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CN120569072A - 显示装置 - Google Patents

显示装置

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Publication number
CN120569072A
CN120569072A CN202410963376.6A CN202410963376A CN120569072A CN 120569072 A CN120569072 A CN 120569072A CN 202410963376 A CN202410963376 A CN 202410963376A CN 120569072 A CN120569072 A CN 120569072A
Authority
CN
China
Prior art keywords
touch
layer
electrode
disposed
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202410963376.6A
Other languages
English (en)
Inventor
韩钟贤
文荣珪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN120569072A publication Critical patent/CN120569072A/zh
Pending legal-status Critical Current

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    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

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Abstract

公开了一种显示装置，包括：基板，该基板包括显示区域和非显示区域；发光元件层，在基板上设置在显示区域中；封装层，设置在发光元件层上；触摸感测层，设置在封装层上；滤色器层，设置在触摸感测层上；栅极驱动单元，在基板上设置在非显示区域中；坝，在基板上设置在非显示区域中并且围绕显示区域；以及面板裂纹检测器，设置在基板的边缘部并且在非显示区域中，其中，坝位于栅极驱动单元与面板裂纹检测器之间。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2024年2月27向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2024-0028185号的优先权，该申请的公开内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括触摸电极的显示装置。
背景技术
随着进入信息时代，可视地表达电子信息信号的显示装置领域得到了迅速发展，并继续进行研究以提高各种显示装置的性能，例如厚度小、重量轻和低功耗。
这种显示装置的实例可以包括液晶显示器(LCD)、电润湿显示器(EWD)、有机发光显示器(OLED)等。
在各种显示装置中，电致发光显示装置是一种自发光显示装置，从而不像LCD那样需要单独的光源。因此，电致发光显示装置可以被制造成重量减轻且厚度减小。由于电致发光显示装置以低电压驱动，因此不仅在功耗方面，而且在色彩实现、响应速度、视角、对比度(CR)方面都是有利的。因此，有望在各个领域得到利用。
为了向用户提供各种功能，触摸显示装置提供有触摸感测功能，用于识别显示面板上的手指触摸或笔触摸，并基于所识别的触摸执行输入处理。
发明内容
本公开要实现的一个目的是提供一种具有改进的布置触摸电极的自由度的显示装置。
本公开要实现的另一个目的是提供一种具有增强的触摸感测性能的显示装置。
本公开的示例性实施例的目的不限于上述目的，并且上文中未提及的其他目的可由本领域技术人员从以下描述中清楚地理解。
示例性实施例的其他细节包括在具体实施方式和附图中。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置中，触摸感测单元设置在封装层与滤色器层之间。另外，触摸感测单元的触摸电极设置在滤色器层的黑矩阵下方。因此，能够提高布置触摸电极的自由度。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置中，触摸电极的触摸电极线的宽度在黑矩阵的宽度的范围内增加。因此，可以实现高的金属密度。因此，能够增强触摸感测性能。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置中，具有比触摸电极相对低的金属密度的桥接电极设置在触摸电极上。因此，能够抑制覆盖触摸感测单元的无机层与触摸电极之间的电弧的发生。因此，能够稳定地增强触摸感测性能。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置中，虚设电极局部地设置在触摸电极上。因此，能够增强触摸感测性能。
本公开的效果不限于前述的效果，并且本领域普通技术人员将从下面的描述中明显理解未在上文中提及的其他效果。
本公开所要实现的目的、用于实现所述目的的装置以及上述的本公开的效果未具体说明权利要求的本质特征，因此，权利要求的范围不限于本公开的公开内容。
附图说明
本公开的上述和其他方面、特征和其他优点将从以下结合附图所作的详细描述中更清楚地理解，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的框图；
图2是根据本公开的示例性实施例的显示面板的平面图；
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置中的触摸感测层的布置结构的分解透视图；
图4是示出根据本公开的示例性实施例的设置在触摸感测层上的触摸感测单元的结构的平面图；
图5是沿图3的线I-I’截取的剖视图；
图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置中的堤和触摸电极的重叠结构的平面图；
图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置中的黑矩阵和触摸电极的重叠结构的平面图；
图8是沿图4的线II-II’截取的剖视图，并示出了根据本公开的示例性实施例的显示装置的触摸电极结构的示例；
图9是沿图4的线II-II’截取的剖视图，并示出了根据本公开的示例性实施例的显示装置的触摸电极结构的另一示例；
图10是示出显示装置中的触摸电极和虚设电极的重叠结构的平面图。
具体实施方式
本公开的优点和特征以及实现所述优点和特征的方法将通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施例而清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施例而是将以各种形式实施。示例性实施例仅以示例的方式提供，以便本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。
在用于描述本公开的示例性实施例的附图中图示的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。相同的附图标记在整个说明书中一般表示相同的元件。另外，在本公开的以下描述中，可省略已知相关技术的详细解释以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语一般意在允许添加其他部件，除非所述术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何提及可以包括复数，除非另有明确说明。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“邻近”的术语描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个部分可位于该两个部分之间，除非所述术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，其可以直接在该另一元件或层上，或者其间可以存在中间元件或层。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面将要提到的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。相同的附图标记在整个说明书中一般表示相同的元件。
相同的附图标记在整个说明书中一般表示相同的元件。
在附图中图示的各部件的尺寸和厚度是为了便于说明而图示的，并且不限于在本公开的实施例中图示的部件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施例的特征可以部分地或完全地彼此结合或组合，并且可以在技术上以各种方式关联和操作，并且各实施例可以彼此独立地实施或彼此关联地实施。
示例性实施例的其他细节包括在具体实施方式和附图中。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的框图。
图2是根据本公开的示例性实施例的显示面板的平面图。
参照图1和图2，根据本公开的示例性实施例的显示装置100可以包括图像处理器151、时序控制器152、数据驱动器153、栅极驱动器154和显示面板DP。
图像处理器151输出包括从外部供应的数据信号DATA和数据使能信号DES的驱动信号。图像处理器151可以输出除了数据使能信号DES之外还包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或多个的驱动信号。
时序控制器152被供应数据信号DATA以及来自图像处理器151的包括数据使能信号DES的驱动信号。时序控制器152输出用于基于驱动信号控制栅极驱动器154的操作时序的栅极时序控制信号GDC。时序控制器152输出从图像处理器151供应的数据信号DATA和用于控制数据驱动器153的操作时序的数据时序控制信号DDC。
数据驱动器153响应于从时序控制器152供应的数据时序控制信号DDC而采样并锁存从时序控制器152供应的数据信号DATA。然后，数据驱动器153将数据信号转换成伽马基准电压并输出转换后的伽马基准电压。数据驱动器153通过数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。
栅极驱动器154可以响应于从时序控制器152供应的栅极时序控制信号GDC在将栅极电压的电平移位的同时输出栅极信号。另外，栅极驱动器154通过栅极线GL1至GLm输出栅极信号。
为了提供触摸感测功能，根据本公开的示例性实施例的显示装置100还可以包括触摸感测单元，该触摸感测单元包括多个触摸电极。另外，显示装置100可以包括触摸感测电路，该触摸感测电路向触摸感测单元供应触摸驱动信号，检测来自触摸感测单元的触摸感测信号，并感测用户是否存在触摸和触摸位置(坐标)。
例如，触摸感测电路可以包括触摸驱动电路，该触摸驱动电路被配置为将触摸驱动信号供应到触摸感测单元并且检测来自触摸感测单元的触摸感测信号。另外，触摸感测电路可以包括触摸控制器，该触摸控制器被配置为基于由触摸驱动电路检测到的触摸感测信号来感测用户是否存在触摸和/或触摸位置。触摸驱动电路和触摸控制器可以根据需要实现为单独的部件或集成到单个部件中。
同时，数据驱动器153、栅极驱动器154和触摸驱动电路中的每一个可以被实现为一个或多个集成电路。鉴于与显示面板DP的电连接，数据驱动器153、栅极驱动器154和触摸驱动电路中的每一个可以由COG(玻璃上芯片)型、COF(膜上芯片)型、TCP(载带封装)型等实现。
另外，用于显示驱动的时序控制器152、数据驱动器153和栅极驱动器154中的每一个和用于触摸感测的电路元件可以被实现为一个或多个单独的部件。在一些情况下，用于显示驱动的元件152、153和154中的至少一个和用于触摸感测的电路元件中的至少一个可以在功能上集成到一个或多个部件中。例如，数据驱动器153和触摸驱动电路可以集成到一个或多个集成电路芯片中。在数据驱动器153和触摸驱动电路被集成到两个以上集成电路芯片中的情况下，两个以上集成电路芯片中的每一个可以具有数据驱动功能和触摸驱动功能。
显示面板DP可以包括多个像素P。多个像素P中的每一个响应于从数据驱动器153和栅极驱动器154供应的数据信号和栅极信号而发光以显示图像。
每个像素P可以由多个子像素SP构成。例如，每个像素P可以包括配置成发出不同波长范围内的不同颜色的光的三个以上的子像素SP。例如，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，每个像素P可以包括分别发出红光、绿光和蓝光的子像素SP。然而，包括在每个像素P中的子像素SP的数量不受限制。例如，除了分别发出红光、绿光和蓝光的子像素SP之外，每个像素SP可以进一步包括发出白光的子像素SP。
沿第一方向延伸的多条栅极线GL1至GLm和沿不同于第一方向的第二方向延伸的多条数据线DL1至DLn设置在显示面板DP上并彼此交叉。子像素SP限定在显示面板DP上的多条栅极线和多条数据线的各自交叉点处。
参照图2，显示面板DP包括基板110。
基板110是用于支撑包括在显示装置100中的各种部件的部件。基板110可以由绝缘材料制成。另外，基板110可以由透明材料制成。另外，基板110可以是刚性基板，或者是能够弯曲、折叠、卷制等的柔性基板。基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料制成。例如，当基板110由其为塑料材料的聚酰亚胺(PI)制成时，在由玻璃制成的支撑基板设置在基板110下方的状态下执行显示装置100的制造工序。在显示装置100的制造工序完成之后，支撑基板可以被释放。
如图2所示，显示面板DP的基板110可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA外侧且其中未设置多个像素P的非显示区域NA。非显示区域NA与显示区域DA相邻，并且可以设置在比显示区域DA更外侧的部分处。
基板110的显示区域DA可以指设置有像素P并显示图像的区域。在显示区域DA中，可以设置多个子像素SP1、SP2和SP3，并且多个子像素SP1、SP2和SP3可以构成像素P。
基板110的非显示区域NA可以包括围绕显示区域DA的周边区域、从周边区域的一侧延伸并弯曲的弯曲区域BA以及从弯曲区域BA延伸的焊盘区域PA。图2示出了基板110弯曲之前的状态。
基板110的非显示区域NA指设置有用于驱动设置在显示区域DA中的子像素SP1、SP2和SP3的各种布线和电路的区域。非显示区域NA是不显示图像的区域，并且因此，不需要从显示面板DP的前侧观看非显示区域NA。因此，基板110的非显示区域NA的部分区域可以朝向显示面板DP的后表面弯曲。例如，基板110的边缘可以在显示面板DP的后方向弯曲以具有预定曲率。在这种情况下，焊盘区域PA可以布置成与显示面板DP的后表面上的显示区域DA重叠。因此，能够确保用于布线和驱动电路的面积并减小非显示区域NA。
焊盘单元114可以设置在基板110的焊盘区域PA中。焊盘单元114可以是与外部模块(例如，柔性印刷电路板(FPCB)和膜上芯片(COF))接合的金属图案。尽管图2示出了焊盘单元114设置在非显示区域NA的一侧，焊盘单元114的形状和布置不限于此。
另外，连接线116可以设置在基板110的非显示区域NA的一部分中。例如，连接线116可以设置在基板110的周边区域的与弯曲区域BA相邻的一部分中。
连接线116可以将来自接合到焊盘单元114的外部模块的信号(例如，电压)传输到显示区域DA或电路单元(例如，包括在栅极驱动器154中的栅极驱动单元112)。栅极驱动单元112向像素驱动电路的薄膜晶体管供应栅极信号并且包括各种栅极驱动电路。在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，栅极驱动单元112可以以栅极驱动电路直接设置在基板110上的面板内栅极(GIP)结构设置。
各种信号和电压，例如栅极信号、数据信号、高电位电压和低电位电压，可以通过连接线116传输。连接线116可以根据待传输的电压和/或信号被分类为电源连接线和/或信号连接线。电源连接线可以将从外部模块供应的电压传输到显示区域DA。电源连接线可以连接到低电位电压线VSS、高电位电压线VDD以及包括在栅极驱动单元112中的栅极低压线和/或栅极高压线，但不限于此。另外，信号连接线可以将从外部模块供应的用于图像显示的信号传输到显示区域DA。信号连接线可以连接到栅极线和/或数据线，但不限于此。
坝117可以设置在基板110的非显示区域NA中，并围绕显示区域DA的全部或一部分。坝117与显示区域DA相邻，并且可以设置在比显示区域DA更外侧的部分处。坝117可以沿着显示区域DA的周围设置，以控制包含有机材料的层在设置于发光元件上的封装层中的流动。可以有一个或多个坝117。
面板裂纹检测器118可以进一步设置在基板110的非显示区域NA的一部分中。面板裂纹检测器118可以设置在基板110的端点与坝117之间。面板裂缝检测器118还可以设置在坝117下方并与坝117的至少一部分重叠。面板裂纹检测器118可以设置在显示装置100的外周边处以检测缺陷，例如，可能在外周边部分中发生的裂纹。
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置中的触摸感测层的布置结构的分解透视图。
参照图3，根据本公开的示例性实施例的显示装置100包括基板层SUB，该基板层SUB包括设置在基板110的显示区域DA中的多个子像素SP。另外，显示装置100包括设置在基板层SUB上并包括多个触摸电极TE的触摸感测层TSL。另外，显示装置100包括设置在触摸感测层TSL上并包括多个滤色器的滤色器层CFL以及在同一层中设置在滤色器之间的黑矩阵。
基板110的显示区域DA指设置有用于实现图像的多个像素P的区域。每个像素P可以包括多个子像素SP，该多个子像素SP包括发光元件200以及被配置为控制发光元件200中流动的电流大小的像素驱动电路。像素驱动电路可以包括多个驱动薄膜晶体管(TFT)。
在本公开的示例性实施例中，假定显示装置100是有机发光显示装置，但不限于此。例如，当显示装置100是有机发光显示装置时，每个子像素可以包括发光元件200，该发光元件200包括阳极、在阳极上的发光层以及在发光层上的阴极。在这种情况下，发光元件200可以包括其为发光层的有机发光层。另外，除有机发光层之外，发光元件200还可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层。又例如，当显示装置100是液晶显示装置时，显示单元可以被配置为包括液晶层。
参照图3，根据本公开的示例性实施例的子像素SP的像素驱动电路可以包括驱动晶体管DT、开关晶体管ST和电容器Cst。另外，像素驱动电路可以包括栅极线GL、数据线DL以及连接到电源VDD和VSS以驱动像素的线。
发光元件200可以根据驱动晶体管DT产生的驱动电流发光。开关晶体管ST可以执行开关操作，使得响应于通过栅极线GL供应的栅极信号而通过数据线DL供应的数据信号(其为数据电压)存储在电容器Cst中。驱动晶体管DT可操作成使得恒定的驱动电流响应于存储在电容器Cst中的数据电压而在高电位电源VDD和低电位电源VSS之间流动。
根据本公开的示例性实施例的显示装置100中的每个子像素SP在上面已被描述为具有包括开关晶体管ST、驱动晶体管DT和电容器Cst的2T(晶体管)1C(电容器)结构。
作为另一个示例，子像素可以进一步包括如图3所示的补偿电路135。
补偿电路135是用于补偿驱动晶体管DT的阈值电压等的电路，并且可以包括一个或多个薄膜晶体管和电容器。这里，补偿薄膜晶体管和补偿电容器的配置和结构不受限制，并且可以根据补偿方法而变化。例如，当补偿电路135被添加到子像素时，子像素可以以各种形式(例如，3T1C、4T2C、5T2C、6T1C、6T2C、7T1C和7T2C)配置。
以下，将参照图4至图7详细描述根据本公开的示例性实施例的显示装置100的触摸感测单元。
图4是示出根据本公开的示例性实施例的设置在触摸感测层上的触摸感测单元的结构的平面图。图5是沿图3的线I-I’截取的剖视图。图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置中的堤和触摸电极的重叠结构的平面图。图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示装置中的黑矩阵和触摸电极的重叠结构的平面图。
参照图4和图5，触摸感测层TSL位于封装层ENCAP上，并且触摸感测单元设置在触摸感测层TSL中。在这种情况下，触摸感测单元包括多个触摸电极TE以及被配置为电连接多个触摸电极TE的单元电极的多个桥接电极BE1和BE2。
例如，如图4所示，触摸感测单元包括各自沿第一方向延伸的多个第一触摸电极TE1和各自沿与第一方向相交的第二方向延伸的多个第二触摸电极TE2。这里，多条第一触摸路由线分别连接到多个第一触摸电极TE1，多条第二触摸路由线分别连接到多个第二触摸电极TE2，并且分别连接到多条第一触摸路由线和第二触摸路由线的多个触摸焊盘可以进一步设置在基板110上。
多个第一触摸电极TE1和多个第二触摸电极TE2中的每一个可以包括多个单元电极。例如，第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2中的每一者可以包括以网格形式图案化的多个单元电极。
图4示出了第一触摸电极TE1包括以菱形网格形式串联图案化的单元电极，但不限于此。单元电极可以以各种形状图案化，例如三角形、正方形、菱形或其他多边形形状。这里，以网格形式图案化的多个第一触摸电极TE1和多个第二触摸电极TE2的单元电极可以包括围绕开口OA T的多条第一触摸电极线TEL1和多条第二触摸电极线TEL2。第一触摸电极线TEL1和第一触摸电极线TEL1用作施加触摸驱动信号或感测触摸感测信号的实际上的触摸电极。存在于第一触摸电极TE1中的至少一个开口OA T中的每一个可对应于子像素SP的发光区域。也就是说，多个开口OA T用作从设置在其下方的子像素SP发出的光沿其出射的路径。图4示出了第一触摸电极TE1的单元电极的结构的示例，但是第二触摸电极TE2也可以具有相同的结构。
根据本公开的示例性实施例的显示装置100可以通过作为基于电容的触摸感测方案的互电容方案或自电容方案来感测触摸。
在基于互电容的触摸感测方案的情况下，多个触摸电极TE可以被分类为被施加触摸驱动信号的触摸驱动电极，以及检测触摸感测信号并且与触摸驱动电极形成电容的触摸感测电极。例如，第一触摸电极TE1可以用作被配置为感测触摸感测信号的触摸感测电极。在这种情况下，第二触摸电极TE2可以用作被施加触摸驱动信号的触摸驱动电极，但不限于此。也就是说，第一触摸电极TE1可以用作触摸驱动电极，第二触摸电极TE2可以用作触摸感测电极。
在基于自电容的触摸感测方案的情况下，多个触摸电极TE可以同时用作触摸驱动电极和触摸感测电极。也就是说，触摸感测电路将触摸驱动信号施加到一个或多个触摸电极TE，通过被施加触摸驱动信号的触摸电极TE检测触摸感测信号，基于检测到的触摸感测信号来检测在指针(例如，手指或笔)与触摸电极TE之间形成的电容的变化，并感测是否存在触摸和/或触摸的坐标。在基于自电容的触摸感测方案的情况下，不区分触摸驱动电极和触摸感测电极。例如，多个第一触摸电极TE1和多个第二触摸电极TE2中的每一个均可以用作触摸驱动电极和触摸感测电极。
参照图4至图6，第一触摸电极TE1的触摸电极线TEL1可以位于设置在非发光区域中的子像素SP之间的堤400上。如图6所示，堤400包括与多个子像素SP的发光区域对应的多个开口OA BK。因此，触摸电极的开口OA T可以与堤400的开口OA BK重叠。在一个实施例中，在俯视图中，子像素SP分别位于触摸电极的开口OA T中。然而，如图6所示，在俯视图中，至少一部分开口OA T中不存在子像素SP。
参照图4至图7，第一触摸电极TE1的触摸电极线TEL1可以位于设置在非发光区域中的子像素SP之间的黑矩阵710下方。如图7所示，黑矩阵710包括与多个子像素SP的发光区域对应的多个开口OA BM。因此，第一触摸电极TE1的开口OA T可以与堤400的开口OA BK和黑矩阵710的开口OA BM重叠。
多个子像素SP可以具有彼此不同的像素结构。例如，蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素可以具有彼此不同的像素结构。由于多个子像素SP具有彼此不同的像素结构，所以对于蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素的各自的发光区域，黑矩阵710的开口OA BM和堤400的开口OA BK可以具有不同的形状。然而，本公开不限于此。
上面已经描述了第一触摸电极TE1的单元电极的结构的示例，但是第二触摸电极TE2也可以具有相同的结构。
如图4所示，触摸感测单元包括被配置成电连接第一触摸电极TE1的单元电极的第一桥接电极BE1。另外，触摸感测单元包括被配置成连接第二触摸电极TE2的单元电极的第二桥接电极BE2。这里，第一触摸电极TE1与第一桥接电极BE1设置在不同层中，并且第一桥接电极BE1设置在第一触摸电极TE1的上层。然而，本公开不限于此。在另一个实施例中，第一桥接电极BE1可以设置在第一触摸电极TE1的下方。此外，第二触摸电极TE2与第二桥接电极BE2可以设置在同一层中。例如，第二触摸电极TE2和第二桥接电极BE2可以是一体图案化的。在这种情况下，第二桥接电极可以用于连接第二触摸电极TE2的任意一个单元电极的端部与第二触摸电极TE2的另一个单元电极的端部。然而，本公开不限于此。在另一个实施例中，第一触摸电极TE1和第一桥接电极BE1可以设置在同一层中并且可以一体图案化，而第二触摸电极TE2和第二桥接电极BE2可以设置在不同层中，并且第二桥接电极BE2可以设置在第二触摸电极TE2的上方/下方。
以下，将参照图5更详细地描述设置在基板110上的显示区域DA中的子像素SP、触摸感测层TSL和滤色器层CFL的叠层结构。
参照图5，根据本公开的示例性实施例的显示装置100可以具有基板层SUB、在基板层SUB上的晶体管层TRL、在晶体管层TRL上的平坦化层PLN、在平坦化层PLN上的发光元件层EDL、在发光元件层EDL上的封装层ENCAP、在封装层ENCAP上的触摸感测层TSL以及在触摸感测层层TSL上的滤色器层CFL依次层叠的结构。在这种情况下，保护层、有机层、偏光层和覆盖层可以进一步设置在显示装置100的滤色器层CFL上。
作为示例，图5示出了设置在显示区域DA中的多个子像素SP之中发出不同波长范围的光的两个子像素。然而，发出不同波长范围的光的其他子像素可以具有除了从发光元件200的发光叠层输出的光之外的相同的结构。
基板层SUB包括用于支撑和保护设置在其上的显示装置的部件的基板110。
例如，当基板110由聚酰亚胺(PI)制成时，水分可能穿过由PI制成的基板110而渗透到薄膜晶体管或发光元件，从而显示装置100的性能可能劣化。根据本公开的示例性实施例的显示装置100可以使用双PI结构作为基板110，以抑制由水分渗透引起的显示装置100的性能的劣化。
例如，基板110可以包括各自由PI制成的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板与第二基板之间的无机绝缘层。无机绝缘层可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或其多层构成。例如，无机绝缘层可以由二氧化硅(SiO2)材料制成，但不限于此。无机绝缘层可以由SiO2和SiNx的双层构成。无机绝缘层用于阻挡水分渗透到第二基板上。另外，当第一基板中带有电荷时，无机绝缘层可以阻挡带电电荷通过第二基板而对薄膜晶体管300的影响。由于在下部PI中带电电荷被无机绝缘层阻挡，因此可以提高产品性能的可靠性。另外，可以省略形成金属层以阻挡电荷的单独工艺，并且因此，可以简化整体工艺，并且可以降低生产成本。
基板层SUB还可以包括设置在基板110上的缓冲层120。
例如，缓冲层120可以包括设置在基板110上的多缓冲层和设置在多缓冲层上的有源缓冲层。用于遮光的金属层可以进一步设置在多缓冲层与有源缓冲层之间。金属层也可称为遮光层。
包括驱动晶体管Td和至少一个开关晶体管Ts的薄膜晶体管、用于形成至少一个电容器的各种图案、各种绝缘膜以及各种金属图案可以设置在晶体管层TRL上。
参照图5，薄膜晶体管300可以设置在缓冲层120上。薄膜晶体管300可以包括有源层310、栅极330、源极350和漏极370。图5示出了薄膜晶体管300的漏极370电连接到下面将要描述的发光元件200的阳极(或第一电极)210。然而，本公开不限于此。也就是说，根据像素驱动电路的设计，源极350可以用作漏极，漏极370可以用作源极。
薄膜晶体管300的有源层310可以包括在薄膜晶体管300被驱动时在其中形成沟道的沟道区，以及在沟道区的两侧的源区和漏区。有源层310的源区连接到源极350，漏区连接到漏极370。例如，源区和漏区可以通过对有源层310进行离子掺杂(杂质掺杂)来配置。可以通过将离子掺杂到多晶硅材料中而产生源区和漏区。沟道区可以指未掺杂离子并保持多晶硅材料的部分。然而，本公开不限于此。
栅极绝缘层130设置在有源层310上。栅极绝缘层130可以设置在包括有源层310的整个基板110上。例如，栅极绝缘层130可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或其多层构成。栅极绝缘层130可以包括接触孔。接触孔用于将薄膜晶体管300的源极350和漏极370分别连接到薄膜晶体管300的有源层310的源区和漏区。
薄膜晶体管300的栅极330设置在栅极绝缘层130上。例如，栅极330可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)或它们的合金中的任意一种的单层、或其多层形成。栅极330可以形成在栅极绝缘层130上并与薄膜晶体管300的有源层310的沟道区重叠。
层间绝缘层140设置在栅极330上。例如，层间绝缘层140可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或其多层构成。层间绝缘层140可以包括用于暴露薄膜晶体管300的有源层310的源区和漏区的接触孔。
第一无机层150可以设置在层间绝缘层140上。第一无机层150可以是用于保护薄膜晶体管300的钝化层并且可以省略。例如，第一无机层150可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成或由前述材料的双层构成。
由至少一层构成的平坦化层160设置在平坦化层PLN上。平坦化层160可以是使薄膜晶体管300的上部平坦化并对薄膜晶体管300进行保护的有机层。例如，平坦化层160可以由有机材料例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂制成。
设置在发光元件层EDL中的发光元件200包括阳极210、发光层220和阴极(或第二电极)230。另外，设置在发光元件层EDL上的堤400限定多个子像素SP的发光区域。例如，参照图6，堤400可以包括用于暴露对应于子像素SP的发光区域的一部分的开口OA BK。
发光元件200的阳极210设置在平坦化层160上。阳极210可以由金属材料制成并且可以通过形成在平坦化层160中的接触孔电连接到薄膜晶体管300。例如，当根据本公开的示例性实施例的显示装置100是顶部发光型显示装置时，从发光元件200发出的光被发射到基板110上方。在这种情况下，阳极210可以进一步包括透明导电层和透明导电层上的反射层。例如，透明导电层可以由诸如ITO或IZO的透明导电氧化物制成，并且反射层可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)或前述金属的合金制成。
堤400可以设置成覆盖阳极210的两端，阳极210的一部分可以通过堤400的开口OABK暴露。例如，堤400可以由例如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机绝缘材料或者例如苯并环丁烯树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺树脂的有机绝缘材料制成，但不限于此。间隔件可以进一步设置在堤400上。
发光元件200的发光层220设置在堤400的开口OA BK上和周围。因此，发光层220可以设置在通过堤400的开口OA BK暴露的阳极210上。例如，发光层220可以包括多个有机膜。阴极230设置在发光元件200的发光层220上。
具有单层结构或多层结构的封装层500设置在发光元件层EDL上的封装层ENCAP上。例如，如图5所示，封装层500可以包括第一封装层510、第二封装层520和第三封装层530。这里，第一封装层510和第三封装层530可以由无机膜构成，并且第二封装层520可以由有机膜构成。在第一封装层510、第二封装层520和第三封装层530之中，第二封装层520最厚并且可以用作平坦化层。
第一封装层510可以设置成最邻近发光元件200。也就是说，第一封装层510可以设置在发光元件层EDL的阴极230上。第一封装层510可以由能够在其上执行低温沉积的无机绝缘材料制成。例如，第一封装层510可以由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(A12O3)等构成。在低温环境下沉积第一封装层510。因此，在沉积过程中，能够抑制对包括易受高温环境影响的有机材料的发光层200的损坏。
第二封装层520可以形成为具有比第一封装层510更小的面积。在这种情况下，第二封装层520可以形成为暴露第一封装层510的两端。第二封装层520可以用作缓冲部，以减轻由柔性显示装置的弯曲引起的层间应力，并起到增强平坦化性能的作用。例如，第二封装层520可以由有机绝缘材料例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或碳氧化硅(SiOC)制成。例如，第二封装层520可以通过喷墨方法形成。然而，本公开不限于此。
第三封装层530可以形成在其上形成第二封装层520的基板110上，以覆盖第二封装层520和第一封装层510中的每一个的上表面和侧面。在这种情况下，第三封装层530可以最小化或阻挡外部水分或氧气渗透到第一封装层510和第二封装层520中。例如，第三封装层530可以由例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(A12O3)的无机绝缘材料构成。如图2所示，至少一个坝117可设置在非显示区域NA中以阻挡封装层500的第二封装层520的流动。
触摸感测单元设置在封装层ENCAP的上部的触摸感测层TSL上。触摸感测单元包括多个触摸电极和多个桥接电极。如上参照图4所述，触摸感测单元包括在第一方向上延伸的多个第一触摸电极TE1。此外，触摸感测单元包括在与第一方向相交的第二方向上延伸的多个第二触摸电极TE2。多个第一触摸电极TE1和多个第二触摸电极TE2中的每一个可以包括多个单元电极。例如，第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2中的每一个可以包括以网格形式图案化的多个单元电极。另外，触摸感测单元包括被配置为电连接第一触摸电极TE1的单元电极的第一桥接电极BE1。此外，触摸感测单元包括被配置为电连接第二触摸电极TE2的单元电极的第二桥接电极BE2。这里，第一触摸电极TE1和第一桥接电极BE1设置在不同层中，并且第一桥接电极BE1设置为第一触摸电极TE1的上层。或者，第二触摸电极TE2和第二桥接电极BE2可以设置在同一层中。
参照图5，包括用于放置触摸感测单元的绝缘膜的触摸绝缘层600设置在封装层500上。这里，触摸缓冲层610设置在第三封装层530上，并且第一触摸电极TE1设置在触摸缓冲层610上。第二触摸电极TE2也可以设置在触摸缓冲层610上。
触摸缓冲层610可以抑制对包含易受化学物质或水分影响的材料的发光层220的损坏。当形成触摸感测层TSL时，可能会产生用于该过程的化学物质(例如，显影剂、蚀刻剂等)、来自外部的水分等。设置触摸缓冲层610并且在其上设置触摸感测单元。因此，能够抑制在触摸感测单元的制造过程中化学物质、水分等渗透到包含有机材料的发光层220中。另外，触摸缓冲层610可以抑制对包含容易受到高温影响的有机材料的发光层220的损坏。这里，触摸缓冲层610可以由可在低于预定温度(例如，100℃)的温度下形成并具有1至3的低介电常数的有机绝缘材料制成。例如，触摸缓冲层610可以由丙烯基材料、环氧基材料或硅氧烷基材料制成。如上所述，由有机绝缘材料制成的触摸缓冲层610可以抑制由柔性显示装置的弯曲引起的对封装层ENCAP的损坏。因此，触摸缓冲层610还可以抑制设置在封装层ENCAP上的多个触摸电极TE1和TE2以及多个桥接电极BE1和BE2的断裂。
触摸层间绝缘层620设置在第一触摸电极TE1和触摸缓冲层610上，并且第一桥接电极BE1设置在触摸层间绝缘层620上。第一触摸电极TE1可以通过触摸层间绝缘层620与第一桥接电极BE1绝缘。也就是说，沿第一方向延伸的多个第一触摸电极TE1可以通过设置在其上的桥接电极BE1电连接。这是为了抑制设置在第一方向和第二方向上的多个触摸电极的交叉点处的短路。这里，触摸层间绝缘层620可以包括用于电连接第一触摸电极TE1和第一桥接电极BE1的接触孔。另外，触摸层间绝缘层620可以是由有机材料制成的有机膜。然而，触摸层间绝缘层620的材料不限于此。例如，触摸层间绝缘层620可以是由无机材料制成的无机膜。
第二无机层630设置在第一桥接电极BE1和触摸层间绝缘层620上，以覆盖触摸感测单元。第二无机层630抑制由用于上层处理的化学物质(例如，显影剂等)或水分引起的对触摸感测单元的电极的损坏。
同时，根据本公开的示例性实施例的显示装置100可以通过增加多个触摸电极TE1和TE2的金属密度来增强触摸电极的触摸感测性能。具体地，可以通过增加触摸电极TE1和TE2的触摸电极线的宽度或触摸电极TE1和TE2自身的面积以增加触摸电极的金属密度，来增强触摸感测单元的触摸感测性能。例如，多个第一触摸电极TE1的触摸电极线TEL1和多个第二触摸电极TE2的触摸电极线中的至少一部分可以具有与黑矩阵710的多个开口中的一部分相邻开口之间的宽度相同或基本相同的宽度。另外，桥接电极BE1的宽度与通过桥接电极BE1连接的触摸电极TE1的单元电极的触摸电极线的宽度之和可以与黑矩阵710的多个开口中的另一些的相邻开口之间的宽度相同或基本相同。此外，桥接电极BE2的宽度与通过桥接电极BE2连接的触摸电极TE2的单元电极的触摸电极线的宽度之和可以与黑矩阵710的多个开口中的又另一些相邻开口之间的宽度相同或基本相同。所有的多个触摸电极TE1和TE2以及多个桥接电极BE1和BE2设置在黑矩阵710下方。因此，它们不能被从外部识别，并且触摸电极的金属密度增加。因此，能够增强触摸电极的触摸感测性能。
如上所述，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，通过增加触摸电极的金属密度来增加用户的触摸输入部件(例如，手指或笔)与触摸电极之间的重叠面积。因此，在用户的触摸输入部件与触摸电极之间形成的电容增加。由此，能够增强触摸电极的触摸感测性能。图5仅图示了第一触摸电极TE1和第一桥接电极BE1来描述包括设置在不同层中的触摸电极和桥接电极的触摸感测单元的结构。然而，与第一触摸电极TE1一样，也可以增加第二触摸电极TE2的金属密度。
如图5所示，被配置成屏蔽触摸感测单元的第二无机层630设置在触摸感测层TSL的最上部的前表面上。第二无机层630用作屏蔽层以最小化由用于形成作为触摸感测层TSL的上层的滤色器层CFL的化学物质(例如，显影剂、蚀刻剂等)引起的对触摸感测单元的电极的损坏。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，多个触摸电极被设计成使金属密度最大化。因此，当多个触摸电极设置在第二无机层630的正下方时，在触摸感测单元上沉积第二无机层630的工序(例如，等离子体工艺)期间，在具有高金属密度的触摸电极中可能发生电弧故障。为了抑制该问题，根据本公开的示例性实施例的显示装置100包括设置在触摸层间绝缘层(其为有机膜)620下方的多个触摸电极TE1和TE2。另外，具有较低金属密度的第一桥接电极BE1设置在触摸层间绝缘层620上和第二无机层630下。因此，能够抑制在形成第二无机层630的过程中电弧故障的发生并增强触摸感测性能。
多个滤色器720以及在同一层中形成在多个滤色器720之间的黑矩阵710设置于触摸感测层TSL的上部的滤色器层CFL上。
如图5所示，滤色器720A和720B以及黑矩阵710设置在第二无机层630上。
黑矩阵710设置在第二无机层630上并与堤400重叠，并且多个滤色器720被设置成与黑矩阵710的多个开口OA BM重叠。每个滤色器720减少从外部入射到堤400中的外部光的反射和识别，但不阻挡从发光元件200发出的光。因此，能够保持光效率。黑矩阵710被布置成与发光元件200的发光区域的边缘重叠，并用于吸收入射到黑矩阵710中的外部光。因此，能够减少入射到发光区域中的外部光的量并且还能抑制对外部光的反射光的识别。黑矩阵710的开口OA BM可以与堤400的开口OA BK重叠。另外，黑矩阵710的开口OA BM可以具有比堤400的开口OA BK更大的面积。在这种情况下，触摸电极TE1和TE2的各自的触摸电极线的宽度可以不大于黑矩阵710的开口OA BM之间的宽度并且基本上与黑矩阵710的开口OA BM之间的宽度相同。
绝缘层730可以设置在黑矩阵710和多个滤色器720上，并且绝缘层730可以由有机材料制成。
在触摸感测单元设置在滤色器层CFL上或不包括滤色器层CFL的显示装置中，外部光被触摸电极反射。因此，触摸电极可能被识别。在这种情况下，触摸电极的布置和面积受到限制。然而，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，触摸感测单元设置在封装层ENCAP与滤色器层CFL之间。另外，触摸感测单元的触摸电极设置在黑矩阵710下方。因此，增加了触摸电极布置的自由度。因此，可增加触摸电极的金属密度。也就是说，在垂直于基板110的方向上，黑矩阵710的开口OA M、第一触摸电极TE1的开口OA T以及堤400的开口OABK设置于相对应的位置。例如，开口OA M、开口OA T和开口OA BK的中心可以位于垂直于基板110的同一条线上，并且开口OA M、开口OA T和开口OA BK可以具有相对应的形状。在一个实施例中，开口OA T的尺寸可以大于或等于开口OA BK的尺寸。在一个实施例中，开口OA T的尺寸可以小于但大体上等于开口OA M的尺寸。在一个实施例中，开口OA M的中心与开口OA BK的中心彼此重叠并且开口OA M与开口OA BK之间形成有间隙，并且该间隙可以为环形或多边环形。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，多个第一触摸电极TE1、多个第二触摸电极TE2以及设置在触摸电极上的多个第一桥接电极BE1中的每一者被设置成与黑矩阵710重叠。在这种情况下，多个第一触摸电极TE1和多个第二触摸电极TE2中的每一者可以被设置成在垂直方向平行于黑矩阵710的一部分。另外，多个第一触摸电极TE1和多个第二触摸电极TE2可以各自具有与黑矩阵710的多个开口OA BM中的两个相邻开口之间的宽度相同或基本相同的宽度。
以下，将参照图8至图10描述根据本公开的示例性实施例的显示装置的触摸电极结构的示例。
图8是沿图4的线II-II’截取的剖视图，并示出了根据本公开的示例性实施例的显示装置的触摸电极结构的示例。图9是沿图4的线II-II’截取的剖视图，并示出了根据本公开的示例性实施例的显示装置的触摸电极结构的另一示例。图10是示出显示装置中的触摸电极和虚设电极的重叠结构的平面图。
图8示出了根据本公开的示例性实施例的显示装置100的触摸电极结构的示例。在这种情况下，第一触摸电极TE1和设置在其上的第一桥接电极BE1通过触摸层间绝缘层620的接触孔彼此电连接。这里，第一触摸电极TE1的触摸电极线可以具有与黑矩阵710的开口之间的宽度相同或基本相同的宽度。因此，能够通过增加触摸电极的金属密度来增加触摸感测的电容，并增强触摸感测性能。另外，具有比触摸电极低的金属密度的桥接电极设置在第二无机层630下方。因此，能够抑制在沉积第二无机层630的工序期间电弧故障的发生。
图9示出了根据本公开的示例性实施例的显示装置的触摸电极结构的另一示例。在这种情况下，虚设电极DE可以设置在第一触摸电极TE1的未与第一桥接电极BE1连接的部分上。虚设电极DE与第一桥接电极BE1设置在同一层中。
如图9所示，虚设电极DE设置为第一触摸电极TE1的上层并与第一触摸电极TE1重叠。然而，本公开不限于此。在另一个实施例中，虚设电极DE设置在第一触摸电极TE1的下方。例如，形成为网格形并且与第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2重叠的虚设电极DE可以设置在黑矩阵710的下方。因此，形成包括虚设电极DE和第一触摸电极TE1的双电极结构，并且发生边缘场效应。由于具有包括虚设电极DE和第一触摸电极TE1的双电极结构，在用户的触摸输入部件(例如，手指或笔)与触摸电极之间形成的电容增加。由此，能够进一步增强触摸感测性能。图9图示了虚设电极DE设置在第一触摸电极TE1上的示例。然而，虚设电极DE也可以设置在第二触摸电极TE2上。
与第一触摸电极TE1或第二触摸电极TE2对应的虚设电极DE的位置和数量不受限制。然而，可以局部地设置虚设电极DE以抑制在沉积第二无机层630的工序期间电弧故障的发生。也就是说，虚设电极DE可以被设置为对应于多个第一触摸电极TE1和多个第二触摸电极TE2中的全部或一部分。
另外，第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2中的至少一个可以通过触摸层间绝缘层620与设置在其上的虚设电极DE电绝缘。在这种情况下，虚设电极DE可以浮置。
参照图10，虚设电极DE可以形成为具有比第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2更小的宽度。图10示出了虚设电极DE依次设置在构成第一触摸电极TE1的单元电极的第一触摸电极线TEL1上的示例。然而，虚设电极DE可以局部地设置在触摸电极的单元电极上或者可以规则地或随机地设置在触摸电极的单元电极上。另外，构成触摸电极的多个单元电极可以包括其上未设置虚设电极DE的单元电极，并且可以存在其上未设置虚设电极DE的触摸电极。
如图10所示，具有比第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2更小的宽度的虚设电极DE设置在无机层630下方。因此，能够抑制在沉积无机层630的工序期间电弧故障的发生。另外，能够进一步增强触摸感测性能。
尽管已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此，并且在不背离本公开的技术构思的情况下，本公开可以以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施例仅用于说明的目的而非旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应理解，上述示例性实施例在各方面都是说明性的，并不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围中的所有技术概念应被解释为落入本公开的范围内。

Claims (12)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括显示区域和非显示区域；
发光元件层，在所述基板上设置在所述显示区域中；
封装层，设置在所述发光元件层上；
触摸感测层，设置在所述封装层上；
滤色器层，设置在所述触摸感测层上；
栅极驱动单元，在所述基板上设置在所述非显示区域中；
坝，在所述基板上设置在所述非显示区域中并且围绕所述显示区域；以及
面板裂纹检测器，设置在所述基板的边缘部并且在所述非显示区域中，
其中，所述坝位于所述栅极驱动单元与所述面板裂纹检测器之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸感测层包括多个第一触摸电极、多个第二触摸电极和第一桥接电极，所述第一桥接电极配置为电连接相邻的第一触摸电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述滤色器层包括黑矩阵，所述黑矩阵具有多个第一开口和分别覆盖所述多个第一开口的多个滤色器。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述触摸感测层还包括设置在所述第一桥接电极与所述第一触摸电极之间的触摸层间绝缘层，并且
其中，所述第一桥接电极通过形成在所述触摸层间绝缘层中的接触孔电连接到所述第一触摸电极。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一桥接电极、所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极设置在所述黑矩阵的下方。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述发光元件层包括多个子像素和堤层，所述堤层包括限定所述多个子像素的发光区域的多个第二开口，并且
其中，所述第一开口和所述第二开口具有对应的形状，并且所述第一开口的尺寸大于或等于所述第二开口的尺寸。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述触摸感测层还包括第二桥接电极，所述第二桥接电极配置为电连接相邻的第二触摸电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述多个第二触摸电极和所述第二桥接电极一体形成在同一层中。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在俯视图中，所述第一开口的中心与所述第二开口的中心彼此重叠并且所述第一开口与所述第二开口之间形成有间隙。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述间隙为环形或多边环形。
11.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极形成为包括多个第三开口的网格形，
其中，在俯视图中，所述多个子像素位于所述多个第三开口中，并且
其中，在俯视图中，所述多个子像素不位于所述多个第三开口中的至少一个中。
12.根据权利要求2所述的显示装置，还包括形成为网格形的虚设电极，并且
其中，在俯视图中，所述虚设电极与所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极重叠。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102496554B1 (ko) * 2016-05-25 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR102349699B1 (ko) * 2017-05-31 2022-01-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
KR102572345B1 (ko) * 2018-11-15 2023-08-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 검사 방법
KR102642351B1 (ko) * 2018-12-31 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
KR102709147B1 (ko) * 2019-05-24 2024-09-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102795209B1 (ko) * 2019-08-30 2025-04-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
KR102715830B1 (ko) * 2019-12-26 2024-10-10 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20210083917A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102831178B1 (ko) * 2019-12-30 2025-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 표시장치
KR102892879B1 (ko) * 2020-06-22 2025-11-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US12356825B2 (en) * 2020-12-18 2025-07-08 Lg Display Co., Ltd. Display apparatus realizing a narrow viewing angle
US11846965B2 (en) * 2020-12-31 2023-12-19 Lg Display Co., Ltd. Touch display apparatus and method of manufacturing the same
CN113360024B (zh) * 2021-06-18 2024-04-12 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及其裂纹检测方法
CN115915864A (zh) * 2021-08-17 2023-04-04 群创光电股份有限公司 显示面板以及电子装置
EP4138139A1 (en) * 2021-08-17 2023-02-22 LG Display Co., Ltd. Display device
CN116560518A (zh) * 2022-01-29 2023-08-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示触控装置
KR20240016599A (ko) * 2022-07-29 2024-02-06 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20240030760A (ko) * 2022-08-31 2024-03-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20240061193A (ko) * 2022-10-31 2024-05-08 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20240102425A (ko) * 2022-12-26 2024-07-03 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20240120206A (ko) * 2023-01-31 2024-08-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

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