CN121174901A - 掩模用清洗液、显示装置的制造方法以及电子设备 - Google Patents

Abstract

公开一种掩模用清洗液、显示装置的制造方法以及电子设备。根据本公开的实施例的显示装置的制造方法包括如下步骤：形成像素电路层以及在所述像素电路层上形成第一电极；对掩模进行第一次清洗；将所述掩模布置于腔室内；以及在所述腔室内在所述第一电极上形成发光部，其中，在对所述掩模进行第一次清洗步骤之前，所述掩模未被使用于沉积工艺。

Description

掩模用清洗液、显示装置的制造方法以及电子设备

技术领域

本公开涉及一种掩模用清洗液、显示装置的制造方法以及电子设备。

背景技术

最近，随着对信息显示的关注度的提高，对显示装置的研究开发正在持续进行。尤其，随着对高品质的显示装置的需求增加，对包括具有微米级或纳米级的发光元件的显示装置的讨论正在活跃地进行。发光元件可以包括阳极电极、发光部以及阴极电极。

显示装置的发光部可以通过利用沉积掩模的沉积工艺形成。在沉积工艺中，由于杂质，例如，用于沉积的有机物质等可能残留在沉积掩模的表面，因此要求必须清洗沉积掩模。

发明内容

本公开的一方面（aspect）提供一种能够使掩模上存在的异物减少的掩模用清洗液及掩模的清洗方法。

本公开的另一方面（aspect）提供一种能够使显示装置的不良率降低的显示装置的制造方法。

根据本公开的实施例的一种显示装置的制造方法可以包括如下步骤：形成像素电路层以及在所述像素电路层上形成第一电极；对掩模进行第一次清洗；将所述掩模布置于腔室内；以及在所述腔室内在所述第一电极上形成发光部，其中，在对所述掩模进行第一次清洗步骤之前，所述掩模可以未被使用于沉积工艺。

根据实施例，形成所述发光部的步骤可以包括沉积所述发光部的步骤，对所述掩模进行第一次清洗的步骤可以在制造所述掩模的第一时间点与所述掩模布置于所述腔室内的第二时间点之间执行，在所述第一时间点与所述第二时间点之间，所述掩模可以未被使用于形成所述发光部的所述沉积工艺。

根据实施例，对所述掩模进行第一次清洗的步骤可以包括如下步骤：利用湿式清洗、干式清洗、利用二流体的清洗以及利用超临界流体的清洗中的至少一种方法来清洗所述掩模。

根据实施例，对所述掩模进行第一次清洗的步骤包括利用清洗液对所述掩模进行湿式清洗的步骤，所述清洗液可以包括以下化合物中的至少一种：由下述[化学式1]表示的第一化合物、由下述[化学式2]表示的第二化合物、由下述[化学式3]表示的第三化合物、由下述[化学式4]表示的第四化合物、由下述[化学式5]表示的第五化合物、由下述[化学式6]表示的第六化合物以及第七化合物，其中，所述第七化合物为内酰胺化合物，成环原子为5个以内，在所述内酰胺化合物中，作为成环原子的氮（N）与不形成环的氢（H）或碳原子数为1个的烷基结合。

[化学式1]

在所述[化学式1]中，R₁是氢（H）、碳原子数为1个的烷基、碳原子数为2个的烷基、碳原子数为3个的烷基、钾（K）或者钠（Na）。

[化学式2]

在所述[化学式2]中，R₂是氢（H）或者碳原子数为1个的烷基。

[化学式3]

在所述[化学式3]中，R₃、R₄以及R₅各自是氢（H）、碳原子数为1个的烷基、碳原子数为2个的烷基或者碳原子数为3个的烷基。

[化学式4]

在所述[化学式4]中，R₆及R₇各自是氢（H）、碳原子数为1个的烷基或者碳原子数为2个的烷基。

[化学式5]

在所述[化学式5]中，R₈及R₉各自是氢（H）、碳原子数为1个的烷基或者碳原子数为2个的烷基。

[化学式6]

在所述[化学式6]中，R₁₀及R₁₁各自是氢（H）或者碳原子数为1个的烷基。

根据实施例，所述湿式清洗步骤可以执行两次以上。

根据实施例，所述清洗液可以包括所述第三化合物，基于所述清洗液的总重量，所述第三化合物的含量可以为50wt%以上。

根据实施例，所述清洗液可以包括所述第七化合物，基于所述清洗液的总重量，所述第七化合物的含量可以为50wt%以上。

根据实施例，所述清洗液可以包括所述第三化合物及所述第七化合物，基于所述清洗液的总重量，所述第三化合物和所述第七化合物的总含量可以为50wt%以上。

根据实施例，所述掩模可以包括多个开口部，所述多个开口部中的每一个的宽度可以为10μm以下，所述掩模的厚度可以为5μm以下，所述掩模可以包括硅（Si）。

根据实施例，形成所述发光部的步骤可以包括通过沉积有机发光材料而形成所述发光部的步骤。

根据实施例，所述显示装置的制造方法还可以包括如下步骤：将所述掩模移出至所述腔室的外部；以及对所述掩模进行第二次清洗，其中，对所述掩模进行第二次清洗的步骤可以在将所述掩模移出至所述腔室的外部的步骤之后执行。

根据实施例，对所述掩模进行第二次清洗的步骤包括利用湿式清洗、干式清洗、利用二流体的清洗以及利用超临界流体的清洗中的至少一种方法来清洗所述掩模的步骤，所述湿式清洗可以包括使用所述清洗液来清洗所述掩模的方法，所述干式清洗可以包括利用离子束、激光、等离子体、二氧化碳（CO₂）以及臭氧（O₃）中的至少一种来清洗所述掩模的方法。

根据本公开的实施例的用于沉积显示装置的发光部的掩模的清洗方法，所述掩模的清洗方法可以包括如下步骤：对所述掩模进行第一次清洗；以及对所述掩模进行第二次清洗，其中，对所述掩模进行第一次清洗的步骤在制造所述掩模的第一时间点与在执行上述发光部的沉积的腔室内布置所述掩模的第二时间点之间执行，在所述第一时间点与所述第二时间点之间，所述掩模可以不使用于形成所述发光部的沉积工艺。

根据实施例，对所述掩模进行第一次清洗的步骤及对所述掩模进行第二次清洗的步骤可以分别包括利用清洗液对所述掩模进行湿式清洗的步骤，所述清洗液可以包括由所述[化学式1]表示的第一化合物、由所述[化学式2]表示的第二化合物、由所述[化学式3]表示的第三化合物、由所述[化学式4]表示的第四化合物、由所述[化学式5]表示的第五化合物、由所述[化学式6]表示的第六化合物以及所述第七化合物中的至少一种。

根据实施例，对所述掩模进行第一次清洗的步骤及对所述掩模进行第二次清洗的步骤分别包括利用湿式清洗、干式清洗、利用二流体的清洗及利用超临界流体的清洗中的至少一种方法对所述掩模进行清洗的步骤，所述掩模可以包括多个开口部，所述多个开口部中的每一个的宽度可以为10μm以下，所述掩模的厚度可以为5μm以下，所述掩模可以包括硅（Si）。

根据实施例，所述显示装置可以包括有机发光元件。

根据本公开的实施例的掩模用清洗液可以包括由所述[化学式1]表示的第一化合物、由所述[化学式2]表示的第二化合物、由所述[化学式3]表示的第三化合物、由所述[化学式4]表示的第四化合物、由所述[化学式5]表示的第五化合物、由所述化学式6表示的第六化合物以及所述第七化合物中的至少一种。

根据实施例，所述清洗液可以包括所述第三化合物，基于所述掩模用清洗液的总重量，所述第三化合物的含量可以为50wt%以上。

根据实施例，所述清洗液可以包括所述第七化合物，基于所述掩模用清洗液的总重量，所述第七化合物的含量可以为50wt%以上。

根据实施例，所述清洗液可以包括所述第三化合物及所述第七化合物，基于所述掩模用清洗液的总重量，所述第三化合物和所述第七化合物的总含量可以为50wt%以上。

根据本公开的实施例的电子设备可以包括显示装置，所述显示装置可以根据所述显示装置的制造方法而制造。

根据本公开的实施例，可以提供一种能够使存在于掩模上的异物减少的掩模用清洗液及掩模的清洗方法。

根据本公开的实施例，提供一种能够使显示装置的不良率降低的显示装置的制造方法。

附图说明

图1是示出根据实施例的显示装置的示意性的平面图。

图2至图4是根据实施例的图1所示的像素的示意性的平面图。

图5是示出根据实施例的显示装置的示意性的剖面图。

图6是示出根据实施例的发光元件的示意性的剖面图。

图7是示出根据实施例的显示装置的制造方法的示意性的流程图。

图8是根据实施例的掩模的示意性的平面图。

图9是示出根据实施例的显示装置的制造方法的工艺步骤上的示意性的剖面图。

图10是第一实验例和第一比较例的TD-GC/MS分析图。

图11是第二实验例和第二比较例的TD-GC/MS分析图。

附图标记说明

具体实施方式

本公开可以施加多种变更且可以具有各种形态，并且将在附图中例示并在本文中详细说明特定实施例。然而，这并不是要将本公开限定于特定的公开形态，应当理解为，包括在本公开的构思及技术范围的所有变更、等同物乃至替代物均被包括在内。

“第一”、“第二”等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不能被所述术语限定。所述术语仅用于将一个构成要素与另一个构成要素进行区分的目的。例如，在不脱离本公开的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。除非语境中另有明确说明，否则单数的表述也包括复数的表述。

在本公开中，“包括”或“具有”等术语应当理解为，用于指定说明书中记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或它们的组合的存在，而不是预先排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、操作、构成要素、部件或它们的组合的存在或附加可能性。并且，在提及层、膜、区域、板等部分位于另一部分“上”的情形下，这不仅包括位于另一部分的“紧邻的上方”的情形，还包括在它们中间存在其他部分的情形。此外，在本说明书中，在提及某一层、膜、区域、板等部分形成于另一部分上（on）的情形下，形成方向并不仅限于上部方向，还包括在侧面或下部方向上形成的情形。相反，在提及层、膜、区域、板等部分位于另一部分“下”的情形下，这不仅包括位于另一部分的“紧邻的下方”的情形，还包括在它们中间存在其他部分的情形。

本公开涉及一种掩模用清洗液、掩模的清洗方法以及显示装置的制造方法。下面，参照附图对根据实施例的掩模用清洗液、掩模的清洗方法以及显示装置的制造方法进行说明。首先，参照图1至图6，对可以根据显示装置DD的制造方法制造的显示装置DD进行说明。

图1是示出根据实施例的显示装置的示意性的平面图。图2至图4是根据实施例的图1所示的像素的示意性的平面图。图5是示出根据实施例的显示装置的示意性的剖面图。图6是示出根据实施例的发光元件的示意性的剖面图。

显示装置DD可以构成为发光。显示装置DD可以包括发光元件LD（参照图5）。根据实施例，显示装置DD可以是显示动态图像或静止图像的装置。显示装置DD不仅可以用于诸如移动电话（mobile phone）、智能电话（smart phone）、平板个人计算机（PC：tabletpersonal computer）以及智能手表（smart watch）、手表电话（watch phone）等便携式电子设备的显示屏幕，还可以用于电视、笔记本计算机、显示器、广告板以及物联网（IOT：internet of things）装置等多种电子设备等的产品的显示屏幕。然而，显示装置DD的应用领域不限于特定的示例。所述电子设备可以包括上述显示装置DD。

显示装置DD可以形成为具有第一方向DR1上的短边和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上的长边的矩形形态的平面。第一方向DR1上的短边与第二方向DR2上的长边相遇的边角（corner）可以以具有预定的曲率的方式圆滑地形成或者形成为直角。显示装置DD的平面形态不限于四边形，也可以形成为其他多边形、如圆形或椭圆形一样圆滑的形态。显示装置DD可以平坦地形成，但不限于此。例如，显示装置DD可以包括形成于左右侧末端且具有预定的曲率或者具有变化的曲率的曲面部。此外，显示装置DD可以柔软地形成为能够弯曲、弯折、卷曲、折叠或卷绕。

在本公开中，第一方向DR1可以是作为像素PXL的行方向的“水平”方向。第二方向DR2可以是像素PXL的列方向。第三方向DR3可以是显示装置DD的显示方向或者布置有基础层BSL的平面的法向（normal）方向。

显示装置DD可以包括显示区域DA及非显示区域NDA。非显示区域NDA可以表示显示区域DA之外的区域。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。

基础层BSL可以形成显示装置DD的基础部件。为了提高子像素SPX的集成度，基础层BSL可以设置为硅基板。基础层BSL可以包括利用半导体工艺形成的硅晶圆基板。基础层BSL可以包括适合于形成电路元件的半导体物质。例如，半导体物质可以包括硅、锗和/或硅-锗。基础层BSL也可以由块状晶圆（bulk wafer）、外延层（epitaxial layer）、绝缘体上硅（SOI：Silicon On Insulator）层或者绝缘体上半导体（SeOI：Semiconductor OnInsulator）层等提供。

显示区域DA可以表示布置有像素PXL的区域。非显示区域NDA可以表示未设置像素PXL的区域。在非显示区域NDA中可以布置有连接于显示区域DA的像素PXL的驱动电路部、布线以及垫。

根据实施例，像素PXL（或子像素SPX）可以根据条纹（stripe）或排列结构等进行排列。然而，本公开并非必须限于此。

根据实施例，像素PXL可以包括发光元件LD。像素PXL（或子像素SPX）可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2以及第三子像素SPX3。至少一个第一子像素SPX1、第二子像素SPX2以及第三子像素SPX3可以形成能够发出多种颜色的光的一个像素单元PXU。

根据一实施例的显示装置DD的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2以及第三子像素SPX3可以具有微米级或纳米级的宽度。例如，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2以及第三子像素SPX3可以具有由第一方向DR1或第二方向DR2定义的10μm以下的宽度，根据一实施例的显示装置DD可以是微型显示器（Micro Display）。然而，本公开不限于此。

在图1中，例示了像素PXL中的每一个包括三个子像素SPX1、SPX2、SPX3的情形，但本说明书的实施例不限于此。

参照图2，子像素SPX可以具有矩形、正方形或菱形的平面形态。例如，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2以及第三子像素SPX3中的每一个可以具有如图2所示的第一方向DR1上的短边和第二方向DR2上的长边的矩形的平面形态。或者，子像素SPX可以具有包括在第一方向DR1和第二方向DR2上具有相同长度的边的正方形或菱形的平面形态。

在一示例中，第一子像素SPX1至第三子像素SPX3的面积可以实质上相同，但不限于此。例如，第一子像素SPX1至第三子像素SPX3的面积中的至少一个可以与其他一个不同。或者，第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积以及第三子像素SPX3的面积中的任意两个可以实质上相同，其余一个可以与所述两个不同。或者，第一子像素SPX1的面积、第二子像素SPX2的面积以及第三子像素SPX3的面积可以彼此不同。

参考图3，第一子像素SPX1可以与第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的任意一个沿第一方向DR1排列，与其余一个沿第二方向DR2排列。例如，第一子像素SPX1可以与第二子像素SPX2沿第一方向DR1排列，第一子像素SPX1可以与第三子像素SPX3沿第二方向DR2排列。

在一示例中，第三子像素SPX3可以布置于第一子像素SPX1及第二子像素SPX2的第二方向DR2上。在一示例中，第一子像素SPX1及第二子像素SPX2的面积可以实质上相同，第三子像素SPX3的面积可以与第一子像素SPX1及第二子像素SPX2的面积不同。例如，第三子像素SPX3的面积可以大于第一子像素SPX1及第二子像素SPX2的面积。

参考图4，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2以及第三子像素SPX3中的每一个可以具有六边形或正六边形的平面形态。在一示例中，第一子像素SPX1至第三子像素SPX3中的每一个的六个面中的相邻的两个面可以与相邻的子像素的一个面面对。

第一子像素SPX1可以发出第一光，第二子像素SPX2可以发出第二光，第三子像素SPX3可以发出第三光。在此，第一光可以是红色波长带的光，第二光可以是绿色波长带的光，第三光可以是蓝色波长带的光。

第一子像素SPX1、第二子像素SPX2以及第三子像素SPX3中的每一个可以包括被构成为能够发光的发光元件LD。

根据本公开的发光元件LD可以是有机发光元件（OLED：Organic Light EmittingElement）。例如，根据一实施例的发光元件LD可以是具有微米级或纳米级的有机发光元件。

参照图5及图6，显示装置DD可以包括像素电路层PCL及发光元件层LEL。

像素电路层PCL可以是包括用于驱动发光元件LD的像素电路的层。像素电路层PCL可以包括基础层BSL、用于形成像素电路的导电层以及布置于所述导电层之间的绝缘层。

像素电路PXC可以包括晶体管（Transistor），并且可以与发光元件LD电连接而提供用于发光元件LD发光的电信号。

发光元件层LEL可以布置于像素电路层PCL上。根据实施例，发光元件层LEL可以包括发光元件LD、像素限定膜PDL以及封装层TFE。

发光元件LD可以布置于像素电路层PCL上。根据实施例，发光元件LD可以包括第一电极ELT1、发光部EL以及第二电极ELT2。

根据实施例，发光部EL可以布置于借由像素限定膜PDL定义的区域。根据实施例，借由像素限定膜PDL定义的区域的第一方向DR1或第二方向DR2上的宽度可以是10μm以下。发光部EL的一表面可以与第一电极ELT1电连接，发光部EL的另一表面可以与第二电极ELT2电连接。

第一电极ELT1可以是针对发光部EL的阳极电极ANO，第二电极ELT2可以是针对发光部EL的阴极电极CAT。根据实施例，第一电极ELT1及第二电极ELT2可以包括导电性物质。例如，第一电极ELT1可以包括具有反射性质的导电性物质，第二电极ELT2可以包括透明导电性物质，但本公开并非必须限于此。第一电极ELT1可以是针对发光部EL的阴极电极CAT，第二电极ELT2也可以是针对发光部EL的阳极电极ANO。

发光部EL可以具有包括光生成层（light generation layer）（例如，发光层EML）的多层薄膜结构。发光部EL可以配备有注入空穴的空穴注入层（hole injection layer）HIL、空穴的传输性优异且用于通过抑制在发光层EML中未能结合的电子的移动而使空穴与电子的再结合机会增加的空穴传输层（hole transport layer）HTP、借由注入的电子和空穴的再结合而发光的发光层EML、用于向发光层顺利传输电子的电子传输层（electrontransport layer）ETL以及注入电子的电子注入层（electron injection layer）EIL。发光部EL可以基于从阳极电极ANO（例如，第一电极ELT1）及阴极电极CAT（例如，第二电极ELT2）提供的电信号而发光。

在图6中，示出了发光元件LD具有一个发光部EL的情形，但本公开不限于此。根据实施例，发光部EL可以形成为多个，多个发光部EL可以将电荷生成层置于之间而沿第三方向DR3堆叠，根据实施例，发光元件LD可以具有串联（tandem）结构。

像素限定膜PDL可以布置于像素电路层PCL上而定义排列发光部EL的位置。像素限定膜PDL的至少一部分可以布置于第一电极ELT1上。像素限定膜PDL可以布置于像素电路层PCL上而暴露第一电极ELT1的至少一部分。像素限定膜PDL可以包括无机材料。例如，像素限定膜PDL可以包括硅氧化物（SiO_x）及硅氮化物（SiN_x）中的至少一种。然而，本公开不限于此。像素限定膜PDL也可以包括有机材料。根据实施例，像素限定膜PDL可以包括由丙烯酸酯树脂（acryl resin）、环氧树脂（epoxy resin）、酚醛树脂（phenol resin）、聚酰胺树脂（polyamide resin）以及聚酰亚胺树脂（polyimide resin）组成的组中的一种以上。然而，本公开不限于此。

封装层TFE可以布置于发光元件LD（例如，第二电极ELT2）上。封装层TFE可以抵消借由发光元件LD及像素限定膜PDL产生的阶梯差。封装层TFE可以包括覆盖发光元件LD的多个绝缘膜。根据实施例，封装层TFE也可以具有无机膜与有机膜交替堆叠的结构。

除了图5所示的堆叠结构之外，显示装置DD还可以具有多种堆叠结构，本公开的显示装置DD的堆叠结构不限于图5所示的实施例。

以下，参照图7至图9对根据实施例的显示装置DD的制造方法及掩模用清洗液进行说明。图7是示出根据实施例的显示装置的制造方法的示意性的流程图。图8是根据实施例的掩模的示意性的平面图。图9是示出根据实施例的显示装置的制造方法的工艺步骤上的示意性的剖面图。

参照图7，显示装置DD的制造方法可以包括如下步骤：对掩模进行第一次清洗（S100）；将掩模布置于腔室内（S200）；形成发光部（S300）；将掩模移出至腔室的外部（S400）；以及对掩模进行第二次清洗（S500）。

掩模作为用于沉积显示装置DD的发光部EL的沉积用掩模，参照图8，掩模MSK可以包括多个开口部OPN。在形成发光部的步骤S300中，用于形成发光部EL的沉积物质可以通过多个开口部OPN被沉积，从而可以形成发光部EL。

开口部OPN中的每一个可以具有开口部宽度OPN_W。开口部宽度OPN_W可以沿第一方向DR1或第二方向DR2定义。根据实施例，开口部宽度OPN_W可以是10μm以下。在开口部宽度OPN_W过大的情形下（例如，超过10μm的情形下），可能难以沉积微型显示器的发光部EL。根据实施例，在掩模MSK的开口部宽度OPN_W形成为10μm以下的情形下，掩模MSK可以适合于沉积微型显示器的发光部EL。

根据实施例，掩模MSK可以具有5μm以下的厚度。掩模MSK的厚度可以沿第三方向DR3定义。在掩模MSK的厚度过大的情况形下（例如，超过5μm的情形下），可能难以减小开口部宽度OPN_W。根据实施例，掩模MSK可以具有5μm以下的厚度，并且可以适合于沉积微型显示器的发光部EL。

掩模MSK可以包括硅（Si）。随着根据本公开的掩模MSK包括硅（Si），可以具有与基础层BSL实质上相同的热膨胀系数。微型显示器的基础层BSL可以包括硅基板，根据实施例，掩模MSK也包括硅（Si），从而掩模MSK和基础层BSL可以具有实质上相同的热膨胀系数。

根据本发明的显示装置DD的制造方法包括掩模MSK的清洗方法。掩模MSK的清洗方法可以包括如下步骤：对掩模进行第一次清洗（S100）；以及对掩模进行第二次清洗（S500）。

对掩模进行第一次清洗的步骤S100可以在将掩模布置于腔室内的步骤S200之前执行。对掩模进行第一次清洗的步骤S100可以在制造掩模MSK的时间点（以下，第一时间点）与将掩模MSK布置于腔室CB（参照图9）内的时间点（以下，第二时间点）之间执行。

根据本公开的腔室CB可以是执行形成发光部的步骤300的沉积用腔室。在对掩模进行第一次清洗的步骤S100中被清洗的掩模MSK是指在第一时间点与第二时间点之间进行的沉积工艺中从未被使用过的掩模MSK。例如，掩模MSK可以是在对掩模进行第一次清洗的步骤S100之前未在形成发光部EL的沉积工艺中使用过的掩模MSK。例如，在对掩模进行第一次清洗的步骤S100中被清洗的掩模MSK可以对应于在制造掩模MSK之后从未被使用于沉积工艺的初始的掩模MSK。

在初始的掩模MSK上可能存在制造掩模MSK时形成的异物及在制造掩模MSK之后从外部环境流入的异物等。在现有技术中，由于对初始的掩模MSK不进行清洗而直接使用，因此在沉积发光部EL时可能会混入异物。

根据本公开的显示装置DD的制造方法包括对掩模进行第一次清洗的步骤S100，据此能够在沉积发光部EL之前去除存在于初始的掩模MSK的表面的异物，并且可以使存在于掩模MSK的表面上的异物减少。由此，可以降低在沉积发光部EL时异物被混入的风险。

对掩模进行第二次清洗的步骤S500可以在形成发光部的步骤S300之后执行。例如，对掩模进行第二次清洗的步骤S500可以在第二时间点之后执行。对掩模进行第二次清洗的步骤S500可以在第二时间点之后将掩模移出至腔室的外部的步骤S400之后执行。

在对掩模进行第二次清洗的步骤S500中被清洗的掩模MSK是指在用于形成发光部EL的沉积工艺中至少使用过一次的掩模MSK。根据本公开的显示装置DD的制造方法包括对掩模进行二次清洗的步骤S500，据此能够在沉积发光部EL之后去除存在于掩模MSK的表面的异物，并且可以使掩模MSK的表面上存在的异物减少。由此，在重复使用掩模MSK的情形下，可以降低在沉积发光部EL时异物被混入的风险。

对掩模进行第一次清洗的步骤S100及对掩模进行第二次清洗的步骤S500可以分别包括利用湿式清洗、干式清洗、利用二流体的清洗以及利用超临界流体的清洗中的至少一种方法来清洗掩模MSK的步骤。对掩模进行第一次清洗的步骤S100及对掩模进行第二次清洗的步骤S500分别根据实施例可以利用湿式清洗、干式清洗、利用二流体的清洗以及利用超临界流体的清洗中的一种方法，或者根据实施例，也可以利用两种以上的方法。

湿式清洗作为使用清洗液来清洗掩模MSK的方法可以包括浸渍（Dipping）、喷嘴喷射（Nozzle Spray）、超声波（Ultrasonic）、旋转（Spin）以及刷子（Brush）中的至少一种来清洗掩模MSK的方法。

利用浸渍的清洗方法为将掩模MSK浸渍于装有清洗液的浴锅（bath）等来进行清洗的方法。利用喷嘴喷射的清洗方法是使用喷嘴喷射向掩模MSK喷射清洗液来进行清洗的方法。利用超声波的清洗方法是利用清洗液和超声波来清洗掩模MSK的方法。利用旋转的清洗方法是使掩模MSK旋转的同时喷射清洗液来进行清洗，或者在旋转的清洗液中清洗掩模MSK的方法。利用刷子的清洗方法是通过使用清洗液和刷子来清洗掩模MSK的方法。然而，本公开不限于此，根据实施例，湿式清洗可以包括公知的多种湿式清洗方法。

根据实施例，在对掩模进行第一次清洗的步骤S100及对掩模进行第二次清洗的步骤S500分别包括湿式清洗的步骤的情形下，湿式清洗的步骤可以包括利用清洗液对掩模MSK进行两次以上湿式清洗的步骤。例如，湿式清洗的步骤可以执行两次以上。在对掩模MSK进行两次以上湿式清洗的情形下，能够更有效地去除存在于掩模MSK的异物，并且能够进一步减少异物。

根据实施例，清洗液可以包括以下化合物中的至少一种：由下述[化学式1]表示的化合物（第一化合物）、由下述[化学式2]表示的化合物（第二化合物）、由下述[化学式3]表示的化合物（第三化合物）、由下述[化学式4]表示的化合物（第四化合物）、由下述[化学式5]表示的化合物（第五化合物）、由下述[化学式6]表示的化合物（第六化合物）以及内酰胺化合物（第七化合物），其中，所述内酰胺化合物的成环原子为5个以内，在所述内酰胺化合物中，作为成环原子的氮（N）可以与不形成环的氢（H）或碳原子数为1个的烷基结合的化合物。在此，成环原子为5个以内表示五边形以内的环状化合物。在内酰胺化合物中，与作为成环原子的氮（N）结合的氢（H）或碳原子数为1个的烷基作为内酰胺化合物的侧链，侧链可以不形成环。

[化学式1]

根据实施例，在[化学式1]中，R₁可以是氢（H）、碳原子数为1个的烷基、碳原子数为2个的烷基、碳原子数为3个的烷基、钾（K）或者钠（Na）。例如，第一化合物可以包括乙醇（Ethanol）、异丙醇（isopropyl alcohol）以及氢氧化钾（KOH）。

[化学式2]

根据实施例，在[化学式2]中，R₂可以是氢（H）或者碳原子数为1个的烷基。例如，第二化合物可以包括甲酸（formic acid）及乙酸（acetic acid）。

[化学式3]

根据实施例，在[化学式3]中，R₃、R₄以及R₅各自可以是氢（H）、碳原子数为1个的烷基、碳原子数为2个的烷基或者碳原子数为3个的烷基。例如，第三化合物可以包括甲酰胺（formamide）、N,N-二甲基甲酰胺（N,N-dimethyl formamide）及N,N-二乙基甲酰胺（N,N-diethyl formamide）。

[化学式4]

根据实施例，在[化学式4]中，R₆及R₇各自可以是氢（H）、碳原子数为1个的烷基或者碳原子数为2个的烷基。例如，第四化合物可以包括丙酮（acetone）及甲基乙基酮（methylethyl ketone）。

[化学式5]

根据实施例，在[化学式5]中，R₈及R₉各自可以是氢（H）、碳原子数为1个的烷基或者碳原子数为2个的烷基。例如，第五化合物可以包括二甲基亚砜（dimethyl sulfoxide）。

[化学式6]

根据实施例，在[化学式6]中，R₁₀及R₁₁各自可以是氢（H）或者碳原子数为1个的烷基。例如，第六化合物可以包括过氧化氢（hydrogen peroxide）。

例如，第七化合物可以包括2-吡咯烷酮（2-pyrrolidone）及N-甲基-2-吡咯烷酮（N-Methyl-2-pyrrolidone）。

根据实施例，基于清洗液总重量，第一化合物至第七化合物中的至少一种的含量可以为50wt%以上100wt%以下。根据实施例，清洗液可以包括第三化合物，基于清洗液的总重量，第三化合物的含量可以为50wt%以上100wt%以下。根据实施例，清洗液可以包括第七化合物，基于清洗液的总重量，第七化合物的含量可以为50wt%以上100wt%以下。

根据实施例，清洗液可以包括第一化合物至第七化合物中的至少两种。例如，根据实施例，可以包括第三化合物及第七化合物，并且基于清洗液的总重量，第三化合物及第七化合物的总含量可以为50wt%以上100wt%以下。

在清洗液中的R₁至R₁₁是烷基的情形下，如果碳原子数过度增加，则清洗液的清洗效果可能降低。例如，可能无法有效地去除掩模MSK上的异物。由于根据本公开的清洗液中的R₁至R₁₁包含具有前述的数值范围的碳原子数的烷基，因此清洗液的清洗效果不会降低。

在清洗液包括第七化合物的情形下，如果与氮（N）结合的侧链的碳原子数过度增加，则清洗液的清洗效果可能会降低。在第七化合物中氮（N）与作为侧链的氢（H）或碳原子数为1个的烷基结合，据此即使清洗液包括第七化合物，清洗效果也不会降低。

根据本公开的清洗液作为掩模MSK用清洗液，包括第一化合物至第七化合物中的至少一种，据此能够有效地去除存在于掩模MSK的异物，并能够使存在于掩模MSK上的异物减少。

干式清洗可以包括利用离子束、激光、等离子体、二氧化碳（CO₂）以及臭氧（O₃）中的至少一种来清洗掩模MSK的方法。然而，本公开不限于此，根据实施例，干式清洗可以包括公知的多种干式清洗方法。

利用二流体的清洗是使用混合了两种以上的流体的二流体进行清洗的方法。根据实施例，两种以上的流体可以是液体和气体，气体可以以气泡的形态存在于液体内。利用超临界流体的清洗例如可以包括二氧化碳（CO₂）。

参照图9，将掩模布置于腔室内的步骤S200可以包括以使开口部OPN与发光部EL排列的位置对应的方式布置掩模MSK的步骤。当从平面上观察时，借由像素限定膜PDL定义的发光部EL所排列的位置和掩模MSK的开口部OPN可以重叠。

将掩模布置于腔室内的步骤S200之后，可以执行形成发光部的步骤S300。在形成发光部的步骤S300之前，可以形成像素电路层PCL和第一电极ELT1。显示装置DD的制造方法还可以包括形成像素电路层PCL的步骤以及在像素电路层PCL上形成第一电极ELT1的步骤。

形成发光部的步骤S300可以包括通过沉积形成发光部EL的材料（例如，有机发光材料）来形成发光部EL的步骤。形成发光部的步骤S300可以在腔室CB内进行。形成发光部EL的材料可以通过掩模MSK的开口部OPN，并且可以通过开口部OPN而沉积在借由像素限定膜PDL定义的位置。

结合图5，在形成发光部的步骤S300之后，还可以执行形成第二电极ELT2的步骤以及形成封装层TFE的步骤，并且可以制造根据实施例的显示装置DD。

在形成发光部的步骤S300之后，可以执行将掩模移出至腔室的外部的步骤S400。掩模MSK可以在形成发光部EL之后被移出至腔室CB的外部。在将掩模移出至腔室的外部的步骤S400之后，可以执行对掩模进行二次清洗的步骤S500。

以下，参考实验结果对根据本公开的掩模MSK的清洗方法的掩模MSK上的异物残留率进行说明。

<执行对掩模进行第一次清洗的步骤S100的实验例>

首先，参照图10及图11，对执行对掩模进行第一次清洗的步骤S100的情况和未执行对掩模进行第一次清洗的步骤S100的情况的掩模MSK上的异物残留率进行说明。图10是第一实验例和第一比较例的TD-GC/MS分析图。图11是第二实验例和第二比较例的TD-GC/MS分析图。第一实验例和第二实验例的掩模MSK是指在沉积工艺中使用掩模MSK之前经过清洗的掩模MSK。与此相比，第一比较例和第二比较例的掩模MSK是指在沉积工艺中使用掩模MSK之前未被清洗的掩模MSK。第一实验例、第二实验例、第一比较例以及第二比较例的掩模MSK均为在沉积工艺中从未被使用过的初始的掩模MSK。

清洗第一实验例和第二实验例的掩模MSK的方法采用了利用浸渍的湿式清洗方法。第一实验例的掩模MSK在包括N-甲基-2-吡咯烷酮（N-Methyl-2-pyrrolidone）的第一清洗液、包括乙醇的第二清洗液、包括丙酮（acetone）的第三清洗液中依次分别浸渍10分钟后，以相同的清洗过程重复了三次。第二实验例的掩模MSK在包括N,N-二甲基甲酰胺（N,N-dimethyl formamide）及N,N-二乙基甲酰胺（N,N-diethyl formamide）的第一清洗液、包括乙醇的第二清洗液以及包括丙酮（acetone）的第三清洗液中依次分别浸渍10分钟后，以相同的清洗过程重复了三次。

在图10及图11中，Y轴表示通过燃烧存在于掩模MSK上的物质而产生的气体的捕获量，X轴表示进行分析的时间。参照图10的热脱附气相色谱-质谱仪（TD-GC/MS：ThermalDesorption Gas Chromatograph-Mass spectrometer）分析图，可以确认，相比于第一比较例的TD-GC/MS分析图1000，在第一实验例的TD-GC/MS分析图2000中观察到的气体的捕获量少。参照图11的TD-GC/MS分析图，可以确认，相比于第二比较例的TD-GC/MS分析图3000，在第二实验例的TD-GC/MS图4000中观察到的气体的捕获量少。气体的捕获量小意味着存在于掩模MSK上的异物存在较少，这意味着相比于未进行清洗的初始的情形，掩模MSK上的异物被进一步去除。

根据本公开的掩模MSK的清洗方法及显示装置DD的制造方法，对未使用于沉积工艺的掩模MSK在沉积发光部EL之前预先进行清洗，从而可以防止在沉积发光部EL时异物混入到显示装置DD中，并且可以使显示装置DD的不良率降低。

<执行对掩模进行第二次清洗的步骤S500的实验例>

利用第三实验例及第四实验例来测量了在执行了对掩模进行第二次清洗的步骤S500时的掩模MSK上的异物残留率。第三实验例及第四实验例的掩模MSK是指在沉积工艺中使用掩模MSK之后被清洗的掩模MSK。与此相比，第三比较例和第四比较例的掩模MSK是指在沉积工艺中使用掩模MSK之后未被清洗的掩模MSK。

清洗第三实验例的掩模MSK的方法采用了利用浸渍的湿式清洗方法。第三实验例的掩模MSK在包括N-甲基-2-吡咯烷酮（N-Methyl-2-pyrrolidone）的第一清洗液、包含蒸馏水、氢氧化钾的第二清洗液以及蒸馏水中依次分别浸渍10分钟后，以相同的清洗过程重复了三次。清洗第四实验例的掩模MSK的方法采用了干式清洗方法。使用了ECOLITE 3000（PSKHolding公司型号）作为用于干式清洗的装置，ECOLITE 3000的使用条件设定为温度25℃、压力450mTorr、M/W 1500W、射频偏置 300W（RF Bias 300W）、间隙（Gap）50mm、O₂2000sccm、N₂200sccm。

为了测量第三实验例和第三比较例各自的掩模MSK上的异物残留率，利用了液相色谱/质谱（LC/MS：Liquid Chromatography/Mass Spectrometry）。确认到相比于第三比较例的掩模MSK，在第三实验例的掩模MSK中检测到更少的化学物质的种类和更少的化学物质的量。这意味着，相比于第三比较例的掩模MSK，在第三实验例的掩模MSK中存在更少的异物，并且意味着相比于未对掩模MSK上的异物进行清洗的第三比较例的掩模MSK，第三实验例的掩模MSK中的异物被进一步去除。

为了测量第四实验例和第四比较例各自的掩模MSK上的异物残留率，利用了电感耦合等离子体质谱仪（ICP/MS：Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry）。确认到相比于第四比较例的掩模MSK，在第四实验例的掩模MSK中检测到更少的化学物质的种类和更少的化学物质的量。这意味着，相比于第四比较例的掩模MSK，在第四实验例的掩模MSK中存在更少的异物，并且意味着相比于未对掩模MSK上的异物进行清洗的第四比较例的掩模MSK，第四实验例的掩模中的异物被进一步去除。

根据本公开的掩模的清洗方法及显示装置的制造方法通过清洗在沉积工艺中使用的掩模MSK，从而在之后沉积发光部EL时再使用掩模MSK时，能够防止异物混入显示装置DD，并且可以使显示装置DD的不良率降低。

如上所述，虽然参照本公开的优选实施例进行了说明，但只要是本技术领域的成熟的技术人员或具有本技术领域的普通知识的人员，就能够理解为，在不脱离权利要求书中记载的本公开的构思及技术领域的范围内，可以对本公开进行多种修改及变更。

因此，本公开的技术范围并不限于说明书的详细说明中记载的内容，而应由权利要求书来确定。

Claims (10)

1.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：

形成像素电路层以及在所述像素电路层上形成第一电极；

对掩模进行第一次清洗；

将所述掩模布置于腔室内；以及

在所述腔室内在所述第一电极上形成发光部，

其中，在对所述掩模进行第一次清洗步骤之前，所述掩模未被使用于沉积工艺。

2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

形成所述发光部的步骤包括沉积所述发光部的步骤，

对所述掩模进行第一次清洗的步骤在制造所述掩模的第一时间点与所述掩模布置于所述腔室内的第二时间点之间执行，

在所述第一时间点与所述第二时间点之间，所述掩模未被使用于形成所述发光部的所述沉积工艺。

3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

对所述掩模进行第一次清洗的步骤包括如下步骤：利用湿式清洗、干式清洗、利用二流体的清洗以及利用超临界流体的清洗中的至少一种方法来清洗所述掩模。

4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

对所述掩模进行第一次清洗的步骤包括利用清洗液对所述掩模进行湿式清洗的步骤，

所述清洗液包括以下化合物中的至少一种：由下述[化学式1]表示的第一化合物、由下述[化学式2]表示的第二化合物、由下述[化学式3]表示的第三化合物、由下述[化学式4]表示的第四化合物、由下述[化学式5]表示的第五化合物、由下述[化学式6]表示的第六化合物以及第七化合物，其中，所述第七化合物为内酰胺化合物，成环原子为5个以内，在所述内酰胺化合物中，作为成环原子的氮与不形成环的氢或碳原子数为1个的烷基结合：

[化学式1]

，

在所述[化学式1]中，R₁是氢、碳原子数为1个的烷基、碳原子数为2个的烷基、碳原子数为3个的烷基、钾或者钠；

[化学式2]

，

在所述[化学式2]中，R₂是氢或者碳原子数为1个的烷基；

[化学式3]

，

在所述[化学式3]中，R₃、R₄以及R₅各自是氢、碳原子数为1个的烷基、碳原子数为2个的烷基或者碳原子数为3个的烷基；

[化学式4]

，

在所述[化学式4]中，R₆及R₇各自是氢、碳原子数为1个的烷基或者碳原子数为2个的烷基；

[化学式5]

，

在所述[化学式5]中，R₈及R₉各自是氢、碳原子数为1个的烷基或者碳原子数为2个的烷基；

[化学式6]

，

在所述[化学式6]中，R₁₀及R₁₁各自是氢或者碳原子数为1个的烷基，

所述显示装置的制造方法还包括如下步骤：

将所述掩模移出至所述腔室的外部；以及

对所述掩模进行第二次清洗，

其中，对所述掩模进行第二次清洗的步骤在将所述掩模移出至所述腔室的外部的步骤之后执行，

对所述掩模进行第二次清洗的步骤包括如下步骤：利用湿式清洗、干式清洗、利用二流体的清洗以及利用超临界流体的清洗中的至少一种方法来清洗所述掩模，

所述湿式清洗包括使用所述清洗液来清洗所述掩模的方法，

所述干式清洗包括利用离子束、激光、等离子体、二氧化碳以及臭氧中的至少一种来清洗所述掩模的方法。

5.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其中，

所述清洗液包括所述第三化合物，

基于所述清洗液的总重量，所述第三化合物的含量为50wt%以上。

6.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其中，

所述清洗液包括所述第七化合物，

基于所述清洗液的总重量，所述第七化合物的含量为50wt%以上。

7.如权利要求4所述的显示装置的制造方法，其中，

所述清洗液包括所述第三化合物及所述第七化合物，

基于所述清洗液的总重量，所述第三化合物及所述第七化合物的总含量为50wt%以上。

8.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述掩模包括多个开口部，

所述多个开口部中的每一个的宽度为10μm以下，

所述掩模的厚度为5μm以下，

所述掩模包括硅，

形成所述发光部的步骤包括通过沉积有机发光材料而形成所述发光部的步骤。

9.一种掩模用清洗液，包括以下化合物中的至少一种：由下述[化学式1]表示的第一化合物、由下述[化学式2]表示的第二化合物、由下述[化学式3]表示的第三化合物、由下述[化学式4]表示的第四化合物、由下述[化学式5]表示的第五化合物、由下述[化学式6]表示的第六化合物以及第七化合物，其中，所述第七化合物为内酰胺化合物，成环原子为5个以内，在所述内酰胺化合物中，作为成环原子的氮与不形成环的氢或碳原子数为1个的烷基结合：

[化学式1]

，

在所述[化学式1]中，R₁是氢、碳原子数为1个的烷基、碳原子数为2个的烷基、碳原子数为3个的烷基、钾或者钠；

[化学式2]

，

在所述[化学式2]中，R₂是氢或者碳原子数为1个的烷基；

[化学式3]

，

在所述[化学式3]中，R₃、R₄以及R₅各自是氢、碳原子数为1个的烷基、碳原子数为2个的烷基或者碳原子数为3个的烷基；

[化学式4]

，

在所述[化学式4]中，R₆及R₇各自是氢、碳原子数为1个的烷基或者碳原子数为2个的烷基；

[化学式5]

，

在所述[化学式5]中，R₈及R₉各自是氢、碳原子数为1个的烷基或者碳原子数为2个的烷基；

[化学式6]

，

在所述[化学式6]中，R₁₀及R₁₁各自是氢或者碳原子数为1个的烷基。

10.一种电子设备，包括显示装置，所述显示装置根据权利要求1所述的显示装置的制造方法而制造。