CN113168046B - 驱动基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种驱动基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。驱动基板包括：衬底基板(1)；位于所述衬底基板(1)上的应力缓冲层(2)；位于所述应力缓冲层(2)远离所述衬底基板(1)一侧的走线结构，所述走线结构中与所述应力缓冲层(2)接触的走线的厚度大于阈值；位于所述走线结构远离所述衬底基板(1)一侧的第一绝缘层(6)；位于所述第一绝缘层(6)远离所述衬底基板(1)一侧的多个电子元件，所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层(6)的过孔(11)与走线结构连接。

Description

驱动基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别是指一种驱动基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

LED通常用于构成显示面板的光源。

发明内容

本公开实施例提供一种驱动基板及其制作方法、显示装置，能够实现大尺寸的驱动基板。

为解决上述技术问题，本公开的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种驱动基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的应力缓冲层；

位于所述应力缓冲层远离所述衬底基板一侧的走线结构，所述走线结构中与所述应力缓冲层接触的走线的厚度大于阈值；

位于所述走线结构远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的多个电子元件，所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与走线结构连接。

在一些实施例中，

所述走线结构包括至少两层走线层，每层走线包括多条走线，相邻两层走线层之间间隔有第二绝缘层，从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向上，前一层的每一走线与后一层的至少一个走线连接，最后一层的每一走线与至少一个电子元件连接。

在一些实施例中，所述走线结构包括第一层走线层和第二层走线层，所述第一层走线层包括多个相互绝缘的第一走线，所述第二层走线层包括多个相互绝缘的第二走线，每一所述第一走线通过贯穿所述第二绝缘层的过孔与至少一个所述第二走线连接，每一所述第二走线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与至少一个电子元件连接。

在一些实施例中，所述第二层走线层包括阵列排布的多组第二走线，每组第二走线大致沿方形环状分布。在一些实施例中，所述第一走线和/或所述第二走线包括铜层。

在一些实施例中，所述第一走线还包括位于所述铜层靠近所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层与所述应力缓冲层的粘附力大于所述铜层与所述应力缓冲层的粘附力；和/或

所述第二走线还包括位于所述铜层靠近所述衬底基板一侧的第二金属层，所述第二金属层与所述第二绝缘层的粘附力大于所述铜层与所述第二绝缘层的粘附力。

在一些实施例中，所述第一金属层和所述第二金属层采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。

在一些实施例中，所述第一金属层的厚度为5-50nm，所述第二金属层的厚度为5-50nm，所述铜层的厚度为1～30μm。

在一些实施例中，所述第一走线还包括位于所述铜层远离所述衬底基板一侧的第一导电保护层；和/或

所述第二走线还包括位于所述铜层远离所述衬底基板一侧的第二导电保护层。

在一些实施例中，所述第一导电保护层和所述第二导电保护层采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。

在一些实施例中，所述第一导电保护层的厚度为5-50nm，所述第二导电保护层的厚度为5-50nm。

在一些实施例中，所述应力缓冲层采用以下至少一种：SiN、SiO、SiON。

在一些实施例中，所述驱动基板还包括：

位于所述第二走线远离所述衬底基板一侧表面上由NiAu和Sn组成的合金，所述电子元件通过所述合金与所述第二走线连接。

在一些实施例中，所述驱动基板还包括：

位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的反光图形，所述反光图形在所述衬底基板上的正投影与所述电子元件在所述衬底基板上的正投影至少部分不交叠。

在一些实施例中，所述衬底基板为玻璃基板或石英基板。

在一些实施例中，所述电子元件为LED。

在一些实施例中，所述驱动基板包括显示区域和位于显示区域周边的绑定区域，贯穿所述第二绝缘层的过孔包括位于所述显示区域的第一过孔和位于所述绑定区域的第二过孔，所述第一过孔的直径小于所述第二过孔的直径。

在一些实施例中，所述阈值为1μm。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的驱动基板。

本公开实施例还提供了一种驱动基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成应力缓冲层；

在所述应力缓冲层上形成至少一层导电层，所述导电层的应力方向与所述应力缓冲层的应力方向相反，利用所述至少一层导电层形成走线结构，与所述应力缓冲层接触的导电层的厚度大于阈值；

形成覆盖所述走线结构的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上绑定多个电子元件，所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与走线结构连接。

在一些实施例中，所述阈值为1μm。

在一些实施例中，形成每层导电层包括：

分别形成多层导电子层，由多层导电子层层叠组成所述导电层。

附图说明

图1为本公开实施例驱动基板的平面示意图；

图2为本公开实施例中在图1的AA方向上的截面示意图；

图3为本公开实施例中在图1的BB方向上的截面示意图；

图4为本公开实施例第二走线的组成示意图；

图5为图1中C部分的等效电路图；

图6为本公开另一实施例中在图1的BB方向上的截面示意图

图7为本公开实施例在衬底基板上形成应力缓冲层和第一走线后的示意图；

图8为本公开实施例形成第二绝缘层后的示意图；

图9为本公开实施例形成第二走线和第一绝缘层后的示意图。

附图标记

1衬底基板

2应力缓冲层

3第一走线

4第二绝缘层

5第二走线

6第一绝缘层

7LED

8反光图形

9透光绝缘图形

10NiAu和Sn形成的合金

11，12过孔

51阳极走线

52阴极走线

53连接线

71LED N pad

72LED P pad

具体实施方式

为使本公开的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

HDR(High-Dynamic Range，高动态范围图像)技术可显著增强液晶显示器的对比度及观看体验，呈现完美的HDR需要高对比度、卓越的色彩表现力。分区控制的LED(发光二极管)面光源可实现HDR技术，极大提升显示效果，由于LED面光源的电流负载大，需要采用厚度为1～6μm的Cu来制作LED基板的走线。相关技术中，将LED绑定在印刷电路板上，FPC(柔性电路板)通过印刷电路板上的信号线路向其提供电信号。而印刷电路板由于成本的限制通常均为小尺寸规格，因此如果需要大尺寸的LED面光源，则需要由小尺寸的印刷电路板拼接而成，但相邻印刷电路板的拼接处需要留出FPC(柔性电路板)绑定位置，会导致LED面光源的边框很宽(通常为厘米级别)，影响了显示产品的分辨率和显示效果。

发明人发现，为了制作非拼接的大尺寸面光源并降低生产成本，可以考虑将驱动LED的信号线路制作在玻璃基板上。然而玻璃基板的质地较，。在玻璃基板上形成厚度较大的铜层时产生的应力会导致玻璃基板碎片。

本公开的实施例针对上述问题，提供一种驱动基板及其制作方法、显示装置，能够实现大尺寸的驱动基板。

本公开的实施例提供一种驱动基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的应力缓冲层，所述走线结构中与所述应力缓冲层接触的走线的厚度大于阈值；

位于所述应力缓冲层远离所述衬底基板一侧的走线结构；

位于所述走线结构远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的多个电子元件，所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与走线结构连接。

本实施例中，在衬底基板上设置应力缓冲层，应力缓冲层可以缓解在衬底基板上形成导电层时所产生的应力，使得衬底基板不会发生碎片，这样可以在衬底基板上形成厚度较大的导电层，利用厚度较大的导电层来制作走线，能够满足驱动基板对走线的电阻率要求，从而可以驱动设置在衬底基板上的电子元件，实现大尺寸的驱动基板，改善显示产品的分辨率和显示效果。具体地，上述阈值可以为1μm。

其中，衬底基板可以为玻璃基板或石英基板。衬底基板的尺寸可以达到3m*3m以上，从而利用本公开的技术方案能够实现大尺寸的驱动基板的量产。其中，电子元件可以为尺寸在微米级别的LED，即本公开的技术方案能够实现大尺寸的LED基板。

为了提高驱动基板上电子元件的密度，所述走线结构可以包括至少两层走线层，每层走线包括多条走线，相邻两层走线层之间间隔有第二绝缘层，从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向上，前一层的每一走线与后一层的至少一个走线连接，最后一层的每一走线与至少一个电子元件连接。

一具体实施例中，所述走线结构可以包括第一层走线层和第二层走线层,，所述第一层走线层包括多个相互绝缘的第一走线，所述第二层走线层包括多个相互绝缘的第二走线，每一所述第一走线通过贯穿所述第二绝缘层的过孔与至少一个所述第二走线连接，每一所述第二走线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与至少一个电子元件连接。

当然，走线结构并不局限于包括两层走线层，还可以包括更多层走线层，走线结构的走线层越多，则可以布局的电子元件的密度越大。

图1为本公开实施例驱动基板的平面示意图，图2为图1的AA方向的截面示意图，图3为图1的BB方向的截面示意图，如图1-图3所示，一具体实施例中，以电子元件为LED为例，驱动基板包括：

衬底基板1；

位于衬底基板1上的应力缓冲层2；

位于应力缓冲层2上的第一走线3；

覆盖第一走线3的第二绝缘层4；

位于第二绝缘层4上的第二走线5；

覆盖第二走线5的第一绝缘层6；

位于第一绝缘层6上的LED7，LED7通过贯穿第一绝缘层6的过孔11与第二走线5连接，图1和图3中虚线圆圈所示位置即过孔11的位置。其中，每一第一走线3与多个第二走线5连接，第一走线3通过位于第二绝缘层4中的过孔12与第二走线5连接，图1和图2中虚线方框所示位置即过孔12的位置。第二走线5与多个LED7连接，起到连接相邻LED7的作用。如图3所示，每个LED 7包括N pad 71和P pad 72，LED7的N pad 71和P pad 72分别通过贯穿第一绝缘层6的过孔11与位于不同位置的第二走线5连接。

具体地，如图1所示，第二走线5划分为阵列排布的多组。在一些实施例中，每组第二走线5连接四个LED7，每组第二走线5可以大致沿方形环状分布，当然，每组第二走线5并不局限为构成环状，还可以为其他形状。

图5为图1中C部分的等效电路图，如图5所示，每组第二走线5包括阳极走线51、连接线53和阴极走线52，每组第二走线5连接四个LED，四个LED以两串两并的方式连接，其中，阳极走线51与LED的阳极连接，阴极走线52与LED的阴极连接，连接线53连接LED的阳极与相邻LED的阴极。

由于驱动基板的电流负载大，对走线的电阻性能要求高，而铜的导电性能优越，因此，可以采用铜来制作第一走线。如图2和图3所示，第一走线3包括铜层32，根据电流负载的大小可以调节铜层32的厚度，电流负载越大，则铜层32的厚度越大，铜层32的厚度可以为1～30μm。铜层32可以通过溅射、电镀、化学镀等方式完成，应力缓冲层2可以采用SiN、SiO和SiON中的一种或多种绝缘材料，与形成的铜层32的应力方向相反，这样可以抵消形成铜层32时所产生的应力，避免衬底基板1碎片。由于所形成的铜层32的厚度越大，所产生的应力越大，为了进一步减小形成铜层32时所产生的应力，可以分多次分别形成多层厚度较小的铜层，由多层厚度较小的铜层层叠组成铜层32，分多次沉积铜层的方式可以有效降低铜的热应力。

压应力就是指抵抗物体有压缩趋势的应力，拉应力是物体对使物体有拉伸趋势的外力的反作用力，压应力和拉应力的应力方向相反，且随着膜层厚度的增加，应力变大。铜层32表现出拉应力，而应力缓冲层2表现出压应力。

以应力缓冲层2采用SiN为例，先在衬底基板上沉积一层表现为压应力的SiN，之后再沉积一层表现为拉应力的铜层，由于应力缓冲层与铜层的应力方向相反，出现应力抵消，因此可以大幅度降低衬底基板的翘曲度。经过实验验证，通过增加应力缓冲层在衬底基板上形成厚度为3μm的铜层，此时衬底基板的翘曲度仅相当于无应力缓冲层的情况下在衬底基板上形成厚度为1μm的铜层时衬底基板的翘曲度。

相关技术中，在衬底基板上沉积厚度较大的铜层时，由于衬底基板的翘曲度过大将出现衬底基板碎片的情况，本公开在衬底基板上设置应力缓冲层2，应力缓冲层2的应力可以抵消铜层的引力，通过调节应力缓冲层2的厚度可以改善衬底基板的翘曲度，在保证衬底基板不碎片的前提下增加可沉积的铜层的厚度。

在一些实施例中，如图2和图3所示，第一走线3还包括位于铜层32靠近衬底基板1一侧的第一金属层31，第一金属层31与应力缓冲层2的粘附力大于铜层32与应力缓冲层2的粘附力，这样通过第一金属层31可以增加第一走线3与应力缓冲层2的粘附力，防止第一走线3从衬底基板1上脱落，具体地，第一金属层31可以采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。第一金属层31的厚度无需设置的较大，可以为5-50nm。

由于铜层32在接触到空气后表面容易氧化，影响导电性能，如图2和图3所示，第一走线3还包括位于铜层32远离衬底基板1一侧的第一导电保护层33，第一导电保护层33可以选用不易氧化的金属或透明导电材料，具体地，第一导电保护层33可以采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。第一导电保护层33可以保护铜层32，避免铜层32的表面氧化，第一导电保护层33的厚度无需设置的较大，可以为5-50nm。

在第一走线3上覆盖有第二绝缘层4，第二绝缘层4可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料，保护第一走线3在后续的高温工艺中不被氧化，第二绝缘层4的厚度可以为50-300nm；第二绝缘层4还可以采用厚度较大的有机绝缘材料，比如有机树脂等，填充第一走线3之间的缝隙，为后续工艺提供平整的表面，避免后续工艺出现大的段差，这样在进行LED绑定时不会发生LED位移问题，这时第二绝缘层4的厚度应大于等于第一走线3的厚度，可以为1-30μm。

在第二绝缘层4上设置有第二走线5，第二走线5的厚度不需要太大，可以为300-900nm。由于铜的导电性能优越，因此，可以采用铜来制作第二走线5。如图4所示，第二走线5包括铜层52，铜层52可以通过溅射、电镀、化学镀等方式完成。在一些实施例中，如图4所示，第二走线5还包括位于铜层52靠近衬底基板1一侧的第二金属层51，第二金属层51与第二绝缘层4的粘附力大于铜层52与第二绝缘层4的粘附力，这样通过第二金属层51可以增加第二走线5与第二绝缘层4的粘附力，防止第二走线5从衬底基板1上脱落，具体地，第二金属层51可以采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。第二金属层51的厚度无需设置的较大，可以为5-50nm。

由于铜层52在接触到空气后表面容易氧化，影响导电性能，如图4所示，第二走线5还包括位于铜层52远离衬底基板1一侧的第二导电保护层53，第二导电保护层53可以选用不易氧化的金属或透明导电材料，具体地，第二导电保护层53可以采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。第二导电保护层53可以保护铜层52，避免铜层52的表面氧化，第二导电保护层53的厚度无需设置的较大，可以为5-50nm。

在将LED形成在基板上时，LED的电极与第二走线5电连接。相关技术中，由于走线大多采用铜，铜容易氧化生氧化铜、氮化铜等异物，与LED通过焊锡结合力较差，LED会出现大量的脱落现象，影响LED面光源的亮度和良品率。为了增加LED焊锡与基板的附着力，驱动基板还可以包括：位于所述第二走线5远离所述衬底基板1一侧表面上的NiAu层，NiAu层可以通过电镀或化学镀方式形成，在第二走线5上增加NiAu层既可以隔绝铜层52，避免铜层52被外界氧化，NiAu层还可以和焊锡形成合金，使得LED与基板的附着力大大提高，避免LED脱落。在LED通过焊锡附着在基板上后，LED通过NiAu和锡组成的合金10与第二走线5电连接。

由于NiAu层可以避免铜层52被外界氧化，因此在第二走线5远离衬底基板1的一侧表面上形成有NiAu层时，可以省去第二导电保护层53的设置。

在一些实施例中，所述驱动基板还包括：位于所述第一绝缘层6远离所述衬底基板1一侧的反光图形8，所述反光图形8在所述衬底基板1上的正投影与所述LED7在所述衬底基板1上的正投影至少部分不交叠，如图2和图3所示，所述反光图形8在所述衬底基板1上的正投影与所述LED7在所述衬底基板1上的正投影完全不交叠。由于LED7发出的光线是朝向各个方向的，仅有一部分是朝驱动基板的出光侧出射，其中，驱动基板的出光侧是LED7远离衬底基板1的一侧，为了提高光线的利用率，可以通过反光图形8可以将LED7发出的照射到反光图形8上的光线反射至至出光侧，提高驱动基板的光线利用率，所述反光图形8可以采用反射率较高的材料，具体可以采用以下至少一种：Ag、Al、Cu。反光图形8的材料为导电金属时，需要保证发光图形的设置不影响相邻LED7之间的正常电气连接。当然，可以理解的是，发光图形8也可以包括设置在所述LED7朝向衬底基板1一侧的部分，以进一步增加光线的反射率。

在一些实施例中，如图2和图3所示，所述驱动基板还包括：位于所述反光图形8远离所述衬底基板1一侧的透光绝缘图形9，所述透光绝缘图形9在所述衬底基板1上的正投影与所述反光图形8暴露在外的部分在所述衬底基板1上的正投影重合，透光绝缘图形9能够对反光图形8进行保护，避免反光图形8被划伤。

在透光绝缘图形9的透光率较好时，如图6所示，透光绝缘图形9可以不仅仅覆盖反光图形8，还可以覆盖LED7，这样也能够对LED7进行保护。

驱动基板包括显示区域和位于显示区域周边的绑定区域，贯穿所述第二绝缘层的过孔包括位于所述显示区域的第一过孔和位于所述绑定区域的第二过孔，由于绑定区域的电流负载比显示区域的电流负载大，因此，所述第一过孔的直径小于所述第二过孔的直径，这样可以使得绑定区域的第一走线与第二走线之间的连接电阻比较小，具体地，第一过孔的直径可以为微米级别，第二过孔的直径可以为毫米级别。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的驱动基板。所述显示装置可以为：液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。

在上述驱动基板的电子元件为LED时，驱动基板可以作为显示装置的面光源。

本公开实施例还提供了一种驱动基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成应力缓冲层；

在所述应力缓冲层上形成至少一层导电层，所述导电层的应力方向与所述应力缓冲层的应力方向相反，利用所述至少一层导电层形成走线结构，与所述应力缓冲层接触的导电层的厚度大于阈值；

形成覆盖所述走线结构的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上绑定多个电子元件，所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与走线结构连接。

本实施例中，在衬底基板上设置应力缓冲层，应力缓冲层可以缓解在衬底基板上形成导电层时所产生的应力，使得衬底基板不会发生碎片，这样可以在衬底基板上形成厚度较大的导电层，利用厚度较大的导电层来制作走线，能够满足驱动基板对走线的电阻率要求，从而可以在衬底基板上制备电子元件，实现大尺寸的驱动基板，改善显示产品的分辨率和显示效果。具体地，上述阈值可以为1μm。

其中，衬底基板可以为玻璃基板或石英基板。衬底基板的尺寸可以达到3m*3m以上，从而利用本公开的技术方案能够实现大尺寸的驱动基板的量产。其中，电子元件可以为LED，这样利用本公开的技术方案能够实现大尺寸的LED基板。

在一些实施例中，形成每层导电层包括：

分别形成多层导电子层，由多层导电子层层叠组成所述导电层。由于所形成的导电层的厚度越大，所产生的应力越大，为了进一步减小形成导电层时所产生的应力，可以分多次分别形成多层厚度较小的导电子层，由多层厚度较小的导电子层层叠组成导电层，导电子层的层数和厚度可以根据需要进行调整。

为了提高驱动基板上电子元件的密度，形成所述走线结构包括依次形成多层走线层以及在相邻层走线层之间形成第二绝缘层的步骤，从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向上，前一层的每一走线与后一层的至少一个走线连接，最后一层的每一走线与至少一个电子元件连接。

一具体实施例中，所述至少一层导电层包括第一导电层和第二导电层，形成所述走线结构包括：

在所述应力缓冲层上形成第一导电层；

对所述第一导电层构图形成第一层走线层，所述第一层走线层包括多个相互绝缘的第一走线；

形成覆盖所述第一层走线层的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第二导电层，对所述第二导电层构图形成第二层走线层，所述第二层走线层包括多个相互绝缘的第二走线，每一所述第一走线通过贯穿所述第二绝缘层的过孔与至少一个所述第二走线连接，每一所述第二走线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与至少一个电子元件连接。

当然，走线结构并不局限于包括两层走线层，还可以包括更多层走线层，走线结构的走线层越多，可以布局的电子元件的密度越大。

在一些实施例中，形成距离所述衬底基板最远的一层导电层之后，所述方法还包括：

在所述最远的一层导电层上形成NiAu层。

以电子元件为LED为例，在将LED形成在基板上时，LED的电极与距离衬底基板最远的一层导电层形成的走线电连接。相关技术中，由于走线大多采用铜，铜容易氧化生氧化铜、氮化铜等异物，与LED通过焊锡结合力较差，LED会出现大量的脱落现象，影响LED面光源的亮度和良品率。为了增加LED焊锡与基板的附着力，在距离衬底基板最远的一层导电层上形成NiAu层，NiAu层可以通过电镀或化学镀方式形成，NiAu层还可以和焊锡形成合金，这样在LED通过焊锡与基板结合时，焊锡与距离衬底基板最远的一层导电层上的NiAu层形成合金，能够使得LED焊锡与基板的附着力大大提高，避免LED脱落。

由于铜具有良好的导电性能，能够满足驱动基板对走线的要求，因此，可以采用采用铜来制作驱动基板的走线。以采用铜制作走线，电子元件为LED为例，本实施例的驱动基板的制作方法具体包括以下步骤：

步骤1、提供一衬底基板1，在衬底基板上形成应力缓冲层2；

其中，衬底基板1可为玻璃基板或石英基板。应力缓冲层2可以采用SiN、SiO和SiON中的一种或多种绝缘材料，应力缓冲层2与待形成的铜层32的应力方向相反，这样通过应力缓冲层2可以抵消形成铜层32时所产生的应力，避免衬底基板1碎片。

步骤2、在应力缓冲层2上形成第一金属层31；

由于铜层32与应力缓冲层2的粘附力不是太强，因此可以先在应力缓冲层2上形成第一金属层31，第一金属层31与应力缓冲层2的粘附力大于铜层32与应力缓冲层2的粘附力，这样通过第一金属层31可以增加第一走线3与应力缓冲层2的粘附力，防止第一走线3从衬底基板1上脱落，具体地，第一金属层31可以采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。第一金属层31的厚度无需设置的较大，可以为5-50nm。

步骤3、在第一金属层31上形成铜层32；

铜层32可以通过溅射、电镀、化学镀等方式完成，根据驱动基板电流负载的大小可以调节铜层32的厚度，铜层32的厚度可以为1～30μm。由于所形成的铜层32的厚度越大，所产生的应力越大，为了进一步减小形成铜层32时所产生的应力，可以分别形成多层厚度较小的铜层，由多层厚度较小的铜层层叠组成铜层32。

步骤4、在铜层32上形成第一导电保护层33；

由于铜层32在接触到空气后表面容易氧化，影响导电性能，因此在铜层32远离衬底基板1一侧形成第一导电保护层33，第一导电保护层33可以选用不易氧化的金属或透明导电材料，具体地，第一导电保护层33可以采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。第一导电保护层33可以保护铜层32，避免铜层32的表面氧化，第一导电保护层33的厚度无需设置的较大，可以为5-50nm。

步骤5、如图7所示，对第一金属层31、铜层32和第一导电保护层33进行构图，形成第一走线3；

可以在每形成一层膜层后，对形成的膜层进行构图形成第一走线3的一部分，为了简化工艺流程，也可以在形成第一金属层31、铜层32和第一导电保护层33后，对第一金属层31、铜层32和第一导电保护层33一起进行构图形成第一走线3。

步骤6、如图8所示，形成覆盖第一走线3的第二绝缘层4，对第二绝缘层4进行构图，形成暴露出第一走线3的过孔；

第二绝缘层4可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料，保护

第一走线3在后续的高温工艺中不被氧化，第二绝缘层4的厚度可以为50-300nm；第二绝缘层4还可以采用厚度较大的有机绝缘材料，比如有机树脂等，填充第一走线3之间的缝隙，为后续工艺提供平整的表面，避免后续工艺出现大的段差，这样在进行LED绑定时不会发生LED位移问题，这时第二绝缘层4的厚度应大于等于第一走线3的厚度，可以为1-30μm。

可以对第二绝缘层4进行干法刻蚀，形成暴露出第一走线3的过孔，驱动基板包括显示区域和位于显示区域周边的绑定区域，贯穿第二绝缘层4的过孔包括位于显示区域的第一过孔和位于绑定区域的第二过孔，如图6所示，虚线左侧为显示区域，虚线右侧为绑定区域，由于绑定区域的电流负载比显示区域的电流负载大，因此，位于显示区域的第一过孔的直径小于位于绑定区域的第二过孔的直径，这样可以使得绑定区域的第一走线3与第二走线5之间的连接电阻比较小，具体地，第一过孔的直径可以为微米级别，第二过孔的直径可以为毫米级别。

步骤7、如图9所示，形成第二走线5；

第二走线5的厚度不需要太大，可以为300-900nm。由于铜的导电性能优越，因此，可以采用铜来制作第二走线5。当然，也可以采用其他导电材料来制作第二走线5。

如图4所示，第二走线5包括铜层52，铜层52可以通过溅射、电镀、化学镀等方式完成。在一些实施例中，如图4所示，第二走线5还包括位于铜层52靠近衬底基板1一侧的第二金属层51，第二金属层51与第二绝缘层4的粘附力大于铜层52与第二绝缘层4的粘附力，这样通过第二金属层51可以增加第二走线5与第二绝缘层4的粘附力，防止第二走线5从衬底基板1上脱落，具体地，第二金属层51可以采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。第二金属层51的厚度无需设置的较大，可以为5-50nm。

由于铜层52在接触到空气后表面容易氧化，影响导电性能，如图4所示，第二走线5还包括位于铜层52远离衬底基板1一侧的第二导电保护层53，第二导电保护层53可以选用不易氧化的金属或透明导电材料，具体地，第二导电保护层53可以采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。第二导电保护层53可以保护铜层52，避免铜层52的表面氧化，第二导电保护层53的厚度无需设置的较大，可以为5-50nm。

可以在每形成一层膜层后，对形成的膜层进行构图形成第二走线5的一部分，为了简化工艺流程，也可以在形成第二金属层51、铜层52和第二导电保护层53后，对第二金属层51、铜层52和第二导电保护层53一起进行构图形成第二走线5。

为了增加LED焊锡与基板的附着力，还可以在第二走线5远离衬底基板1一侧表面上形成NiAu层，NiAu层可以通过电镀或化学镀方式形成，在第二走线5上增加NiAu层既可以隔绝铜层52，避免铜层52被外界氧化，NiAu层还可以和焊锡形成合金，使得LED焊锡与基板的附着力大大提高，避免LED脱落。

步骤8、如图3所示，形成第一绝缘层6；

第一绝缘层6可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘材料，保护第二走线5在后续的高温工艺中不被氧化，第一绝缘层6的厚度可以为50-300nm；第一绝缘层6还可以采用厚度较大的有机绝缘材料，比如有机树脂等，填充第二走线5之间的缝隙，为后续工艺提供平整的表面，避免后续工艺出现大的段差，这样在进行LED绑定时不会发生LED位移问题，这时第一绝缘层6的厚度应大于等于第二走线5的厚度。

步骤9、形成贯穿第一绝缘层6的过孔；

具体地，可以对第一绝缘层6进行干法刻蚀，形成暴露出第二走线5的过孔。

步骤10、在第一绝缘层6上形成反光图形8；

LED7发出的光线是朝向各个方向的，为了提高光线的利用率，可以通过反光图形8将LED7发出的照射到反光图形8上的光线反射至远离衬底基板1一侧，提高驱动基板的光线利用率，所述反光图形8可以采用反射率较高的材料，具体可以采用以下至少一种：Ag、Al、Cu。

步骤11、在反光图形8上形成透明绝缘图形9；

所述透光绝缘图形9在所述衬底基板1上的正投影与所述反光图形8暴露在外的部分在所述衬底基板1上的正投影重合，透光绝缘图形9能够对反光图形8进行保护，避免反光图形8被划伤。

步骤12、如图3所示，将LED绑定在驱动基板上。

具体地，可以通过焊锡将LED绑定在驱动基板上，焊锡与第二走线5上的NiAu层形成合金10，能够将LED牢固地固定在驱动基板上，防止LED7脱落。

经过上述步骤即可得到如图3所示的本实施例的驱动基板，通过本实施例能够实现大尺寸的驱动基板的量产，进而改善显示产品的分辨率和显示效果。

在一些实施例中，透光绝缘图形9在所述衬底基板1上的正投影与所述反光图形8暴露在外的部分在所述衬底基板1上的正投影重合。可以在形成透光绝缘图形9和反光图形8后进行LED的绑定。故在绑定LED之前通过构图工艺形成透光绝缘图形9和反光图形8。

在透光绝缘图形9的透光率较好时，可以在绑定LED后形成覆盖反光图形8和LED7的透光绝缘图形9，如图6所示，这样透光绝缘图形9能够对LED7进行保护。因此，在绑定LED之前需要通过构图工艺形成反光图形8，然后进行LED的绑定，在绑定LED7之后，涂覆透明绝缘材料形成透光绝缘图形9。

在本公开各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本公开的保护范围之内。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

以上所述是本公开的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。

Claims (20)

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的应力缓冲层；

位于所述应力缓冲层远离所述衬底基板一侧的走线结构，所述走线结构中与所述应力缓冲层接触的走线的厚度大于阈值，所述走线结构包括至少两层走线层，每层走线包括多条走线，相邻两层走线层之间间隔有第二绝缘层；

位于所述走线结构远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的多个电子元件，所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与走线结构连接；

位于所述走线结构远离所述衬底基板一侧表面的NiAu层，所述NiAu层与所述电子元件的焊锡形成合金，所述电子元件通过所述合金固定在所述驱动基板上；

所述驱动基板包括显示区域和位于显示区域周边的绑定区域，贯穿所述第二绝缘层的过孔包括位于所述显示区域的第一过孔和位于所述绑定区域的第二过孔，所述第一过孔的直径小于所述第二过孔的直径。

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，

从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向上，前一层的每一走线与后一层的至少一个走线连接，最后一层的每一走线与至少一个电子元件连接。

3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述走线结构包括第一层走线层和第二层走线层，所述第一层走线层包括多个相互绝缘的第一走线，所述第二层走线层包括多个相互绝缘的第二走线，每一所述第一走线通过贯穿所述第二绝缘层的过孔与至少一个所述第二走线连接，每一所述第二走线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与至少一个电子元件连接。

4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述第二层走线层包括阵列排布的多组第二走线，每组第二走线大致沿方形环状分布。

5.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述第一走线和/或所述第二走线包括铜层。

6.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，

所述第一走线还包括位于所述铜层靠近所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层与所述应力缓冲层的粘附力大于所述铜层与所述应力缓冲层的粘附力；和/或

所述第二走线还包括位于所述铜层靠近所述衬底基板一侧的第二金属层，所述第二金属层与所述第二绝缘层的粘附力大于所述铜层与所述第二绝缘层的粘附力。

7.根据权利要求6所述的驱动基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。

8.根据权利要求7所述的驱动基板，其特征在于，所述第一金属层的厚度为5-50nm，所述第二金属层的厚度为5-50nm，所述铜层的厚度为1～30μm。

9.根据权利要求6所述的驱动基板，其特征在于，

所述第一走线还包括位于所述铜层远离所述衬底基板一侧的第一导电保护层；和/或

所述第二走线还包括位于所述铜层远离所述衬底基板一侧的第二导电保护层。

10.根据权利要求9所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电保护层和所述第二导电保护层采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。

11.根据权利要求10所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电保护层的厚度为5-50nm，所述第二导电保护层的厚度为5-50nm。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的驱动基板，其特征在于，所述应力缓冲层采用以下至少一种：SiN、SiO、SiON。

13.根据权利要求1-11中任一项所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括：

位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的反光图形，所述反光图形在所述衬底基板上的正投影与所述电子元件在所述衬底基板上的正投影至少部分不交叠。

14.根据权利要求1-11中任一项所述的驱动基板，其特征在于，所述衬底基板为玻璃基板或石英基板。

15.根据权利要求1-11中任一项所述的驱动基板，其特征在于，所述电子元件为LED。

16.根据权利要求1-11中任一项所述的驱动基板，其特征在于，所述阈值为1μm。

17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-16中任一项所述的驱动基板。

18.一种驱动基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成应力缓冲层；

在所述应力缓冲层上形成至少一层导电层，所述导电层的应力方向与所述应力缓冲层的应力方向相反，利用所述至少一层导电层形成走线结构，与所述应力缓冲层接触的导电层的厚度大于阈值，所述走线结构包括至少两层走线层，每层走线包括多条走线，相邻两层走线层之间间隔有第二绝缘层；

形成覆盖所述走线结构的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上绑定多个电子元件，所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与走线结构连接；

形成位于所述走线结构远离所述衬底基板一侧表面上的NiAu层，所述NiAu层与所述电子元件的焊锡形成合金，所述电子元件通过所述合金固定在所述驱动基板上；

所述驱动基板包括显示区域和位于显示区域周边的绑定区域，贯穿所述第二绝缘层的过孔包括位于所述显示区域的第一过孔和位于所述绑定区域的第二过孔，所述第一过孔的直径小于所述第二过孔的直径。

19.根据权利要求18所述的驱动基板的制作方法，其特征在于，所述阈值为1μm。

20.根据权利要求18所述的驱动基板的制作方法，其特征在于，形成每层导电层包括：

分别形成多层导电子层，由多层导电子层层叠组成所述导电层。