CN120113036A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

基板处理装置(100)具备腔室(201)、基板保持部(3)、处理空间形成部(70)、基板旋转部(4)、处理液供给部(600)及过热水蒸气吹出部(8)。腔室(201)收容基板(W)。基板保持部(3)在腔室(201)内保持基板(W)。处理空间形成部(70)包含相向构件(72)。相向构件(72)与保持于基板保持部(3)的基板(W)相向。处理空间形成部(70)形成进行基板(W)的处理的处理空间。基板旋转部(4)使基板保持部(3)保持的基板(W)旋转。处理液供给部(600)对通过基板旋转部(4)旋转的基板(W)供给混合有硫酸与过氧化氢水的第1混合液(SPM)。过热水蒸气吹出部(8)对处理空间内吹出过热水蒸气。

Description

基板处理装置及基板处理方法

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

已知有一种使用SPM(硫酸过氧化氢混合液)对基板进行逐片处理的单片式基板处理装置(例如参照专利文献1)。此种基板处理装置使基板一面保持水平一面旋转，且对旋转中的基板的上表面喷出SPM。

SPM对抗蚀剂的去除效率依存于基板的温度。具体而言，基板的温度越为低温，抗蚀剂的去除效率越低。开始对基板供给SPM时的基板的温度与室温大致相同，通过供给SPM而基板的温度升温。

现有技术文献：

专利文献：

专利文献1：日本特开2009-272548号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，由于基板周围的氛围的温度低于SPM的温度，故在通过供给SPM而使基板的温度升温的构成中，基板温度的升温花费时间，处理时间变长。若处理期间变长，则SPM的消耗量增大。因此，硫酸的消耗量增大。

本发明鉴于所述问题而提出，其目的在于提供一种可谋求减少硫酸的消耗量的基板处理装置及基板处理方法。

解决问题的技术手段

根据本发明的一方式，基板处理装置具备腔室、基板保持部、处理空间形成部、基板旋转部、处理液供给部及过热水蒸气吹出部。上述腔室收容基板。上述基板保持部在上述腔室内保持上述基板。上述处理空间形成部包含相向构件。上述相向构件与保持于上述基板保持部的上述基板相向。上述处理空间形成部形成进行上述基板处理的处理空间。上述基板旋转部使上述基板保持部保持的上述基板旋转。上述处理液供给部对通过上述基板旋转部旋转的上述基板供给混合有硫酸与过氧化氢水的第1混合液。上述过热水蒸气吹出部对上述处理空间内吹出过热水蒸气。

某实施方式中，上述过热水蒸气吹出部包含配置于较上述基板靠上方的位置的第1过热水蒸气吹出部。

某实施方式中，上述第1过热水蒸气吹出部支撑于上述相向构件。

某实施方式中，上述第1过热水蒸气吹出部包含于上述处理液供给部中。

某实施方式中，上述处理空间形成部还包含液体接收部。上述液体接收部接收自通过上述基板旋转部旋转的上述基板排出的上述第1混合液。上述过热水蒸气吹出部包含支撑于上述液体接收部的第2过热水蒸气吹出部。

某实施方式中，上述基板处理装置还具备控制部。上述控制部控制上述第1混合液的供给，与上述过热水蒸气的吹出。上述控制部在供给上述第1混合液时吹出上述过热水蒸气。

某实施方式中，上述控制部还控制上述基板旋转部对上述基板的旋转。上述控制部在供给上述第1混合液时，控制上述基板的旋转速度，在上述基板的上表面形成上述第1混合液的液膜。上述控制部停止供给上述第1混合液，且控制上述基板的旋转速度，形成将上述液膜支撑于上述基板的上表面的浸置状态。上述控制部在形成上述浸置状态时，吹出上述过热水蒸气。

某实施方式中，上述处理液供给部将上述第1混合液与过氧化氢水互斥地供给至上述基板。上述控制部还控制上述过氧化氢水的供给。上述控制部在供给上述过氧化氢水时，停止吹出上述过热水蒸气。

某实施方式中，上述处理液供给部将上述第1混合液与上述过氧化氢水互斥地供给至上述基板。上述控制部还控制上述过氧化氢水的供给。上述控制部在供给上述第1混合液时，以第1流量吹出上述过热水蒸气。上述控制部在供给上述过氧化氢水时，以小于上述第1流量的第2流量吹出上述过热水蒸气。

某实施方式中，上述处理液供给部将混合有氨水、过氧化氢水及纯水的第2混合液与上述第1混合液互斥地供给至上述基板。上述控制部还控制上述第2混合液的供给。上述控制部在供给上述第2混合液时吹出上述过热水蒸气。

根据本发明的另一方式，基板处理方法包含以下步骤：通过基板保持部在腔室内保持基板；通过包含与保持于上述基板保持部的上述基板相向的相向构件的处理空间形成部，形成进行上述基板的处理的处理空间；及对上述处理空间吹出过热水蒸气。

某实施方式中，上述基板处理方法还包含以下步骤：使上述基板保持部保持的上述基板旋转的步骤；及对旋转中的上述基板供给混合有硫酸与过氧化氢水的第1混合液的步骤。供给上述第1混合液时，吹出上述过热水蒸气。

某实施方式中，上述基板处理方法还包含以下步骤：在供给上述第1混合液时，控制上述基板的旋转速度，在上述基板的上表面形成上述第1混合液的液膜；及停止供给上述第1混合液，且控制上述基板的旋转速度，形成上述液膜支撑于上述基板的上表面的浸置状态。在形成上述浸置状态时，吹出上述过热水蒸气。

某实施方式中，上述基板处理方法还包含对旋转中的上述基板供给过氧化氢水的步骤。供给上述过氧化氢水时，停止吹出上述过热水蒸气。

某实施方式中，上述基板处理方法还包含对旋转中的上述基板供给过氧化氢水的步骤。供给上述第1混合液时，以第1流量吹出上述过热水蒸气。供给上述过氧化氢水时，以小于上述第1流量的第2流量吹出上述过热水蒸气。

某实施方式中，上述基板处理方法还包含以下步骤：使上述基板保持部保持的上述基板旋转；及对旋转中的上述基板供给混合有氨水、过氧化氢水及纯水的第2混合液。在供给上述第2混合液时，吹出上述过热水蒸气。

发明效果

根据本发明的基板处理装置及基板处理方法，可谋求减少硫酸的消耗量。

附图说明

图1是本发明的实施方式的基板处理装置的示意图。

图2是示意性地表示本发明的实施方式的基板处理装置所包含的基板处理部的构成的剖视图。

图3是示意性地表示本发明的实施方式的基板处理装置所包含的基板处理部的构成的另一剖视图。

图4的(a)是自下观察本发明的实施方式的基板处理装置所包含的喷嘴的仰视图。(b)是表示本发明的实施方式的基板处理装置所包含的流体供给部的构成的图。

图5是表示本发明的实施方式的基板处理装置所包含的第1吹出部及过热水蒸气供给部的构成的图。

图6是表示本发明的实施方式的基板处理装置的构成的图。

图7是表示本发明的实施方式的基板处理方法的流程图。

图8是表示本发明的实施方式的基板处理方法所包含的基板处理及过热水蒸气处理的流程图。

图9是示意性地表示预先加热时的基板处理部的图。

图10是示意性地表示SPM处理时的基板处理部的图。

图11是示意性地表示浸置处理时的基板处理部的图。

图12是示意性地表示通过过氧化氢水处理基板时的基板处理部的图。

图13是示意性地表示冲洗处理时的基板处理部的图。

图14是示意性地表示通过SC1处理基板时的基板处理部的图。

图15是示意性地表示干燥处理时的基板处理部的图。

图16的(a)是自下观察本发明的实施方式的基板处理装置的第1变化例所包含的喷嘴的仰视图。(b)是表示本发明的实施方式的基板处理装置的第1变化例所包含的流体供给部的构成的图。

图17的(a)是自下观察本发明的实施方式的基板处理装置的第2变化例所包含的喷嘴的仰视图。(b)是表示本发明的实施方式的基板处理装置的第2变化例所包含的流体供给部的构成的图。

图18的(a)是自下观察本发明的实施方式的基板处理装置的第3变化例所包含的喷嘴的仰视图。(b)是表示本发明的实施方式的基板处理装置的第3变化例所包含的流体供给部的构成的图。

具体实施方式

以下，参照附图(图1～图18的(b))，说明本发明的基板处理装置及基板处理方法的实施方式。但，本发明并非限定于以下的实施方式，在不脱离其主旨的范围内，可以各种方式实施。此外，有对说明重复的部位适当省略说明的情形。另外，图中，对同一或相当部分标注同一参照附图标记，不重复说明。

本发明的基板处理装置及基板处理方法中，对于成为基板处理对象的“基板”，可应用半导体晶圆、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子体显示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、及磁光盘用基板等各种基板。以下，主要以将圆盘状的半导体晶圆作为基板处理对象的情形为例，说明本发明的实施方式，但本发明的基板处理装置及基板处理方法亦可同样适用于上述半导体晶圆以外的各种基板。另外，关于基板的形状，不限定于圆盘状，本发明的基板处理装置及基板处理方法可适用于各种形状的基板。

首先，参照图1，说明本实施方式的基板处理装置100。图1是本实施方式的基板处理装置100的示意图。详细而言，图1是本实施方式的基板处理装置100的示意性俯视图。基板处理装置100通过处理液处理基板W。更具体而言，基板处理装置100为单片式装置，将基板W进行逐片处理。

如图1所示，基板处理装置100具备复数个基板处理部2、流体箱10A、复数个流体盒10B、复数个装载埠LP、传载机械手IR、中心机械手CR及控制装置101。

装载埠LP各自层叠并收容复数片基板W。本实施方式中，在未处理的基板W(处理前的基板W)每一个上，附着有无用的抗蚀剂的掩模(抗蚀剂膜)。

传载机械手IR在装载埠LP与中心机械手CR之间搬送基板W。中心机械手CR在传载机械手IR与处理部2之间搬送基板W。此外，亦可设为如下的装置构成：在传载机械手IR与中心机械手CR之间，设置暂时载置基板W的载置台(通路)，在传载机械手IR与中心机械手CR之间经由载置台间接地交接基板W。

复数个基板处理部2形成有复数个塔TW(图1中为4个塔TW)。复数个塔TW以俯视时包围中心机械手CR的方式配置。各塔TW包含上下层叠的复数个处理部2(图1中为3个基板处理部2)。

流体箱10A收容流体。流体包含非活性气体及处理液。流体盒10B分别对应于复数个塔TW中的一个。流体箱10A内的非活性气体及处理液经由任一流体盒10B，供给至对应于流体盒10B的塔TW所包含的所有基板处理部2。

非活性气体例如为氮气。处理液包含硫酸(H₂SO₄)、过氧化氢水(H₂O₂)、氨水(NH₄OH)及冲洗液。本实施方式中，冲洗液为纯水。纯水例如为去离子水(DIW：Deionzied Water)。此外，冲洗液例如亦可为碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、氨水、或经稀释的盐酸水(例如浓度为10ppm～100ppm左右的盐酸水)。在冲洗液不是纯水的情形时，流体箱10A内的流体还包含纯水。

基板处理部2各自将处理液供给至基板W的上表面。具体而言，基板处理部2将硫酸过氧化氢混合液(SPM：Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)、过氧化氢水、冲洗液及SC1依SPM、过氧化氢水、冲洗液、SC1、冲洗液的顺序供给至基板W。硫酸过氧化氢混合液为混合有硫酸与过氧化氢水的混合液。SC1为混合有氨水、过氧化氢水及纯水的混合液。

若对基板W的上表面供给SPM，则自基板W的上表面剥离抗蚀剂膜(有机物)，将抗蚀剂膜自基板W的上表面去除。若对基板W的上表面供给SC1，则将附着于基板W的上表面的颗粒去除。更具体而言，由SC1所含的过氧化氢水将基板W的本体表面的硅氧化且硅氧化物被氨蚀刻，通过剥离将各种颗粒去除。因此，通过SC1，将抗蚀剂膜的残留物及非溶解性颗粒剥离去除。

控制装置101控制基板处理装置100的各部的动作。例如，控制装置101控制装载埠LP、传载机械手IR、中心机械手CR及基板处理部2。控制装置101包含控制部102与存储部103。

控制部102基于存储于存储部103的各种信息，控制基板处理装置100的各部的动作。控制部102例如具有处理器。控制部102亦可具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)或MPU(Micro Processing Unit：微处理单元)，作为处理器。或者，控制部102亦可具有通用运算机或专用运算器。

存储部103存储用以控制基板处理装置100的动作的各种信息。例如，存储部103存储数据及计算机程序。数据报含各种规程资料。规程数据例如包含制程规程。制程规程为规定基板处理顺序的数据。具体而言，制程规程规定基板处理所含的一连串处理的执行顺序、各处理的内容及各处理的条件(参数的设定值)。

存储部103具有主存储装置。主存储装置例如为半导体存储器。存储部103可进而具有辅助存储装置。辅助存储装置例如包含半导体存储器及硬盘驱动器中的至少一者。存储部103亦可包含可移动介质。

接着，参照图1～图3，说明本实施方式的基板处理装置100。图2是示意性地表示本实施方式的基板处理装置100所包含的基板处理部2的构成的剖视图。图3是示意性地表示本实施方式的基板处理装置100所包含的基板处理部2的构成的另一剖视图。

如图2所示，基板处理部2具备腔室201、排气管202、旋转夹盘3、旋转马达部4、基板加热部5、流体供给部600所包含的喷嘴6、吹出部8、移动机构20及处理空间形成部70。流体供给部600为处理液供给部的一例。

腔室201具有大致箱形状。腔室201收容基板W、排气管202的一部分、旋转夹盘3、旋转马达部4、基板加热部5的一部分、喷嘴6、吹出部8、移动机构20及处理空间形成部70。

旋转夹盘3在腔室201内保持基板W。旋转夹盘3为基板保持部的一例。更具体而言，旋转夹盘3将基板W以水平姿势保持。如图2所示，旋转夹盘3亦可具有复数个夹盘构件31与旋转基座32。

旋转基座32为大致圆盘状，以水平姿势支撑复数个夹盘构件31。复数个夹盘构件31配置于旋转基座32的周缘部。复数个夹盘构件31夹持基板W的周缘部。通过复数个夹盘构件31，将基板W以水平姿势保持。复数个夹盘构件31的动作通过控制装置101(控制部102)控制。

旋转马达部4使保持于旋转夹盘3的基板W旋转。旋转马达部4为基板旋转部的一例。更具体而言，旋转马达部4以在铅垂方向延伸的旋转轴线AX为中心，使基板W与旋转夹盘3一体旋转。控制装置101(控制部102)控制旋转马达部4对基板W的旋转。

详细而言，旋转轴线AX通过旋转基座32的中心。复数个夹盘构件31以基板W的中心与旋转基座32的中心一致的方式配置。因此，基板W以基板W的中心为旋转中心旋转。

如图2所示，旋转夹盘4可具有轴41与马达本体42。轴41与旋转基座32结合。马达本体42使轴41旋转。其结果，旋转基座32旋转。马达本体42的动作通过控制装置101(控制部102)控制。

处理空间形成部70包含阻断构件72。阻断构件72与保持于旋转夹盘3的基板W相向。阻断构件72为相向构件的一例。更具体而言，阻断构件72位于保持于旋转夹盘3的基板W的上方。处理空间形成部70形成进行基板W的处理(基板处理)的处理空间。处理空间为与处理空间的外部氛围大致阻断的空间。即，处理空间为形成于腔室201的内部的局部空间。将处理空间与腔室201内部的氛围大致阻断。

详细而言，阻断构件72具有顶盖部721与侧壁部722。顶盖部721为大致圆盘状的构件。顶盖部721的下表面与保持于旋转夹盘3的基板W的上表面相向。即，顶盖部721的下表面与旋转夹盘3相向。侧壁部722为大致圆筒状的构件。侧壁部722自顶盖部721的外周部朝下方突出。

更具体而言，顶盖部721沿大致水平面扩展。顶盖部721的直径例如大于基板W的直径。顶盖部721的直径可大于旋转基座32的直径。顶盖部721的中心可位于旋转轴线AX上。即，顶盖部721可为以旋转轴线AX为中心的大致圆盘状的构件。同样，侧壁部722可为以旋转轴线AX为中心的大致圆筒状的构件。

另外，阻断构件72具有贯通孔72a。贯通孔72a贯通顶盖部721。贯通孔72a的一端位于顶盖部721的下表面。因此，贯通孔72a的一端与保持于旋转夹盘3的基板W相向。即，贯通孔72a的一端与旋转夹盘3相向。

喷嘴6在基板处理时喷出非活性气体。另外，喷嘴6对通过旋转马达4旋转的基板W供给处理液。更具体而言，喷嘴6向位于处理空间内的基板W喷出处理液。本实施方式中，喷嘴6将SPM、过氧化氢水、冲洗液及SC1依SPM、过氧化氢水、冲洗液、SC1、冲洗液的顺序供给至基板W。即，喷嘴6将SPM、过氧化氢水、冲洗液及SC1互斥地供给至基板W。

喷嘴6收容于阻断构件72的贯通孔72a。喷嘴6的顶端自贯通孔72a的一端露出。自喷嘴6的顶端喷出非活性气体及处理液。喷嘴6的顶端可位于贯通孔72a内。或者，喷嘴6的顶端亦可位于贯通孔72a之外。即，喷嘴6的顶端部可自贯通孔72a向旋转夹盘3突出。

更具体而言，贯通孔72a及喷嘴6在大致铅垂方向延伸。贯通孔72a的一端为贯通孔72a的下端，喷嘴6的顶端为喷嘴6的下端。贯通孔72a例如在俯视时为大致圆形。贯通孔72a的直径与基板W的直径相比充分小。贯通孔72a例如配置于旋转轴线AX上。该情形时，喷嘴6与保持于旋转夹盘3的基板W的中央部相向。因此，自喷嘴6向基板W的中央部喷出处理液。

移动机构20使阻断构件72在上下方向移动。具体而言，移动机构20具备保持部21、臂部22、臂基台23及升降部24。

臂基台23在铅垂方向延伸。臂部22的基端部与臂基台23结合。臂部22自臂基台23朝水平方向延伸。保持部21与臂部22的顶端结合。保持部21保持阻断构件72。更具体而言，保持部21以顶盖部721成大致水平姿势的方式保持阻断构件72。

升降部24使臂基台23在铅垂方向升降。其结果，阻断构件72在上下方向移动。更具体而言，升降部24使阻断构件72在阻断位置与退避位置之间升降。图2表示位于阻断位置的阻断构件72。图3表示位于退避位置的阻断构件72。如图2及图3所示，阻断位置为退避位置下方的位置。即，阻断位置为与退避位置相比，靠近保持于旋转夹盘3的基板W的位置。

升降部24的动作通过控制装置101(控制部102)控制。升降部24例如可具备滚珠螺杆机构，与对滚珠螺杆机构赋予驱动力的电动马达。

控制装置101(控制部102)例如在参照图1说明的中心机械手CR与旋转夹盘3之间进行基板W的交接时，使阻断构件72自阻断位置移动至退避位置。即，在将基板W搬入至腔室201内时，阻断构件72退避至退避位置。另外，自腔室201搬出基板W时，阻断构件72退避至退避位置。退避位置为中心机械手CR的手可进入阻断构件72与旋转夹盘3之间的间隙的位置。

控制装置101(控制部102)在处理空间内处理基板W时，使阻断构件72自退避位置移动至阻断位置。通过阻断构件72移动至阻断位置，形成处理空间。

本实施方式中，处理空间形成部70还包含液体接收部71。液体接收部71接收自通过旋转马达部4旋转的基板W排出的处理液。如图2所示，液体接收部71可具有防护件711与防护件升降部714。

防护件711为大致圆筒状，包围保持于旋转夹盘3的基板W周围。防护件711接收自基板W排出的处理液。更具体而言，防护件711接收自旋转的基板W飞散的处理液。

如图2所示，防护件711可包含筒状的引导部712与筒状的倾斜部713。倾斜部713向旋转轴线AX朝斜上延伸。引导部712自倾斜部713的下端部朝下方延伸。倾斜部713包含圆环状的上端71a。倾斜部713的上端71a具有大于阻断构件72的内径。倾斜部713的上端71a相当于防护件711的上端。以下，有将倾斜部713的上端71a记作“防护件711的上端71a”的情形。

防护件升降部714使防护件711在图2中双点划线所示的第1下位置，与图2中实线所示的第1上位置之间升降。此处，第1下位置表示防护件711的上端71a配置于较基板W靠下方的位置。第1上位置表示防护件711的上端71a配置于较基板W靠上方的位置。

防护件升降部714通过控制装置101(控制部102)控制。防护件升降部714例如可具备滚珠螺杆机构，与对滚珠螺杆机构赋予驱动力的电动马达。

例如，控制装置101(控制部102)在通过旋转夹盘3保持基板W后，使防护件711自第1下位置移动至第1上位置。通过防护件711移动至第1上位置，可由防护件711接收自基板W飞散的处理液。另外，控制装置101(控制部102)在将基板W自腔室201搬出时，使防护件711自第1上位置移动至第1下位置。通过防护件711移动至第1下位置，可在参照图1说明的中心机械手CR与旋转夹盘3之间交接基板W。

本实施方式中，通过防护件711移动至第1上位置，阻断构件72移动至阻断位置，在腔室201的内部形成处理空间。详细而言，配置于第1上位置的防护件711的上端71a包围配置于阻断位置的阻断构件72的侧壁部722。其结果，形成与腔室201内部的氛围大致阻断的局部空间(处理空间)。

如已说明，喷嘴6在处理基板W时喷出非活性气体。将非活性气体供给至处理空间。由于将处理空间与处理空间的外部氛围大致阻断，故在处理空间内充满非活性气体。详细而言，非活性气体在形成有处理空间的期间内始终供给至处理空间。

此外，本实施方式中，保持部21将阻断构件72旋转自如地保持。若阻断构件72移动至阻断位置，则与旋转夹盘3卡合。若旋转夹盘3旋转，则阻断构件72与旋转夹盘3一起旋转。

排气管202将腔室201内的气体排出至腔室201之外。具体而言，始终由设置在供基板处理装置100设置的工厂的排气设备(未图示)，抽吸排气管202内的气体。

排气管202的上游端在较旋转基座32靠下方的位置，与通过处理空间形成部70形成的处理空间连通。因此，基板处理时，利用通过排气管202传递的排气设备的抽吸力将处理空间内的非活性气体吸引至排气管202的上游端。其结果，处理空间内的非活性气体通过排气管202排出至腔室201之外。

再者，处理空间内的药液氛围与非活性气体一起，通过排气管202排出至腔室201之外。药液氛围在自喷嘴6喷出药液时，自喷嘴6的顶端产生。另外，通过药液与基板W的上表面碰撞，自基板W的上表面产生药液氛围。药液与旋转夹盘3或液体接收部71等基板W周边的构件碰撞时，亦产生药液氛围。尤其，自喷嘴6喷出100℃以上的SPM的情形时，通过SPM所含的水蒸发，自喷嘴6喷出SPM的液滴或喷雾。亦有通过SPM与抗蚀剂膜的反应，自基板W产生烟雾(如烟般的气体)的情形。

基板加热部5将保持于旋转夹盘3的基板W加热。例如如图2所示，基板加热部5亦可具有加热构件51、升降轴52、供电部53及加热器升降部54。

加热构件51为大致圆盘状，位于保持于夹盘构件31的基板W与旋转基座32之间。在加热构件51埋入有加热器。加热器例如包含电阻体。供电部53对埋入至加热构件51的加热器通电，使加热构件51加热。供电部53通过控制装置101(控制部102)控制。

升降轴52为大致棒状的构件，在大致铅垂方向延伸。升降轴52与加热构件51结合。加热器升降部54通过使升降轴52升降而使加热构件51升降。具体而言，加热器升降部54使加热构件51在保持于夹盘构件31的基板W的下表面与旋转基座32的上表面间升降。加热器升降部54通过控制装置101(控制部102)控制。加热器升降部54例如亦可具备滚珠螺杆机构，与对滚珠螺杆机构赋予驱动力的电动马达。

吹出部8对处理空间内吹出过热水蒸气。在处理空间内充满过热水蒸气。吹出部8为过热水蒸气吹出部的一例。此外，过热水蒸气通过将水蒸气加热而产生。因此，过热水蒸气为高于水蒸气的温度的高温。具体而言，产生水蒸气时的温度为100℃，产生过热水蒸气时的温度为高于100℃的高温。

本实施方式中，吹出部8包含第1吹出部81与第2吹出部82。第1吹出部81配置于较保持于旋转夹盘3的基板W靠上方的位置。第1吹出部81为第1过热水蒸气吹出部的一例。本实施方式中，第1吹出部81支撑于阻断构件72的内壁面。第2吹出部82支撑于液体接收部71。具体而言，第2吹出部82支撑于防护件711的内壁面。第2吹出部82为第2过热水蒸气吹出部的一例。例如，第1吹出部81亦可经由支架固定于阻断构件72。同样，第2吹出部82亦可经由支架固定于防护件711。

自吹出部8的过热水蒸气的吹出通过控制装置101(控制部102)控制。例如，控制装置101(控制部102)在对基板W供给SPM时，自吹出部8吹出过热水蒸气。以下，有将SPM的基板处理记作“SPM处理”的情形。

根据本实施方式，在SPM处理时，可使处理空间内充满过热水蒸气。因此，与仅通过SPM的温度使基板W的温度升温的构成相比，可缩短基板W的温度的升温所需的时间。其结果，可缩短处理时间，谋求减少SPM的消耗量。由此，可谋求减少硫酸的消耗量。

另外，进行SPM处理时，在基板W的上表面流动SPM。具体而言，被喷出至基板W的上表面的SPM自基板W的中央部流向周缘部，自基板W排出。因此，不易对基板W的上表面赋予热。相对于此，根据本实施方式，由于在处理空间内充满过热水蒸气，故可自基板W的下表面对基板W赋予热。因此，可使基板W的温度有效升温。

另外，配置于基板W周围的构件的温度较低的情形时，会因配置于基板W周围的构件的温度使得基板W的温度不易升温。相对于此，根据本实施方式，由于处理空间内充满过热水蒸气，故可使旋转夹盘3、液体接收部71及阻断构件72等配置于基板W周围的构件的温度通过过热水蒸气而升温。因此，可缩短基板W的温度的升温所需的时间。

另外，过热水蒸气中包含若干水分。因此，过热水蒸气中所含的水分与SPM接触，通过SPM与水分反应时产生的热，可使基板W的温度升温。

另外，通过供给过热水蒸气，处理空间的湿度变高。其结果，SPM易在基板W的上表面扩展，可效率良好地处理基板W。

另外，基板处理时在处理空间内产生的大部分药液氛围会与非活性气体一起通过排气管202排出至腔室201之外，但会有一部分药液氛围在处理空间内扩散而附着于基板W周围的构件的情形。该情形时，有基板W受污染的担心。相对于此，根据本实施方式，可通过过热水蒸气抑制药液氛围扩散。因此，可减少因药液氛围引起的基板W的污染。

具体而言，过热水蒸气利用通过排气管202传递的排气设备的抽吸力，与非活性气体一起被吸引至排气管202的上游端。此时，过热水蒸气所含的液滴与处理空间中漂浮的药液成分碰撞。其结果，对药液成分赋予朝向排气管202的上游端的加速度，药液氛围通过排气管202有效排出至腔室201之外。

尤其，本实施方式中，第1吹出部81配置于基板W的上方。因此，在自基板W产生的药液成分附着于基板W周围的构件之前，易使过热水蒸气的液滴与自基板W产生的药液成分碰撞。因此，可效率良好地抑制药液氛围的扩散。

另外，本实施方式中，第1吹出部81支撑于阻断构件72。因此，在自喷嘴6产生的药液成分附着于基板W周围的构件之前，过热水蒸气的液滴易与自喷嘴6产生的药液成分碰撞。因此，可效率良好地抑制药液氛围的扩散。

对第1吹出部81进一步进行说明。本实施方式中，第1吹出部81在俯视时，位于保持于旋转夹盘3的基板W的外侧。因此，即使产生水滴自第1吹出部81滴落，该水滴亦不易落下至基板W。

另外，本实施方式中，第1吹出部81支撑于侧壁部722的内周面。因此，在相对远离喷嘴6的位置配置第1吹出部81。因此，过热水蒸气不易被吸引至自喷嘴6喷出的SPM。其结果，过热水蒸气在处理空间内不易不均，故通过过热水蒸气，可使基板W或配置于基板W周围的构件效率良好地升温。

接着，对第2吹出部82进一步进行说明。本实施方式中，第2吹出部82配置于较基板W靠下方的位置。例如，第2吹出部82支撑于引导部712的内周面。通过在较基板W靠下方的位置配置第2吹出部82，可自第2吹出部82向基板W的下表面效率良好地供给过热水蒸气。因此，可使基板W的温度自基板W的下表面效率良好地升温。

此外，本实施方式中，基板处理装置100具备2个吹出部8(第1吹出部81及第2吹出部82)，但吹出部8的数量可为1个，亦可为3个以上。例如，吹出部8亦可仅包含第1吹出部81与第2吹出部82中的一者。另外，基板处理装置100可具备支撑于阻断构件72的2个以上的吹出部8，亦可具备支撑于液体接收部71的2个以上的吹出部8。

接着，参照图4的(a)及图4的(b)，说明本实施方式的基板处理装置100。图4的(a)是自下观察本实施方式的基板处理装置100所包含的喷嘴6的仰视图。图4的(b)是表示本实施方式的基板处理装置100所包含的流体供给部600的构成的图。

如图4的(a)所示，喷嘴6具有第1喷出口61～第4喷出口64。第1喷出口61～第4喷出口64朝喷嘴6的下表面(顶端)开口。此外，第4喷出口64为圆环状。第4喷出口64在喷嘴6的下表面(顶端)沿喷嘴6的外周部延伸。自第1喷出口61互斥地喷出SPM与过氧化氢水。自第2喷出口62喷出SC1。自第3喷出口63喷出冲洗液。自第4喷出口64喷出非活性气体。此外，本实施方式中，非活性气体为氮气。

如图4的(b)所示，流体供给部600除喷嘴6以外，还包含第1药液供给部610、第2药液供给部620、冲洗液供给部630及气体供给部640。

自喷嘴6的SPM的喷出与自喷嘴6的过氧化氢水的喷出通过控制装置101(控制部102)控制。具体而言，控制装置101(控制部102)通过控制第1药液供给部610，而控制自喷嘴6的SPM的喷出与自喷嘴6的过氧化氢水的喷出。

第1药液供给部610将SPM与过氧化氢水互斥地供给至喷嘴6。自第1药液供给部610供给至喷嘴6的SPM自参照图4的(a)说明的第1喷出口61喷出。同样，自第1药液供给部610供给至喷嘴6的过氧化氢水自参照图4的(a)说明的第1喷出口61喷出。

具体而言，第1药液供给部610亦可具有第1药液供给配管611、第1成分开闭阀613、第2成分开闭阀615及加热器617。第1药液供给配管611的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。第1成分开闭阀613、第2成分开闭阀615及加热器617收容于参照图1说明的流体盒10B。

第1药液供给配管611对喷嘴6互斥地供给SPM与过氧化氢水。具体而言，第1药液供给配管611为管状的构件，使SPM及过氧化氢水流通至喷嘴6。

详细而言，第1药液供给配管611包含第1配管611a与第2配管611b。第1配管611a的一端连接于喷嘴6。第2配管611b的一端连接于第1配管611a。硫酸流入第1配管611a。过氧化氢水流入第2配管611b。

加热器617安装于第1配管611a。例如，加热器617在较第1成分开闭阀613靠上游侧的位置，安装于第1配管611a。加热器617将流过第1配管611a的硫酸加热。

第1成分开闭阀613安装于第1配管611a。具体而言，第1成分开闭阀613配置于较第1配管611a与第2配管611b的连接部位CP靠上游侧的位置。第2成分开闭阀615安装于第2配管611b。

第1成分开闭阀613及第2成分开闭阀615可在打开状态与关闭状态间切换。控制装置101(控制部102)控制第1成分开闭阀613及第2成分开闭阀615的开闭动作。第1成分开闭阀613及第2成分开闭阀615的致动器例如为空压致动器或电动致动器。

控制装置101(控制部102)在对基板W供给SPM时，将第1成分开闭阀613及第2成分开闭阀615设为打开状态。将第1成分开闭阀613及第2成分开闭阀615设为打开状态时，硫酸朝向喷嘴6流过第1配管611a，过氧化氢水朝向连接部位CP流过第2配管611b。其结果，在连接部位CP将硫酸与过氧化氢水混合，产生SPM。SPM朝向喷嘴6流过第1配管611a，自喷嘴6朝向基板W喷出SPM。

控制装置101(控制部102)在对基板W供给过氧化氢水时，将第1成分开闭阀613设为关闭状态，将第2成分开闭阀615设为打开状态。将第1成分开闭阀613设为关闭状态，将第2成分开闭阀615设为打开状态时，经由第1配管611a的硫酸的流通停止，过氧化氢水朝向连接部位CP流过第2配管611b。其结果，流入至第1配管611a的过氧化氢水朝向喷嘴6流过第1配管611a，自喷嘴6朝向基板W喷出过氧化氢水。

控制装置101(控制部102)在停止自喷嘴6喷出SPM及过氧化氢水时，将第1成分开闭阀613及第2成分开闭阀615设为关闭状态。将第1成分开闭阀613及第2成分开闭阀615设为关闭状态时，经由第1配管611a的硫酸的流通停止，经由第2配管611b的过氧化氢水的流通停止。

自喷嘴6的SC1的喷出通过控制装置101(控制部102)控制。具体而言，控制装置101(控制部102)通过控制第2药液供给部620，而控制自喷嘴6的SC1的喷出。

第2药液供给部620将SC1供给至喷嘴6。自第2药液供给部620供给至喷嘴6的SC1自参照图4的(a)说明的第2喷出口62喷出。

具体而言，第2药液供给部620亦可具有第2药液供给配管621与药液开闭阀623。第2药液供给配管621的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。药液开闭阀623收容于参照图1说明的流体盒10B。

第2药液供给配管621对喷嘴6供给SC1。具体而言，第2药液供给配管621为管状的构件，使SC1流通至喷嘴6。

药液开闭阀623安装于第2药液供给配管621。药液开闭阀623可在打开状态与关闭状态间切换。控制装置101(控制部102)控制药液开闭阀623的开闭动作。药液开闭阀623的致动器例如为空压致动器或电动致动器。

控制装置101(控制部102)在对基板W供给SC1时，将药液开闭阀623设为打开状态。将药液开闭阀623设为打开状态时，SC1向喷嘴6流过第2药液供给配管621。其结果，自喷嘴6向基板W喷出SC1。

控制装置101(控制部102)在停止自喷嘴6喷出SC1时，将药液开闭阀623设为关闭状态。将药液开闭阀623设为关闭状态时，经由第2药液供给配管621的SC1的流通停止。

自喷嘴6的冲洗液的喷出通过控制装置101(控制部102)控制。具体而言，控制装置101(控制部102)通过控制冲洗液供给部630，而控制自喷嘴6的冲洗液的喷出。

冲洗液供给部630将冲洗液供给至喷嘴6。自冲洗液供给部630供给至喷嘴6的冲洗液自参照图4的(a)说明的第3喷出口63喷出。

具体而言，冲洗液供给部630亦可具有冲洗液供给配管631与冲洗液开闭阀633。冲洗液供给配管631的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。冲洗液开闭阀633收容于参照图1说明的流体盒10B。

冲洗液供给配管631对喷嘴6供给冲洗液。具体而言，冲洗液供给配管631为管状的构件，使冲洗液流通至喷嘴6。

冲洗液开闭阀633安装于冲洗液供给配管631。冲洗液开闭阀633可在打开状态与关闭状态间切换。控制装置101(控制部102)控制冲洗液开闭阀633的开闭动作。冲洗液开闭阀633的致动器例如为空压致动器或电动致动器。

控制装置101(控制部102)在对基板W供给冲洗液时，将冲洗液开闭阀633设为打开状态。将冲洗液开闭阀633设为打开状态时，冲洗液朝向喷嘴6流过冲洗液供给配管631。其结果，自喷嘴6向基板W喷出冲洗液。

控制装置101(控制部102)在停止自喷嘴6喷出冲洗液时，将冲洗液开闭阀633设为关闭状态。将冲洗液开闭阀633设为关闭状态时，经由冲洗液供给配管631的冲洗液的流通停止。

自喷嘴6的氮气的喷出通过控制装置101(控制部102)控制。具体而言，控制装置101(控制部102)通过控制气体供给部640，而控制自喷嘴6的氮气的喷出。

气体供给部640将氮气供给至喷嘴6。自气体供给部640供给至喷嘴6的氮气自参照图4的(a)说明的第4喷出口64喷出。

具体而言，气体供给部640亦可具有气体供给配管641与气体开闭阀643。气体供给配管641的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。气体开闭阀643收容于参照图1说明的流体盒10B。

气体供给配管641对喷嘴6供给氮气。具体而言，气体供给配管641为管状的构件，使氮气流通至喷嘴6。

气体开闭阀643安装于气体供给配管641。气体开闭阀643可在打开状态与关闭状态间切换。控制装置101(控制部102)控制气体开闭阀643的开闭动作。气体开闭阀643的致动器例如为空压致动器或电动致动器。

若参照图2说明的阻断构件72移动至阻断位置，则控制装置101(控制装置102)将气体开闭阀643设为打开状态。换言之，若通过参照图2说明的处理空间形成部70形成处理空间，则控制装置101(控制部102)将气体开闭阀643设为打开状态。若将气体开闭阀643设为打开状态，则氮气朝向喷嘴6流过气体供给配管641，自喷嘴6喷出氮气。其结果，自喷嘴6对处理空间供给氮气。

若参照图2说明的阻断构件72移动至退避位置，则控制装置101(控制部102)将气体开闭阀643设为关闭状态。若将气体开闭阀643设为关闭状态，则经由气体供给配管641的氮气的流通停止，停止自喷嘴6喷出氮气。

此外，参照图4的(a)及图4的(b)说明的流体供给部600中，虽自喷嘴6的第1喷出口61互斥地喷出SPM与过氧化氢水，但喷嘴6亦可分别单独地具有喷出SPM的喷出口与喷出过氧化氢水的喷出口。该情形时，流体供给部600分别单独地具备将SPM供给至喷嘴6的药液供给线，与将过氧化氢水供给至喷嘴6的药液供给线。

接着，参照图5，说明本实施方式的基板处理装置100。图5是表示本实施方式的基板处理装置100所包含的第1吹出部81及过热水蒸气供给部800的构成的图。

如图5所示，第1吹出部81为圆环状，沿参照图2说明的阻断构件72的侧壁部722的内周面延伸。第1吹出部81为管状的构件，过热水蒸气流过第1吹出部81的内部。在第1吹出部81的内周侧，形成有至少一个吹出口(未图示)。吹出口为开口，流过第1吹出部81的过热水蒸气自第1吹出部81的吹出口吹出，供给至处理空间。此外，图5例示出具有4个吹出口的第1吹出部81。图5的箭头表示自第1吹出部81吹出的过热水蒸气。

此外，参照图2说明的第2吹出部82的构成亦与第1吹出部81相同。具体而言，第2吹出部82为圆环状，沿参照图2说明的防护件711的内周面延伸。第2吹出部82为管状的构件，过热水蒸气流过第2吹出部82的内部。在第2吹出部82的内周侧，形成有至少一个吹出口(未图示)。吹出口为开口，流过第2吹出部82的过热水蒸气自第2吹出部82的吹出口吹出，供给至处理空间。

根据本实施方式，由于第1吹出部81为圆环状，故通过在第1吹出部81形成复数个吹出口，可对处理空间均匀地供给过热水蒸气。但，第1吹出部81的吹出口的数量亦可为1个。

同样，由于第2吹出部82为圆环状，故通过在第2吹出部82形成复数个吹出口，可对处理空间均匀地供给过热水蒸气。但，第2吹出部82的吹出口的数量亦可为1个。

另外，根据本实施方式，例如与由沿圆周排列的复数个喷嘴构成第1吹出部81的情形相比，基板处理装置100的构成为简易构成，容易制造基板处理装置100。同样，与由沿圆周排列的复数个喷嘴构成第2吹出部82的情形相比，基板处理装置100的构成为简易构成，容易制造基板处理装置100。但，第1吹出部81亦可由至少1个喷嘴构成。同样，第2吹出部82亦可由至少1个喷嘴构成。

接着，参照图5及图6，进而说明本实施方式的基板处理装置100。图6是表示本实施方式的基板处理装置100的构成的图。如图5所示，基板处理装置100还具备过热水蒸气供给部800。过热水蒸气供给部800对第1吹出部81供给过热水蒸气。另外，如图6所示，过热水蒸气供给部800对第2吹出部82供给过热水蒸气。

如图5所示，过热水蒸气供给部800具有水蒸气产生部800A、第1水蒸气配管811、过热水蒸气阀812、流量控制阀813、及过热水蒸气产生加热器803。如图6所示，过热水蒸气供给部800还具有第2水蒸气配管821。

水蒸气产生部800A收容于参照图1说明的流体箱10A。过热水蒸气阀812、流量控制阀813、及过热水蒸气产生加热器803收容于参照图1说明的流体盒10B。第1水蒸气配管811的一部分及第2水蒸气配管821的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。

水蒸气产生部800A产生水蒸气。如图5所示，自水蒸气产生部800A产生的水蒸气流入至第1水蒸气配管811。具体而言，水蒸气产生部800A具有贮存部801与水蒸气产生加热器802。贮存部801贮存纯水。水蒸气产生加热器802将贮存于贮存部801的纯水加热，产生水蒸气。在贮存部801连接有第1水蒸气配管811的一端。水蒸气产生加热器802的动作通过控制装置101(控制部102)控制。

第1水蒸气配管811的另一端连接于第1吹出部81。在第1水蒸气配管811，安装有过热水蒸气阀812、流量控制阀813及过热水蒸气产生加热器803。

第1水蒸气配管811为供水蒸气及过热水蒸气流通的管状构件。过热水蒸气产生加热器803将自贮存部801流入至第1水蒸气配管811的水蒸气加热，产生过热水蒸气。过热水蒸气流过第1水蒸气配管811，流入至第1吹出部81。

第2水蒸气配管821为供过热水蒸气流通的管状构件。如图6所示，第2水蒸气配管821的一端在较过热水蒸气阀812靠下游侧的位置，连接于第1水蒸气配管811。因此，过热水蒸气自第1水蒸气配管811流入至第2水蒸气配管821。第2水蒸气配管821的另一端连接于第2吹出部82。流入至第2水蒸气配管821的过热水蒸气流过第2水蒸气配管821，流入至第2吹出部82。

过热水蒸气阀821为开闭阀，可在打开状态与关闭状态间切换。控制装置101(控制部102)控制过热水蒸气阀812的开闭动作。过热水蒸气阀812的致动器例如为空压致动器或电动致动器。通过过热水蒸气阀812打开，过热水蒸气经由第1水蒸气配管811流通至第1吹出部81，对第1吹出部81供给过热水蒸气。另外，通过过热水蒸气阀812打开，过热水蒸气经由第2水蒸气配管821流通至第2吹出部82，对第2吹出部82供给过热水蒸气。通过过热水蒸气阀812关闭，停止对第1吹出部81及第2吹出部82供给过热水蒸气。

流量控制阀813控制流过第1水蒸气配管811及第2水蒸气配管821的过热水蒸气的流量。具体而言，流量控制阀813可进行开度的控制，流过第1水蒸气配管811及第2水蒸气配管821的过热水蒸气的流量成为对应于流量控制阀813的开度的大小。流量控制阀813的致动器例如为电动致动器。流量控制阀813例如亦可为马达针阀。流量控制阀813的开度通过控制装置101(控制部102)控制。

接着，参照图1～图7，说明本实施方式的基板处理方法。本实施方式的基板处理方法例如通过参照图1～图6说明的基板处理装置100执行。图7是表示本实施方式的基板处理方法的流程图。详细而言，图7表示控制装置101(控制部102)的处理的流程。

如图7所示，本实施方式的基板处方法包含步骤S1～步骤S8。开始图7所示的处理时，控制装置101(控制部102)首先控制中心机械手CR，将基板W搬入至腔室201内(步骤S1)。控制装置101(控制部102)控制旋转夹盘3，保持由中心机械手CR搬入的基板W(步骤S2)。其结果，通过旋转夹盘3在腔室201内保持基板W。

通过旋转夹盘3保持基板W后，控制装置101(控制部102)控制移动机构20，使阻断构件72自退避位置下降至阻断位置(步骤S3)。其结果，形成由阻断构件72与液体接收部71包围的局部空间(处理空间)。

形成处理空间后，控制装置101(控制部102)控制基板处理部2，执行基板处理(步骤S4)。具体而言，控制装置101(控制部102)控制基板处理部2，将SPM、过氧化氢水、冲洗液及SC1依SPM、过氧化氢水、冲洗液、SC1、冲洗液的顺序供给至基板W。

另外，形成处理空间后，控制装置101(控制部102)控制参照图4的(b)说明的气体供给部640，对处理空间供给非活性气体(氮气)。更详细而言，控制装置101(控制部102)在通过处理空间形成部70形成处理空间的期间内，持续气体供给部640的非活性气体(氮气)的供给。因此，在形成处理空间的期间内，处理空间内充满非活性气体(氮气)。换言之，在进行基板处理的期间，处理空间内充满非活性气体(氮气)。

再者，控制装置101(控制部102)与基板处理并行使基板处理部2执行过热水蒸气处理(步骤S5)。具体而言，控制装置101(控制部102)控制参照图5及图6说明的过热水蒸气供给部800，自吹出部8对处理空间吹出过热水蒸气。例如，控制装置101(控制部102)在SPM处理时，自吹出部8吹出过热水蒸气。

基板处理结束后，控制装置101(控制部102)控制参照图4的(b)说明的气体供给部640，停止对处理空间供给非活性气体(氮气)。其后，控制装置101(控制部102)控制移动机构20，使阻断构件72自阻断位置上升至退避位置(步骤S6)。

阻断构件72自阻断位置上升至退避位置后，控制装置101(控制部102)控制旋转夹盘3，解除基板W的保持(步骤S7)。解除旋转夹盘3对基板W的保持后，控制装置101(控制部102)控制中心机械手CR，将基板W自腔室201搬出(步骤S8)。其结果，图7所示的处理结束。

接着，参照图1～图15，说明图7所示的基板处理(步骤S4)及过热水蒸气处理(步骤S5)。图8是表示本实施方式的基板处理方法所包含的基板处理(步骤S4)及过热水蒸气处理(步骤S5)的流程图。图9是示意性地表示预先加热时的基板处理部2的图。图10是示意性地表示SPM处理时的基板处理部2的图。图11是示意性地表示浸置处理时的基板处理部2的图。

图12是示意性地表示通过过氧化氢水处理基板W时的基板处理部2的图。

图13是示意性地表示冲洗处理时的基板处理部2的图。图14是示意性地表示通过SC1处理基板W时的基板处理部2的图。图15是示意性地表示干燥处理时的基板处理部2的图。

如图8所示，开始基板处理后，控制装置101(控制部102)首先控制基板加热部5，将基板W加热(步骤S41)。即，在执行SPM处理前使基板W升温。通过预先使基板W升温，SPM的抗蚀剂膜的剥离效率提高。

详细而言，如图9所示，控制装置101(控制部102)控制供电部53，使埋入至加热构件51的加热器通电。其结果，将加热构件51加热。另外，控制装置101(控制部102)控制加热器升降部54，使加热构件51自第2下位置上升至第2上位置。

此处，第2下位置为加热构件51接近旋转夹盘32的上表面的位置。第2下位置亦可为加热构件51与旋转夹盘32的上表面接触的位置。第2上位置为加热构件51接近基板W的下表面的位置。若使加热构件51上升至第2上位置，则通过来自加热构件51的辐射热将基板W加热。此外，预先加热时，不将过热水蒸气供给至处理空间。

控制装置101(控制部102)以预设的时间预先将基板W加热后，控制旋转马达部4，开始使保持于旋转夹盘3的基板W旋转(参照图10)。

基板W的旋转速度达到预设的旋转速度后，控制装置101(控制部102)控制参照图4的(b)说明的第1药液供给部610，自喷嘴6向旋转中的基板W喷出SPM(步骤S42)。其结果，如图10所示，对旋转中的基板W的上表面供给SPM，在基板W的上表面形成SPM的液膜。即，控制装置101(控制部102)在对基板W供给SPM时，控制基板W的旋转速度，在基板W的上表面形成SPM的液膜。

再者，控制装置101(控制部102)在对基板W供给SPM时，进行第1过热水蒸气处理(步骤S51)。具体而言，如图10所示，控制装置101(控制部102)控制参照图5及图6说明的过热水蒸气供给部800，自吹出部8(第1吹出部81及第2吹出部82)对处理空间吹出过热水蒸气。

根据本实施方式，在SPM处理时，可使处理空间内充满过热水蒸气。因此，如已说明，可缩短基板W的温度升温所需的时间。其结果，可缩短处理时间，谋求减少SPM的消耗量。因此，可谋求减少硫酸的消耗量。再者，根据本实施方式，如已说明，可通过过热水蒸气抑制药液氛围的扩散。

开始自吹出部8吹出过热水蒸气的时机可为SPM的喷出开始前，亦可为与SPM的喷出开始时机相同的时机。或者，开始自吹出部8吹出过热水蒸气的时机亦可为SPM的喷出开始后。控制装置101(控制部102)亦可自吹出部8连续或间歇吹出过热水蒸气。

控制装置101(控制部102)可仅在SPM的喷出开始前自吹出部8吹出过热水蒸气，亦可仅在SPM的喷出开始时自吹出部8吹出过热水蒸气。或者，控制装置101(控制部102)亦可在SPM的喷出开始至喷出结束的期间，以短于自SPM的喷出开始至喷出结束的期间的期间，自吹出部8吹出过热水蒸气。

此外，如图10所示，控制装置101(控制部102)亦可在SPM的喷出开始前，控制加热器升降部54，使加热构件51自第2上位置下降至第2下位置。

控制装置101(控制部102)在自开始喷出SPM起经过预设的时间后，控制参照图4的(b)说明的第1药液供给部610，停止喷出SPM。并且，控制装置101(控制部102)通过旋转马达部4控制基板W的旋转速度，形成SPM的液膜支撑于基板W的上表面的浸置状态(步骤S43)。例如，控制装置101(控制部102)亦可停止基板W的旋转，形成浸置状态(参照图11)。或者，控制装置101(控制部102)亦可使基板W低速旋转，形成浸置状态。通过形成浸置状态，可提高SPM的抗蚀剂的剥离效率。

控制装置101(控制部102)在形成浸置状态时(浸置处理时)，进行第2过热水蒸气处理(步骤S52)。具体而言，如图11所示，控制装置101(控制部102)控制过热水蒸气供给部800，自吹出部8吹出过热水蒸气。控制装置101(控制部102)亦可自SPM处理至浸置处理，持续供给过热水蒸气。

根据本实施方式，在浸置处理时，可使处理空间内充满过热水蒸气。因此，浸置处理时基板W的温度不易降低。因此，可提高SPM的抗蚀剂的剥离效率。其结果，可缩短处理时间，谋求减少SPM的消耗量。即，可谋求减少硫酸的消耗量。再者，根据本实施方式，如已说明，可通过过热水蒸气抑制药液氛围的扩散。

另外，由于在基板W的上表面形成有SPM的液膜，故不会自基板W的上表面侧对基板W直接赋予热。相对于此，本实施方式中，由于可使处理空间内充满过热水蒸气，故可自基板W的下表面侧对基板W直接赋予热。因此，浸置处理中基板W的温度不易降低。因此，可提高SPM的抗蚀剂的剥离效率。再者，根据本实施方式，由于可自第2吹出部82向基板W的下表面效率良好地供给过热水蒸气，故在浸置处理中可进一步抑制基板W的温度降低。

此外，如图11所示，控制装置101(控制部102)亦可在形成浸置状态时，控制加热器升降部54，使加热构件51自第2下位置上升至第2上位置，通过加热构件51将基板W加热。

控制装置101(控制部102)在自开始形成浸置状态起经过预设的时间时，控制旋转马达部4，开始使保持于旋转夹盘3的基板W旋转(参照图12)。或者，控制装置101(控制部102)在自开始形成浸置状态起经过预设的时间时，控制旋转马达部4，使基板W的旋转速度增加。

若基板W的旋转速度达到预设的旋转速度，则控制装置101(控制部102)控制参照图4的(b)说明的第1药液供给部610，自喷嘴6向旋转中的基板W喷出过氧化氢水(步骤S44)。其结果，如图12所示，对旋转中的基板W的上表面供给过氧化氢水，在基板W的上表面形成过氧化氢水的液膜。即，控制装置101(控制部102)在对基板W供给过氧化氢水时，控制基板W的旋转速度，在基板W的上表面形成过氧化氢水的液膜。详细而言，通过喷出过氧化氢水，将SPM自基板W的上表面排出，将SPM的液膜置换成过氧化氢水的液膜。

控制装置101(控制部102)在对基板W供给过氧化氢水时，进行第3过热水蒸气处理(步骤S53)。具体而言，如图12所示，控制装置101(控制部102)控制参照图5及图6说明的过热水蒸气供给部800，减少自吹出部8(第1吹出部81及第2吹出部82)吹出的过热水蒸气的流量。

详细而言，控制装置101(控制部102)在SPM处理时及浸置处理时，自吹出部8以第1流量吹出过热水蒸气，在对基板W供给过氧化氢水时，自吹出部8以小于第1流量的第2流量吹出过热水蒸气。控制装置101(控制部102)通过控制图5及图6所示的流量控制阀813，而调整过热水蒸气的流量。

此外，如图12所示，控制装置101(控制部102)在对基板W供给过氧化氢水时，亦可通过加热构件51将基板W加热。

过氧化氢水可能会使基板W氧化。尤其，过氧化氢水的温度越高，基板W越易氧化。另外，基板W的温度越高，基板W越易氧化。相对于此，根据本实施方式，在对基板W供给过氧化氢水时，可减少向处理空间供给的过热水蒸气的量。其结果，抑制因过热水蒸气引起的过氧化氢水的温度上升，且由于基板W的温度易降低，故可抑制因过氧化氢水造成基板W氧化。

另外，对基板W供给过氧化氢水时，会自基板W产生大量烟雾。再者，在对基板W供给过氧化氢水时，易自喷嘴6产生烟雾。根据本实施方式，在对基板W供给过氧化氢水时，供给过热水蒸气，由此可抑制烟雾扩散。

另外，在对基板W供给过氧化氢水时，向形成有高温的SPM的液膜的基板W喷出常温的过氧化氢水。其结果，在基板W的面内产生温度梯度，从而基板W振动。相对于此，根据本实施方式，在对基板W供给过氧化氢水时，供给过热水蒸气，由此可抑制温度梯度的产生。因此，可抑制基板W的振动。

控制装置101(控制部102)在自开始喷出过氧化氢水起经过预设的时间后，控制参照图4的(b)说明的第1药液供给部610，停止喷出过氧化氢水。

控制装置101(控制部102)在停止喷出过氧化氢水后，在使保持于旋转夹盘3的基板W旋转的状态下，控制参照图4的(b)说明的冲洗液供给部630，自喷嘴6向旋转中的基板W喷出冲洗液(步骤S45)。其结果，如图13所示，对旋转中的基板W的上表面供给冲洗液，在基板W的上表面形成冲洗液的液膜。即，控制装置101(控制部102)在对基板W供给冲洗液时，控制基板W的旋转速度，在基板W的上表面形成冲洗液的液膜。详细而言，通过喷出冲洗液，将过氧化氢水自基板W的上表面排出，将过氧化氢水的液膜置换成冲洗液的液膜。

如图13所示，控制装置101(控制部102)在停止喷出过氧化氢水后，开始对基板W供给冲洗液前，控制参照图5及图6说明的过热水蒸气供给部800，停止自吹出部8吹出过热水蒸气。即，控制装置101(控制部102)停止对处理空间供给过热水蒸气。

根据本实施方式，在开始对基板W供给冲洗液之前，停止对处理空间供给过热水蒸气，故与持续对处理空间供给过热水蒸气的情形相比，冲洗液不易自基板W的上表面蒸发。

此外，如图13所示，控制装置101(控制部102)亦可在冲洗液的喷出开始前，控制加热器升降部54，使加热构件51自第2上位置下降至第2下位置。由此，冲洗液不易自基板W的上表面蒸发。

控制装置101(控制部102)在自开始喷出冲洗液起经过预设的时间后，控制参照图4的(b)说明的冲洗液供给部630，停止喷出冲洗液。控制装置101(控制部102)在停止喷出冲洗液后，在使保持于旋转夹盘3的基板W旋转的状态下，控制参照图4的(b)说明的第2药液供给部620，自喷嘴6向旋转中的基板W喷出SC1(步骤S46)。其结果，如图14所示，对旋转中的基板W的上表面供给SC1，在基板W的上表面形成SC1的液膜。即，控制装置101(控制部102)在对基板W供给SC1时，控制基板W的旋转速度，在基板W的上表面形成SC1的液膜。详细而言，通过喷出SC1，将冲洗液自基板W的上表面排出，将冲洗液的液膜置换成SC1的液膜。

控制装置101(控制部102)在对基板W供给SC1时，进行第4过热水蒸气处理(步骤S54)。具体而言，如图14所示，控制装置101(控制部102)控制参照图5及图6说明的过热水蒸气供给部800，自吹出部8(第1吹出部81及第2吹出部82)吹出过热水蒸气。

根据本实施方式，由于对基板W供给SC1时，对处理空间供给过热水蒸气，故可使供给至基板W的上表面的SC1升温。其结果，基板W的本体表面成为易被SC1氧化的状态。

控制装置101(控制部102)在自开始喷出SC1起经过预设的时间后，控制参照图4的(b)说明的第2药液供给部620，停止喷出SC1。

控制装置101(控制部102)在停止对基板W供给SC1后，与步骤S45同样，自喷嘴6向旋转中的基板W喷出冲洗液(步骤S47)。其结果，通过喷出冲洗液，将SC1自基板W的上表面排出，在基板W的上表面形成冲洗液的液膜。

另外，如已说明，控制装置101(控制部102)在冲洗处理时，停止自吹出部8吹出过热水蒸气。即，控制装置101(控制部102)停止对处理空间供给过热水蒸气。

控制装置101(控制部102)在自开始喷出冲洗液起经过预设的时间后，控制参照图4的(b)说明的冲洗液供给部630，停止喷出冲洗液。控制装置101(控制部102)在停止喷出冲洗液后，执行干燥处理，即通过旋转马达部4控制基板W的旋转速度，将冲洗液自基板W的上表面去除，使基板W的上表面干燥(步骤S48)。其结果，图8所示的处理结束。

具体而言，控制装置101(控制部102)控制旋转马达部4，使基板W高速旋转。通过使基板W高速旋转，将附着于基板W的冲洗液甩开。其结果，基板W干燥。另外，如图15所示，干燥处理时，控制装置101(控制部102)停止自吹出部8吹出过热水蒸气。详细而言，自冲洗处理(步骤S47)至干燥处理，持续停止吹出过热水蒸气。

根据本实施方式，由于干燥处理时未将过热水蒸气供给至处理空间，故与供给过热水蒸气的情形相比，可降低处理空间的湿度。因此，可使基板W效率良好地干燥。

再者，根据本实施方式，在对基板W供给SC1时(步骤S46)，使处理空间充满过热水蒸气，可使基板W或基板W周围的构件的温度升温。其结果，冲洗液通过余热而升温，故在干燥处理时，冲洗液易蒸发，可使基板W效率良好地干燥。

接着，参照图16的(a)及图16的(b)，说明本实施方式的基板处理装置100的第1变化例。第1变化例中，自喷嘴6向处理空间供给过热水蒸气。

图16的(a)是自下观察本实施方式的基板处理装置100的第1变化例所包含的喷嘴6的仰视图。图16的(b)是表示本实施方式的基板处理装置100的第1变化例所包含的流体供给部600的构成的图。以下，有将第1变化例的喷嘴6记作“喷嘴6a”的情形。

如图16的(a)所示，喷嘴6a与参照图4的(a)说明的喷嘴6相比，追加有吹出口8a。自吹出部8a吹出过热水蒸气。即，喷嘴6a作为吹出过热水蒸气的吹出部发挥功能。如此，吹出过热水蒸气的吹出部亦可包含于流体供给部600中。

如图16的(b)所示，第1变化例中，自过热水蒸气供给部800对喷嘴6a供给过热水蒸气。自过热水蒸气供给部800供给至喷嘴6a的过热水蒸气自参照图16的(a)说明的吹出口8a吹出。

此外，参照图2说明的吹出部8可省略，亦可不省略。

接着，参照图17的(a)及图17的(b)，说明本实施方式的基板处理装置100的第2变化例。第2变化例中，自喷嘴6向基板W喷出硫酸、过氧化氢水、纯水及氨水。另外，自喷嘴6向处理空间供给氮气。

图17的(a)是自下观察本实施方式的基板处理装置100的第2变化例所包含的喷嘴6的仰视图。图17的(b)是表示本实施方式的基板处理装置100的第2变化例所包含的流体供给部600的构成的图。以下，有将第2变化例的喷嘴6记作“喷嘴6b”的情形。

如图17的(a)所示，喷嘴6b具有第1喷出口61b～第5喷出口65b。第1喷出口61b～第5喷出口65b在喷嘴6b的下表面(顶端)开口。此外，第5喷出口65b为圆环状。第5喷出口65b在喷嘴6b的下表面(顶端)沿喷嘴6b的外周部延伸。自第1喷出口61b喷出硫酸。自第2喷出口62b喷出过氧化氢水。自第3喷出口63b喷出氨水。自第4喷出口64b喷出纯水。自第5喷出口65b喷出非活性气体。第2变化例中，非活性气体为氮气。

如图17的(b)所示，第2变化例中，流体供给部600包含喷嘴6b、第1药液供给部610b、第2药液供给部620b、第3药液供给部630b、纯水供给部640b及气体供给部650b。

第1药液供给部610b将硫酸供给至喷嘴6b。自第1药液供给部610b供给至喷嘴6b的硫酸自参照图17的(a)说明的第1喷出口61b喷出。

具体而言，第1药液供给部610b具有第1药液供给配管612b、第1药液开闭阀614b及加热器616b。第1药液供给配管612b的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。第1药液开闭阀614b及加热器616b收容于参照图1说明的流体盒10B。

第1药液供给配管612b对喷嘴6b供给硫酸。具体而言，第1药液供给配管612b为管状的构件，使硫酸流通至喷嘴6b。加热器616b安装于第1药液供给配管612b。加热器616b将流过第1药液供给配管612b的硫酸加热。

第1药液开闭阀614b安装于第1药液供给配管612b。第1药液开闭阀614b可在打开状态与关闭状态间切换。控制装置101(控制部102)控制第1药液开闭阀614b的开闭动作。第1药液开闭阀614b的致动器例如为空压致动器或电动致动器。

将第1药液开闭阀614b设为打开状态时，硫酸朝向喷嘴6b流过第1药液供给配管612b。其结果，自喷嘴6b向基板W喷出硫酸。将第1药液开闭阀614b设为关闭状态时，经由第1药液供给配管612b的硫酸的流通停止。因此，停止自喷嘴6b向基板W供给硫酸。

第2药液供给部620b将过氧化氢水供给至喷嘴6b。自第2药液供给部620b供给至喷嘴6b的过氧化氢水自参照图17的(a)说明的第2喷出口62b喷出。

具体而言，第2药液供给部620b具有第2药液供给配管622b与第2药液开闭阀624b。第2药液供给配管622b的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。第2药液开闭阀624b收容于参照图1说明的流体盒10B。

第2药液供给配管622b对喷嘴6b供给过氧化氢水。具体而言，第2药液供给配管622b为管状的构件，使过氧化氢水流通至喷嘴6b。

第2药液开闭阀624b安装于第2药液供给配管622b。第2药液开闭阀624b可在打开状态与关闭状态间切换。控制装置101(控制部102)控制第2药液开闭阀624b的开闭动作。第2药液开闭阀624b的致动器例如为空压致动器或电动致动器。

将第2药液开闭阀624b设为打开状态时，过氧化氢水朝向喷嘴6b流过第2药液供给配管622b。其结果，自喷嘴6b向基板W喷出过氧化氢水。将第2药液开闭阀624b设为关闭状态时，经由第2药液供给配管622b的硫酸的流通停止。因此，停止自喷嘴6b向基板W供给过氧化氢水。

控制装置101(控制部102)在对基板W供给SPM时，将第1药液开闭阀614b及第2药液开闭阀624b设为打开状态。其结果，在基板W的上表面将硫酸与过氧化氢水混合，对基板W的上表面供给SPM。

第3药液供给部630b将氨水供给至喷嘴6b。自第3药液供给部630b供给至喷嘴6b的氨水自参照图17的(a)说明的第3喷出口63b喷出。

具体而言，第3药液供给部630b具有第3药液供给配管632b与第3药液开闭阀634b。第3药液供给配管632b的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。第3药液开闭阀634b收容于参照图1说明的流体盒10B。

第3药液供给配管632b对喷嘴6b供给氨水。第3药液开闭阀634b安装于第3药液供给配管632b。第3药液开闭阀634b可在打开状态与关闭状态间切换。第3药液开闭阀634b成为打开状态时，氨水流过第3药液供给配管632b中，对喷嘴6b供给氨水。第3药液开闭阀634b成为关闭状态时，停止对喷嘴6b供给氨水。控制装置101(控制部102)控制第3药液开闭阀634b的开闭动作。由于第3药液供给部630b的构成与第2药液供给部620b大致相同，故省略其详细说明。

纯水供给部640b将纯水供给至喷嘴6b。自纯水供给部640b供给至喷嘴6b的纯水自参照图17的(a)说明的第4喷出口64b喷出。

具体而言，纯水供给部640b具有纯水供给配管642b与纯水开闭阀644b。纯水供给配管642b的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。纯水开闭阀644b收容于参照图1说明的流体盒10B。

纯水供给配管642b对喷嘴6b供给纯水。纯水开闭阀644b安装于纯水供给配管642b。纯水开闭阀644b可在打开状态与关闭状态间切换。纯水开闭阀644b成为打开状态时，纯水流过纯水供给配管642b，对喷嘴6b供给纯水。纯水开闭阀644b成为关闭状态时，停止对喷嘴6b供给纯水。控制装置101(控制部102)控制纯水开闭阀644b的开闭动作。由于纯水供给部640b的构成与第2药液供给部620b大致相同，故省略其详细说明。

控制装置101(控制部102)在对基板W供给SC1时，将第2药液开闭阀624b、第3药液开闭阀634b及纯水开闭阀644b设为打开状态。其结果，在基板W的上表面，将氨水、过氧化氢及纯水混合，对基板W的上表面供给SC1。

另外，第2变化例中，冲洗液为纯水。控制装置101(控制部102)在冲洗处理时，将纯水开闭阀644b设为打开状态。

气体供给部650b将氮气供给至喷嘴6b。自气体供给部650b供给至喷嘴6b的氮气自参照图17的(a)说明的第5喷出口65b喷出。

具体而言，气体供给部650b具有气体供给配管652b与气体开闭阀654b。气体供给配管652b的一部分收容于参照图2说明的腔室201内。气体开闭阀654b收容于参照图1说明的流体盒10B。

气体供给配管652b对喷嘴6b供给氮气。气体开闭阀654b安装于气体供给配管652b。气体开闭阀654b可在打开状态与关闭状态间切换。气体开闭阀654b成为打开状态时，氮气流过气体供给配管652b，对喷嘴6b供给氮气。气体开闭阀654b成为关闭状态时，停止对喷嘴6b供给氮气。控制装置101(控制部102)控制气体开闭阀654b的开闭动作。由于气体供给部650b的构成与第2药液供给部620b大致相同，故省略其详细说明。

接着，参照图18的(a)及图18的(b)，说明本实施方式的基板处理装置100的第3变化例。第3变化例中，自喷嘴6向处理空间供给过热水蒸气。

图18的(a)是自下观察本实施方式的基板处理装置100的第3变化例所包含的喷嘴6的仰视图。图18的(b)是表示本实施方式的基板处理装置100的第3变化例所包含的流体供给部600的构成的图。以下，有将第3变化例的喷嘴6记作“喷嘴6c”的情形。

如图18的(a)所示，喷嘴6c具有第1喷出口61c、第2喷出口62c、第3喷出口63c、第4喷出口64c、第5喷出口65c及吹出口8a。喷嘴6c的第1喷出口61c～第5喷出口65c相当于图17的(a)所示的喷嘴6b的第1喷出口61b～第5喷出口65b。即，喷嘴6c与参照图17的(a)说明的喷嘴6b相比，追加有吹出口8a。自吹出部8a吹出过热水蒸气。因此，喷嘴6c作为吹出过热水蒸气的吹出部发挥功能。如此，吹出过热水蒸气的吹出部亦可包含于流体供给部600中。

如图18的(b)所示，第3变化例中，自过热水蒸气供给部800对喷嘴6c供给过热水蒸气。自过热水蒸气供给部800供给至喷嘴6c的过热水蒸气自参照图18的(a)说明的吹出口8a吹出。

此外，参照图2说明的吹出部8可省略，亦可不省略。

以上，已参照附图(图1～图18的(b))，对本发明的实施方式进行说明。但，本发明并非限定于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内可以各种方式实施。另外，上述实施方式所揭示的复数个构成要件可适当改变。例如，亦可将某实施方式所示的全部构成要件中的某构成要件追加于其他实施方式的构成要件中，或者，亦可将某实施方式所示的全部构成要件中的若干构成要件自实施方式删除。

附图为了容易理解发明，主体上示意性显示各个构成要件，亦有图示的各构成要件的厚度、长度、个数、间隔等为方便制作附图而与实际不同的情形。另外，上述实施方式所示的各构成要件的构成为一例，并未特别限定，在实质上不脱离本发明的效果的范围内当然可进行各种变更。

例如，参照图1～图18的(b)说明的实施方式中，旋转夹盘3为使复数个夹盘构件31与基板W的周端面接触的夹持式夹盘，但保持基板W的方式只要可水平保持基板W，则无特别限定。例如，旋转夹盘3可为真空式夹盘，亦可为伯努利式夹盘。

另外，参照图1～图18的(b)说明的实施方式中，对基板W供给过氧化氢水时(图8的步骤S44)，控制装置101(控制部102)使自吹出部8吹出的过热水蒸气的流量减少，但亦可在对基板W供给过氧化氢水时(图8的步骤S44)，控制装置101(控制部102)停止自吹出部8吹出过热水蒸气。此外，该情形时，控制装置101(控制部102)持续停止对处理空间供给过热水蒸气到冲洗处理时(图8的步骤S45)为止。

另外，参照图1～图18的(b)说明的实施方式中，基板加热部5通过加热器将基板W加热，基板加热部5用于将基板W加热的构件只要为可将基板W加热的构件，则无特别限定。例如，基板加热部5亦可通过激光照射或光照射而将基板W加热。

另外，参照图1～图18的(b)说明的实施方式中，在基板处理装置100设有基板加热部5，但亦可省略基板加热部5。该情形时，亦可使用过热水蒸气进行预先加热。

另外，参照图1～图18的(b)说明的实施方式中，进行浸置处理，但亦可省略浸置处理。

另外，基板处理装置100亦可在处理空间的内部清洗时，自吹出部8对处理空间供给过热水蒸气。其结果，在处理空间的内部清洗后，易使处理空间形成部70或配置于处理空间内的构件干燥。

详细而言，在处理空间的内部清洗后，对处理空间供给如氮气那样的非活性气体，进行使处理空间形成部70或配置于处理空间内的构件干燥的处理。然而，在清洗处理空间的内部时，使用大量纯水。因此，清洗后的处理空间的内部成为不易干燥的状态。相对于此，通过在处理空间的内部清洗时，自吹出部8对处理空间供给过热水蒸气，可使处理空间形成部70或配置于处理空间内的构件的温度升温。其结果，在处理空间的内部清洗后，可使处理空间形成部70或配置于处理空间内的构件效率良好地干燥。

此外，处理空间的内部清洗例如可在每当基板处理部2处理预设的片数(例如24片)的基板W而执行。或者，处理空间的内部清洗亦可每当经过预设的时间而执行。

产业上的可利用性

本发明对处理基板的装置有用，具有产业上的可利用性。

【附图标记的说明】

2：基板处理部

3：旋转夹盘

4：旋转马达部

6：喷嘴

6a：喷嘴

6b：喷嘴

6c：喷嘴

8：吹出部

8a：吹出口

70：处理空间形成部

71：液体接收部

72：阻断构件

81：第1吹出部

82：第2吹出部

100：基板处理装置

101：控制装置

102：控制部

103：存储部

201：腔室

600：流体供给部

800：过热水蒸气供给部

W：基板

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其中，具备：

腔室，收容基板；

基板保持部，在上述腔室内保持上述基板；

处理空间形成部，包含与保持于上述基板保持部的上述基板相向的相向构件，形成进行上述基板的处理的处理空间；

基板旋转部，使上述基板保持部保持的上述基板旋转；

处理液供给部，对通过上述基板旋转部而旋转的上述基板供给混合有硫酸与过氧化氢水的第1混合液；及

过热水蒸气吹出部，将过热水蒸气吹出至上述处理空间内。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

上述过热水蒸气吹出部包含配置于较上述基板靠上方的位置的第1过热水蒸气吹出部。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，

上述第1过热水蒸气吹出部被支撑于上述相向构件。

4.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，

上述第1过热水蒸气吹出部包含于上述处理液供给部中。

5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，

上述处理空间形成部还包含液体接收部，该液体接收部接收自通过上述基板旋转部而旋转的上述基板排出的上述第1混合液，

上述过热水蒸气吹出部包含被支撑于上述液体接收部的第2过热水蒸气吹出部。

6.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

还具备控制部，该控制部控制上述第1混合液的供给、及上述过热水蒸气的吹出，

在供给上述第1混合液时，上述控制部使上述过热水蒸气吹出。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，

上述控制部还控制上述基板旋转部对上述基板的旋转，

在供给上述第1混合液时，上述控制部控制上述基板的旋转速度，在上述基板的上表面形成上述第1混合液的液膜，

上述控制部使上述第1混合液停止供给，且控制上述基板的旋转速度，形成将上述液膜支撑于上述基板的上表面的浸置状态，

上述控制部在形成上述浸置状态时，使上述过热水蒸气吹出。

8.如权利要求6或7所述的基板处理装置，其中，

上述处理液供给部将上述第1混合液与过氧化氢水互斥地供给至上述基板

上述控制部还控制上述过氧化氢水的供给，

上述控制部在供给上述过氧化氢水时，停止吹出上述过热水蒸气。

9.如权利要求6或7所述的基板处理装置，其中，

上述处理液供给部将上述第1混合液与上述过氧化氢水互斥地供给至上述基板，

上述控制部还控制上述过氧化氢水的供给，

上述控制部在供给上述第1混合液时，以第1流量吹出上述过热水蒸气，

上述控制部在供给上述过氧化氢水时，以小于上述第1流量的第2流量吹出上述过热水蒸气。

10.如权利要求6或7所述的基板处理装置，其中，

上述处理液供给部将混合有氨水、过氧化氢水及纯水的第2混合液与上述第1混合液互斥地供给至上述基板，

上述控制部还控制上述第2混合液的供给，

上述控制部在供给上述第2混合液时使上述过热水蒸气吹出。

11.一种基板处理方法，其中，包含以下步骤：

通过基板保持部在腔室内保持基板；

通过包含与保持于上述基板保持部的上述基板相向的相向构件的处理空间形成部，形成进行上述基板的处理的处理空间；及

对上述处理空间吹出过热水蒸气。

12.如权利要求11所述的基板处理方法，其中，还包含以下步骤：

使上述基板保持部保持的上述基板旋转；及

对旋转中的上述基板供给混合有硫酸与过氧化氢水的第1混合液，

在供给上述第1混合液时，吹出上述过热水蒸气。

13.如权利要求12所述的基板处理方法，其中，还包含以下步骤：

在供给上述第1混合液时，控制上述基板的旋转速度，在上述基板的上表面形成上述第1混合液的液膜；及

停止供给上述第1混合液，且控制上述基板的旋转速度，形成将上述液膜支撑于上述基板的上表面的浸置状态，

在形成上述浸置状态时，吹出上述过热水蒸气。

14.如权利要求12或13所述的基板处理方法，其中，

还包含对旋转中的上述基板供给过氧化氢水的步骤，

在供给上述过氧化氢水时，停止吹出上述过热水蒸气。

15.如权利要求12或13所述的基板处理方法，其中，

还包含对旋转中的上述基板供给过氧化氢水的步骤，

在供给上述第1混合液时，以第1流量吹出上述过热水蒸气，

在供给上述过氧化氢水时，以小于上述第1流量的第2流量吹出上述过热水蒸气。

16.如权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，

还包含以下步骤：

使上述基板保持部保持的上述基板旋转；及

对旋转中的上述基板供给混合有氨水、过氧化氢水及纯水的第2混合液，

在供给上述第2混合液时，吹出上述过热水蒸气。