CN113991004A - Led基板制作方法、led基板、led器件制作方法及led器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种LED基板制作方法，在制作LED基板时，通过在临时载板覆上替代PCB板粘接材的绝缘胶层，待胶层固化之后，再在胶层的表面制作导电金属层，然后图案化导电金属层形成用于焊接LED芯片的焊盘，最终获得LED基板。LED基板制作流程简易，且不存在由于层压等工序导致的板翘/板厚度不均等问题，可以有效提高LED生产良率。而且，本发明借助蒸镀、黄光制程等工艺，LED基板可以做到极小的焊盘间距，能够适用于Micro LED的间距要求。另，本发明还公开一种采用该LED基板制作方法制成的LED基板、采用制成的LED基板进一步制作LED器件的LED器件制作方法以及采用该LED器件制作方法制成的LED器件。
Description
技术领域
本发明涉及LED显示技术领域，具体涉及一种LED基板制作方法、LED基板、LED器件制作方法及LED器件。
背景技术
传统LED的制作一般采用PCB板作为基板，由于PCB板为通过在粘接材的两侧粘附铜箔，进行压合获得，存在板翘/板厚度不均等问题，会影响LED后续封装工艺，造成极大的生产良率问题。
Micro LED是新一代显示技术，比传统的OLED技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。Micro LED技术将传统的LED芯片进行薄膜化、微小化后形成微米级间距的阵列，达到超高的分辨率。由于制作工艺(LDI激光曝光)限制，传统的PCB板的焊盘间距无法满足Micro LED的间距要求。若要做到高精度(较小的焊盘间距及引线间距)，需使用IC板作为基板，但IC板成本高昂。
因此，有必要提供一种新的LED基板，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够避免板翘/板厚度不均且制作流程简易的LED基板制作方法、LED基板、LED器件制作方法及LED器件。
为实现上述目的，本发明提供了一种LED基板制作方法，包括：
提供临时载板；
在所述临时载板覆胶层，所述胶层为绝缘胶层，并对所述胶层进行固化处理；
将所述胶层与所述临时载板剥离；
在所述胶层的至少一表面制作导电金属层，并图案化所述导电金属层形成用于焊接LED芯片的焊盘。
在一些实施例中，在所述胶层的至少一表面制作导电金属层之前，还包括：在所述胶层开设贯穿其用于制作导电金属层的至少一个表面的多个开孔；在图案化所述导电金属层时，在所述胶层暴露出所述多个开孔的表面位于各所述开孔周侧的位置形成所述焊盘。
在一些实施例中，图案化所述导电金属层还形成连接所述焊盘的引线，在所述胶层的至少一表面制作导电金属层，包括：在所述胶层的两个相对表面制作导电金属层，所述两个相对表面之一者的导电金属层形成所述焊盘，另一者的导电金属层形成所述引线；在所述胶层开设贯穿其至少一个表面的多个开孔为：在所述胶层开设贯穿所述两个相对表面的多个开孔，且还在所述开孔填充导电材料，所述导电材料连接所述两个相对表面上位于其周侧的所述焊盘和所述引线。
在一些实施例中，在所述胶层的至少一表面制作导电金属层，包括：在所述胶层的两个相对表面制作导电金属层，所述两个相对表面之一者的导电金属层形成所述焊盘，另一者的导电金属层作为散热层。
在一些实施例中，所述两个相对表面之一者的导电金属层形成所述焊盘之外，还形成连接所述焊盘的引线。
在一些实施例中，采用蒸镀工艺在所述胶层的两个相对表面及所述开孔制作导电金属，形成所述导电金属层及导电材料。
在一些实施例中，采用黄光制程图案化所述金属导电层。
在一些实施例中，所述胶层为ABF胶层。
为实现上述目的，本发明还提供了一种LED基板，所述LED基板为采用如上所述的LED基板制作方法制成。
为实现上述目的，本发明还提供了一种LED器件制作方法，包括：
采用如上所述的LED基板制作方法制作出LED基板；
提供LED芯片，将所述LED芯片的两电极分别对应与所述LED基板的一阳极焊盘及一阴极焊盘焊接固定；
在所述LED芯片上覆盖封装胶，获得LED封装阵列；
将所述LED封装阵列切割成多个LED器件，所述LED器件包括一个或多个所述LED芯片。
在一些实施例中，所述LED芯片为Micro LED芯片。
为实现上述目的，本发明还提供了一种LED器件，所述LED器件采用如上所述的LED器件制作方法制成。
与现有技术相比，本发明通过在临时载板覆上替代PCB板粘接材的绝缘胶层，待胶层固化之后，再在胶层的表面制作导电金属层，然后图案化导电金属层形成用于焊接LED芯片的焊盘，最终获得LED基板。本发明制作流程简易，且不存在由于层压等工序导致的板翘/板厚度不均等问题，可以有效提高LED生产良率。而且，本发明借助蒸镀、黄光制程等工艺，可以做到极小的焊盘间距，能够适用于Micro LED的间距要求。
附图说明
图1是本发明一实施例LED基板制作方法的流程图。
图2是本发明一实施例LED基板制作方法的过程示意图。
图3是本发明另一实施例LED基板制作方法的部分过程示意图。
图4是本发明又一实施例LED基板制作方法的部分过程示意图。
图5是本发明一实施例LED器件制作方法的流程图。
图6是本发明一实施例由LED基板制成LED器件的过程示意图。
图7是本发明一实施例制成的LED器件装在目标基板上的示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本发明和简化描述，因而不能理解为对本发明保护内容的限制。
本发明提供了一种LED基板制作方法，摒弃了传统的PCB板，避免了板翘/板厚度不均等问题，且焊盘间距可以做得更小，适用于Micro LED。
请参阅图1和图2，以图1和图2所示实施例为例，该LED基板制作方法包括以下步骤：
S1，提供临时载板10，如图2中(a)所示。其中，临时载板10可以是石英玻璃等板材。临时载板10的一个表面或者所有表面覆有离型膜，以便于在步骤S3中将胶层20与临时载板10剥离开。
S2，在临时载板10覆有离型膜的一个表面覆胶层20，胶层20为绝缘胶层，并对胶层20进行固化处理。具体可以通过涂布等方式将液态或者凝胶态等形态的胶料覆于临时载板10上，形成胶层20，再通过例如烘烤等方式对胶层20进行固化后，形成固态并具有一定厚度的基材，如图2中(b)所示。
S3，将胶层20与临时载板10剥离，胶层20如图2中(c)所示。
S4，在胶层20开设贯穿胶层20的两个相对表面的多个开孔21，如图2中(d)所示。
S5，在胶层20的两个相对表面制作导电金属层30、40及在开孔21填充导电材料50，如图2中(e)所示；并图案化导电金属层30、40形成用于焊接LED芯片的焊盘31、32及连接焊盘31、32的引线41、42，制成LED基板，LED基板如图2中(f)所示。
以图2所示角度为例，胶层20覆在临时载板10的上表面，胶层20的两个相对表面为上表面和下表面，开孔21贯穿胶层20的上表面和下表面，胶层20的上表面的导电金属层30形成焊盘31、32，胶层20的下表面的导电金属层40形成引线41、42。焊盘31用于与LED芯片的正极焊接固定，引线41通过导电材料50连接焊盘31；焊盘32用于与LED芯片的负极焊接固定，引线42通过导电材料50连接焊盘32。开孔21中的导电材料50连接上表面上位于其周侧的焊盘31/32和下表面上位于其周侧的引线41/42。
在步骤S5中，采用蒸镀工艺在胶层20的上表面和下表面及开孔21制作导电金属，形成导电金属层30、40及导电材料50。当然，在一些实施例中，也可以是采用例如溅镀、印刷等方式在胶层20形成导电金属30、40及在开孔21填充导电材料50，故不应以此为限。在一些实施例中，导电金属层30、40及导电材料50为同种金属材料，可以例如为铜、锡等。
在步骤S5中，采用黄光制程图案化金属导电层30、40，形成焊盘31、32及引线41、42。利用黄光制程工艺，可以做到极小的焊盘间距及引线间距。当然，在一些实施例中，也可以采用激光刻蚀等方式图案化金属导电层30、40，故不应以此为限。
在一些实施例中，胶层20为ABF(Ajinomoto Build-up Film，味之素堆积膜)胶层，该胶层适于在表面镀导电金属层30、40。
请参阅图3，在一些实施例中，在步骤S4中，在胶层20’开设仅贯穿其一个表面的多个开孔21’，例如，开孔21’贯穿胶层20’的上表面，如图3中(d’)所示。相应的，在步骤S5中，仅在胶层20’暴露出多个开孔21’的上表面镀导电金属层30’，开孔21’可选为填充导电材料50’(如图3中(e1’)所示)或者不填充导电材料50’。相应的，上表面的导电金属层30’图案化后形成位于开孔21’周侧的焊盘31’、32’(如图3中(f’)所示)以及与焊盘31’、32’连接的引线(图未示)。
作为优选实施例，还在胶层20’的下表面镀金属层40’，如图3中(e2’)所示，以通过金属层40’实现LED芯片散热。金属层40’可以是镀满胶层20’的整个下表面，如图3中(e2’)所示。金属层40’也可以是包括多个断隔开的、分别对应不同LED芯片的局部金属区域，以方便在后续需要将LED基板切割以制成多个LED器件的实施例中LED基板的切割。
此外，在该些实施例中，可以是在胶层20’的上表面镀导电金属层30’并图案化导电金属层30’形成焊盘31’、32’及引线之后，再将胶层20’与临时载板10剥离。即是，将图1、图2所示实施例中的步骤S3调整至步骤S5之后，而在胶层20’的下表面镀金属层40’为步骤S3之后。
请参阅图4，在一些仅在胶层20”的一个表面上镀导电金属层30”的实施例中，也可以不设置开孔，即是，省略步骤S4，直接在胶层20”的上表面镀导电金属层30”(如图3中(e1”)所示)，然后，再按照预设的焊盘间距在导电金属层30”刻蚀，形成焊盘31”、32”(如图3中(f”)所示)，以及形成引线(图未示)。
作为优选实施例，还在胶层20”的下表面镀金属层40”，如图4中(e2”)所示，以通过金属层40”实现LED芯片散热。金属层40”可以是镀满胶层20”的整个下表面。金属层40”也可以是包括多个断隔开的、分别对应不同LED芯片的局部金属区域41”，如图4中(e2”)所示，以方便在后续需要将LED基板切割以制成多个LED器件的实施例中LED基板的切割。具体可以通过在制作40”时局部镀金属或先在胶层20”的整个下表面镀满金属后再进行图案化处理成多个局部金属区域41”。
具体而言，在后续需要将LED基板切割以制成多个LED器件的实施例中，优选为采用图1、图2所示实施例，通过在两个相对表面镀导电金属层30、40，并分别图形化为焊盘31、32和引线41、42，同时利用开孔21连接焊盘31/32和引线41/42，便于制成多个可以分别单独装在目标基板上的LED器件。LED器件装在目标基板上时，引线41、42作为电连接结构电连接LED芯片和目标基板，同时，引线41、42起到LED芯片散热作用。而对于后续需要将整块LED基板及其上的LED芯片直接使用的实施例中，优选为采用图3/图4所示实施例，仅在胶层20’/20”的其中一个表面镀导电金属层30’/30”，通过在该导电金属层30’/30”图形化形成焊盘31’、32’/31”、32”，并在LED基板的周边位置预留出引线。
接下来请参阅图2、图5及图6，本发明还提供了一种LED器件制作方法，在一实施例中，其在利用前述图1、图2所示实施例的LED基板制作方法制作出LED基板的基础上，进一步执行以下步骤，获得LED器件。
S6，提供LED芯片60，将LED芯片60的两电极分别对应与LED基板的一阳极焊盘31及一阴极焊盘32焊接固定，如图6中(g)所示。具体为，通过巨量转移技术将LED芯片60转移至LED基板上。
S7，在LED芯片60上覆盖封装胶70，获得LED封装阵列，LED封装阵列如图6中(h)所示。具体可以通过模具成型、印刷等方式在LED芯片60上覆盖封装胶70。
S8，将LED封装阵列切割成多个LED器件，如图6中(i)所示。其中，LED器件可以为仅包括有一个LED芯片60，如图6中(j)所示，也可以为包括有多个LED芯片60，例如RGB三晶封装(三个LED芯片)、RGB二合一封装(六个LED芯片)、RGB四合一封装(十二个LED芯片)等。若LED器件包括有多个LED芯片，可以采用共极的方式，例如，RGB三晶封装，胶层20的上表面形成分别对应与三个LED芯片的正极焊接的三个阳极焊盘和一个与三个LED芯片的负极焊接的阴极焊盘；同样，胶层20的下表面则形成分别连接三个阳极焊盘的阳极引线和一连接阴极焊盘的阴极引线。
在一些实施例中，LED芯片60为Micro LED芯片，与Micro LED芯片的正极和负极间距对应的，阳极焊盘31与阴极焊盘32之间的间距为微米级间距，能够适用于Micro LED。
此外，利用前述图4所示实施例的LED基板制作方法制作出的LED基板，也可以用于制成多个独立的LED器件。此时，可以进一步在LED基板的阳极焊盘31”及阴极焊盘32”对应焊接固定LED芯片60”，并进行切割获得LED器件。在需要将该些LED器件装在目标基板80”上时，如图7所示，避开目标基板80”的焊盘81”，在目标区域覆上散热膏82”，然后将LED器件置于散热膏82”上，之后，通过采用例如金线90”等电连接阳极焊盘31”/阴极焊盘32”与焊盘81”，从而实现将LED芯片60”与目标基板80”的电连接。
综上，本发明通过在临时载板10覆上替代PCB板粘接材的绝缘胶层20，待胶层20固化之后，再在胶层20的表面镀导电金属层30、40，然后图案化导电金属层30、40形成用于焊接LED芯片60的焊盘31、32及连接焊盘31、32的引线41、42，最终获得LED基板。本发明制作流程简易，且不存在由于层压等工序导致的板翘/板厚度不均等问题，可以有效提高LED生产良率。而且，本发明借助蒸镀、黄光制程等工艺，可以做到极小的焊盘间距，能够适用于Micro LED的间距要求。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实例而已，不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，均属于本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种LED基板制作方法，其特征在于，包括：
提供临时载板；
在所述临时载板覆胶层，所述胶层为绝缘胶层，并对所述胶层进行固化处理；
将所述胶层与所述临时载板剥离；
在所述胶层的至少一表面制作导电金属层，并图案化所述导电金属层形成用于焊接LED芯片的焊盘。
2.如权利要求1所述的LED基板制作方法，其特征在于，在所述胶层的至少一表面制作导电金属层之前，还包括：在所述胶层开设贯穿其用于制作导电金属层的至少一个表面的多个开孔；
在图案化所述导电金属层时，在所述胶层暴露出所述多个开孔的表面位于各所述开孔周侧的位置形成所述焊盘。
3.如权利要求2所述的LED基板制作方法，其特征在于，图案化所述导电金属层还形成连接所述焊盘的引线，在所述胶层的至少一表面制作导电金属层，包括：在所述胶层的两个相对表面制作导电金属层，所述两个相对表面之一者的导电金属层形成所述焊盘，另一者的导电金属层形成所述引线；在所述胶层开设贯穿其至少一个表面的多个开孔为：在所述胶层开设贯穿所述两个相对表面的多个开孔，且还在所述开孔填充导电材料，所述导电材料连接所述两个相对表面上位于其周侧的所述焊盘和所述引线。
4.如权利要求3所述的LED基板制作方法，其特征在于，采用蒸镀工艺在所述胶层的两个相对表面及所述开孔制作导电金属，形成所述导电金属层及导电材料；采用黄光制程图案化所述金属导电层。
5.如权利要求1所述的LED基板制作方法，其特征在于，在所述胶层的至少一表面制作导电金属层，包括：在所述胶层的两个相对表面制作导电金属层，所述两个相对表面之一者的导电金属层形成所述焊盘，另一者的导电金属层作为散热层。
6.如权利要求5所述的LED基板制作方法，其特征在于，所述两个相对表面之一者的导电金属层形成所述焊盘之外，还形成连接所述焊盘的引线。
7.一种LED基板，其特征在于，所述LED基板采用如权利要求1-6任一项所述的LED基板制作方法制成。
8.一种LED器件制作方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求1-6任一项所述的LED基板制作方法制作出LED基板；
提供LED芯片，将所述LED芯片的两电极分别对应与所述LED基板的一阳极焊盘及一阴极焊盘焊接固定；
在所述LED芯片上覆盖封装胶，获得LED封装阵列；
将所述LED封装阵列切割成多个LED器件，所述LED器件包括一个或多个所述LED芯片。
9.如权利要求8所述的LED器件制作方法，其特征在于，所述LED芯片为Micro LED芯片。
10.一种LED器件，其特征在于，所述LED器件采用如权利要求8所述的LED器件制作方法制成。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20220128 |