CN120810380B - 表面发射激光器 - Google Patents

Abstract

本申请实施例涉及一种表面发射激光器，包括：衬底；设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构；光电限制层，形成于所述顶部反射镜结构中，所述光电限制层包括用于限定所述表面发射激光器的发光孔径；远场图像调节层，设于所述顶部反射镜结构上；所述远场图像调节层包括基层和对所述基层位于所述发光孔径内的至少部分区域进行刻蚀得到的调控层，经所述调控层调整后形成的远场图像为平顶远场图像。本申请通过光电分离的方式实现了平顶远场图像的输出。

Description

表面发射激光器

技术领域

本申请实施例涉及半导体激光器技术领域，特别是涉及一种表面发射激光器。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，表面发射激光器，例如垂直腔面发射激光器（VCSEL）由于其易于集成的特性，被广泛应用于光通信、光互连和光传感等领域。

目前，在众多智能设备比如智能手机中，对平顶红外照明（IR）投影模组具有巨大的市场需求，该模组在TOF测量、安全摄像设备等具体应用中发挥着至关重要的作用，垂直腔面发射激光器（VCSEL）则是平顶红外照明投影模组中最为核心的器件。

现有的形成平顶远场图像的方式例如集成漫发射器（diffuser）或对发光孔进行设计还有待进一步改进。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种表面发射激光器。

第一方面，本申请提供一种表面发射激光器，包括：

衬底；

设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构；

光电限制层，形成于所述顶部反射镜结构中，所述光电限制层包括用于限定所述表面发射激光器的发光孔径；

远场图像调节层，设于所述顶部反射镜结构上；所述远场图像调节层包括基层和对所述基层位于所述发光孔径内的至少部分区域进行刻蚀得到的调控层，经所述调控层调整后形成的远场图像为平顶远场图像。

在其中一个实施例中，所述光电限制层包括空气柱型光电限制层、氧化限制型光电限制层、离子注入型光电限制层及隧道结型光电限制层中的任一种。

在其中一个实施例中，刻蚀的区域在所述衬底上的投影形状为多边形，且所述多边形的至少两个边朝向所述多边形的内部方向凹陷。

在其中一个实施例中，所述多边形包括规则多边形或非规则多边形。

在其中一个实施例中，所述规则多边形为矩形，所述矩形的短边朝向所述矩形的内部凹陷；或

所述矩形的长边朝向所述矩形的内部凹陷；或

所述矩形的长边和短边均朝向矩形的内部凹陷。

在其中一个实施例中，至少两个边朝向所述多边形的内部凹陷的程度不同。

在其中一个实施例中，所述凹陷在所述衬底上的投影形状为圆弧状、矩形或三角形。

在其中一个实施例中，刻蚀后剩下的所述调控层的厚度为四分之一波长的整数倍。

在其中一个实施例中，所述远场图像调节层设于所述顶部反射镜结构上，或所述远场图像调节层为所述顶部反射镜结构的一部分。

在其中一个实施例中，所述远场图像调节层的材料选自二氧化硅、氮化硅、砷化镓中的任一种。

上述表面发射激光器，通过在出光面设置远场图像调节层来使经其调控后的远场图像为平顶远场图像，而远场图像调节层通过对位于表面发射激光器的发光孔径范围内的区域进行刻蚀得到调控层，相较于封装后集成漫反射器（diffuser）或者将发光孔径氧化为内凹多边形而言，通过光电分离设计避免了传统的封装集成导致模组整体体积过大以及内凹发光孔径引发的电流集中等问题。

第二方面，本申请提供了一种VCSEL芯片，包括至少一个激光器阵列；所述激光器阵列包括多个如上述的表面发射激光器；所述激光器阵列为规则排布阵列，或者为随机排布阵列，或者是具有可寻址的多个子阵列的阵列。

第三方面，本申请提供了一种用于激光雷达系统的光源，包括至少一个如上述的表面发射激光器或者至少一个如上述的VCSEL芯片。

第四方面，本申请提供了一种激光雷达系统，包括发射组件和接收组件，所述发射组件采用上述的用于激光雷达系统的光源。

附图说明

图1为本申请一实施例中的表面发射激光器的结构示意图；

图2a-2d为图1实施例下的OA与不同刻蚀图案的相对位置关系示意图；

图3为本申请另一实施例中的表面发射激光器的结构示意图。

本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一客户端称为第二客户端，且类似地，可将第二客户端称为第一客户端。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。

基于此，请参照图1-图3。本申请提供一种表面发射激光器，包括：衬底10；设于所述衬底10上的底部反射镜结构20、活性层30和顶部反射镜结构40；光电限制层（图未示），形成于所述顶部反射镜结构40中，所述光电限制层包括用于限定所述表面发射激光器的发光孔径OA；远场图像调节层50，设于所述顶部反射镜结构40上；所述远场图像调节层50包括基层510和对所述基层510位于所述发光孔径OA内的至少部分区域EA进行刻蚀得到的调控层（图未示），经所述调控层调整后形成的远场图像为平顶远场图像。

本具体实施例中，可参照图1和图3，底部反射镜结构20和顶部反射镜结构40限定出本申请表面发射激光器的谐振腔结构，也即底部反射镜结构20和顶部反射镜结构40之间的区域为谐振腔。谐振腔用于产生驻波，驻波是由两列相干波在同一直线上沿相反方向传播并互相叠加而成的波。具体来说，当两列波相位相同时，它们的振幅相加，形成波腹（即波峰）。当两列波相位相反时，它们的振幅相减，形成波节（即波谷）。因此，驻波的波峰和波谷位置是固定的。

在其中一个实施例中，底部反射镜结构20可以包括周期性堆叠的DBR结构，也即包括多个光学厚度为四分之一激射波长的反射镜，多个反射镜按照高低折射率交替设置。顶部反射镜结构40也包括周期性堆叠的DBR结构，也即多个光学厚度为四分之一激射波长的反射镜，多个反射镜按照高低折射率交替设置。可以理解的是，底部反射镜结构20的DBR结构与顶部反射镜结构40的DBR结构的组分、堆叠周期数等可以相同，也可以不同，本实施例不做限定。其中，顶部反射镜结构40和底部反射镜结构20的材料可以为具有电绝缘性的介质材料，例如可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝或氧化钛等。顶部反射镜结构40和底部反射镜结构20的材料也可以为半导体材料，例如可以包括GaAs和AlGaAs。

其中，衬底10的材质包括但不限于GaAs、InP、Si等。底部反射镜结构20和顶部反射镜结构40可以包括折射率周期性变化的膜层，以实现特定波长范围内光的高效反射或透射。折射率周期性变化的膜层可以采用半导体材料、电介质材料、金属-电介质混合材料等构成。例如，底部反射镜结构20可以为N型半导体层，顶部反射镜结构40可以为P型半导体层。又例如，底部反射镜结构20可以为P型半导体层，顶部反射镜结构40可以为N型半导体层。可选地，N型半导体层和P型半导体层的材质可以但不限于是GaAs、AlGaAs等，此处不做限定，只要能够实现对谐振腔的限定，都属于本实施例的保护范围。具体地，谐振腔结构还可以包括光电限制层，光电限制层形成与顶部反射镜结构40中，且光电限制层限定出光区域。

活性层30可以包括1个有源区，也可以包括2个有源区，还可以包括3个有源区，还可以包括4个有源区。每个有源区内可以设置一个多量子阱结构或多个多量子阱结构。多量子阱结构用于产生受激辐射的光子，且发出的光子在由底部反射镜结构20和顶部反射镜结构40限定的谐振腔中不断反射，并在反射过程中不断增强，从而最终出射处于特定波长并具有足够能量的激光。

多量子阱结构是产生激光增益放大的地方，多量子阱结构的中心位置可以与光场最强的位置对齐，以起到更大的放大效果。进一步地，在包括多个多量子阱结构的情况下，同一段光场中的多量子阱结构的限制因子在同一预设范围内，也即，各个多量子阱结构的限制因子维持在相同的水平，以使得每个多量子阱结构对发光的贡献相近。可以理解的是，相似的发光贡献意味着电流在各个多量子阱结构中的注入更为均匀，这有助于降低器件的阈值电流，从而降低器件的功耗，延长其使用寿命。而且，当每个多量子阱结构对发光的贡献相近时，载流子在各个多量子阱结构中的分布将更加均匀，这有助于减少载流子的复合损失，从而提高器件整体的发光效率。

通常，光电限制层的数量不大于活性层30的数量，例如可以为2个、3个、4个等。光电限制层用于限定表面发射激光器的发光区域。具体地，光电限制层位于对应的活性层30远离衬底10的一侧，以限制电流的流动，使电流只在光电限制层限定的发光区域内流动，从而减少不必要的能量消耗，进而减小阈值电流，提高电流密度。而且，光电限制层还能够将光场限制在光电限制层限定的发光区域内，减少光的散射和衍射，从而优化器件的发散角，改善光束质量。通常，光电限制层设置在光场强度最低的位置，也即驻波的波谷处，使其具有较小的限制因子，从而有助于降低器件的发散角。

光电限制层可以包括空气柱型光电限制层、氧化限制型光电限制层、离子注入型光电限制层及隧道结型光电限制层中的任一种。其中，空气柱型光电限制层通过空气柱实现对电流和光的限制，空气柱是通过干法刻蚀技术形成的中空结构，其折射率低于周围的半导体材料，从而有效地将光限制在中心区域内。离子注入型光电限制层通过向半导体材料中注入离子来改变其电学性质，形成高阻区域，高阻区域可以限制电流的流动，从而间接地限制了光的生成区域。

在其中一个实施例中，氧化限制型光电限制层包括高Al组分的AlGaAs材质的未氧化区域和氧化铝材质的氧化区域，氧化区域设于未氧化区域的外侧，未氧化区域形成有效电流注入的发光区域。其中，光电限制层中未氧化区域的半导体层可以理解为开口（图2a-2d中的OA），开口用于定义出表面发射激光器的发光区。当电流进入后，电流只能通过光电限制层中的开口流向活性层30，从而实现对电流注入路径和光学模场的限制。进一步地，可以通过选择性氧化过程，将高铝组分的AlGaAs层转化为氧化铝，以形成外围的未氧化区域。

在其中一个实施例中，隧道结型光电限制层包括至少一层高掺杂N型结构层及至少一层高掺杂P型结构层。具体地，高掺杂N型结构层和高掺杂P型结构层之间会构成势垒，并允许电子通过隧道效应穿过势垒，从而实现对电流的横向限制。在其中一个实施例中，N型结构层和P型结构层的材料选择为Al_xGa_1-xAs，N型结构层和P型结构层的掺杂浓度大于1e¹⁸cm^-3，其中0≤x≤1。

在其中一个实施例中，如图1-图2d所示，本申请刻蚀的区域EA在所述衬底10上的投影形状可以为多边形，且所述多边形的至少两个边朝向所述多边形的内部方向凹陷。本具体实施例中，多边形可以例如为四边形、五边形、六边形、七边形、八边形等，本申请对此不做进一步限定。进一步地，本申请的多边形可以包括规则多边形或非规则多边形。规则多边形可以是正方形、矩形、正五边形、正六边形等；非规则多边形可以是钻石型、不对称的六边形、不对称的七边形等，本申请对此不做进一步限定。

更进一步地，当规则多边形为矩形时，矩形的两条短边可以朝向矩形的内部凹陷；或者矩形的两条长边朝向所述矩形的内部凹陷；或者所述矩形的两条长边和两条短边均朝向矩形的内部凹陷。图2a所示的为矩形的两条长边和两条短边均朝向矩形的内部凹陷的情况。

在其中一个实施例中，所述凹陷（图未示）在所述衬底10上的投影形状为圆弧状、矩形或三角形。同时，至少两个边朝向所述多边形的内部凹陷的程度不同。如图2a所示，为凹陷为圆弧状，多边形为矩形，且矩形的长边和短边的凹陷程度不同的示例。通过收敛刻蚀区域EA的外围区域（矩形的长边和短边）的凹陷程度，使得最终远场呈现的光强分布为平顶强度分布（flat-top far field），即均匀的光强分布。进一步地，凹陷还可以是三角形（图2b）；或者凹陷还可以是半圆状（图2c）；或者凹陷还可以是矩形（图2d）。在此构思下，凹陷的形状还可以是其他表示。

在其中一个实施例中，刻蚀后剩下的所述调控层的厚度为四分之一波长的整数倍，以满足出光要求。

在其中一个实施例中，所述远场图像调节层50设于所述顶部反射镜结构上，或所述远场图像调节层50为所述顶部反射镜结构40的一部分。示例性地，当远场图像调节层50设于顶部反射镜结构40上时，远场图像调节层50的材料可以为二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、聚合物电介质、或另一类型的介电材料；当远场图像调节层50为所述顶部反射镜结构40的一部分时，所述远场图像调节层50的材料可以为砷化镓或磷化铟等材料。进一步地，远场图像调节层50为介电材料时，介电材料为使顶部金属610与一个或多个其他层或特征(例如，沟槽的侧壁)至少部分绝缘的层。

上述表面发射激光器，通过在出光面设置远场图像调节层来使经其调控后的远场图像为平顶远场图像，而远场图像调节层通过对位于表面发射激光器的发光孔径范围内的区域进行刻蚀得到调控层，相较于封装后集成漫反射器（diffuser）或者将发光孔径氧化为内凹多边形而言，通过光电分离设计避免了传统的封装集成导致模组整体体积过大以及内凹发光孔径引发的电流集中等问题。

在一个实施例中，为了达到所需的高反射率，还可以额外设计一反射率补充结构（图未示），该反射率补充结构被配置为增加表面发射激光器的包括底部反射镜结构20的一侧(例如，表面发射激光器的顶侧)上的反射率。在没有反射率补充结构的情况下，由于所需的高反射率、以及腔模与光学元件的相互作用减少，在全半导体DBR反射镜顶部的表面发射激光器中集成光学元件(诸如光栅)的效率较低(例如，与顶部发射表面发射激光器相比)。而减少顶部反射镜结构40中的反射镜对的数量会增加腔模与这种光学元件的耦合。但是，减少顶部反射镜结构40中的反射镜对的数量会降低表面发射激光器的包括顶部反射镜结构的一侧中的反射率。在表面发射激光器中，反射率补充结构用于增加表面发射激光器的包括底部反射镜结构20的一侧中的反射率。因此，可以减少底部反射镜结构20中的反射镜对的数量，并且可以将反射率补充结构设计为减轻由底部反射镜结构20中的反射镜对数量的减少引起的反射率的降低。在一些实施方式中，反射率补充结构可以包括多个DBR对或另一类型的反射镜结构。在一些实施方式中，反射率补充结构由电介质材料形成。因此，在一些实施方式中，反射率补充结构包括多个电介质DBR对。例如，反射率补充结构可以包括多个SiO2/SiNx反射镜对、多个SiO2/二氧化钛(TiO2)反射镜对、或多个Al2O3/TiO2反射镜对等其他示例。在一些实施方式中，反射率补充结构的厚度可以在从约2.0μm到约4.0μm的范围内，诸如2.5μm。在一些实施方式中，反射率补充结构中的反射镜对的数量在从三个反射镜对到八个反射镜对的范围内。

图3中，表面发射激光器还可以包括顶部金属610，顶部金属610是表面发射激光器的前侧处的顶部金属层。在一些实施方式中，顶部金属610可以是与顶部反射镜结构40电接触的层(例如，通过远场图像调节层和顶部反射镜结构40中的过孔)。在一些实施方式中，顶部金属610可以用作用于表面发射激光器的阳极。在一些实施方式中，顶部金属610可以包括电镀金属(例如，金(Au))和/或电镀过程中使用的种子金属。

在其中一个实施例中，为了实现更好的欧姆接触，还可以在顶部反射镜结构40的表面形成欧姆接触金属（图未示）。欧姆接触金属是表面发射激光器的顶部接触层，其与顶部反射镜结构40电接触，电流可以流过该顶部反射镜结构40。在一些实施方式中，欧姆接触金属由针对接触p型半导体而优化的材料形成。备选地，在一些实施方式中，欧姆接触金属还可以由针对接触n型半导体而优化的材料形成。在一些实施方式中，欧姆接触金属的厚度在从约0.2μm到约0.8μm的范围内，诸如0.5μm。在一些实施方式中，欧姆接触金属具有环形形状、开槽环形形状、齿轮形状、或另一类型的圆形或非圆形形状(例如，取决于表面发射激光器的设计)。

图3中，表面发射激光器还可以包括底部金属620，底部金属620是表面发射激光器的下方的底部金属层。在一些实施方式中，底部金属620可以是与衬底10整面电接触的层。在一些实施方式中，底部金属620可以用作用于表面发射激光器的阴极。在一些实施方式中，底部金属620可以包括电镀金属(例如，金(Au))和/或电镀过程中使用的种子金属。

进一步地，表面发射激光器还可以包括质子注入区域（图未示），质子注入区域是防止自由载流子到达沟槽的边缘和/或将相邻的表面发射激光器彼此隔离的区域(例如，如果沟槽没有完全包围表面发射激光器)和/或防止自由载流子从侧壁泄露。质子注入区域可以包括例如离子植入材料，诸如氢/质子植入材料或类似的植入元件，以降低电导率。

图3所示的层的数目、布置、厚度、顺序、对称性等被提供为示例。在实践中，与图3所示的层相比，表面发射激光器可以包括附加的层、更少的层、不同的层、不同构造的层、或不同布置的层。例如，在一些实施方式中，表面发射激光器可以包括远场图像调节层之上的半导体层(例如，一个或多个p型层)。作为另一示例，在一些实施方式中，表面发射激光器可以包括远场图像调节层之上的空气界面。附加地或备选地，表面发射激光器的层集(例如，一个或多个层)可以执行被描述为由表面发射激光器的另一层集执行的一个或多个功能，并且任何层可以包括多于一个层。

本申请实施例还提供了一种VCSEL芯片，VCSEL芯片包括至少一个激光器阵列。激光器阵列包括多个如上述的表面发射激光器，激光器阵列为规则排布阵列，或者为随机排布阵列，或者是具有可寻址的多个子阵列的阵列。基于前述的表面发射激光器，本实施例的VCSEL芯片在可靠性方面具有较好的表现。

本申请实施例还提供了一种用于激光雷达系统的光源，包括至少一个如上述的表面发射激光器或者至少一个如上述的VCSEL芯片。

本申请实施例还提供了一种激光雷达系统，包括发射组件和接收组件，发射组件采用上述的用于激光雷达系统的光源。

前述公开内容提供了图示和描述，但是并非旨在穷举实施方式或将实施方式限制于所公开的精确形式。修改和变型可以鉴于上文的公开内容进行，或者可以从实施方式的实践中获取。此外，本文描述的任何实施方式都可以被组合，除非前述公开内容明确提供了一个或多个实施方式可能无法被组合的原因。

即使特征的特定组合在权利要求中列举和/或在说明书中公开，但是这些组合并不旨在限制各种实施方式的公开内容。事实上，这些特征中的许多特征可以以未在权利要求中具体列举和/或在说明书中公开的方式组合。尽管下文列出的每个从属权利要求可以直接依赖于仅一个权利要求，但是各种实施方式的公开内容包括与权利要求集中的每个其他权利要求组合的每个从属权利要求。如本文使用的，提及项目列表“中的至少一个”的短语指代这些项目的任何组合，包括单个成员。作为示例，“以下中的至少一个：a、b、或c”旨在覆盖a、b、c、a-b、a-c、b-c、和a-b-c，以及具有多个相同项目的任何组合。

当组件或者一个或多个组件(例如，激光发射器或者一个或多个激光发射器)被描述或要求(在单个权利要求内或跨多个权利要求)为执行多个操作或被配置为执行多个操作时，这种语言旨在广泛覆盖各种架构和环境。例如，除非另有明确要求(例如，经由使用“第一组件”和“第二组件”或区分权利要求中的组件的其他语言)，否则该语言旨在覆盖执行或被配置为执行所有操作的单个组件、共同执行或被配置为执行所有操作的组件的组、执行或被配置为执行第一操作的第一组件和执行或被配置为执行第二操作的第二组件、或者执行或被配置为执行操作的组件的任何组合。例如，当权利要求的形式为“一个或多个组件被配置为：执行X；执行Y；以及执行Z”时，该权利要求应当被解释为意味着“一个或多个组件被配置为执行X；一个或多个(可能不同的)组件被配置为执行Y；以及一个或多个(也可能不同的)组件被配置为执行Z”。

本文使用的元件、行动、或指令不应当被解释为关键或必要的，除非明确地这样描述。此外，如本文使用的，冠词“一”和“一个”旨在包括一个或多个项目，并且可以与“一个或多个”可互换地使用。进一步地，如本文使用的，冠词“该”旨在包括结合冠词“该”引用的一个或多个项目，并且可以与“该一个或多个”可互换地使用。此外，如本文使用的，术语“集”旨在包括一个或多个项目(例如，相关项目、不相关项目、或者相关项目和不相关项目的组合)，并且可以与“一个或多个”可互换地使用。在旨在仅一个项目的情况下，短语“仅一个”或类似语言被使用。此外，如本文使用的，术语“具有”、“含有”、“带有”等旨在是开放式术语。进一步地，除非另有明确说明，否则短语“基于”旨在意味着“至少部分地基于”。此外，如本文使用的，除非另有明确说明(例如，如果与“任一个”或“中的仅一个”组合使用)，否则术语“或”在串联使用时旨在是包括性的，并且可以与“和/或”可互换地使用。进一步地，为了便于描述，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述一个元件或特征与附图中图示的另一(一个或多个)元件或(一个或多个)特征的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在涵盖装置、设备、和/或元件在使用或操作中的不同定向。该装置可以以其他方式被定向(旋转90度或以其他定向)，并且本文使用的空间相对描述符同样可以被相应地解释。

Claims (9)

1.一种表面发射激光器，其特征在于，包括：

衬底；

设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构；

光电限制层，形成于所述顶部反射镜结构中，所述光电限制层包括用于限定所述表面发射激光器的发光孔径；

远场图像调节层，设于所述顶部反射镜结构上；所述远场图像调节层包括基层和对所述基层位于所述发光孔径内的至少部分区域进行刻蚀得到的调控层，经所述调控层调整后形成的远场图像为平顶远场图像；其中，刻蚀的区域在所述衬底上的投影形状为多边形，且所述多边形的至少两个边朝向所述多边形的内部方向凹陷。

2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，所述光电限制层包括空气柱型光电限制层、氧化限制型光电限制层、离子注入型光电限制层及隧道结型光电限制层中的任一种。

3.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，所述多边形包括规则多边形或非规则多边形。

4.根据权利要求3所述的表面发射激光器，其特征在于，所述规则多边形为矩形，所述矩形的短边朝向所述矩形的内部凹陷；或

所述矩形的长边朝向所述矩形的内部凹陷；或

所述矩形的长边和短边均朝向矩形的内部凹陷。

5.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，至少两个边朝向所述多边形的内部凹陷的程度不同。

6.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，所述凹陷在所述衬底上的投影形状为圆弧状、矩形或三角形。

7.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，刻蚀后剩下的所述调控层的厚度为四分之一波长的整数倍。

8.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，所述远场图像调节层设于所述顶部反射镜结构上，或所述远场图像调节层为所述顶部反射镜结构的一部分。

9.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其特征在于，所述远场图像调节层的材料选自二氧化硅、氮化硅、砷化镓中的任一种。