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CN113567800A - 一种用于检测微型led芯片质量的分检装置及分检方法 - Google Patents

一种用于检测微型led芯片质量的分检装置及分检方法 Download PDF

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CN113567800A
CN113567800A CN202110691034.XA CN202110691034A CN113567800A CN 113567800 A CN113567800 A CN 113567800A CN 202110691034 A CN202110691034 A CN 202110691034A CN 113567800 A CN113567800 A CN 113567800A
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CN
China
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led chips
sorting device
detection unit
micro led
negative pressure
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Application number
CN202110691034.XA
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林俊荣
王宏
吕河江
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Tian Guangqing Neng Co., Ltd.
Original Assignee
Yili International Co Ltd
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Publication date
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Abstract

本发明公开一种用于检测微型LED芯片(1)质量的分检装置及分检方法，微型LED芯片(1)包括芯片基板(15)以及多个LED晶片(11)；多个LED晶片(11)具有共同的第一负电极(12)，且分别具有独立的第一正电极(13)；分检装置包括电性能检测单元(2)，电性能检测单元(2)包括检测单元主体(21)以及一个第二正电极(22)和一个第二负电极(23)。通过将多个LED晶片(11)以共阴极和共阳极的方式电连接到电性能检测单元(2)上，当电性能检测单元(2)与外界电源连接时，多个LED晶片(11)相当于并联形式连接到电源上，从而同时检测出多个LED晶片(11)的发光情况，完成分区域检测，较以往单颗点亮提高了效率，微型LED得以实现快速质量检测。

Description

一种用于检测微型LED芯片质量的分检装置及分检方法
技术领域
本发明专利属于微型LED显示屏技术领域，具体涉及一种用于检测微型LED芯片质量的分检装置及分检方法。
背景技术
Micro LED(微型LED)显示器具有分辨率高、亮度高、功耗低、色彩饱和度高、寿命长等优点。可以适应各种尺寸无缝拼接等优势。就目前而言，具有下代显示技术的潜力。
Micro LED芯片键合前，在生产过程中难免会有损坏、缺失、等情况，如果不提前分检出合格品，不良品，与不合格品，首选不良品下流产线会造成显示器不良、次品增多，其次不合格品下流产线会产生更多报废品造成浪费,也就是说如果不对Micro LED芯片质量进行检测，那与不合格Micro LED芯片组合后的控制面板也会浪费。所以在Micro LED芯片进行下一步工艺钱如何分检出合格品与不良品及报废品，并通过分检，修复坏点是一个急需解决的问题。
目前LED检测一般都采用探针式检测，探针式检测准确率高，但是无法适用更高分辨率的Micro LED,由于MicroLED分辨率更高，很小的一块MicroLED显示屏中就含有大量的LED晶片，比如一块0.39寸左右的Micro LED显示屏，其中含有的LED晶片大概有240万颗，如果选用探针式单颗检测，那时间太久，不适合产线量产，无法满足经济要求。
为了解决以上问题，提出本发明。
发明内容
本发明具有以下目的：1.解决Micro LED芯片难以分检的问题。2.让Micro LED分检简单易操作、提高检测效率。3.解决Micro LED检测过程复杂，准确性不高。4.解决MicroLED在分拣中不受损坏，保证分检良率。
本发明第一方面提供一种用于微型LED芯片的分检装置，微型LED芯片1包括芯片基板15以及固定于所述芯片基板15上的多个LED晶片11；多个LED晶片11具有共同的第一负电极12，且多个LED晶片11分别具有独立的第一正电极13；
所述分检装置包括电性能检测单元2，所述电性能检测单元2包括检测单元主体21以及位于所述检测单元主体21上的一个第二正电极22和一个第二负电极23；
所述微型LED芯片1位于所述分检装置上方；且多个所述LED晶片11的所述第一正电极13与所述第二正电极22电连接，所述第一负电极12与所述第二负电极23电连接；
所述电性能检测单元2与外界电源电连接。
LED晶片也就是通称的LED灯珠，本质上就是LED发光二极管。
优选地，所述第二正电极22和所述第二负电极23为检测面板，以使多个所述LED晶片11以共阴极和共阳极的方式电连接到所述电性能检测单元2上。所述第二正电极22和所述第二负电极23由铜或铝等金属材料制作，所述电性能检测单元2固定在精准对位平台5上。本发明由于是共正极和共负极检测面板，所以对检测对位精度要求低，正电极和负电极可以一次检测整个Micro LED原件，测试精准，节省时间。
优选地，所述分检装置还包括图像采集单元3，其可以在电源连接后，采集多个所述LED晶片11的发光情况。
优选地，所述图像采集单元3包括多个CCD相机。CCD相机采用可高分辨率摄像机，使定位更精确，图像采集更清晰。
优选地，所述分检装置还包括负压吸附单元4，用于吸取所述微型LED芯片1，并将其放置在所述电性能检测单元2上。
优选地，所述负压吸附单元4包括负压吸附单元主体41、抽气口42和负压吸附孔43，所述抽气口42处连接有抽气装置，抽出所述负压吸附单元主体41内的空气，使所述负压吸附孔43处为负压环境，进而产生吸力，吸取所述微型LED芯片1。负压吸附单元主体41中间为空腔，在空腔两侧面分别有抽气口42，使空腔内形成负压以吸附被测元器件。负压吸附单元吸附元器件的一面开负压吸附孔43。
其中，所述负压吸附单元主体41上具有抗红外反射或者抗激光反射的膜，防止红外或者激光被所述负压吸附单元主体41反射出去。进一步使得，所述图像采集单元3可以精确清晰采集多个所述LED晶片11的发光情况。这层膜是镀在石英(负压吸附单元主体41)上的，材料可以选自：一氧化硅、氟化镁、硫化锌等。
优选地，所述负压吸附单元主体41是透明的，选自石英、玻璃等等透明材质；所述负压吸附孔43分布在所述芯片基板15的显示区域外的四周，且避开对位靶标点位置。高透光的石英材料可以使CCD高分辨相机更好的收集Micro LED原件上的定位靶标及Micro LED性能图像。负压吸附孔43分布在芯片基板15显示区域外的四周，如此可以避免因开孔(负压吸附孔43)对CCD高分辨相机对微型LED芯片取样获取图像的影响。
对位靶标点即第一对位靶标14和第二对位靶标24。
优选地，所述芯片基板15上还具有第一对位靶标14，所述检测单元主体21上具有第二对位靶标24；所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24匹配，使得所述微型LED芯片1和所述电性能检测单元2对应，进而使得所述第一正电极13与所述第二正电极22电连接，所述第一负电极12与所述第二负电极23电连接。
优选地，所述分检装置还包括精准对位平台5，所述精准对位平台5可以控制所述电性能检测单元2在X、Y、Z、θ轴移动对位；
所述图像采集单元3和所述精准对位平台5均与外界的电脑主机连接，首先通过所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24使得所述微型LED芯片1和所述电性能检测单元2在位置上对应，所述图像采集单元3采集所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24处的图像，并将该图像信息反馈到外界的电脑主机，电脑主机根据该图像信息和设定值，通过调控精准对位平台5，进一步对所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24的位置进行调整。
本发明第二方面提供一种微型LED芯片1质量的分检方法，使用本发明第一方面所述的分检装置，所述微型LED芯片1上多个LED晶片11具有共同的第一负电极12，且多个LED晶片11分别具有独立的第一正电极13；
所述电性能检测单元2包括一个第二正电极22和一个第二负电极23；
通过将多个所述LED晶片11以共阴极和共阳极的方式电连接到所述电性能检测单元2上，当所述电性能检测单元2与外界电源连接时，多个所述LED晶片11相当于并联形式连接到电源上，从而同时检测出多个所述LED晶片11的发光情况，完成微型LED芯片1的分区域检测。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
1.本发明将多个所述LED晶片11以共阴极和共阳极的方式电连接到所述电性能检测单元2上，当所述电性能检测单元2与外界电源连接时，多个所述LED晶片11相当于并联形式连接到电源上，从而同时检测出多个所述LED晶片11的发光情况。较以往单颗点亮提高了效率，Micro LED得以实现快速检测。
2.本发明分检装置还包括图像采集单元3，其可以是多个高分辨率CCD相机。在共阴极和共阳极分区域检测方法上，配合高分辨率摄像头进行分拣。使Micro LED共同点亮，区域检测，且检测的结果更加精准。
3.本发明自主设计了负压吸附单元4，用于吸取所述微型LED芯片1，并将其放置在所述电性能检测单元2上。采用负压吸附的方法，使Micro LED抓取更加方便，不易移位。进一步的，所述负压吸附单元主体41选自石英、玻璃等透光透明材料，由于负压吸附单元主体41的高透光率可以使高分辨率摄像定位精准且能准确采集Micro LED点亮信息。
4.本发明可以用于单片Micro LED显示屏分检，也可以用于整片Micro LED外延片的分检。
5.本发明检测平台利用共阴极与共阳极区域检测方法及装置比较单颗探针的检测装置，检测过程简单易操作，效率更高，设备生产制作更容易更换更方便。
6.本发明分检装置还包括对位靶标和精准对位平台5，所述图像采集单元3和所述精准对位平台5均与外界的电脑主机连接，首先通过所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24使得所述微型LED芯片1和所述电性能检测单元2在位置上对应，所述图像采集单元3采集所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24处的图像，并将该图像信息反馈到外界的电脑主机，电脑主机根据该图像信息和设定值，通过调控精准对位平台5，进一步对所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24的位置进行调整，从而使微型LED芯片1和电性能检测单元2对位准确。
7.本发明中所述第二正电极22和所述第二负电极23为检测面板，以使多个所述LED晶片11以共阴极和共阳极的方式电连接到所述电性能检测单元2上。由于是一整块的检测面板，所以对检测对位精度要求低，正电极和负电极可以一次检测整个Micro LED原件，测试精准，节省时间。
附图说明
图1为本发明用于检测微型LED芯片1质量的分检装置的结构示意图；
图2为本发明分检装置中负压吸附单元4的结构示意图；
图3为本发明分检装置中负压吸附单元4的俯视图；
图4为本发明分检装置中负压吸附单元4的左视图；
图5为本发明分检装置中电性能检测单元2的俯视图；
图6为本发明微型LED芯片1质量的检测方法流程图；
附图标记的名称为：1-微型LED芯片、11-LED晶片、12-第一负电极、13-第一正电极、14-第一对位靶标、15-芯片基板、2-电性能检测单元、21-检测单元主体、22-第二正电极、23-第二负电极、24-第二对位靶标、3-图像采集单元、4-负压吸附单元、41-负压吸附单元主体、42-抽气口、43-负压吸附孔、5-精准对位平台。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细描述。
本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件者，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用材料或设备未注明生产厂商者，均为可以通过购买获得的常规产品。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”可以包括无线连接。
在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。术语“内”、“上”、“下”等指示的方位或状态关系为基于附图所示的方位或状态关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“设有”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语包括技术术语和科学术语具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。
实施例1
本实施例提供一种用于微型LED芯片的分检装置，微型LED芯片1包括芯片基板15以及固定于所述芯片基板15上的多个LED晶片11；多个LED晶片11具有共同的第一负电极12，且多个LED晶片11分别具有独立的第一正电极13；
所述分检装置包括电性能检测单元2，所述电性能检测单元2包括检测单元主体21以及位于所述检测单元主体21上的一个第二正电极22和一个第二负电极23；
所述微型LED芯片1位于所述分检装置上方；且多个所述LED晶片11的所述第一正电极13与所述第二正电极22电连接，所述第一负电极12与所述第二负电极23电连接；
所述电性能检测单元2与外界电源电连接。
LED晶片也就是通称的LED灯珠，本质上就是LED发光二极管。
所述第二正电极22和所述第二负电极23为检测面板，以使多个所述LED晶片11以共阴极和共阳极的方式电连接到所述电性能检测单元2上。所述第二正电极22和所述第二负电极23由铜金属材料制作，所述电性能检测单元2固定在精准对位平台5上。本发明由于是共正极和共负极检测面板，所以对检测对位精度要求低，正电极和负电极可以一次检测整个Micro LED原件，测试精准，节省时间。
所述分检装置还包括图像采集单元3，其可以在电源连接后，采集多个所述LED晶片11的发光情况。
所述图像采集单元3包括多个CCD相机。CCD相机采用可高分辨率摄像机，使定位更精确，图像采集更清晰。
所述分检装置还包括负压吸附单元4，用于吸取所述微型LED芯片1，并将其放置在所述电性能检测单元2上。所述负压吸附单元4包括负压吸附单元主体41、抽气口42和负压吸附孔43，所述抽气口42处连接有抽气装置，抽出所述负压吸附单元主体41内的空气，使所述负压吸附孔43处为负压环境，进而产生吸力，吸取所述微型LED芯片1。负压吸附单元主体41中间为空腔，在空腔两侧面分别有抽气口42(抽气更均匀)，使空腔内形成负压以吸附被测元器件。负压吸附单元吸附元器件的一面开负压吸附孔43。
所述负压吸附单元主体41是透明的，选自石英透明材质；所述负压吸附孔43分布在所述芯片基板15的显示区域外的四周，且避开对位靶标点位置。高透光的石英材料可以使CCD高分辨相机更好的收集Micro LED原件上的定位靶标及Micro LED性能图像。负压吸附孔43分布在芯片基板15显示区域外的四周，如此可以避免因开孔(负压吸附孔43)对CCD高分辨相机对微型LED芯片取样获取图像的影响。
对位靶标点即第一对位靶标14和第二对位靶标24。
所述芯片基板15上还具有第一对位靶标14，所述检测单元主体21上具有第二对位靶标24；所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24匹配，使得所述微型LED芯片1和所述电性能检测单元2对应，进而使得所述第一正电极13与所述第二正电极22电连接，所述第一负电极12与所述第二负电极23电连接。
所述分检装置还包括精准对位平台5，所述精准对位平台5可以控制所述电性能检测单元2在X、Y、Z、θ轴移动对位；
所述图像采集单元3和所述精准对位平台5均与外界的电脑主机连接，首先通过所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24使得所述微型LED芯片1和所述电性能检测单元2在位置上对应，所述图像采集单元3采集所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24处的图像，并将该图像信息反馈到外界的电脑主机，电脑主机根据该图像信息和设定值，通过调控精准对位平台5，进一步对所述第一对位靶标14和所述第二对位靶标24的位置进行调整。
使用本实施例所述的分检装置，对微型LED芯片1质量的分检方法，所述微型LED芯片1上多个LED晶片11具有共同的第一负电极12，且多个LED晶片11分别具有独立的第一正电极13；
所述电性能检测单元2包括一个第二正电极22和一个第二负电极23；
通过将多个所述LED晶片11以共阴极和共阳极的方式电连接到所述电性能检测单元2上，当所述电性能检测单元2与外界电源连接时，多个所述LED晶片11相当于并联形式连接到电源上，从而同时检测出多个所述LED晶片11的发光情况，完成微型LED芯片1的分区域检测。

Claims (10)

1.一种用于检测微型LED芯片质量的分检装置，其特征在于，微型LED芯片(1)包括芯片基板(15)以及固定于所述芯片基板(15)上的多个LED晶片(11)；多个LED晶片(11)具有共同的第一负电极(12)，且多个LED晶片(11)分别具有独立的第一正电极(13)；
所述分检装置包括电性能检测单元(2)，所述电性能检测单元(2)包括检测单元主体(21)以及位于所述检测单元主体(21)上的一个第二正电极(22)和一个第二负电极(23)；
所述微型LED芯片(1)位于所述分检装置上方；且多个所述LED晶片(11)的所述第一正电极(13)与所述第二正电极(22)电连接，所述第一负电极(12)与所述第二负电极(23)电连接；
所述电性能检测单元(2)与外界电源电连接。
2.根据权利要求1所述的分检装置，其特征在于，所述第二正电极(22)和所述第二负电极(23)为检测面板，以使多个所述LED晶片(11)以共阴极和共阳极的方式电连接到所述电性能检测单元(2)上。
3.根据权利要求1所述的分检装置，其特征在于，所述分检装置还包括图像采集单元(3)，其可以在电源连接后，采集多个所述LED晶片(11)的发光情况。
4.根据权利要求3所述的分检装置，其特征在于，所述图像采集单元(3)包括多个CCD相机。
5.根据权利要求1所述的分检装置，其特征在于，所述分检装置还包括负压吸附单元(4)，用于吸取所述微型LED芯片(1)，并将其放置在所述电性能检测单元(2)上。
6.根据权利要求5所述的分检装置，其特征在于，所述负压吸附单元(4)包括负压吸附单元主体(41)、抽气口(42)和负压吸附孔(43)，所述抽气口(42)处连接有抽气装置，抽出所述负压吸附单元主体(41)内的空气，使所述负压吸附孔(43)处为负压环境，进而产生吸力，吸取所述微型LED芯片(1)。
7.根据权利要求6所述的分检装置，其特征在于，所述负压吸附单元主体(41)是透明的，选自石英、玻璃等透明材质；所述芯片基板15的所述负压吸附孔(43)分布在所述芯片基板(15)的显示区域外的四周，且避开靶标点位置。
8.根据权利要求1所述的分检装置，其特征在于，所述芯片基板(15)上还具有第一对位靶标(14)，所述检测单元主体(21)上具有第二对位靶标(24)；所述第一对位靶标(14)和所述第二对位靶标(24)匹配，使得所述微型LED芯片(1)和所述电性能检测单元(2)对应，进而使得所述第一正电极(13)与所述第二正电极(22)电连接，所述第一负电极(12)与所述第二负电极(23)电连接。
9.根据权利要求8所述的分检装置，其特征在于，所述分检装置还包括精准对位平台(5)，所述精准对位平台(5)可以控制所述电性能检测单元(2)在X、Y、Z、θ轴移动对位；
所述图像采集单元(3)和所述精准对位平台(5)均与外界的电脑主机连接，首先通过所述第一对位靶标(14)和所述第二对位靶标(24)使得所述微型LED芯片(1)和所述电性能检测单元(2)在位置上对应，所述图像采集单元(3)采集所述第一对位靶标(14)和所述第二对位靶标(24)处的图像，并将该图像信息反馈到外界的电脑主机，电脑主机根据该图像信息和设定值，通过调控精准对位平台(5)，进一步对所述第一对位靶标(14)和所述第二对位靶标(24)的位置进行调整。
10.一种微型LED芯片质量的分检方法，其特征在于，使用权利要求1-9任一项所述的分检装置，所述微型LED芯片(1)上多个LED晶片(11)具有共同的第一负电极(12)，且多个LED晶片(11)分别具有独立的第一正电极(13)；
所述电性能检测单元(2)包括一个第二正电极(22)和一个第二负电极(23)；
通过将多个所述LED晶片(11)以共阴极和共阳极的方式电连接到所述电性能检测单元(2)上，当所述电性能检测单元(2)与外界电源连接时，多个所述LED晶片(11)相当于并联形式连接到电源上，从而同时检测出多个所述LED晶片(11)的发光情况，完成微型LED芯片(1)的分区域检测。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114018546A (zh) * 2021-11-11 2022-02-08 星源电子科技(深圳)有限公司 一种用于Micro-LED的瑕疵测量辅助系统

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294602A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Nec Corp フリップチップボンダー
TW200829933A (en) * 2007-01-03 2008-07-16 Macronix Int Co Ltd Method for inspecting a chip inspecting mechanism and apparatus thereof
CN202795924U (zh) * 2012-04-26 2013-03-13 广州硅芯电子科技有限公司 一种基于cob封装技术的高集成化led显示屏
CN108417176A (zh) * 2018-05-10 2018-08-17 厦门强力巨彩光电科技有限公司 一种led灯珠驱动电路及led驱动系统
CN111199951A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 中芯集成电路（宁波）有限公司 半导体器件及其制作方法、对位标记的制作方法
CN111263893A (zh) * 2017-10-26 2020-06-09 株式会社V技术 Led芯片的检查方法、其检查装置以及led显示器的制造方法
CN212625492U (zh) * 2020-09-02 2021-02-26 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种led芯片检测装置
CN216013548U (zh) * 2021-05-12 2022-03-11 乙力国际股份有限公司 一种用于检测微型led芯片质量的分检装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294602A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Nec Corp フリップチップボンダー
TW200829933A (en) * 2007-01-03 2008-07-16 Macronix Int Co Ltd Method for inspecting a chip inspecting mechanism and apparatus thereof
CN202795924U (zh) * 2012-04-26 2013-03-13 广州硅芯电子科技有限公司 一种基于cob封装技术的高集成化led显示屏
CN111263893A (zh) * 2017-10-26 2020-06-09 株式会社V技术 Led芯片的检查方法、其检查装置以及led显示器的制造方法
CN108417176A (zh) * 2018-05-10 2018-08-17 厦门强力巨彩光电科技有限公司 一种led灯珠驱动电路及led驱动系统
CN111199951A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 中芯集成电路（宁波）有限公司 半导体器件及其制作方法、对位标记的制作方法
CN212625492U (zh) * 2020-09-02 2021-02-26 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种led芯片检测装置
CN216013548U (zh) * 2021-05-12 2022-03-11 乙力国际股份有限公司 一种用于检测微型led芯片质量的分检装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114018546A (zh) * 2021-11-11 2022-02-08 星源电子科技(深圳)有限公司 一种用于Micro-LED的瑕疵测量辅助系统
CN114018546B (zh) * 2021-11-11 2024-04-12 星源电子科技(深圳)有限公司 一种用于Micro-LED的瑕疵测量辅助系统

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