CN120834828A - 高频模块 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种高频模块，减少了多个频段的信号的传输损耗。高频模块具备：开关(11)，其具有与天线(2a)连接的选择端子(11b)、与天线(2b)连接的选择端子(11c)以及公共端子(11a)；开关(12)，其具有选择端子(12a)、(12b)以及公共端子(12f)；滤波器(41)及(42)；电感器(21)，其连接于将公共端子(11a)及(12f)连结的公共路径；电感器(31)，其连接于将选择端子(12a)与滤波器(41)连结的信号路径；以及电感器(32)，其连接于将选择端子(12b)与滤波器(42)连结的信号路径，电感器(21)与电感器(31)的距离比电感器(21)与电感器(32)的距离小。

Description

高频模块

技术领域

本发明涉及一种高频模块。

背景技术

在专利文献1中公开了一种前端模块，该前端模块具有以下结构：连接于传输低频段组的信号的信号路径的第一电感元件与连接于传输高频段组的信号的信号路径的第二电感元件进行电磁场耦合，由此抵消在高频段组的信号路径中传播的二次谐波成分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/006866号

发明内容

发明要解决的问题

随着多频段化的发展，正在寻求一种减少了多个频段的信号的传输损耗的高频模块。

因此，本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种减少了多个频段的信号的传输损耗的高频模块。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；第一滤波器及第二滤波器；第一电感器，其连接于将第一公共端子与第二公共端子连结的公共路径；第二电感器，其连接于将第三选择端子与第一滤波器连结的第一路径；以及第三电感器，其连接于将第四选择端子与第二滤波器连结的第二路径，其中，第一电感器与第二电感器的距离比第一电感器与第三电感器的距离小。

另外，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；第一滤波器及第二滤波器；第一电感器，其连接于将第一公共端子与第二公共端子连结的公共路径；第二电感器，其连接于将第三选择端子与第一滤波器连结的第一路径；以及第三电感器，其连接于将第四选择端子与第二滤波器连结的第二路径，其中，第一电感器的卷绕轴正方向与第二电感器的卷绕轴正方向所成的角度比第一电感器的卷绕轴正方向与第三电感器的卷绕轴正方向所成的角度小。

另外，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；第一滤波器及第二滤波器；第一电感器，其连接于将第一公共端子与第二公共端子连结的公共路径；第二电感器，其连接于将第三选择端子与第一滤波器连结的第一路径；第三电感器，其连接于将第四选择端子与第二滤波器连结的第二路径；以及金属构件，其配置在第一电感器与第三电感器之间。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种减少了多个频段的信号的传输损耗的高频模块。

附图说明

图1A是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的接收频段A时的电路结构图。

图1B是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的接收频段B时的电路结构图。

图1C是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的同时接收频段A和频段B时的电路结构图。

图1D是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的使用分集电路时的电路结构图。

图2是实施方式所涉及的高频模块的俯视图和剖视图。

图3是实施方式的变形例1所涉及的高频模块的俯视图。

图4是实施方式的变形例2所涉及的高频模块的俯视图和剖视图。

图5A是实施方式的变形例3所涉及的高频模块的接收频段A时的电路结构图。

图5B是实施方式的变形例3所涉及的高频模块的接收频段B时的电路结构图。

图5C是实施方式的变形例3所涉及的高频模块的接收频段C时的电路结构图。

图6是示出实施方式的变形例3所涉及的高频模块的低通滤波器的带通特性的图表。

图7A是实施方式的变形例4所涉及的高频模块的发送频段A时的电路结构图。

图7B是实施方式的变形例4所涉及的高频模块的接收频段A时的电路结构图。

图7C是比较例所涉及的高频模块的发送频段A时的电路结构图。

图8是示出实施方式的变形例4和比较例所涉及的高频模块的低通滤波器的带通特性的图表。

具体实施方式

下面，使用附图来详细地说明本公开的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示概括性或具体的例子。下面的实施方式中示出的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一例，其主旨并不在于限定本发明。将以下的实施方式的构成要素中的未记载于独立权利要求的构成要素作为任意的构成要素来进行说明。另外，附图中示出的构成要素的大小或大小之比并必严谨。

此外，各图是为了示出本发明而适当进行了强调、省略或者比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。

在本公开的电路结构中，“连接”不仅包括利用连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，还包括经由匹配元件或开关电路来电连接的情况。“连接在A与B之间”是指在A与B之间与A及B这两方连接。

在本发明中，“端子”是指要素内的导体结束的点。此外，在要素间的导体的阻抗足够低的情况下，端子不仅被解释为单一的点，还被解释为要素间的导体上的任意的点(节点)或导体整体。

另外，在本公开中，“信号路径”、“公共路径”是指由传播高频发送信号或高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

另外，在本公开的电路元件配置中，“电路元件A串联配置于路径B”是指：电路元件A的信号输入端及信号输出端与构成路径B的至少一部分的两个布线分别连接。此外，两个布线中的至少一方也可以是电极、端子。

另外，在本公开中，俯视基板是指：将基板和安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。

另外，在本公开的部件配置中，“部件配置于基板”包括部件配置在基板的主面上的情况、以及部件配置在基板内的情况。“部件配置在基板的主面上”除了包括部件以与基板的主面接触的方式配置在基板的主面的情况之外，还包括部件以不与主面接触的方式配置在该主面的上方的情况(例如，部件层叠在以与主面接触的方式配置的其它部件上的情况)。另外，“部件配置在基板的主面上”也可以包括部件配置于在主面形成的凹部的情况。“部件配置在基板内”除了包括将部件封装在模块基板内的情况之外，还包括虽然部件全部被配置在基板的两个主面之间但部件的一部分没有被基板覆盖的情况、以及部件只有一部分被配置在基板内的情况。

另外，在本公开的部件配置中，“卷绕轴正方向一致”并非仅表示卷绕轴正方向的矢量成分所成的角度为0°的情况，包括卷绕轴正方向实质上一致的范围，例如包括卷绕轴正方向的矢量成分所成的角度在±30°以内的情况。

另外，在以下的实施方式中，滤波器的通带被定义为相对于该通带内的插入损耗的最小值而言大3dB的两个频率间的频带。

另外，在本公开中，“频段”是指为了使用无线接入技术(RAT：Radio AccessTechnology)构建的通信系统而由标准化组织等(例如3GPP(注册商标)、IEEE(Instituteof Electrical and Electronics Engineers：电气与电子工程师协会)等)预先定义的频段的上行链路工作频段和下行链路工作频段中的至少一方。在本实施方式中，作为通信系统，例如能够使用LTE(Long Term Evolution：长期演进)系统、5G(5th Generation：第五代)-NR(New Radio：新空口)系统、以及WLAN(Wireless Local Area Network：无线局域网)系统等，但不限定于这些系统。此外，频段的上行链路工作频段是指该频段中的被指定用于上行链路的频率范围。另外，频段的下行链路工作频段是指该频段中的被指定用于下行链路的频率范围。

(实施方式)

[1高频模块1和通信装置4的电路结构]

参照图1A～图1D对本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置4的电路结构进行说明。图1A是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置4的接收频段A时的电路结构图。图1B是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置4的接收频段B时的电路结构图。图1C是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置4的同时接收频段A和频段B时的电路结构图。图1D是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置4的使用分集电路时的电路结构图。

如图1A～图1D所示，通信装置4具备高频模块1、天线2a、2b及2c、以及RF信号处理电路(RFIC：Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)3。

高频模块1在天线2a～2c与RFIC 3之间传输高频信号。在后面叙述高频模块1的详细的电路结构。

天线2a是第一天线的一例，与高频模块1的天线连接端子101连接，从外部接收高频信号并将该高频信号输出到高频模块1。天线2b是第二天线的一例，与高频模块1的天线连接端子102连接，从外部接收高频信号并将该高频信号输出到高频模块1。天线2c与高频模块1的天线连接端子103连接，从外部接收高频信号并将该高频信号输出到高频模块1。此外，天线2a～2c也可以向外部发送从高频模块1输出的高频信号。

RFIC 3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的接收信号输出到基带信号处理电路(BBIC，未图示)。此外，RFIC 3也可以对从BBIC输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。

另外，RFIC 3还具有作为控制部的功能，该控制部对高频模块1的开关11及12的连接切换进行控制，另外对向低噪声放大器51～55供给的电源电压和偏置电压(电流)进行控制。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以安装在RFIC 3的外部，例如也可以安装于BBIC或高频模块1。

此外，在通信装置4中也可以不包括天线2a～2c。

接着，对高频模块1的电路结构进行说明。如图1A～图1D所示，高频模块1具备：开关11及12、滤波器41、42、43、44及45、电感器21、31、32、33、34及35、电容器22、低噪声放大器51、52、53、54及55、耦合器60、天线连接端子101、102及103、外部连接端子104、以及信号输出端子105、110、120、130、140及150。

天线连接端子101是第一天线连接端子的一例，与天线2a及开关11的选择端子11b连接。天线连接端子102是第二天线连接端子的一例，与天线2b及开关11的选择端子11c连接。天线连接端子103与天线2c及开关11的选择端子11d连接。外部连接端子104与开关11的选择端子11e连接。信号输出端子105与耦合器60的副线路连接。信号输出端子110与低噪声放大器51的输出端及RFIC 3连接。信号输出端子120与低噪声放大器52的输出端及RFIC 3连接。信号输出端子130与低噪声放大器53的输出端及RFIC 3连接。信号输出端子140与低噪声放大器54的输出端及RFIC 3连接。信号输出端子150与低噪声放大器55的输出端及RFIC 3连接。

滤波器41是第一滤波器的一例，具有包含频段A的接收频带的通带。滤波器41的一端与电感器31连接，另一端与低噪声放大器51的输入端连接。滤波器42是第二滤波器的一例，具有包含频段B的接收频带的通带。滤波器42的一端与电感器32连接，另一端与低噪声放大器52的输入端连接。滤波器43具有包含频段C的接收频带的通带。滤波器43的一端与电感器33连接，另一端与低噪声放大器53的输入端连接。滤波器44具有包含频段D的接收频带的通带。滤波器44的一端与电感器34连接，另一端与低噪声放大器54的输入端连接。滤波器45具有包含频段E的接收频带的通带。滤波器45的一端与电感器35连接，另一端与低噪声放大器55的输入端连接。滤波器41～45的构造没有特别地限定，例如是包括弹性波谐振器的弹性波滤波器、或包括电感器和电容器的LC滤波器等。此外，在高频模块1中也可以不包括滤波器43～45。

开关11是第一开关的一例，具有公共端子11a(第一公共端子)、选择端子11b(第一选择端子)、选择端子11c(第二选择端子)、选择端子11d、以及选择端子11e(外部连接端子)。开关11对公共端子11a与选择端子11b的连接及非连接进行切换，对公共端子11a与选择端子11c的连接及非连接进行切换，对公共端子11a与选择端子11d的连接及非连接进行切换，对选择端子11b与选择端子11e的连接及非连接进行切换，对选择端子11c与选择端子11e的连接及非连接进行切换，对选择端子11d与选择端子11e的连接及非连接进行切换。公共端子11a经由公共路径Pc来与开关12的公共端子12f连接，选择端子11b经由天线连接端子101来与天线2a连接，选择端子11c经由天线连接端子102来与天线2b连接，选择端子11d经由天线连接端子103来与天线2c连接，选择端子11e经由外部连接端子104来与外部电路(分集电路9)连接。此外，在开关11中也可以不包括选择端子11d及11e。

开关12是第二开关的一例，具有公共端子12f(第二公共端子)、选择端子12a(第三选择端子)、选择端子12b(第四选择端子)、选择端子12c、选择端子12d以及选择端子12e。开关12对公共端子12f与选择端子12a的连接及非连接进行切换，对公共端子12f与选择端子12b的连接及非连接进行切换，对公共端子12f与选择端子12c的连接及非连接进行切换，对公共端子12f与选择端子12d的连接及非连接进行切换，对公共端子12f与选择端子12e的连接及非连接进行切换。公共端子12f经由公共路径Pc来与公共端子11a连接，选择端子12a与电感器31连接，选择端子12b与电感器32连接，选择端子12c与电感器33连接，选择端子12d与电感器34连接，选择端子12e与电感器35连接。此外，在开关12中也可以不包括选择端子12c、12d及12e。

电感器21是第一电感器的一例，连接于将公共端子11a与公共端子12f连结的公共路径Pc。更为具体地说，电感器21的一端与公共端子11a连接，另一端与公共端子12f连接。

电容器22是第一电容器的一例，连接在公共路径Pc与地之间。此外，在本实施方式中，电容器22连接于公共路径Pc的电感器21与公共端子12f之间的部分，但也可以连接于公共路径Pc的电感器21与公共端子11a之间的部分。

电感器21和电容器22构成低通滤波器20。此外，也可以没有电容器22。另外，电感器21也可以连接在公共路径Pc与地之间。另外，在未配置电容器22的情况下，电感器21也可以作为阻抗匹配电路发挥功能。

电感器31是第二电感器的一例，连接于将选择端子12a与滤波器41连结的信号路径P1(第一路径)。更为具体地说，电感器31的一端与选择端子12a连接，另一端与滤波器41连接。此外，电感器31也可以连接在信号路径P1与地之间。

电感器32是第三电感器的一例，连接于将选择端子12b与滤波器42连结的信号路径P2(第二路径)。更为具体地说，电感器32的一端与选择端子12b连接，另一端与滤波器42连接。此外，电感器32也可以连接在信号路径P2与地之间。

电感器33连接于将选择端子12c与滤波器43连结的信号路径。更为具体地说，电感器33的一端与选择端子12c连接，另一端与滤波器43连接。此外，电感器33也可以连接在上述信号路径与地之间。电感器34连接于将选择端子12d与滤波器44连结的信号路径。更为具体地说，电感器34的一端与选择端子12d连接，另一端与滤波器44连接。此外，电感器34也可以连接在上述信号路径与地之间。电感器35连接于将选择端子12e与滤波器45连结的信号路径。更为具体地说，电感器35的一端与选择端子12e连接，另一端与滤波器45连接。此外，电感器35也可以连接在上述信号路径与地之间。此外，在高频模块1中也可以不包括电感器33～35。

电感器21与电感器31构成为能够进行磁场耦合。另外，电感器21与电感器32构成为能够进行磁场耦合。

低噪声放大器51的输入端与滤波器41连接，输出端与信号输出端子110连接。低噪声放大器51能够对频段A的接收频带的信号进行放大。低噪声放大器52的输入端与滤波器42连接，输出端与信号输出端子120连接。低噪声放大器52能够对频段B的接收频带的信号进行放大。低噪声放大器53的输入端与滤波器43连接，输出端与信号输出端子130连接。低噪声放大器53能够对频段C的接收频带的信号进行放大。低噪声放大器54的输入端与滤波器44连接，输出端与信号输出端子140连接。低噪声放大器54能够对频段D的接收频带的信号进行放大。低噪声放大器55的输入端与滤波器45连接，输出端与信号输出端子150连接。低噪声放大器55能够对频段E的接收频带的信号进行放大。此外，低噪声放大器51～55也可以是能够对频段A～E的接收信号进行放大的一个低噪声放大器。另外，在高频模块1中也可以不包括低噪声放大器51～55。

耦合器60配置于公共路径Pc，能够测定在公共路径Pc中传输的信号的功率。耦合器60具有相互进行电磁场耦合的主线路和副线路，主线路配置在公共路径Pc上，副线路的一端被终止，另一端与信号输出端子105连接。

由此，通过在公共路径Pc仅配置一个用于测定信号的功率的耦合器60，能够测定在与频段A～E对应的多个信号路径中传输的信号的功率，因此能够使高频模块1小型化。

接着，分别利用图1A～图1D对在高频模块1中(1)接收频段A的信号的情况(频段A接收模式)、(2)接收频段B的信号的情况(频段B接收模式)、(3)同时接收频段A和频段B的信号的情况(频段A和B同时接收模式)、以及(4)利用外部电路接收信号的情况(外部电路接收模式)进行说明。

首先，如图1A所示，在(1)频段A接收模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12a连接。在该电路状态下，频段A的信号通过天线2a、开关11、低通滤波器20、开关12、电感器31、滤波器41以及低噪声放大器51后从信号输出端子110输出。此时，信号流过电感器21及31，因此电感器21与电感器31进行磁场耦合而产生互感(+M1)(第一互感)。由此，低通滤波器20(公共路径Pc)的电感值为对电感器21的电感值L21加上+M1而得到的值。另外，信号路径P1的电感值为对电感器31的电感值L31加上+M1而得到的值。

此外，在(1)频段A接收模式下，不限定于利用天线2a接收频段A的信号的情况，也可以利用天线2b或2c来接收频段A的信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，或者公共端子11a与选择端子11d连接。

接着，如图1B所示，在(2)频段B接收模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12b连接。在该电路状态下，频段B的信号通过天线2a、开关11、低通滤波器20、开关12、电感器32、滤波器42以及低噪声放大器52后从信号输出端子120输出。此时，信号流过电感器21及32，因此电感器21与电感器32进行磁场耦合而产生互感(+M2)(第二互感)。由此，低通滤波器20(公共路径Pc)的电感值为对电感器21的电感值L21加上+M2而得到的值。另外，信号路径P2的电感值为对电感器32的电感值L32加上+M2而得到的值。

此外，在(2)频段B接收模式下，不限定于利用天线2a接收频段B的信号的情况，也可以利用天线2b或2c来接收频段B的信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，或者公共端子11a与选择端子11d连接。

在现有的高频模块中，为了配置对于传输多个频段的信号的多个信号路径的各个信号路径进行了优化的低通滤波器，在将天线2a与开关11连结的路径、将天线2b与开关11连结的路径、以及将天线2c与开关11连结的路径的各个路径配置有低通滤波器。

与此相对地，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在频段A接收模式和频段B接收模式下，将天线2a～2c与滤波器41～45中的任一个滤波器连结的多个信号路径共享公共路径Pc，在公共路径Pc配置有一个低通滤波器20。由此，在将天线连接端子101与开关11连结的路径、将天线连接端子102与开关11连结的路径、以及将天线连接端子103与开关11连结的路径中未连接片式电感器。

由此，能够将配置于公共路径Pc的一个电感器21兼用作用于取得天线2a～2c与高频模块1的阻抗匹配的匹配用元件，因此能够使高频模块1小型化。

另外，通过使低通滤波器20的电感器21与配置于各信号路径的电感器31～35的每个电感器个别地进行磁场耦合，能够针对频段A～E用的信号路径中的每个信号路径优化低通滤波器20的通带宽度、衰减极点的频率等。例如，在频段A接收模式下，电感器21与电感器31进行磁场耦合而产生互感(+M1)，在频段B接收模式下，电感器21与电感器32进行磁场耦合而产生与互感(+M1)不同的互感(+M2)。通过产生如上述那样的互感，能够使公共路径Pc的有效的电感值比电感器21的电感值大，另外，能够使信号路径P1的有效的电感值比电感器31的电感值大，能够使信号路径P2的有效的电感值比电感器32的电感值大。因此，能够使电感器21及31的电感值减小互感(+M1)的量，能够使电感器21及32的电感值减小互感(+M2)的量，因此能够减少电感器21、31及32的电阻损耗，能够减少频段A的信号路径和频段B的信号路径的传输损耗。

接着，如图1C所示，在(3)频段A和B同时接收模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12a连接，公共端子12f与选择端子12b连接。在该电路状态下，频段A的信号通过天线2a、开关11、低通滤波器20、开关12、电感器31、滤波器41以及低噪声放大器51后从信号输出端子110输出。与此同时，频段B的信号通过天线2a、开关11、低通滤波器20、开关12、电感器32、滤波器42以及低噪声放大器52后从信号输出端子120输出。此时，信号流过电感器21、31及32，因此电感器21与电感器31及电感器32进行磁场耦合而产生互感(+M3)。由此，低通滤波器20(公共路径Pc)的电感值为对电感器21的电感值L21加上+M3而得到的值。另外，信号路径P1的电感值为对电感器31的电感值L31加上+M1而得到的值，信号路径P2的电感值为对电感器32的电感值L32加上+M2而得到的值。

此外，在(3)频段A和B接收模式下，不限定于利用天线2a接收频段A和频段B的信号，也可以利用天线2b或2c来接收频段A和频段B的至少一个信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，和/或公共端子11a与选择端子11d连接。

接着，如图1D所示，在(4)外部电路接收模式下，选择端子11b与选择端子11e连接。在该电路状态下，频段A的信号通过天线2a、开关11、外部连接端子104后被输出到高频模块1的外部电路即分集电路9。分集电路9例如具备开关19、电感器39、滤波器49以及低噪声放大器59。通过了高频模块1的开关11的频段A的信号通过开关19、电感器39、滤波器49以及低噪声放大器59后被输出到例如RFIC 3。由于开关11具有选择端子11e，因此在分集电路9中传输的频段A的信号不通过低通滤波器20，因此能够减少从天线2a～2c连接至分集电路9的信号路径的传输损耗。

此外，在(4)外部电路接收模式下，不限定于利用天线2a接收频段A的信号，也可以利用天线2b或2c来接收频段A的信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，或者公共端子11a与选择端子11d连接。

[2高频模块1的部件配置结构]

接着，对本实施方式所涉及的高频模块1的部件配置结构进行说明。图2是实施方式所涉及的高频模块1的俯视图和剖视图。在图2的(a)中示出从z轴正方向侧观察模块基板70的主面70a的情况下的电路部件的配置。此外，在图2的(a)中，用虚线表示配置于模块基板70的主面70b的电路部件。另外，在图2的(b)中示出图2的(a)的IIB-IIB线处的剖视图。此外，在图2中，将模块基板70与各电路部件连接的布线的图示被省略了一部分。另外，在图2中，为了容易理解滤波器的配置关系，标注了表示其功能的标记，但不对实际的滤波器标注该标记。

图2中示出的高频模块1相对于图1A～图1D中示出的高频模块1，还具备模块基板70、树脂构件85及86、以及屏蔽电极层95。

模块基板70是具有彼此相向的主面70a(第一主面)和70b(第二主面)并且用于安装构成高频模块1的电路部件的基板。作为模块基板70，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。

如图2所示，在主面70a配置有滤波器41～45、以及电感器21及31～35。另外，在主面70b配置有半导体IC(Integrated Circuit：集成电路)81、外部连接端子91及92。此外，低噪声放大器51～55、耦合器60以及电容器22虽然在图2中未图示，但也可以配置于模块基板70。

半导体IC 81是第一半导体IC的一例，包括开关11及12。半导体IC 81也可以使用例如CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)来构成，具体地说，通过SOI(Silicon on Insulator：绝缘体上硅)工艺来制造。另外，半导体IC 81也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少一者构成。此外，半导体IC 81的半导体材料不限定于上述材料。

由此，构成高频模块1的电路部件被分开地配置在模块基板70的两面，因此能够使高频模块1小型化。

电感器21及31～35的各电感器例如是表面安装型的片式电感器。此外，电感器21及31～35的各电感器也可以由形成于模块基板70的平面线圈导体构成。

如图2的(a)所示，电感器21与电感器31的距离D₃₁比电感器21与电感器32的距离D₃₂小。

由此，能够使通过电感器21与电感器31的磁场耦合而产生的互感(+M1)不同于通过电感器21与电感器32的磁场耦合而产生的互感(+M2)。另外，在电感器31的电感值与电感器32的电感值大致相等的情况下，能够使互感(+M1)比互感(+M2)大。

由此，能够使公共路径Pc的电感值比电感器21的电感值大，另外，能够使信号路径P1的电感值比电感器31的电感值大，能够使信号路径P2的电感值比电感器32的电感值大。因此，能够使电感器21及31的电感值减小互感(+M1)的量，能够使电感器21及32的电感值减小互感(+M2)的量，因此能够减少电感器21、31及32的电阻损耗，能够减少频段A的信号路径和频段B的信号路径的传输损耗。另外，能够使互感(+M1)与互感(+M2)不同，因此能够在传输频段A的信号的情况和传输频段B的信号的情况下个别地设定公共路径Pc的电感值。

另外，也可以如图2的(a)所示，电感器21的卷绕轴正方向(x轴负方向)、电感器31的卷绕轴正方向(x轴负方向)以及电感器32的卷绕轴正方向(x轴负方向)一致。

由此，能够将互感(+M1)和互感(+M2)设为正值。另外，能够通过调整距离D₃₁和距离D₃₂来规定互感(+M1)与互感(+M2)的大小关系。在本实施方式中，距离D₃₁比距离D₃₂小，因此能够使互感(+M1)比互感(+M2)大。

此外，在电感器是表面安装型的片式部件的情况下，其卷绕轴是在该部件的内部形成的线圈的卷绕轴。另外，在电感器由形成于模块基板70的平面线圈构成的情况下，其卷绕轴是与包含平面线圈的平面垂直且与由平面线圈包围的区域交叉的轴。

另外，电感器的卷绕轴的方向如以下那样定义。在从自卷绕轴的一侧朝向另一侧的方向观察构成电感器的线圈时在该线圈中顺时针(右转)地流过电流的情况下，卷绕轴正方向被定义为从该卷绕轴的上述一侧朝向上述另一侧的方向，卷绕轴负方向被定义为从该卷绕轴的上述另一侧朝向上述一侧的方向。

树脂构件85被配置为覆盖主面70a、滤波器41～45以及电感器21及31～35。树脂构件86被配置为覆盖主面70b和半导体IC 81。

屏蔽电极层95形成为覆盖树脂构件85的表面、树脂构件86的侧面以及模块基板70的侧面，并被设定为地电位。

此外，树脂构件85、86以及屏蔽电极层95中的至少一方也可以不存在。

如图2的(a)所示，在俯视模块基板70的情况下，电感器31及32与半导体IC 81重叠。由此，能够缩短与开关12的选择端子12a及12b侧连接的布线，因此能够减少高频模块1的传输损耗。此外，电感器31及32中的至少一方与半导体IC 81重叠即可。

另外，虽然未图示，但在俯视模块基板70的情况下，电感器21也可以与半导体IC81重叠。由此，能够缩短与开关12的公共端子12f侧连接的布线，因此能够减少高频模块1的传输损耗。

[3变形例1所涉及的高频模块1A的部件配置结构]

接着，对变形例1所涉及的高频模块1A的部件配置结构进行说明。本变形例所涉及的高频模块1A具备：开关11及12、滤波器41～45、电感器21、31、32A、33、34及35、电容器22、低噪声放大器51～55、耦合器60、天线连接端子101～103、外部连接端子104、信号输出端子105及110～150、模块基板70、树脂构件85及86、以及屏蔽电极层95。本变形例所涉及的高频模块1A与实施方式所涉及的高频模块1相比，不同点仅在于电感器32的配置结构。因此，下面，关于本变形例所涉及的高频模块1A，省略与实施方式所涉及的高频模块1相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。

电感器32A是第三电感器的一例，连接于将选择端子12b与滤波器42连结的信号路径P2。更为具体地说，电感器32A的一端与选择端子12b连接，另一端与滤波器42连接。

图3是实施方式的变形例1所涉及的高频模块1A的俯视图。如该图所示，在主面70a配置有滤波器41～45、以及电感器21、31、32A、33、34及35。另外，在主面70b配置有半导体IC81、外部连接端子91及92。此外，低噪声放大器51～55、耦合器60以及电容器22虽然在图3中未图示，但也可以配置于模块基板70。

由此，构成高频模块1A的电路部件被分开地配置在模块基板70的两面，因此能够使高频模块1A小型化。

电感器21、31、32A、33、34及35的各电感器例如是表面安装型的片式电感器。此外，电感器21、31、32A、33、34及35的各电感器也可以由形成于模块基板70的平面线圈导体构成。

如图3所示，电感器21的卷绕轴正方向(x轴负方向)与电感器31的卷绕轴正方向(x轴负方向)一致，电感器21的卷绕轴正方向(x轴负方向)与电感器32A的卷绕轴负方向(x轴负方向)一致。

由此，能够使通过电感器21与电感器31的磁场耦合而产生的互感(+M1)不同于通过电感器21与电感器32A的磁场耦合而产生的互感(-M2)。另外，在电感器31的电感值与电感器32A的电感值大致相等的情况下，能够使互感(+M1)比互感(-M2)大。

由此，能够使公共路径Pc的电感值比电感器21的电感值大，另外，能够使信号路径P1的电感值比电感器31的电感值大。因此，能够使电感器21及31的电感值减小互感(+M1)的量，因此能够减少电感器21及31的电阻损耗，能够减少频段A的信号路径的传输损耗。另外，能够使互感(+M1)与互感(-M2)不同，因此能够在传输频段A的信号的情况和传输频段B的信号的情况下个别地设定公共路径Pc的电感值。

此外，在本变形例中，将电感器31的卷绕轴正方向设为与电感器21的卷绕轴正方向相同的方向，将电感器32A的卷绕轴正方向设为与电感器21的卷绕轴正方向相反的方向，但也可以代替该配置结构，使电感器21的卷绕轴正方向与电感器31的卷绕轴正方向所成的角度比电感器21的卷绕轴正方向与电感器32A的卷绕轴正方向所成的角度小。

由此，能够使公共路径Pc的电感值比电感器21的电感值大，另外，能够使信号路径P1的电感值比电感器31的电感值大。因此，能够使电感器21及31的电感值减小通过电感器21与电感器31的磁场耦合而产生的互感(+M1)的量，因此能够减少电感器21及31的电阻损耗，能够减少频段A的信号路径的传输损耗。另外，能够使通过电感器21与电感器31的磁场耦合而产生的互感(+M1)比通过电感器21与电感器32A的磁场耦合而产生的互感(+M2)大，因此能够在传输频段A的信号的情况和传输频段B的信号的情况下个别地设定公共路径Pc的电感值。

另外，也可以如图3所示，电感器21与电感器32的距离D₃₁比电感器21与电感器32A的距离D₃₂小。

由此，能够使互感(+M1)与互感(+M2)更大地不同。另外，在电感器21的电感值与电感器31的电感值大致相等的情况下，能够使互感(+M1)比互感(+M2)大。

另外，如图3所示，在俯视模块基板70的情况下，电感器31及32A与半导体IC 81重叠。由此，能够缩短与开关12的选择端子12a及12b侧连接的布线，因此能够减少高频模块1A的传输损耗。此外，电感器31及32A中的至少一方与半导体IC 81重叠即可。

另外，虽然未图示，但在俯视模块基板70的情况下，电感器21也可以与半导体IC81重叠。由此，能够缩短与开关12的公共端子12f侧连接的布线，因此能够减少高频模块1A的传输损耗。

[4变形例2所涉及的高频模块1B的部件配置结构]

接着，对变形例2所涉及的高频模块1B的部件配置结构进行说明。本变形例所涉及的高频模块1B具备：开关11及12、滤波器41～45、电感器21及31～35、电容器22、低噪声放大器51～55、耦合器60、天线连接端子101～103、外部连接端子104、信号输出端子105及110～150、模块基板70、树脂构件85及86、屏蔽电极层95、以及地金属板93。本变形例所涉及的高频模块1B与实施方式所涉及的高频模块1相比，不同点仅在于配置有地金属板93。因此，下面，关于本变形例所涉及的高频模块1B，省略与实施方式所涉及的高频模块1相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。

图4是实施方式的变形例2所涉及的高频模块1B的俯视图和剖视图。如该图所示，在主面70a配置有滤波器41～45、电感器21及31～35、以及地金属板93。另外，在主面70b配置有半导体IC 81、外部连接端子91及92。此外，低噪声放大器51～55、耦合器60以及电容器22虽然在图4中未图示，但也可以配置于模块基板70。

由此，构成高频模块1B的电路部件被分开地配置在模块基板70的两面，因此能够使高频模块1B小型化。

地金属板93是金属构件的一例，在电感器21及31与电感器32之间竖立设置在主面70a上。更为具体地说，地金属板93以包围电感器21及31的方式竖立设置在主面70a上。此外，地金属板93也可以如图4的(b)所示那样与屏蔽电极层95接合，另外，也可以与形成在模块基板70内的地层连接。

由此，在电感器21与电感器32之间配置有地金属板93，因此能够使通过电感器21与电感器32的磁场耦合而产生的互感(+M2)比通过电感器21与电感器31的磁场耦合而产生的互感(+M1)小。

此外，能够根据电感器21与电感器31的距离D₃₁、电感器21与电感器32的距离D₃₂、以及电感器31及32的卷绕轴方向，来调整互感(+M1)和互感(+M2)的大小。

由此，能够使公共路径Pc的电感值比电感器21的电感值大，另外，能够使信号路径P1的电感值比电感器31的电感值大。因此，能够使电感器21及31的电感值减小互感(+M1)的量，因此能够减少电感器21及31的电阻损耗，能够减少频段A的信号路径的传输损耗。另外，能够使互感(+M1)与互感(+M2)不同，因此能够在传输频段A的信号的情况和传输频段B的信号的情况下个别地设定公共路径Pc的电感值。

此外，在本变形例中，地金属板93以包围电感器21及31的方式竖立设置于主面70a，但也可以以不包围电感器21及31而包围电感器32的方式竖立设置。另外，将电感器21及31与电感器32隔开的金属构件也可以不是地金属板93，例如也可以是包括电极等导电构件的电路元件。

另外，也可以在主面70a上配置有将滤波器41～45与电感器21及31～35隔开的地金属板。由此，能够在确保电感器21与电感器31～35的磁场耦合的同时，抑制电感器21及31～35与滤波器41～45的电磁场耦合。

[5变形例3所涉及的高频模块1C的结构]

接着，对实施方式的变形例3所涉及的高频模块1C的电路结构及带通特性进行说明。图5A是实施方式的变形例3所涉及的高频模块1C的接收频段A时的电路结构图。图5B是实施方式的变形例3所涉及的高频模块1C的接收频段B时的电路结构图。图5C是实施方式的变形例3所涉及的高频模块1C的接收频段C时的电路结构图。如图5A～图5C所示，高频模块1C具备：开关11及12、滤波器41～45、电感器21、31～35、电容器22及23、低噪声放大器51～55、天线连接端子101～103、以及信号输出端子110～150。高频模块1C也可以具备配置于公共路径Pc的耦合器60。本变形例所涉及的高频模块1C与实施方式所涉及的高频模块1相比，低通滤波器20C的电路结构不同。因此，下面，关于本变形例所涉及的高频模块1C，省略与实施方式所涉及的高频模块1相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。

电感器21是第一电感器的一例，连接于将公共端子11a与公共端子12f连结的公共路径Pc。更为具体地说，电感器21的一端与公共端子11a连接，另一端与公共端子12f连接。

电容器22是第一电容器的一例，连接在公共路径Pc与地之间。此外，在本实施方式中，电容器22连接于公共路径Pc的电感器21与公共端子12f之间的部分，但也可以连接于公共路径Pc的电感器21与公共端子11a之间的部分。

电容器23是第二电容器的一例，与电感器21并联连接。

电感器21、电容器22及23构成低通滤波器20C。此外，也可以没有电容器22。

电感器21与电感器31构成为能够进行磁场耦合。另外，电感器21与电感器33构成为能够进行磁场耦合。另外，电感器21与电感器32构成为不进行磁场耦合。

作为实现如上述那样的电感器21与电感器31～33的磁场耦合的有无的高频模块1C的结构，例如举出如以下那样的配置结构A～C。此外，高频模块1C还具备模块基板70，该模块基板70具有彼此相向的主面70a及70b。

(配置结构A)

电感器21及31～33配置于主面70a，电感器21的卷绕轴正方向与电感器31的卷绕轴正方向一致，电感器21的卷绕轴正方向与电感器33的卷绕轴负方向一致。电感器21与电感器31的距离D₃₁比电感器21与电感器32的距离D₃₂小。

(配置结构B)

电感器21及31～33配置于主面70a，电感器21的卷绕轴正方向与电感器31的卷绕轴正方向一致，电感器21的卷绕轴正方向与电感器33的卷绕轴负方向一致，电感器21的卷绕轴正方向与电感器32的卷绕轴正方向所成的角度为90°。

(配置结构C)

电感器21及31～33配置于主面70a，电感器21的卷绕轴正方向与电感器31的卷绕轴正方向一致，电感器21的卷绕轴正方向与电感器33的卷绕轴负方向一致。并且，将地金属板以不包括电感器32而包围电感器21、31及33的方式竖立设置在主面70a上。

接着，分别利用图5A～图5C对在高频模块1C中(1)接收频段A的信号的情况(频段A接收模式)、(2)接收频段B的信号的情况(频段B接收模式)、以及(3)同时接收频段C的信号的情况(频段C接收模式)进行说明。

首先，如图5A所示，在(1)频段A接收模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12a连接。在该电路状态下，频段A的信号通过天线2a、开关11、低通滤波器20C、开关12、电感器31、滤波器41以及低噪声放大器51后从信号输出端子110输出。此时，信号流过电感器21及31，因此电感器21与电感器31进行磁场耦合而产生互感(+M1)。由此，在低通滤波器20C中，对公共路径Pc等效地串联附加+M1的电感，对将公共路径Pc与电容器22连结的分流路径等效地串联附加-M1的电感，对信号路径P1等效地串联附加+M1的电感。

此外，在(1)频段A接收模式下，不限定于利用天线2a接收频段A的信号，也可以利用天线2b或2c来接收频段A的信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，或者公共端子11a与选择端子11d连接。

接着，如图5B所示，在(2)频段B接收模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12b连接。在该电路状态下，频段B的信号通过天线2a、开关11、低通滤波器20C、开关12、电感器32、滤波器42以及低噪声放大器52后从信号输出端子120输出。此时，虽然信号流过电感器21及32，但由于电感器21和电感器32被配置构成为不进行磁场耦合，因此在电感器21与电感器32之间不产生互感。

此外，在(2)频段B接收模式下，不限定于利用天线2a接收频段B的信号，也可以利用天线2b或2c来接收频段B的信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，或者公共端子11a与选择端子11d连接。

接着，如图5C所示，在(3)频段C接收模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12c连接。在该电路状态下，频段C的信号通过天线2a、开关11、低通滤波器20C、开关12、电感器33、滤波器43以及低噪声放大器53后从信号输出端子130输出。此时，信号流过电感器21及33，因此电感器21与电感器33进行磁场耦合而产生互感(-M3)。由此，在低通滤波器20C中，对公共路径Pc等效地串联附加-M3的电感，对将公共路径Pc与电容器22连结的分流路径等效地串联附加+M3的电感，对将选择端子12c与滤波器43连结的信号路径P3等效地串联附加-M3的电感。

此外，在(3)频段C接收模式下，不限定于利用天线2a接收频段C的信号，也可以利用天线2b或2c来接收频段C的信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，或者公共端子11a与选择端子11d连接。

图6是示出实施方式的变形例3所涉及的高频模块1C的低通滤波器20C的带通特性的图表。在该图中示出(1)频段A接收模式、(2)频段B接收模式、以及(3)频段C接收模式下的低通滤波器20C的带通特性。

在频段A接收模式的情况下，对公共路径Pc与地之间附加具有-M1的电感的等效电感器，通过包括该等效电感器的谐振电路，在带通特性中形成频率f_A的第一衰减极点。

在频段B接收模式的情况下，不对公共路径Pc与地之间附加通过磁场耦合而产生的等效电感器，通过不包括该等效电感器的谐振电路，在带通特性中形成与第一衰减极点相比靠低频侧的频率f_B的第二衰减极点。

在频段C接收模式的情况下，对公共路径Pc与地之间附加具有+M3的电感的等效电感器，通过包括该等效电感器的谐振电路，在带通特性中形成与第二衰减极点相比靠低频侧的频率f_C的第三衰减极点。

由此，通过电感器21与电感器31的磁场耦合，能够对公共路径Pc与电容器22之间附加具有负的电感(-M1)且无电阻成分的等效电感器，能够产生尖锐的第一衰减极点。另外，通过电感器21与电感器33的磁场耦合，能够对公共路径Pc与电容器22之间附加具有正的电感(+M3)且无电阻成分的等效电感器，能够产生尖锐的第三衰减极点。由此，能够通过电感器21与电感器31的磁场耦合、以及电感器21与电感器33的磁场耦合，来使衰减极点的产生频率不同。

例如，在具有频段A位于比频段B靠高频侧的位置、频段B位于比频段C靠高频侧的位置那样的频段关系的情况下，通过使f_A>f_B>f_C，能够使低通滤波器20C的通带高频端与频段频率相匹配地移位，因此能够使各频段的信号低损耗化。也就是说，通过使低通滤波器20C的电感器21分别与配置于各信号路径的电感器31～35进行磁场耦合，能够针对频段A～E用的信号路径的每个信号路径优化低通滤波器20C的通带宽度、衰减极点的频率等。

另外，在本变形例所涉及的高频模块1C中，将天线2a～2c与滤波器41～45中的任一个滤波器连结的多个信号路径共享公共路径Pc，在公共路径Pc配置有一个低通滤波器20C。由此，在将天线连接端子101与开关11连结的路径、将天线连接端子102与开关11连结的路径、以及将天线连接端子103与开关11连结的路径中未连接片式电感器。

由此，能够将低通滤波器20C兼用作用于对天线2a～2c与高频模块1C进行阻抗匹配的匹配用电路，因此能够使高频模块1C小型化。

[6变形例4所涉及的高频模块1D的结构]

接着，对实施方式的变形例4所涉及的高频模块1D的电路结构及带通特性进行说明。图7A是实施方式的变形例4所涉及的高频模块1D的发送频段A时的电路结构图。图7B是实施方式的变形例4所涉及的高频模块1D的接收频段A时的电路结构图。如图7A和图7B所示，高频模块1D具备：开关11及12、滤波器41及43～46、电感器21、31及33～36、电容器22及24、低噪声放大器51及53～55、功率放大器56、天线连接端子101～103、信号输出端子120～150、以及信号输入端子160。此外，高频模块1D也可以具备配置于公共路径Pc的耦合器60。本变形例所涉及的高频模块1D与实施方式所涉及的高频模块1相比，不同点在于低通滤波器20D的结构、以及配置频段A的发送电路来代替频段B的接收电路。因此，下面，对于本变形例所涉及的高频模块1D，省略与实施方式所涉及的高频模块1相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。

信号输入端子160与功率放大器56的输入端连接。信号输出端子120与低噪声放大器51的输出端连接。

滤波器46是第一滤波器的一例，具有包含频段A的发送频带的通带。滤波器46的一端与电感器36连接，另一端与功率放大器56的输出端连接。

滤波器41是第二滤波器的一例，具有包含频段A的接收频带的通带。滤波器41的一端与电感器31连接，另一端与低噪声放大器51的输入端连接。

开关12具有公共端子12f、选择端子12a、12b、12c、12d及12e。公共端子12f经由公共路径Pc来与公共端子11a连接，选择端子12a与电感器36连接，选择端子12b与电感器31连接，选择端子12c与电感器33连接，选择端子12d与电感器34连接，选择端子12e与电感器35连接。

电容器24连接在公共路径Pc与地之间。

电感器21是第一电感器的一例，连接于将公共端子11a与公共端子12f连结的公共路径Pc。更为具体地说，电感器21的一端与公共端子11a连接，另一端与公共端子12f连接。

电感器36是第一电感器的一例，连接于将选择端子12a与滤波器46连结的信号路径P1(第一路径)。更为具体地说，电感器36的一端与选择端子12a连接，另一端与滤波器46连接。此外，电感器36也可以连接在信号路径P1与地之间。

电感器31是第二电感器的一例，连接于将选择端子12a与滤波器41连结的信号路径P2(第二路径)。更为具体地说，电感器31的一端与选择端子12a连接，另一端与滤波器41连接。此外，电感器31也可以连接在信号路径P2与地之间。

电感器21、电容器22及24构成低通滤波器20D。此外，也可以没有电容器22及24。另外，电感器21也可以连接在公共路径Pc与地之间。另外，在未配置电容器22及24的情况下，电感器21也可以作为阻抗匹配电路发挥功能。

电感器21与电感器36构成为能够进行磁场耦合。另外，电感器21与电感器31构成为不进行磁场耦合。

电感器36连接于将选择端子12a与滤波器46连结的信号路径P1。更为具体地说，电感器36的一端与选择端子12a连接，另一端与滤波器46连接。此外，电感器36也可以连接在信号路径P1与地之间。

电感器31连接于将选择端子12b与滤波器41连结的信号路径P2。更为具体地说，电感器31的一端与选择端子12b连接，另一端与滤波器41连接。此外，电感器31也可以连接在信号路径P2与地之间。

功率放大器56的输出端与滤波器46连接，输入端与信号输入端子160连接。低噪声放大器51的输入端与滤波器41连接，输出端与信号输出端子120连接。

作为实现如上述那样的电感器21与电感器31及36的磁场耦合的有无的高频模块1D的结构，例如举出如以下那样的配置结构D～F。此外，高频模块1D还具备模块基板70，该模块基板70具有彼此相向的主面70a及70b。

(配置结构D)

电感器21、31及36配置于主面70a，电感器21的卷绕轴正方向与电感器36的卷绕轴负方向一致。电感器21与电感器31的距离D₃₁比电感器21与电感器36的距离D₃₆大。

(配置结构E)

电感器21、31及36配置于主面70a，电感器21的卷绕轴正方向与电感器36的卷绕轴负方向一致，电感器21的卷绕轴正方向与电感器31的卷绕轴正方向所成的角度为90°。

(配置结构F)

电感器21、31及36配置于主面70a，电感器21的卷绕轴正方向与电感器36的卷绕轴负方向一致。并且，地金属板以不包括电感器31而包围电感器21及36的方式竖立设置在主面70a上。

接着，分别利用图7A和图7B对在高频模块1D中(1)发送频段A的信号的情况(频段A发送模式)和(2)接收频段A的信号的情况(频段A接收模式)进行说明。

首先，如图7A所示，在(1)频段A发送模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12a连接。在该电路状态下，频段A的信号通过信号输入端子160、功率放大器56、滤波器46、电感器36、开关12、低通滤波器20D以及开关11后从天线2a输出。此时，信号流过电感器21及36，因此电感器21与电感器36进行磁场耦合而产生互感(-M1)。由此，在低通滤波器20D中，对公共路径Pc等效地串联附加-M1的电感，对将公共路径Pc与电容器22连结的分流路径等效地串联附加+M1的电感，对信号路径P1等效地串联附加-M1的电感。

此外，在(1)频段A发送模式下，不限定于从天线2a发送频段A的信号，也可以从天线2b或2c发送频段B的信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，或者公共端子11a与选择端子11d连接。

接着，如图7B所示，在(2)频段A接收模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12b连接。在该电路状态下，频段A的信号通过天线2a、开关11、低通滤波器20D、开关12、电感器31、滤波器41以及低噪声放大器51后从信号输出端子120输出。此时，虽然信号流过电感器21及31，但电感器21和电感器31被配置构成为不进行磁场耦合，因此在电感器21与电感器31之间不产生互感。

此外，在(2)频段A接收模式下，不限定于利用天线2a接收频段A的信号，也可以利用天线2b或2c来接收频段A的信号。在该情况下，公共端子11a与选择端子11c连接，或者公共端子11a与选择端子11d连接。

接着，对作为现有结构的比较例所涉及的高频模块500的电路结构进行说明。图7C是比较例所涉及的高频模块500的发送频段A时的电路结构图。如该图所示，高频模块500具备：开关11及12、滤波器41及43～46、电感器21、25、31及33～36、电容器22及24、低噪声放大器51及53～55、功率放大器56、天线连接端子101～103、信号输出端子120～150、以及信号输入端子160。比较例所涉及的高频模块500与变形例4所涉及的高频模块1D相比，主要是低通滤波器520的结构不同。因此，下面，对于比较例所涉及的高频模块500，省略与变形例4所涉及的高频模块1D相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。

电感器25连接在公共路径Pc与电容器22之间。电感器21及25、以及电容器22及24构成低通滤波器520。

电感器21与电感器36构成为不进行磁场耦合。另外，电感器21与电感器31构成为不进行磁场耦合。

如图7C所示，在高频模块500中，在(1)频段A发送模式下，公共端子11a与选择端子11b连接，公共端子12f与选择端子12a连接。在该电路状态下，频段A的信号通过信号输入端子160、功率放大器56、滤波器46、电感器36、开关12、低通滤波器520以及开关11后从天线2a输出。此时，电感器21与电感器36不进行磁场耦合，因此不对低通滤波器520附加通过电感器21与电感器36的磁场耦合而产生的电感。因此，在高频模块500中，作为电路结构而配置有电感器25。

图8是示出实施方式的变形例4所涉及的高频模块1D的低通滤波器20D和比较例所涉及的高频模块500的低通滤波器520的带通特性的图表。在该图中，示出了(1)高频模块1D的频段A发送模式、(2)高频模块1D的频段A接收模式、以及(3)高频模块500的频段A发送模式及频段A接收模式下的低通滤波器20D(520)的带通特性。

在频段A发送模式的情况下，在高频模块1D和高频模块500这两者中形成频率f_T的衰减极点。在高频模块500中，由公共路径Pc与地之间的电感器25和电容器22形成了LC串联谐振电路。另一方面，在高频模块1D中，由公共路径Pc与地之间的等效电感器(+M1)和电容器22形成了LC串联谐振电路。由于对高频模块1D附加的等效电感器没有电阻损耗，因此能够使LC串联谐振电路的Q值高，因此能够提高上述衰减极点(频率f_T)的锐度。与之相伴地，高频模块1D与高频模块500相比，能够减少低通滤波器20D的通带高频端的插入损耗(减少所谓的肩降)。

另外，在高频模块1D中，在接收时不产生上述等效电感器，因此在频段A接收模式下，与高频模块500相比能够减少低通滤波器20D的插入损耗。

此外，在高频模块1D的频段A接收模式下，也可以将电感器21及32配置构成为产生互感(+M2)。由此，能够对公共路径Pc与电容器22之间附加互感(-M2)的等效电感器，能够进一步减少低通滤波器20D的插入损耗。

[7效果等]

如上所述，实施方式所涉及的高频模块1具备：开关11，其具有与天线2a连接的选择端子11b、与天线2b连接的选择端子11c、以及公共端子11a；开关12，其具有选择端子12a、12b以及公共端子12f；滤波器41及42；电感器21，其连接于将公共端子11a与公共端子12f连结的公共路径Pc；电感器31，其连接于将选择端子12a与滤波器41连结的信号路径P1；以及电感器32，其连接于将选择端子12b与滤波器42连结的信号路径P2，其中，电感器21与电感器31的距离D₃₁比电感器21与电感器32的距离D₃₂小。

由此，将天线2a及2b中的任一个天线与滤波器41及42中的任一个滤波器连结的多个信号路径共享公共路径Pc。此时，电感器21与电感器31能够进行磁场耦合而产生互感(+M1)，另外，电感器21与电感器32能够进行磁场耦合而产生与互感(+M1)不同的互感(+M2)。通过产生如上述那样的互感，能够使公共路径Pc的电感值比电感器21的电感值大，另外，能够使信号路径P1的电感值比电感器31的电感值大，能够使信号路径P2的电感值比电感器32的电感值大。因此，能够使电感器21及31的电感值减小互感(+M1)的量，能够使电感器21及32的电感值减小互感(+M2)的量，因此能够减少电感器21、31及32的电阻损耗，能够减少通过公共路径Pc、信号路径P1及P2的多个频段的信号的传输损耗。另外，由于以共享配置于公共路径Pc的电感器21的方式个别地实现了多个信号路径的磁场耦合，因此能够使高频模块1小型化。

另外，例如在高频模块1中，电感器21的卷绕轴正方向、电感器31的卷绕轴正方向以及电感器32的卷绕轴正方向一致。

由此，能够使互感(+M1)比互感(+M2)大。

另外，例如，变形例1所涉及的高频模块1A具备：开关11，其具有与天线2a连接的选择端子11b、与天线2b连接的选择端子11c、以及公共端子11a；开关12，其具有选择端子12a、12b以及公共端子12f；滤波器41及42；电感器21，其连接于将公共端子11a与公共端子12f连结的公共路径Pc；电感器31，其连接于将选择端子12a与滤波器41连结的信号路径P1；以及电感器32A，其连接于将选择端子12b与滤波器42连结的信号路径P2，其中，电感器21的卷绕轴正方向与电感器31的卷绕轴正方向所成的角度比电感器21的卷绕轴正方向与电感器32A的卷绕轴正方向所成的角度小。

由此，将天线2a及2b中的任一个天线与滤波器41及42中的任一个滤波器连结的多个信号路径共享公共路径Pc。此时，电感器21与电感器31能够进行磁场耦合而产生互感(+M1)，另外，电感器21与电感器32A能够进行磁场耦合而产生与互感(+M1)不同的互感(+M2)。通过产生如上述那样的互感，能够使公共路径Pc的电感值比电感器21的电感值大，另外，能够使信号路径P1的电感值比电感器31的电感值大，另外，能够使信号路径P2的电感值比电感器32A的电感值大，因此，能够减少电感器21、31及32A的电阻损耗，能够减少通过公共路径Pc、信号路径P1及P2的多个频段的信号的传输损耗。另外，由于以共享配置于公共路径Pc的电感器21的方式个别地实现了多个信号路径的磁场耦合，因此能够使高频模块1A小型化。

另外，例如，在高频模块1A中，电感器21的卷绕轴正方向与电感器31的卷绕轴正方向一致，电感器21的卷绕轴正方向与电感器32的卷绕轴负方向一致，电感器21与电感器31的距离D₃₁比电感器21与电感器32A的距离D₃₂小。

由此，能够使互感(+M1)比互感(-M2)大。

另外，例如，变形例2所涉及的高频模块1B具备：开关11，其具有与天线2a连接的选择端子11b、与天线2b连接的选择端子11c、以及公共端子11a；开关12，其具有选择端子12a、12b以及公共端子12f；滤波器41及42；电感器21，其连接于将公共端子11a与公共端子12f连结的公共路径Pc；电感器31，其连接于将选择端子12a与滤波器41连结的信号路径P1；电感器32，其连接于将选择端子12b与滤波器42连结的信号路径P2；以及金属构件，其配置在电感器21与电感器32之间。

由此，将天线2a及2b中的任一个天线与滤波器41及42中的任一个滤波器连结的多个信号路径共享公共路径Pc。此时，电感器21与电感器31能够进行磁场耦合而产生互感(+M1)，另外，电感器21与电感器32能够进行磁场耦合而产生与互感(+M1)不同的互感(+M2)。通过产生如上述那样的互感，能够使公共路径Pc的电感值比电感器21的电感值大，另外，能够使信号路径P1的电感值比电感器31的电感值大，另外，能够使信号路径P2的电感值比电感器32的电感值大，因此，能够减少电感器21、31及32的电阻损耗，能够减少通过公共路径Pc、信号路径P1及P2的多个频段的信号的传输损耗。另外，由于以共享配置于公共路径Pc的电感器21的方式个别地实现了多个信号路径的磁场耦合，因此能够使高频模块1B小型化。

另外，例如，高频模块1B还具备模块基板70，模块基板70具有彼此相向的主面70a及70b，电感器21、31及32配置于主面70a，在俯视主面70a时，金属构件是竖立设置在电感器21及31与电感器32之间的地金属板93。

由此，能够使互感(+M1)比互感(+M2)大。

另外，例如，在高频模块1、1A及1B中，开关11及12包括在半导体IC 81中，电感器21、31及32配置于主面70a，半导体IC 81配置于主面70b。

由此，电感器21、31及32、以及开关11及12被分开地配置在模块基板70的两面，因此能够使高频模块1、1A及1B小型化。

另外，例如，在高频模块1、1A及1B中，在俯视模块基板70的情况下，电感器31及32中的至少一方与半导体IC 81重叠。

由此，能够缩短与开关12的选择端子侧连接的布线，因此能够减少高频模块1、1A及1B的传输损耗。

另外，例如，在高频模块1、1A及1B中，在俯视模块基板70的情况下，电感器21与半导体IC 81重叠。

由此，能够缩短与开关12的公共端子侧连接的布线，因此能够减少高频模块1、1A及1B的传输损耗。

另外，例如，在高频模块1、1A及1B中，电感器21的一端与公共端子11a连接，电感器21的另一端与公共端子12f连接，还具备连接在公共路径Pc与地之间的电容器22。

由此，电感器21和电容器22构成低通滤波器20，通过开关12的连接切换，能够产生第一互感或第二互感。由此，能够使低通滤波器20的通带宽度、衰减极点的频率以及衰减量等变化。

另外，例如，变形例3所涉及的高频模块1C还具备与电感器21并联连接的电容器23。

由此，能够通过电感器21与电感器31的磁场耦合而使公共路径Pc与电容器22之间产生负的互感(-M1)，能够通过由互感(-M1)和电容器22引起的LC谐振而产生低通滤波器20C的尖锐的衰减极点。由此，能够通过电感器21与电感器31的磁场耦合、以及电感器21与电感器32的磁场耦合，来使衰减极点的产生频率不同。

另外，例如，在高频模块1C中，在将公共端子12f与选择端子12a连接而将公共端子12f与选择端子12b设为非连接的情况下，在公共路径Pc的带通特性中产生第一衰减极点(f_A)，在将公共端子12f与选择端子12a设为非连接而将公共端子12f与选择端子12b进行连接的情况下，在公共路径Pc的带通特性中产生与第一衰减极点(f_A)相比靠低频侧的第二衰减极点(f_B)。

由此，通过使低通滤波器20C的电感器21分别与配置于信号路径P1的电感器31及配置于信号路径P2的电感器32进行磁场耦合，能够针对每个信号路径优化低通滤波器20C的通带宽度、衰减极点的频率等。

另外，例如，高频模块1、1A、1B及1C还具备配置于公共路径Pc的耦合器60。

由此，通过在公共路径Pc仅配置一个用于测定信号的功率的耦合器60，能够测定在多个信号路径中传输的信号的功率，因此能够使高频模块1、1A、1B及1C小型化。

另外，例如，高频模块1、1A、1B及1C还具备：天线连接端子101，其连接在天线2a与选择端子11b之间；以及天线连接端子102，其连接在天线2b与选择端子11c之间，在将天线连接端子101与选择端子11b连结的信号路径、以及将天线连接端子102与选择端子11c连结的信号路径中未连接片式电感器。

由此，能够将电感器21兼用作天线2a与高频模块1(以及1A、1B、1C)的匹配用元件、以及天线2b与高频模块1(以及1A、1B、1C)的匹配用元件，因此能够使高频模块1、1A、1B及1C小型化。

另外，例如，在高频模块1、1A、1B及1C中，开关11还具有选择端子11e，选择端子11e连接于高频模块1(以及1A、1B、1C)以外的分集电路9，并能够与选择端子11b及11c中的至少一方连接。

由此，不在将天线2a及2b与分集电路9连结的信号路径配置电感器，因此能够减少该信号路径的传输损耗。

(其它实施方式等)

以上，例举实施方式和变形例对本发明的实施方式所涉及的高频模块和通信装置进行了说明，但本发明所涉及的高频模块和通信装置并不限定于上述实施方式和变形例。将上述实施方式和变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式和变形例实施本领域技术人员所想到的各种变形而得到的变形例、内置有上述高频模块的各种设备也包含于本发明。

例如，在上述实施方式和变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图所公开的将各电路元件与信号路径进行连接的路径之间插入其它电路元件和布线等。

下面，示出基于上述实施方式进行了说明的高频模块的特征。

<1>

一种高频模块，具备：

第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；

第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；

第一滤波器及第二滤波器；

第一电感器，其连接于将所述第一公共端子与所述第二公共端子连结的公共路径；

第二电感器，其连接于将所述第三选择端子与所述第一滤波器连结的第一路径；以及

第三电感器，其连接于将所述第四选择端子与所述第二滤波器连结的第二路径，

其中，所述第一电感器与所述第二电感器的距离比所述第一电感器与所述第三电感器的距离小。

<2>

根据<1>所述的高频模块，其中，

所述第一电感器的卷绕轴正方向、所述第二电感器的卷绕轴正方向以及所述第三电感器的卷绕轴正方向一致。

<3>

一种高频模块，具备：

第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；

第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；

第一滤波器及第二滤波器；

第一电感器，其连接于将所述第一公共端子与所述第二公共端子连结的公共路径；

第二电感器，其连接于将所述第三选择端子与所述第一滤波器连结的第一路径；以及

第三电感器，其连接于将所述第四选择端子与所述第二滤波器连结的第二路径，

其中，所述第一电感器的卷绕轴正方向与所述第二电感器的卷绕轴正方向所成的角度比所述第一电感器的卷绕轴正方向与所述第三电感器的卷绕轴正方向所成的角度小。

<4>

根据<3>所述的高频模块，其中，

所述第一电感器的卷绕轴正方向与所述第二电感器的卷绕轴正方向一致，

所述第一电感器的卷绕轴正方向与所述第三电感器的卷绕轴负方向一致，

所述第一电感器与所述第二电感器的距离比所述第一电感器与所述第三电感器的距离小。

<5>

一种高频模块，具备：

第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；

第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；

第一滤波器及第二滤波器；

第一电感器，其连接于将所述第一公共端子与所述第二公共端子连结的公共路径；

第二电感器，其连接于将所述第三选择端子与所述第一滤波器连结的第一路径；

第三电感器，其连接于将所述第四选择端子与所述第二滤波器连结的第二路径；以及

金属构件，其配置在所述第一电感器与所述第三电感器之间。

<6>

根据<5>所述的高频模块，其中，

还具备模块基板，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，

所述第一电感器、所述第二电感器以及所述第三电感器配置于所述第一主面，

在俯视所述第一主面时，所述金属构件是竖立设置在所述第一电感器及所述第二电感器与所述第三电感器之间的地金属板。

<7>

根据<1>～<5>中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备模块基板，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，

所述第一开关和所述第二开关包括在第一半导体IC中，

所述第一电感器、所述第二电感器以及所述第三电感器配置于所述第一主面，

所述第一半导体IC配置于所述第二主面。

<8>

根据<7>所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第二电感器及所述第三电感器中的至少一方与所述第一半导体IC重叠。

<9>

根据<7>所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一电感器与所述第一半导体IC重叠。

<10>

根据<1>～<9>中的任一项所述的高频模块，其中，

所述第一电感器的一端与所述第一公共端子连接，

所述第一电感器的另一端与所述第二公共端子连接，

所述高频模块还具备连接在所述公共路径与地之间的第一电容器。

<11>

根据<10>所述的高频模块，其中，

还具备与所述第一电感器并联连接的第二电容器。

<12>

根据<11>所述的高频模块，其中，

在将所述第二公共端子与所述第三选择端子连接而将所述第二公共端子与所述第四选择端子设为非连接的情况下，在所述公共路径的带通特性中产生第一衰减极点，

在将所述第二公共端子与所述第三选择端子设为非连接而将所述第二公共端子与所述第四选择端子连接的情况下，在所述公共路径的带通特性中产生与所述第一衰减极点相比靠低频侧的第二衰减极点。

<13>

根据<1>～<12>中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备配置于所述公共路径的耦合器。

<14>

根据<1>～<13>中的任一项所述的高频模块，其中，还具备：

第一天线连接端子，其连接在所述第一天线与所述第一选择端子之间；以及

第二天线连接端子，其连接在所述第二天线与所述第二选择端子之间，

在将所述第一天线连接端子与所述第一选择端子连结的路径、以及将所述第二天线连接端子与所述第二选择端子连结的路径中未连接片式电感器。

<15>

根据<14>所述的高频模块，其中，

所述第一开关还具有外部连接端子，所述外部连接端子连接于所述高频模块以外的外部电路，并能够与所述第一选择端子及所述第二选择端子中的至少一方连接。

产业上的可利用性

本发明作为配置于前端部的高频模块，能够广泛地利用于便携式电话等通信设备。

附图标记说明

1、1A、1B、1C、1D、500：高频模块；2a、2b、2c：天线；3：RF信号处理电路(RFIC)；4：通信装置；9：分集电路；11、12、19：开关；11a、12f：公共端子；11b、11c、11d、11e、12a、12b、12c、12d、12e：选择端子；20、20C、20D、520：低通滤波器；21、25、31、32、32A、33、34、35、36、39：电感器；22、23、24：电容器；41、42、43、44、45、46、49：滤波器；51、52、53、54、55、59：低噪声放大器；56：功率放大器；60：耦合器；70：模块基板；70a、70b：主面；81：半导体IC；85、86：树脂构件；91、92、104：外部连接端子；93：地金属板；95：屏蔽电极层；101、102、103：天线连接端子；105、110、120、130、140、150：信号输出端子；160：信号输入端子；P1、P2、P3：信号路径；Pc：公共路径。

Claims (15)

1.一种高频模块，具备：

第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；

第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；

第一滤波器及第二滤波器；

第一电感器，其连接于将所述第一公共端子与所述第二公共端子连结的公共路径；

第二电感器，其连接于将所述第三选择端子与所述第一滤波器连结的第一路径；以及

第三电感器，其连接于将所述第四选择端子与所述第二滤波器连结的第二路径，

其中，所述第一电感器与所述第二电感器的距离比所述第一电感器与所述第三电感器的距离小。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述第一电感器的卷绕轴正方向、所述第二电感器的卷绕轴正方向以及所述第三电感器的卷绕轴正方向一致。

3.一种高频模块，具备：

第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；

第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；

第一滤波器及第二滤波器；

第一电感器，其连接于将所述第一公共端子与所述第二公共端子连结的公共路径；

第二电感器，其连接于将所述第三选择端子与所述第一滤波器连结的第一路径；以及

第三电感器，其连接于将所述第四选择端子与所述第二滤波器连结的第二路径，

其中，所述第一电感器的卷绕轴正方向与所述第二电感器的卷绕轴正方向所成的角度比所述第一电感器的卷绕轴正方向与所述第三电感器的卷绕轴正方向所成的角度小。

4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，

所述第一电感器的卷绕轴正方向与所述第二电感器的卷绕轴正方向一致，

所述第一电感器的卷绕轴正方向与所述第三电感器的卷绕轴负方向一致，

所述第一电感器与所述第二电感器的距离比所述第一电感器与所述第三电感器的距离小。

5.一种高频模块，具备：

第一开关，其具有与第一天线连接的第一选择端子、与第二天线连接的第二选择端子、以及第一公共端子；

第二开关，其具有第三选择端子、第四选择端子以及第二公共端子；

第一滤波器及第二滤波器；

第一电感器，其连接于将所述第一公共端子与所述第二公共端子连结的公共路径；

第二电感器，其连接于将所述第三选择端子与所述第一滤波器连结的第一路径；

第三电感器，其连接于将所述第四选择端子与所述第二滤波器连结的第二路径；以及

金属构件，其配置在所述第一电感器与所述第三电感器之间。

6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，

还具备模块基板，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，

所述第一电感器、所述第二电感器以及所述第三电感器配置于所述第一主面，

在俯视所述第一主面时，所述金属构件是竖立设置在所述第一电感器及所述第二电感器与所述第三电感器之间的地金属板。

7.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备模块基板，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，

所述第一开关和所述第二开关包括在第一半导体集成电路即第一半导体IC中，

所述第一电感器、所述第二电感器以及所述第三电感器配置于所述第一主面，

所述第一半导体IC配置于所述第二主面。

8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第二电感器及所述第三电感器中的至少一方与所述第一半导体IC重叠。

9.根据权利要求7所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一电感器与所述第一半导体IC重叠。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的高频模块，其中，

所述第一电感器的一端与所述第一公共端子连接，

所述第一电感器的另一端与所述第二公共端子连接，

所述高频模块还具备连接在所述公共路径与地之间的第一电容器。

11.根据权利要求10所述的高频模块，其中，

还具备与所述第一电感器并联连接的第二电容器。

12.根据权利要求11所述的高频模块，其中，

在所述第二开关中将所述第二公共端子与所述第三选择端子连接而将所述第二公共端子与所述第四选择端子设为非连接的情况下，在所述公共路径的带通特性中产生第一衰减极点，

在所述第二开关中将所述第二公共端子与所述第三选择端子设为非连接而将所述第二公共端子与所述第四选择端子连接的情况下，在所述公共路径的带通特性中产生与所述第一衰减极点相比靠低频侧的第二衰减极点。

13.根据权利要求1～12中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备配置于所述公共路径的耦合器。

14.根据权利要求1～13中的任一项所述的高频模块，其中，还具备：

第一天线连接端子，其连接在所述第一天线与所述第一选择端子之间；以及

第二天线连接端子，其连接在所述第二天线与所述第二选择端子之间，

在将所述第一天线连接端子与所述第一选择端子连结的路径、以及将所述第二天线连接端子与所述第二选择端子连结的路径中未连接片式电感器。

15.根据权利要求14所述的高频模块，其中，

所述第一开关还具有外部连接端子，所述外部连接端子连接于所述高频模块以外的外部电路，并能够与所述第一选择端子及所述第二选择端子中的至少一方连接。