CN113178400A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板处理装置，能够缩短从安装了整流构件之后到能够稳定地进行动作为止的时间。基板处理装置具有：空气供给部，其向基板所处的位置供给空气；以及整流构件，其具有多个贯通孔，对从所述空气供给部供给的所述空气进行整流，其中，所述整流构件具有基材以及设置于所述基材的表面的电荷耗散层，其中，附着于所述整流构件的表面的电荷沿所述电荷耗散层耗散。

Description

基板处理装置

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置。

背景技术

在单片式清洗装置等基板处理装置中，在腔室的顶部设置有风机过滤单元，在风机过滤单元与保持基板的基板保持机构之间设置有整流板。整流板对风机过滤单元发出的气流进行整流。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-72374号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够缩短从安装了整流构件之后到能够稳定地进行动作为止的时间的基板处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的基板处理装置具有：空气供给部，其向基板所处的位置供给空气；以及整流构件，其具有多个贯通孔，对从所述空气供给部供给的所述空气进行整流，其中，所述整流构件具有：基材；以及电荷耗散层，其设置于所述基材的表面，其中，附着于所述整流构件的表面的电荷沿所述电荷耗散层耗散。

发明的效果

根据本公开，能够缩短从安装了整流构件之后到能够稳定地进行动作为止的时间。

附图说明

图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。

图2是示出蚀刻单元的概要结构的图。

图3是示出整流板的一例的概要结构的图。

图4是示出基板处理系统所执行的基板处理的过程的流程图。

图5是示出整流板的电荷的分布的示意图(其一)。

图6是示出整流板的电荷的分布的示意图(其二)。

图7是示出第一例所涉及的整流板的制造方法的截面图。

图8是示出整流板的其它例的概要结构的图。

图9是示出第二例所涉及的整流板的制造方法的截面图。

图10是示出第三例所涉及的整流板的制造方法的截面图。

图11是示出整流板的变形例的概要结构的俯视图。

图12是示出支承构件的一例的概要结构的图。

图13是示出导轨构件的概要结构的截面图。

图14是示出中继构件的概要结构的截面图。

图15是示出支承构件的其它例的概要结构的图。

图16是示出块的概要结构的截面图。

附图标记说明

W：晶圆；20：腔室；22：侧壁；60、160、260、360：整流板；61：基材；64、65、262、362：电荷耗散层；68：光学式传感器；70：支承构件；170：导轨构件；180：中继构件；270：短路构件；370：块；461：中央区域；462：周边区域。

具体实施方式

下面，参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中，有时对相同或对应的结构赋予相同或对应的附图标记并省略说明。

<基板处理系统的结构>

首先，对实施方式所涉及的基板处理系统的结构进行说明。图1是示出实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。在下面，为明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，并将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。

如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3被相邻地设置。

搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置有多个将多张晶圆W以水平状态收容的承载件C。

搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够一边向水平方向和铅垂方向移动一边以铅垂轴为中心旋转，使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。

处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个蚀刻单元16。多个蚀刻单元16在搬送部15的两侧排列设置。此外，蚀刻单元16的个数并不限定于图1所示的例子。

搬送部15的内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够一边向水平方向和铅垂方向移动一边以铅垂轴为中心旋转，使用晶圆保持机构在交接部14与蚀刻单元16之间进行晶圆W的搬送。

蚀刻单元16对由基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。

另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4具备控制部18和存储部19。

控制部18例如包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机、各种电路。CPU将RAM用作作业区域来执行ROM中存储的程序，由此控制部18控制基板处理系统1的动作。

此外，上述程序也可以记录在计算机可读的记录介质中，从该记录介质安装到控制装置4的存储部19中。作为计算机可读的记录介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

存储部19例如通过RAM、快闪存储器(Flash Memory)等半导体存储器元件或者硬盘、光盘等存储装置实现。

<蚀刻单元的结构>

接下来，对蚀刻单元16的结构进行说明。图2是示出蚀刻单元16的概要结构的图。

如图2所示，蚀刻单元16具备腔室20、基板保持机构30、供给部40以及回收杯50。

腔室20中收容有基板保持机构30、供给部40以及回收杯50。例如，腔室20接地。在腔室20的顶部设置有风机过滤单元(Fan Filter Unit：FFU)21。FFU21在腔室20内形成向下气流。腔室20是壳体的一例，FFU 21是空气供给部的一例。

基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31水平地保持晶圆W。晶圆W以形成有蚀刻对象的膜的面朝向上方的状态被保持部31保持。

在本实施方式中，保持部31具备多个把持部31a，通过使用多个把持部31a把持晶圆W的周缘部来保持晶圆W，但是并不限定于此，保持部31也可以是吸附保持晶圆W的真空吸盘等。

支柱部32是沿铅垂直方向延伸的构件，支柱部32的基端部被驱动部33可旋转地支承，在支柱部32的顶端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转，来使被支柱部32支承的保持部31旋转，由此，使被保持部31保持的晶圆W旋转。

供给部40配置于被保持部31保持的晶圆W的上方。供给部40与供给通路41的一端相连接，供给通路41的另一端与处理液的供给源42连接。在供给通路41的中端部安插有能够调节供给通路41的开闭动作以及处理液的供给流量的流量调整阀43。因而，当流量调整阀43开阀时，从供给部40向被保持部31保持的晶圆W供给处理液。由此，向晶圆W供给处理液。处理液例如是纯水(DIW)、NH₄OH(氢氧化铵)和H₂O₂(过氧化氢)的水溶液(SC1液)、稀氟氢酸(DHF)、异丙醇(IPA)等。图2中图示了一组的供给部40、供给通路41、供给源42以及流量调整阀43，但是供给部40、供给通路41、供给源42以及流量调整阀43的组合是针对每种处理液而分别设置的。

回收杯50被配置为环绕保持部31，用于收集由于保持部31的旋转而从晶圆W飞散出的处理液。回收杯50的底部形成有排液口51，被回收杯50收集的处理液从排液口51向蚀刻单元16的外部排出。另外，回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52将从FFU 21供给的气体向蚀刻单元16的外部排出。

在腔室20的内部，在FFU 21的下方设置有整流板60。在腔室20的侧壁22安装有支承整流板60的支承构件70，整流板60被支承构件70支承。整流板60是整流构件的一例。

<整流板的结构>

接下来，对整流板60的结构进行说明。图3是示出整流板60的一例的概要结构的图。图3的(a)是俯视图，图3的(b)是截面图。

如图3所示，整流板60的第一例所涉及的整流板160具备板状的基材61、电荷耗散层64以及电荷耗散层65。例如，基材61由绝缘性的材料构成。对于基材61的材料，例如使用聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯(PP)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)等树脂。电荷耗散层64覆盖基材61的上表面62，电荷耗散层65覆盖基材61的下表面63。电荷耗散层64和65由导电性或静电耗散性的材料构成。当整流板60的表面附着电荷时，该电荷沿电荷耗散层64或65耗散。优选的是，电荷耗散层64和65对处理液具有耐腐食性。作为导电性的材料，列举了例如金、白金等贵金属。作为静电耗散性的材料，列举了氧化锡、锑掺杂氧化锡(ATO)、锡掺杂氧化铟等。在整流板160形成有多个贯通孔69。贯通孔69贯通电荷耗散层64、基材61以及电荷耗散层65。电荷耗散层64和65的厚度例如为0.1μm以上且0.3μm以下左右。电荷耗散层64和65的薄层电阻例如为10⁵Ω/sq～10¹¹Ω/sq左右。贯通孔69的直径例如为3mm～5mm左右。

<基板处理系统的具体动作>

接着，对基板处理系统1的具体动作进行说明。图4是示出基板处理系统1所执行的基板处理的过程的流程图。基板处理系统1所具备的各装置按照控制部18的控制来执行图4所示的各处理过程。

如图4所示，在基板处理系统1中，首先，进行向蚀刻单元16搬入晶圆W的搬入处理(步骤S101)。具体地说，搬入搬出站2的基板搬送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C中取出晶圆W，并且将取出的晶圆W载置到交接部14。载置于交接部14的晶圆W被处理站3的基板搬送装置17从交接部14取出，并且搬入到蚀刻单元16。被搬入蚀刻单元16的晶圆W被蚀刻单元16的保持部31保持。

接下来，在基板处理系统1中进行蚀刻处理(步骤S102)。在蚀刻处理中，通过驱动部33使保持有晶圆W的保持部31旋转，并且从供给部40向被保持部31保持的晶圆W供给蚀刻用的处理液。另外，通过驱动部33使保持晶圆W的保持部31旋转，并且从供给部40向被保持部31保持的晶圆W供给清洗用的处理液。

接下来，在基板处理系统1中进行干燥处理(步骤S103)。在干燥处理中，一边继续使晶圆W旋转，一边停止供给清洗用的处理液。由此，去除在晶圆W上残留的处理液，使晶圆W干燥。

接下来，在基板处理系统1中进行搬出处理(步骤S104)。在搬出处理中，通过基板搬送装置17从蚀刻单元16搬出干燥处理后的晶圆W，并且载置到交接部14。然后，通过基板搬送装置13使载置于交接部14的完成处理的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。由此，对一片晶圆W进行的一系列的基板处理结束。

在这样的一系列的基板处理期间，FFU 21在腔室20内形成空气的向下气流。整流板60使由FFU 21形成的空气的向下气流产生压损，作为正压状态的缓冲器发挥功能。因此，通过整流板60调整向下气流的流速。

<整流板的作用>

通常，在进行基板处理系统的维护的情况下，有时将整流板从腔室中卸下。此时，整流板被操作员接触。另外，有时也擦拭卸下的整流板。这样，有时整流板由于摩擦而带有静电。在整流板强烈带电的情况下，有时整流板上附着灰尘等异物。附着于整流板上的异物有可能从整流板脱离落下而污染腔室内。因此，从安装了整流板之后到能够稳定地进行动作为止花费时间。也就是说，直到腔室内的洁净度到达能够稳定地进行动作的预先设定的规定的洁净度为止花费时间。

在本实施方式中，由于整流板60中设置有由导电性或静电耗散性的材料构成的电荷耗散层64和65，因此与未设置电荷耗散层64和65的整流板相比较，即使带电也能够缓和伴随电荷的集中而产生的电场。图5和图6是示出整流板的电荷的分布的示意图。图5的(a)示出未设置电荷耗散层64和65且不接地的整流板60X中的电荷的分布的变化，图5的(b)示出未设置电荷耗散层64和65但接地的整流板60X中的电荷的分布的变化。图6的(a)示出不接地而处于电浮置的状态的整流板60中的电荷的分布的变化，图6的(b)示出接地的整流板60中的电荷的分布的变化。在此，整流板60X由绝缘性的基材61形成。

如图5的(a)所示，在整流板60X中电荷80集合附着在任意的区域的情况下，即使经过了时间，电荷80也留在附着的区域。因此，产生局部高电位区域，该区域容易附着灰尘等异物。

即使整流板60X接地，由于整流板60X由绝缘性的基材61形成，因此如图5的(b)所示，电荷80也无法移动，即使经过了时间，电荷80也留在附着的区域。因此，产生局部高电位区域，该区域容易附着灰尘等异物。

另一方面，如图6的(a)所示，在整流板60中电荷80集合附着在任意的区域的情况下，电荷80沿电荷耗散层64和65快速耗散。因此，即使电荷耗散层64和65处于电浮置的状态而在整流板60有电荷80残留，也能够抑制局部高电位区域的产生，抑制灰尘等异物的附着。

另外，在整流板60接地的情况下，如图6的(b)所示，电荷80被接地电位抽出，被从整流板60去除。因此，能够进一步抑制局部高电位区域的产生，并进一步抑制灰尘等异物向整流板60的附着。

这样，在本实施方式中，由于使用了整流板60，能够抑制局部高电位区域的产生，从而抑制异物向整流板60的附着。并且，通过抑制异物的附着，能够缩短从安装了整流板60后到能够稳定地进行动作为止的时间。

整流板带电的原因并不限定于维护时的摩擦，也有时由于在基板处理期间在腔室内飞散的雾状的处理液的附着而使整流板带电。当在基板处理期间整流板的电位局部地升高时，有可能在腔室内发生意外的放电而在形成于晶圆W的膜上发生静电击穿，或影响到膜的电特性。在本实施方式中，由于能够抑制局部高电位区域的产生，因此也能够抑制这样的放电。也就是说，能够进一步提高动作的稳定性。

并且，由于整流板60不易附着异物，因此能够简化维护作业。

另外，在基材61的材料由聚氯乙烯(PVC)等可透过可视光的材料构成的情况下，也能够在比整流板60更靠上方的位置设置光学式传感器68(参照图2)，通过光学式传感器68进行有无晶圆W等检测。

此外，贯通孔69不必以固定的密度形成，整流板60中也可以包含局部贯通孔69的密度较高的区域和局部贯通孔69的密度较低的区域。另外，贯通孔69的直径也可以不是固定的。通过调整贯通孔69的密度和直径，能够调整空气的供给量的分布和流速。

<整流板的制造方法>

接着，对图3所示的第一例所涉及的整流板160的制造方法进行说明。图7是示出第一例所涉及的整流板160的制造方法的截面图。

首先，如图7的(a)所示，准备基材61，在基材61的上表面62上形成电荷耗散层64，在基材61的下表面63上形成电荷耗散层65。在电荷耗散层64和65的形成中，例如，进行含有构成电荷耗散层64和65的材料的粒子的糊剂的涂布，进行该糊剂的焙烧。接下来，如图7的(b)所示，在基材61与电荷耗散层64和65的复合体形成多个贯通孔69。贯通孔69例如能够通过机械加工形成。在形成贯通孔69后，优选地去除形成贯通孔69时产生的毛刺。

这样，能够制造图3所示的整流板160。

<整流板的其它例的结构>

接下来，对整流板60的其它例的结构进行说明。图8是示出整流板60的其它例的概要结构的图。图8的(a)是示出整流板60的第二例的截面图，图8的(b)是示出整流板60的第三例的截面图。

如图8的(a)所示，整流板60的第二例所涉及的整流板260具备基材61、电荷耗散层64、电荷耗散层65以及电荷耗散层262。电荷耗散层262与电荷耗散层64和65连结，并覆盖基材61的侧面66。电荷耗散层262与电荷耗散层64和65同样由导电性或静电耗散性的材料构成。电荷耗散层262的厚度例如为0.1μm～0.3μm左右，电荷耗散层262的薄层电阻例如为10⁵Ω/sq～10¹¹Ω/sq左右。

在整流板160中，电荷耗散层64和电荷耗散层65被相互绝缘分离，与此相对，在整流板260中，电荷耗散层64与电荷耗散层65经由电荷耗散层262相互电连接。因此，若电荷耗散层64或65的一方接地，则另一方也接地。

如图8的(b)所示，整流板60的第三例所涉及的整流板360具备基材61、电荷耗散层64、电荷耗散层65、电荷耗散层262以及电荷耗散层362。电荷耗散层362与电荷耗散层64和65连结，并覆盖贯通孔69的内壁面67。电荷耗散层362与电荷耗散层64和65同样由导电性或静电耗散性的材料构成。电荷耗散层362的厚度例如为0.1μm～0.3μm左右，电荷耗散层362的薄层电阻例如为10⁵Ω/sq～10¹¹Ω/sq左右。

在整流板360中，电荷耗散层64与电荷耗散层65经由电荷耗散层262和362相互电连接。因此，与整流板260相比，能够降低电荷耗散层64和电荷耗散层65之间的电阻。

<整流板的其它例的制造方法>

接着，对图8的(a)所示的第二例所涉及的整流板260的制造方法以及图8的(b)所示的第三例所涉及的整流板360的制造方法进行说明。图9是示出第二例所涉及的整流板260的制造方法的截面图。图10是示出第三例所涉及的整流板360的制造方法的截面图。

在第二例所涉及的整流板260的制造方法中，首先，如图9的(a)所示，准备基材61，在基材61的上表面62上形成电荷耗散层64，在基材61的下表面63上形成电荷耗散层65，在基材61的侧面66上形成电荷耗散层262。在电荷耗散层64、65和262的形成中，例如进行含有构成电荷耗散层64、65和262的材料的粒子的糊剂的涂布，进行该糊剂的焙烧。接下来，如图9的(b)所示，在基材61和电荷耗散层64、65和262的复合体形成多个贯通孔69。贯通孔69例如能够通过机械加工形成。在形成贯通孔69后，优选地去除形成贯通孔69时产生的毛刺。

这样，能够制造图8的(a)所示的整流板260。

在第三例所涉及的整流板360的制造方法中，首先，如图10的(a)所示，准备基材61，在基材61形成多个贯通孔69。贯通孔69例如能够通过机械加工形成。在形成贯通孔69后，优选地去除形成贯通孔69时产生的毛刺。接下来，如图10的(b)所示，在基材61的上表面62上形成电荷耗散层64，在基材61的下表面63上形成电荷耗散层65，在基材61的侧面66上形成电荷耗散层262，在贯通孔69的内壁面67上形成电荷耗散层362。在电荷耗散层64、65、262和362的形成中，进行含有构成电荷耗散层64、65、262和362的材料的粒子的糊剂的涂布，进行该糊剂的焙烧。

这样，能够制造图8的(b)所示的整流板360。

此外，不必使电荷耗散层64和65的电荷耗散的功能(电荷耗散能力)在平行于上表面62、下表面63的面内均等。图11是示出整流板60的变形例的概要结构的俯视图。

例如，如图11所示，在俯视电荷耗散层64和65时，与晶圆W重叠的中央区域461的第一电荷耗散能力可以高于其周边的周边区域462的第二电荷耗散能力。也就是说，也可以是，电荷在中央区域461中比在周边区域462更容易耗散。在该变形例中，特别是使静电难以滞留在中央区域461，能够更进一步抑制异物向晶圆W的落下、晶圆W附近的放电。中央区域461是第一区域的一例，周边区域462是第二区域的一例。

在制造该变形例的整流板60时，例如构成作为中央区域461的部分中的电荷耗散层64和65的材料的粒子的含有量多于构成作为周边区域462的部分中的电荷耗散层64和65的材料的粒子的含有量。

<整流板的接地>

如上所述，在整流板60的电荷耗散层64和65接地的情况下，容易去除静电来抑制局部高电位区域的产生。在此，对将电荷耗散层64和65接地连接的结构进行说明。图12是示出支承构件70的一例的概要结构的图。

在该例中，在安装时整流板60向Y轴正方向移动，在卸下时整流板60向Y轴负方向移动。也就是说，整流板60沿Y轴方向插入拔出。支承构件70具有沿Y轴方向延伸的导轨构件170。导轨构件170安装于具有与腔室20的X轴方向垂直的面的2个侧壁22的内侧。支承构件70具有短路构件270，该短路构件270安装于具有与腔室20的Y轴方向垂直的面的2个侧壁22中的位于Y轴正方向侧的侧壁22。图13是示出导轨构件170的概要结构的截面图。图14是示出短路构件270的概要结构的截面图。此外，在图13和图14中，省略了贯通孔69。

如图13所示，与导轨构件170的Y轴方向垂直的截面为具备2个平板部的L字型。一方的平板部接触侧壁22，另一方的平板部接触整流板60。导轨构件170具备基材171以及形成在基材171的表面的电荷耗散层172。例如，基材171的材料与基材61的材料相同，电荷耗散层172的材料与电荷耗散层64和65的材料相同。使用金属螺丝173将导轨构件170固定在侧壁22。电荷耗散层172形成为至少将与电荷耗散层65接触的部分和安装金属螺丝173的部分连接。通过将金属螺丝173例如与接地线等连接来接地，能够使电荷耗散层65经由电荷耗散层172而接地。另外，也可以使供给通路41中包括的配管174接地，将配管174夹在2个导电性树脂175之间，通过金属螺丝176将导电性树脂175固定于导轨构件170。在该情况下，若形成为电荷耗散层172与导电性树脂175或金属螺丝176连接，则能够将电荷耗散层65接地。

在电荷耗散层64和电荷耗散层65被相互绝缘分离的情况下，例如，也可以使用与电荷耗散层64连接的中继构件180。中继构件180具备基材181以及形成在基材181的表面的电荷耗散层182。例如，基材181的材料与基材61的材料相同，电荷耗散层182的材料与电荷耗散层64和65的材料相同。使用金属螺丝183将中继构件180固定在侧壁22。电荷耗散层182形成为至少将与电荷耗散层64接触的部分和安装金属螺丝183的部分连接。通过将金属螺丝183例如与接地线等连接来接地，能够使电荷耗散层64经由电荷耗散层182而接地。在电荷耗散层64与电荷耗散层65相互电连接的情况下，也可以使用中继构件180。

如图14所示，与短路构件270的X轴方向垂直的截面为具备3个平板部的U字型。2个相互平行的平板部与整流板60接触，另1个平板部与侧壁22接触。短路构件270具备基材271以及形成在基材271的表面的电荷耗散层272。例如，基材271的材料与基材61的材料相同，电荷耗散层272的材料与电荷耗散层64和65的材料相同。电荷耗散层272形成为至少将与电荷耗散层64接触的部分和与电荷耗散层65接触的部分连接。若电荷耗散层65通过导轨构件170接地，则电荷耗散层64也经由短路构件270接地。此外，可以使用金属螺丝273将短路构件270固定在侧壁22，也可以通过将金属螺丝273例如与接地线等连接来接地，从而使电荷耗散层64和65接地。

图15是示出支承构件70的其它例的概要结构的图。在该例中也是，安装时整流板60向Y轴正方向移动，卸下时整流板60向Y轴负方向移动。也就是说，整流板60沿Y轴方向被插入拔出。腔室20中设置有沿Z轴方向延伸的框架376，支承构件70具有块370，该块370被使用金属螺丝373固定于框架376。整流板60的下表面固定有连结构件374。连结构件374例如通过熔接或焊接被固定在整流板60。在整流板60被安装在腔室20内时，连结构件374与块370的表面相接触。使用金属螺丝375将连结构件374可拆卸地固定于块370。如后所述，金属螺丝375贯通侧壁22和块370到达连结构件374。图16是示出块370的概要结构的截面图。此外，在图15和图16中，省略了贯通孔69。

如图16所示，块370具备基材371以及形成在基材371的表面的电荷耗散层372。例如，基材371的材料与基材61的材料相同，电荷耗散层372的材料与电荷耗散层64和65的材料相同。金属螺丝375贯通侧壁22和块370到达连结构件374。电荷耗散层372形成为至少将与电荷耗散层65接触的部分和安装金属螺丝375的部分连接。例如通过使金属螺丝375与接地线等连接来接地，能够经由电荷耗散层372将电荷耗散层65接地。电荷耗散层372也可以形成为至少将与电荷耗散层65接触的部分和基材371的侧面连接。通过使形成在电荷耗散层372的基材371的侧面的部分接地，能够使电荷耗散层65接地。

此外，在腔室20内设置的整流板60的数量不被限定，例如也可以在腔室20内沿Z轴方向排列配置2片整流板60。在该情况下，可以将电荷耗散层设置于2片整流板60，也可以将电荷耗散层仅设置于配置在下方的整流板60。

另外，也可以是，整流板60不仅应用于蚀刻单元，例如还应用于在晶圆W上形成膜的成膜单元等基板处理单元。也可以是，整流板60不仅应用于单片式的基板处理单元，还应用于处理多个晶圆W的批处理式的基板处理单元。也可以是，整流板60不仅应用于基板处理单元，还应用于设置有搬送部15等FFU的部分。

上面，对优选的实施方式等进行了详细说明，但是并不限制于上述的实施方式等，只要不脱离权利要求书中所记载的范围，就能够对上述的实施方式等施加各种变形和置换。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

空气供给部，其向基板所处的位置供给空气；以及

整流构件，其具有多个贯通孔，对从所述空气供给部供给来的所述空气进行整流，

其中，所述整流构件具有：

基材；以及

电荷耗散层，其设置于所述基材的表面，

附着于所述整流构件的表面的电荷沿所述电荷耗散层耗散。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电荷耗散层包括导电性或静电耗散性的材料的层。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电荷耗散层的厚度为0.1μm以上且0.3μm以下。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电荷耗散层具有：

第一区域，其具有第一电荷耗散能力；以及

第二区域，其以在俯视时与所述第一区域相比远离所述基板的方式设置，具备比所述第一电荷耗散能力低的第二电荷耗散能力。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电荷耗散层设置于所述基材的上表面和下表面。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电荷耗散层也设置于所述基材的侧面，

设置于所述上表面的所述电荷耗散层与设置于所述下表面的所述电荷耗散层经由设置于所述侧面的所述电荷耗散层电连接。

7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电荷耗散层也设置于所述多个贯通孔的内壁面，

设置于所述上表面的所述电荷耗散层与设置于所述下表面的所述电荷耗散层经由设置于所述内壁面的所述电荷耗散层电连接。

8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

设置于所述上表面的所述电荷耗散层与设置于所述下表面的所述电荷耗散层被相互绝缘分离。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电荷耗散层处于电浮置的状态。

10.根据权利要求1～8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电荷耗散层接地。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

具有壳体，该壳体收纳所述整流构件并且接地，

所述电荷耗散层与所述壳体电连接。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，

具有支承构件，该支承构件与所述壳体及所述电荷耗散层电连接，并在所述壳体内支承所述整流构件。

13.根据权利要求1～12中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

具有光学式传感器，该光学式传感器设置于所述空气供给部和所述整流构件之间，用于检测所述基板的状态。

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