CN120076577A - 发光器件、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种发光器件、显示面板和显示装置，显示面板包括：第一功能层；发光材料层，发光材料层与第一功能层层叠设置；导电结构，导电结构与第一功能层和/或发光材料层电连接，用于引出发光器件中的过量电子。如此，通过设置与第一功能层和/或发光材料层电连接的导电结构，可以利用导电结构从第一功能层和/或发光材料层中引走过量电子，从而改善了显示面板中因电荷累积而造成的激子淬灭的情况，提升了QLED显示面板的性能。

Description

发光器件、显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件、显示面板和显示装置。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是一种具有新型结构的薄膜发光器件，其通过电子激发实现量子点层发光，具有广色域、高亮度、长寿命、响应快、超轻薄、低能耗、纯度高、高画质等优点。

然而，现有的QLED显示面板仍存在一些问题亟待去解决。

发明内容

有鉴于此，本申请致力于提供一种发光器件、显示面板和显示装置，能够有效提升QLED显示面板的性能。

第一方面，本申请的实施例提供了一种发光器件，包括：

第一功能层；

发光材料层，所述发光材料层与所述第一功能层叠层设置；

导电结构；

所述导电结构与所述第一功能层和/或所述发光材料层电连接，用于引出所述发光器件中的过量电子。

可选地，所述发光器件邻接有像素界定层；

所述导电结构位于所述像素界定层的表面；

可选地，所述导电结构位于所述像素界定层靠近所述发光器件一侧的表面；

可选地，所述导电结构延伸至所述像素界定层远离基板一侧的表面；

可选地，所述导电结构延伸至所述像素界定层远离所述发光器件一侧的表面。

可选地，所述导电结构的表面设有第一绝缘层，所述第一绝缘层设有第一开口，所述导电结构通过第一开口与所述第一功能层和/或所述发光材料层电连接。

可选地，所述发光器件邻接有像素界定层；

所述导电结构位于所述像素界定层的内部。

可选地，所述像素界定层靠近所述发光器件一侧的表面设有第二绝缘层，所述导电结构通过第二开口与所述第一功能层和/或所述发光材料层电连接。

可选地，所述第一功能层包括电子传输层。

可选地，所述导电结构的材质包括银、铝、钼和钛中的至少一种。

可选地，还包括：

第一电极、第二功能层、第三功能层和第二电极；

所述第一电极、第一功能层、发光材料层、第二功能层、第三功能层和第二电极依次层叠设置；

可选地，所述第一功能层为电子传输层。

可选地，所述发光材料层为量子点发光材料层。

可选地，所述第一电极为阴极。

可选地，所述第二功能层为空穴传输层。

可选地，所述第三功能层为空穴注入层。

可选地，所述第二电极为阳极。

第二方面，本申请的实施例提供了一种显示面板，包括：如本申请的第一方面所述的发光器件。

第三方面，本申请的实施例提供了一种显示装置，包括：如本申请的第二方面所述的显示面板。

本申请的方案中，显示面板包括：第一功能层；发光材料层，发光材料层与第一功能层层叠设置；导电结构，导电结构与第一功能层和/或发光材料层电连接，用于引出发光器件中的过量电子。如此，通过设置与第一功能层和/或发光材料层电连接的导电结构，可以利用导电结构从第一功能层和/或发光材料层中引走过量电子，从而改善了显示面板中因电荷累积而造成的激子淬灭的情况，提升了QLED显示面板的性能。

附图说明

通过结合附图对本申请实施例进行更详细的描述，本申请的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本申请实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。

图1是现有技术中提供的一种量子点发光器件的剖面结构示意图；

图2是本申请一个实施例提供的一种发光器件的剖面结构示意图；

图3是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；

图4是如图3所示显示面板沿切割线AA’切割后的剖面结构示意图；

图5是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图6是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；

图7是如图6所示显示面板沿切割线AA’切割后的的剖面结构示意图；

图8是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图9是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图10是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图11是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图12是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图13是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图14是本申请另一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图15是本申请一个实施例提供的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

除非另外定义，本说明书实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本说明书所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书实施例使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来避免构成要素的混同而设置的。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书中，“多个”表示“至少两个”，“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本说明书的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。

下面将结合本说明书实施例中的附图，对本说明书实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本说明书一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本说明书中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本说明书保护的范围。

QLED作为一种新型的光电器件技术，可以利用半导体纳米颗粒(量子点)的特性来实现发光。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更高的色彩纯度、更高的亮度和更长的寿命。

在QLED中，如图1所示，量子点发光器件通常包括依次层叠设置的阳极(Anode)、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、量子点发光材料层(Quantum Dot，QD)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)和阴极(Cathode)。发光时，电子和空穴被注入到QD并复合形成激子，激子发生自发辐射并产生光子。因此，电子和空穴的注入直接影响着QLED的性能。

然而，现有的QLED，其ETL通常采用具有高电子迁移率的无机纳米颗粒，经常存在电荷在QD/ETL界面处积累的问题，进而会减弱或抑制发光效率，导致QLED显示面板性能下降。因此，如何提升QLED显示面板的性能，一直备受人们关注。

为此，本申请提供了一种能够有效提升QLED显示面板性能的发光器件方案，通过设置与第一功能层和/或发光材料层电连接的导电结构，可以从电子传输层和/或发光材料层中引走过量电子，从而改善了显示面板中电荷累积的情况，提升了QLED显示面板的性能。

具体的，作为本申请公开内容的一种可选实现，本申请实施例提供了一种发光器件，图2是本申请一个实施例提供的一种发光器件的结构示意图，如图所示，发光器件至少可以包括第一功能层L1；发光材料层L2，发光材料层L2与第一功能层L1层叠设置；导电结构L3，导电结构L3与第一功能层L1和/或发光材料层L2电连接，用于引出发光器件中的过量电子。

其中，第一功能层L1可以是电子传输层，发光材料层L2可以是量子点发光材料层，相应的，发光器件为量子点发光器件。量子点发光器件发光过程中，电子数量大于空穴数量。

当发光器件通电后，电子和空穴被分别注入其中，在电子数量远大于空穴数量的情况下，过量电子累积会降低设置有发光器件的QLED显示面板的性能，而在发光器件中额外增加与第一功能层L1或者发光材料层L2电连接的导电结构L3，可以分担第一功能层L1或者发光材料层L2中的电子，从而缓解第一功能层L1或者发光材料层L2中电子的累积，促进电子和空穴的平衡，提升QLED显示面板性能。

又或者，在发光器件通电后，由于电子数量大于空穴数量，过量的电子大多会累积在第一功能层L1与发光材料层L2的交接部，也即，第一功能层L1与发光材料层L2的交接部存储的电子数量要远大于其他区域的电子数量。因此，增加与交接部连接的导电结构L3，可以较多地引出交接部中累积的电子，从而进一步缓解交接部中电子的累积，促进电子和空穴的平衡，提升QLED显示面板性能。

需要理解的是，第一功能层L1和发光材料层L2的交接部处累积的电子数量要大于第一功能层L1中累积的电子数量，相应的，对于相同的导电结构L3，与第一功能层L1和发光材料层L2的交接部连接，相较于仅与第一功能层L1连接，能够获取到更多地电子，也即，将导电结构L3与第一功能层L1和发光材料层L2的交接部连接，能够引走更多的电子，达到更好地缓解电子过量累积的效果。

需要说明的是，由于导电结构L3引走的过量电子会留存在导电结构L3中，为了避免导电结构L3因过量电子累积而失效，可以采取定期对发光器件施加反向电压的方式来消除导电结构L3中留存的电子，从而确保导电结构L3的有效性。

其中，导电结构L3的材质可以包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)和钛(Ti)中的至少一种。

当然，本申请并不仅限于此，在一些其他的实施例中，导电结构L3的材质也可以包括其他材料，例如铜等。

具体实施时，发光器件可以设置于显示面板中，如图3和图4所示，显示面板可以包括基板P和位于基板P上的像素界定层T。发光器件L邻接于像素界定层T，导电结构L3位于像素界定层T的表面。

具体的，像素界定层T具有多个像素开口K1；发光器件的发光材料层L2和第一功能层L1依次层叠设置在像素开口K1中。

其中，如图3所示，导电结构L3可以位于像素界定层T靠近发光器件L一侧的表面，也即，导电结构L3可以位于像素开口K1的侧壁上。如此，既无需增加显示面板厚度，又能够引走过量电子，达到提升发光器件L性能的效果。

在一些实施例中，如图5所示，导电结构L3也可以延伸至像素界定层T远离基板P一侧的表面。如此，可以简化工艺流程，提升显示面板的制备效率。

又或者，如图6和图7所示，导电结构L3可以延伸至像素界定层T远离发光器件L一侧的表面。

其中，导电结构L3可以分别与相邻两个像素开口K1中的第一功能层L1连接。如此，相邻导电结构L3通过相邻导电结构L3之间的第一功能层L1，为引走过量电子奠定了结构基础。此外，设置导电结构L3延伸至像素界定层T远离发光器件L一侧的表面，可以简化工艺流程，提升显示面板的制备效率。

在一些实施例中，为了避免电子外逸，如图8和图9所示，导电结构L3的表面还可以设有第一绝缘层H1，第一绝缘层H1设有第一开口M1，导电结构L3通过第一开口M1与第一功能层L1和/或发光材料层L2电连接。其中，图8示出了导电结构L3通过第一开口M1与第一功能层的侧边接触，图9示出了导电结构L3通过第一开口M1与第一功能层L1和发光材料层L2的交接部的侧边接触。

如此，将导电结构L3设置在像素界定层T的表面，第一绝缘层H1覆盖在导电结构L3上，可以有效避免导电结构L3与周边的其他膜层(如阳极或阴极、空穴注入层L3、空穴传输层L4等)发生电连接，从而避免影响到发光器件的性能。同时，设置第一开口M1，确保了导电结构L3与第一功能层L1和/或发光材料层L2的电连接，提升了发光器件的性能。

在一些实施例中，为了进一步提升空间利用率，发光器件L邻接于像素定界定层T，导电结构L3位于像素界定层T的内部。

如图10和图11所示，发光器件L与像素定界定层T的邻接处可以设置有凹槽；导电结构L3可以位于凹槽内。如此，既可以节省空间，避免因导电结构L3的增加而影响到显示面板的体积，又可以利用凹槽内的导电结构L3引走过量电子，达到提升QLED显示面板性能的效果。

为了避免电荷逸散到显示面板的其他区域，如图10所示，可以设置第一功能层L1的侧边区域覆盖凹槽的槽口区域。如此，凹槽内的导电结构L3通过凹槽槽口与第一功能层L1侧边接触，也即导电结构L3通过凹槽槽口与第一功能层L1电连接，为引走第一功能层L1中的过量电子提供了有效的电子流动结构。

另一方面，如图11所示，也可以设置第一功能层L1和发光材料层L2的交接部的侧边区域覆盖凹槽的槽口区域。如此，凹槽内的导电结构L3通过凹槽槽口与交接部的侧边接触，也即导电结构L3通过凹槽槽口与交接部连接，同样为引走第一功能层L1和发光材料层L2的交接部中的过量电子提供了有效的电子流动结构。

当然，本申请并不仅限于此，在一些其他的实施例中，第一功能层L1的侧边区域也可以不完全覆盖凹槽的槽口区域。

相应的，为了避免电荷逸出，如图12所示，具体的，像素界定层T靠近发光器件L一侧的表面设有第二绝缘层H2，第二绝缘层H2具有第二开口M2。

实施时，导电结构L3可以通过第二开口M2与第一功能层L1或者发光材料层电L2电连接。如此，可以避免因第一功能层L1或者发光材料层L2的侧边区域不完全覆盖凹槽的槽口区域而导致的导电结构L3与其他膜层连接的情况。

或者，如图13所示，导电结构L3通过第二开口M2与第一功能层L1和发光材料层L2电连接。

具体的，导电结构L3通过第二开口M2与第一功能层L1和发光材料层L2的交接部的侧边区域接触。如此，可以避免因第一功能层L1和发光材料层L2的交接部的侧边区域不完全覆盖凹槽的槽口区域而导致的导电结构L3与其他膜层连接的情况。

一些实施例中，发光器件还可以包括第二功能层L4、第三功能层L5、第一电极L7和第二电极L6。

发光器件可以包括正置发光器件和反置发光器件。

对于正置发光器件，如图8所示，第一电极L7、第一功能层L1、发光材料层L2、第二功能层L5、第三功能层L6和第二电极L6在靠近基板P的方向上依次层叠设置。

通过设置与发光功能层L2和/或第一功能层L1电连接的导电结构L3，可以在发光过程中，利用导电结构L3引走过量电子，达到提升正置发光器件性能的效果。

对于反置发光器件，如图14所示，第一电极L7、第一功能层L1、发光材料层L2、第二功能层L5、第三功能层L4和第二电极L6在远离基板P的方向上依次层叠设置。其中，导电结构L3与发光材料层L2的侧边接触，也即导电结构L3与发光材料层L2电连接，能够引走过量电子，达到提升反置发光器件性能的效果。

具体的，第一功能层L1可以是电子传输层。发光材料层L2可以是量子点发光材料层。第一电极L7可以是阴极，相应的，第二电极L6可以是阳极。第二功能层L5可以是空穴传输层。第三功能层可以是空穴注入层L4。

应用时，第一电极L7的材料可以是透明或半透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等；第二电极L6的材料可以是不透明的金属材料，例如镁、铝、银、镁银合金等。

作为本申请公开内容的一种可选实现，本申请的实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括如上任一实施例所述的发光器件。

作为本申请公开内容的一种可选实现，本申请实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：如上任一实施例提供的显示面板。如图15所示，图15为本申请一个实施例提供的显示装置的结构示意图，该显示装置可以为智能手机，也可以为平板电脑或数码相机等，在此不再赘述。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

第一功能层；

发光材料层，所述发光材料层与所述第一功能层叠层设置；

导电结构；

所述导电结构与所述第一功能层和/或所述发光材料层电连接，用于引出所述发光器件中的过量电子。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件邻接有像素界定层；

所述导电结构位于所述像素界定层的表面；

可选地，所述导电结构位于所述像素界定层靠近所述发光器件一侧的表面；

可选地，所述导电结构延伸至所述像素界定层远离基板一侧的表面；

可选地，所述导电结构延伸至所述像素界定层远离所述发光器件一侧的表面。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述导电结构的表面设有第一绝缘层，所述第一绝缘层设有第一开口，所述导电结构通过第一开口与所述第一功能层和/或所述发光材料层电连接。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件邻接有像素界定层；

所述导电结构位于所述像素界定层的内部。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述像素界定层靠近所述发光器件一侧的表面设有第二绝缘层，所述导电结构通过第二开口与所述第一功能层和/或所述发光材料层电连接。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一功能层包括电子传输层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述导电结构的材质包括银、铝、钼和钛中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：

第一电极、第二功能层、第三功能层和第二电极；

所述第一电极、第一功能层、发光材料层、第二功能层、第三功能层和第二电极依次层叠设置；

可选地，所述第一功能层为电子传输层；

可选地，所述发光材料层为量子点发光材料层；

可选地，所述第一电极为阴极；

可选地，所述第二功能层为空穴传输层；

可选地，所述第三功能层为空穴注入层；

可选地，所述第二电极为阳极。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的发光器件。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求9所述的显示面板。