CN120981111A - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种显示面板。显示面板具有显示区、孔区以及中间区。中间区位于显示区与孔区之间。显示面板包括基底、驱动电路层以及发光器件层。驱动电路层位于基底上。驱动电路层的内部设置有凹槽，凹槽位于中间区且在驱动电路层中朝向基底延伸。驱动电路层还包括隔断件，隔断件位于中间区且包括外延部，外延部从凹槽的侧壁上延伸出且朝向凹槽延伸，外延部相对于凹槽的槽底悬空。发光器件层位于驱动电路层背离基底的一侧，且包括一个或多个发光功能层，至少一个发光功能层为外延部断开。沿外延部的延伸方向，外延部具有第一尺寸d1；沿隔断件指向基底的方向，外延部具有第二尺寸d2，d2＜d1，以提高隔断件对发光功能层的隔断效果。

Description

显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。

背景技术

目前，为了满足手机等电子设备的拍照需求，往往会去除显示面板对应摄像头的部分，以形成透光孔。在设置透光孔的基础上，水分和氧气等外部污染物通过透光孔周围侧壁的有机膜层入侵至显示区中发光层的风险的增大。相关技术往往会采用隔断结构将透光孔周围一定范围的发光层等发光有机膜层隔断，以切断水氧的传输路径。然而，相关技术的隔断结构的隔断效果存在没有将发光膜层等有机膜层断开的风险。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板，提高隔断件对发光功能层的隔断效果，以至少部分的解决上述技术问题。

为了实现上述目的，根据本申请的第一方面，提供一种显示面板，显示面板具有显示区、孔区以及中间区，所述中间区位于所述显示区与所述孔区之间。显示面板包括基底、驱动电路层以及发光器件层。驱动电路层位于所述基底上。所述驱动电路层的内部设置有凹槽，所述凹槽位于所述中间区且在所述驱动电路层中朝向所述基底延伸。所述驱动电路层还包括隔断件，所述隔断件位于所述中间区且包括外延部，所述外延部从所述凹槽的侧壁上延伸出且朝向所述凹槽延伸，所述外延部相对于所述凹槽的槽底悬空。发光器件层位于所述驱动电路层背离所述基底的一侧，且包括一个或多个发光功能层，至少一个所述发光功能层为所述外延部断开。其中，沿所述外延部的延伸方向，所述外延部具有第一尺寸d1；沿所述隔断件指向所述基底的方向，所述外延部具有第二尺寸d2；其中，d2＜d1。

本申请实施例的显示面板中，通过控制外延部的第二尺寸d2小于外延部的第一尺寸d1，即外延部相对于凹槽的侧壁延伸出的长度大于外延部的厚度，保证外延部相对于凹槽的侧壁延伸出的尺寸大至能保证外延部对发光功能层的隔断效果。如此，降低水分和氧气等外部污染物沿着发光功能层等延伸至显示区的风险，改善显示区的发光功能层被外部污染物侵蚀而出现显示异常的问题。

附图说明

图1为本申请示例性实施方式中提供的显示面板的平面示意图；

图2为本申请示例性实施方式中提供的显示面板的显示区的局部结构示意图；

图3为本申请示例性实施方式中提供的显示面板的中间区的一种剖面结构示意图；

图4为本申请示例性实施方式中提供的图3所示中间区的局部结构示意图；

图5为本申请示例性实施方式中提供的显示面板的中间区的另一种剖面结构示意图；

图6(A)～图6(D)为图3和图4所示中间区的凹槽以及隔断件的形成方法的过程示意图。

附图标记说明：

100、显示面板；AA、显示区；HA、孔区；MA、中间区；

1、基底；11、第一有机层；12、第一阻挡层；13、第二有机层；14、第二阻挡层；

2、驱动电路层；

21、像素驱动电路；T、晶体管；211、第一晶体管；212、第二晶体管；

22、半导体层；221、第一半导体层；222、第二半导体层；

23、金属层；231、第一金属层；232、第二金属层；233、第三金属层；234、第四金属层；235、第五金属层；236、第六金属层；2361、遮光件；237、顶层金属层；

24、绝缘层；241、第一绝缘层；242、第二绝缘层；243、第三绝缘层；244、第四绝缘层；245、第五绝缘层；246、第六绝缘层；2461、有机层；247、第七绝缘层；2471、开口；2472、贯穿开口；248、第八绝缘层；

25、凹槽；

26、隔断件；261、外延部；261、外延部；2611、底面；2612、顶面；2613、端面；262、支撑部；

27、金属阻隔件；

S、间隙；

271、第一叠层；272、第二叠层；

3、发光器件层；31、第一电极层；32、发光功能层；33、第二电极层；

4、薄膜封装层；41、第一无机封装层；42、有机封装层；43、第二无机封装层；

初始凹槽G；

5、掩模层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

图1为本申请示例性实施方式中提供的显示面板的平面示意图。

请参阅图1，本申请提供一种显示面板100。显示面板100具有显示区AA、孔区HA以及中间区MA。显示面板100对应显示区AA的部分用于显示画面。显示面板100对应孔区HA的部分对光具有高透过率，因此可以在显示面板100的一侧设置光传感器，光传感器与孔区HA重叠，以改善光传感器的感光效果。中间区MA位于显示区AA与孔区HA之间。中间区MA可以包括非显示区。

图2为本申请示例性实施方式中提供的显示面板的显示区的局部结构示意图。

请参阅图2，显示面板100可以包括基底1、驱动电路层2以及发光器件层3。驱动电路层2位于基底1上。发光器件层3位于驱动电路层2背离基底1的一侧。

基底1可以包括有机层，使得显示面板100具有可弯折性。在一些实施例中，基底1包括依次叠置的第一有机层11、第一阻挡层12、第二有机层13以及第二阻挡层14。在一些实施例中，第一有机层11和第二有机层13可以包括但不限于聚酰亚胺，第一阻挡层12和第二阻挡层14可以包括但不限于氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。

发光器件层3包括第一电极层31、一个或多个发光功能层32以及第二电极层33。第二电极层33位于第一电极层31背离驱动电路层2的一侧。一个或多个发光功能层32位于第一电极层31与第二电极层33之间。第一电极层31可以多个间隔设置的第一电极，也称为阳极。一个或多个发光功能层32包括有机发光层，使得发光器件层3包括有机发光二极管。一个或多个发光功能层32还可以包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的一种或多种。发光功能层32均包括有机材料。

显示面板100还包括薄膜封装层4。薄膜封装层4位于发光器件背离基底1的一侧。采用薄膜封装层4对水分和氧气起到阻隔作用，改善发光功能层32的有机材料为水分和氧气侵蚀而缩短显示面板100的使用寿命的问题。薄膜封装层4可以包括依次叠置的第一无机封装层41、有机封装层42以及第二无机封装层43。第一无机封装层41和第二无机封装层43可以包括但不限于氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。有机封装层42可以包括但不限于聚酰亚胺。

驱动电路层2包括多个像素驱动电路21。像素驱动电路21位于显示区AA，且包括多个晶体管T。在一些实施例中，多个晶体管T可以包括第一晶体管211和第二晶体管212，第一晶体管211的有源层可以不同于第二晶体管212的有源层。在一些实施例中，第一晶体管211可以包括低温多晶硅晶体管，第二晶体管212可以包括金属氧化物晶体管。

在一些实施例中，驱动电路层2包括多层金属层23、多层绝缘层24以及一层或多层半导体层22。相邻金属层23之间设置有绝缘层24。

在一些实施例中，一层或多层半导体层22可以包括第一半导体层221，第一半导体层221包括低温多晶硅。多层金属层23包括第一金属层231，第一金属层231位于第一半导体层221背离基底1的一侧。第一金属层231包括第一栅极，第一栅极与第一半导体层221重叠，此时第一栅极为第一晶体管211的顶栅。

在一些实施例中，第一金属层231也可以位于第一半导体层221与基底1之间，此时第一栅极为第一晶体管211的底栅。

在一些实施例中，多层绝缘层24可以包括第一绝缘层241，第一绝缘层241位于第一半导体层221与第一金属层231之间。

在一些实施例中，多层金属层23还包括第二金属层232，第二金属层232位于第一半导体层221背离基底1的一侧。第二金属层232可以包括第一源漏电极。第一源漏电极包括第一源极和第一漏极，第一源极和第一漏极均与第一半导体层221连接。

在一些实施例中，第一金属层231位于第二金属层232与第一半导体层221之间。

在一些实施例中，多层金属层23还包括第三金属层233，第三金属层233位于第一金属层231与第二金属层232之间。第三金属层233包括电极板，电极板与第一栅极重叠，以形成像素驱动电路21中的电容器。

在一些实施例中，一层或多层半导体层22可以包括第二半导体层222，第二半导体层222包括金属氧化物。第二半导体层222位于第一半导体层221背离基底1的一侧。多层金属层23还包括第四金属层234，第四金属层234包括第二栅极，第二栅极与第二半导体层222重叠。第四金属层234可以位于第二半导体层222背离基底1的一侧，即第二栅极为顶栅。

在一些实施例中，第二半导体层222可以位于第三金属层233与第四金属层234之间。第二金属层232可以位于第四金属层234背离基底1的一侧。第二金属层232还可以包括第二源漏电极，第二源漏电极包括第二源极和第二漏极，第二源极以及第二漏极与第二半导体层222连接。

在一些实施例中，多层绝缘层24还包括第二绝缘层242、第三绝缘层243、第四绝缘层244以及第五绝缘层245。第二绝缘层242位于第一金属层231与第三金属层233之间。第三绝缘层243位于第三金属层233与第二半导体层222之间。第四绝缘层244位于第二半导体层222与第四金属层234之间。第五绝缘层245位于第四金属层234与第二金属层232之间。

在一些实施例中，多层金属层23还可以包括第五金属层235，第五金属层235位于第二金属层232背离基底1的一侧。第五金属层235可以包括连接电极，第一源漏电极和第二源漏电极中的至少一者通过连接电极与第一电极连接。在一些实施例中，第一晶体管211通过连接电极与第一电极连接。

在一些实施例中，多层绝缘层24还可以包括第六绝缘层246以及第七绝缘层247。第六绝缘层246位于第五金属层235与第二金属层232之间。第七绝缘层247位于第五金属层235与发光器件层3之间。

在一些实施例中，多层金属层23可以包括第六金属层236，第六金属层236包括遮光件2361。遮光件2361位于至少一个晶体管T与基底1之间，以改善晶体管T在光照条件下漏光的问题。

在一些实施例中，多层绝缘层24还可以包括第八绝缘层248，第八绝缘层248位于第六金属层236与第一半导体层221之间。

在一些实施例中，第一金属层231至第六金属层236可以包括钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。

在一些实施例中，第一绝缘层241至第五绝缘层245以及第八绝缘层248可以均为无机绝缘层。无机绝缘层可以包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。第六绝缘层246以及第七绝缘层247可以为有机绝缘层。有机绝缘层可以包括但不限于聚酰亚胺。

在一些实施例中，孔区HA设置有贯穿孔(图中未示意出)，贯穿孔贯穿发光器件层3以及驱动电路层2。贯穿孔还可以进一步地贯穿基底1。

图3为本申请示例性实施方式中提供的显示面板的中间区的一种剖面结构示意图。图4为本申请示例性实施方式中提供的图3所示中间区的局部结构示意图。

在一些实施例中，请参阅图3和图4，驱动电路层2的内部设置有凹槽25。凹槽25位于中间区MA，且在驱动电路层2中朝向基底1延伸。驱动电路层2还包括隔断件26，隔断件26位于中间区MA且包括外延部261。外延部261从凹槽25的侧壁上延伸出且朝向凹槽25延伸，外延部261相对于凹槽25的槽底悬空。至少一个发光功能层32为外延部261断开。隔断件26搭配凹槽25的设计，在中间区MA将至少一个发光功能层32隔断。水分和氧气通过孔区HA的发光功能层32传输至显示区AA中的传输路径在驱动电路层2的中间区MA被切断，改善显示区AA的发光功能层32被水分和氧气侵蚀而缩短显示面板100的使用寿命的问题。

需要说明的是，图3只是示意出了发光器件层中一个发光功能层32为外延部261隔断，实际上，也可以多个发光功能层32被外延部261断开。

在一些实施例中，请参阅图4，沿外延部261的延伸方向，外延部261具有第一尺寸d1。沿隔断件26指向基底1的方向，外延部261具有第二尺寸d2。其中，d2＜d1。即，外延部261相对于凹槽25的侧壁延伸出的长度大于外延部261的厚度，保证外延部261相对于凹槽25的侧壁延伸出的尺寸较大，提高外延部261对一个或多个发光功能层32的隔断效果。如此，降低水分和氧气等外部污染物沿着发光功能层32等延伸至显示区AA的风险，改善显示区AA的发光功能层32被外部污染物侵蚀而出现显示异常的问题。

在一些实施例中，d1≤3d2，改善外延部261的长度过长时发光功能层32等沉积在其上导致外延部261出现弯折甚至断裂的问题。

在一些实施例中，1.2d2≤d1≤2.5d2，使得外延部261具有合适的长度，保证外延部261能隔断发光功能层32，同时改善外延部261发生出现弯折甚至断裂的问题。可选地，1.5d2≤d1≤2.2d2，或者，1.2d2≤d1≤2d2。

在一些实施例中，第一尺寸d1为0.8微米～2.5微米，使得外延部261具有合适的长度，保证外延部261能隔断发光功能层32，同时改善外延部261出现弯折甚至断裂的问题。可选地，第一尺寸d1可以为1微米～2.3微米；或者，第一尺寸d1可以为1.2微米～2微米，或者，第一尺寸d1可以为1微米～1.8微米。

在一个示例性实施例中，第一尺寸d1可以为0.8微米、1微米、1.2微米、1.4微米、1.6微米、1.8微米、2微米、2.2微米或者2.5微米。

在一些实施例中，第二尺寸d2为5000埃～9000埃，保证外延部261具有合适的厚度，保证外延部261能隔断发光功能层32，同时改善外延部261发生出现弯折甚至断裂的问题。可选地，第二尺寸d2可以为6000埃～8500埃；或者，第二尺寸d2可以为6500埃～8000埃；或者，第二尺寸d2可以为7000埃～8500埃。

在一个示例性实施例中，第二尺寸d2可以为5000埃、6000埃、7000埃、8000埃或者9000埃。

在一些实施例中，请参阅图4，两个外延部261从一个凹槽25上延伸出，两个外延部261朝向彼此延伸且相互间隔，两个外延部261之间的间隙S具有第三尺寸d3。其中，d3≥2.5d1。如此，两个外延部261能够提高对发光功能层32进行隔断的效果。并且，保证两个外延部261之间的间隙S足够大，薄膜封装层4中的无机封装层以及有机封装层42均通过间隙S能够形成于凹槽25中，以对凹槽25的槽壁上膜层进行覆盖，降低水分和氧气通过凹槽25的槽壁上的膜层传输至显示区AA的风险。

在一些实施例中，d3≤10d1，改善间隙S占用的空间太大导致中间区MA能够设置的凹槽25的数目较少，或者间隙S在中间区MA的尺寸太大导致显示区AA的面积减小的问题。

在一些实施例中，3d1≤d3≤9d1，使得薄膜封装层4度凹槽25中膜层具有良好的覆盖性，同时有利于中间设置更多凹槽25以隔断发光功能层32或者增大显示区AA的面积。可选地，4d1≤d3≤8.5d1，或者，5d1≤d3≤7.5d1。

在一些实施例中，请参阅图4，隔断件26还包括支撑部262，支撑部262与外延部261连接。支撑部262对外延部261起到支撑作用。在一些实施例中，支撑部262与外延部261一体成型，简化隔断件26的制造工艺。

在一些实施例中，请参阅图2和图3，驱动电路层2包括顶层金属层237。顶层金属层237为驱动电路层2中距离基底1最远的金属层23。顶层金属层237包括隔断件26。由于隔断件26位于顶层金属层237，可以避免其他金属层23的刻蚀工艺对隔断件26造成损伤的风险。

在一些实施例中，在多层金属层23同时包括第二金属层232以及第五金属层235的情况下，顶层金属层237可以为第五金属层235，此时，第五金属层235可以包括隔断件26。

在一些实施例中，请参阅图4，第五金属层235可以包括隔断件26的情况下，第七绝缘层247还设置于隔断件26上，以对至少部分的隔断件26起到保护作用。第七绝缘层247还包括开口2471，开口2471至少暴露外延部261且与凹槽25重叠，即外延部261上的第七绝缘层247以及凹槽25中的第七绝缘层247均被去除。

在一些实施例中，开口2471的侧面与隔断件26之间的夹角大于90度，薄膜封装层4中无机封装层在开口2471的侧面与隔断件26连接处的成膜性和覆盖性更好，降低无机封装层在此处应力过大而断裂的风险，提高薄膜封装层4对开口2471的侧面与隔断件26连接处的封装效果。

在一些实施例中，在多层金属层23包括第二金属层232而不包括第五金属层235的情况下，顶层金属层237可以为第二金属层232。

凹槽25可以围绕孔区HA设置，隔断件26也呈环形。在一些实施例中，沿中间区MA指向孔区HA的方向，凹槽25的尺寸D1可以大于或等于5微米，以保证隔断件26搭配凹槽25能隔断发光功能层32。

在一些实施例中，凹槽25设置于驱动电路层2的无机绝缘层以及金属层23的至少一者中。由于无机绝缘层和金属层23对水分和氧气具有更好的阻隔性能，凹槽25设置于这些膜层中时，水分和氧气通过凹槽25周围的无机绝缘层以及金属层23传递至显示区AA的风险较低。

在一些实施例中，晶体管T位于基底1与隔断件26之间且包括半导体层、栅极、源漏电极。源漏电极与半导体层连接，栅极与半导体层重叠。第二金属层232与第一金属层231位于隔断件26与基底1之间，第二金属层232位于第一金属层231与隔断件26之间。第二金属层包括源漏电极，第一金属层包括栅极。凹槽25的槽底可以位于第二金属层232至第一金属层231之间。由于第二金属层232至第一金属层231之间的膜层均为无机绝缘层和金属层23，且两者的距离保证凹槽25具有合适的深度，降低水分和氧气从凹槽25下方的基底1入侵至凹槽25的风险，还保证薄膜封装层4在凹槽25中具有良好的成膜性和覆盖性，提高薄膜封装层4对凹槽25中膜层的封装可靠性。

在一些实施例中，请参阅图3和图4，凹槽25从第二金属层232延伸至第三绝缘层243中，第三绝缘层243位于第二金属层232与第一金属层231之间，凹槽25的槽底位于第三绝缘层243中。

请参阅图4，凹槽25将驱动电路层2断开为第一叠层271和第二叠层272，凹槽25设置于第一叠层271与第二叠层272之间。在一些实施例中，第一叠层271的侧面和第二叠层272的侧面共同限定出凹槽25。

在一些实施例，驱动电路层2还包括可以有机层2461，有机层2461覆盖第一叠层271的至少部分侧面和第二叠层272的至少部分侧面，且有机层2461位于凹槽25与第一叠层271之间，以及凹槽25与第二叠层272之间。在一些实施例中，请参阅图4，在第五金属层235包括隔断件26的情况下，第六绝缘层246可以包括有机层2461。

在一些实施例中，沿中间区MA指向孔区HA的方向，多个凹槽25间隔排布，每个凹槽25处设置有一个或两个相对的间隔件。

在一些实施例中，多个凹槽25可以包括第一凹槽(图中未示意出)和第二凹槽(图中未示意出)。第一凹槽位于孔区HA和第二凹槽之间。第一凹槽的深度可以大于第二凹槽的深度。如此，由于距离孔区HA更近的第一凹槽的深度相对更深，其为薄膜封装层4提供更多的成膜空间，提高薄膜封装层4在第一凹槽中封装效果。并且，由于距离孔区HA更近的第二凹槽的深度相对于更浅，降低水分和氧气直接通过第二凹槽下方的基底1进入至第二凹槽的风险。

在一些实施例中，如图4所示，外延部261包括底面2611、顶面2612以及端面2613。底面2611位于顶面2612靠近基底1的一侧。端面2613位于外延部261的远离凹槽25的槽壁的一端且连接于顶面2612与底面2611之间。端面2613与底面2611之间的夹角大于或等于45度且小于90度。如此，改善薄膜封装层4中无机封装层在外延部261的底面2611与端面2613之间的转角处的应力集中问题，改善薄膜封装层4的成膜性，提高薄膜封装层4对隔断件26的封装效果。

在一些实施例中，端面2613与底面2611之间的夹角为60度～75度，改善薄膜封装层4中无机封装层在外延部261的底面2611与端面2613之间的转角处的应力集中问题，同时适应制程工艺的制程能力。

在一些示例性实施例中，端面2613与底面2611之间的角度可以为60度、65度、70度或者75度。

在一些实施例中，端面2613与顶面2612之间的夹角大于90度，改善薄膜封装层4中无机封装层在外延部261的顶面2612与端面2613之间的转角处的应力集中问题，改善薄膜封装层4的成膜性，提高薄膜封装层4对隔断件26的封装效果。

在一些实施例中，请参阅图4，外延部261与凹槽25的侧壁连接处L1，凹槽25的侧壁与外延部261之间的夹角大于90度。如此，薄膜封装层4中无机封装层在凹槽25的侧壁与外延部261连接处L1的成膜性和覆盖性更好，降低无机封装层在此处应力过大而断裂的风险，提高薄膜封装层4对外延部261与凹槽25的侧壁连接处的封装效果。

在一些实施例中，外延部261与凹槽25的侧壁连接处L1，凹槽25的侧壁与外延部261之间的夹角大于或等于100度且小于或等于160度，降低无机封装层在外延部261与凹槽25的侧壁连接处发生断裂的风险，同时降低凹槽25的形成难度。

图5为本申请示例性实施方式中提供的显示面板的中间区的另一种局部结构示意图。

在一些实施例中，请参阅图5，驱动电路层2还包括一个或多个金属阻隔件27，一个或多个金属阻隔件27位于中间区MA；至少一个金属阻隔件27位于凹槽25的槽底，和/或，至少一个金属阻隔件27位于凹槽25与基底1之间。如此，金属阻隔件27对从其下方的基底1进入的水分和氧气起到阻隔作用，进而降低水分和氧气从凹槽25的底部进入至凹槽25，并通过凹槽25的侧壁进入至显示区AA的风险。

在一些实施例中，凹槽25在驱动电路层2中延伸至暴露金属阻隔件27，降低水分和氧气从凹槽25的底部进行至凹槽25中的风险。

在一些实施例中，金属阻隔件27的厚度大于或等于遮光件2361的厚度。由于金属阻隔件27的厚度大于或等于遮光件2361的厚度，使得金属阻隔件27具有较大的厚度，提高金属阻隔件27对水分和氧气的阻隔性能。

在一些实施例中，金属阻隔件27与遮光件2361位于同一个金属层23，即金属阻隔件27也位于第六金属层236，以同时形成金属阻隔件27与遮光件2361，简化显示面板100的制造工艺。并且，由于第六金属层236为驱动电路层2中距离基底1最近的金属层23，因此，对于从基底1进入的水分和氧气，金属阻隔件27能更快地水分和氧气起到阻隔作用，改善水分和氧气进入至凹槽25下方的驱动电路层2的问题。另外，在凹槽25延伸至暴露金属阻隔件27时，凹槽25的底部与基底1之间的距离较近，即凹槽25的深度较深，在基底1与凹槽25之间设置金属阻隔件27，能够改善水分和氧气进入至深度更深的凹槽25中。

以下结合具体实施例对图4所示中间的凹槽以及隔断件的形成方法进行介绍。图6(A)～图6(D)为图3和图4所示中间区的凹槽以及隔断件的形成方法的过程示意图。

参阅图6(A)，于基底1上形成依次层叠设置的第六金属层236(图中未示意出)、第八绝缘层248、第一半导体层221(图中未示意出)、第一绝缘层241、第一金属层231(图中未示意出)、第二绝缘层242(图中未示意出)、第三金属层233、第三绝缘层243、第二半导体层222、第四绝缘层244、第四金属层234(图中未示意出)以及第五绝缘层245。

请继续参阅图6(A)，形成贯穿第五绝缘层245以及第四绝缘层244，并延伸至第三绝缘层243的初始凹槽G。

参阅图6(B)，于第五绝缘层245上形成第二金属层232，第二金属层232包括位于初始凹槽G对侧的两个垫高金属件。然后，形成覆盖第二金属层232并填充初始凹槽G的第六绝缘层246，并形成暴露垫高金属件的接触孔。最后，在第六绝缘层246形成第五金属层235，第五金属层235包括隔断件26，隔断件26通过接触孔与垫高金属件连接。

参阅图6(C)，形成覆盖第五金属层235的第七绝缘层247，第七绝缘层247设置有贯穿开口2472，贯穿开口2472位于两个垫高金属件之间且与初始凹槽G重叠，贯穿开口2472暴露初始凹槽G中的第六绝缘层246。

参阅图6(D)，利用光刻工艺形成掩模层5，掩模层5位于第七绝缘层247上，采用掩模层5保护第七绝缘层247，采用去除初始凹槽G中部分的第六绝缘层246，形成图3和图4所示中间区的凹槽25和隔断件26。在去除初始凹槽G中部分的第六绝缘层246的过程中，贯穿开口2472周围的部分第七绝缘层247被去除。

需要说明的是，图5所示中间区的凹槽以及隔断件的形成方法与图3和图4所示中间区的凹槽以及隔断件的形成方法基本相似，不同之处主要包括，凹槽从25从第二金属层232延伸至暴露第六金属层236的金属阻隔件27。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有显示区、孔区以及中间区，所述中间区位于所述显示区与所述孔区之间，所述显示面板包括：

基底；

驱动电路层，位于所述基底上；所述驱动电路层的内部设置有凹槽，所述凹槽位于所述中间区且在所述驱动电路层中朝向所述基底延伸；所述驱动电路层还包括隔断件，所述隔断件位于所述中间区且包括外延部，所述外延部从所述凹槽的侧壁上延伸出且朝向所述凹槽延伸，所述外延部相对于所述凹槽的槽底悬空；以及

发光器件层，位于所述驱动电路层背离所述基底的一侧，且包括一个或多个发光功能层，至少一个所述发光功能层为所述外延部断开；

其中，沿所述外延部的延伸方向，所述外延部具有第一尺寸d1；沿所述隔断件指向所述基底的方向，所述外延部具有第二尺寸d2；其中，d2＜d1。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，d1≤3d2。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第一尺寸d1为0.8微米～2.5微米；和/或，所述第二尺寸d2为5000埃～9000埃。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，两个所述外延部从一个所述凹槽上朝向彼此延伸，两个所述外延部相互间隔，两个所述外延部之间的间隙具有第三尺寸d3，其中，d3≥2.5d1。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述外延部包括底面、顶面以及端面，所述底面位于所述顶面靠近所述基底的一侧，所述端面位于所述外延部的远离所述凹槽的槽壁的一端且连接于所述顶面与所述底面之间，所述端面与所述底面之间的夹角大于或等于45度且小于90度。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括一个或多个金属阻隔件，一个或多个所述金属阻隔件位于所述中间区；至少一个所述金属阻隔件位于所述凹槽的槽底，和/或，至少一个所述金属阻隔件位于所述凹槽与所述基底之间。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽在所述驱动电路层中延伸至暴露所述金属阻隔件；和/或，

所述驱动电路层还包括晶体管以及遮光件，所述遮光件位于至少一个所述晶体管与所述基底之间，所述金属阻隔件的厚度大于或等于所述遮光件的厚度。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括晶体管，所述晶体管位于所述基底与所述隔断件之间且包括半导体层、栅极、源漏电极，所述源漏电极与所述半导体层连接，所述栅极与所述半导体层重叠；

所述驱动电路层还包括第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层位于所述隔断件与所述基底之间，所述第二金属层位于所述隔断件与所述第一金属层之间，所述第二金属层包括所述源漏电极，所述第一金属层包括所述栅极，所述凹槽的槽底位于所述第二金属层与所述第一金属层之间。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括顶层金属层，所述顶层金属层为所述驱动电路层中距离所述基底最远的金属层，所述顶层金属包括所述隔断件。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述外延部与所述凹槽的侧壁连接处，所述凹槽的侧壁与所述外延部之间的夹角大于90度。