CN113277200A - 搬送托盘 - Google Patents
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Abstract
本发明提供搬送托盘,在对锭进行搬送时,能够稳定地对锭进行保持,能够防止锭的脱落。搬送托盘包含壳体、收纳半导体锭的锭收纳凹部以及收纳晶片的晶片收纳凹部。壳体具有上壁、下壁、连结上壁和下壁的一对侧壁以及由上壁、下壁以及一对侧壁形成的隧道。在壳体中,以能够绕支点转动的方式安装有多个杠杆,并且该多个杠杆分别具有从锭收纳凹部的底面突出的力点、从锭收纳凹部的侧面突出的作用点以及形成在力点与作用点之间的所述支点。
Description
技术领域
本发明涉及在从半导体锭生成晶片的晶片生成装置中使用的搬送托盘。
背景技术
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并在功能层上通过交叉的多条分割预定线划分而形成的。并且,功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并在功能层上通过交叉的多条分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片被切削装置、激光加工装置沿分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片,分割得到的各器件芯片被用于移动电话或个人计算机等电子设备。
形成器件的晶片一般是利用线切割机将圆柱形状的锭较薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过进行研磨而被精加工成镜面(例如参照专利文献1)。但是,当利用线切割机将锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时,锭的大部分(70~80%)被舍弃,存在不经济的问题。特别是在单晶SiC锭中,因硬度较高而难以利用线切割机进行切断,需要相当长的时间,因此生产性差,并且因锭的单价较高而存在高效地生成晶片的课题。
因此,提出了如下技术:将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC锭的内部而对单晶SiC锭照射激光光线而在切断预定面形成剥离层,沿着形成有剥离层的切断预定面将晶片从单晶SiC锭剥离(例如参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2000-94221号公报
专利文献2:日本特开2019-106458号公报
在上述专利文献2所公开的晶片生成装置中,在锭磨削单元或激光照射单元等各单元之间,将锭和剥离出的晶片载置在搬送托盘上而搬送。但是,在该搬送托盘中,在利用锭支承部对锭进行支承而搬送时,锭相对于搬送托盘是不稳定的,锭有可能从搬送托盘脱落。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供搬送托盘,在对锭进行搬送时,能够稳定地对锭进行保持并且能够防止锭的脱落。
根据本发明,提供搬送托盘,该搬送托盘被使用在从半导体锭生成晶片的晶片生成装置中,其中,该搬送托盘具有:壳体,其包含上壁、下壁、连结该上壁和该下壁的一对侧壁、以及由该上壁、该下壁及该一对侧壁形成的隧道;锭收纳凹部,其形成于该壳体的该上壁,对该半导体锭进行收纳;晶片收纳凹部,其形成于该壳体的该下壁,对晶片进行收纳;以及多个杠杆,该多个杠杆分别具有从该锭收纳凹部的底面突出的力点、从该锭收纳凹部的侧面突出的作用点、以及形成在该力点与该作用点之间的支点,并且该多个杠杆以能够绕该支点转动的方式安装于该壳体,当该半导体锭被收纳于该锭收纳凹部内时,因该半导体锭的自重使各该杠杆的该力点动作而通过各该杠杆的该作用点对该半导体锭的侧面进行支承。
优选该锭收纳凹部包含与多个大小的该半导体锭对应的同心状的多个收纳凹部。
根据本发明,因锭的自重使力点动作,从而通过作用点对锭的侧面进行支承,因此,在对锭进行搬送时,能够稳定地对锭进行保持,并且能够防止锭的脱落。
附图说明
图1是本发明实施方式的搬送托盘的立体图。
图2是图1所示的杠杆的主视图。
图3的(a)是大直径的锭被定位于锭收纳凹部的上方的状态下的图1所示的搬送托盘的剖视图,图3的(b)是大直径的锭被支承于锭收纳凹部的状态下的图1所示的搬送托盘的剖视图。
图4的(a)是小直径的锭被定位于锭收纳凹部的上方的状态下的图1所示的搬送托盘的剖视图,图4的(b)是小直径的锭被支承于锭收纳凹部的状态下的图1所示的搬送托盘的剖视图。
图5是示出杠杆的变形例的主视图。
图6是使用图1所示的搬送托盘的晶片生成装置的立体图。
图7是图6所示的晶片生成装置的局部立体图。
标号说明
2:搬送托盘;4:壳体;6:锭收纳凹部;6a:第一锭收纳凹部;6b:第二锭收纳凹部;8:晶片收纳部;8a:第一晶片收纳部;8b:第二晶片收纳部;10:上壁;12:下壁;14:侧壁;16:隧道;22:杠杆;22a:杠杆的第一部分;22b:杠杆的第二部分;22c:杠杆的第三部分;22d:杠杆的第四部分;22e:杠杆的第五部分;22f:杠杆的第六部分;24:力点;24a:第一力点;24b:第二力点;26:作用点;26a:第一作用点;26b:第二作用点;28:支点。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选实施方式的搬送托盘进行说明。
在图1中用标号2表示整体的搬送托盘具有壳体4、收纳半导体锭(以下,简称为锭)的锭收纳凹部6以及收纳晶片的晶片收纳部8。
壳体4具有矩形状的上壁10、配置在上壁10的下方的矩形状的下壁12、连结上壁10和下壁12的矩形状的一对侧壁14、以及由上壁10、下壁12和一对侧壁14形成的隧道16。
如图1所示,锭收纳凹部6形成在壳体4的上壁10的上表面。本实施方式的锭收纳凹部6具有:环状的第一锭收纳凹部6a,其从上壁10的上表面向下方凹入;以及圆形的第二锭收纳凹部6b,其直径比第一锭收纳凹部6a小并且比第一锭收纳凹部6a更向下方凹入。第一锭收纳凹部6a和第二锭收纳凹部6b形成为同心状。
第一锭收纳凹部6a的直径稍稍大于直径比较大(例如直径6英寸)的圆柱状锭18(大几mm左右),在第一锭收纳凹部6a中收纳直径比较大的锭18。第二锭收纳凹部6b的直径稍稍大于直径比较小(例如直径4英寸)的圆柱状锭20,在第二锭收纳凹部6b中收纳直径比较小的锭20。
这样,本实施方式的锭收纳凹部6具有与两种大小的锭18、20对应的同心状的第一、第二锭收纳凹部6a、6b。另外,锭收纳凹部6可以具有与1种大小的锭对应的单一的圆形收纳凹部,或者也可以具有与3种以上的大小的锭对应的同心状的多个收纳凹部。
当参照图1至图3进行说明时,在搬送托盘2上沿锭收纳凹部6的周向隔开间隔地配设有多个(在本实施方式中为4个)杠杆22。各杠杆22具有:从锭收纳凹部6的底面突出的力点24;从锭收纳凹部6的侧面突出的作用点26;以及形成在力点24与作用点26之间的支点28。
通过参照图3可知,各杠杆22配置在与杠杆22的形状对应地形成于壳体4的收纳孔30中,并且经由贯穿支点28的销(省略标号)而被壳体4支承为摆动自如。
如图2和图3所示,本实施方式的杠杆22具有:第一部分22a,其从支点28向上方延伸;第二部分22b,其从第一部分22a的上端向锭收纳凹部6的径向内侧延伸;第三部分22c,其从支点28向锭收纳凹部6的径向内侧延伸;第四部分22d,其在第三部分22c的径向外侧端部与径向内侧端部之间从第三部分22c向上方延伸;第五部分22e,其在第四部分22d的上端与下端之间从第四部分22d向径向内侧延伸;以及第六部分22f,其从第三部分22c的径向内侧端部向上方延伸。
本实施方式的杠杆22的力点24具有:第一力点24a,其由从第一锭收纳凹部6a的底面突出的第四部分22d的上端构成;以及第二力点24b,其由从第二锭收纳凹部6b的底面突出的第六部分22f的上端构成。本实施方式的杠杆22的作用点26具有:第一作用点26a,其由从第一锭收纳凹部6a的侧面突出(能够突出)的第二部分22b的径向内侧端部构成;以及第二作用点26b,其由从第二锭收纳凹部6b的侧面突出(能够突出)的第五部分22e的径向内侧端部构成。
杠杆22在由作用点26对锭的侧面进行支承的支承位置与解除锭的支承的解除位置之间以支点28为中心摆动自如。如图3的(a)所示,在解除位置,第一力点24a从第一锭收纳凹部6a的底面突出,并且第二力点24b从第二锭收纳凹部6b的底面突出,另一方面,第一作用点26a不从第一锭收纳凹部6a的侧面突出,第二作用点26b也不从第二锭收纳凹部6b的侧面突出。
如图3的(a)所示,在本实施方式的搬送托盘2中,在壳体4中附设有在锭18、20未被收纳于第一、第二锭收纳凹部6a、6b的情况下将杠杆22定位于解除位置的定位单元32。本实施方式的定位单元32由配置在形成于壳体4的沿径向延伸的孔34中的螺旋弹簧构成,螺旋弹簧的一侧端部与杠杆22的第一部分22a连结,螺旋弹簧的另一侧端部与孔34的侧面连结。
当参照图3继续说明时,当大直径的锭18收纳于第一锭收纳凹部6a时,如图3的(b)所示,杠杆22的第一力点24a被锭18推压而向下方移动。即,通过锭18的自重,第一力点24a动作。于是,杠杆22克服定位单元32的力而以支点28为中心向支承位置摆动,杠杆22的第一作用点26a从第一锭收纳凹部6a的侧面突出而对锭18的侧面进行支承。因此,在搬送托盘2中,在对锭18进行搬送时,能够稳定地对锭18进行保持,能够防止锭18的脱落。另外,杠杆22的数量是任意的,但从稳定地对锭18进行保持的观点来看,优选3个以上。
参照图4的(a)和图4的(b)来进行说明,当小直径的锭20收纳于第二锭收纳凹部6b时,如图4的(b)所示,通过锭20的自重,第二力点24b动作(向下方移动)。于是,杠杆22克服定位单元32的力而以支点28为中心向支承位置摆动,杠杆22的第二作用点26b从第二锭收纳凹部6b的侧面突出而对锭20的侧面进行支承。这样,搬送托盘2配设有与锭18、20的大小对应的杠杆22,能够稳定地对锭18、20进行保持。
另一方面,当从第一、第二锭收纳凹部6a、6b将锭18、20去除时,锭18、20的自重不再作用于第一、第二力点24a、24b,因此,通过定位单元32使杠杆22以支点28为中心朝向解除位置摆动。
另外,对杠杆22朝向解除位置赋予力的定位单元32在本实施方式中由螺旋弹簧构成,但只要是在锭18、20收纳在第一、第二锭收纳凹部6a、6b中时允许杠杆22的摆动,并以第一、第二作用点26a、26b能够对锭18、20的侧面进行支承的程度对杠杆22朝向解除位置赋予力的方式即可,并不限于螺旋弹簧。定位单元32的材质可使用金属、合成橡胶或合成树脂等。
并且,在适当调整杠杆22的重心位置和支点28的位置以使得在锭18、20未收纳于第一、第二锭收纳凹部6a、6b时杠杆22位于解除位置的情况下,也可以不在壳体4中附设定位单元32。
上述杠杆22与锭18、20的这两者的大小对应,但也可以如图5所示,与锭18对应的多个第一杠杆36a和与锭20的大小对应的多个第二杠杆36b分别沿周向隔开间隔地配设于壳体4。
而且,虽然未图示,但也可以是当锭18收纳于第一锭收纳凹部6a时,通过锭18的自重使第一力点38a动作(第一杠杆36a以第一支点40a为中心进行摆动)而使第一作用点42a对锭18的侧面进行支承,并且,当锭20收纳于第二锭收纳凹部6b时,通过锭20的自重使第二力点38b动作(第二杠杆36b以第二支点40b为中心进行摆动)而使第二作用点42b对锭20的侧面进行支承。
并且,在锭收纳凹部6是与1种大小的锭对应的单一的圆形收纳凹部的情况下,配设与1种大小的锭对应的杠杆,在锭收纳凹部6具有与3种以上的大小的锭对应的同心状的收纳凹部的情况下,配设与3种以上的大小的锭对应的杠杆。
如图1所示,晶片收纳部8形成在壳体4的下壁12的上表面。本实施方式的晶片收纳部8具有:环状的第一晶片收纳部8a,其从下壁12的上表面向下方凹入;以及圆形的第二晶片收纳部8b,其直径比第一晶片收纳部8a小并且比第一晶片收纳部8a更向下方凹入。第一晶片收纳部8a和第二晶片收纳部8b形成为同心状。
第一晶片收纳部8a的直径稍稍大于直径比较大(例如直径6英寸)的圆板状晶片,在第一晶片收纳部8a中收纳直径比较大的晶片。第二晶片收纳部8b的直径稍稍大于直径比较小(例如直径4英寸)的圆板状晶片,在第二晶片收纳部8b中收纳直径比较小的晶片。
这样,本实施方式的晶片收纳部8具有与2种大小的晶片对应的同心状的第一、第二晶片收纳部8a、8b。另外,晶片收纳部8可以具有与1种大小的晶片对应的单一的圆形收纳部,或者也可以具有与3种以上的大小的晶片对应的同心状的多个收纳部。
在图6和图7中示出了使用上述那样的搬送托盘2的晶片生成装置50。
从锭生成晶片的晶片生成装置50具有:锭磨削单元52;激光照射单元54;晶片剥离单元56;带传送器单元58,其将被上述搬送托盘2支承的锭在锭磨削单元52、激光照射单元54以及晶片剥离单元56之间进行搬送;搬送托盘贮存仓60;盒贮存仓64,其收纳多个盒62,该盒62收纳从锭剥离的晶片;以及收纳单元66,其将搬送托盘贮存仓60内的搬送托盘2搬送到带传送器单元58,并且将被搬送托盘2的晶片收纳部8支承的晶片收纳在盒贮存仓64内的盒62中。
如图7所示,锭磨削单元52包含:能够旋转的保持工作台68,其对锭进行吸引保持;以及磨削单元70,其对吸引保持于保持工作台68的锭的上表面进行磨削而使锭的上表面平坦化。磨削单元70具有能够旋转的磨削磨轮72,该磨削磨轮72具有磨削磨具(未图示)。而且,锭磨削单元52一边使吸引保持着锭的保持工作台68旋转并且使磨削磨轮72旋转,一边使磨削磨具与锭的上表面接触,从而对锭的上表面进行磨削而使锭的上表面平坦化。
激光照射单元54具有:保持工作台74,其对锭进行吸引保持,能够在X轴方向上移动并且能够旋转;以及激光照射单元76,其对吸引保持于保持工作台74的锭照射激光光线。激光照射单元76具有聚光器78,该聚光器78使激光振荡器(未图示)射出的脉冲激光光线聚光而对锭进行照射,并且能够在Y轴方向上移动。
激光照射单元54一边使吸引保持着锭的保持工作台74在X轴方向上移动或者使聚光器78在Y轴方向上移动,一边将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离锭的上表面相当于待生成的晶片的厚度的深度而对锭照射激光光线,从而在锭的内部形成强度降低的剥离层。
晶片剥离单元56包含:保持工作台80,其对锭进行吸引保持,并且能够在X轴方向上移动;液槽体82,其与保持工作台80协同动作而形成液体收纳空间;以及超声波振动生成部件84,其对吸引保持于保持工作台80的锭赋予超声波振动并且对从锭剥离的晶片进行吸引保持。
晶片剥离单元56在由吸引保持着锭的保持工作台80和液槽体82形成的液体收纳空间中收纳了液体之后,使超声波振动生成部件84动作而对锭赋予超声波振动,从而以剥离层为起点将晶片从锭剥离。
带传送器单元58包含:往路带传送器86,其对搬送托盘2沿Y1方向进行搬送;返路带传送器88,其对搬送托盘2沿Y2方向(Y1的相反方向)进行搬送;第一搬送单元90,其将搬送托盘2从往路带传送器86的终点向返路带传送器88的起点搬送,并且使由往路带传送器86搬送的搬送托盘2在与晶片剥离单元56对面的位置处停止;以及第二搬送单元92,其将搬送托盘2从返路带传送器88的终点向往路带传送器86的起点搬送。
并且,带传送器单元58包含:能够升降的第一搬送托盘止动件94,其使由往路带传送器86搬送的搬送托盘2在与锭磨削单元52对面的位置停止;以及能够升降的第二搬送托盘止动件96,其使由往路带传送器86搬送的搬送托盘2在与激光照射单元54对面的位置停止。
此外,带传送器单元58还包含:第一转移单元98,其在由第一搬送托盘止动件94停止的搬送托盘2与锭磨削单元52之间对锭进行转移;第二转移单元100,其在由第二搬送托盘止动件96停止的搬送托盘2与激光照射单元54之间对锭进行转移;以及第三转移单元102,其在由第一搬送单元90停止的搬送托盘2与晶片剥离单元56之间对锭进行转移,并且将从锭剥离出的晶片从晶片剥离单元56转移到搬送托盘2。
可以是共同结构的第一、第二、第三转移单元98、100、102分别包括能够在X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向上移动的多关节臂104和在多关节臂104的前端以上下反转自如的方式安装的吸附片106。在吸附片106的一个面上形成有与吸引单元(未图示)连接的多个吸引孔(未图示)。
当参照图6进行说明时,本实施方式的搬送托盘贮存仓60具有沿X轴方向贯通的4个收纳部108。在搬送托盘贮存仓60中,能够将搬送托盘2在图6中从X轴方向近前侧收纳在收纳部108中,并且将收纳部108内的搬送托盘2在图6中从X轴方向里侧搬出。
如图6所示,本实施方式的盒贮存仓64具有沿Y轴方向贯通的16个收纳部110,在各收纳部110中收纳对从锭剥离的晶片进行收纳的盒62。在盒贮存仓64中,能够将盒62在图6中从Y轴方向近前侧收纳在收纳部110中,并且能够将晶片在图6中从Y轴方向里侧收纳在收纳部110内的盒62中。
如图7所示,收纳单元66包含能够在X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向上移动的多关节臂112以及在多关节臂112的前端以上下反转自如的方式安装的吸附片114。在吸附片114的一个面上形成有与吸引单元(未图示)连接的多个吸引孔(未图示)。
在通过晶片生成装置50从锭生成晶片时,如图6所示,首先,准备1个以上的锭(在本实施方式中为4个大直径的锭18)。接着,为了在晶片生成装置50中搬送锭18时锭18不从搬送托盘2脱落,将各个锭18收纳在搬送托盘2的第一锭收纳凹部6a中,使锭18的侧面被第一作用点26a支承。接着,将支承着锭18的搬送托盘2收纳在搬送托盘贮存仓60的收纳部108。
接着,实施如下的第一搬送工序:从搬送托盘贮存仓60向激光照射单元54搬送锭18。通常,锭的端面被平坦化到不妨碍后述的剥离层形成工序中的激光光线的入射的程度,因此,在本实施方式中,对在第一搬送工序中将锭18从搬送托盘贮存仓60搬送到激光照射单元54的例子进行说明,但在锭18的端面未被平坦化到不妨碍剥离层形成工序中的激光光线的入射的程度的情况下,也可以在第一搬送工序中将锭18从搬送托盘贮存仓60搬送到锭磨削单元52。
在第一搬送工序中,首先,对收纳单元66的多关节臂112进行驱动,将吸引孔朝上的吸附片114插入到搬送托盘2的隧道16中。接着,在隧道16内使吸附片114稍微上升而利用吸附片114对搬送托盘2的上壁10的下表面进行吸引保持。接着,将由吸附片114吸引保持的搬送托盘2从搬送托盘贮存仓60搬送到往路带传送器86。
在将搬送托盘2载置于往路带传送器86之后,利用往路带传送器86将搬送托盘2沿Y1方向搬送到与激光照射单元54对面的位置。此时,使第一搬送托盘止动件94下降并且使第二搬送托盘止动件96上升,由此,使搬送托盘2在与激光照射单元54对面的位置处停止。
接着,对第二转移单元100的多关节臂104进行驱动,利用吸附片106对搬送托盘2上的锭18进行吸引保持。接着,将由吸附片106吸引保持的锭18从搬送托盘2转移到激光照射单元54的保持工作台74。另外,当锭18从第一锭收纳凹部6a被提起时,锭18的自重不再作用于第一力点24a,因此,杠杆22通过定位单元32以支点28为中心向解除位置摆动。
在实施了第一搬送工序之后,在激光照射单元54中实施如下的剥离层形成工序:利用保持工作台74对锭18进行吸引保持,并且将对于锭18具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离保持工作台74所吸引保持的锭18的上表面相当于待生成的晶片的厚度的深度,对锭18照射激光光线而形成剥离层。
在实施了剥离层形成工序之后,实施如下的第二搬送工序:将形成有剥离层的锭18从激光照射单元54搬送到晶片剥离单元56。
在第二搬送工序中,首先,对第二转移单元100的多关节臂104进行驱动,利用吸附片106对保持工作台74上的锭18进行吸引保持,并且解除保持工作台74的吸引力。接着,将由吸附片106吸引保持的锭18从保持工作台74转移到搬送托盘2的第一锭收纳凹部6a。
接着,利用往路带传送器86将搬送托盘2沿Y1方向搬送到与晶片剥离单元56对面的位置。此时,通过第一搬送单元90使搬送托盘2在与晶片剥离单元56对面的位置停止。接着,对第三转移单元102的多关节臂104进行驱动,利用吸附片106对搬送托盘2上的锭18进行吸引保持。接着,将由吸附片106吸引保持的锭18从搬送托盘2转移到晶片剥离单元56的保持工作台80。
在实施了第二搬送工序之后,在晶片剥离单元56中实施如下的晶片剥离工序:利用保持工作台80对形成有剥离层的锭18进行吸引保持,并且对由保持工作台80吸引保持的锭18的上表面进行保持而以剥离层为起点将晶片从锭18剥离。
在实施了晶片剥离工序之后,实施如下的第三搬送工序:将从锭18剥离的晶片(未图示)从晶片剥离单元56搬送到盒贮存仓64的盒62中,并且将晶片被剥离后的锭18从晶片剥离单元56搬送到锭磨削单元52。
在第三搬送工序中,首先,对第三转移单元102的多关节臂104进行驱动,利用吸附片106对从锭18剥离出的晶片进行吸引保持。接着,将由吸附片106吸引保持的晶片从晶片剥离单元56转移到搬送托盘2的第一晶片收纳部8a。
接着,对第三转移单元102的多关节臂104进行驱动,利用吸附片106对保持工作台80上的锭18进行吸引保持,并且解除保持工作台80的吸引力。接着,将由吸附片106吸引保持的锭18从保持工作台80转移到搬送托盘2的第一锭收纳凹部6a。
接着,通过第一搬送单元90将支承着锭18和晶片的搬送托盘2从往路带传送器86搬送到返路带传送器88。接着,通过返路带传送器88对搬送托盘2沿Y2方向进行搬送而将搬送托盘2交接给第二搬送单元92。接着,通过第二搬送单元92将搬送托盘2朝向往路带传送器86搬送。
在搬送托盘2被从第二搬送单元92交接给往路带传送器86之前,暂时停止第二搬送单元92。接着,对收纳单元66的多关节臂112进行驱动,利用吸附片114对由第二搬送单元92上的搬送托盘2支承的晶片进行吸引保持。然后,将由吸附片114吸引保持的晶片从搬送托盘2搬出,将晶片收纳在盒贮存仓64的盒62内。
接着,使第二搬送单元92进行动作,在将搬送托盘2从第二搬送单元92交接给往路带传送器86之后,利用往路带传送器86将搬送托盘2沿Y1方向搬送到与锭磨削单元52对面的位置。此时,通过使第一搬送托盘止动件94上升,使搬送托盘2停止在与锭磨削单元52对面的位置。接着,对第一转移单元98的多关节臂104进行驱动,利用吸附片106对搬送托盘2上的锭18进行吸引保持。接着,将由吸附片106吸引保持的锭18从搬送托盘2转移到锭磨削单元52的保持工作台68上。
在实施了第三搬送工序之后,在锭磨削单元52中实施如下的锭磨削工序:利用保持工作台68对晶片被剥离后的锭18进行吸引保持,并且对由保持工作台68吸引保持的锭18的上表面(剥离面)进行磨削而使锭18的上表面平坦化。
在实施了锭磨削工序之后,实施如下的第四搬送工序:将上表面被平坦化的锭18从锭磨削单元52搬送到激光照射单元54。
在第四搬送工序中,首先,对第一转移单元98的多关节臂104进行驱动,利用吸附片106对保持工作台68上的锭18进行吸引保持,并且解除保持工作台68的吸引力。接着,将由吸附片106吸引保持的锭18从保持工作台68转移到搬送托盘2的第一锭收纳凹部6a。
接着,利用往路带传送器86将搬送托盘2沿Y1方向搬送到与激光照射单元54对面的位置。接着,对第二转移单元100的多关节臂104进行驱动,利用吸附片106对搬送托盘2上的锭18进行吸引保持。接着,将由吸附片106吸引保持的锭18从搬送托盘2转移到激光照射单元54的保持工作台74上。
在实施了第四搬送工序之后,在激光照射单元54中实施上述剥离层形成工序。而且,通过反复实施剥离层形成工序、晶片剥离工序、锭磨削工序、第二至第四搬送工序,生成能够从锭18生成的数量的晶片,并将晶片收纳于盒贮存仓64的盒62中。
在本实施方式中,着眼于1个锭18而对由晶片生成装置50实施的各工序进行了说明,但能够在实施了将锭18从搬送托盘贮存仓60搬送到激光照射单元54的第一搬送工序之后,以适当的间隔反复实施第一搬送工序,并且并行地对多个(例如4个)锭18反复实施剥离层形成工序、晶片剥离工序、锭磨削工序以及第二至第四搬送工序,从而生成能够从多个锭18生成的数量的晶片。
如上所述,在上述晶片生成装置50中使用的本实施方式的搬送托盘2通过锭的自重使力点24动作(向下方移动)而使作用点26对锭的侧面进行支承,因此,在对锭进行搬送时,能够稳定地对锭进行保持,能够防止锭的脱落。
Claims (2)
1.一种搬送托盘,该搬送托盘被使用在从半导体锭生成晶片的晶片生成装置中,其中,
该搬送托盘具有:
壳体,其包含上壁、下壁、连结该上壁和该下壁的一对侧壁、以及由该上壁、该下壁及该一对侧壁形成的隧道;
锭收纳凹部,其形成于该壳体的该上壁,对该半导体锭进行收纳;
晶片收纳凹部,其形成于该壳体的该下壁,对晶片进行收纳;以及
多个杠杆,该多个杠杆分别具有从该锭收纳凹部的底面突出的力点、从该锭收纳凹部的侧面突出的作用点、以及形成在该力点与该作用点之间的支点,并且该多个杠杆以能够绕该支点转动的方式安装于该壳体,
当该半导体锭被收纳于该锭收纳凹部内时,因该半导体锭的自重使各该杠杆的该力点动作而通过各该杠杆的该作用点对该半导体锭的侧面进行支承。
2.根据权利要求1所述的搬送托盘,其中,
该锭收纳凹部包含与多个大小的该半导体锭对应的同心状的多个收纳凹部。
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