CN1228924C - 复合高频开关和高频模块以及通信机 - Google Patents

Abstract

本发明涉及复合高频开关和高频模块以及通信机。本发明的目的在于，提供不设置负电源也能够在未选择的通信系统中防止第1和第2二极管的失真的高频模块及使用高频模块的通信机。解决办法是，由电感器(L11、L12)和电容器(C11～C15)构成的天线共用器(11)，以及由第1和第2二极管(D21、D22、D31、D32)、传输线路(TL21、TL31)、电感器(L21、L22、L31、L32)、电容器(C21、C31)构成的高频开关(12、13)组成高频模块10。

Description

复合高频开关和高频模块以及通信机

技术领域

本发明涉及复合高频开关、高频模块以及通信机，特别是涉及能够适用于多种不同的通信系统的复合高频开关、高频模块以及通信机。

背景技术

当前，作为通信机，在欧洲提出了多种通信系统，例如能够以使用1.8GHz频带的DCS(Digital Cellular System；数字式蜂窝系统)和使用900MHz频带的GSM(Global System for Mobile communication；全球移动通信系统)工作的双频带移动电话。这种双频带移动电话与只使用一个通信系统的通常的移动电话不同，是使用两个通信系统的移动电话。借助于此，使用者能够选择合适的通信系统使用。

双频带移动电话使用高频模块以进行多个通信系统的切换以及发送电路与接收电路切换，日本特开平11-168303号公报公开了这种高频模块。这种已有的高频模块形成连接DCS及GSM两种通信系统与天线的天线开关模块，具备天线共用器和两个高频开关。两个高频开关用于对发送电路与接收电路进行切换，由第1和第2二极管、传输线路及电感器构成。第1二极管阳极连接于天线端子一侧，阴极连接于发送端子一侧，该阴极和接地线之间连接电感器。天线端子与接收端子之间连接传输线路，该接收端子一侧连接第2二极管的阴极，该第2二极管的阳极与接地线之间连接电容器。控制端子通过电阻连接于第2二极管与电容器之间。

在使这种高频模块工作时，在选择的通信系统一侧的高频开关的控制端子上施加正电压，在未选择的通信系统一侧的高频开关的控制端子上施加零电压。但是存在着选择的通信系统一侧的接收信号或发送信号泄漏到未选择的通信系统一侧，使未选择的通信系统的高频开关的第1和第2二极管不正常的问题。为了解决这样的问题，采取对未选择的通信系统一侧的高频开关的控制端子施加负电压，对未选择的通信系统的高频开关的第1和第2二极管施加反向偏压的方法。

但是，如果采用上述高频模块，则必须在未选择的通信系统一侧的高频开关的控制端子上施加负电压，因此存在用户方面必须在双频带移动电话内部设置负电源，电路结构复杂化的问题。

本发明是为解决这样的问题而作出的，其目的在于，提供不设置负电源也能够在未选择的通信系统中防止第1和第2二极管的不正常的复合高频开关、使用多层电路技术构成复合高频开关的高频模块、以及使用复合高频开关、高频模块的通信机。

发明内容

为了解决上述存在问题，本发明的复合高频开关，由具备第1端子、第2端子、第1控制端子、第2控制端子、第1二极管、第2二极管、以及传输线路的多个高频开关构成，其特征在于，所述高频开关的所述第1端子、所述传输线路、所述第1二极管以及所述第2端子串联连接，所述传输线路的第1端子一侧通过所述第2二极管接地，同时所述第2二极管的接地一侧上连接所述第1控制端子，所述第1二极管的第2端子一侧上连接所述第2控制端子，并且所述多个高频开关的至少两个高频开关的所述第2控制端子相互连接，同时该连接点通过电阻连接于公共控制端子。

又，本发明的复合高频开关，由具备第1端子、第2端子、第1控制端子、第2控制端子、第1二极管、第2二极管、以及传输线路的多个高频开关构成，其特征在于，所述高频开关的所述第1端子、所述传输线路、所述第1二极管以及所述第2端子串联连接，所述传输线路的第1端子一侧通过所述第2二极管接地，同时所述第2二极管的接地一侧上连接所述第1控制端子，所述第1二极管的第2端子一侧上连接所述第2控制端子，并且所述多个高频开关的至少两个高频开关的所述第1控制端子相互连接，同时该连接点通过电阻连接于公共控制端子。

又，本发明的复合高频开关，由具备第1端子、第2端子、第1控制端子、第2控制端子、第1二极管、第2二极管、以及传输线路的多个高频开关构成，其特征在于，所述高频开关的所述第1端子、所述传输线路、所述第1二极管以及所述第2端子串联连接，所述传输线路的第1端子一侧通过所述第2二极管接地，同时所述第2二极管的接地一侧上连接所述第1控制端子，所述第1二极管的第2端子一侧上连接所述第2控制端子，并且所述多个高频开关的至少两个高频开关的所述第1控制端子和所述第2控制端子相连接，同时该连接点通过电阻连接于公共控制端子。

更加理想的是，本发明的复合高频开关，其特征在于，具备由多层薄片叠层形成的多层基板，所述多个高频开关的第1和第2二极管安装于所述多层基板上，同时所述多个高频开关的所述传输线路设置于所述多层基板内。

更加理想的是，本发明的高频模块，其特征在于，所述高频开关的所述第1二极管与所述传输线路的连接点上，连接由电感器和电容器构成的天线共用器(diplexer)。

更加理想的是，本发明的高频模块，其特征在于，具备由多层薄片层叠形成的多层基板，所述高频开关的第1和第2二极管安装于所述多层基板上，同时，所述天线共用器的电感器和电容器以及所述多个高频开关的所述传输线路设置于所述多层基板内。

更加理想的是，本发明的高频模块，其特征在于，所述天线共用器的接地的电容器与所述多个高频开关的传输线路当中夹着接地电极，并且配置于所述多层基板的层叠方向的下部。

更加理想的是，本发明的通信机，其特征在于，使用所述复合高频开关。

更加理想的是，本发明的通信机，其特征在于，使用所述高频模块。

如果采用本发明的复合高频开关，则在所选择的通信系统一侧的高频开关的控制端子上施加正电压，以此可以在所选择的通信系统一侧的高频开关的第1和第2二极管上施加正向偏压，同时在未选择的通信系统一侧的高频开关的第1和第2二极管上施加反向偏压。

如果采用本发明的高频模块，则由于使用失真特性良好的复合高频开关，因此能够使高频模块有良好的失真特性。

如果采用本发明的通信机，则由于使用失真特性良好的复合高频开关或高频模块，因此能够提高通信机的接收和发送特性。

附图说明

图1是本发明的高频模块的第1实施例的电路图。

图2是表示图1的高频模块的具体结构的部分分解立体图。

图3是构成图2的高频模块的多层基板的(a)第1薄片层～(j)第10薄片层的顶视图。

图4是构成图2的高频模块的多层基板的(a)第11薄片层～(f)第16薄片层的顶视图以及(g)第16薄片层的仰视图。

图5是表示图1的高频模块的变形例的电路图。

图6是本发明的高频模块的第2实施例的电路图。

图7是表示图3的高频模块的变形例的电路图。

图8是本发明的高频模块的第3实施例的电路图。

图9是表示图5的高频模块的变形例的电路图。

图10是表示使用图1的高频模块的通信机的结构的一部分的方框图。

具体实施形态

下面参照附图对本发明的实施例进行说明。

图1是本发明的高频模块的第1实施例的电路图。高频模块10由天线共用器11、高频开关12、13构成。

天线共用器11由电感器L11、L12、以及电容器C11～C15构成。其中由电感器L11和电容器C11构成的并联电路连接于第1端子P11和第2端子P12之间，该并联电路的第2端子P12一侧通过电容器C12接地。

又，电容器C13、C14串联连接于第1端子P11和第3端子P13之间，该串联连接点通过电感器L12和电容器C15接地。

高频开关12由第1、第2二极管D21、D22、传输线路TL21、电感器L21、L22以及电容器C21构成。而第1端子P21、传输线路TL21、第1二极管D21、以及第2端子P22串联连接。又，传输线路TL21的第1端子P21一侧通过第2二极管D22和电容器C21接地，第2二极管D22的接地一侧、即阳极通过电感器L21与第1控制端子V21连接。

 还有，第1二极管D21的第2端子P22一侧、即阴极通过电感器L22与第2控制端子V22连接。又，传输线路TL21与第1二极管D21之间设置第3端子P23。

高频开关13由第1、第2二极管D31、D32、传输线路TL31、电感器L31、L32以及电容器C31构成。其结构与高频开关12相同。

而且高频开关12、13的第2控制端子V22、V32相互连接，其连接点通过电阻R与公共控制端子Vc连接。

在上述结构中，天线共用器11的第1端子P11连接天线ANT，第2端子P12上连接高频开关12的第3端子P23，第3端子P13上连接高频开关13的第3端子P33。又，高频开关12、13的第1端子P21、P31上连接接收电路Rx，高频开关12、13的第2端子P22、P32上连接发送电路Tx。

在这里，对具有图1的电路结构的高频模块10的工作加以说明。在选择高频开关12一侧的通信系统、即高频开关12导通的情况下，分别在高频开关12的第1控制端子V21上施加3V的电压，在高频开关13的第1控制端子V31上施加0V的电压，在公共控制端子Vc上施加0.5V的电压。

于是，对所选择的通信系统一侧的高频开关12的第1和第2二极管D21、D22施加正向偏压，从高频开关12的第1控制端子V21向公共控制端子Vc流过正向电流。而由于该正向电流在电阻R上产生电压降，该电压降作为反向偏压施加于高频开关13的第1和第2二极管D31和D32。该反向偏压使未选择的通信系统一侧的高频开关13的第1和第2二极管D31、D32的截止电容稳定，并且稳定于较小的值，因此失真特性良好。

又，由于在电阻的前一级插入电感器，因此利用该电感器能够切断高频信号。

图2是表示图1的高频模块的具体结构的部分分解立体图。高频模块10包含多层基板14，多层基板14内分别设置(未图示的)构成天线共用器11(图1)的电感器L11、L12、电容器C11～C15、以及构成高频开关12、13(图1)的传输线路TL21、TL31、电容器C21、C31。

又，多层基板14的表面上分别安装有构成由片状元件组成的高频开关12、13(图1)的第1和第2二极管D21、D22、D31、D32、电感器L21、L22、L31、L32、电阻R。

还有，从多层基板14的侧面到底面，用网板印刷等方法分别形成12个外部端子T1～T12。还有，外部端子T1为高频开关13的第2端子P32，外部端子T3为天线共用器11的第1端子P11，外部端子T4为高频开关13的第1控制端子V31，外部端子T5为高频开关13的第1端子P31，外部端子T7为高频开关12的第1端子P21，外部端子T8为高频开关12的第1控制端子V21，外部端子T11为高频开关12的第2端子P22，外部端子T2、T6、T9、T10、T12为接地端子。

又，天线共用器11的第2端子P12与高频开关12的第3端子P23、天线共用器11的第3端子P13与高频开关13的第3端子P33分别在多层基板14的内部利用通过孔等连接。

图3(a)～图3(j)以及图4(a)～图4(f)是构成图2的高频模块的多层基板的各薄片层的顶视图，图4(g)是图4(f)的仰视图。多层基板14从上面开始依序层叠形成由氧化钡、氧化铝、二氧化硅为主要成分的陶瓷构成的第1～第16薄片层14a～14p，在1000℃以下的烧结温度进行烧结，然后将上下反过来。也就是说，第16层薄片层14p成了多层基板14的最上层，第1薄片层14a成了多层基板14的最下层。

在第1薄片层14a的上表面形成外部端子T1～T12。又，在第2、第4、第8、第10薄片层14b、14d、14h、14i的上表面利用网板印刷等方法分别形成接地电极Gp1～Gp4。

又，在第3、第9～第12薄片层14c、14i～141的上表面利用网板印刷等方法分别印刷形成电容器电极Cp1～Cp9。还在第5～第7薄片层14e～14g的上表面利用网板印刷等方法分别印刷形成带状线电极Lp1～Lp10。

又在第16薄片层的下表面(图4(g)的14pu)用通过孔等形成安装构成高频开关12、13(图1)的第1和第2二极管D21、D22、D31、D32、电感器L21、L22、L31、L32、电阻R用的安装电极。还在第2～第16薄片层14b～14p形成多个通过孔电极Vh，使其穿过各薄片层14b～14p。

这时，分别用带状线电极Lp2、Lp4、Lp10形成天线共用器11的电感器L11，用带状线电极Lp1、Lp3、Lp7形成电感器L12。又分别用带状线电极Sp5、Sp8形成高频开关12的电感器TL21，用带状线电极Sp6、Sp9形成高频开关13的电感器TL31。

还分别用电容器电极Cp3、Cp6形成天线共用器11的电容器C11，用电容器电极Cp2与接地电极Gp1、Gp2形成电容器C12，用电容器电极Cp6、Cp8形成电容器C13，用电容器电极Cp8、Cp9形成电容器C14，用电容器电极Cp1和接地电极Gp1、Gp2形成电容器C15。

又，分别用电容器电极Cp7和接地电极Gp4形成高频开关12的电容器C21，用电容器电极Cp5与接地电极Gp3、Gp4形成高频开关13的电容器C31。

图5是表示图1的高频模块的变形例的电路图。高频模块10a适用于天线共用器11、高频开关12a、13a构成的三频带(triple band)系统。还有，天线共用器11的结构与第1实施例的高频模块10(图1)相同，因此省略其说明。

高频开关12a由第1和第2二极管D21a、D22a、传输线路TL21a、电感器L21a、L22a以及电容器C21a构成。而第1端子P21a、传输线路TL21a、第1二极管D21a、以及第2端子P22a串联连接。

又，传输线路TL21a的第1端子P21a一侧通过第2二极管D22a和电容器C21a接地，第2二极管D22a的接地侧、亦即阳极上通过电感器L21a连接着第1控制端子V21a。

还有，第1二极管D21a的第2端子P22a一侧、即阴极上通过电感器L22a连接着第2控制端子V22a。又，传输线路TL21a与第1二极管D21a之间设置第3端子P23a。

高频开关13a由第1～第4二极管D31a～D34a、传输线路TL31a、TL32a、电感器L31a～L33a以及电容器C31a～C33a构成。而第1端子P31a、传输线路TL31a、第1二极管D31a以及第2端子P32a串联连接。

又，传输线路TL31a的第1端子P31a一侧通过第2二极管D32a和电容器C31a接地，第2二极管D32a的接地侧、亦即阳极上通过电感器L31a连接着第1控制端子V31a。

还有，第1二极管D31a的第2端子P32a一侧、即阴极上通过电感器L32a连接着第2控制端子V32a。又，传输线路TL31a与第1二极管D31a的接点上连接着串联连接的电容器C32a、第3二极管D33a、传输线路TL32a以及第3端子P33a。

又，传输线路TL32a的第3端子P33a一侧通过第4二极管D34a和电容器C33a接地，第4二极管D34a的接地侧、亦即阳极通过电感器L33a与第3控制端子V33a连接。

还有，第3二极管D33a与传输线路TL32a之间设置第4端子P34a，电容器C32a与第3二极管D33a之间通过电感器L34a连接第4控制端子V34a。

而且，高频开关12a、13a的第2控制端子V22a、V32a与高频开关13a的第4控制端子V34a相互连接，其连接点通过电阻Ra连接于公共控制端子Vea。

在上述结构中，天线共用器11的第2端子P12上连接着高频开关12a的第3端子P23a，第3端子P13上连接着高频开关13a的第4端子P34a。又，天线共用器11的第1端子P11上连接着天线ANT，高频开关12a、13a的第1端子P21a、P31a上连接着接收电路Rx，高频开关12a、13a的第2端子P22a、P32a上连接着发送电路Tx，高频开关13a的第3端子P33a上分别连接着接收电路Rx、发送电路Tx两者(未图示)。

在这里，对具有图5所示的电路结构的高频模块10a的工作进行说明。在选择高频开关12a侧的通信系统、亦即使其高频开关12a导通的情况下，在高频开关12a的第1控制端子V21a上施加3V电压，在高频开关13a的第1控制端子V31a上施加0V电压，公共控制端子Vca上施加0.5V电压。

于是，在选择的通信系统一侧的高频开关12a的第1和第2二极管D21a、D22a上加上了正向偏压，从高频开关12a的第1控制端子V21a向公共控制端子Vca流过正向电流。由于该正向电流在电阻Ra上产生电压降，因此该电压降作为反向偏压施加于高频开关13a的第1～第4二极管D31a～D34a。由于该反向偏压的存在，未选择的通信系统一侧的高频开关13a的第1～第4二极管D31a～D34a的截止电容稳定而且数值小，因此失真特性良好。

图6是本发明的高频模块的第2实施例的电路图。高频模块20由天线共用器11、高频开关22、23构成。天线共用器11的结构与第1实施例的高频模块10(图1)相同，因此省略其说明。

高频开关22由第1、第2二极管D21、D22、传输线路TL21、电感器L21以及电容器C21、C22构成。而且第1端子P21、传输线路TL21、第1二极管D21、以及第2端子P22串联连接。又，传输线路TL21的第1端子P21一侧通过第2二极管D22及电容器C21接地，第2二极管D22的接地侧、即阴极与第1控制端子V21连接。

还有，第1二极管D21第2控制端子P22一侧、即阳极通过电感器21和电容器C22接地，电感器L21的接地侧连接第2控制端子V22。又在传输线路TL21与第1二极管D21之间设置第3端子P23。

高频开关23由第1、第2二极管D31、D32、传输线路TL31、电感器L31以及电容器C31、C32构成，其结构与高频开关22相同。

而且，高频开关22、23的第1控制端子V21、V31相互连接，其接点通过电阻R连接于公共控制端子Vc。还在高频开关22的第1控制端子V21与电阻R之间连接电感器L22，但是也可以不连接。

在这里，对具有图6所示的结构的高频模块20的工作进行说明。在选择高频开关22一侧的通信系统、即使高频开关22导通的情况下，分别在高频开关22的第2控制端子V22上施加3V的电压，在高频开关23的第2控制端子V32上施加0V的电压，在公共控制端子Vc上施加0.5V的电压。

于是，所选择的通信系统一侧的高频开关22的第1及第2二极管D21、D22上施加了正向偏压，从高频开关22的第2控制端子V22向公共控制端子Vc流过正向电流。而由于该正向电流，在电阻R上产生了电压降，因此在高频开关23的第1和第2二极管D31、D32被施加了该电压降大小的反向偏压。该反向偏压使未选择的通信系统一侧的高频开关23的第1和第2二极管D31、D32的截止电容稳定而且较小，因此失真特性良好。

图7是图6所示的高频模块的变形例的电路图。高频模块20a是适用于由天线共用器11、高频开关22a、23a构成的三频带系统的模块。还有，天线共用器11的结构与第1实施例的高频模块10(图1)相同，因此省略其说明。

高频开关22a由第1和第2二极管D21a、D22a、传输线路TL21a、电感器L21a、以及电容器C21a、C22a构成。而第1端子P21a、传输线路TL21a、第1二极管D21a、以及第2端子P22a串联连接。又，传输线路TL21a的第1端子P21a一侧通过第2二极管D22a和电容器C21a接地，第2二极管D22a的接地侧、亦即阴极上连接第1控制端子V21a。

还有，第1二极管D21a的第2端子P22a一侧、即阳极通过电感器L21a和电容器C22a接地，电感器L21a的接地侧连接第2控制端子V22a。又，传输线路TL21a与第1二极管D21a之间设置第3端子P23a。

高频开关23a由第1～第3二极管D31a～D33a、传输线路TL31a、电感器L31a、L32a以及电容器C31a～C33a构成。而第1端子P31a、传输线路TL31a、第1二极管D31a以及第2端子P32a串联连接。

又，传输线路TL31a的第1端子P31a一侧通过第2二极管D32a和电容器C31a接地，第2二极管D32a的接地侧、亦即阴极上连接第1控制端子V31a。

还有，第1二极管D31a的第2端子P32a一侧、即阳极通过电感器L31a和电容器C32a接地，电感器L31a的接地侧连接第2控制端子V32a。又，传输线路TL31a与第1二极管D31a的接点上连接着串联连接的第3二极管D33a和第3端子P33a。

又，第3二极管D33a的第3端子P33a一侧、亦即阳极通过电感器L32a和电容器C33a接地，电感器L32a的接地侧连接第3控制端子V33a。又，传输线路TL31a与第1二极管D31a之间设置第4端子P34a。

而且，高频开关22a、23a的第1控制端子V21a、V31a相互连接，其连接点通过电阻Ra与公共控制端子Vca连接。还有，高频开关22a的第1控制端子V21a与电阻Ra之间连接着电感器L22a，但是也可以不连接。

在上述结构中，天线共用器11的第2端子P12上连接着高频开关22a的第3端子P23a，第3端子P23上连接着高频开关23a的第4端子P34a。又，天线共用器11的第1端子P11上连接着天线ANT，高频开关22a、23a的第1端子P21a、P31a上连接着接收电路Rx，高频开关22a、23a的第2端子P22a、P32a上连接着发送电路Tx，高频开关23a的第3端子P33a上分别连接着接收电路Rx、发送电路Tx两者(这些连接情况都未图示)。

在这里，对具有图7所示的电路结构的高频模块20a的工作进行说明。在选择高频开关22a一侧的通信系统、亦即使高频开关22a导通的情况下，在高频开关22a的第2控制端子V22a上施加3V电压，在高频开关23a的第2控制端子V32a上施加0V电压，公共控制端子Vca上施加0.5V电压。

于是，在选择的通信系统一侧的高频开关22a的第1和第2二极管D21a、D22a上加上了正向偏压，从高频开关22a的第2控制端子V22a向公共控制端子Vca流过正向电流。而由于该正向电流在电阻Ra上产生电压降，因此该电压降作为反向偏压施加于高频开关23a的第1～第3二极管D31a～D33a。由于该反向偏压的存在，未选择的通信系统一侧的高频开关23a的第1～第3二极管D31a～D33a的截止电容稳定而且数值小，因此失真特性良好。

图8是本发明的高频模块的第3实施例的电路图。高频模块30由天线共用器11、高频开关32、33构成。天线共用器11的结构与第1实施例的高频模块10(图1)相同，因此省略其说明。

高频开关32由第1、第2二极管D21、D22、传输线路TL21、电感器L21、L22以及电容器C21构成。而且第1端子P21、传输线路TL21、第1二极管D21、以及第2端子P22串联连接。又，传输线路TL21的第1端子P21一侧通过第2二极管D22及电容器C21接地，第2二极管D22的接地侧、即阳极通过电感器L21与第1控制端子V21连接。

还有，第1二极管D21的第2端子P22一侧、即阴极通过电感器22连接第2控制端子V22。又在传输线路TL21与第1二极管D21之间设置第3端子P23。

高频开关33由第1、第2二极管D31、D32、传输线路TL31、电感器L31以及电容器C31、C32构成，而第1端子P31、传输线路TL31、第1二极管D31以及第2端子P32串联连接。又，传输线路TL31的第1端子P31一侧通过第2二极管D32和电容器C31接地，第2二极管D32的接地侧、即阴极上连接第1控制端子V31。

还有，第1二极管D31的第2端子P32一侧，即阳极通过电感器L31和电容器C32接地，电感器L31的接地侧连接第2控制端子V32。又在传输线路TL31与第1二极管D31之间设置第3端子P33。

而且，高频开关32的第2控制端子V22与高频开关33的第1控制端子V31相互连接，其接点通过电阻R连接于公共控制端子Vc。

在这里，对具有图8所示的结构的高频模块30的工作进行说明。在选择高频开关32一侧的通信系统、即使高频开关32导通的情况下，分别在高频开关32的第1控制端子V21上施加3V的电压，在高频开关33的第2控制端子V32上施加0V的电压，在公共控制端子Vc上施加0.5V的电压。

于是，所选择的通信系统一侧的高频开关32的第1及第2二极管D21、D22上施加了正向偏压，从高频开关32的第1控制端子V21向公共控制端子Vc流过正向电流。而由于该正向电流，在电阻R上产生了电压降，因此在高频开关33的第1和第2二极管D31、D32上被施加了该电压降大小的反向偏压。该反向偏压使未选择的通信系统一侧的高频开关33的第1和第2二极管D31、D32的截止电容稳定而且较小，因此失真特性良好。

图9是图8的高频模块的变形例的电路图。高频模块30a适用于由天线共用器11、高频开关32a、33a构成的三频带系统。还有，天线共用器11的结构与第1实施例的高频模块10(图1)相同，因此省略其说明。

高频开关32a由第1和第2二极管D21a、D22a、传输线路TL21a、电感器L21a、L22a以及电容器C21a构成。而第1端子P21a、传输线路TL21a、第1二极管D21a、以及第2端子P22a串联连接。

又，传输线路TL21a的第1端子P21a一侧通过第2二极管D22a和电容器C21a接地，第2二极管D22a的接地侧、亦即阳极通过电感器L21a连接第1控制端子V21a。

还有，第1二极管D21a的第2端子P22a一侧、即阴极通过电感器L22a连接第2控制端子V22a。又，传输线路TL21a与第1二极管D21a之间设置第3端子P23a。

高频开关33a由第1～第3二极管D31a～D33a、传输线路TL31a、电感器L31a、L32a以及电容器C31a～C33a构成。而第1端子P31a、传输线路TL31a、第1二极管D31a以及第2端子P32a串联连接。

又，传输线路TL31a的第1端子P31a一侧通过第2二极管D32a和电容器C31a接地，第2二极管D32a的接地侧、亦即阴极连接第1控制端子V31a。

还有，第1二极管D31a的第2端子P32a一侧、即阳极通过电感器L31a和电容器C32a接地，电感器L31a的接地侧与第2控制端子V32a连接。又，传输线路TL31a与第1二极管D31a的接点上连接着串联连接的第3二极管D33a及第3端子P33a。

又，第3二极管D33a的第3端子P33a一侧、即阳极通过电感器L32a和电容器C33a接地，电感器L32a的接地侧连接第3控制端子V33a。又，在传输线路TL31a与第1二极管D31a之间设置第4端子P34a。

而且，高频开关32a的第2控制端子V22a与高频开关33a的第1控制端子V31a相互连接，其连接点通过电阻Ra连接于公共控制端子Vca。

在上述结构中，天线共用器11的第2端子P12上连接高频开关32a的第3端子P23a，第3端子P13上连接高频开关33a的第4端子P34a。又，天线共用器11的第1端子P11上连接天线ANT，高频开关32a、33a的第1端子P21a、P31a上连接接收电路Rx，高频开关32a、33a的第2端子P22a、P32a上连接发送电路Tx，高频开关33a的第3端子P33a上分别连接接收电路Rx、发送电路Tx两者(以上连接情况未图示)。

在这里，对具有图9所示的电路结构的高频模块30a的工作进行说明。在选择高频开关32a侧的通信系统、亦即使其高频开关32a导通的情况下，在高频开关32a的第1控制端子V21a上施加3V电压，在高频开关33a的第1控制端子V31a上施加0V电压，公共控制端子Vca上施加0.5V电压。

于是，在选择的通信系统一侧的高频开关32a的第1和第2二极管D21a、D22a上加上了正向偏压，从高频开关32a的第1控制端子V21a向公共控制端子Vca流过正向电流。而由于该正向电流在电阻Ra上产生电压降，因此该电压降值作为反向偏压施加于高频开关33a的第1～第4二极管D31a～D34a。由于该反向偏压的存在，未选择的通信系统一侧的高频开关33a的第1～第4二极管D31a～D34a的截止电容稳定而且数值小，因此失真特性良好。

如果采用上述实施例的高频模块，则由两个高频开关构成的多个高频开关利用在所选择的通信系统一侧的高频开关的控制端子上施加正电压的方法，能够在所选择的通信系统一侧的高频开关的第1和第2二极管上施加正向偏压，同时在未选择的通信系统一侧的高频开关的第1和第2二极管上施加反向偏压。其结果是，能够得到失真特性良好的复合高频开关。从而，由于使用失真特性良好的复合高频开关，能够使高频模块的失真特性良好。

又，由于将形成高频模块的天线共用器、高频开关与由陶瓷构成的多层薄片层叠形成的多层基板形成一体，因此容易对天线共用器与高频开关之间进行匹配调整，不需要设置在天线共用器与高频开关之间进行匹配调整的匹配电路。因此能够实现高频模块的小型化。

还有，由于天线共用器用电感器、电容器构成，高频开关用二极管、电感器、电容器构成，同时这些零件设置于多层基板内或安装于多层基板上，利用多层基板内部形成的连接手段连接，因此高频模块可以利用一块多层基板构成，能够实现小型化。而且能够改善元件之间的布线造成的损耗，其结果是，能够改善整个高频模块的损耗。

又，利用波长缩短效应，能够缩短作为电感器的带状线电极的长度，因此能够改善这些带状线电极的插入损耗。其结果是，能够实现高频模块的小型化和低损耗。因此安装这种模块的通信机也同时能够实现小型化及高性能化。

图10是表示作为通信机的双频带移动电话的结构的一部分的方框图，是将1.8GHz频带的DCS与900MHz频带的GSM加以组合的一个例子。双频带移动电话40具备天线1和高频模块10(图1)。

构成高频模块10的天线共用器11的第1端子P11上连接天线，高频开关12的第1和第2端子P21、P22上连接GSM系的接收部Rxg及GSM系的发送部Txg，高频开关13的第1和第2端子P31、P32上连接DCS系的接收部Rxd及DCS系的发送部Txd。

采用上述双频带移动电话，由于使用失真特性良好的复合高频开关或高频模块，能够提高双频带移动电话的发送、接收特性。

还有，在上述实施例中，对高频模块的公共控制端子上施加0.5V电压的情况进行了说明，但是也可以施加0V的电压。施加0V电压时没有必要把公共控制端子作为外部端子引出到多层基板上，因此使用方便。

又，对通信机是对适用于DCS和GSM的双频带移动电话的情况进行了说明，但是并不限定于DCS与GSM的组合，例如也可以用于PCS与AMPS的组合、DECT与GSM的组合、PHS与PDC的组合等，或可以用于三频带移动电话。

还有，上面对图1的高频模块用于作为通信机的双频带移动电话的情况进行了说明，但是使用图5～图8的高频模块也能够得到同样的效果。

Claims (9)

1.一种复合高频开关，由具备第1端子、第2端子、第1控制端子、第2控制端子、第1二极管、第2二极管、以及传输线路的多个高频开关构成，其特征在于，

设所述多个高频开关中的至少2个高频开关为第1、第2高频开关，所述第1、第2高频开关中，所述第1端子、所述传输线路、所述第1二极管以及所述第2端子串联连接，所述传输线路的第1端子一侧通过所述第2二极管接地，同时所述第2二极管的接地一侧与所述第1控制端子连接，所述第1二极管的第2端子一侧与所述第2控制端子连接；并且

所述第1、第2高频开关其构成为，所述第1、第2高频开关的各第2控制端子相互连接，同时该连接点通过电阻连接于公共控制端子，从而在所述第1高频开关导通时，向所述公共控制端子施加比加至所述第1高频开关的第1控制端子的电压低且比加至所述第2高频开关的第1控制端子的电压高的电压。

2.一种复合高频开关，由具备第1端子、第2端子、第1控制端子、第2控制端子、第1二极管、第2二极管、以及传输线路的多个高频开关构成，其特征在于，

设所述多个高频开关中的至少2个高频开关为第1、第2高频开关，所述第1、第2高频开关中，所述第1端子、所述传输线路、所述第1二极管以及所述第2端子串联连接，所述传输线路的第1端子一侧通过所述第2二极管接地，同时所述第2二极管的接地一侧与所述第1控制端子连接，所述第1二极管的第2端子一侧与所述第2控制端子连接；并且

所述第1、第2高频开关其构成为，所述所述第1、第2高频开关的各第1控制端子相互连接，同时该连接点通过电阻连接于公共控制端子，从而在所述第1高频开关导通时，向所述公共控制端子施加比加至所述第1高频开关的第2控制端子的电压低且比加至所述第2高频开关的第2控制端子的电压高的电压。

3.一种复合高频开关，由具备第1端子、第2端子、第1控制端子、第2控制端子、第1二极管、第2二极管、以及传输线路的多个高频开关构成，其特征在于，

设所述多个高频开关中的至少2个高频开关为第1、第2高频开关，所述第1、第2高频开关中，所述第1端子、所述传输线路、所述第1二极管以及所述第2端子串联连接，所述传输线路的第1端子一侧通过所述第2二极管接地，同时所述第2二极管的接地一侧与所述第1控制端子连接，所述第1二极管的第2端子一侧与所述第2控制端子连接；并且

所述第1、第2高频开关其构成为，所述第1高频开关的所述第1控制端子和所述第2高频开关的第2控制端子相连接，同时该连接点通过电阻连接于公共控制端子，从而在所述第1高频开关导通时，向所述公共控制端子施加比加至所述第1高频开关的第2控制端子的电压低且比加至所述第2高频开关的第1控制端子的电压高的电压。

4.根据权利要求1或2或3所述的复合高频开关，其特征在于，

具备由多层薄片层叠形成的多层基板，

所述多个高频开关的第1和第2二极管安装于所述多层基板上，同时所述多个高频开关的所述传输线路设置于所述多层基板内。

5.一种高频模块，其特征在于，在权利要求1或2或3所述的高频开关的所述第1二极管与所述传输线路的连接点上，连接由电感器和电容器构成的天线共用器。

6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，

具备由多层薄片层叠形成的多层基板，

所述高频开关的第1和第2二极管安装于所述多层基板上，

同时，所述天线共用器的电感器和电容器以及所述多个高频开关的所述传输线路设置于所述多层基板内。

7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，所述天线共用器的接地的电容器与所述多个高频开关的传输线路之间夹着接地电极，并且配置于所述多层基板层叠方向的下部。

8.一种通信机，其特征在于，使用权利要求1或2或3所述的高频开关。

9.一种通信机，其特征在于，使用权利要求5所述的高频模块。

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