CN1260785C - 用于对被处理基板实施半导体处理的系统和方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体处理的系统(10)包含测定部(40)、信息处理部(51)以及控制部(52)。测定部(40)测定实施过半导体处理的被处理基板(W)上的试验对象膜的特性。信息处理部(51)根据试验对象膜上的多个位置的由测定部(40)测定的特性的值，算出使特性的面内均匀性提高所必要的被处理基板(W)的位置修正量。控制部(52)在为了进行半导体处理而将接下来的被处理基板(W)通过移载装置(30)向支持部件(17)移载时，根据位置修正量控制移载装置(30)的驱动部(30A、32A)。

Description

用于对被处理基板实施半导体处理的系统和方法

技术领域

本发明涉及用于对被处理基板实施半导体处理的系统以及方法。另外，在此，半导体处理是指为了通过在半导体晶片和LCD基板等的被处理基板上按照规定的图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，在该被处理基板上制造包含半导体装置和与半导体装置相连接的配线、电极等的构造物而实施的各种处理。

背景技术

在半导体处理中，作为一次对多枚半导体晶片进行氧化、扩散、退火、成膜等的热处理的分批式处理装置已知有立式热处理装置。在立式热处理装置中，将晶片沿着垂直方向留出间隔而排列支持在被称为晶片载置架的支持部件上，将该支持部件搬入立式的处理室内。然后，通过配置在处理室周围的加热机构一边加热一边进行热处理。

例如，在成膜处理中，在反应管(处理室)内收容了保持被处理基板的载置架的状态下，将反应管内设置到规定的减压氛围。另外，从下方将规定的处理气体，例如成膜用气体，引入反应管内。再通过被设置在反应管周围的筒状加热器加热到规定的温度。由此，在被处理基板上进行成膜。

在进行这样的成膜处理时，通常有在被处理基板上形成的膜厚在中央部分和周边部分不同的倾向。具体地说，例如有被处理基板的中央部分的膜厚比周边部分的膜厚小的倾向。所以，难于将被处理基板以高的面内均匀性进行处理。对于该理由可以按如下解释。

即，在上述的立式热处理装置上，被处理基板围绕其周围而配置的筒状加热器加热。所以，在被处理基板上，相对于周边部分比较急速地升温，中央部分缓慢地升温。其结果是在被处理基板的面内产生温度差。另外，成膜用气体从该被处理基板的周边部分一侧向支持部件所支持的被处理基板供给。所以，在被处理基板上，相对于周边部分处在成膜用气体的气体浓度高的状态，中央部分处在成膜用气体的气体浓度低的状态。其结果是在被处理基板的面内产生成膜用气体的浓度上的差。

因此，在被处理基板上，在温度高而且成膜用气体的气体浓度高的被处理基板的周边部分与中央部分相比，成膜反应被促进而膜厚增大。由于这样的原因，难于得到高的面内均匀性。被处理基板上的膜厚或者膜质等特性的面内不均匀的倾向在进行例如氧化处理或者扩散处理等时也表现出来。

近年，随着半导体装置的细微化，要求以高的面内均匀性对被处理基板进行处理。例如，对于需要形成的膜厚要求允许的幅度在±1％以下的情况也不少。

现在，作为改善被处理基板上的膜厚以及膜质的面内均匀性的技术的一个例子，有在处理室内，一边使支持被处理基板的支持部件(基座或载置架)转动一边进行热处理的方法。在这种情况下，通过使被处理基板的几何中心与支持部件的转动中心轴相一致，可以可靠地发挥提高面内均匀性的效果。由此，在相对于支持部件移载被处理基板时，使在支持部件上的被处理基板的搭载位置更加适当。理想的是，是使被形成的膜厚分布的中心与被处理基板的几何中心相一致那样进行移载装置动作状态的控制。

具体地就是，例如，对于被处理基板进行实际的热处理，测定形成的膜的膜厚从而取得被处理基板面内的膜厚分布信息。在这里得到的膜厚的分布信息是例如为近似同心圆形而相对于在膜厚分布上的膜形成中心的对称性高。其次，操作人员通过得到的膜厚的分布信息，通过目视得到相对于被处理基板的几何中心的该膜厚分布的膜形成中心(处理中心)的偏移量(偏心量)。其次，操作人员根据经验进行移载装置的控制部的设定以减少所得到的偏移量。这样通过控制移载装置的动作，进行为使在支持部件上的被处理基板的搭载位置的适当化的教育操作。该教育操作需要反复进行多次，例如3-5次。

但是，在上述的方法中，如果包含了对在被处理基板上形成的膜的膜厚测定，则教育操作需要例如4-5小时的长时间。所以难于以高的作业效率进行规定的热处理。此外，膜厚分布上的膜形成中心的位置变化量不单单是由被处理基板的搭载位置的位置修正量而决定的。所以，使该膜厚分布的膜形成中心与被处理基板的几何中心相一致是极其困难的。其结果是难于将被处理基板以高的均匀性在其面内可靠地进行热处理。

发明内容

本发明的目的在于通过改良教育操作，提供可以高面内均匀性以及高效率对被处理基板进行半导体处理的系统以及方法。

本发明的第一视点是为了对被处理基板进行半导体处理的系统，具有：

收纳前述被处理基板的处理室；

在前述被处理室内支持前述被处理基板的支持部件；

将前述处理室内排气的排气系统；

向前述处理室内供给处理气体的供给系统；

将前述被处理基板移载到前述支持部件上的移载装置；

驱动前述移载装置的驱动部；

测定实施过前述半导体处理的前述被处理基板上的试验对象膜的特性的测定部；

在前述试验对象膜上的多个位置上，根据通过前述测定部测定的前述特性的值，计算用于使前述特性的面内均匀性提高所必要的前述被处理基板的位置修正量的信息处理部；和

在为了进行前述半导体处理而将接下来的被处理基板由前述移载装置向前述支持部件移载时，根据前述位置修正量控制前述驱动部的控制部。

在此，在一方式，前述信息处理部在根据由前述测定部测定的前述试验对象膜上的前述特性的分布取得前述处理室的处理中心的同时，从前述被处理基板的几何中心相对于前述处理中心的偏移量算出前述位置修正量。

另外，在其他方式中，前述系统还具备基准数据记忆部，该基准数据记忆部记忆表示在前述支持部件上的前述被处理基板的位置变化量和相对于前述位置的变化量而预测的前述特性的变化量之间的关系的基准数据。

前述信息处理部根据前述基准数据和前述被处理基板的至少在周边部分的多个位置上的前述特性的值，按照前述特性的值的差在允许范围内那样算出前述位置修正量。

本发明的第二视点是为了对被处理基板进行半导体处理的方法，具备：

由驱动部所驱动的移载装置，将前述被处理基板移载到支持部件上的移载工序；

在处理室内在将前述被处理基板支持在前述支持部件上的状态下，对于前述被处理基板进行前述半导体处理的工序；

通过测定部测定实施过前述半导体处理的前述被处理基板上的试验对象膜的特性的工序；

在前述试验对象膜上的多个位置上，根据由前述测定部测定的前述特性的值，由与前述测定部连接的信息处理部计算使前述特性的面内均匀性提高所必需的前述被处理基板的位置修正量的工序；和

在为了进行前述半导体处理而将接下来的被处理基板由前述移载装置向前述支持部件移载时，通过与前述信息处理部相连接的控制部，根据前述位置修正量控制前述驱动部的工序。

附图说明

图1是概略表示本发明实施方式的立式热处理装置的截面图。

图2是表示在图1中所示的热处理装置中，从反应管卸下的晶片载置架和移载装置之间关系的立体图。

图3是表示图1中所示的热处理装置的控制系统的框图。

图4A以及图4B是为了说明将具有普遍的关系的曲面近似的方法的图。

图5是表示半导体晶片的膜厚的测定部位的一个例子。

图6是表示半导体晶片上的成膜状态(膜厚分布)的说明图。

图7是表示在成膜处理中进行的反应管的温度控制的温度范围(温度曲线)的一个例子的图。

图8是在成膜处理中进行的反应管的温度控制的温度范围(温度曲线)的另一个例子的图。

具体实施方式

下面参照附图对于本发明的实施方式进行说明。另外。在以下的说明中，对于具有基本相同功能以及结构的构成元件，加注相同的符号，仅在必要的时候进行重复说明。

在以下的实施方式中，热处理被作为半导体处理而示例。在此，热处理不仅是指对于被处理基板的表面形成各种材料膜的处理，也意味着改善已形成的膜的膜质的处理。例如，热处理的例子是在高温下将硅的表面氧化而由此形成氧化膜(绝缘膜)的氧化处理、加热在表面形成了不纯物质层的硅层而由此将不纯物质向硅层内进行热扩散的扩散处理、以特性的稳定性和物性的稳定性为目的的退火处理等。在这些热处理中，在被处理基板上，对膜厚或者膜质等的物性值或者特性值形成分布。

图1是表示本发明实施方式的立式热处理装置的概略的截面图。图2是表示在图1中所示的热处理装置中，从反应管卸下的晶片载置架和移载装置之间关系的立体图。该热处理装置10用于在作为被处理基板的半导体晶片W上通过CVD(化学气相淀积：Chemical VaporDeposition)形成膜。

如图1所示，该热处理装置10具有在高度方向(图1中的上下方向)延伸那样配置的反应管(处理室)11。反应管11具有由上端为开放的直管形内管11A和上端为封闭的外管11B组成的双重管构造。外管11B按照在内管11A的周围形成筒形空间11C那样相隔规定的间隔而配置为同心状。内管11A以及外管11B都是由耐热性能以及耐腐蚀性能优良的材料，例如高纯度的石英玻璃形成的。

在反应管11的外管11B的下端部上，配置在上端具有凸缘部分12A的短圆筒形的多通管12。被配置在外管11B的下端部处的下端凸缘部分111，通过例如O形环等的密封装置(未图示)与凸缘部分12A相接合。由此，反应管11的外管11B呈固定为气密的状态。

反应管11的内管11A从外管11B的下端面向下方伸出，插入多通管12。内管11A的下端部由设置在多通管12的内面的环形的内管支持部14支持。

如反应管11的纵截面所示的那样，在多通管12的一个侧壁上配置气体供给配管15A、15B。气体供给配管15A、15B气密地贯通多通管12的侧壁，在内管11A的内侧向上方延伸。气体供给配管15A、15B分别与气体源部GS的成膜气体源以及惰性气体源相连接。

在多通管12的另一个侧壁上，按照与内管11A以及外管11B之间的筒状空间11C相连通那样配置排气管16。排气管16与例如具有真空泵以及压力控制结构的排气部ES相连接。通过排气部ES，反应管11内在排气的同时被设定到规定的真空压力。

反应管11的下端开口(多通管12的开口)11D通过圆板形的盖体20开闭。在盖体20上，用作支持多个晶片W的支持部件的晶片载置架17通过保温筒(隔热体)24得以支持。盖体20装在载置架升降机26上。通过经载置架升降机26使盖体20升降，晶片载置架17相对于反应管11装载/卸载。即，晶片载置架17通过载置架升降机26在反应管11下方的装载区域内的移载作业位置(图2所图示的位置)和反应管11内的位置(图1示位置)之间运送。

在盖体20的底部配置经晶片载置架17使晶片W在水平面内转动的转动驱动机构23。转动驱动机构23的转动驱动轴23A，气密地贯通盖体20，而与保温筒24的下面相连接。虽然晶片载置架17可以相对于保温筒24自由地安装和卸下，但是在转动方向上晶片载置架17相对于保温筒24是固定的。

晶片载置架17由例如高纯度的石英玻璃所构成，晶片载置架17如图2所示，具有例如顶板17B、底板17C以及连接于其间的多个支柱17A。在支柱17A上沿着上下方向按一定间隔形成多个槽，通过将晶片W的边插入这些槽内将晶片W保持水平。例如，在晶片载置架17上将100-200片左右的晶片W在上下方向上以5.2-20.8mm的间隔(节距)保持水平。

筒状加热器25被以围绕反应管11周围的状态配置在反应管11的外侧。加热器25经反应管11的侧壁，加热收容在反应管11内的晶片W。加热器25具有在内面以螺线或者蛇行状态配置了多个线形的阻抗发热体的圆筒形隔热材料(未图示)。加热器由在上下方向划分的多个例如5个独立的加热段251-255组成。对这些加热段251-255的电力供应由加热器控制器TC1-TC5独立地控制。由此，在反应管11内，形成在上下方向划分的多个加热领域，例如5个加热领域(区)Z1-Z5。

另外，对晶片W进行的成膜处理的处理条件的一例如下所示。

半导体晶片W的直径：300mm

处理温度：540-620℃

处理压力：13-170Pa(0.1-1.3Torr)

配置相对于降到卸载区域的晶片载置架17而可以进入的移载装置30。移载装置30具有可以升降以及转动的垂直转动轴31和固定在其顶部的细长的长方形的移载头32。在移载头32上，例如在移载头32的长度方向可进退地配置1-5片的薄板叉形的支持臂33。移载头32由配置在转动轴31的底部的头驱动部30A驱动而升降或者转动。各支持臂33由配置在移载头32上的臂驱动部32A而加以进退驱动。

图3是表示在图1中所示的热处理装置10的控制系统的框图。气体源部GS、排气部ES、转动驱动机构23、载置架升降机26、加热器控制器TC1-TC5、移载装置30在CPU5的控制下而驱动。在CPU5上还连接晶片W形成的膜的膜厚测定器40，作为测定被处理基板上的试验对象膜特性的测定部。为了进行相对于移载装置30的教育操作而使用膜厚测定器40。

但是，如前述那样，移载装置的教育操作是指根据已经进行的处理得到的数据而进行移载装置的教育。在此，所谓“已经进行了的处理”既可是试验用的处理，也可是为了制造实际制品的处理。但是在本说明书中为了便于理解发明，根据需要将教育操作之前进行的处理作为试验处理而提及。因此，例如，在第一次的教育操作之前进行的处理是第一次的试验处理，第二次的教育操作之前进行的处理为第二次的试验处理。

CPU5具有信息处理部51以及动作控制部52。信息处理部51，作为与后述的教育操作相关联的处理，根据测定器40测定的膜厚的值，算出为了提高膜厚的面内均一性而所需要的晶片W的位置修正量。控制部52，作为与后达的教育操作相关联的处理，在为了进行成膜处理而通过移载装置30将后面的晶片W移向晶片载置架17时，根据由信息处理部51算出的位置修正量控制移载装置30的驱动部30A、32A。

CPU5还具有试验数据记忆部53以及基准数据记忆部54。如后述的那样，试验数据记忆部53将经过多次的试验处理而由前述信息处理部得到的数据作为试验数据按照时间序列记忆。如后述的那样，基准数据记忆部54记忆表示在晶片载置架17上的晶片W的位置变化量和相对于该位置变化量而被预测的膜厚的变化量之间关系的基准数据。

在图1中所示的热处理装置10中，如以下详细说明的那样，为了移载装置30的教育操作通常进行数次。在各教育操作之前，相对于晶片W实际进行试验处理，相对于形成的膜(试验对象膜)用测定器40测定膜厚值。然后，根据测定器40测定的膜厚，算出为了提高膜厚的面内均一性所需要的晶片W的位置修正量。根据这样算出的位置修正量，在通过移载装置30将接下来的晶片W向晶片载置架17移载时，控制移载装置30。

接下来，对于如图1所示的热处理装置10的成膜处理以及教育操作进行详细叙述。

首先，在内部收容了多片半导体晶片W的收纳容器(晶片盒)通过适当的搬运装置搬运到热处理装置10上。接下来，通过移载装置30(通过移载头32的上下方向以及转动方向的移动以及支持臂33的进退动作)从收纳容器取出晶片W。取出的晶片W相对于降在装载区的盖体20上的晶片载置架17，通过移载装置30依次移载。

晶片载置架17的各个晶片支持水平上，晶片W被移载的位置是例如晶片W的几何中心与通过转动驱动机构23而被转动驱动的晶片载置架17的转动中心相一致的状态的位置。另外，在晶片载置架17的最上部分以及最下部分的支持水平上，例如，搭载模拟的半导体晶片(模型晶片)。

盖体20由升降机构向上方驱动而晶片载置架17从下端开口11D装到反应管11内的同时，反应管11的下端开口11D由盖体20气密地闭塞。接下来，排气部ES动作，反应管11内部减压至规定的压力。另外，筒状加热器25动作，反应管11的各个加热领域Z1-Z5被加热到应处理晶片W的目标温度。在该状态下，通过从气体供应配管15A向反应管11内引入适当的成膜用气体，对于晶片W进行成膜处理。

当成膜的晶片W在其表面的膜的面内均匀性低时，需要进行使在晶片载置架17的晶片W的设定搭载位置(由搭载装置30所设定的被处理基板的搭载位置)适当化的教育操作。为了进行教育操作，在图1所示的热处理装置上进行例如如下的(1)-(3)的工序。

(1)取得膜厚分布信息的工序：在将晶片W搭载在晶片载置架17的各个支持水平上的设定搭载位置上的状态下进行成膜处理(试验处理)。通过成膜处理，测定在晶片W的表面上形成的膜的作为特性的膜厚，取得膜厚的分布信息。

(2)取得位置修正信息的工序：通过膜厚的分布信息，评价晶片W表面的成膜状态。例如，算出膜厚最小或者最大的部位，选定该部位的晶片W的座标位置作为膜形成中心(处理中心)。然后，根据相对于晶片W的几何中心的膜形成中心的偏心信息，取得应修正支持水平的设定搭载位置的位置修正信息。

(3)控制移载装置30的动作的工序：在将接下来的晶片W移载到晶片载置架17上时，按照晶片W移载到由位置修正信息修正后的目标搭载位置的方式控制移载装置30的动作。

具体地说，例如，对于实际进行成膜处理的晶片W，在其面内的任何的测定线上的多个部位上进行膜厚的测定。在各个测定部位所得到的实测膜厚数据与各个测定部位的晶片W的座标位置相关联。接下来通过将满足所有实测膜厚数据关系的、具有普遍关系的曲面近似，取得作为膜特性的分布信息的晶片W的面内膜厚分布。这样得到的膜厚分布为例如近似同心圆形，成为相对膜厚分布的膜形成中心而对称性高的结果。

另外，在此，所谓上述“将具有普遍关系的曲面近似”是指以下的信息处理。

首先，在该近似中使用“所有的实测数据”的用语是指在计算两个测定点之间的特性时，也包括在这两个测定点以外的测定点的数据。例如是膜厚的话，测定点的数据是指膜厚以及座标数据。

图4A以及图4B是用于说明将具有普遍关系的曲面近似的方法的图。图4A以及图4B中，横轴表示座标位置Pc，纵轴表示膜厚Th。如图4A所示的那样，在使用两个测定点Pc1、Pc2的数据而通过插值法算出两个测定点Pc1、Pc2之间的膜厚时，其最小值不明确。另外，在图4B中所示的那样，还通过进一步参照两个测定点Pc1、Pc2前后的测定点Pc3、Pc4的数据，利用插值法可以算出与由图4A得不到的两个测定点Pc1、Pc2之间的膜厚的最小值相近似的值。所谓“上述将具有普遍关系的曲面近似”是指这样的处理。

但是，实际上不是使用所有实测的数据进行测定点与测定点之间的插值。在由用于计算机图形学的图象插值法中最流行的双3次卷积法(bi-cubic convolution)时，使用3次函数通过周围16个数据共同插值X、Y座标。进行这种插值的软件已经在市场上销售。

为了得到膜厚分布的膜厚测定部位以及个数不必作特别的限制，可以考虑膜厚的分布精度或者时间效率而根据目的进行选择。图5是表示晶片W的膜厚的测定部位的一例的图。

在图5中，测定部位在相对于晶片W的几何中心C1以同心状且等间隔配置的多个，例如3个圆形测定线L1、L2、L3上选择。另外，测定部位在测定线L1、L2、L3上，以晶片W的几何中心C1为中心等角度间隔地配置。具体地说就是，例如在晶片W的几何中心、在测定线L1上的8处、在测定线L2上的16处、在测定线L3上的24处，共计49处进行膜厚的测定。优选在晶片W的外周边缘侧上被选定的测定线L3上的各个测定部位位于比晶片W的外周边缘靠近内部例如3mm左右。

晶片W的座标位置例如被“X轴”以及“Y轴”所规定。“Y轴”是在移载装置30的支持臂33向晶片载置架17的转动中心轴作进退移动时，沿支持臂33的进退方向(图5中的上下方向)的轴。“X轴”是在晶片W的面内，沿与“Y轴”垂直方向(图5中的左右方向)的轴。

如上述那样，优选取得满足所有的实测膜厚数据以及预测膜厚数据的关系那样的膜厚分布。所以，在CPU5的信息处理部51中，通过给予的测定数据(X座标、Y座标、膜厚)进行2元数据插值。在该插值方法中有线性插值方法、最小二乘法、3次插值法。

从插值出的数据找出最小或者最大膜厚，其座标为中心座标。另外，将该曲面用数学式表现，可以通过进行积分求得极小值或者极大值而知道座标。但是，使用计算机求最小值或者最大值时，需要预先除去载置架的支柱的近旁等由于外界干扰造成的膜厚变化的部位的测定数据，或者设定不选为最小值或者最大值等的条件。

具体地说，例如通过最小二乘法，对位于各个测定线L1-L3上的相互邻接的测定部位之间的预测部位的膜厚数据进行插值，形成满足实测数据关系的预测膜厚数据。然后，得到满足所有实测膜厚数据以及预测膜厚数据关系的膜厚分布。由此，可以更高的可靠性得到晶片W面内的膜厚分布。因此，可以按高可靠性设定应修正晶片载置架17的设定搭载位置的修正量。另外，实际进行膜厚测定的测定部位的个数少也可以，所以可以提高时间的效率。

图6是表示半导体晶片W的成膜状态(膜厚分布)的说明图。可以发现得到的膜厚分布的倾向具体地是晶片W的中心部分比周边部分厚的情况下为“凸型”，周边部分比中心部分厚的情况下为“凹型”。如图6所示，在该膜厚分布中，膜厚为最小或者最大的晶片W上的座标位置(以下，称“特定座标位置”)被选作该膜厚分布的膜形成中心(处理中心)C2。然后，可以求得特定座标位置C2相对于晶片W的几何中心C1的X轴方向的偏移量Dx以及Y轴方向的偏移量Dy。根据求得的偏移量Dx、Dy，算出应修正晶片载置架17的设定搭载位置的位置修正量。

在选定“特定座标位置C2”时，有时膜厚最大或者最小的座标位置存在多个部位。这种情况下，可以选定膜厚在规定的范围内具有近似圆形的等膜厚线的中心位置作为特定座标位置。

根据这样得到的分别相对于X轴方向以及Y轴的位置修正量，可以修正晶片载置架17的支持水平上的设定搭载位置而设定新的目标搭载位置。将接下来接受同样成膜处理的晶片W移载到晶片载置架17时，控制移载位置30的动作，使得晶片W移载到由位置修正信息修正后的目标搭载位置上。具体地说，是控制相对于移载装置30的移载头32的转动方向的动作量以及相对于支持臂33的进退方向的动作量。

例如，在第一次的试验处理中，得到在特定座标位置C2的X轴方向的偏移量Dx以及Y轴方向的偏移量Dy。在这种情况下，被用在第一次的教育操作中的、修正设定搭载位置的位置修正量被设定得与偏移量Dx、Dy同样大小。然后，根据由第一次的教育操作所设定的条件进行第二次的试验处理。接下来，利用第二次的试验处理的结果算出新的位置修正量，进行第二次的教育操作。

其原因是，即使在通过与特定座标位置C2的偏移量相同大小的位置修正量修正设定搭载位置时，实际上其偏移量实质上不为零的情况多。所以，以上的试验处理(如前所述，也可是为了制造实际制品的处理)以及教育操作实际上反复进行3-4次左右，反馈控制移载装置30的动作。

第n次的试验处理中，考虑用于第(n-1)次的试验处理中的位置修正量以及得到的偏移量和用于第(n-2)次的试验处理中的位置修正量以及得到的偏移量的关系而设定X轴方向以及Y轴方向的位置修正量(即，在第(n-1)次的教育操作中用的位置修正量)。具体地说，可以通过下述的式子(1)、(2)设定。

${\mathrm{Tx}}_n={\mathrm{Tx}}_{n-1}-\frac{{\mathrm{Dx}}_{n-1}}{\{({\mathrm{Dx}}_{n-2}-{\mathrm{Dx}}_{n-1})/({\mathrm{Tx}}_{n-2}-{\mathrm{Tx}}_{n-1})\}}---\left(1\right)$

${\mathrm{Ty}}_n={\mathrm{Ty}}_{n-1}-\frac{{\mathrm{Dy}}_{n-1}}{\{({\mathrm{Dy}}_{n-2}-{\mathrm{Dy}}_{n-1})/({\mathrm{Ty}}_{n-2}-{\mathrm{Ty}}_{n-1})\}}---\left(2\right)$

在这里，Tx_n、Tx_n-1以及Tx_n-2表示在第n次、第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中使用的X轴方向的位置修正量，Dx_n-1以及Dx_n-2表示在第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中得到的X轴方向的偏移量，Ty_n、Ty_n-1以及Ty_n-2表示在第n次、第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中使用的与X轴方向垂直的Y轴方向的位置修正量，Dy_n-1以及Dy_n-2表示在第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中得到的Y轴方向的偏移量。

另外，代替上面的式子(1)、(2)可以用下面的式子(1m)、(2m)。

${\mathrm{Tx}}_n=\frac{{\mathrm{Dx}}_1}{({\mathrm{Dx}}_{n-2}-{\mathrm{Dx}}_{n-1})/({\mathrm{Tx}}_{n-2}-{\mathrm{Tx}}_{n-1})\}}---\left(1m\right)$

${\mathrm{Ty}}_n=\frac{{\mathrm{Dy}}_1}{({\mathrm{Dy}}_{n-2}-{\mathrm{Dy}}_{n-1})/({\mathrm{Ty}}_{n-2}-{\mathrm{Ty}}_{n-1})\}}---\left(2m\right)$

在这里，Dx1以及Dy1表示在第一次的试验处理中得到的X轴方向以及Y轴方向的偏移量。

接下来，用具体的数值例对上述的式子(1)、(2)进行说明。在此，令晶片W的几何中心C1的座标位置为(x，y)＝(0mm，0mm)。

例如，在第一次的试验处理中，通过移载装置30将晶片W移载到最初的设定移载位置上，进行成膜处理。所以，在此使用(Tx₁，Ty₁)＝(0mm，0mm)作为X轴以及Y轴方向的位置修正量。该成膜的结果是，例如可以得到(Dx₁，Dy₁)＝(5mm，5mm)，作为根据在晶片W上形成的膜的膜厚而测定的膜形成中心(处理中心)对于晶片W的几何中心C1的X轴以及Y轴方向的偏移量。

在这种情况下，在第一次的教育操作中，由第一次的试验处理的结果可以使用(Tx₂，Ty₂)＝(-5mm，-5mm)作为X轴以及Y轴方向的位置修正量。然后根据由该第一次的教育操作得到的设定进行第二次试验处理。该成膜的结果是，作为由在晶片W上形成的膜的膜厚得到的膜形成中心(处理中心)的相对于晶片W的几何中心C1的X轴以及Y轴方向的偏移量，例如可以得到(Dx₂，Dy₂)＝(1mm，1mm)。

在这种情况下，在第二次的操作中，由第一次以及第二次的试验处理的结果可以根据式子(1)(2)在下述的状态下算出X轴以及Y轴方向的位置修正量。然后根据由该第二次的教育操作得到的设定进行第3次试验处理。而如前所述，第一次乃至第3次的试验处理也可以是制造实际制品的处理。

Tx₃＝-5-1/[{5-1}/{0-(-5)}]＝-6.25

Ty₃＝-5-1/[{5-1}/{0-(-5)}]＝-6.25

下述的表1表示用该具体例子得到的X轴方向的数据。Y轴方向的数据也是同样的数值。表1中“N”是试验的顺序号，“Tx”为在该次的试验中使用的X轴方向的位置修正量，“Dx”为在该次的试验中得到的X轴方向的偏移量。

             (表1)

N	Tx(mm)	Dx(mm)
			1	0	5
2	-5	1
			3	-6.25	？

以上那样的实验处理以及教育操作分别相对于反应管11内的加热领域Z1-Z5进行。例如，从晶片载置架17的支持水平分别与加热领域Z1-Z5相对应一个一个地选择水平，对于选择的支持水平，进行上述那样的试验处理以及教育操作。由此，可以在对于晶片载置架17的所有的晶片W的偏心被实质上解除的状态下，即在晶片W被保持在各个支持水平上的最佳位置上的状态下，进行成膜处理。

另外，上述式子(1)、(2)可以变更而使用移动平均法。式子(1)、(2)的分母用增益表示由过去两次的试验处理的偏移量和位置修正量计算的“每单位位置修正量的偏移量的变化“。移动平均法是为了计算该增益而以过去的试验处理的增益的全部和新计算出的增益的合计平均值作为增益而使用的方法。通过使用该方法，可以降低由于干扰引起的增益变动的影响。

另外，替代移动平均法可以使用加权平均法。在移动平均法的情况下，过去的增益与现在的增益以同样的比重处理。但是，现实地说，优选不利用过去的增益。即，在偏心量大的阶段被计算的增益是大概值，缺少可靠性。为了解决该问题，可以使用加权平均法。在这种情况下，算出平均值后，减小过去的增益的比重，增加现在的增益的比重。

在上述的教育操作中，对于实际进行了成膜处理的晶片W，取得了该面内的膜厚的分布信息，求得膜厚分布的特定座标位置C2(膜形成中心)对于晶片W的几何中心C1的偏移量。然后，从该偏移量算出对修正晶片载置架17的晶片W的搭载位置的位置修正量。但是，替代该方法，在晶片W的周边部分的多个部位上，进行膜厚的测定，根据实测膜厚数据，可以采用算出应修正晶片W搭载位置的位置修正量的下述第二方法，使得在测定部位上形成的膜的膜厚在允许范围内一致。

具体地说，例如在图5所示的晶片W的测定线L3上，在位于相对于晶片W的几何中心对称的A点和D点以及B点和E点的4处上，进行膜厚的测定，在各个测定部位A、B、D、E上得到的实测膜厚数据与各个测定部位A、B、D、E的晶片W的座标位置相关联。

接下来，比较测定部位A以及测定部位D的膜厚，按照这些膜厚一致那样，求得应修正设定搭载位置的X轴方向的位置修正量。同样地，比较测定部位B以及测定部位D的膜厚，按照这些膜厚一致那样，求得应修正设定搭载位置的Y轴方向的位置修正量。

可以在测定线L3上的更多位置上进行膜厚的测定。另外，也可以在位于晶片W的几何中心C1和测定线L3之间的测定线上，例如在测定线L1或者测定线L2上进行膜厚的测定。在这种情况下，由于实测膜厚数据的个数变多，所以能够以更高的可靠性得到晶片W面内的膜厚分布。由此，能够以高可靠性设定晶片载置架17的应修正设定搭载装置的位置修正量。

在该第二方法的情况下，基本上可以按照周边部分或者边缘附近部分的膜厚均等那样算出位置修正量。均匀性良好的膜的面内膜厚分布为同心圆形。假定是这样的理想膜，以下说明根据上述4个测定部位A、B、D、E的位置修正量的计算方法。

令在第一次的试验处理的初始位置为(x1，y1)，令在第二次的试验处理的位置为(x2，y2)，令膜厚的测定部位A、B、D、E的座标为A(x，y)＝(150，0)、B(x，y)＝(0，150)、D(x，y)＝(-150，0)、E(x，y)＝(0，-150)。另外，令由第一次的试验处理得到的膜厚为(A1、B1、D1、E1)、令由第二次的试验处理得到的膜厚为(A2、B2、D2、E2)。

在这种情况下，移动单位距离时的膜厚变动率Sensitivity(S)用Sensitivity(S)＝(A2-A1)/(X2-X1)表示。在X轴方向上，测定部位A、D为对称的，所以理想的膜厚测定部位A、D的平均Iac为Iac＝(A1+D1)/2。另外Iac与A1的差ΔA＝A1-(A1+D1)/2。所以，为了修正Iac的X轴方向的位置修正量ΔX可以用以下的式子(3)得到。另外，在第3次试验处理中使用的X轴方向的目标搭载位置X3＝X2+ΔX。

ΔX＝ΔA/Sensitivity(S)     …(3)

根据这样所得到的分别相对于X轴方向以及Y轴的位置修正量，修正晶片载置架17的支持水平的设定搭载位置而设定新的目标搭载位置。将接下来受同样的成膜处理的晶片W移载到晶片载置架17时，控制移载位置30的动作，将晶片W移载到由位置修正信息修正后的目标搭载位置上。具体地说，是控制对应于移载装置30的移载头32的转动方向的动作量以及对应于支持臂33的进退方向的动作量。

在第二种方法的情况下，为了算出应修正基准搭载位置的位置修正量，例如在第一次的教育操作(第二次的试验处理)中，需要相对于位置修正量而与被预测的膜厚的变化量的比例(以下，称预测增益)有关的数据。根据该预测增益，考虑应比较膜厚的各个测定部位的膜厚的差而设定位置修正量。如前述的那样，对于位置修正量，膜厚变化量不一定可靠地被补偿。所以，预测增益是基于根据对于某种程度大小的位置修正量而期待得到某种程度大小的膜厚变化量的所谓处理条件等而得到的经验性的预测来设定的。

例如，由使用了同样处理装置的过去的实验，作成表示晶片载置架17上的晶片W的位置变化量和对于该位置变化量而预测的膜厚变化量之间关系的基准数据。然后，在实施第二方法之前，将该数据输入CPU5。为此，CPU5具有记忆基准数据的基准数据记忆部54(参照图3)。

在第二次以后的教育操作中，通过在这之前实施的试验处理中的实际位置修正量以及膜厚的变化量求得实测增益(新的基准数据)，根据该实测增益设定位置修正量。该实测增益例如在用相同的条件进行处理时，可以按照每次实施教育操作时加以更新的方式设定。

在上述的热处理装置中，将关于实际进行的试验处理以及教育操作的履历信息，与处理条件一起记忆到控制装置上。在此，履历信息是指对于位置修正量的偏移量的变化程度或者膜厚的变化程度(增益)等。另外，处理条件是指，例如处理温度、作为目的膜的膜厚、处理用气体的种类或者其他条件。然后，在使用与记忆的履历信息的处理条件相同的处理条件时，根据该履历信息进行教育操作，即进行所谓学习控制。由此，例如，在热处理装置的维护后等，在使用与记忆的履历信息相同的处理条件时，可以缩短教育操作所需的时间，可以用高作业效率进行规定的热处理。

对于被记忆的试验处理以及教育操作的履历信息，也可每1次操作时更新为最新信息并记忆。另外，也可记忆在到晶片的搭载位置适当化为止的一系列的信息。另外，对于位置修正量的偏移量的变化程度或者膜厚的变化的程度(增益)等的履历信息由于处理条件的不同而不同。所以，可以取得与处理条件相对应的履历信息，将这些与处理条件一起分别地记忆到控制装置上，即可以进行数据库化。在这种情况下，通过与对于晶片进行的热处理的处理条件相对应适当地选择履历信息，能够以高作业效率调整好晶片载置架17的晶片W的搭载位置。

通过以上的移载装置的控制方法，移载装置30的动作按照实际上对于晶片W而进行的成膜处理的成膜结果而被反馈控制。由此，应当形成的膜的膜厚分布的特定座标位置(膜形成中心)C2相对于晶片W的几何中心C1的偏移量可靠地变小到一定值以下。其结果是，在晶片W的热处理的偏心实质上被解除的状态下，可以保持在晶片载置架17上。

另外，通过进行上述的教育操作，可以可靠地减小偏移量。所以，可以缩短为了实现晶片载置架17的晶片W的搭载位置适当化的状态所需的时间，即可以减少试验处理以及教育操作的进行次数，因而得到高作业效率。

通过使用上述的热处理装置的热处理方法，可以在晶片W的面内，以高均匀性进行晶片W所需的热处理。而且，由于处理气体从各个晶片W的周围实质上均匀地供给，可以减小处理气体的浓度差引起的膜的均匀性的程度。

另外，在上述的热处理装置上，进而在以下的状态下，通过控制加热装置的动作，可以进一步地提高处理的面内均匀性。

图7是表示在成膜处理(包括试验处理)中进行的反应管的温度控制中的温度范围(温度控制曲线)的一个例子的图。

如图7所示的那样，晶片载置架17搬入加热到预先确定的温度T0(℃)的反应管11内。接下来，反应管11内的各加热领域Z1-Z5的温度由不同的筒形加热器25加热到规定的处理温度TA(℃)。在此，根据预先设定的温度控制曲线控制筒形加热器25的动作，使得晶片W的温度基本维持一定。在那以后，降到预备加热状态的温度T0(℃)。在晶片W的温度被基本维持一定的状态下，导入处理气体，例如成膜气体。另外，在各个加热领域Z1-Z5上，既可进行同样的温度控制，也可以相互不同的温度独立地进行温度控制。

图8是表示在成膜处理(包括试验处理)中进行的反应管的温度控制中的温度范围(温度控制曲线)的另一个例子的图。

如图8所示的那样，晶片载置架17搬入加热到预先确定的温度T0(℃)的反应管22内。接下来，反应管11内的各加热领域Z1-Z5的温度由各个筒形加热器25加热到第一处理温度T1(℃)。然后，在第一处理温度T1和比第一处理温度低的第二处理温度T2之间的温度范围内，反复进行升温和降温那样的温度控制。

在图8所示的温度范围的情况下，在各个加热领域Z1-Z5的温度从第一处理温度T1移到第二处理温度T2的降温时，导入成膜用气体。而在加热领域的温度从第二处理温度T2移到第一处理温度T1的升温时，成膜用气体的导入停止。

在进行升降温度控制时，从第一处理温度T1移到第二处理温度T2时的升温速度优选例如为0.5-1℃/min。从第二处理温度T2移到第一处理温度T1时的降温速度优选例如为3-8℃/min。但是，这些升温速度以及降温速度根据处理条件的不同而不同。

对于如以上的那样，通过温度控制而进行成膜处理的晶片W，进行上述的教育操作。由此，除了通过教育操作对于晶片具有提高面内均匀性的效果外，还可以通过对于晶片进行温度控制发挥提高面内均匀性的效果。所以可以得到更高的面内均匀性。特别是，对于用升降温度控制的处理条件进行处理的晶片，可以得到更加高的面内均匀性。该理由考虑如下。

在图1所示的反应管11内的晶片W上，表示周边部分可比中央部分更快地升温以及降温的温度特性。所以，在将反应管11的各个加热领域Z1-Z5暂时加热到第一处理温度T1后，通过移到第二处理温度T2，在降温时，成为晶片W的中央部分比周边部分温度高的状态。另外，在反应管11内，成为成膜用气体的气体浓度在晶片W的周边部分比中央部分高的状态。所以，晶片中央部分以及周边部分的温度差以及气体浓度差引起的膜厚的变化量相互抵销。所以认为在晶片W的面内可以实质上均匀地成膜。

(实验)

在图1所示的热处理装置上，对于使用以下3个条件的情况，分别对半导体晶片进行成膜处理，调查其成膜状态。(1)不进行教育操作的情况，(2)进行上述某个教育操作的情况，(3)进行上述某个教育操作，而且在成膜处理时进行升降温度控制的情况。

其结果是，在不进行晶片的教育操作而成膜的晶片上，对于作为目的的膜厚可以得到±5％范围(允许幅度)的面内均匀性。另外，在经过教育操作而成膜的晶片上，可以得到±3％以下范围的面内均匀性。而在教育操作中进行升降温度控制的控制处理条件下成膜的晶片上，可以得到±1％以下范围的面内均匀性。

关于该实验的教育操作的具体条件以及经过如下所示。

将晶片直径为300mm的半导体晶片不进行教育操作，而在保持在晶片载置架的支持水平的设定搭载位置上的状态下，进行成膜处理。其结果是，晶片表面上的成膜状态为相对于作为目的的膜厚为±5％的范围。

接下来，经过第一次的教育操作后进行成膜处理。其结果是，可以使晶片表面上的成膜状态相对于作为目的的膜厚而在±4％的范围。接下来，再经过第二次的教育操作后进行成膜处理。其结果是，可以使晶片表面上的成膜状态相对于作为目的的膜厚而在±3.5％的范围。

再经过第3次的教育操作后进行成膜处理。其结果确认是，可以使晶片表面上的成膜状态相对于作为目的的膜厚在允许范围内而成膜，而且作业效率比从前提高了50％。即，例如，可以用1小时进行用从前的方法需要2小时的作业。

以上，对于本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限于以上的形态，可以实行以下那样的各种变形。

例如，本发明可适用于利用CVD法的成膜处理以外的半导体处理。其一个例子是，在高温下将硅的表面部氧化，由此形成氧化膜(绝缘膜)的氧化处理。其他的例子是加热在表面形成有不纯物质层的的硅层，由此使不纯物质向硅层内进行热扩散的扩散处理。

在对被处理基板进行扩散处理的情况下，作为膜特性的分布信息，而得到硅层内的不纯物质的含有比例的分布信息(膜厚的分布信息)。接下来，由该分布信息设定被处理基板的特定座标位置。然后，与通过膜厚的分布信息得到位置修正量的情况一样，得到应修正支持部件上的被处理基板的搭载位置的位置修正信息。

另外，在本发明中处理的被处理基板，不限于半导体晶片，也可是其他的被处理基板，例如玻璃晶片。

Claims (26)

1.一种对被处理基板进行半导体处理的系统，其特征在于，具有：

收纳所述被处理基板的处理室；

在所述被处理室内支持所述被处理基板的支持部件；

将所述处理室内排气的排气系统；

向所述处理室内供给处理气体的供给系统；

将所述被处理基板移载到所述支持部件上的移载装置；

驱动所述移载装置的驱动部；

测定实施过所述半导体处理的所述被处理基板上的试验对象膜的特性的测定部；

在所述试验对象膜上的多个位置上，根据由所述测定部测定的所述特性的值，算出使所述特性的面内均匀性提高所必要的所述被处理基板的位置修正量的信息处理部；和

在为了进行所述半导体处理而将接下来的被处理基板由所述移载装置向所述支持部件移载时，根据所述位置修正量控制所述驱动部的控制部。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，

所述半导体处理为成膜处理，所述特性为在所述被处理基板上形成的膜的膜厚或膜质。

3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，

还具备将经过多次试验处理而通过所述信息处理部得到的数据作为试验数据按照时间序列记忆的试验数据记忆部，

所述信息处理部是在所述位置修正量在第n次试验处理时使用的情况下，为了算出所述位置修正量而使用第n-1次以及第n-2次试验处理的数据。

4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，

所述信息处理部与所述试验对象膜的所述特性相关，用由所述测定部测定的位置的实测值，通过插值处理形成未由所述测定部测定的位置上的预测值，根据所述实测值以及所述预测值算出所述位置修正量。

5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，

还具备在所述半导体处理中使所述支持部件转动的转动部件。

6.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包含：

所述支持部件，具备将属于具有同一个轮廓尺寸的基板组的多个被处理基板在上下方向按间隔支持的载置架；

所述系统，具备为了将所述载置架在所述处理室外的移载作业位置和所述处理室内的位置之间搬运的载置架搬运机构；

所述移载装置将所述多个被处理基板移载到在所述移载作业位置处的所述载置架上。

7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，

所述信息处理部在根据由所述测定部测定的所述试验对象膜上的所述特性的分布，求得所述处理室的处理中心的同时，由所述被处理基板的几何中心相对于所述处理中心的偏移量算出所述位置修正量。

8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，

还具备将经过多次试验处理而通过所述信息处理部得到的数据作为试验数据按照时间序列记忆的试验数据记忆部，

所述信息处理部是在所述位置修正量在第n次的试验处理中使用的情况下，将在第n-1次以及第n-2次的试验处理中使用的位置修正量以及所得到的偏移量导入到计算在第n次的试验处理中使用的所述位置修正量的式中。

9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，

所述式子为

${\mathrm{Tx}}_n={\mathrm{Tx}}_{n-1}-\frac{{\mathrm{Dx}}_{n-1}}{\{({\mathrm{Dx}}_{n-2}-{\mathrm{Dx}}_{n-1})/({\mathrm{Tx}}_{n-2}-{\mathrm{Tx}}_{n-1})\}}$

${\mathrm{Ty}}_n={\mathrm{Ty}}_{n-1}-\frac{{\mathrm{Dy}}_{n-1}}{\{({\mathrm{Dy}}_{n-2}-{\mathrm{Dy}}_{n-1})/({\mathrm{Ty}}_{n-2}-{\mathrm{Ty}}_{n-1})\}}$

在这里，Tx_n、Tx_n-1以及Tx_n-2表示第n次、第n-1次以及第n-2次的试验处理中使用的X轴方向的位置修正量，Dx_n-1以及Dx_n-2表示第n-1次以及第n-2次的试验处理中得到的所述X轴方向的偏移量，Ty_n、Ty_n-1以及Ty_n-2表示第n次、第n-1次以及第n-2次的试验处理中使用的与所述X轴方向垂直的Y轴方向的位置修正量，Dy_n-1以及Dy_n-2表示第n-1次以及第n-2次的试验处理中得到的所述Y轴方向的偏移量。

10.如权利要求1所述的系统，其特征在于，

还具备将表示所述支持部件上的所述被处理基板的位置的变化量与相对于所述位置的变化量而预测的所述特性的变化量的关系的基准数据加以记忆的基准数据记忆部，

所述信息处理部根据所述基准数据和所述被处理基板的至少在周边部的多个位置上的所述特性的值，按照所述特性值的差在允许范围内的方式算出所述位置修正量。

11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，

所述信息处理部根据所述基准数据和通过所述被处理基板的几何中心而且在相互交叉的在第一以及第二方向延伸的直线上的多个位置上的所述特性的值，按照在所述第一以及第二方向上所述特性的值在相对于所述几何中心在允许范围内成为对称的方式算出所述位置修正量。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，

所述基准数据在所述位置修正量被用于第n次的试验处理时，根据第n-1次的试验处理的数据而更新。

13.一种用于对被处理基板进行半导体处理的方法，其特征在于，具备：

通过由驱动部驱动的移载装置，将所述被处理基板移载到支持部件上的工序；

在处理室内在将所述被处理基板支持在所述支持部件上的状态下，对所述被处理基板实施所述半导体处理的工序；

通过测定部测定实施过所述半导体处理的所述被处理基板上的试验对象膜的特性的工序；

基于所述试验对象膜上的多个位置的由所述测定部测定的所述特性的值，通过与所述测定部连接的信息处理部，算出使所述特性的面内均匀性提高所必需的所述被处理基板的位置修正量的工序；和

在为了进行所述半导体处理而通过所述移载装置将接下来的被处理基板向所述支持部件移载时，通过与所述信息处理部连接的控制部，根据所述位置修正量控制所述驱动部的工序。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述半导体处理是成膜处理，所述特性是在所述被处理基板上形成的膜的膜厚或者膜质。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

还具备将进行所述整个工序的试验处理多次进行，将经过所述多次的试验处理而由所述信息处理部得到的数据作为试验数据按照时间序列记忆到与所述信息处理部相连接的试验数据记忆部的工序，

所述信息处理部在所述位置修正量用于进行第n次试验处理时，为了算出所述位置修正量而使用第n-1次以及第n-2次试验处理的数据。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述信息处理部与所述试验对象膜的所述特性相关，用所述测定部测定到的位置的实测值，通过插值处理形成未由所述测定部测定的位置的预测值，根据所述实测值以及所述预测值算出所述位置的修正量。

17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

还具备在所述半导体处理中使所述支持部件转动的工序。

18.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包含：

所述支持部件，具备将属于具有同一个轮廓尺寸的基板组的多个被处理基板在上下方向按间隔支持的载置架；

所述方法具备通过载置架搬运机构将所述载置架在所述处理室外的移载作业位置和所述处理室内的位置之间搬运的工序；

所述移载装置将所述多个被处理基板移载到在所述移载作业位置处的所述载置架上。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，

所述处理室具备在上下方向上划分的多个加热领域，在所述各自的加热领域上，算出所述位置修正量。

20.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述信息处理部在根据所述测定部测定到的所述试验对象膜上的所述特性的分布求得所述处理室的处理中心的同时，由所述被处理基板的几何中心相对于所述处理中心的偏移量算出所述位置修正量。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，

还具备将进行所述整个工序的试验处理进行多次，将经过所述多次的试验处理而由所述信息处理部得到的数据作为试验数据按照时间序列记忆到与所述信息处理部相连接的试验数据记忆部的工序，

所述信息处理部在所述位置修正量用于第n次的试验处理中的情况下，将在第n-1次以及第n-2次的试验处理中使用的位置修正量以及偏移量导入到算出在第n次的试验处理中使用的所述位置修正量的式中。

22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述式子为

${\mathrm{Tx}}_n={\mathrm{Tx}}_{n-1}-\frac{{\mathrm{Dx}}_{n-1}}{\{({\mathrm{Dx}}_{n-2}-{\mathrm{Dx}}_{n-1})/({\mathrm{Tx}}_{n-2}-{\mathrm{Tx}}_{n-1})\}}$

${\mathrm{Ty}}_n={\mathrm{Ty}}_{n-1}-\frac{{\mathrm{Dy}}_{n-1}}{\{({\mathrm{Dy}}_{n-2}-{\mathrm{Dy}}_{n-1})/({\mathrm{Ty}}_{n-2}-{\mathrm{Ty}}_{n-1})\}}$

在这里，Tx_n、Tx_n-1以及Tx_n-2表示在第n次、第n-1次以及第n-2次的试验处理中使用的X轴方向的位置修正量，Dx_n-1以及Dx_n-2表示第n-1次以及第n-2次的试验处理中得到的所述X轴方向的偏移量，Ty_n、Ty_n-1以及Ty_n-2表示在第n次、第n-1次以及第n-2次的试验处理中使用的与所述X轴方向垂直的Y轴方向的位置修正量，Dy_n-1以及Dy_n-2表示在第n-1次以及第n-2次的试验处理中得到的所述Y轴方向的偏移量。

23.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

还具备将表示所述支持部件上的所述被处理基板的位置的变化量与相对于所述位置的变化量而预测的所述特性的变化量的关系的基准数据记忆到与所述信息处理部连接的基准数据记忆部的工序，

所述信息处理部根据所述基准数据和所述被处理基板的至少在周边部的多个位置的所述特性的值，按照所述特性的值的差在允许范围内的方式算出所述位置修正量。

24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，

所述信息处理部根据所述基准数据和通过所述被处理基板的几何中心而且在相互交叉的第一以及第二方向上延伸的直线上的多个位置的所述特性的值，按照在第一以及第二方向上所述特性的值相对于所述几何中心在允许范围内成为对称的方式算出所述位置修正量。

25.如权利要求24所述的方法，其特征在于，

还具备在所述位置修正量用于第n次的试验处理时，根据第n-1次的试验处理的数据而更新所述基准数据的工序。

26.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

实施所述半导体处理的工序具备：将所述被处理基板的处理温度先升至第一温度然后降至比所述第一温度低的第二温度的工序；在降至所述第二温度时增加供给到所述处理室内的处理气体量的工序。

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