原样延伸的布线219a和经分散在密封材料203中的导电部件221(参考图2)连接于第一基板202b上的第二电极214b的布线219b。这些布线和端子经ACF206内的导电粒子电连接于驱动用IC204的凸块(未示出)。

图20中，为容易表示液晶装置201的整体结构，将导通部件221模式化表示为截面椭圆形状，但实际上，导通部件221可按球状或圆筒状形成，其大小相对密封材料203的线宽度非常小。因此，多个导通部件221存在于密封材料203的线宽度方向上。

本实施例的液晶装置201如上构成，因此可选择地实施反射型显示和透射型现实的2种显示方法。在反射型显示中，如图20中的箭头R1所示，从第二基板202b侧的外部取得的光通过半透射反射膜211反射并提供给液晶L的层。这种状态下，施加在液晶L上的电压按显示点控制来按显示点控制液晶的配向，从而按显示点调制向液晶L的层提供的光，将该调制的光提供给偏光板218b。借此，向第二基板202b的外侧显示文字等的像。

另一方面，由液晶装置201进行透射型显示时，照明装置209的发光源207发光。来自发光源207的光R2通过光入射面208a导向光导体208的内部，边平面地很宽地传播过该光导体208的内部边通过光射出面208b射出到外部。由此，面状的光提供给液晶L的层。通过液晶L调制该光来进行显示与反射型显示的情况相同。

图19中，在第一基板202a上设置的并且经导通部件221连接于第二基板202b上的第二电极214b的布线219b在本实施例的情况下，从伸出区域202c上通过密封材料203延伸进入由该密封材料203包围的区域，即封装液晶L的区域中，在这种状态下，通过分散在密封材料203中的导通部件221和第二电极214b导通。

如作为沿着图19的III-III线的截面图的图21和作为图19的箭头IV所示的部分的放大图的图22所示，布线219b由将导电膜220作为第一层、将导电膜223作为第二层的层叠结构形成。导电膜220例如由以Ag为主成分添加了Pd和Cu形成的APC合金形成。导电膜223在对第一电极214a布图时，同时作为同一层形成。结果，导电膜223由与第一电极214a相同的ITO形成。

本实施例的布线219b如上所述，包含比ITO电阻低的APC合金构成，因此布线219b的布线电阻比ITO单体时低。因此，通过布线219b流入的信号中不产生波形钝化，从而在液晶装置201的显示区域可显示显示质量高的像。

但是，虽然APC合金具有上述优良的低电阻特性，但反过来兼有容易腐蚀的缺点。布线219b中产生这种腐蚀时，施加在液晶L上的电压不能进行正常控制，从而不能将显示质量维持得很高。

关于这一情况，本实施例中，AFC合金构成的导电膜220配置在由密封材料203包围的区域，即封装液晶L的区域内，设定为不伸出到密封材料203的外部。结果防止了导电膜220与外部的接触，防止了该膜220中产生腐蚀。

图22中，为容易表示布线219b和密封材料203的关系，布线219b的线宽度相对密封材料203的线宽度按比实际上宽地形式来描述，但实际上，布线219b的线宽度比密封材料203的线宽度窄得多，此时，可将布线219b配置在密封材料203的线宽度区域内。即，布线219b重叠配置在形成密封材料203的区域内。

图21和图22的情况下，导电膜220整体容纳在密封材料203包围的区域内，但替代其，通过将导电膜220在导电膜223的内部区域中通过密封材料203来延伸，则可采用导电膜220的一部分配置在密封材料203包围的区域内，其余部分配置在密封材料203外侧的结构。

(电光学装置的第七实施例)

图23表示本发明适用于将TFD用作开关元件的有源矩阵方式的COG方式的液晶装置中时的实施例。这里所示的液晶装置231通过环状密封材料203彼此贴合在图面前侧配置的第一基板202a和在图面纵深侧配置的第二基板202b，即使之贴合构成的。

密封材料203、第一基板202a和第二基板202b包围的区域构成单元间隙，其单元间隙内封装液晶L的情况与图19的液晶装置201的情况相同。图24表示沿着图23的Vi-VI线的与液晶装置231的显示区域对应的部分的截面结构。如该图24所示，在第二基板202b里侧设置具有发光源207和光导体208的照明装置209，作为背照光。

图23中，第一基板202a具有伸出向第二基板202b外侧的伸出区域202c，该伸出区域202c上通过导电接合部件，如ACF(各向异性导电膜)206安装3个驱动用IC204a.204b，204c。本实施例中，与图19所示的实施例不同使用3个驱动用IC是由于因在第一基板202a侧和第二基板202b侧，换言之，扫描线驱动系统和信号线驱动系统之间使用的电压值不同不能用1个IC芯片实现它们。

图24中，第一基板202a具有基体209a，该基体209a内侧表面，即液晶L侧的表面上形成线布线232、和该线布线232导通的像素电极TFD233、经该TFD233和线布线232导通的像素电极234。像素电极234、像素电极TFD233和线布线232上形成配向膜216a。基体209a的外侧表面上形成相位差板217a，其上再形成偏光板218a。

如图23所示，线布线232彼此平行地隔开间隔来形成条状，像素电极234在这些线布线232只见排列为点阵状，TFD233一方面和线布线232导通，另一方面与像素电极234导通来分别设置在各像素电极234上。

图23和图24中表示出的箭头VII所示的一个TFD附近的结构如图25所示。图25所示的是使用所谓的buck to buck结构的TFD。图25中，线布线232形成为例如TaW(钽钨)形成的第一层232a、例如阳极氧化膜的Ta2O5(氧化钽)形成的第二层232b以及例如Cr形成的第三层232c的3层结构。

TFD233通过直接连接第一TFD部233a和第二TFD部233b构成。第一TFD部233a和第二TFD部233b由TaW构成的第一金属层236、阳极氧化形成的Ta2O5绝缘层237和与线布线232的第三层32c同一层的Cr的第二金属层238的3层层叠结构构成。

从线布线232侧看第一TFD部233a时，构成第二金属层238/绝缘层237/第一金属层236的层叠结构，另一方面，从线布线232侧看第二TFD部233b时，构成第一金属层236/绝缘层237/第二金属层238的层叠结构，这样通过一对TFD部233a和233b反向电串联连接构成buck to buck结构的TFD，使得实现TFD的切换特性稳定化。像素电极234为和第二TFD部233b的第二金属层238导通而由例如ITO形成。

图24中，第二基板202b具有基体209b，该基体209b内侧表面，即液晶L侧的表面上形成半透射反射膜211、在该半透射反射膜211上形成彩色滤光器212、在该彩色滤光器212上形成平坦化膜213，在该平坦化膜213上形成第二电极235，在该第二电极235上形成配向膜216b。基体209b的外侧表面上形成相位差板217b，其上再形成偏光板218b。

如图23所示，第二电极235通过与多个直线状线布线232交叉来彼此平行排列而形成条状。图中，为容易表示电极图案，扩大第二电极235的间隔来模式表示，但实际上，第二电极235的间隔配合像素电极234的点间距形成得非常狭窄。

像素电极234和第二电极235的交叉点排列为点阵状，这些交叉点的每一个分别构成一个显示点，图24的彩色滤光器212的每一个的色图案与一个显示点对应。彩色滤光器212例如是R，G，B的3原色构成1个单元来构成一个像素。即，3个显示点为1个单元来构成一个像素。

基体209a、基体209b、半透射反射膜211、彩色滤光器212以及配向膜216a，216b通过与图19的实施例同样的材料和形成方法形成。像素电极234和第二电极235与图19的实施例的电极214a和214b同样形成。

图23中，第一基板202a的伸出区域202c上形成从线布线232原样延伸的布线219a和经分散在密封材料203中的导电部件221(参考图24)连接于第二基板202b上的第二电极235的布线219b。伸出区域202c的端部上形成端子222。

图24中，为容易表示液晶装置231的整体结构，将导通部件221模式化表示为截面椭圆形状，但实际上，导通部件221可按球状或圆筒状形成，其大小相对密封材料203的线宽度非常小。因此，多个导通部件221存在于密封材料203的线宽度方向上。

本实施例的液晶装置231如上构成，因此可与图19的液晶装置201的情况一样选择地实施反射型显示和透射型现实的2种显示方法。这些显示状态的光行进状况与图19的情况相同，省略详细说明。关于光的调制控制方法，在图19所示的简单矩阵方式中，通过控制第一电极214a和第二电极214b之间施加的电压进行，但图24所示的本实施例中，根据TFD233的切换动作，控制液晶分子的配向来控制通过液晶层的光的调制。

图23中，在第一基板202a上设置的并且经导通部件221连接于第二基板202b上的第二电极235的布线219b在本实施例的情况下，从伸出区域202c上通过密封材料203延伸进入由该密封材料203包围的区域，即封装液晶L的区域中，在这种状态下，通过分散在密封材料203中的导通部件221和第二电极235导通。

如图26和图27所示，布线219b由将TaW作为第一层239、将导电膜220作为第二层、将导电膜223作为第三层的层叠结构形成。导电膜220例如可和同一第一基板202a上的TFD233内的第二金属层238相同的层形成，此时，导电膜220由Cr构成。导电膜223在对第一基板202a上的像素电极234布图时，同时作为同一层形成。结果，导电膜223由与像素电极234相同的ITO形成。

本实施例的布线219b如上所述，包含比ITO电阻低的Cr构成，因此布线219b的布线电阻比ITO单体时低。因此，通过布线219b流入的信号中不产生波形钝化，从而在液晶装置231的显示区域可显示显示质量高的像。

但是，虽然Cr具有上述优良的低电阻特性，但反过来兼有容易腐蚀的缺点。布线219b中产生这种腐蚀时，施加在液晶L上的电压不能进行正常控制，从而不能将显示质量维持得很高。

关于这一情况，本实施例中，Cr构成的导电膜220配置在由密封材料203包围的区域，即封装液晶L的区域内，设定为不伸出到密封材料203的外部。结果防止了导电膜220与外部的接触，防止了该膜220中产生腐蚀。

图27中，为容易表示布线219b和密封材料203的关系，布线219b的线宽度相对密封材料203的线宽度按比实际上宽地形式来描述，但实际上，布线219b的线宽度比密封材料203的线宽度窄得多，此时，可将布线219b配置在密封材料203的线宽度区域内。即，布线219b重叠配置在形成密封材料203的区域内。

图26和图27的情况下，导电膜220整体容纳在密封材料203包围的区域内，但替代其，通过将导电膜220在导电膜223的内部区域中通过密封材料203来延伸，则可采用导电膜220的一部分配置在密封材料203包围的区域内，其余部分配置在密封材料203外侧的结构。

(电光学装置的第八实施例)

图28表示作为电光学装置的一例的有源矩阵方式的EL(电发光)器件310中适用本发明时的实施例。图29表示沿着图28的Y-Y’线的器件310的截面图。

这些图中，基板300上形成多个像素形成的区域，即显示区域V。栅极侧驱动用IC302和源极侧驱动用IC303通过ACF320安装在基板300上。基板300的边上通过ACF320连接FPC321。FPC321的输出端子和驱动用IC302，303的输入端子通过基板300上形成的外部连接端子317连接。

上述各驱动用IC302，303内例如包含移位寄存器、缓冲器、电平移动器、采样电路等。数字驱动时，可包含D/A转换器等的信号变换电路。与各驱动用IC302，303相当的电路在显示区域V内形成半导体元件等时可同时制作到基板300上。此时，除显示区域V和与各驱动用IC302，303相当的电路等电路结构外，可在基板300上直接形成信号分割电路、D/A转换电路、运算放大电路、γ校正电路等逻辑电路。另外，可直接在基板300上形成存储器部、微处理器等。

基板300上通过粘合剂305形成外壳304。该外壳304设置来至少包围显示区域V。该外壳304是具有内侧高度尺寸比显示区域V的高度大的凹部的形状或不具有这种凹部的形状。粘合剂305固定的外壳304与基板300协动在显示区域V的周边形成密封空间。此时，显示区域V内形成的多个EL元件为完全封装在上述密封空间中的状态，从外部完全遮断。

外壳304的材料最好是玻璃、聚合物等绝缘性物质。例如可使用硼硅酸盐玻璃、石英等的非晶玻璃、结晶玻璃、陶瓷玻璃、有机系树脂(例如丙烯基树脂、苯乙烯系树脂、聚碳酰胺树脂、环氧树脂等)、硅树脂等。粘合剂305是绝缘性物质，可使用不锈钢合金等的金属材料。

作为粘合剂305可使用环氧树脂、丙烯酸酯系树脂等粘合剂。热固化树脂、光固化树脂等也可用作粘合剂。但是，需要是有限的氧、不透水的材料。

图29中，外壳304和基板300之间的空隙306中填充氩、氦、氮等惰性气体。不限于气体，可使用惰性液体，如使用以全氟烷为代表的态碳化氟等。空隙306内添加干燥剂是有效的，作为这种干燥剂，考虑例如氧化钯。

如图28所示，显示区域V中将独立的多个显示点50排列为矩阵状。图30表示沿着图28的箭头D彼此相邻的2个显示点50。图31表示这些显示点内的电路结构的等效电路图。

如图30和31所示，各个显示点50具有用作开关元件的切换用TFT401和用作控制流向EL元件的电流量的电流控制用元件的电流控制用TFT402。切换用TFT401的源极连接于源极布线421，其栅极连接于栅极布线411，并且其漏极连接于电流控制用TFT402的栅极。

电流控制用TFT402的源极连接于电流供给线412、其漏极连接于EL元件403。EL元件403是由阴极和阳极夹持包含发光层的EL层的结构的的发光元件。图30中，像素电极446表示为大致方状的阳极，包含发光层的EL层447层叠在该像素电极446上，该电极446上层叠作为各显示点50共用的公共电极的阴极(图30未示出)，通过该层叠结构形成EL元件403。

在图28中，源极布线421向纸面上下方向(即X方向)延伸，在图28的上部进入粘合剂305中，即进入下层，在该粘合剂305中连接，即导通于布线312。布线312把粘合剂305包围的区域，即比导通位置靠内侧的区域向纸面横向延伸(即Y方向)，横过粘合剂305的左边，伸出到外壳304的外部，连接于源极用驱动用IC303的输出端子。

栅极布线411向图28的Y方向延伸，在粘合剂305左边附近连接于布线313。布线313横过粘合剂305的左边伸出到外壳304的外部，连接于栅极用驱动用IC303的输出端子。

电源供给线412向图28的Y方向延伸，在图28的下部进入粘合剂305中，即进入下层，在该粘合剂305中连接，即导通于布线314。布线314把粘合剂305包围的区域，即比导通位置靠内侧的区域向Y方向延伸，横过粘合剂305的左边，伸出到外壳304的外部，经外部连接端子317连接于FPC321的输出端子。

图32是沿着图30的M-M’线驱动EL元件的有源元件部分的截面结构。图32中，基板300上形成作为底层的绝缘膜406。基板300例如由玻璃基板、玻璃陶瓷基板、石英基板、硅基板、陶瓷基板、金属基板、塑料基板或塑料膜等形成。

下层膜406在使用具有包含可移动离子的基板和具有导电性的基板时尤其有效，但作为基板300使用石英基板时，下层膜406可不设置。作为下层膜406可使用包含例如硅(硅)的绝缘膜。希望下层膜406具有使TFT产生的热发散的放热功能。

本实施例中，1个显示点内设置2个TFT，具体说，是用作切换用元件的切换用TFT401和用作控制流向EL元件的电流量的电流控制用元件的电流控制用TFT402。这些TFT在本实施例中哪个都可以形成为n沟道型TFT，二者可都形成为p沟道型TFT。

切换用TFT401具有包含源极区域413、漏极区域414、LDD(光掺杂漏极)区域415a，415b，415c，415d、高浓度杂质区域416和沟道形成区域417a，417b的5种要素的活性层。切换用TFT401具有栅极绝缘膜418、栅极419a，419b、第一层间绝缘膜220、源极布线421和漏极布线422。

如图30所示，栅极419a，419b为通过比该栅极419a，419b电阻低的另外的材料形成的栅极布线411电连接的双栅极结构。当然，不仅双栅极结构，可以是三栅极结构等所谓的多栅极结构，即，可以是包含具有串联连接的2个以上的沟道形成区域的活性层的结构。

活性层由包含结晶结构的半导体膜，即单晶半导体膜和多晶半导体膜、微晶半导体膜膜等形成。栅极419a，419b、源极布线421和漏极布线422可使用所有种类的导电膜。另外，切换用TFT401中，LDD区域415a～415d经栅极绝缘膜418不和栅极419a，419b接触地设置。这样的结构在降低断开电流值方面非常有效。

接着，图32中，电流控制用TFT402具有包含源极区域431，漏极区域432，LDD区域433和沟道形成区域434的4种要素的活性层、栅极绝缘膜418、栅极435、第一层间绝缘膜430、源极布线436和漏极布线437。栅极435为单栅极结构，替代其可以是多栅极结构。

图32中，切换用TFT401的漏极与电流控制用TFT402连接。具体说，电流控制用TFT402的栅极435经栅极布线422和切换用TFT401的漏极区域414电连接。源极布线436连接于电流供给线412。

电流控制用TFT402提供用于使EL元件403发光的电流的同时，控制其供给量来多级显示。因此，即便流过电流，为不产生恶化，需要有针对热载体注入产生的恶化的对策。显示黑色时，使电流控制用TFT402断开，此时，若断开电流值高，则不能现显示干净的黑色，导致对比度降低。因此，希望抑制断开电流。

图32中，第一层间绝缘膜420上形成第一钝化膜441。该第一钝化膜441通过例如含硅的绝缘膜形成。该第一钝化膜441具有保护形成的TFT免受碱金属、水分等破坏的功能。最后TFT上方设置的EL层中包含钠等的碱金属。即，第一钝化膜441具有作为保护层的功能，防止这些碱金属侵入TFT侧。

第一钝化膜441具有放热功能，则可防止EL层的热恶化。图32的结构中，基板300上照射光，因此需要使第一钝化膜441具有透光性。将有机材料用作EL层时，该EL层通过与氧结合恶化，从而希望不使用易于释放出氧的绝缘膜。

第一钝化膜441上覆盖各TFT形成第二层间绝缘膜444。该第二层间绝缘膜444具有平坦化TFT形成的台阶的功能。作为该第二层间绝缘膜444，例如可使用聚亚酰胺、聚酰胺、丙烯基等有机树脂膜。当然，若可充分平坦化，则可使用无机膜。

由于EL层非常薄，在形成它的面上存在台阶时，有时引起发光不良。因此，由第二层间绝缘膜444平坦化TFT产生的台阶对于后面在其上形成的EL层具有正常功能是很重要的。

第二层间绝缘膜444上形成第二钝化膜445。该第二钝化膜445具有防止从EL元件扩散的碱金属透过的功能。该第二钝化膜445由与第一钝化膜441相同的材料构成。第二钝化膜445具有作为释放EL元件产生的热的放热层的功能，通过该放热功能，防止EL元件上蓄存热量。

第二钝化膜445上形成像素电极446。该像素电极446由例如透明导电膜形成，用作EL元件的阳极。该像素电极446在第二钝化膜445、第二层间绝缘膜444和第一层间绝缘膜441上开出接触孔，即开口后，形成来在形成的该接触孔中连接控制电流用TFT402的漏极布线437。

接着，在像素电极446上形成EL层447。该EL层447按单层或多层结构形成，但一般地多为多层结构。该EL层447中，作为和像素电极446直接接触的层有空穴注入层、空穴输送层或发光层。

现在若采用空穴输送层和发光层的双层结构，则空穴输送层例如由聚苯乙烯形成。并且，作为发光层，红色发光层使用花青聚苯乙烯、绿色发光层使用聚苯乙烯，蓝色发光层使用聚苯乙烯或多烷苯。

接着在如上形成的EL层447上形成阴极448，还在阴极448上形成保户电极449。这些阴极448和保户电极449例如通过真空蒸镀法形成。阴极448和保户电极449在未释放大气条件下连续形成，则可抑制EL层447的恶化。像素电极446、EL层447和阴极448形成的发光元件是EL元件403。

作为阴极448，可使用包含功函数小的镁(Mg)、锂(Li)或钙(Ca)的材料。保户电极449设计来保护阴极448免受外部水分等的破坏，例如使用包含铝(Al)、或银(Ag)的材料。该保户电极449也有放热效果。

图32所示结构是使与R，G，B各色对应的1种EL元件403对应于各个显示点50形成的单色发光方式的结构。但是，作为发光方式，除这种单色发光方式外，还有组合白色发光EL元件和彩色滤光器的方式、组合蓝色或蓝绿色发光的EL元件和荧光体的发光方式，或在阴极上使用透明电极而重叠在对应R，G，B的EL元件的方式等各种方式来进行彩色显示。当然，可用单层形成白色发光的EL层进行黑白显示。

保户电极449上形成第三钝化膜450。该第三钝化膜450具有保护EL层447免受水分破坏的功能，同时根据需要与第二钝化膜445同样实现放热功能。将有机材料用作EL层时，该EL层通过与氧结合可能会恶化，从而希望不使用易于释放出氧的绝缘膜来作为第三钝化膜450。

本实施例的EL器件310如上构成，因此图28中，由栅极侧驱动电路302将扫描信号或数据信号之一提供给栅极布线411，由源极侧驱动电路303将扫描信号或数据信号的另一个提供给源极布线421。另一方面，电流供给线412向各显示点50内的电流空只用TFT402提供使EL元件发光的电流。

根据数据信号分别选择显示区域V内排列为矩阵状的多个显示点50中适当的显示点，在该选择期间，切换用TFT401为接通状态，进行数据电压的写入，在非选择期间，通过切换用TFT401为断开状态来保持电压。通过这样的切换和存储动作，选择地使多个显示点50中的适当显示点发光，通过该发光点的聚集，在图28的纸面侧，即图29的箭头Q所示的方向上显示文字、数字、图形等的像。

图28中，源极布线421上通过布线312发送信号。栅极布线411上通过布线314供给信号。电流供给线412上通过布线314供给电流。本实施例中，从外部将EL器件310的内部遮蔽为密闭状态的外壳340中与将布线312，113，114向外部引出的位置相当的边附近设置布线边界。

上述布线312，113，114例如与图21的布线219b同样，可在布线边界10b的内侧和外侧使层结构不同。具体说，从布线边界10b看去，存在于显示区域V侧(即图28的右侧)的部分将其截面结构设为与第一金属膜220和第二金属膜223同样的双层结构，另一方面，从布线边界10b看去，存在于布线引出侧(即图28的左侧)的部分将其截面结构设为与第二金属膜223同样的单层结构。第一金属膜220和第二金属膜223的材料在图28和图21的情况下选择适合于各自的情况的材料。

例如，仅存在于布线边界10b内侧(即显示区域V侧)的第一金属膜由低电阻易于腐蚀材料形成时，通过将这种第一金属膜包含在布线中，可将布线电阻值抑制得很低，因此通过EL器件310进行稳定的图像显示。

而且，即便这样使用易于腐蚀的材料形成第一金属膜时，设置该第一金属膜的区域限于由外壳304从外部遮住的区域，因此易于腐蚀的第一金属不与外部接触，从而由于第一金属膜确实防止布线整体产生腐蚀而产生显示不良。

本实施例中，布线312和布线314迂回到粘合剂305的内侧，即比导通位置靠内侧，因此外壳304的外侧上引出的基板300的部分，即边缘区域可非常狭窄。

本实施例中，布线312和布线314中沿着Y方向延伸的部分容纳在外壳304中，因此确实防止了这些布线暴露于外部，因此确实防止了认为是因暴露于外部而产生的问题，例如腐蚀和短路等。

本实施例中，仅记载了EL器件和液晶装置，但本发明除这些外，也可应用于在基板间封装分散媒介和电泳粒子的电泳装置中。

发明效果

如上面详细说明所示，根据本发明的电光学装置，通过将迂回布线配置在比导通位置靠基板中央，即内侧，与原来相比，可减小边缘区域。可将边缘区域设为左右对称形状。由于这些，将本发明的电光学装置适用于电子设备时的设计、制造等变得非常简单。

通过配备这种通过边缘狭窄化实现的小型电光学装置，不仅装置整体小型化便于携带，而且可实现显示区域宽的电子设备。

Claims (30)

1.一种电光学装置(1)、(41)、(51)，具有第一电极(10)、(214a)、(232)、与该第一电极相对配置的第二电极(11)、(214b)、(235)以及配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电光学物质(23)、(L)，其特征在于：

具有在其上形成上述第一电极的第一基板(2)、(202a)和在其上形成上述第二电极的第二基板(3)、(202b)；

上述第一基板和上述第二基板由密封材料(4)、(203)接合；

具有形成在上述第一基板上并在上述密封材料中的导通位置与上述第二电极导通的布线(14)、(219b)；

上述布线比上述导通位置还向内侧迂回。

2.一种电光学装置，具有第一电极、与该第一电极相对配置的第二电极以及配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电光学物质，其特征在于：

具有在其上形成上述第一电极的第一基板和包围上述电光学物质的密封材料以及形成在该第一基板上并在导通位置与上述第二电极导通的布线；

上述布线形成由多个导电膜构成的层叠结构，在从上述导通位置至上述密封材料的内侧沿该密封材料设置，进而通过密封材料形成区域向上述密封材料的外侧引出；

形成上述层叠结构的上述导电膜中，比上述第二电极的电阻低的至少一个导电膜不伸出到上述密封材料的外部而设置。

3.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于：上述电光学物质是液晶(23)、(L)。

4.根据权利要求3所述的电光学装置，其特征在于：上述布线一端连接于外部电路(7)、(204)。

5.根据权利要求4所述的电光学装置，其特征在于：还具有在上述密封材料中包含的导通部件(30)、(221)，上述布线和上述第二电极通过该导通部件相互连接。

6.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于：设置多个上述第二电极，上述布线与上述多个第二电极的每一个导通并设置多个，上述多个布线中至少1条布线和与该布线对应的上述第二电极中该第二电极的右端与该布线导通，上述多个布线中的其他布线和与该布线对应的上述第二电极中该第二电极的左端与该布线导通。

7.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于：具有对应上述第二电极中的至少1个设置在第一基板上的伪图案(31)，该伪图案形成在位于上述第二电极和上述布线之间的上述导通位置的相反侧的密封材料的形成区域内。

8.一种电光学装置，具有多个第一电极、与该第一电极的每一个相对配置的多个第二电极以及配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电光学物质，其特征在于：

具有在其上形成上述第一电极的第一基板和在其上形成上述第二电极的第二基板；上述第一基板和上述第二基板由密封材料接合；具有形成在上述第一基板上并在上述密封材料中的导通位置与上述第二电极导通的多个布线，

上述布线比上述导通位置还向内侧迂回，

上述多个布线中的至少1条布线和不连接于该1条布线的上述第二电极空间交叉，该交叉位置上设置遮光膜(58)。

9.根据权利要求8所述的电光学装置，其特征在于：上述遮光膜形成在上述第二基板上。

10.根据权利要求8或9所述的电光学装置，其特征在于：还具有至少包含不同的2色的着色层(13)和区分上述2色的部件(25)，该部件包含与上述遮光层实际相同的材料。

11.根据权利要求2所述的电光学装置，其特征在于：上述布线具有比上述第一电极的电阻低的导电膜。

12.根据权利要求11所述的电光学装置，其特征在于：上述布线具有与上述第一电极为同一层的导电膜和比上述第一电极的电阻低的导电膜的层叠膜。

13.根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于：具有在上述第一基板上安装的驱动用IC(7)、(204)，该驱动用IC经上述布线驱动上述第二电极。

14.根据权利要求11或12所述的电光学装置，其特征在于：上述布线中位于上述密封材料的外侧区域的部分中不包含上述低电阻的导电膜。

15.一种电光学装置，其特征在于，具有：

在其上形成条状第一电极(10)、(214a)、(232)的第一基板；

在其上形成与上述第一电极交叉的条状第二电极(11)、(214b)、(235)的第二基板；

接合上述第一基板和上述第二基板使得各个电极形成面相对的密封材料；

封入由上述第一基板、上述第二基板和上述密封材料包围的区域中的液晶；

具有形成在上述第一基板上并在上述密封材料中的导通位置与上述第二电极导通的布线，

上述布线比上述导通位置还向内侧迂回。

16.一种电光学装置，其特征在于，具有：

在其上形成条状第一电极的第一基板；

在其上形成与上述第一电极交叉的条状第二电极的第二基板；

接合上述第一基板和上述第二基板使得各个电极形成面相对的密封材料；

封入由上述第一基板、上述第二基板和上述密封材料包围的区域中的液晶；

具有形成在上述第一基板上并经导通部件与上述第二基板上的第二电极导通的布线；

上述布线形成由多个导电膜构成的层叠结构，在从上述导通位置至上述密封材料的内侧沿该密封材料设置，进而通过上述密封材料形成区域向上述密封材料的外侧引出；

上述布线具有比上述第二电极的电阻低的导电膜；

上述低电阻的导电膜不伸出到上述密封材料的外部而设置。

17.根据权利要求16所述的电光学装置，其特征在于：上述布线具有和上述第一电极为同一层的导电膜与比上述第一电极的电阻低的导电膜的层叠膜。

18.根据权利要求17所述的电光学装置，其特征在于：和上述第一电极为同一层的导电膜是ITO，上述低电阻的导电膜是以银为主成分添加了钯和铜形成的APC合金。

19.根据权利要求15或16所述的电光学装置，其特征在于：具有在上述第一基板上安装的驱动用IC，该驱动用IC经上述布线驱动上述第二电极。

20.根据权利要求17所述的电光学装置，其特征在于上述布线中位于上述密封材料的外侧区域的部分中不包含上述导电膜。

21.一种电光学装置，其特征在于，具有：

在其上形成排列成点阵状的像素电极(234)和两端子开关元件(233)的第一基板，该开关元件与各像素电极导通；

在其上形成与上述像素电极相对的条状第二电极(235)的第二基板；

接合上述第一基板和上述第二基板使得各个电极形成面相对的密封材料；

封入由上述第一基板、上述第二基板和上述密封材料包围的区域中的液晶；

具有形成在上述第一基板上并在上述密封材料中的导通位置与上述第二电极导通的布线，

上述布线比上述导通位置还向内侧迂回，

上述两端子开关元件具有第一金属层(236)、绝缘层(237)和第二金属层(238)的层叠结构，

上述布线具有比上述像素电极的电阻低的导电膜，

该导电膜的一部分设置在由上述密封材料包围的区域中。

22.一种电光学装置，其特征在于，具有：

在其上形成排列成点阵状的像素电极和两端子开关元件的第一基板，该开关元件与各像素电极导通；

在其上形成与上述像素电极相对的条状第二电极的第二基板；

接合上述第一基板和上述第二基板使得各个电极形成面相对的密封材料；

封入由上述第一基板、上述第二基板和上述密封材料包围的区域中的液晶；

具有形成在上述第一基板上并经导通部件和上述第二基板上的第二电极导通的布线，

上述两端子开关元件具有第一金属层、绝缘层和第二金属层的层叠结构，

上述布线形成由多个导电膜构成的层叠结构，在从上述导通位置至上述密封材料的内侧沿该密封材料设置，进而通过上述密封材料形成区域向上述密封材料的外侧引出；

上述布线具有比上述像素电极低的电阻的导电膜，

上述低电阻的导电膜不伸出到上述密封材料的外部而设置。

23.根据权利要求21或22所述的电光学装置，其特征在于上述布线具有与上述像素电极为同一层的导电膜和比上述像素电极的电阻低的导电膜的层叠膜。

24.根据权利要求21或22所述的电光学装置，其特征在于：上述低电阻的导电膜由与构成上述TFD元件的上述第二金属层相同的层形成。

25.根据权利要求21或22所述的电光学装置，其特征在于：具有在上述第一基板上安装的驱动用IC，该驱动用IC经上述布线驱动上述第二电极。

26.根据权利要求21或22所述的电光学装置，其特征在于：与上述像素电极同一层的导电膜是ITO，上述低电阻的导电膜是Cr。

27.一种电光学装置，具有：

在其上形成第一电极的第一基板；在其上形成第二电极的第二基板；

接合上述第一基板和上述第二基板使得各个电极形成面相对的密封材料；

封入由上述第一基板、上述第二基板和上述密封材料包围的区域中的液晶；

具有形成在上述第一基板上并与上述第二基板上的第二电极导通的布线；

上述密封材料由邻接配置的导通密封材料(4a)和非导通密封材料(4b)构成；

上述非导通密封材料比上述导通密封材料更靠基板中央侧设置；

上述导通密封材料中混入有导通材料；

上述布线经上述导通密封材料与上述第二电极导通，并设置在上述非导通密封材料的形成区域内。

28.根据权利要求27所述的电光学装置，其特征在于：在上述第一基板上形成上述非导通密封材料，在上述第二基板上形成上述导通密封材料；

上述导通密封材料和非导通密封材料，设置成上述导通密封材料的内周部的一部分和非导通密封材料的外周部的一部分重叠。

29.一种电光学装置(310)，具有基板(300)和外壳(304)，在上述基板上形成第一电极(411)、第二电极(412)、第三电极(421)，用粘合剂(305)固定上述基板和上述外壳，其特征在于：

具有形成在上述基板上并在上述粘合剂中各自与上述第二电极和第三电极导通的布线(312)、(314)；

上述布线形成由多个导电膜构成的层叠结构，在从上述导通位置至上述粘合剂的内侧沿该粘合剂设置，进而通过该粘合剂形成区域向该粘合剂的外侧引出。

30.一种电子设备(1000)、(1100)、(1200)，其特征在于：具有根据权利要求1到29中任一项所述的电光学装置。

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