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CN113903680A - 半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质 - Google Patents

半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质 Download PDF

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CN113903680A
CN113903680A CN202110614176.6A CN202110614176A CN113903680A CN 113903680 A CN113903680 A CN 113903680A CN 202110614176 A CN202110614176 A CN 202110614176A CN 113903680 A CN113903680 A CN 113903680A
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CN
China
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substrate
mounting surface
semiconductor device
state
manufacturing
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Application number
CN202110614176.6A
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镰仓司
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Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
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    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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Abstract

本发明提供一种在配置多个基板载置面的类型的装置中能够应对每个基板载置面的环境的变化的技术。为了解决上述课题，提供一种基板处理装置，其具备：处理基板的处理容器；向所述处理容器供给气体的气体供给部；在所述处理容器内配置有多个的基板载置面；具有与所述基板载置面对应的多个分配管的气体供给部；检测所述分配管的气体供给量或者与所述基板载置面对应的部件的信息的检测部；基于检测出的所述信息判断状态等级的判断部；根据所述状态等级选择作为所述基板的移动目的地的所述基板载置面的选择部；以及控制各构成的控制部。

Description

半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质
技术领域
本公开涉及半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质。
背景技术
基板处理装置存在为了提高生产效率而一并处理多个基板的类型的装置。例如存在如下的装置，即，在处理室中配置多个基板载置面，在各基板载置面载置了基板的状态下处理基板(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献1：JP特开2012-222024
发明内容
在处理基板的情况下，有时处理室的环境随时间经过而变化。
在配置多个基板载置面的装置中，有时环境根据每个基板载置面而发生变化。在此所说的环境的变化是指在持续进行基板处理时的变化，例如与各自的基板载置面对应的部件的劣化等。另外，若基板处理为形成膜，则指会在基板载置面或其周围沉积的膜的膜厚等。
于是，本公开提供在配置多个基板载置面的类型的装置中也能够应对每个基板载置面的环境的变化的技术。
本公开的一个方面提供一种技术，其具备：对基板进行处理的处理容器；向所述处理容器供给气体的气体供给部；在所述处理容器内配置有多个的基板载置面；具有与所述基板载置面对应的多个分配管的气体供给部；检测所述分配管的气体供给量或者与所述基板载置面对应的部件的信息的检测部；基于检测出的所述信息判断状态等级的判断部；选择部，其根据所述状态等级，选择作为所述基板的移动目的地的所述基板载置面；以及控制各构成的控制部。
发明效果
根据本公开的技术，能够提供一种在将基板载置面配置成圆周状的类型的装置中，也能够应对每个基板载置面的环境的变化的技术。
附图说明
图1是说明第一实施方式的基板处理装置的说明图。
图2是说明第一实施方式的基板处理装置的说明图。
图3是说明第一实施方式的基板处理装置的说明图。
图4是说明第一实施方式的基板处理装置的说明图。
图5是说明第一实施方式的供给部的说明图。
图6是说明第一实施方式的控制器的说明图。
图7是说明第一实施方式的动作信息表的说明图。
图8是说明第一实施方式的状态等级表的说明图。
图9是说明第一实施方式的基板的处理流程的说明图。
图10是说明第二实施方式的状态等级表的说明图。
其中，附图标记说明如下：
100 基板处理装置
201 处理室
211 基板载置面
300 气体供给部
400 控制器
410 CPU
412 判断部
413 选择部
414 主控制部
具体实施方式
(第一实施方式)
以下，说明本公开的第一实施方式。
首先，使用图1～图5，说明本实施方式中的基板处理装置100。在图1中，将图的下方表达为前方、且将图的上方表达为后方。
(基板处理装置)
如图1所示，基板处理装置100由IO台(装载口)110、大气搬运部120、真空锁部130、真空搬运部140、基板处理部150构成。
(大气搬运室、IO台)
在基板处理装置100的前方设置有IO台(装载口)110。在IO台110上搭载有多个盒111。盒111被用作搬运硅(Si)基板等的基板的载体，构成为在盒111内，搭载有已经形成的电路等未处理的产品基板PS(Product Substrate)或处理完毕的产品基板PS、虚设基板DS(Dummy Substrate)各自以水平姿势保存有多个。此外，在以下的说明中，在仅表现为基板S的情况下，有时包括产品基板PS、虚设基板DS的某一方、或者包括双方。
在盒111设有盖部，通过未图示的盒开启器进行开闭。盒开启器对载置于IO台110的盒111的盖部进行开闭，对基板进出口128进行开放/关闭，由此，能够相对于盒111搬进搬出基板S。盒111通过未图示的AMHS(Automated Material Handling Systems：自动基板搬运系统)相对于IO台110供给以及排出。
IO台110与大气搬运部120相邻。大气搬运部120在与IO台110不同的面连结有后述的真空锁部130。
在大气搬运部120内设置有移动基板S的大气搬运机械手122。大气搬运机械手122构成为通过设置在大气搬运部120的升降机构升降，并且构成为通过线性致动机构在左右方向上进行往返移动。
在大气搬运部120的后方设有用于将基板S相对于真空锁部130搬入搬出的基板搬入搬出口129。基板搬入搬出口129通过闸阀进行开放/关闭，而能够使基板S进出。
(真空锁部)
真空锁部130具有支承有基板S的待机部135。在待机部135支承有从大气搬运部搬运来的基板S或从真空搬运部140搬运来的基板S。
在真空锁部130与真空搬运部140之间设有基板搬入搬出口131。以能够隔离真空锁部130与真空搬运部140的方式，在基板搬入搬出口131的附近设有未图示的闸阀。
(真空搬运部)
在真空搬运部140设有对基板S进行搬运的真空搬运机械手142。真空搬运机械手142在真空锁部130与基板处理部150之间对基板S进行搬运。真空搬运机械手142至少具有指部143、臂部144、基台145。另外，真空搬运机械手142具有控制臂部144的旋转或延伸等的机械手控制部146。
基板S支承在指部143上，通过机械手控制部146的控制使臂部144旋转、延伸，或者在真空锁部130与基板处理部150之间进行移动。
同样地，在真空搬运部140与基板处理部150之间还设有基板搬入搬出口141。以能够隔离真空搬运部140与基板处理部150的方式，在基板搬入搬出口141的附近设有未图示的闸阀。
(基板处理部)
接着，说明基板处理部150的具体构造。
如图1、2所示，基板处理部150具有处理容器202。处理容器202也称为处理模块。处理容器202例如构成为横截面为多边形且扁平的密封容器。另外，处理容器202由例如铝(Al)或无锈钢(SUS)等的金属材料构成。在处理容器202内形成有处理基板S的处理室201。处理室201由后述的喷洒头230、基台210等构成。
在处理容器202的侧面设有与闸阀208相邻的基板搬入搬出口141，基板S经由基板搬入搬出口141在真空搬运部140之间移动。
在处理室201配置有对基板S进行加热的基台210。基台210以后述的轴221为中心，在处理容器202的径向上配置有多个。基台210也称为基板支承部。使用图1说明基台210的配置。此外，B-B’中的纵截面图相当于图2。
基台210至少设有四个。具体来说，从与基板搬入搬出口141相对置的位置顺时针配置有基台210a、基台210b、基台210c、基台210d。
基台210各自具有载置基板S的基板载置面211(基板载置面211a～基板载置面211d)、以及包括基板载置面211在内的凹部215(凹部215a～凹部215d)。即，基板载置面211在处理容器202的径向上配置有多个。
基台210为构成凹部215的凸构造的一部分，具有与气体供给部相对的面214(面214a～面214d)。面214由于没有载置基板S，所以作为与基板载置面对应的表达，可以表达为非基板载置面。
基台210还具有作为加热源的加热器213(213a～213d)。在基台210上，在与升降销207对应的位置分别设有供升降销207贯穿的贯穿孔。
基台210由轴217(轴217a～轴217b)支承。轴217贯穿了处理容器202的底部204。
基板载置面211的直径构成为比基板S的直径稍大。因此，在载置了基板S时，具有不支承基板S的间隙。
以贯穿底部204的方式设有升降销207。升降销207配置在能够从设于基台210的贯穿孔通过的位置。升降销207的前端在基板搬入/搬出时等支承基板S。
在升降销207的下端设有升降销支承部212(212a～212d)。在各自的升降销支承部212设有基板升降部216(216a～216d)。基板升降部216使升降销207升降。升降销支承部212、基板升降部216与各自的基台210a～210d对应地设置。
在处理容器202的盖部203且与各自的基板载置面211相对置的位置分别设有作为气体分散机构的喷洒头230(230a～230d)。若从上方观察，则如图4所述配置有多个喷洒头230。
如图4所示，在各喷洒头230设有气体导入孔231。具体来说，在喷洒头230a设有气体导入孔231a，在喷洒头230b设有气体导入孔231b，在喷洒头230c设有气体导入孔231c，在喷洒头230d设有气体导入孔231d。气体导入孔231a、231b、231c、231d与后述的共用气体供给管311连通。此外，图4中的A-A’线中的纵截面图与图2相当。
将各喷洒头230与基板S之间的空间称为处理空间209。另外，将构成处理空间209的构造称为处理室201。在本实施方式中，将构成处理空间209a、且至少具有喷洒头230a和基台210a的构造称为处理室201a。将构成处理空间209b、且至少具有喷洒头230b和基台210b的构造称为处理室201b。将构成处理空间209c、且至少具有喷洒头230c和基台210c的构造称为处理室201c。将构成处理空间209d、且至少具有喷洒头230d和基台210d的构造称为处理室201d。
此外，在此，记载了处理室201至少具有喷洒头230和基台210，但只要为构成处理基板S的处理空间209的构造即可，当然根据装置构造不同，不局限于喷洒头230的构造等。其他处理室也相同。
如图1所示，以轴221为中心配置有各基台210。在轴221上设有回转臂部222。回转臂部222具有多个臂部223、将各臂部223固定于轴221的固定部224。固定部224在轴221上固定于轴221。以固定部224为中心呈放射状配置有各臂部223。
轴221构成为贯穿处理容器202的底部204，在处理容器202的外侧、且与回转臂部222不同一侧设有升降旋转部225。升降旋转部225使轴221升降或者旋转。通过升降旋转部225能够实现与各基台210独立的升降。旋转方向例如沿图1中的箭头的方向旋转。
在臂部223的前端设有多个朝向回转臂部222的旋转方向突出的爪226。爪226构成为支承基板S的背面。
在回转臂部222从基台210拾取基板S时，从图2的状态起使升降销207上升，并使轴221上升。此时，如图3所示，使回转臂部222位于比基板载置面211高的位置。而且，在基板载置面211上，成为在比回转臂部222高的位置升降销207支承产品基板PS的状态。通过使回转臂部222旋转而将爪226配置在基板S的下方。此后，通过使升降销207下降，将基板S移动至爪226上。
在从回转臂部222向基台210移动基板S时，按照相反的顺序控制升降销207、回转臂部222。此外，在进行后述的基板处理时，回转臂部222如图2所示，在处理容器202的下方待机。
将轴221、臂部223、固定部224统称为基板旋转部220。在基板旋转部220也可以包含旋转升降旋转部225。基板旋转部220也称为基板搬运部。另外，也可以将基板升降部、旋转板升降部的某一个的组合、或者所有组合统称为升降部。
(气体排出系统)
说明对处理容器202的环境气体进行排出的气体排出系统260。气体排出系统260以与各自的处理空间209(209a～209d)对应的方式设置。例如，处理空间209a对应于气体排出系统260a、处理空间209b对应于气体排出系统260b、处理空间209c对应于气体排出系统260c、处理空间209d对应于气体排出系统260d。
气体排出系统260具有与排出孔261(261a～261d)连通的排出管262(262a～262d)，还具有设于排出管262的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)266(266a～266d)。APC266具有能够调节开度的阀芯(未图示)，根据来自控制器400的指示调节排出管262的电导率。另外，在排出管262中在APC266的上游侧设有阀267(267a～267d)。
将排出管262和阀267、APC266统称为气体排出系统260。
还将排出管262、压力马达部268、阀267、APC266统称为排出部。在排出管262的下游设有DP(Dry Pump：干式真空泵)269。DP269经由排出管262排出处理室201的环境气体。在本实施方式中，针对每个气体排出系统260设置了DP269，但不限于此，可以由各气体排出系统共用。
图2示出的α意味着将各构成和传感器270电连接。具体来说，各加热器213或气体排出系统260分别与传感器270电连接。
传感器270检测各构成的状态。例如，检测加热器213的运转时间或运转次数、阀267或APC266的运转时间或运转次数。此外，为了便于说明，省略了与图3中的传感器270有关的记载。
(气体供给部)
接着，使用图5说明气体供给部300。在此，说明与气体导入孔231(231a～231d)连通的气体供给部300。
各气体导入孔231构成为与分配管305(305a～305d)连通。各分配管305经由集合管306与共用气体供给管301连接。
喷洒头320(320a～320d)与分配管305(305a～305d)连接。即，各分配管305成为与各基板载置面211对应的构成。在分配管305(305a～305d)设有阀302(302a～302d)、质量流量控制器303(303a～303d)。在质量流量控制器303(303a～303d)分别连接有流量计测器307(307a～307d)。流向各处理室201的气体供给量利用流量计测器307计测出的流量和计测时间来测定。
从分配管305供给的气体供给量由流量计测器307进行计测。向各处理201的气体供给量使用各阀302、质量流量控制器(MFC)303进行调节。在共用气体供给管301连接有第一气体供给管311、第二气体供给管321。
主要由分配管305、集合管306、阀302、质量流量控制器203构成为共用气体供给系统330。共用气体供给系也可以包含流量计测器307。
在第一气体供给管311，从上游方向起按顺序设有第一气体源312、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器313、以及作为开闭阀的阀314。
第一气体源312为含有第一元素的第一气体(也称为“第一元素含有气体”)源。第一元素含有气体为原料气体、即处理气体的一种。在此，第一元素为硅(Si)。即，第一元素含有气体为含硅气体。具体来说，作为含硅气体，使用二氯硅烷(也称为SiH2Cl2。D CS)或六氯乙硅烷(也称为Si2Cl6。HCDS)气体。
主要由第一气体供给管311、质量流量控制器313、阀314构成第一气体供给系统310(也称为含硅气体供给系统)。
在第二气体供给管321，从上游方向起按顺序设有第二气体源322、质量流量控制器323、以及作为开闭阀的阀324。
第二气体源322为含有第二元素的第二气体(以下，也称为“第二元素含有气体”)源。第二元素含有气体为处理气体的一种。此外，也可认为第二元素含有气体为反应气体。
在此，第二元素含有气体含有与第一元素不同的第二元素。第二元素例如为氧(O)。在本实施方式中，第二元素含有气体例如为含氧气体。具体来说，作为含氧气体，使用臭氧(O3)气体。
主要由第二气体供给管321、质量流量控制器323、阀324构成第二气体供给系统320(也称为反应气体供给系统)。
此外，将共用气体供给系统330、第一气体供给系统310、第二气体供给系统330的某一个、或者其组合称为气体供给部300。
图5示出的α意味着将各构成和传感器270电连接。具体来说，共用气体供给系统330、第一气体供给系统310、第二气体供给系统330的阀或质量流量控制器电连接在一起。而且流量计测器307可以与传感器270电连接。
传感器270检测各构成的状态。例如，检测质量流量控制器的运转时间或运转次数、阀的运转时间或运转次数。在连接有流量计测器307的情况下，检测每个分配管303的流量。
将流量计测器307、传感器270统称为检测部。也可以将流量计测器307、传感器270的某一个称为检测部。
(控制器)
接着说明控制器400。控制器400也称为控制部。基板处理装置100具有控制基板处理装置100的各部分动作的控制器400。控制器400如图6所示，至少具有运算部(CPU)410、临时存储部(RAM)420、存储部430、I/O端口440。控制器400经由I/O端口440与基板处理装置100的各构成连接。
运算部410具有收发指示部411、判断部412、选择部413、主控制部414。收发指示部411在基板处理装置100内、以及周围的装置与基板处理装置100之间，控制信号的收发。判断部412判断基台210的状态。选择部413选择搬运基板S的作为目的地的基台210。
主控制部414根据上位装置460或使用者的指示从存储部430调用程序或制程，根据其内容控制机械手控制部146等各构成的动作。存储部430具有存储制程信息的制程信息存储部431、动作信息存储部432以及状态等级存储部434。后面说明动作信息存储部432和状态等级存储部434。
控制器400也可以构成为专用的计算机，也可以构成为通用的计算机。例如，准备保存有上述程序的外部存储装置(例如，磁带、软盘或硬盘等的磁盘、CD或DVD等的光盘、MO等的光磁盘、USB存储器(USB Flash Drive)或存储卡等的半导体存储器)452，使用外部存储装置452在通用的计算机安装程序，由此，能够构成本实施方式的控制器400。另外，用于向计算机供给程序的手段不限于经由外部存储装置452供给的情况。例如，可以使用网络或专用线路等的通信手段，可以从上位装置460经由接收部454接收信息，也可以不经由外部存储装置452供给程序。另外，也可以使用键盘或触控面板等的输入输出装置451，对控制器400进行指示。
存储部430或外部存储装置452构成为计算机可读记录介质。以下，还将这些统称且仅称为记录介质。此外，在本说明书中使用记录介质这种用语的情况下，有仅包括存储部430单体的情况、仅包括外部存储装置452单体的情况、或者包括双方的情况。
接着，使用图7说明动作信息存储部432。动作信息存储部432具有图7示出的动作信息表433。动作信息表433为将各基台210与基板处理装置100的动作建立了关联的表。在(A)中记录由每个基台210的处理时间信息、各分配管305中的每单位时间的气体供给量信息。在(B)中记录有各基台210中的部件(例如加热器213)的运转时间。
(A)中的处理时间信息PT(Processing Time)是指供给处理气体的累积时间。处理时间信息PT在清洁、或者更换基台210等凹部215或面214成为洁净的状态之后被重置。
气体供给量信息示出每单位时间的气体供给量。检测由主控制部414控制的时间、或由流量检测器307检测出的气体供给量，将该数据输入至表。
(B)中的部件运转信息是指与各基台210对应的部件的运转信息。这也成为与各基板载置面211对应的部件的运转信息。运转信息是指，例如运转时间OT(Operation Time)。作为部件，有加热器213、加热器控制系统部件、气体供给系统部件、气体排出系统部件等。在使用等离子体的情况下，可以包括等离子体控制系统部件。当进行更换各部件等的维护时，重置运转时间。
作为加热器控制系统部件，由向计测加热器213的温度的温度计测器或加热器供电的供给线等的加热器控制系统部件。作为等离子体控制系统部件，有电极或供电线等。作为气体供给系统部件，有图5示出的各阀302或MFC303等。作为气体排出系统部件，有APC266、阀267等。
这些部件的信息可以从由传感器270检测出的数据算出，或者可以由控制器400计测各部件的运转时间等，并记录其数据。
接着，使用图8说明状态等级存储部434。
状态等级存储部434具有图8示出的状态等级表435。状态等级表435为将基台210的状态与其等级建立了关联的表。基台210的状态示出从动作信息表433算出的各基台210的状态、和其状态等级。基台210的信息是指，例如附着于基台210的膜的信息或部件的运转信息。
膜的信息例如为形成于上表面214的膜的膜厚Th信息。若膜厚很厚则膜变得易于剥离，这有可能对基板处理造成不良影响，因此，进行膜厚管理。根据动作信息表433(A)的处理时间信息、气体供给量信息，针对每个基台210算出该膜厚信息。
另外，关于部件的状态，例如考虑加热器213的运转时间。由于因运转时间导致加热器213的性能劣化，所以担心无法进行期望的处理。
各基台210的状态为例如从动作信息表433的信息算出的信息。在本实施方式中，从动作信息表433(A)算出膜厚。利用在动作信息表433内记录的处理时间与气体供给量之积求出膜厚的信息。
另外，针对部件的运转时间，提取动作信息表433(B)的信息。
对状态等级表435设定有与状态对应的等级。在图8中，为示出等级1最良好的状态的等级，为示出等级3最差的状态的等级。换言之，也能够表达为等级1为最高的等级，等级3为最低的等级。
在状态等级表435(A)中，在等级1中，示出膜厚Th比阈值A1小的状态，膜厚为最薄的状态。另一方面，示出等级3的情况、膜厚Th比阈值B1大的状态，膜厚最厚的状态。此外，A1＜B1。若膜厚越薄则为越好的状态，若越厚则为越差的状态。
在状态等级表435(B)中，示出在等级1中，运转时间OT比阈值A2小的状态，运转时间为最短的状态。另一方面，示出等级3的情况、运转时间OT比阈值B2大的状态，运转时间最长的状态。此外，A2＜B2。由于运转时间越长则各部件越可能劣化，所以运转时间越短则为越好的状态，运转时间越长则为越差的状态。
使动作信息表433的信息反映至状态等级表435的动作由判断部412进行。
在此，以部件的运转时间为例进行了说明，但不限于此，也可以为部件的性能。例如，若为加热器213，则可以是与运转开始时的性能进行了比较的性能表现。与运转开始时的性能进行了比较的性能表现是指，在将例如运转开始时设为100％的性能的情况下，表现为80％的性能、60％的性能等。
(基板处理方法)
接着，使用图9说明基板处理方法。在本实施方式中，相对于产品基板PS供给处理气体，说明处理基板的工序。例如，向各基板供给含Si含气体和含氧气体，以形成SiO膜的工序为例进行说明。
在本实施方式中，说明在处理容器202内处理四张产品基板PS的例子。
首先，说明各基板载置面211的状态不同的理由。状态根据基板载置面而不同，例举有凹部215的加工精度的偏差、加热部件、气体供给系统部件、气体排出系统部件的性能的偏差、到劣化为止的时间的偏差。
当然各部件相对于产品基板PS具有维持期望的处理品质的性能。然而，由于存在加工精度或部件性能、部件的劣化时间的偏差，所以若反复处理，则有在性能好的基台上膜厚变薄、在性能差的基台上膜厚变厚等偏差变显著的情况。
若膜厚变厚，则担心会导致膜剥离，这会对产品基板PS的品质造成不良影响。在产品基板PS的处理中，考虑尽可能抑制因膜剥离形成的颗粒的影响，优选利用性能高的基台210进行处理。
于是，在本实施方式中，即使在各基板载置面的周围的部件产生了性能的偏差，也进行品质高的处理，选择性能高的基台210。以下，进行详细说明。
(S102)
说明将产品基板PS搬入处理容器202内的基板搬入工序S102。
在基板处理装置100中，使回转臂部222上升，并且以使爪226配置在基台210a的上方进行旋转。真空搬运机械手142使臂部144移动、将产品基板PS移载至爪226上。
在移载产品基板PS之后使回转臂部222旋转，利用同样的动作向没有支承产品基板PS的爪226移载产品基板PS。此后，将各爪226配置在基台210上之后使升降销217上升，并且从爪226向升降销217上移载基板。在移载产品基板PS之后，使回转臂部222下降至基台210间，并且使升降销217下降，向各基板载置面211移载产品基板PS。
将产品基板PS载置在基板载置面211上之后，关闭闸阀208将处理容器202内密封。由此，将产品基板PS移动至处理空间209。
在将产品基板PS载置在各基板载置面211上时，向各加热器213供电，以产品基板PS的表面成为规定的温度的方式进行控制。产品基板PS的温度例如为室温以上800℃以下，优选地，在室温以上且在700℃以下。此时，控制器400加热器213的温度基于由传感器270检测出的温度信息提取控制值，通过控制箱加热器213的通电程度来进行调节。
(S104)
接着，说明气体供给工序S104。
将向各处理空间209移动的产品基板PS维持在规定的温度之后，以向处理空间209a同时供给含硅气体、含氧气体的方式控制供给部300。与之同时，从排出系统260排出气体。
在处理空间209中，含硅气体与含氧气体发生反应，在产品基板PS上形成有作为绝缘膜102的氧化硅膜。与之同时，在基板载置面211的周围的构造、例如上表面214上还形成有膜。
此外，在此，说明了同时供给含Si气体和含氧气体，但不限于此，也可以交替独立地供给含Si气体与含氧气体，或者可以以使交替地一部分重叠的方式进行供给。
在经过规定时间之后停止气体的供给。
主控制部414在气体供给工序S104的期间内，记录至动作信息表433(A)。
(S106)
接着，说明基板搬出工序S106。在气体供给工序S104之后，从处理容器202搬出处理完毕的产品基板PS。在搬出时，以与基板搬入工序S102相反地顺序搬出产品基板PS。
(S108)
接着，说明判断S108。
在此，判断是否处理了规定张数的产品基板PS。规定张数是指例如批次张数。在处理了规定张数的情况下，判断为是并结束处理，在没有处理规定张数的情况下，判断为否并前进至S110。
主控制部414到判断为处理了规定张数为止，对动作信息表433(B)记录各基台210的状态。
(S110)
接着，说明状态等级判断工序S110。
在此，判断部412判断基台210的状态。判断部412基于动作信息表433的信息，判断各基台210的状态。具体来说，根据动作信息表(A)或(B)的内容判断状态等级。
例如在根据动作信息表433(A)的信息判断的情况下，根据处理时间和气体供给量，算出各基台210上的膜厚Th，接着与状态等级表435(A)的内容进行比较，判断状态等级。
例如，若膜厚Th低于A1，则将状态等级判断为等级1。若膜厚Th在A1以上且低于B1，判断为等级2。若膜厚Th在B1以上，则判断为等级3。
等级1为形成在基台210上的膜的膜厚不影响基板处理、例如不影响产品基板PS上的膜形成的膜厚。等级2为虽不对基板处理造成影响但若膜再稍微变厚一点则会对膜质造成影响的状态。等级3为对基板处理具有不良影响的状态。
另外，在根据动作信息表433(B)的信息进行判断的情况下，提取每个基台210的部件运转时间(OT)，判断状态等级。
例如若部件运转时间OT低于时间A2则将状态等级判断为等级1。若部件运转时间OT在A2以上且低于B2则判断为等级2。若部件运转时间OT在B2以上则判断为等级3。
等级1为与基台210关联的部件的运转时间不影响基板处理的时间。例如，为加热器213未劣化的时间。等级2为虽然不对基板处理造成影响但在部件的运转时间变得再长一点的情况下会无法发挥期望的性能从而对基板处理造成影响的时间。等级3为会对基板处理造成不良影响越会劣化的时间。
在存在等级3的基台210的情况下，主控制部414经由输入输出装置451报知该信息。报知内容为促进对劣化的部件进行部件更换、基台的清洁、基台的更换的消息。
(S112)
接着，说明基板支承部选择工序S112。
在此，选择部413基于各基台210和状态等级表435的信息，选择产品基板PS的移动目的地的基台210。
选择部413作为此后要处理的产品基板PS的移动目的地，选择状态好的基台210、即状态等级高的基台210。在以膜厚为基准的情况下参照状态等级表(A)的信息，选择状态好的基台210。在以部件的运转时间为基准的情况下，参照状态等级表(B)的信息，选择状态好的基台210。
具体来说，选择部413优先选择等级1的基台210。关于等级2的基台210，在等级1的基台210无法进行选择的情况下，选择等级2的基台。不选择作为对基板处理造成不良影响的等级即等级3的基台210。即，停止向等级3的基台210的基板载置面211移动基板S。
在选择部413选择产品基板PS的移动目的地之后，主控制部414在基板搬入工序S102中将产品基板PS载置于作为选择对象的基台210的基板载置面211。
由此，优先将产品基板PS载置于性能高的基台210的基板载置面211。
(第二实施方式)
接着，说明第二实施方式。在第二实施方式中，基板处理装置100的构成与第一实施方式同样地，状态等级表435的内容不同。关于基板处理方法，图9的基板搬入工序S102～状态等级判断工序S110相同，基板支承部选择工序S112不同。在此，以基板支承部选择工序S112为中心进行说明。
(S112)
说明本实施方式中的基板支承部选择工序S112。首先，说明虚设基板DS的运用方法。
在基板处理装置100的处理中，有时使用并运用虚设基板DS。例如，产品基板PS的处理张数不是基台210的个数的倍数的情况。在处理110张产品基板PS的情况且基台210为4个的情况下，在处理容器202内一并对4张产品基板PS处理27次。在该情况下，最后剩余2张。
将剩余的两张载置于基台210并进行处理，但在该情况下，向没有载置基板的基板载置面211也供给气体，因此，会在基板载置面211上形成膜。在这种状态下，考虑到在处理下一批次的产品基板PS的情况下，在将产品基板PS载置在基板上时，形成在基板载置面211上的膜会剥离。有时剥离的膜会附着在产品基板PS上，对产品基板PS的性能造成影响。
于是，将虚设基板DS载置于没有载置有产品基板PS的基板载置面211。由此，变得气体不会到达基板载置面211，从而不会在基板载置面211上形成膜。
在本实施方式中，说明产品基板PS和虚设基板DS的移动目的地的选择方法。
使用图10说明本实施方式中的状态等级表435’。状态等级表435’为替换成第一实施方式中的状态等级表435的构成。
对状态等级表435’设定了与状态对应的等级。在图1中示出等级1(等级1-1、等级1-2)与其他等级相比为良好的状态，等级3为最差的状态。
等级1-1的状态为比等级1-2良好的状态。例如在状态等级表435’(A)中示出，在等级1-1中为膜厚Th比阈值A3小的状态，膜厚最薄的状态。在等级1-2中为膜厚Th在阈值A3以上且比阈值B3小的状态。等级2与状态等级表435的等级2相同，为虽然对基板处理不造成影响但若膜稍微变厚一点则会造成影响的状态。在等级3的情况下，示出膜厚Th为阈值C3以上的状态，膜厚最厚的状态。
另外，在状态等级表435’(B)中示出，在等级1-1中运转时间OT比阈值A4小的状态，运转时间最短的状态。在等级1-2中运转时间OT在阈值A4以上且比阈值B4小的状态。等级2与状态等级表435的等级2相同，为虽然不对基板处理造成影响但若膜变得稍微厚一点则会造成影响的状态。在等级3的情况下，示出运转时间OT在阈值C4以上的状态，运转时间最长的状态。
选择部413根据状态等级表435判断各基台210的状态。在本实施方式中，将产品基板PS移动至状态等级高的基台210(例如等级1的基台)。而且，将虚设基板DS移动至剩余的基台210。例如，向状态等级比载置有产品基板PS的基台210的状态等级低的基台21移动虚设基板DS。
例如，在移动两张产品基板PS和两张虚设基板DS的情况下，且在有等级1和等级2的基台210的情况下，将产品基板PS移动至等级1的基台。
另外，在移动一张产品基板PS和三张虚设基板DS的情况下，且在有等级1和等级2的基台210的情况下，将产品基板PS移动至等级1的基台中的等级最高的基台、即等级1-1的基台。
说明优先将产品基板PS移动至状态等级高的基台210的例子。产品基板PS需要提高产量，因此，优选移动至能够进行期望的处理的基台。另一方面，在虚设基板DS的情况下，与产品基板PS不同，不制造半导体器件，即使颗粒附着于虚设基板DS也没问题，因此，即使移动至等级2的基台也没问题。这种状况下，优先使产品基板PS移动至状态等级高的基台210。
接着说明具体例。在信息为膜厚Th的情况下，选择部413参照动作信息表433和状态等级表435’(A)的信息，选择状态等级高的基台210。例如，选择等级1-1的基台210。主控制部414使产品基板PS移动至所选择的基台210。
另外，在信息为部件的运转时间OT的情况下，选择部413参照动作信息表433和状态等级表435’(B)的信息，选择状态等级高的基台210。例如，选择等级1-1的基台210。主控制部414使产品基板PS移动至所选择的基台210。
由此，优先将产品基板PS载置于性能最高的基台210。
(第三的实施方式)
接着，说明第三的实施方式。
在第一实施方式中，当维护各基台210或部件时将动作信息表的处理时间或部件运转时间重置，但在本实施方式中不进行重置，而是对这些累积时间进行计测，找出各基台210的处理倾向。
如上所述，各基台210的基板处理存在偏差，但若反复进行处理则偏差会变显著，从而能够找出各基台210中的基板处理的倾向。例如，若基台210c的处理比基台210d的处理更为高品质，则基台210c与基台210d相比有膜厚变薄的倾向等。
这些倾向是因为，基台210与排出口261或喷洒头230的位置关系、或基台210的凹部215的构造等在基台210间有偏差。虽然想要理想化地消除偏差，但出于现实中加工精度或部件的精度等的问题，而难以消除偏差。
于是，在本实施方式中，利用累积时间记录动作信息表433，将各基台210的基板处理的倾向明确化。选择部413与实施方式1同样地，还基于动作信息表433和状态等级表435的信息，选择基板S的移动目的地的基台210。
由此，能够优先选择基本性能好的基台210，从而能够始终选择可进行高品质的基板处理的基台。
此外，说明了在本实施方式中，使用累积时间找出倾向，但不限于此，可以与第一实施方式的那种维护后的处理时间或部件的运转时间的管理一并实施本实施方式。
(其他实施方式)
以下，说明其他实施方式。
本实施方式中的选择部413参照状态等级表435(或者状态等级表435’)，但不限于此，可以仅选择动作信息表433的信息。例如若膜厚与处理时间几乎成正比例，则可以仅利用动作信息表433(A)的处理时间进行判断，选择处理时间更短的基台210。
另外，若利用部件运转时间进行判断，则可以仅利用部件运转时间信息判断动作信息表433(B)的产品基板PS的移动目的地，从部件运转时间更短的基台210进行选择。
在本实施方式中，以含硅气体和含氧气体为例说明了基板处理方法，但不限于此。例如，也可以取代含硅气体和含氮气体、或硅而使用金属含有气体。
另外，若为针对每个基台生成等离子体的装置，则作为基板载置面的周围的部件，例如可以将等离子体生成用的电极或布线等作为对象。

Claims (22)

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在将基板载置于在处理容器内配置有多个的基板载置面上的状态下经由分配管向所述处理容器供给气体的工序；
检测所述分配管的气体供给量或者与所述基板载置面对应的部件的信息的工序；
基于检测出的所述信息判断状态等级的工序；以及
根据所述状态等级选择作为接下来搬入所述处理容器的所述基板的移动目的地的所述基板载置面的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述状态等级包括形成于具有所述基板载置面的基板支承部内的非基板载置面的膜的膜厚。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述膜厚根据向所述非基板载置面供给的所述气体的供给量和处理时间而算出。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在判断为所述膜厚为阈值以上的情况下，进行报知以对所述非基板载置面进行清洁。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在判断为所述膜厚为阈值以上之后，报知促使更换所述部件的消息。
6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述基板载置面设于基板支承部，
在判断为所述膜厚为阈值以上之后，报知促使更换所述基板载置部的消息。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在各个所述分配管设有流量计测器，
所述气体供给量由所述流量计测器进行计测。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述状态为与所述基板载置面对应的部件的状态，
所述状态等级以所述部件的运转时间来设定。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述运转时间为所述部件运转的时间的累积值。
10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述运转时间为所述部件运转的时间的累积值，并且在对所述部件进行了维护之后将累积的所述运转时间重置。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述状态为与所述基板载置面对应的部件的状态，
所述状态等级以所述部件的运转次数来设定。
12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述基板载置面设于基板支承部，
所述部件为所述基板支承部所具备的加热器。
13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
还具备排出所述处理室的环境气体的排气部，
所述部件为构成所述排气部的部件。
14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述部件的状态为与所述部件的运转开始时的性能进行比较的性能表现。
15.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在与所述基板载置面对应的部件存在性能上的偏差。
16.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在所述选择的工序中，以优先将所述基板移动至所述状态等级高的所述基板载置面的方式进行选择。
17.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述基板为产品基板或者虚设基板的某一方，
在所述选择的工序中，向所述状态等级高的所述基板载置面移动所述产品基板，向与所述产品基板所移动到的所述基板载置面相比所述状态等级低的所述基板载置面移动所述虚设基板。
18.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
记录每个所述基板载置面的所述状态等级的倾向，在所述选择的工序中，向状态等级最高的所述基板载置面移动所述基板。
19.根据权利要求18所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在无法向状态等级最高的所述基板载置面移动所述基板的情况下，向下一等级的所述基板载置面移动所述基板。
20.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在所述选择的工序中，停止向所述状态等级被判断为对基板处理造成不良影响的等级的所述基板载置面移动所述基板。
21.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
对基板进行处理的处理容器；
向所述处理容器供给气体的气体供给部；
在所述处理容器内配置有多个的基板载置面；
具有与所述基板载置面对应的多个分配管的气体供给部；
检测所述分配管的气体供给量或者与所述基板载置面对应的部件的信息的检测部；
基于检测出的所述信息判断状态等级的判断部；
选择部，其根据所述状态等级，选择作为所述基板的移动目的地的所述基板载置面；以及
控制各构成的控制部。
22.一种记录介质，其保存有程序，其特征在于，
通过计算机使基板处理装置执行如下的步骤：
在将基板载置于在处理容器内配置有多个的基板载置面上的状态下经由分配管向所述处理容器供给气体的步骤；
检测所述分配管的气体供给量或者与所述基板载置面对应的部件的信息的步骤；
基于检测出的所述信息判断状态等级的步骤；
根据所述状态等级选择作为接下来搬入所述处理容器的所述基板的移动目的地的所述基板载置面的步骤。
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