CN113303032B - 目标递送系统 - Google Patents

Abstract

公开了一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统。该系统包括导管，该导管包括孔，该孔被配置为流体耦合到贮存器；致动器，该致动器被配置为机械耦合到导管，使得致动器的运动被传递到导管；以及控制系统，该控制系统耦合到致动器，该控制系统被配置为：确定施加到贮存器中的目标材料的压力的指示，以及基于所确定的所施加的压力的指示来控制致动器的运动。而且，公开了操作供应系统的技术。例如，确定供应系统的一个或多个特性，并且基于一个或多个确定的特性来控制机械耦合到供应系统的致动器，使得供应系统的孔在操作使用期间保持基本没有材料损坏。

Description

目标递送系统

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年1月17日提交的题为“目标递送系统”的美国申请号62/793,813和于2019年10月10日提交的题为“目标递送系统”的美国申请号62/913,552的优先权，两者均通过引用而整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统。

背景技术

极紫外线(“EUV”)光——例如，波长为100纳米(nm)或更小(有时也称为软X射线)并且包括波长为例如20nm或更小、介于5nm至20nm之间或介于13nm与14nm之间的光的电磁辐射——可以用于光刻工艺以通过在抗蚀剂层中引发聚合而在例如硅晶片的衬底中产生极小特征。

产生EUV光的方法包括但不限于对包括例如氙、锂或锡等元素的材料进行转换，所述材料在等离子体态下具有EUV范围内的发射线。在一个这种方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，所需等离子体可以通过使用可以被称为驱动激光的经放大光束，对形式为微滴、板、带、流或材料簇的目标材料进行照射来产生。对于该过程，通常在密封容器(例如，真空腔室)中产生等离子体，并且使用各种类型的计量设备对该等离子体进行监测。

发明内容

在一个方面中，一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统包括导管，该导管包括孔，该孔被配置为流体耦合到贮存器；致动器，该致动器被配置为机械耦合到导管，使得致动器的运动被传递到导管；以及控制系统，该控制系统耦合到致动器，该控制系统被配置为确定施加到贮存器中的目标材料的压力的指示，以及基于所确定的所施加的压力的指示来控制致动器的运动。

实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。控制系统还可以被配置为比较所确定的所施加的压力的指示与阈值，并且控制系统被配置为基于所确定的所施加的压力的指示来控制致动器的运动可以包括：控制系统被配置为基于比较来控制致动器的运动。致动器的运动可能产生导管壁中的位移和导管内部的声波，阈值可能与声波的幅度有关。控制系统被配置为基于比较来控制致动器可以包括：控制系统被配置为如果所确定的所施加的压力的指示大于阈值，则仅使得致动器产生导管壁中的位移。阈值可以是零与工作压力之间的阈值压力，并且工作压力可以是在EUV光源操作期间施加到贮存器中的目标材料的压力量。声波可以包括最大幅度，并且阈值可以由最大幅度限定。阈值可以是每平方英寸(PSI)200磅至1000磅范围内的阈值压力。控制系统还可以包括一个或多个电子处理器、以及耦合到该一个或多个电子处理器的非暂态计算机可读存储介质。

在一些实现方式中，控制系统被配置为基于所确定的所施加的压力的指示来控制致动器的运动包括：控制系统被配置为基于所确定的所施加的压力的指示向致动器提供调制信号，调制信号足以使得致动器在导管壁中产生位移。致动器可以包括压电调制器，并且调制信号可以包括电信号，该电信号足以使得压电调制器的形状发生改变。

控制系统还可以包括电开关，该电开关被配置为耦合到致动器，并且其中电开关被配置为接收所施加的压力的指示，该电开关被配置为在特定时间具有多个可能状态中的一个特定可能状态，电开关在少于所有多个状态中的状态中允许调制信号到达致动器，电开关在特定时间的特定状态通过所接收的所施加的压力的指示确定，并且控制系统被配置为确定所施加的压力的指示包括确定电开关处于特定状态。所施加的压力的指示可以从耦合到贮存器的单独压力开关接收。所接收的所施加的压力的指示可以包括直接从压力传感器接收的模拟信号。所接收的所施加的压力的指示可以包括由通过电子处理器执行的指令生成的电子信号。

在一些实现方式中，导管的内部表面被配置为暴露于目标材料，并且内部表面基本没有缺陷，从而减少目标材料中的空化。内部表面的至少一部分可以经过火焰抛光。

控制系统被配置为确定施加到目标材料的压力的指示可以包括：控制系统被配置成分析来自压力传感器的指示，该压力传感器被配置为测量所施加的压力。

在另一方面中，一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统包括：导管，该导管包括孔，该孔被配置为流体耦合到贮存器；致动器，该致动器被配置为机械耦合到导管，使得致动器的运动传递到导管；信号生成器，该信号生成器被配置为向致动器提供调制信号，该调制信号足以使得致动器移动；以及控制系统，该控制系统耦合到致动器和信号生成器，该控制系统被配置为：控制调制信号的一个或多个特性，从而控制致动器的运动的一个或多个特性，使得使用时，孔基本没有材料损坏。

实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。一个或多个特性可以包括调制信号的频率内容，并且控制系统可以被配置为控制调制信号的频率内容。控制系统可以被配置为减小调制信号中的频率低于频率阈值的分量的幅度。机械耦合的致动器和导管可以形成致动器-导管组件，并且控制系统可以被配置为减小调制信号中的处于与以下各项相关联的频率的分量的幅度：致动器-导管组件的本征模式或其谐波和次谐波。

一个或多个特性可以包括调制信号的幅度，并且控制系统被配置为控制调制信号的幅度。控制系统可以被配置为维持调制信号的幅度低于幅度限制。幅度限制可以是峰到峰幅度限制。

孔可以保持基本无裂纹。

孔可以由导管的端部限定。

导管可以耦合到限定孔的结构。

在另一方面中，一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统包括贮存器，该贮存器被配置为容纳混合物，该混合物包括目标材料和内含物颗粒；导管，该导管包括孔，该孔被配置为流体耦合到贮存器；致动器，该致动器被配置为机械耦合到贮存器，使得致动器的运动被传递到贮存器；以及控制系统，该控制系统耦合到致动器，该控制系统被配置为控制致动器的运动，从而使得混合物中的内含物颗粒朝向混合物的表面移动。

实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。致动器可以是超声波致动器。目标输送系统还可以包括气体递送系统，该气体递送系统被配置为跨混合物表面递送流动气体。流动气体可以包括至少一种组分，该至少一种组分被配置为与内含物颗粒反应，从而从表面去除内含物颗粒中的至少一些内含物颗粒。目标材料可以包括熔融锡，内含物颗粒可以包括氧化锡颗粒，并且流动气体可以包括氢气。可以控制致动器的运动，使得在混合物中引起空化，并且内含物颗粒通过空化在颗粒周围形成的气泡而被移向表面。

目标递送系统还可以包括一个或多个过滤器，该一个或多个过滤器位于贮存器与孔之间，过滤器被配置为基本防止内含物颗粒到达孔。内含物颗粒的直径可以为1微米(μm)或更小。

内含物颗粒可以包括氧化锡颗粒。

在另一方面中，一种操作EUV光源的目标供应系统的方法包括：确定供应系统的一个或多个特性；并且基于所确定的一个或多个特性来控制机械耦合到供应系统的致动器，使得供应系统的孔在操作使用期间保持基本没有材料损坏。

上文所描述的技术中的任一技术的实现方式可以包括EUV光源、目标供应系统、方法、过程、设备或装置。在附图和下文的描述中对一个或多个实现方式的细节进行阐述。根据描述和附图以及权利要求，其他特征将是显而易见的。

附图说明

图1是包括供应系统的EUV光源的示例的框图。

图2A是目标形成结构的示例的侧剖视图。

图2B是图2A的目标形成结构的顶剖视图。

图3A至图3C和图4是具有多种控制系统的图1的EUV光源的示例的框图。

图5是EUV光源的另一示例的框图。

图6是用于操作EUV光源的供应系统的过程的示例的流程图。

图7A和图7B是光刻装置的示例的框图。

图8是EUV光源的示例的框图。

具体实施方式

参考图1，示出了包括供应系统110的EUV光源100的框图。供应系统110发射目标121的流，使得目标121p被递送到真空腔室109中的等离子体形成位置123。目标121p包括目标材料，该目标材料是当处于等离子体状态时发射EUV光的任何材料。例如，目标材料可以包括锡、锂或氙。等离子体形成位置123接收光束106。光束106由光学源105生成并且经由光学路径107递送到真空腔室109。光束106与目标121p中的目标材料之间的相互作用产生发射EUV光的等离子体196。

供应系统110可以包括毛细管114，该毛细管114具有孔119。孔119位于毛细管114的端部并且孔119形成毛细管114的出口。毛细管114可以例如由熔融石英或石英形式的玻璃制成。在插图中更详细地示出了涵盖毛细管114的一部分的(在图1中由虚线勾画的)区域113。毛细管114的侧壁150通过(在图1中使用交叉线阴影示出的)粘合剂134机械耦合到致动器132。区域113不是真空腔室109内的物理结构，而是用于标记更详细示出的供应系统110的一部分。孔119流体耦合到包含处于压力p下的目标混合物111的贮存器112。目标混合物111包括目标材料，该目标材料是当处于等离子体状态时具有处于EUV范围内的发射谱线的任何材料。如上文所描述的，目标材料可以是例如锡、锂或氙。其他材料可以用作目标材料。例如，锡元素可以作为纯锡(Sn)；锡化合物，例如，SnBr₄、SnBr₂、SnH₄；锡合金，例如，锡-镓合金、锡-铟合金、锡-铟-镓合金或这些合金的任何组合而被使用。目标混合物还可以包括诸如非目标颗粒或内含物颗粒117之类的杂质。内含物颗粒117可以是例如氧化锡(SnO₂)颗粒或钨(W)颗粒。

目标混合物111是能够在毛细管114中流动的液体材料。例如，在目标混合物111包括在室温下为固体的金属(诸如锡)的实现方式中，金属被熔融并且在目标混合物111中呈液态。在某些条件下，在目标混合物111中可能形成空化气泡。气泡可能对毛细管114和/或孔119造成损坏。下文对减少或消除形成气泡的技术进行讨论。当压力p大于拉普拉斯压力时，目标混合物111流过毛细管114并且通过孔119喷射到腔室109中。拉普拉斯压力是弯曲表面的内部和外部之间的压力差，该弯曲表面形成气体区域与液体区域之间的边界。压力差由液体与气体之间的界面的表面张力引起。当压力p大于拉普拉斯压力时，目标混合物111作为连续射流124离开孔119。

根据液体射流的瑞利-普拉托(Rayleigh-Plateau)不稳定性，射流124分解成个体目标(例如，微滴)。通过使用致动器132振动毛细管114，控制射流124的分解，使得个体微滴聚结成更大微滴，这些微滴以期望速率到达等离子体形成位置123。致动器132的运动使毛细管114的侧壁150变形，从而在位于毛细管114中的目标混合物111中产生声波。当毛细管114中的目标混合物111中的声压幅度的扰动超过施加到贮存器112的压力p时，在目标混合物111中可能发生空化(也就是说，气泡形成)。例如，在当压力p从低启动压力增加到工作压力时的启动过程期间，在当压力p从工作压力下降到启动压力时的关闭过程期间，或当压力p在操作期间意外下降时，目标混合物111中的声压幅度的扰动可以超过压力p。

当条件有利于空化时，随着溶解在目标材料中的越来越多的残余气体朝向气泡扩散，初始气泡可能会随着时间的推移而继续增长；有助于产生临界尺寸的气泡的气体扩散以及交变声压最终导致气泡破裂。气泡的破裂可以生成高速液体射流，该高速液体射流可以指向毛细管的壁；结果，可以生成大到足以损坏毛细管114的大局部压力(例如，1吉帕(GPa))。因此，在目标混合物111中形成气泡可能造成对侧壁150或孔119的损坏(例如，裂纹)。

这种损坏可能导致供应系统110和EUV光源100的性能降低。例如，当孔119损坏时，流121中的微滴的尺寸与预期尺寸不同并且微滴没有按预期到达等离子体形成区域123。而且，孔119边缘上的损坏可能使得射流124以一定角度从孔119发射，使得流121中的微滴根本不会引导向等离子体形成位置123。因此，对孔119的损坏可能导致光束106不能照射微滴并且产生较少的EUV光或不会产生EUV光。因此，当在孔119上形成裂纹时，EUV光源100的性能可能会降低。

在一些现有系统和技术中，毛细管114和/或孔119的材料损坏被认为完全由穿过毛细管114和孔119的坚硬颗粒(诸如例如，钨颗粒和氧化锡颗粒)引起。如上文所讨论的，这些颗粒可能位于目标混合物111中。尽管这些颗粒可以通过传统机械过滤技术去除，但是由于目标混合物111中的空化，材料损坏仍然可能发生。因此，预防或减少空化可以有助于EUV光源100的稳健操作。在EUV光源100中，控制系统160用于防止或减少空化的发生。下文对控制系统160的几种实现方式和用于减少或消除目标混合物111中的空化的技术进行讨论。在对用于减少或消除空化的技术进行讨论之前，对供应系统110的操作和结构进行更详细的讨论。

致动器132经由控制链路162耦合到控制系统160。在图1、图3A至图3C、图4和图5中，虚线指示包括数据和信息的电信号沿着其流动的通信路径或链路。控制系统160可以包括或耦合到函数生成器、电子处理器(未示出)、和/或用于进行控制系统160的功能的电子存储装置(未示出)。控制链路162是能够将数据从控制系统160传输到致动器132的任何类型的连接。例如，控制链路162可以是被配置为在控制系统160与致动器132之间传输电子信号和命令的有线连接和/或无线连接。控制系统160生成信号，该信号当施加到致动器132或与致动器132相关联的元件时，使得致动器132移动。例如，致动器132可以是基于所施加的电压来改变形状的压电陶瓷材料。在这些实现方式中，控制系统160生成信号，该信号递送到函数生成器(未示出)，该函数生成器将波形施加到致动器132。施加到致动器132的波形的幅度和/或极性基于来自控制系统160的信号。由于毛细管114与致动器132之间的机械耦合，所以当致动器132移动或振动时，使侧壁150变形。因此，毛细管114经历与致动器132的运动相对应的运动或振动。

致动器132的运动用于控制到达等离子体形成位置123的微滴的特性。控制系统160可以经由控制链路162提供至少具有第一频率和第二频率的分量的信号，从而驱动致动器132在第一频率和第二频率下振动。第一频率可以位于兆赫(MHz)范围内。在第一频率振动毛细管114使得射流124分解成期望尺寸和速度的相对较小的目标。第二频率低于第一频率，并且第二频率是目标在完全形成时的频率，从而与EUV光源的泵浦激光脉冲的频率相匹配。例如，第二频率可以处于千赫兹(kHz)范围内。第二频率用于调节流中目标的速度并且促进微滴聚结。在第二频率下驱动毛细管114使得形成目标组。在任何给定目标组中，不同的目标以不同速度行进。速度较高的目标可以与速度较低的目标聚结以形成构成目标流121的较大聚结目标。这些较大目标彼此分开的距离大于未聚结微滴分开的距离。分开的距离较大有助于减轻由一个目标形成的等离子体对目标流121中后续目标的轨迹的影响。聚结之后，目标流121中的目标近似为球形，并且量级为30微米(μm)。

通过使得毛细管114以这种方式振动，目标可以例如在介于40kHz与300kHz之间的频率下生成并且可以以例如介于40米每秒(m/s)与120m/s之间的或高达500m/s的速度朝向等离子体形成位置123行进。目标流121中的两个相邻目标之间的空间间隔可以例如介于1毫米(mm)与3mm之间。可能需要合并50个初始微滴到300个初始微滴(也称为瑞利微滴)以形成单个较大目标。

通常，在目标射流调制信号中使用两个以上的频率。引入调制信号的附加光谱分量允许更好控制的且更快(更有效的)的微滴聚结过程。通常，这些附加频率是微滴的期望频率的高阶谐波，并且选自第二频率(kHz范围内的频率)与第一频率(MHz范围内的频率)之间的范围。调制波形可以由相位和幅度对准的若干个特意选择的正弦波组成、或是包含期望微滴频率(“第二频率”)的高频谐波的周期性波形(诸如例如，脉冲波、锯齿波或正弦波)。

图2A是X-Z平面中目标形成结构216的侧剖视图。图2B是沿着图2A的线2B′-2B′截取的Y-Z平面中的目标形成结构216的顶剖视图。

可以在EUV光源100(图1)中使用目标形成结构216代替毛细管114、致动器132和粘合剂134。目标形成结构216包括毛细管214，该毛细管214通过粘合剂234(以交叉线阴影示出)机械耦合到致动器232。粘合剂234是能够机械耦合毛细管214和致动器232的任何类型的粘合剂。例如，粘合剂234可以是苯并恶嗪树脂、含有苯并恶嗪的树脂、氰酸酯树脂、含有氰酸酯的树脂、双马来酰亚胺基粘合剂或环氧树脂。

毛细管214包括侧壁250，该侧壁250沿着X方向从第一端251延伸到第二端252。侧壁250是大致柱形的三维对象。侧壁250包括内表面253和外表面254。内表面253限定内部区域258(图2A和图2B)，该内部区域与第一端251处的喷嘴255流体连通。喷嘴255沿着-X方向以限定孔219。操作使用时，内部区域258流体耦合到容纳目标混合物(诸如目标混合物111)的贮存器(诸如图1的贮存器112)，并且目标混合物在毛细管214的内部区域258中流动并且沿-X方向通过孔219。

内表面253和/或孔219上的缺陷(诸如例如，微裂纹、凹痕、凹部和颗粒)可以用作促进在目标混合物111中空化和气泡形成的成核位点。为了减少或消除这些气泡的形成，内表面253和孔被制造为基本没有缺陷。例如，内表面253和孔119可能经过火焰抛光。火焰抛光是一种通过对边缘施加火焰来抛光玻璃对象的粗糙边缘的技术。

在图2A和图2B的示例中，致动器232是具有外致动器表面235和内致动器表面236的柱体。内致动器表面236限定沿着X方向延伸的开放中心区域。内致动器表面236包围外表面254。致动器232由能够使得侧壁250移动的任何材料制成。例如，致动器232可以是压电陶瓷材料，诸如响应于施加电压而改变形状的锆钛酸铅(PZT)。通过改变形状，PZT还使得毛细管214的侧壁250变形。例如，致动器232可以振动或挤压毛细管214的侧壁250。

参考图3A，示出了具有控制系统360A的EUV光源100的框图。控制系统360A是控制系统160(图1)的实现方式的示例。

控制系统360A耦合到贮存器112和致动器132。控制系统360A基于施加到目标混合物111的压力p来控制致动器132。例如，控制系统360A可以控制致动器132，使得致动器132仅当压力p大于阈值压力时，使毛细管114振动。阈值压力是低于工作压力的压力。工作压力是当光源100正在产生EUV光时的典型操作期间的压力p的值。工作压力可以是例如3000(psi)至15000(psi)或更高。阈值压力可以是例如200psi至1000psi。因此，控制系统360A可以防止毛细管114振动，除非压力p大于200psi、大于500psi或大于1000psi。阈值压力的准确值由致动器在毛细管中产生的压力波的最大幅度定义。通过当压力p相对较低时防止毛细管114振动，控制系统360A防止或减少空化。

控制系统360A可以以多种方式实现，并且关于图3B和图3C对两个示例进行讨论。

图3B是具有控制系统360B的EUV光源100的框图。控制系统360B是控制系统360A的实现方式。控制系统360B耦合到压力系统370，该压力系统370对贮存器112加压。压力系统370包括压力设备系统373，该压力设备系统373包括例如泵、气体供应、阀门、和/或能够以增加、减少或维持施加到贮存器112中的目标混合物111的压力p的其他设备。

压力系统370还包括通信接口372，该通信接口372耦合到数据链路371。压力系统370和控制系统360B通过数据链路371耦合。数据链路371是任何类型的通信信道，通过该通信信道，可以提供数据、信息和/或命令，并且数据链路371可以是有线连接或无线连接。压力系统370可以经由数据链路371向控制系统360B提供所施加的压力p的值(或所施加的压力p的值的指示)，或控制系统360B可以从压力系统370中检索压力p的值。在一些实现方式中，压力系统370包括测量所施加的压力p的压力传感器(未示出)。在其他实现方式中，压力系统370被校准以施加特定压力p，并且压力系统370提供与所施加的压力p有关的信息而不测量所实际施加的压力p。

控制系统360B使用电子处理器361B、电子存储器362B和I/O接口363B来实现。I/O接口363B是允许控制系统360B接收或发送信息或数据的任何类型的接口。例如，I/O接口363B可以是键盘、鼠标、或使得操作员能够操作和/或编程控制系统360B的其他计算机外围设备。I/O接口363B可以包括产生可感知警报的设备，诸如光或扬声器。更进一步地，I/O接口363B可以包括通信接口，诸如通用串行端口(USB)、网络连接、或允许与控制系统360B通信的任何其他接口。

电子处理器361B包括适合于执行计算机程序的一个或多个处理器(诸如通用微处理器或专用微处理器)、以及任何类型的数字计算机的任何一个或多个处理器。通常，电子处理器从只读存储器、随机存取存储器(RAM)或两者接收指令和数据。电子处理器361B可以是任何类型的合适的电子处理器。

电子存储装置362B可以是易失性存储器，诸如RAM、或非易失性存储器。在一些实现方式中，电子存储器362B包括非易失性和易失性部分或部件。电子存储装置362B可以存储用于操作控制系统360B的数据和信息。例如，电子存储装置362B可以存储关于供应系统110和/或压力系统370的操作的信息。在一些实现方式中，电子存储装置362B存储应当在供应系统110的典型操作期间所施加的压力p的值。而且，电子存储装置存储阈值。阈值是如下的值，该值是低于已知发生或可能发生空化的压力的压力或与该压力相关。例如，阈值可以是以PSI表达的压力或与如下压力相关的值(诸如由开关或电气设备产生的电压值)，在该压力之下已知发生或可能发生空化。

附加地，电子存储装置362B存储指令(例如，以计算机程序的形式)，这些指令当执行时，使得电子处理器361B向致动器132提供电信号(例如，调制信号或激励信号)，以使得致动器132振动毛细管114。电子存储装置362B可以存储足以使得电子处理器361B产生具有多种不同特性的调制信号的信息。例如，控制系统360B可以产生调制信号，该调制信号是具有特定最大、最小幅度和频率的正弦波电压信号，或具有特定占空比、最大幅度和最小幅度的方波，或这样的波形的组合。这样，控制系统360B还能够作为函数生成器执行。

电子存储装置362B还存储指令(例如，以计算机程序的形式)，这些指令实现与防止空化或减少空化发生有关的各种分析。例如，电子存储装置362B可以存储分析来自压力系统370的压力值并且比较该值与电子存储器362B中存储的阈值的指令。电子存储装置362B还可以包括与供应系统110的操作有关的指令，这些指令取决于所存储的阈值与压力系统370所指示的压力p的值之间的比较结果。

电子存储装置362B还存储指令，诸如计算机程序，这些指令当被执行时，使得电子处理器361B与供应系统110和/或压力系统370中的部件通信。例如，电子存储装置362B存储指令，这些指令使得电子处理器361B经由链路162提供调制信号，这些调制信号足以使得致动器132仅当从压力系统370提供的压力大于所存储的阈值压力时，振动毛细管114。

在一些实现方式中，控制系统360B还包括电开关381，该电开关381用于控制调制信号流向致动器132。电开关381具有多个状态，少于所有状态的状态允许来自控制系统360B的信号到达致动器132。例如，电开关381可以具有其中开关381将电信号从控制系统360B传递到致动器132的ON状态和其中开关381不允许来自控制系统360B的调制信号到达致动器的OFF状态。

图3C是具有控制系统360C的EUV光源100的框图。控制系统360C是控制系统360A的实现方式的另一实施例。控制系统360C包括电开关381。在图3C的实现方式中，电开关381用于直接控制函数生成器384的操作，该函数生成器经由链路162向致动器132提供调制信号。

电开关381耦合到压力指示器383和函数生成器384。电开关381从压力指示器383接收压力p的量的指示。开关381具有多个状态，并且开关381的状态由从压力指示器接收的压力p确定。在至少一个状态下，开关381防止函数生成器384所生成的调制信号到达致动器132。在至少一个其他状态下，开关381允许函数生成器384所生成的调制信号到达致动器132。例如，电开关381可以在一种状态下而非在另一种状态下启用函数生成器384中的输出信号。在另一示例中，电开关381在一种状态下断开函数生成器384与致动器132之间的电气路径并且在另一种状态下闭合电气路径。在该实现方式中，调制信号仅能够在关闭电气路径时到达致动器。因此，控制系统360C基于压力p来控制致动器132的操作(因此控制毛细管114的振动)。

压力指示器383是能够产生表示压力p的值的电信号(例如，电压和/或电流)的任何类型的设备。在一些实现方式中，压力指示器383是直接测量压力p并且产生表示所测量的压力p的电信号的压力传感器。在这些实现方式中，来自压力指示器383的电信号是具有指示所测量的所施加的压力p的量的幅度的电流或电压。来自压力传感器的电信号的幅度足以使电开关381改变状态。例如，电信号可以是电压信号，并且电开关381可以是晶体管或二极管，该晶体管或二极管仅当电压信号的幅度高于特定值时才允许电流流动。

在其他实现方式中，压力开关用作压力指示器383。压力开关是当在压力开关的输入处达到预先确定的流体压力时闭合电路的开关。压力开关可以是例如包括诸如波纹管、活塞或基于压力开关的输入处的压力而移动或变形的隔膜之类的移动元件的胶囊。当达到或超过预先确定的压力时，运动或变形使电触点进行物理接触，从而闭合压力开关。

在使用压力开关作为压力指示器383的实现方式中，压力开关的输入耦合到贮存器112，使得当施加到目标混合物111的压力p大于预先确定的流体压力时，压力开关闭合。压力开关的输出耦合到电开关381。当压力开关闭合时(即当目标混合物111的压力p大于预先确定的压力时)，电开关381处于其中电开关381允许由函数生成器384生成的调制信号到达致动器132的状态。例如，在一些实现方式中，当压力开关闭合时，电开关381处于以下状态：传导电流并且允许电流流到函数生成器，使得函数生成器被供电并且生成调制信号，该调制信号经由链路162递送到致动器132。在这些实现方式中，当压力开关断开时(也就是说，当压力p低于预先设置的压力时)，电开关381断开并且不会传导电流或向函数生成器384提供电流。因此，当压力p低于预先确定的压力时，函数生成器384不被供电，并且没有生成调制信号，调制信号也没有递送到致动器132。

图4是具有控制系统460的EUV光源100的框图。控制系统460是控制系统160(图1)的实现方式的示例。控制系统460通过控制致动器132振动的频率并且控制施加到致动器132的调制信号的频率内容，来减少或防止在毛细管114中流动的目标混合物111中的空化。

如上文所讨论的，在典型操作期间，致动器132由电波形驱动，该电波形被组成为促进微滴聚结以产生以期望速率到达等离子体形成位置123并且具有期望尺寸的个体微滴。用于驱动致动器132的调制信号可以包括对微滴聚结没有贡献的频率下的分量。而且，使用这些其他频率调制致动器132可以增加空化的机会。例如，以与完全聚结的微滴的期望频率不同的相对较低的频率调制致动器132可以增加空化的机会，因为目标材料中的空化声学功率密度阈值是调制频率的函数(也就是说，对于较低的调制频率，空化声学功率密度阈值较低，所以在较低的调制频率下空化更容易发生)。因此，在一些实现方式中，控制系统460被配置为去除或降低调制信号中的低于频率阈值的并且对微滴聚结过程没有关键贡献的分量的幅度。

机械耦合的致动器132和毛细管114形成与本征模式相关联的目标形成结构，该本征模式是由机械耦合的致动器132和毛细管114形成的结构的正常振动模式。使用包括与以下各项相关联的频率的调制信号驱动致动器132增加了空化的可能性：结构的本征模式、结构的本征模式的谐波、或结构的本征模式的次谐波。例如，在致动器132是管结构(诸如关于图2A和图2B所讨论的致动器232)的实现方式中，因为对于给定调制电压，声波在这些频率下的幅度由于谐振效应而更大，所以在与致动器132的长度或纵向模式机械谐振一致的频率(通常在200kHz至600kHz范围内)下驱动致动器132可以增加目标混合物111中空化的可能性。

控制系统460被配置为去除或降低与组合的毛细管114和致动器132的结构、致动器132和/或毛细管114的本征模式相关联的频率的幅度。例如，可以在制造期间评估致动器132和毛细管114的机械特性，并且要避免或最小化的频率存储在电子存储装置462中。在操作使用期间，控制系统460在将调制信号应用到致动器132之前从调制信号中去除或过滤频率。

控制系统460包括电子处理器461、电子存储装置462和I/O接口463。电子处理器461是能够处理数据并且执行指令的任何类型的电子处理器461。控制系统460可以包括多于一个电子处理器461。电子存储装置462是任何类型的电子存储器并且可以包括易失性部件和/或非易失性部件。I/O接口463是允许操作员或外部设备与控制系统460通信的任何类型的接口。与关于图3B所讨论的控制系统360B相似，控制系统460能够被配置为充当函数生成器。因此，控制系统460可以产生用于调制或驱动致动器132的调制信号(例如，电压信号和/或电流信号)。

电子存储装置462存储指令，诸如形式为计算机程序的指令，这些指令控制由控制系统460产生的调制信号的频率内容。例如，电子存储装置462可以存储阈值频率值，该阈值频率值用作用于控制系统460所产生的调制信号的最小频率值。在另一示例中，电子存储装置462存储分析并过滤调制信号的指令，以便不想要的频率分量在提供给致动器132之前去除或减小其幅度。在又一示例中，电子存储装置462存储表示被降低的频率分量的最大幅度可能具有的最小幅度值。最小幅度值可以是峰到峰值和/或最大值。

非期望驱动频率在供应系统110的不同实例之间可能变化。因此，在制造或组装过程期间评估供应系统110的机械特性。在一些实现方式中，EUV光源100的操作者可以在EUV光源100的使用寿命期间根据需要增加或改变要避免或最小化的频率。在其他实现方式中，供应系统110上的机器可读标签(诸如射频标识(RFID)标签)包含特定于供应系统110的信息(诸如非期望驱动频率)。使用适当设备(例如，RFID阅读器)读取标签使得关于供应系统110的信息保存在控制系统460中并且在供应系统110的操作期间使用。

图5是EUV光源500的框图。EUV光源500与EUV光源100(图1)相似，除了EUV光源500包括供应系统510，该供应系统510包括致动器532，该致动器532机械安装到贮存器112。EUV光源500使用超声波过滤和/或机械过滤来去除或减少目标混合物111中的内含物颗粒117。如上文所讨论的，颗粒材料可以充当空化的成核位点，因此期望在混合物111到达孔119之前，从目标混合物111去除内含物颗粒117。保持在贮存器112中的液体目标混合物111包括目标材料(例如，熔融锡)和内含物颗粒117。内含物颗粒117例如可以包括氧化锡(SnO₂)颗粒。内含物颗粒117是非目标材料并且无需产生等离子体196的颗粒。因此，可以在不影响EUV光的产生的情况下，从目标混合物111去除内含物颗粒117。

在一些实现方式中，供应系统510包括一个或多个过滤器592，该一个或多个过滤器592位于贮存器112与孔119之间。过滤器592具有小于内含物颗粒117中的大多数内含物颗粒117的直径的开口。例如，过滤器592可以由固体金属块状材料形成，该固体金属快材料包括直径小于内含物颗粒116的直径的通孔；和/或过滤器592可以由网状材料或烧结材料制成。过滤器592被定位为使得目标混合物111与过滤器592相互作用并且液体目标材料流过过滤器592。内含物颗粒117中的大多数内含物颗粒117不能流过过滤器592，因此不会到达孔119。

过滤器592被设计为捕获小颗粒(例如，尺寸低至约20纳米(nm))。EUV供应系统中使用的过滤器通常被设计为用于捕获尺寸处于1μm至10μm范围内的颗粒，该尺寸与孔119的直径近似。因此，通常使用被设计为捕获尺寸处于1μm至10μm范围内的颗粒过滤器，以防止喷嘴孔堵塞。然而，过滤器592也旨在捕获尺寸小于1μm的较小颗粒。例如，过滤器592可以被设计为捕获尺寸为20nm的颗粒。因为可以通过纳米级尺寸颗粒形式的成核位点促进空化，所以过滤器592被设计为捕获这样的小颗粒。因此，过滤器592有意与通常在EUV供应系统中使用的过滤器不同。

可替代地或另外地，超声波过滤技术用于去除或减少内含物颗粒117。超声波过滤是通过向流体施加超声波调制信号来去除或定位存在于流体中的颗粒碎片的技术。

致动器532机械耦合到贮存器112的壁594。控制系统560经由数据链路562向致动器532提供调制信号。致动器532在超声波频率(例如，20kHz至30kHz)下驱动。驱动致动器532在贮存器112中的目标混合物111中产生压力波。在声学功率足够高的情况下，压力波产生附着到小颗粒的空化气泡，由于浮力，这些空化气泡将颗粒带向表面595。除非由于贮存器中的大温度梯度而存在目标材料的显著对流流动112，否则由于氧化物的密度低于目标材料本身的密度，所以一旦位于表面595处，内含物颗粒117就保留在表面595处。因此，在典型操作条件下并且当目标混合物111没有完全从贮存器112中排出时，内含物颗粒117保留在表面595处并且不会流入毛细管114或孔119中。因此，减小毛细管114中的空化。当EUV光源500不用于产生EUV光时，这种清洁仅在短时间段内周期性地进行。

在图5的示例中，EUV光源500包括气体供应系统590。气体供应系统590发射流过表面595的气体。气体供应系统590包括被配置为控制、调节和/或产生流动气体的部件。例如，气体供应系统590可以包括容纳气体的气罐、管、阀门、管道和/或泵。

从气体供应系统590流出的气体是与内含物颗粒117(其已经朝向表面595移动)反应的气体。例如，在内含物颗粒117是氧化锡(SnO₂)颗粒的实现方式中，气体供应系统产生流过表面595的氢气。氢气与氧化锡内含物颗粒117反应以形成锡和水的分子，这些形成的分子从表面595去除。

参考图6，示出了过程600的流程图。过程600是用于以避免或减少毛细管114中空化发生的方式操作EUV光源的供应系统的过程的示例。通过减少或消除空化的发生，过程600有助于确保在操作使用期间孔119保持无损坏。过程600可以由控制系统160、360A、360B、360C、460和560中的任一控制系统来执行。关于供应系统110和供应系统510对过程600进行讨论。

确定(610)供应系统110的一个或多个特性。该特性可以与压力有关。例如，所施加的压力p可以由压力传感器测量或由压力开关确定。在另一示例中，该特性是阈值压力，在该阈值压力之下，不会操作致动器132。

在一些实现方式中，特性与毛细管114振动的频率有关。在这些实现方式中，特性可以是阈值频率。阈值频率是毛细管114可以在不发生空化的情况下振动的最低频率。阈值频率可以在制造或组装供应系统110时确定，或阈值频率可以由终端用户在现场确定。与频率有关的特性还可能与供应系统110的物理结构有关。例如，当毛细管114在作为由致动器132和毛细管114形成的结构的本征模式的频率或该本征模式的谐波或次谐波下振动时，更可能发生空化。

在一些实现方式中，特性与供应系统的配置有关。例如，该特性可以与致动器(诸如供应系统510中示出的致动器532)是否耦合到贮存器112有关。

机械耦合到供应系统110的致动器被控制为使得孔119保持基本没有材料损坏(620)。例如，可以基于所施加的压力p的量来控制致动器132。在另一示例中，致动器132可以被控制为使得毛细管114不因具有特定频率分量或特定频率分量范围的激励而振动。在又一示例中，致动器532被控制为向贮存器中的目标混合物111提供超声振动，以促使内含物颗粒117移动到表面595。

附加地，可以使用不止一种技术来防止或减少空化。例如，所施加的压力p可以用于控制致动器132，如关于图3A至图3C所讨论的，并且可以控制提供给致动器132的调制信号的频率内容，如关于图4所讨论的。而且，关于图5所讨论的超声过滤和/或机械过滤也可以随同图3A至图3C和/或图4所讨论的技术一起使用。最后，上文所讨论的控制系统中的任何控制系统和上文所讨论的供应系统中的任何供应系统可以与目标形成结构216(图2A和图2B)而非与致动器132和毛细管114一起使用。

空化所导致的导管和孔损坏并非唯一归因于上文所描述的配置中的目标供应系统。在具有其他配置的供应系统中可能会出现相同的问题，并且相同缓解措施可以应用于其他常用配置中的供应系统。例如，目标供应系统可以包括由高强度金属或陶瓷材料而非玻璃毛细管制成的用于目标材料的导管。在这些实现方式中，导管耦合到具有小孔的孔板，该小孔被设计为以破碎成微滴的液体射流的形式输出目标材料。在这种配置中对液体射流的调制可以通过机械预先加载的压电致动器来完成，该机械预先加载的压电致动器通过振动导管壁或薄膜在目标材料中产生声波，为了便于调制，可以在供应系统的设计中引入该薄膜。而且，致动器可以具有管状形状，或可以具有适于有效激发位于导管中的目标材料中的声波的任何其他形状。例如，致动器的形状可以具有盘或盘堆叠的形状。致动器的动作可以通过可以在导管中形成的声学(亥姆霍兹(Helmholtz)型)谐振器来增强。

图7A和图7B是可以使用上文所讨论的控制系统和/或供应系统的EUV光刻装置的示例。图8是可以使用上文所讨论的控制系统和/或供应系统的EUV光源的示例。

图7A是包括源收集器模块SO的光刻装置700的框图。该光刻装置700包括：

·照射系统(照射器)IL，其被配置为调节辐射束B(例如，EUV辐射)。

·支撑结构(例如，掩模台)MT，其被构造为支撑图案形成设备(例如，掩模或掩模版)MA，并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为精确定位图案形成设备；

·衬底台(例如，晶片台)WT，其被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为精确定位衬底；以及

·投影系统(例如，反射投影系统)PS，其被配置为将通过图案形成设备MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个芯片)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射部件、反射部件、磁性部件、电磁部件、静电部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合，用于引导、整形或控制辐射。

支撑结构MT以取决于图案形成设备的定向、光刻装置的设计以及其他条件(诸如例如，图案形成设备是否保持在真空环境中)的方式保持图案形成设备MA。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持图案形成设备。支撑结构可以例如是框架或台，其可以根据需要是固定的或可移动的。支撑结构可以确保图案形成设备处于例如相对于投影系统的期望位置。

术语“图案形成设备”应当被广义地解释为是指可以用于向辐射束的横截面赋予图案以在衬底的目标部分中形成图案的任何设备。赋予到辐射束的图案可以与在诸如集成电路之类的目标部分中产生的设备中的特定功能层相对应。

图案形成设备可以是透射式图案形成设备或反射式图案形成设备。图案形成设备的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移之类的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，其中每个小反射镜可以单独倾斜，以便沿不同方向反射传入辐射束。倾斜反射镜在辐射束中赋予图案，该辐射束由反射镜矩阵反射。

视正在使用的曝光辐射或其他因素(诸如使用真空)的情况而定，像照射系统IL一样，投影系统PS可以包括各种类型的光学部件，诸如折射部件、反射部件、磁性部件、电磁部件、静电部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合。由于其他气体可能吸收太多的辐射，所以可能期望对EUV辐射使用真空。因此，可以借助于真空壁和真空泵向整个射束路径提供真空环境。

在图7A和图7B的示例中，该装置是反射型装置(例如，采用反射式掩模)。光刻装置可以是具有两个(双台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个图案形成设备台)的类型。在这样的“多台”机器中，可以并行使用附加台，或可以在一个或多个台上进行准备步骤，同时一个或多个其他台用于曝光。

参考图7A，照射器IL从源收集器模块SO接收极紫外辐射束。产生EUV光的方法包括但不限于将材料转换为具有至少一种元素(例如，氙、锂或锡)的等离子体态，其中一个或多个发射线处于EUV范围内。在一种这样的方法中——通常称为激光产生等离子体(“LPP”)——所需等离子体通过用激光束照射燃料(诸如具有所需线发射元件的材料的微滴、流或簇)来产生。源收集器模块SO可以是包括激光器(图7A未示出)的EUV辐射系统的一部分，用于提供激发燃料的激光束。所得等离子体发射输出辐射，例如，EUV辐射，该EUV辐射使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是单独实体，例如，当二氧化碳(CO₂)激光器被用于提供用于燃料激发的激光束时。

在这种情况下，激光器不被认为是形成光刻装置的一部分，并且辐射束借助于光束传递系统从激光器传递到源收集器模块，该光束传递系统包括例如适当的引导反射镜和/或扩束器。在其他情况下，源可能是源收集器模块的组成部分，例如，当源是放电产生等离子体EUV生成器(通常被称为DPP源)时。

照射器IL可以包括调整器，其用于调整辐射束的角强度分布。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如琢面场反射镜器件和琢面光瞳反射镜器件。照射器IL可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望均匀性和强度分布。

辐射束B入射在图案形成设备(例如，掩模)MA上，该图案形成设备(例如，掩模)MA保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上，并且通过图案形成设备进行图案化。在从图案形成设备(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪设备、线性编码器、或电容传感器)，可以精确移动衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。同样，第一定位器PM和另一位置传感器PS1可以用于相对于辐射束B的路径精确定位图案形成设备(例如，掩模)MA。可以使用图案形成设备对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成设备(例如，掩模)MA和衬底W。

所描绘的装置可以在以下模式中的至少一种模式下使用：

1.在步进模式下，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT基本上保持静止，而赋予到辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(也就是说，单次静态曝光)。然后，衬底台WT沿X方向和/或Y方向偏移，使得可以曝光不同的目标部分C。

2.在扫描模式下，同步扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT，同时赋予到辐射束的图案投影到目标部分C上(也就是说，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向可以由投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一模式下，支撑结构(例如，掩模台)MT保持基本静止，从而保持可编程图案形成设备，并且移动或扫描衬底台WT，同时赋予到辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式下，在每次移动衬底台WT之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要采用脉冲辐射源并且更新可编程图案形成设备。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成设备(诸如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。

还可以采用上文所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

图7B更详细地示出了光刻装置700的实现方式，该光刻装置700包括源收集器模块SO、照射系统IL、以及投影系统PS。源收集器模块SO被构造和布置为使得可以在源收集器模块SO的围合结构720中维持真空环境。系统IL和PS同样容装在它们自己的真空环境中。可以通过激光产生LPP等离子体源形成EUV辐射发射等离子体2。源收集器模块SO的功能是传递来自等离子体2的EUV辐射束20，使得其聚焦在虚拟源点中。虚拟源点通常被称为中间焦点(IF)，并且源收集器模块被布置为使得中间焦点IF位于围合结构720中的孔721处或附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体2的图像。

从中间焦点IF处的孔721，辐射横穿照射系统IL，在该示例中，该照射系统IL包括琢面场反射镜器件22和琢面光瞳反射镜器件24。这些器件形成所谓的“蝇眼”照射器，其被布置为在图案形成设备MA处提供辐射束21的期望角度分布以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望均匀性(如附图标记760所示)。继在由支撑结构(掩模台)MT保持的图案形成设备MA处反射束21之后，形成经图案化光束26，并且投影系统PS经由反射元件28、30把经图案化光束26成像到由衬底台WT保持的衬底W上。为了在衬底W上曝光目标部分C，在衬底台WT和图案形成设备台MT执行同步移动以通过照射狭缝扫描图案形成设备MA上的图案的同时，生成辐射脉冲。

每个系统IL和PS布置在其自己的真空环境或近真空环境内，该真空环境或近真空环境由与围合结构720相似的围合结构限定。照射系统IL和投影系统PS中通常可以具有比所示的元件更多的元件。进一步地，可能具有比所示的反射镜更多的反射镜。例如，除了图7B所示的反射元件之外，照射系统IL和/或投影系统PS中可以存在一到六个附加反射元件。

更详细地考虑源收集器模块SO，包括激光器723的激光能量源被布置为将激光能量724沉积到包括目标材料的燃料中。目标材料可以是在等离子体状态下发射EUV辐射的任何材料，诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)。等离子体2是具有几十电子伏特(eV)的电子温度的高度电离的等离子体。可能通过其他燃料材料(例如，铽(Tb)和钆(Gd)生成较高能量的EUV辐射。在这些离子的去激发和重新组合期间产生的能量辐射被从等离子体发射，由近正入射收集器3收集并且聚焦在孔721上。等离子体2和孔721分别位于收集器CO的第一焦点和第二焦点处。

尽管图7B所示的收集器3是单个曲面反射镜，但是收集器可以采用其他形式。例如，收集器可以是具有两个辐射收集表面的施瓦茨希尔德(Schwarzschild)收集器。在一个实施例中，收集器可以是掠入射收集器，其包括彼此嵌套的多个基本柱形的反射器。

为了递送例如液态锡的燃料，微滴生成器726被布置在围合结构720内，被布置为朝向等离子体2的期望位置激发微滴的高频流728。微滴生成器726可以是目标形成结构216和/或由致动器132和毛细管114形成的目标形成装置。在操作中，激光能量724与微滴生成器726的操作同步被递送，以递送辐射的脉冲而将每个燃料微滴转换为等离子体2。微滴2的递送频率可以是若干千赫兹，例如，50kHz。在实际中，激光能量724在至少两个脉冲中被递送：具有有限能量的预脉冲在微滴到达等离子位置之前被递送至微滴，以便将燃料材料蒸发成小的云状物，然后激光能量724的主脉冲被递送至在期望位置处的云状物，以生成等离子体2。阱730设置在围合结构720的相对侧上，以捕获无论因为什么没有转化成等离子体的燃料。

微滴生成器726包括容装燃料液体(例如，熔融锡)的贮存器701和过滤器769以及喷嘴702。喷嘴702被配置为朝向等离子体2形成位置喷射燃料液体的微滴。燃料液体的微滴可以通过贮存器701内的压力和通过压电致动器(未示出)施加到喷嘴的振动的组合而从喷嘴702喷射。

如本领域普通技术人员将知道的，为了测量并描述装置的几何形状和行为、其各个部件以及辐射束20、21和26，可以定义参考轴X、Y和Z。在装置的每个部分处，可以定义X、Y、Z轴的局部参考系。在图7B的示例中，Z轴大致与系统中给定点处的方向光轴O一致，并且大致垂直于图案形成设备(掩模板)MA的平面以及垂直于衬底W的平面。在源收集器模块中，X轴大致与燃料流728的方向一致，而Y轴与如图7B中指向纸面之外的方向正交。另一方面，在保持掩模板MA的支撑结构MT的附近，X轴线大致横向于与Y轴线对准的扫描方向。为了方便，在图7B的示意性视图的该区域中，X轴线指向纸面之外，如标记所标示。这些表示在本领域中是常规的，在本文中为了方便而被采用。原则上讲，可以选择任何参考系来描述装置及其行为。

在源收集器模块和光刻装置500的操作中使用的许多附加部件作为一个整体存在于典型装置中，尽管本文中没有示出。这些包括用于减少或减轻封闭真空内的污染的影响的布置，例如，以防止燃料材料的沉积物损坏或损害收集器3和其他光学器件的性能。存在但未详细描述的其他特征是参与控制光刻装置700的各种部件和子系统的所有传感器、控制器和致动器。

参考图8，示出了LPP EUV光源800的实现方式。光源800可以用作光刻装置700中的源收集器模块SO。更进一步地，图1的光源105可以是驱动激光器815的一部分。驱动激光器815可以用作激光器723(图7B)。

LPP EUV光源800通过使用沿着朝向目标混合物814的光束路径行进的经放大光束810照射等离子体形成位置805处的目标混合物814而形成。关于图1所讨论的目标材料和关于图1所讨论的目标流121中的目标可以是目标混合物814或包括目标混合物814。等离子体形成位置805在真空室830的内部807内。当经放大光束810撞击目标混合物814时，目标混合物814内的目标材料被转换为具有发射线在EUV范围内的元素的等离子体态。所产生的等离子体具有某些特性，这些特性取决于目标材料在目标混合物814内的组成。这些特性可以包括等离子体所产生的EUV光的波长以及从等离子体释放的碎片的类型和数量。

光源800包括驱动激光器系统815，该驱动激光器系统815由于激光器系统815的一个或多个增益介质内的粒子数反转而产生经放大光束810。光源800包括激光器系统815与等离子体形成位置805之间的束递送系统，该束递送系统包括束传输系统820和聚焦组件822。束传输系统820从激光器系统815接收经放大光束810，并且根据需要转向和修改经放大光束810并且将经放大光束810输出到聚焦组件822。聚焦组件822接收经放大光束810，并且将束810聚焦到等离子体形成位置805。

在一些实现方式中，激光器系统815可以包括一个或多个光学放大器、激光器和/或灯，用于提供一个或多个主脉冲，并且在一些情况下提供一个或多个预脉冲。每个光学放大器包括能够以高增益光学放大所需波长的增益介质、激发源、以及内部光学器件。光学放大器可以具有或可以不具有形成激光腔的激光反射镜或其他反馈设备。因此，即使不存在激光腔，由于激光放大器的增益介质中的粒子数反转，激光器系统815也会产生经放大光束810。而且，如果存在激光腔以向激光器系统815提供足够反馈，则激光器系统815可以产生作为相干激光束的经放大光束810。术语“经放大光束”涵盖以下各项中的一项或多项：来自激光器系统815的仅被放大而未必是相干激光振荡的光，以及来自激光器系统815的被放大并且也是相干激光振荡的光。

激光器系统815中的光学放大器可以包括作为增益介质的填充气体，该填充气体包括CO₂，并且可以以大于或等于800倍的增益放大介于约9100nm与约11000nm之间(特别是在约10600nm)的波长的光。用于激光器系统815的合适放大器和激光器可以包括脉冲激光设备，例如，脉冲气体放电CO₂激光设备，其例如通过DC或RF激发，在相对较高的功率(例如，10kW或更高)和高脉冲重复率(例如，40kHz或更高)下操作而产生约9300nm或约10600nm的辐射。脉冲重复率可以是例如50kHz。激光器系统815中的光学放大器还可以包括诸如水之类的冷却系统，当以较高功率操作激光器系统815时，可以使用该冷却系统。

光源800包括具有孔840的收集器反射镜835，以允许经放大光束810穿过并到达等离子体形成位置805。收集器反射镜835可以是例如在等离子体形成位置805处具有主焦点并且在中间位置845处具有次级焦点(也称为中间焦点)的椭圆形反射镜，其中EUV光可以从光源800输出并且可以输入到例如集成电路光刻工具中(未示出)。光源800还可以包括端部开放的空心锥形护罩850(例如，气锥)，其从收集器反射镜835朝向等离子体形成位置805渐缩以减少进入聚焦组件822和/或束传输系统820的等离子体生成碎片的量，同时允许经放大光束810到达等离子体形成位置805。为此，可以在护罩中提供被引导向等离子体形成位置805的气流。

光源800还可以包括主控制器855，该主控制器855连接到微滴位置检测反馈系统856、激光控制系统857和光束控制系统858。光源800可以包括一个或多个目标或微滴成像器860，该一个或多个目标或微滴成像器860提供指示微滴例如相对于等离子体形成位置805的位置的输出，并且将该输出提供给微滴位置检测反馈系统856，该微滴位置检测反馈系统856可以例如计算微滴位置和轨迹，根据该微滴位置和轨迹，可以逐滴或平均计算微滴位置误差。因此，微滴位置检测反馈系统856将微滴位置误差作为输入提供给主控制器855。因此，主控制器855可以向例如激光器控制系统857和/或束控制系统858提供激光位置、方向和定时校正信号，该激光器控制系统857可以例如用于控制激光定时电路，该束控制系统858可以例如用于控制束递送系统820的经放大光束的位置和成形，以改变腔室830内的光束焦斑的位置和/或焦度。

供应系统825包括目标材料递送控制系统826，其可响应于来自主控制器855的信号而操作，以例如修改如由目标材料供应装置827释放的微滴的释放点，以校正到达期望等离子体形成位置805的微滴的误差。

附加地，光源800可以包括光源检测器865和870，该光源检测器865和870测量一个或多个EUV光参数，该一个或多个EUV光参数包括但不限于脉冲能量、能量随波长的分布、特定波长带内的能量、特定波长带之外的能量、以及EUV强度和/或平均功率的角度分布。光源检测器865生成供主控制器855使用的反馈信号。该反馈信号可以例如指示参数(诸如激光脉冲的定时和聚焦)的误差，以在恰当地点和时间准确拦截微滴用于有效并高效生产EUV光。

光源800还可以包括引导激光器875，其可以用于对准光源800的各个段或帮助将经放大光束810转向到等离子体形成位置705。结合引导激光器875，光源800包括放置在聚焦组件822内的计量系统824，以对来自引导激光器875和经放大光束810的一部分光进行采样。在其他实现方式中，计量系统824放置在束传输系统820内。计量系统824可以包括光学元件，该光学元件对光的子集进行采样或重定向，这种光学元件由可以承受引导激光束和经放大光束810的功率的任何材料制成。由于主控制器855分析来自引导激光器875的经采样光，并且使用该信息来通过光束控制系统858来调整聚焦组件822内的部件，所以由计量系统824和主控制器855形成束分析系统。

因此，总而言之，光源800产生沿着束路径定向的经放大光束810，以在等离子体形成位置805处照射目标混合物814，以将混合物814内的目标材料转换为发射在EUV范围内的光的等离子体。经放大光束810在基于激光器系统815的设计和特性所确定的特定波长(也称为驱动激光波长)下操作。附加地，当目标材料提供的反馈足以返回进入激光器系统815以产生相干激光时或如果驱动激光器系统815包括合适光学反馈以形成激光空腔，经放大光束810可以是激光束。

本发明的其他方面在以下带有编号的条款中进行阐述。

1.一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统，该系统包括：

导管，包括孔，该孔被配置为流体耦合到贮存器；

致动器，被配置为机械耦合到导管，使得致动器的运动传递到导管；以及

控制系统，耦合到致动器，该控制系统被配置为：

确定施加到贮存器中的目标材料的压力的指示，以及

基于所确定的所施加的压力的指示来控制致动器的运动。

2.根据条款1所述的目标递送系统，其中控制系统还被配置为比较所确定的所施加的压力的指示与阈值，并且控制系统被配置为基于所确定的所施加的压力的指示来控制致动器的运动包括：控制系统被配置为基于比较来控制致动器的运动。

3.根据条款2所述的目标递送系统，其中致动器的运动产生导管壁中的位移和导管内部的声波，并且该阈值与声波的幅度有关。

4.根据条款3所述的目标递送系统，其中控制系统被配置为基于比较来控制致动器包括：控制系统被配置为如果所确定的所施加的压力的指示大于阈值，则仅使得致动器在导管壁中产生位移。

5.根据条款4所述的目标递送系统，其中阈值包括介于零与工作压力之间的阈值压力，并且工作压力是在EUV光源操作期间施加到贮存器中的目标材料的压力量。

6.根据条款5所述的目标递送系统，其中声波包括最大幅度，并且阈值压力由最大幅度限定。

7.根据条款5所述的目标递送系统，其中阈值压力选自每平方英寸(PSI)200磅至1000磅的范围。

8.根据条款5所述的目标递送系统，其中控制系统还包括：

一个或多个电子处理器；以及

非暂态计算机可读存储介质，耦合到一个或多个电子处理器。

9.根据条款1所述的目标递送系统，其中控制系统被配置为基于所确定的所施加的压力的指示来控制致动器的运动包括：控制系统被配置为基于所确定的所施加的压力的指示向致动器提供调制信号，该调制信号足以使得致动器在导管壁中产生位移。

10.根据条款9所述的目标递送系统，其中致动器包括压电调制器，并且调制信号包括电信号，该电信号足以使得压电调制器的形状发生改变。

11.根据条款1所述的目标递送系统，其中控制系统还包括电开关，该电开关被配置为耦合到致动器，并且其中

电开关被配置为接收所施加的压力的指示，

电开关被配置为在特定时间具有多个可能状态中的一个特定可能状态，

电开关在少于所有多个状态的状态中允许调制信号到达致动器，

电开关在特定时间的特定状态通过所接收的所施加的压力的指示确定，以及

控制系统被配置为确定被施加至贮存器中的目标材料的压力的指示包括：控制系统被配置为确定电开关处于特定状态。

12.根据条款11所述的目标递送系统，其中所施加的压力的指示从耦合到贮存器的单独压力开关接收。

13.根据条款11所述的目标递送系统，其中所接收的所施加的压力的指示包括直接从压力传感器接收的模拟信号。

14.根据条款11所述的目标递送系统，其中所接收的所施加的压力的指示包括由通过电子处理器执行的指令生成的电子信号。

15.根据条款1所述的目标递送系统，其中导管的内部表面被配置为暴露于目标材料，并且内部表面基本没有缺陷，从而减少目标材料中的空化。

16.根据条款15所述的目标递送系统，其中内部表面的至少一部分经过火焰抛光。

17.根据条款1所述的目标递送系统，其中控制系统被配置为确定被施加到目标材料的压力的指示包括：控制系统被配置成分析来自压力传感器的指示，该压力传感器被配置为测量所施加的压力。

18.一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统，该系统包括：

导管，包括孔，该孔被配置为流体耦合到贮存器；

致动器，被配置为机械耦合到导管，使得致动器的运动传送到导管；

信号生成器，被配置为向致动器提供调制信号，该调制信号足以使得致动器移动；以及

控制系统，耦合到致动器和信号生成器，该控制系统被配置为：

控制调制信号的一个或多个特性，从而控制致动器的运动的一个或多个特性，使得使用时，孔保持基本没有材料损坏。

19.根据条款18所述的目标递送系统，其中一个或多个特性包括调制信号的频率内容，并且控制系统被配置为控制调制信号的频率内容。

20.根据条款19所述的目标递送系统，其中控制系统被配置为减小调制信号中的频率低于频率阈值的分量的幅度。

21.根据条款19所述的目标递送系统，其中机械耦合的致动器和导管形成致动器-导管组件，并且控制系统被配置为减小调制信号中处于与以下各项相关联的频率的分量的幅度：致动器-导管组件的本征模式、或其谐波和次谐波。

22.根据条款18所述的目标递送系统，其中一个或多个特性包括调制信号的幅度，并且控制系统被配置为控制调制信号的幅度。

23.根据条款22所述的目标递送系统，其中控制系统被配置为维持调制信号的幅度低于幅度限制。

24.根据条款23所述的目标递送系统，其中幅度限制是峰到峰幅度限制。

25.根据条款18所述的目标递送系统，其中孔保持基本无裂纹。

26.根据条款18所述的目标递送系统，其中孔由导管的端部限定。

27.根据条款18所述的目标递送系统，其中导管耦合到限定孔的结构。

28.一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统，该系统包括：

贮存器，被配置为容纳混合物，该混合物包括目标材料和内含物颗粒；

导管，包括孔，该孔被配置为流体耦合到贮存器；

致动器，被配置为机械耦合到贮存器，使得致动器的运动传递到贮存器；以及

控制系统，耦合到致动器，该控制系统被配置为：

控制致动器的运动，从而使得混合物中的内含物颗粒朝向混合物的表面移动。

29.根据条款28所述的目标递送系统，其中致动器包括超声波致动器。

30.根据条款28所述的目标输送系统，还包括气体递送系统，该气体递送系统被配置为跨混合物的表面递送流动气体。

31.根据条款30所述的目标递送系统，其中流动气体包括至少一种组分，该至少一种组分被配置为与内含物颗粒反应，从而从表面去除内含物颗粒中的至少一些内含物颗粒。

32.根据条款31所述的目标递送系统，其中

目标材料包括熔融锡，

内含物颗粒包括氧化锡颗粒，以及

流动气体包括氢气。

33.根据条款32所述的目标递送系统，其中致动器的运动被控制为使得在混合物中引起空化，并且内含物颗粒通过空化在颗粒周围形成的气泡而被移向表面。

34.根据条款28所述的目标递送系统，其中目标递送系统还包括一个或多个过滤器，该一个或多个过滤器位于贮存器与孔之间，该过滤器被配置为基本防止内含物颗粒到达孔。

35.根据条款28所述的目标递送系统，其中内含物颗粒的直径为1微米(μm)或更小。

36.根据条款28所述的目标递送系统，其中内含物颗粒包括氧化锡颗粒。

37.一种操作EUV光源的目标供应系统的方法，该方法包括：

确定供应系统的一个或多个特性；以及

基于所确定的一个或多个特性来控制机械耦合到供应系统的致动器，使得供应系统的孔在操作使用期间保持基本没有材料损坏。

Claims (16)

1.一种用于极紫外(EUV)光源的目标递送系统，所述系统包括：

导管，包括孔，所述孔被配置为流体耦合到贮存器；

致动器，被配置为机械耦合到所述导管，使得所述致动器的运动被传递到所述导管；以及

控制系统，耦合到所述致动器，所述控制系统被配置为：

确定施加到所述贮存器中的目标材料的压力的指示，以及

基于所确定的所施加的压力的指示与阈值的比较来控制所述致动器的所述运动，其中所述阈值与所述导管内部的声波的幅度有关。

2.根据权利要求1所述的目标递送系统，其中所述致动器的所述运动产生所述导管的壁中的位移和所述导管内部的所述声波。

3.根据权利要求2所述的目标递送系统，其中所述控制系统被配置为基于所述比较来控制所述致动器包括：所述控制系统被配置为如果所确定的所施加的压力的指示大于所述阈值，则仅使得所述致动器在所述导管壁中产生位移。

4.根据权利要求3所述的目标递送系统，其中所述阈值包括介于零与工作压力之间的阈值压力，所述工作压力是在所述EUV光源的操作期间施加到所述贮存器中的所述目标材料的压力量。

5.根据权利要求4所述的目标递送系统，其中所述声波包括最大幅度，并且所述阈值压力由所述最大幅度限定。

6.根据权利要求4所述的目标递送系统，其中所述阈值压力选自每平方英寸(PSI)200磅至1000磅的范围。

7.根据权利要求4所述的目标递送系统，其中所述控制系统还包括：

一个或多个电子处理器；以及

非暂态计算机可读存储介质，耦合到所述一个或多个电子处理器。

8.根据权利要求1所述的目标递送系统，其中所述控制系统被配置为基于所确定的所施加的压力的指示来控制所述致动器的所述运动包括：所述控制系统被配置为基于所确定的所施加的压力向所述致动器提供调制信号，所述调制信号足以使得所述致动器在所述导管的壁中产生位移。

9.根据权利要求8所述的目标递送系统，其中所述致动器包括压电调制器，并且所述调制信号包括电信号，所述电信号足以使得所述压电调制器的形状发生改变。

10.根据权利要求1所述的目标递送系统，其中所述控制系统还包括电开关，所述电开关被配置为耦合到所述致动器，并且其中

所述电开关被配置为接收所施加的压力的所述指示，

所述电开关被配置为在特定时间具有多个可能状态中的一个特定可能状态，

所述电开关在少于所有所述多个状态的状态中允许调制信号到达所述致动器，

所述电开关在所述特定时间的特定状态通过所接收的所施加的压力的指示确定，以及

所述控制系统被配置为确定施加到所述贮存器中的所述目标材料的压力的指示包括：所述控制系统被配置为确定所述电开关处于所述特定状态。

11.根据权利要求10所述的目标递送系统，其中所施加的压力的所述指示从耦合到所述贮存器的单独压力开关接收。

12.根据权利要求10所述的目标递送系统，其中所接收的所施加的压力的指示包括直接从压力传感器接收的模拟信号。

13.根据权利要求10所述的目标递送系统，其中所接收的所施加的压力的指示包括由通过电子处理器执行的指令生成的电子信号。

14.根据权利要求1所述的目标递送系统，其中所述导管的内部表面被配置为暴露于所述目标材料，并且所述内部表面基本没有缺陷，从而减少所述目标材料中的空化。

15.根据权利要求14所述的目标递送系统，其中所述内部表面的至少一部分经过火焰抛光。

16.根据权利要求1所述的目标递送系统，其中所述控制系统被配置为确定施加到所述目标材料的压力的指示包括：所述控制系统被配置为分析来自压力传感器的指示，所述压力传感器被配置为测量所施加的压力。