[go: up one dir, main page]

CN1285539C - 钛酸铋纳-钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法 - Google Patents

钛酸铋纳-钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1285539C
CN1285539C CN200510041601.8A CN200510041601A CN1285539C CN 1285539 C CN1285539 C CN 1285539C CN 200510041601 A CN200510041601 A CN 200510041601A CN 1285539 C CN1285539 C CN 1285539C
Authority
CN
China
Prior art keywords
titanate
hours
bismuth
sodium
barium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200510041601.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1673178A (zh
Inventor
千学著
樊慧庆
刘来君
葛伟
柯善明
张耿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northwestern Polytechnical University
Original Assignee
Northwestern Polytechnical University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Northwestern Polytechnical University filed Critical Northwestern Polytechnical University
Priority to CN200510041601.8A priority Critical patent/CN1285539C/zh
Publication of CN1673178A publication Critical patent/CN1673178A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1285539C publication Critical patent/CN1285539C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷,其原材料为三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡,化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2,其中:0<x<0.1,0<y<10。本发明还公开了上述钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法,经过配料、振磨混料、压块、预烧、加入粘结剂,在轧膜机上反复轧制,最终成型为方片,再将方片放入烘箱中烘干成素片,经过排胶、烧结、烧银,在放入硅油中极化,最终形成钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷。由于采用了不同掺杂元素以及不同的元素配比,有效的降低了压电陶瓷的矫顽场及电阻率,使极化工艺简单易行。本发明方法可制备不同压电、介电性能的无铅压电陶瓷,可满足不同领域需求;本发明采用工业化轧膜成型,方法简单,成本低,适合批量生产。

Description

钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷,还涉及钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法。
背景技术
压电陶瓷在外加电场作用下可以产生应变,同时,在外力作用下,压电陶瓷会在两极产生电荷,因此被广泛的应用于微位移器、传感器、谐振器、换能器及滤波器等领域。
文献“G.A.Smolensky,V.A.Isupov,A.I.agranovskaya,N.N.Krainik,Sov.Phys.-SolidState(Engl.Transl.)2(11)(1961)2651-2654”介绍了G.A.Smolensky等发明的钛酸铋钠,它是一种复合钙钛矿铁电体,室温时呈三方晶系,居里点为320℃。钛酸铋钠具有铁电性强,剩余极化强度Pr=38μC/cm2、压电系数大,厚度机电耦合系数kt约为0.40~0.50、介电常数小、声学性能好等优良特性,且烧结温度低,但钛酸铋钠陶瓷矫顽场很高,约为73kV/cm,并且在铁电相区电导率很高,因而难以极化,性能也难以得到提高。
钛酸钡是已经规模化生产的无铅压电陶瓷,但钛酸钡的压电常数d33在100pC/N左右,难以通过掺杂大幅度地改善其性能,以满足不同的需要;工作温度区较窄,约为10~70℃,居里点为120℃,在0℃附近存在相变,导致性能参数的温度稳定性欠佳。
对于掺钛酸钡的钛酸铋钠陶瓷,在已报导的电学性能中,压电常数d33约为100pC/N,平面机电耦合系数kp约为0.18,品质因数Qm约为122,不能满足实际使用的需求。
发明内容
为了克服现有技术中钛酸铋钠陶瓷矫顽场高、电导率高且难以极化,钛酸钡陶瓷工作温度区窄等不足,本发明提供一种钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷,采用锡、锰离子对Bi1/2Na1/2TiO3-BaTiO3进行单独和复合掺杂,以降低其矫顽场和电导率。
本发明还提供这种钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法。
本发明的技术方案是:
一种钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷,其原材料为三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡,化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2
其中:0<x<0.1,0<y<10。
所述的原材料是三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡、二氧化锰,化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%MnO2
其中:0<x<0.1,0<y<10,0≤z<10。
一种上述钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷制备方法,
(1)将原材料三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡按化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2配料,其中:0<x<0.1,0<y<10;
(2)将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为3∶1的比例混料,振磨的时间为6~12小时;
(3)将混合好的料压块,在800~900℃温度下预烧1~2小时,取出煅烧的料打碎,再振磨6~12小时后过筛;
(4)加入20~28wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1~2小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片;
(5)将成型的方片放入烘箱中120℃10~13小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,升温速率在25~500℃时为30℃/h,500~800℃时为100℃/h,并分别在270℃、360℃、500℃及800℃保温2~4小时,随炉冷却;
(6)排完胶的素片放入烧结炉中,在1100~1200℃温度范围内烧结,烧结完成后取出,涂敷低温银浆,800℃烧银成为电极;
(7)将敷银电极的瓷片浸入25℃硅油中极化10~30分钟,极化电场为3~5kV/mm。
所述的原材料中包括二氧化锰,其化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%MnO2,其中:0<x<0.1,0<y<10,0≤z<10。
本发明的有益效果是:由于采用了不同掺杂元素以及不同的元素配比,有效的降低了压电陶瓷的矫顽场及电阻率,使极化工艺简单易行。本发明方法可制备不同压电、介电性能的无铅压电陶瓷,从而满足不同领域的使用需求;在陶瓷片成型的过程中,采用了工业化的轧膜成型,工艺流程简单,重复性好,设备要求低,使得生产成本低廉,适合大规模、批量化生产。本发明所得到的电学参数为,压电常数d33为80~125pC/N,平面耦合机电系数kp为0.17~0.25,品质因数Qm为40~163,厚度机电耦合系数kt为0.39~0.51,比现有技术制备的掺钛酸钡的钛酸铋钠陶瓷压电常数d33=100pC/N,平面机电耦合系数kp=0.18,品质因数Qm=122大的多。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
附图说明
图1是本发明的素片排胶工艺图
图2是本发明的陶瓷烧结工艺图
图3是0.96[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.04BaTiO3-0.2wt%SnO2在1110℃烧结表面显微形貌照片
图4是0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%MnO2-0.2wt%SnO2在1110℃烧结表面显微形貌照片
具体实施方式
实施例1,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡,按化学计量比为0.96[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.04BaTiO3-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为3∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为6小时,混合好的料压块在800℃温度下预烧1小时,取出煅烧的料打碎,再振磨6小时后过筛;加入20wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃10小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,升温速率在25~500℃时为30℃/h,500~800℃时为100℃/h,并分别在270℃、360℃、500℃及800℃保温2小时,随炉冷却;排完胶的素片放入烧结炉中,在1100℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,800℃烧银成为电极,在25℃的硅油中极化10分钟,极化电场为3kV/mm。其电学性能见附表中第一行。
附表
  组别   密度   kp   Qm   εr   kt   Nd   tanδ
  实施例1实施例2实施例3实施例4   5.775.455.415.77   0.220.170.190.25   4051154163   8041237567627   0.390.450.460.51   2306239025582453   0.0250.0190.00650.0061
实施例2,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为3∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为8小时,混合好的料压块在840℃温度下预烧1.5小时,取出煅烧的料打碎,再振磨8小时后过筛;加入24wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1.5小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃11小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,升温速率在25~500℃时为30℃/h,500~800℃时为100℃/h,并分别在270℃、360℃、500℃及800℃保温3小时,随炉冷却;排完胶的素坯放入烧结炉中,在1110℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,800℃烧银成为电极,在25℃的硅油中极化15分钟,极化电场为4kV/mm。其电学性能见附表中第二行。
实施例3,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡,按化学计量比为0.92[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.08BaTiO3-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为3∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为10小时,混合好的料压块在850℃温度下预烧2小时,取出煅烧的料打碎,再振磨10小时后过筛;加入25wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制2小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃12小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,升温速率在25~500℃时为30℃/h,500~800℃时为100℃/h,并分别在270℃、360℃、500℃及800℃保温2小时,随炉冷却;排完胶的素坯放入烧结炉中,在1150℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,800℃烧银成为电极,在25℃的硅油中极化20分钟,极化电场为4kV/mm。其电学性能见附表中第三行。
实施例4,用分析纯级含量为99.0%的三氧化二铋、含量为99.8%的碳酸钠、含量为99.0%的碳酸钡、含量为98%的二氧化钛、含量为99.5%的氧化锡、含量为99.95%的二氧化锰,按化学计量比为0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%MnO2-0.2wt%SnO2进行称量配料。将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为3∶1的比例混料,混料过程中不加入其他介质。振磨的时间为12小时,混合好的料压块在900℃温度下预烧2小时,取出煅烧的料打碎,再振磨12小时后过筛;加入28wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制2小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片,放入烘箱中120℃13小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,升温速率在25~500℃时为30℃/h,500~800℃时为100℃/h,并分别在270℃、360℃、500℃及800℃保温4小时,随炉冷却;排完胶的素坯放入烧结炉中,在1200℃烧结,烧结完成后取出,涂敷中温银浆,800℃烧银成为电极,在25℃的硅油中极化30分钟,极化电场为5kV/mm。其电学性能见附表中第四行。
从图3、图4中可以看出,随着配比的变化,压电陶瓷的显微形貌,气孔的数量及大小,晶粒的尺寸及形状发生微小的变化,结合附表可以看出,配方0.94[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-0.06BaTiO3-0.4wt%MnO2-0.2wt%SnO2在1110℃可以获得很好的综合压电性能。
总之,本发明通过合理的原料配比、掺杂改性、优化制备、烧结和极化工艺,实现了与环境兼容性好、性能优良的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的工业化制备。

Claims (4)

1、一种钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷,其原材料为三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡,化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2
其中:0<x<0.1,0<y<10。
2、根据权利要求1所述的钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷,其特征在于:所述的原材料是三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡、二氧化锰,化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%MnO2
其中:0<x<0.1,0<y<10,0≤z<10。
3、一种根据权利要求1所述的钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷制备方法,
(1)将原材料三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡按化学计量比为(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2配料,其中:0<x<0.1,0<y<10;
(2)将配好的料放入振磨料斗中按铁球∶料为3∶1的比例混料,振磨的时间为6~12小时;
(3)将混合好的料压块,在800~900℃温度下预烧1~2小时,取出煅烧的料打碎,再振磨6~12小时后过筛;
(4)加入20~28wt%的粘结剂,在轧膜机上反复轧制1~2小时,最终成型为12×12×0.5mm3的方片;
(5)将成型的方片放入烘箱中120℃10~13小时烘干成素片,然后将烘干的素片放入炉中排胶,升温速率在25~500℃时为30℃/h,500~800℃时为100℃/h,并分别在270℃、360℃、500℃及800℃保温2~4小时,随炉冷却;
(6)排完胶的素片放入烧结炉中,在1100~1200℃温度范围内烧结,烧结完成后取出,涂敷低温银浆,800℃烧银成为电极;
(7)将敷银电极的瓷片浸入25℃硅油中极化10~30分钟,极化电场为3~5kV/mm。
4、根据权利要求3所述的钛酸铋钠-钛酸钡基压电陶瓷制备方法,其特征在于:所述的原材料中包括二氧化锰,其化学计量比为:(1-x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]-xBaTiO3-ywt%SnO2-zwt%MnO2,其中:0<x<0.1,0<y<10,0≤z<10。
CN200510041601.8A 2005-01-04 2005-01-04 钛酸铋纳-钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法 Expired - Fee Related CN1285539C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200510041601.8A CN1285539C (zh) 2005-01-04 2005-01-04 钛酸铋纳-钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200510041601.8A CN1285539C (zh) 2005-01-04 2005-01-04 钛酸铋纳-钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1673178A CN1673178A (zh) 2005-09-28
CN1285539C true CN1285539C (zh) 2006-11-22

Family

ID=35045986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200510041601.8A Expired - Fee Related CN1285539C (zh) 2005-01-04 2005-01-04 钛酸铋纳-钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1285539C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11538632B2 (en) 2021-01-29 2022-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Dielectric material, method of preparing the same, and device comprising the dielectric material

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101550029A (zh) * 2009-04-30 2009-10-07 北京科技大学 一种石墨电极功能陶瓷器件及其制备方法
DE102009035425A1 (de) * 2009-07-31 2011-02-17 Epcos Ag Piezoelektrische Keramikzusammensetzung, Verfahren zur Herstellung der Zusammensetzung und elektrisches Bauelement, umfassend die Zusammensetzung
CN102173784B (zh) * 2011-01-21 2012-12-19 天津大学 溶胶包覆法制备钛酸铋钠-钛酸钡复合介质陶瓷的方法
CN104150898A (zh) * 2014-08-08 2014-11-19 云南银峰新材料有限公司 一种可低温烧结的无铅压电陶瓷材料及其制备方法
CN106187181A (zh) * 2016-07-21 2016-12-07 同济大学 一种基于轧膜工艺的pzt基反铁电材料及其制备方法
CN107311648A (zh) * 2017-06-26 2017-11-03 贵州大学 一种无铅ptc陶瓷及其制备方法
CN108336218B (zh) * 2018-01-29 2021-12-07 长安大学 一种路用压电复合材料及其制备方法
CN109721352B (zh) * 2019-03-16 2021-08-20 信阳师范学院 一种采用微波材料科学工作站制备的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
CN111233465A (zh) * 2020-02-27 2020-06-05 陕西科技大学 一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电织构陶瓷及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11538632B2 (en) 2021-01-29 2022-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Dielectric material, method of preparing the same, and device comprising the dielectric material

Also Published As

Publication number Publication date
CN1673178A (zh) 2005-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111302797A (zh) 一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
CN102910902B (zh) 一种bnt-bt-bkt基钙钛矿体系多元无铅压电陶瓷及其制备方法
CN111747740B (zh) 钐离子掺杂锆钛酸铅基高性能压电陶瓷及其制备方法
CN116082034B (zh) 一种高储能特性的钛酸铋钠基高熵陶瓷材料及其制备方法和应用
CN112174663B (zh) 一种高性能压电陶瓷及其制备方法
CN107903055B (zh) 一种梯度掺杂钛酸铋钠基多层无铅压电陶瓷
CN1285539C (zh) 钛酸铋纳-钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法
CN116573936B (zh) 一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法
CN106083039A (zh) La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法
CN101337814B (zh) 低温烧结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料及其制备方法
CN103833354A (zh) 一种固溶改性钛酸铋钠系无铅压电陶瓷及其制备方法
CN1260175C (zh) 适合工业化生产的掺杂锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法
KR101671672B1 (ko) 무연 압전 세라믹 조성물 및 이의 제조방법
CN111704461B (zh) 一种高居里点低温共烧压电陶瓷配方及制备方法
CN102351533A (zh) 一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法
CN106554203A (zh) 一种铋层状结构铌酸铋钙高温压电陶瓷材料及其制备方法
CN101337815A (zh) 无铅压电陶瓷及其制备方法
CN102180670A (zh) 铌酸钾钠锂-钛酸铋钠钾无铅压电陶瓷及其制备方法
CN101337813B (zh) 高压电性能多元系少铅压电陶瓷及其制备方法
CN111925208A (zh) 一种铌酸锂钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
CN1285542C (zh) 钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法
CN103159475B (zh) B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法
CN111606707A (zh) 一种容温稳定性压电陶瓷材料以及制备方法
CN102838350B (zh) 一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法
JP2003238248A (ja) 圧電磁器組成物と圧電デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20061122

Termination date: 20110104