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CN112946996A - 掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法 - Google Patents

掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法 Download PDF

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CN112946996A
CN112946996A CN202011344580.8A CN202011344580A CN112946996A CN 112946996 A CN112946996 A CN 112946996A CN 202011344580 A CN202011344580 A CN 202011344580A CN 112946996 A CN112946996 A CN 112946996A
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Abstract

本发明的课题在于提供一种可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。解决方法是该掩模坯料，其在基板上具备图案形成用的薄膜。上述薄膜由含有铬的材料形成。另外，上述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成。此处，上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大。

Description

掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体器件的制造等中使用的转印用掩模、该转印用掩模的制作中使用的掩模坯料、及使用转印用掩模的半导体器件的制造方法。
背景技术
一般而言，在半导体器件的制造工序中，利用光刻法进行微细图案的形成。该微细图案的形成中通常使用被称作光掩模(转印用掩模)的基板。该光掩模一般在透光性的玻璃基板上设置有由金属薄膜等形成的遮光性的微细图案。在该光掩模的制造中，也利用了光刻法。
在利用光刻法的光掩模的制造中，使用在玻璃基板等透光性基板(以下有时简称为基板)上具有遮光膜的掩模坯料。在使用了该掩模坯料的光掩模的制造中，进行下述工序：对形成于掩模坯料上的抗蚀膜实施期望的图案描绘的描绘工序；描绘后对上述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案的显影工序；将该抗蚀图案作为掩模，对上述遮光膜进行蚀刻的蚀刻工序；以及将残存的抗蚀图案剥离除去的工序。在上述蚀刻工序中，将该抗蚀图案作为掩模，通过例如湿法蚀刻，将未形成抗蚀图案的遮光膜露出的部位溶解，由此在透光性基板上形成期望的掩模图案。这样一来，完成了光掩模。
在专利文献1中，作为适于湿法蚀刻的掩模坯料，公开了一种具备铬类材料的遮光膜的掩模坯料。公开了该遮光膜例如从基板侧起为第1遮光膜(CrN)/第2遮光膜(CrC)/防反射膜(CrON)的层叠结构。
另外，在专利文献2中，同样作为适于湿法蚀刻的掩模坯料，公开了一种具备铬类材料的层叠结构的遮光膜的光掩模基板。公开了该遮光膜例如从基板侧起为第1层(铬膜)/第2层(氧化铬、氮化铬混合组成膜)的层叠结构、第1层(氧化铬、氮化铬混合组成膜)/第2层(铬膜)/第3层(氧化铬、氮化铬混合组成膜)的层叠结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3276954号公报
专利文献2：日本特公昭61-46821号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在通过使用了将硝酸铈铵作为主成分的蚀刻液的湿法蚀刻(以下简称为“湿法蚀刻”。)对铬类材料的薄膜形成图案的情况下，存在氧化铬膜与铬金属膜相比蚀刻速率更慢的倾向。
在制造通过溅射法在基板上形成铬金属膜作为图案形成用薄膜的掩模坯料的情况下，在之后的制造工艺的过程中，无法避免从该薄膜的与基板侧相反侧的表面开始发生氧化。
例如，在基板上形成了薄膜后，通常进行将缺陷除去等作为目的的水清洗，此时氧从薄膜的表面进入(薄膜的上部区域的氧化进行。)。在使用该掩模坯料制造转印用掩模的情况下，通过将抗蚀图案作为蚀刻掩模的湿法蚀刻对薄膜形成图案。在将该抗蚀膜形成于薄膜上的工序中，在薄膜的表面涂布抗蚀液后，对掩模坯料整体进行烘烤处理，由此使该涂布后的抗蚀剂固化。该烘烤处理时，氧从薄膜的表面进入(薄膜的上部区域的氧化进一步进行。)。
一般而言，要求掩模坯料的图案形成用薄膜对于曝光光(将由该掩模坯料制造的转印用掩模设置于曝光装置时照射的曝光光)的表面反射率低。通过使薄膜的表层(上部区域)含有氮，可以在一定程度上降低对于曝光光的表面反射率，但是在多数情况下，该表面反射率不充分。如果在薄膜的上部区域中含有氧，则可以大幅降低对于曝光光的表面反射率。然而，为了得到充分降低表面反射率的效果，必须在薄膜的上部区域中含有比较多的氧。这样的薄膜的上部区域通过含有比较多的氧，结构非晶化，成为致密的结构，对于湿法蚀刻的蚀刻速率变慢，因此，对薄膜形成图案时成为问题。
另一方面，期望图案形成用薄膜的基板侧的区域(下部区域)对于湿法蚀刻的蚀刻速率比该薄膜的内部区域(中部区域)的蚀刻速率快。一般而言，湿法蚀刻的各向同性蚀刻的倾向强。因此，在从与薄膜的基板侧相反侧的表面至基板侧的表面进行湿法蚀刻的情况下，薄膜图案的侧壁容易成为锥形状(薄膜图案的线宽朝着基板侧变宽的形状)。因此，一般而言，对于薄膜的湿法蚀刻进行至基板的表面露出为止后，也主要对薄膜的下部区域继续进行用于进行侧壁方向的蚀刻的蚀刻(所谓过蚀刻)。然而，在各向同性湿法蚀刻中，仅通过钻刻(undercut)变大，不能提高薄膜图案的侧壁的垂直性。因此，期望提高薄膜的下部区域的蚀刻速率。此处，提高薄膜图案的侧壁的垂直性是指，以使薄膜图案的截面形状接近垂直于膜面的方式良好地完成。
本发明为了解决现有问题而成，其目的在于，提供一种可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、进而可以提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。
另外，本发明的目的在于，提供一种提高了薄膜图案的侧壁的垂直性的转印用掩模。
此外，本发明的目的还在于，提供一种使用该转印用掩模的半导体器件的制造方法。
解决问题的方法
如上所述，鉴于以往难以良好地完成通过湿法蚀刻处理形成的薄膜图案的截面形状的问题，本发明人进行了深入研究，结果发现，例如通过在图案形成用薄膜的与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域调节构成图案形成用薄膜的铬类材料的结晶尺寸，从而可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率，进而可以提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性。
即，为了解决上述问题，本发明具有以下的方案。
(方案1)
一种掩模坯料，其在基板上具备图案形成用的薄膜，上述薄膜由含有铬的材料形成，上述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，上述上部区域的结晶尺寸比除上述上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
(方案2)
根据方案1所述的掩模坯料，其中，上述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。
(方案3)
根据方案1或2所述的掩模坯料，其中，利用电子衍射法获得的上述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域各自的晶面间距均为0.2nm以上。
(方案4)
根据方案1～3中任一项所述的掩模坯料，其中，上述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均具有柱状结构。
(方案5)
根据方案1～4中任一项所述的掩模坯料，其中，上述薄膜的除上部区域以外的区域从基板侧起由下部区域及中部区域这两个区域构成，上述薄膜的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。
(方案6)
根据方案1～5中任一项所述的掩模坯料，其中，上述薄膜为上述铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。
(方案7)
根据方案1～6中任一项所述的掩模坯料，其中，上述薄膜是对于曝光光具有3以上的光密度的遮光膜。
(方案8)
一种转印用掩模，其在基板上具备具有转印图案的薄膜，上述薄膜由含有铬的材料形成，上述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，上述上部区域的结晶尺寸比除上述上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
(方案9)
根据方案8所述的转印用掩模，其中，上述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。
(方案10)
根据方案8或9所述的转印用掩模，其中，利用电子衍射法获得的上述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域各自的晶面间距均为0.2nm以上。
(方案11)
根据方案8～10中任一项所述的转印用掩模，其中，上述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均具有柱状结构。
(方案12)
根据方案8～11中任一项所述的转印用掩模，其中，上述薄膜的除上部区域以外的区域从基板侧起由下部区域及中部区域这两个区域构成，上述薄膜的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。
(方案13)
根据方案8～12中任一项所述的转印用掩模，其中，上述薄膜为上述铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。
(方案14)
根据方案8～13中任一项所述的转印用掩模，其中，上述薄膜是对于曝光光具有3以上的光密度的遮光膜。
(方案15)
一种半导体器件的制造方法，该方法具备：使用方案8～14中任一项所述的转印用掩模，将转印图案曝光转印至半导体基板上的抗蚀膜的工序。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、进而可以提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。
另外，根据本发明，可以提供一种提高了薄膜图案的侧壁的垂直性的转印用掩模。
此外，根据本发明，可以提供一种可以使用上述转印用掩模形成良好的转印图案的半导体器件的制造方法。
附图说明
图1是示出本发明的掩模坯料的一个实施方式的剖面图。
图2是示出本发明的转印用掩模的一个实施方式的剖面图。
图3是示出使用了本发明的掩模坯料的转印用掩模的制造工序的剖面图。
图4示出本发明的实施例1的掩模坯料中的遮光膜的上部区域的电子束衍射图像。
图5示出本发明的实施例1的掩模坯料中的遮光膜的中部区域的电子束衍射图像。
图6示出本发明的实施例1的掩模坯料中的遮光膜的下部区域的电子束衍射图像。
图7示出本发明的实施例1的掩模坯料中的遮光膜的截面TEM图像。
图8示出本发明的实施例2的掩模坯料中的遮光膜的上部区域的电子束衍射图像。
图9示出本发明的实施例2的掩模坯料中的遮光膜的中部区域的电子束衍射图像。
图10示出本发明的实施例2的掩模坯料中的遮光膜的下部区域的电子束衍射图像。
图11示出本发明的实施例2的掩模坯料中的遮光膜的截面TEM图像。
图12示出本发明的实施例3的掩模坯料中的遮光膜的上部区域的电子束衍射图像。
图13示出本发明的实施例3的掩模坯料中的遮光膜的中部区域的电子束衍射图像。
图14示出本发明的实施例3的掩模坯料中的遮光膜的下部区域的电子束衍射图像。
图15示出本发明的实施例3的掩模坯料中的遮光膜的截面TEM图像。
图16是示出比较例的掩模坯料中的遮光膜的上部区域的电子束衍射图像的图。
图17示出比较例的掩模坯料中的遮光膜的中部区域的电子束衍射图像。
图18示出比较例的掩模坯料中的遮光膜的下部区域的电子束衍射图像。
图19示出比较例的掩模坯料中的遮光膜的截面TEM图像。
符号说明
1 基板
2 图案形成用的薄膜
3 抗蚀膜
2a 薄膜图案(转印图案、遮光膜图案)
3a 抗蚀图案
10 掩模坯料
20 转印用掩模
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细叙述。
[掩模坯料]
首先，对本发明的掩模坯料进行说明。
图1是示出本发明的掩模坯料的一个实施方式的剖面图。
图1所示的掩模坯料10是在基板1上具备图案形成用的薄膜2的方式的掩模坯料。
在本实施方式的掩模坯料10中，上述薄膜2由含有铬的材料形成。另外，上述薄膜2的特征在于，由与基板1侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域这两个区域构成，上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
此处，作为上述基板1，透光性基板是适宜的。作为该透光性基板，一般可举出玻璃基板。玻璃基板的平坦度及平滑度优异，因此，在使用转印用掩模向被转印基板上进行图案转印的情况下，不会发生转印图案的歪斜等，可以进行高精度的图案转印。作为透光性基板，除合成石英玻璃以外，还可以由石英玻璃、硅酸铝玻璃、碱石灰玻璃、低热膨胀玻璃(SiO2-TiO2玻璃等)等玻璃材料形成。这些中，合成石英玻璃对于例如作为曝光光的ArF准分子激光(波长193nm)的透射率高，作为形成掩模坯料10的基板1的材料特别优选。
上述图案形成用的薄膜2由含有铬的材料形成，例如为遮光膜。作为具体的上述薄膜2的材料，可列举铬单质、或者在铬中含有氧、氮、碳等元素的铬化合物材料。优选在构成薄膜2的材料中不含硅等这样的大幅降低湿法蚀刻速率的元素。对于构成薄膜2的材料而言，优选铬与非金属元素的合计含量为95原子％以上、更优选为98原子％以上、进一步优选为99原子％以上。另外，对于构成薄膜2的材料而言，铬、氧、氮、及碳的合计含量优选为95原子％以上、更优选为98原子％以上、进一步优选为99原子％以上。在本实施方式中，薄膜2的厚度没有特别限制，80nm～150nm的范围是适宜的。
如上所述，在本实施方式中，上述薄膜2由与基板1侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域这两个区域构成。
要求掩模坯料10中的图案形成用的薄膜2对于曝光光(将由该掩模坯料10制造的转印用掩模设置于曝光装置时照射的曝光光)的表面反射率低。因此，在本实施方式中，期望使上述的上部区域具有防反射功能。通过在上述薄膜2的上部区域中含有例如氮，从而可以在一定程度上降低对于曝光光的表面反射率。另外，如果在上述薄膜2的上部区域中含有氧，则可以大幅降低对于曝光光的表面反射率。因此，上述薄膜2的上部区域优选使用例如CrO、CrON、CrOC、CrOCN等材料。在该情况下，可以考虑上述薄膜2对于曝光光的表面反射率而适宜调节氧、氮的含量。
在本实施方式中，上述薄膜2的上部区域的厚度没有特别限制，10nm～50nm的范围是适宜的。
另外，从提高该薄膜2整体对于曝光光的遮光性能的观点考虑，优选上述薄膜2的除上部区域以外的区域的氧的含量比薄膜2的上部区域少，进一步优选实质上不含氧。另外，优选薄膜2的除上部区域以外的区域的铬的含量比薄膜2的上部区域的铬含量多。薄膜2的除上部区域以外的区域优选使用例如Cr、CrN、CrC、CrCN等材料。
本实施方式的掩模坯料10的特征在于，上述薄膜2的上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
在通过湿法蚀刻对铬类材料的薄膜2形成图案的情况下，结晶尺寸大的情况下，湿法蚀刻液更容易浸透薄膜内，湿法蚀刻速率提高。薄膜2的上部区域容易氧化，而且为了具有防表面反射功能，必须含有氧。已知如果在铬中含有氧，则湿法蚀刻速率降低。在本发明中，通过使该上部区域的结晶尺寸大于除上部区域以外的区域的结晶尺寸，从而可以提高上部区域的湿法蚀刻速率。即，通过使上述薄膜2内的上部区域的结晶尺寸大于除上部区域以外的区域的结晶尺寸，对于图案形成用的薄膜2内的区域的湿法蚀刻的蚀刻速率，可以使上部区域比除上部区域以外的区域更快。期望通过湿法蚀刻形成的薄膜图案的截面形状是尽可能垂直于膜面的形状，但通过设为上述构成，可以提高薄膜2整体的蚀刻速率，并且可以提高通过湿法蚀刻对薄膜2形成图案时的图案侧壁的垂直性。
在本实施方式中，优选上述薄膜2的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。通过将上述薄膜2的各区域设为铬金属或铬化合物的各种结晶混合存在的多晶结构。结晶尺寸不易变得过大。另外，可以降低对该薄膜2形成图案时的图案侧壁的边缘粗糙度。
另外，在本实施方式中，优选利用电子衍射法获得的上述薄膜2的上部区域和除上部区域以外的区域各自的晶面间距均为0.2nm以上。晶面间距小时，成为更密的结晶结构，但是湿法蚀刻速率过度降低，难以提高薄膜2整体的蚀刻速率。
另外，在本实施方式中，优选上述薄膜2的上部区域和除上部区域以外的区域均具有柱状结构。在上述薄膜2的各区域为柱状结构的情况下，湿法蚀刻液更容易浸透薄膜2内，湿法蚀刻速率进一步提高。
例如在通过溅射成膜法形成薄膜2的情况下，可以通过控制导入室内的溅射气体的气压、室内的温度、成膜速率、对靶施加的电压、电流值等来调节上述薄膜2的各区域的结晶尺寸。
上述薄膜2的形成方法不需要特别限制，其中，可以优选列举溅射成膜法。通过溅射成膜法，可以形成面内的分布均匀且膜厚恒定的膜。在通过溅射成膜法在上述基板1上成膜为上述薄膜2的情况下，使用铬(Cr)靶作为溅射靶，导入室内的溅射气体使用在氩气、氦气等非活性气体中混合有氧、氮或二氧化碳、一氧化氮等气体的气体。如果使用在氩气等非活性气体中混合有氧气或二氧化碳气体的溅射气体，则可以形成在铬中含有氧的薄膜，如果使用在氩气等非活性气体中混合有氮气的溅射气体，则可以形成在铬中含有氮的薄膜。另外，如果使用在氩气等非活性气体中混合有一氧化氮气体的溅射气体，则可以形成在铬中含有氮和氧的薄膜。此外，如使用在氩气等非活性气体中混合有甲烷气体的溅射气体，则可以形成在铬中含有碳的薄膜。
另外，在本实施方式中，上述薄膜2优选为铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。由此，在通过湿法蚀刻对薄膜2形成图案时，图案的侧壁形状不易产生高度差。为了将这样的薄膜2制成组成梯度膜，例如将上述的溅射成膜时的溅射气体的种类(组成)在成膜中适宜更换的方法是适宜的。
另外，在本实施方式中，可以将上述薄膜2制成例如对于曝光光具有3以上的光密度且由上述的铬类材料形成的遮光膜。需要说明的是，对由本实施方式的掩模坯料制造的转印用掩模照射的曝光光可列举例如：包含g射线(波长约436nm)的光、包含i射线(波长约365nm)的光、KrF准分子激光(波长约248nm)、ArF准分子激光(波长约193nm)。
另一方面，本实施方式的薄膜2可以用作在基板1上依次层叠有光半透射膜和遮光膜的结构的掩模坯料中的遮光膜。在该情况下，优选通过光半透射膜与遮光膜的层叠结构使对于上述曝光光的光密度成为3以上。该情况下的光半透射膜优选为具有下述功能的相移膜：使曝光光以给定的透射率(例如1％以上且30％以下的透射率。)透过的功能、以及使透过该膜的曝光光和仅以与该膜的厚度相同的距离在空气中通过后的曝光光之间产生给定的相位差(例如150度以上且210度以下的相位差)的功能。
接下来，对其它实施方式进行说明。
该其它实施方式是上述实施方式的上述薄膜2的除上部区域以外的区域进一步从基板1侧起由下部区域及中部区域这两个区域构成的方式。也就是说，在该其它实施方式中，由含有铬的材料形成的上述薄膜2从基板1侧起由下部区域、中部区域、及上部区域这三个区域构成。在该情况下，优选上述薄膜2的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。
如上所述，在通过湿法蚀刻对铬类材料的薄膜2形成图案的情况下，结晶尺寸大时，湿法蚀刻液更容易浸透薄膜内，湿法蚀刻速率提高。薄膜2的上部区域容易氧化，而且为了使其具有防表面反射功能，必须含有氧。已知如果在铬中含有氧，则湿法蚀刻速率降低。在其它实施方式中，通过使该上部区域的结晶尺寸在薄膜2整体中最大，从而可以提高上部区域的湿法蚀刻速率。另外，以往，在湿法蚀刻的情况下，存在形成于薄膜2的图案的侧壁形状的垂直性低的倾向，因此，期望提高薄膜2的基板1侧的区域(上述下部区域)的湿法蚀刻速率。在其它实施方式中，通过使薄膜2的下部区域的结晶尺寸比薄膜2的除上部区域和下部区域以外的内部(上述中部区域)的结晶尺寸大，从而可以提高下部区域的湿法蚀刻速率。这样一来，通过使薄膜2的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大，从而可以提高通过湿法蚀刻形成图案时的图案侧壁的垂直性。
如上所述，通过制成其它实施方式的掩模坯料的构成，对于图案形成用的薄膜2内的各区域的湿法蚀刻的蚀刻速率可以按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变快。由此，掩模坯料10的薄膜2整体的蚀刻速率提高，并且可以提高通过湿法蚀刻对薄膜2形成湿法蚀刻时的图案侧壁的垂直性。
上述薄膜2的上部区域使用与上述实施方式的情况同样的铬类材料。
从提高该薄膜2整体对于曝光光的遮光性能的观点考虑，优选上述薄膜2的中部区域的氧的含量比薄膜2的上部区域及下部区域少，进一步优选实质上不含氧。另外，优选薄膜2的中部区域的铬的含量比薄膜2的上部区域及下部区域的铬含量多。薄膜2的中部区域优选使用例如Cr、CrN、CrC、CrCN等材料。
从提高薄膜2整体对于曝光光的遮光性能的观点考虑，优选上述薄膜2的下部区域的氧的含量比薄膜2的上部区域少。另外，从降低薄膜2的背面侧(与基板相接的面侧)的反射率的观点考虑，优选薄膜2的下部区域的氮的含量比薄膜2的上部区域及中部区域多。薄膜2的下部区域优选使用例如CrN、CrCN、CrON等材料。
该在其它实施方式中，上述薄膜2的上部区域的厚度没有特别限制，10nm～50nm的范围是适宜的。
上述薄膜2的中部区域的厚度没有特别限制，从提高薄膜2整体对于曝光光的遮光性能的观点考虑，25nm～70nm的范围是适宜的。
上述薄膜2的下部区域的厚度没有特别限制，从降低薄膜2的背面侧的反射率的观点考虑，5nm～30nm的范围是适宜的。
关于其它实施方式，也由于与上述实施方式的情况同样的理由，优选上述薄膜2的下部区域、中部区域、及上部区域均为多晶结构。
关于其它实施方式，也由于与上述的实施方式的情况同样的理由，优选利用电子衍射法获得的上述薄膜2的下部区域、中部区域、及上部区域各自的晶面间距均为0.2nm以上。
关于其它实施方式，也由于与上述的实施方式的情况同样的理由，优选上述薄膜2的下部区域、中部区域、及上部区域均具有柱状结构。
关于其它实施方式，也由于与上述的实施方式的情况同样的理由，优选上述薄膜2为上述铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。
关于其它实施方式，也可以将上述薄膜2制成例如对于曝光光具有3以上的光密度且由铬类材料形成的遮光膜。关于与该其它实施方式的掩模坯料相关的其它事项，与上述的实施方式的掩模坯料的情况同样。
如通过以上的各实施方式所说明的，根据本发明的掩模坯料，可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率，进而可以提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性。
在以上的各实施方式中，对在基板1上具备图案形成用的薄膜2的方式的掩模坯料进行了说明，但本发明不限定于这样的实施方式。例如，在透光性基板1与图案形成用的薄膜(遮光膜)2之间进一步具备具有使曝光光以给定的透射率(例如1％以上且40％以下的透射率)透过的功能的光半透射膜的方式的掩模坯料也包含于本发明的掩模坯料中。该光半透射膜可以是进一步具有下述功能的相移膜：使透过该光半透射膜的内部后的曝光光和仅以与该光半透射膜的厚度相同的距离在空气中通过后的曝光光之间产生给定的相位差(例如150度以上且210度以下的相位差)的功能。在这些构成的情况下，优选通过光半透射膜(或相移膜)与遮光膜的层叠结构使对于上述曝光光的光密度成为3以上。
另一方面，本发明的掩模坯料不限定于制造在半导体器件的制造时使用的转印用掩模的用途。例如，本发明的掩模坯料也可以应用于制造以LCD(Liquid CrystalDisplay)、OLED(Organic Light Emitting Diode)等为代表的FPD(Flat Panel Display)等显示装置时使用的转印用掩模的用途。
[转印用掩模]
接下来，对本发明的转印用掩模进行说明。
图2是示出本发明的转印用掩模的一个实施方式的剖面图。
图2中所示的本发明的一个实施方式的转印用掩模20在基板1上具备具有转印图案(薄膜图案，以下有时简称为图案)2a的薄膜2。在该转印用掩模20中，上述薄膜2由含有铬的材料形成。另外，该薄膜2的特征在于，由与基板1侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大。该情况下的基板1及薄膜2的构成与上述掩模坯料10的情况同样。
这样的本发明的转印用掩模20可以使用例如上述本发明的掩模坯料10来制造。与转印用掩模的制造方法相关的详细内容在后面叙述。
如上所述，如图1所示的本发明的一个实施方式的掩模坯料10在基板1上具备图案形成用的薄膜2。该薄膜2由含有铬的材料形成。另外，该薄膜2由与基板1侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，且设为上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大的构成。通过将掩模坯料10设为这样的构成，可以提高对于图案形成用的薄膜2整体的湿法蚀刻的蚀刻速率，进而可以提高通过湿法蚀刻对薄膜2形成图案时的图案侧壁的垂直性。其结果，由该掩模坯料10制作的转印用掩模20成为图案侧壁的垂直性提高且以良好的精度形成了截面形状良好的转印图案的转印用掩模。另外，在该转印用掩模20中也同样，具有转印图案2a的薄膜2由含有铬的材料形成。另外，该薄膜2由与基板1侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，并设为上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大的构成。
如上所述，在掩模坯料10中，优选上述薄膜2的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。另外，在由该掩模坯料10制作的转印用掩模20中，也优选上述薄膜2的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。由此，形成的转印图案侧壁的边缘粗糙度降低。
另外，与上述的掩模坯料10的情况同样，在转印用掩模20中，也优选利用电子衍射法获得的上述薄膜2的上部区域和除上部区域以外的区域各自的晶面间距均为0.2nm以上。
另外，与上述的掩模坯料10的情况同样，在转印用掩模20中，也优选上述薄膜2的上部区域和除上部区域以外的区域均具有柱状结构。由此，对于掩模坯料10中的薄膜2的湿法蚀刻的蚀刻速率提高，在转印用掩模20中形成的转印图案侧壁的垂直性提高。
另外，与上述的掩模坯料10的情况同样，在转印用掩模20中，也优选上述薄膜2为铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。由此，形成的转印图案的侧壁形状不产生高度差。
另外，与上述的掩模坯料10的情况同样，在转印用掩模20中，也优选将上述薄膜2制成例如对于曝光光具有3以上的光密度且由铬类材料形成的遮光膜。该情况下的遮光膜与上述的掩模坯料10的情况同样。
接下来，对上述转印用掩模20的其它实施方式进行说明。
该其它实施方式是上述的上述薄膜2的除上部区域以外的区域进一步从基板侧起由下部区域及中部区域这两个区域构成的方式。也就是说，在其它实施方式的转印用掩模20中，由含有铬的材料形成的上述薄膜2从基板1侧起由下部区域、中部区域、及上部区域这三个区域形成。在该情况下，设为上述薄膜2的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大的构成。
这样的其它实施方式的转印用掩模20可以使用例如上述的其它实施方式的掩模坯料10来制造。
如上所述，在其它实施方式的掩模坯料中，通过使薄膜2的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大，可以使对于薄膜2内的各区域的湿法蚀刻的蚀刻速率按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变快。由此，掩模坯料10的薄膜2整体的蚀刻速率提高，并且可以提高通过湿法蚀刻对薄膜2形成图案时的图案侧壁的垂直性。其结果，由其它实施方式的掩模坯料10制造的转印用掩模20成为以良好的精度形成了图案侧壁的垂直性提高且截面形状良好的转印图案的转印用掩模。
使用上述的本发明的掩模坯料制造本发明的转印用掩模是适宜的。
接下来，对使用了图1所示的本发明的掩模坯料10的转印用掩模20的制造方法进行说明。
使用了该掩模坯料10的转印用掩模20的制造方法具有：例如对形成于掩模坯料10上的抗蚀膜实施期望的图案描绘的工序；图案描绘后对上述抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案的工序；将上述抗蚀图案作为掩模，使用湿法蚀刻对掩模坯料10的图案形成用的薄膜2形成图案的工序；以及将残存的抗蚀图案剥离除去的工序。
图3是示出使用了本发明的掩模坯料的转印用掩模的制造工序的剖面图。
图3(a)示出在图1的掩模坯料10的图案形成用薄膜2上形成了抗蚀膜3的状态。需要说明的是，作为抗蚀材料，可以使用阳型抗蚀材料，也可以使用阴型抗蚀材料，但在半导体器件制造中使用的转印用掩模的制作中，通常，阳型抗蚀材料是适宜的。
接下来，图3(b)示出对形成于掩模坯料10上的抗蚀膜3实施期望的图案描绘的工序。图案描绘使用激光描绘装置、电子束描绘装置等来进行。
接下来，图3(c)示出在期望的图案描绘后对上述抗蚀膜3进行显影而形成抗蚀图案3a的工序。
接下来，图3(d)示出将上述抗蚀图案3a作为掩模并利用湿法蚀刻对掩模坯料10的图案形成用的薄膜2形成图案的蚀刻工序。通过该蚀刻工序，在薄膜2上形成期望的转印图案(薄膜图案)2a。
作为湿法蚀刻时使用的蚀刻液，一般使用在硝酸铈铵中添加了高氯酸而得到的水溶液。蚀刻液的浓度、温度、处理时间等湿法蚀刻的条件根据薄膜2的蚀刻特性等适宜设定。
图3(e)示出将残存的抗蚀图案3a剥离除去而得到的转印用掩模20。
这样一来，完成了在基板1上具备具有转印图案2a的薄膜2的转印用掩模20。通过本发明，完成了以良好的精度形成了图案侧壁的垂直性提高且截面形状良好的转印图案的转印用掩模20。
在以上的各实施方式中，对在基板1上具备具有转印图案(薄膜图案)2a的薄膜2的方式的转印用掩模及其制造方法进行了说明，但本发明不限定于这样的实施方式。与上述的掩模坯料的情况同样，例如，在透光性基板1与薄膜图案(遮光图案)2a之间进一步具备具有使曝光光以给定的透射率(例如1％以上且40％以下的透射率)透过的功能的光半透射图案(光半透射膜的图案)的方式的转印用掩模也包含于本发明的转印用掩模。该光半透射图案可以是进一步具有使透过该图案的内部后的曝光光和仅以与该图案(光半透射膜)的厚度相同的距离在空气中通过后的曝光光之间产生给定的相位差(例如150度以上且210度以下的相位差)的功能的相移图案(相移膜的图案)。在这些构成的情况下，优选通过光半透射图案(或相移图案)与遮光图案的层叠结构使对于上述曝光光的光密度成为3以上。
另一方面，本发明的转印用掩模不限定于在制造半导体器件时使用的转印用掩模的用途。例如，本发明的转印用掩模也可以应用于制造以LCD(Liquid Crystal Display)、OLED(Organic Light Emitting Diode)等为代表的FPD(Flat Panel Display)等显示装置时使用的转印用掩模。
[半导体器件的制造方法]
另外，本发明还提供一种半导体器件的制造方法。
本发明的半导体器件的制造方法的特征在于，具备：使用上述的转印用掩模20，将转印图案曝光转印至半导体基板上的抗蚀膜的工序。
本发明的上述转印用掩模20形成了图案侧壁的垂直性提高的转印图案。其结果，例如在将i射线的光作为曝光光的曝光装置的掩模台设置上述转印用掩模20，将转印图案曝光转印至半导体基板上的抗蚀膜时，也可以以充分满足设计规格的精度将图案转印至半导体基板上的抗蚀膜。
根据本发明，可以使用本发明的转印用掩模制造形成了高精细的转印图案的半导体器件。
如以上详细说明的，根据本发明，可以提供可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、进而可以提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。
另外，根据本发明，可以提供提高了薄膜图案侧壁的垂直性的转印用掩模。
此外，根据本发明，可以提供能够使用本发明的转印用掩模形成良好的转印图案的半导体器件的制造方法。
实施例
以下，通过实施例对本发明的实施方式更具体地进行说明。
(实施例1)
实施例1的掩模坯料10是在透光性基板1上具备图案形成用的薄膜(遮光膜)2的结构的掩模坯料。该掩模坯料10如下所述地制作。
准备3片由合成石英玻璃形成的透光性基板1(大小约152mm×152mm×厚度约6.35mm)。将该透光性基板1的主表面及端面研磨至给定的表面粗糙度(例如主表面以均方根粗糙度Rq计为0.2nm以下)。
接下来，通过以下的方法在上述3片透光性基板1上分别形成了由下部区域、中部区域及上部区域这三个区域构成的遮光膜2。
首先，在溅射室中准备在透光性基板1的运送方向上设置有多个铬(Cr)靶的串联溅射装置。在该溅射室内，一边运送透光性基板1，一边在氩(Ar)及氮(N2)的混合气体(流量比Ar：N2＝22：4、压力＝3.0×10-4Pa)的气氛中在电流值0.8A的恒电流控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，由此在上述透光性基板1上形成了遮光膜2的下部区域。
接着，在该溅射室内，一边运送成膜至下部区域的透光性基板1，一边在氩(Ar)、甲烷(CH4)、及氦(He)的混合气体(流量比Ar：CH4：He＝10：1：20、压力＝3.0×10-4Pa)的气氛中在电流值3.6A的恒电流控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，由此，与遮光膜2的下部区域相接地形成了中部区域。
接着，在该溅射室内，一边运送形成至中部区域的透光性基板1，一边在氩(Ar)及一氧化氮(NO)的混合气体(流量比Ar：NO＝100：7、压力＝3.0×10-4Pa)的气氛中在电流值0A的恒电流控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，从而与遮光膜2的中部区域相接地形成了上部区域。通过以上的方法，制作了在上述透光性基板1上具备由下部区域、中部区域、及上部区域这三个区域构成的遮光膜2的实施例1的掩模坯料10。
需要说明的是，该实施例1的遮光膜2的光密度例如在i射线的波长(365nm)的光下为3.0以上。
接下来，对第一片实施例1的掩模坯料10的遮光膜进行利用X射线光电子能谱法(X-ray Photoelectron Spectroscopy：XPS)的分析。其结果，遮光膜2的膜厚为100nm，各区域的膜厚和组成为下部区域(膜厚约9nm，组成Cr：C：O：N＝76原子％：2原子％：2原子％：20原子％)、中部区域(膜厚约54nm，组成Cr：C：O：N＝85原子％：4原子％：1原子％：10原子％)、上部区域(膜厚约37nm，组成Cr：O：N＝55原子％：28原子％：17原子％)。
接下来，对第二片实施例1的掩模坯料10的遮光膜2进行了截面TEM(TransmissionElectron Microscope：透射型电子显微镜)图像的观察、和利用电子衍射法的结晶性的观察。图4是实施例1的掩模坯料10中的遮光膜2的上部区域的电子束衍射图像。图5是实施例1的掩模坯料10中的遮光膜2的中部区域的电子束衍射图像。另外，图6是实施例1的掩模坯料10中的遮光膜2的下部区域的电子束衍射图像。
另外，图7是实施例1的掩模坯料10中的遮光膜2的截面TEM图像。
在图4所示的遮光膜2的上部区域的电子束衍射图像中，结晶性良好，衍射图像清晰。上部区域的晶粒大，因而清晰地显示出衍射图案。上部区域在3个区域中晶粒最大。
在图5所示的遮光膜2的中部区域的电子束衍射图像中，结晶性小，衍射图像不太清晰。中部区域在3个区域中晶粒最小。
可知在图6所示的遮光膜2的下部区域的电子束衍射图像中，与图5的中部区域相比，观察到格点，与中部区域相比，晶粒稍大。
根据以上情况可以确认，本实施例1的掩模坯料10中的遮光膜的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。由此，对于遮光膜2内的各区域的湿法蚀刻的蚀刻速率可以按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变快。由此，本实施例1的掩模坯料10的遮光膜2整体的蚀刻速率提高，并且可以提高通过湿法蚀刻对遮光膜2形成图案时的图案侧壁的垂直性。
另外，根据上述的电子束衍射图像的结果可以确认，本实施例1的上述遮光膜2的下部区域、中部区域、及上部区域均为多晶结构。另外，根据上述的电子束衍射图像和截面TEM图像的各结果可以确认，本实施例1的上述遮光膜2的下部区域、中部区域、及上部区域均具有柱状结构。
利用电子衍射法获得的本实施例1的上述遮光膜2的下部区域的晶面间距d＝0.220nm，中部区域的晶面间距d＝0.219nm，上部区域的晶面间距d＝0.216nm，均为0.2nm以上。
接下来，使用剩余的第三片实施例1的掩模坯料10，按照上述的图3所示的制造工序制造了转印用掩模20。
首先，在上述掩模坯料10的上表面，通过旋涂法涂布激光描绘用的阳型抗蚀剂(东京应化工业制TMHR-iP3500)，进行给定的烘烤处理，形成了膜厚300nm的抗蚀膜3(参照图3(a))。
接下来，使用激光描绘机，对上述抗蚀膜3描绘了给定的器件图案(与应形成于遮光膜2的转印图案对应的图案)后，对抗蚀膜进行显影，形成了抗蚀图案3a(参照图3(b)、(c))。
接下来，将上述抗蚀图案3a作为掩模，进行遮光膜2的湿法蚀刻，在遮光膜2上形成了遮光膜图案(转印图案)2a(参照图3(d))。作为湿法蚀刻的蚀刻液，使用了在硝酸铈铵中添加了高氯酸而得到的水溶液。需要说明的是，对该遮光膜2进行湿法蚀刻时测定了遮光膜2的各区域的蚀刻速率。其结果，下部区域为1.7nm/sec，中部区域为1.5nm/sec，上部区域为2.3nm/sec。即，可知成为该实施例1的遮光膜2的湿法蚀刻速率按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变快的构成。
最后，将残存的抗蚀图案3a除去，由此制作了在透光性基板1上具备成为转印图案的遮光膜图案2a的实施例1的转印用掩模20(参照图3(e))。
如上所述，在本实施例1的掩模坯料中，通过使遮光膜2的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大，从而可以使对于遮光膜2内的各区域的湿法蚀刻的蚀刻速率按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变快。由此，可以提高通过湿法蚀刻对遮光膜2形成图案时的图案侧壁的垂直性。其结果，由本实施例1的掩模坯料制造的上述转印用掩模20中形成了图案侧壁的垂直性提高且截面形状良好的转印图案。
进而，将该实施例1的转印用掩模20设置于将i射线的光作为曝光光的曝光装置的掩模台，从转印用掩模20的透光性基板1侧起照射曝光光，将图案曝光转印至半导体器件的抗蚀膜。然后，对曝光转印后的抗蚀膜实施给定的处理，形成抗蚀图案，通过CD-SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope)对该抗蚀图案进行观察。其结果，可以确认以高的CD(Critical Dimension)精度形成了抗蚀图案。根据以上情况可以说，由本实施例1的掩模坯料10制造的上述转印用掩模20也可以以高精度对半导体器件上的抗蚀膜进行曝光转印。
(实施例2)
实施例2的掩模坯料10如下所述地制作。
与实施例1同样地准备了3片由合成石英玻璃形成的透光性基板1(大小约152mm×152mm×厚度约6.35mm)。将该透光性基板的主表面及端面研磨至给定的表面粗糙度(例如主表面以均方根粗糙度Rq计为0.2nm以下)。
接下来，通过以下的方法，在上述的3片透光性基板1上分别形成了由下部区域、中部区域及上部区域这三个区域构成的遮光膜2。
首先，在溅射室内准备了在透光性基板1的运送方向上设置有多个铬(Cr)靶的串联溅射装置。在该溅射室内，一边运送透光性基板1，一边在氩(Ar)及氮(N2)的混合气体(流量比Ar：N2＝9：4、压力＝3.0×10-4Pa)的气氛中，在电流值1.6A的恒电流控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，由此在透光性基板1上形成了遮光膜2的下部区域。
接着，在该溅射室内，一边运送成膜至下部区域的透光性基板1，一边在氩(Ar)及甲烷(CH4)的混合气体(流量比Ar：CH4＝30：1、压力＝3.0×10-4Pa)的气氛中，在电流值2.5A的恒电流控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，由此与遮光膜2的下部区域相接地形成了中部区域。
接着，在该溅射室内，一边运送形成至中部区域的透光性基板1，一边在氩(Ar)及一氧化氮(NO)的混合气体(流量比Ar：NO＝100：4、压力＝3.0×10-4Pa)的气氛中，在电流值0A的恒电流控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，由此与遮光膜2的中部区域相接地形成了上部区域。通过以上的方法，制作了在上述透光性基板1上具备由下部区域、中部区域及上部区域这三个区域构成的遮光膜2的实施例2的掩模坯料10。
需要说明的是，该实施例2的遮光膜2的光密度例在如i射线的波长(365nm)的光下为3.0以上。
接下来，对第一片实施例2的掩模坯料10的遮光膜2进行了利用X射线光电子能谱法(XPS)的分析。其结果，遮光膜2的膜厚为71nm，各区域的膜厚和组成为下部区域(膜厚约21nm，组成Cr：C：N＝72原子％：2原子％：26原子％)、中部区域(膜厚约32nm，组成Cr：C：O：N＝82原子％：6原子％：1原子％：11原子％)、上部区域(膜厚约18nm，组成Cr：O：N＝55原子％：25原子％：20原子％)。
接下来，对第二片实施例2的掩模坯料10的遮光膜2进行了截面TEM图像的观察、和利用电子衍射法的结晶性的观察。图8示出实施例2的掩模坯料10中的遮光膜2的上部区域的电子束衍射图像。图9示出实施例2的掩模坯料10中的遮光膜2的中部区域的电子束衍射图像。另外，图10示出实施例2的掩模坯料10中的遮光膜2的下部区域的电子束衍射图像。
另外，图11示出实施例2的掩模坯料中的遮光膜的截面TEM图像。
在图8所示的遮光膜2的上部区域的电子束衍射图像中，结晶性良好，衍射图像清晰。晶粒大，因此清晰地显示出衍射图案。上部区域在3个区域中晶粒最大。
在图9所示的遮光膜2的中部区域的电子束衍射图像中，结晶性小，衍射图像不太清晰。中部区域在3个区域中晶粒最小。
可知在图10所示的遮光膜2的下部区域的电子束衍射图像中，与图9的中部区域相比，清晰地观察到格点，与中部区域相比，晶粒大。
根据以上情况可以确认，本实施例2的掩模坯料10中的遮光膜2的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。由此，对于遮光膜2内的各区域的湿法蚀刻的蚀刻速率可以按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变快。由此，本实施例2的掩模坯料的遮光膜2整体的蚀刻速率提高，并且可以提高通过湿法蚀刻对遮光膜2形成图案时的图案侧壁的垂直性。
另外，根据上述电子束衍射图像的结果可以确认，本实施例2的上述遮光膜2的下部区域、中部区域、及上部区域均为多晶结构。另外，根据上述的电子束衍射图像和截面TEM图像的各结果可以确认，本实施例2的上述遮光膜2的下部区域、中部区域、及上部区域均具有柱状结构。
另外，利用电子衍射法获得的本实施例2的上述遮光膜2的下部区域的晶面间距d＝0.212nm，中部区域的晶面间距d＝0.220nm，上部区域的晶面间距d＝0.248nm，均为0.2nm以上。
接下来，使用第三片本实施例2的掩模坯料10，与上述的实施例1同样地按照图3所示的制造工序，制造了在透光性基板1上具备成为转印图案的遮光膜图案2a的转印用掩模20。需要说明的是，对遮光膜2进行湿法蚀刻时，测定了遮光膜2的各区域的蚀刻速率。其结果，下部区域为1.3nm/sec，中部区域为1.2nm/sec，上部区域为1.8nm/sec。即，可知成为该实施例2的遮光膜的湿法蚀刻速率按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变快的构成。
对于本实施例2的掩模坯料10而言，通过使遮光膜2的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大，从而可以使对于遮光膜2内的各区域的湿法蚀刻的蚀刻速率按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变快。因此，由本实施例2的掩模坯料10制造的上述转印用掩模20中形成了图案侧壁的垂直性提高且截面形状良好的转印图案。
进而，将该实施例2的转印用掩模20设置于将i射线的光作为曝光光的曝光装置的掩模台，从转印用掩模20的透光性基板1侧起照射曝光光，将图案曝光转印至半导体器件的抗蚀膜。然后，对曝光转印后的抗蚀膜实施给定的处理，形成抗蚀图案，通过CD-SEM对该抗蚀图案进行观察。其结果，可以确认以高的CD精度形成了抗蚀图案。根据以上情况可以说，由本实施例2的掩模坯料10制造的上述转印用掩模20也可以以高精度对半导体器件上的抗蚀膜进行曝光转印。
(实施例3)
实施例的掩模坯料如下所述地制作。
与实施例1同样地准备了3片由合成石英玻璃形成的透光性基板1(大小约152mm×152mm×厚度约6.35mm)。将该透光性基板1的主表面及端面研磨至给定的表面粗糙度(例如主表面以Rq计为0.2nm以下)。
接下来，通过以下的方法在上述3片透光性基板1上分别形成了由下部区域、中部区域及上部区域这三个区域构成的遮光膜2。
首先，在溅射室内准备了在透光性基板1的运送方向上设置有多个铬(Cr)靶的串联溅射装置。在该溅射室内，一边运送透光性基板1，一边在氩(Ar)及氮(N2)的混合气体(流量比Ar：N2＝4：1、压力＝4.0×10-4Pa)的气氛中，在功率值0.5W的定电压控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，由此在上述透光性基板1上形成了遮光膜2的下部区域。
接着，在该溅射室内，一边运送成膜至下部区域的透光性基板1，一边在氩(Ar)及甲烷(CH4)的混合气体(流量比Ar：CH4＝17：1、压力＝4.0×10-4Pa)的气氛中，在电流值5A的恒电流控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，由此与遮光膜2的下部区域相接地形成了中部区域。
接着，在该溅射室内，一边运送形成至中部区域的透光性基板1，一边在氩(Ar)及一氧化氮(NO)的混合气体(流量比Ar：NO＝11：2、压力＝4.0×10-4Pa)的气氛中，在恒电流控制下对Cr靶施加电压，进行反应性溅射(DC溅射)，由此与遮光膜2的中部区域相接地形成了上部区域。通过以上的方法，制作了在上述透光性基板上具备由下部区域、中部区域及上部区域这三个区域构成的遮光膜2的实施例3的掩模坯料10。
需要说明的是，该实施例3的遮光膜2的光密度例如在i射线的波长(365nm)的光下为3.0以上。
接下来，对第一片实施例3的掩模坯料10的遮光膜进行了利用X射线光电子能谱法(XPS)的分析。其结果，遮光膜2的膜厚为100nm，各区域的膜厚和组成为下部区域(膜厚约12nm，组成Cr：C：N＝78原子％：10原子％：12原子％)、中部区域(膜厚约58nm，组成Cr：C：O：N＝65原子％：10原子％：5原子％：20原子％)、上部区域(膜厚约30nm，组成Cr：C：O：N＝50原子％：5原子％：20原子％：25原子％)。
接下来，对第二片本实施例3的掩模坯料10的遮光膜进行了截面TEM图像的观察、和利用电子衍射法的结晶性的观察。图12示出实施例3的掩模坯料10中的遮光膜2的上部区域的电子束衍射图像。图13示出实施例3的掩模坯料10中的遮光膜2的中部区域的电子束衍射图像。另外，图14示出实施例3的掩模坯料10中的遮光膜2的下部区域的电子束衍射图像。
另外，图15示出实施例3的掩模坯料10中的遮光膜2的截面TEM(透射型电子显微镜)图像。
在图12所示的遮光膜2的上部区域的电子束衍射图像中，结晶性良好，衍射图像清晰。晶粒大，因此，清晰地显示出衍射图案。上部区域在3个区域中晶粒最大。
可知在图13所示的遮光膜2的中部区域的电子束衍射图像中，与图14的下部区域相比，清晰地观察到格点，与下部区域相比，晶粒大。
在图14所示的遮光膜2的下部区域的电子束衍射图像中，结晶性小，衍射图像不太清晰。认为存在下部区域在3个区域中晶粒最小的可能性，但与图13的中部区域的差异小。
根据以上情况可以确认，对于本实施例3的掩模坯料10中的遮光膜2的结晶尺寸而言，上部区域的结晶尺寸比除此以外的中部区域及下部区域的结晶尺寸大。由此，就对于遮光膜2内的各区域的湿法蚀刻的蚀刻速率而言，上部区域可以比中部区域及下部区域快。由此，本实施例3的掩模坯料的遮光膜2整体的蚀刻速率提高，并且可以提高通过湿法蚀刻对遮光膜2形成图案时的图案侧壁的垂直性。
另外，根据上述的电子束衍射图像的结果可以确认，本实施例3的上述遮光膜2的下部区域、中部区域、及上部区域均为多晶结构。另外，根据上述的电子束衍射图像和截面TEM图像的各结果可以确认，本实施例3的上述遮光膜2的下部区域、中部区域、及上部区域均具有柱状结构。
另外，利用电子衍射法获得的本实施例3的上述遮光膜2的下部区域的晶面间距d＝0.233nm，中部区域的晶面间距d＝0.223nm，上部区域的晶面间距d＝0.208nm，均为0.2nm以上。
接下来，使用第三片本实施例3的掩模坯料10，与上述的实施例1同样地按照图3所示的制造工序制造了在透光性基板1上具备成为转印图案的遮光膜图案2a的转印用掩模20。需要说明的是，对遮光膜2进行湿法蚀刻时，测定了遮光膜2的各区域的蚀刻速率。其结果，下部区域为1.4nm/sec，中部区域为1.7nm/sec，上部区域为2.3nm/sec。即，可知成为该实施例3的遮光膜的湿法蚀刻速率按照下部区域、中部区域、上部区域的顺序变快的构成。
对于本实施例3的掩模坯料10而言，将遮光膜2的结晶尺寸设为上部区域的结晶尺寸大于除此以外的中部区域及下部区域的结晶尺寸，由此，就对于遮光膜内的各区域的湿法蚀刻的蚀刻速率而言，可以使上部区域比中部区域及下部区域快。因此，由本实施例3的掩模坯料10制造的上述的转印用掩模20中形成了图案侧壁的垂直性提高且截面形状良好的转印图案。
进而，将该实施例3的转印用掩模20设置于将i射线的光作为曝光光的曝光装置的掩模台，从转印用掩模20的透光性基板1侧起照射曝光光，将图案曝光转印至半导体器件的抗蚀膜。然后，对曝光转印后的抗蚀膜实施给定的处理，形成抗蚀图案，通过CD-SEM对该抗蚀图案进行观察。其结果，可以确认以高的CD精度形成了抗蚀图案。根据以上情况可以说，由本实施例3的掩模坯料10制造的上述转印用掩模20也可以以高精度对半导体器件上的抗蚀膜进行曝光转印。
(比较例1)
比较例1的掩模坯料如下所述地制作。
与实施例1同样地准备了3片由合成石英玻璃形成的透光性基板(大小约152mm×152mm×厚度约6.35mm)。将该透光性基板的主表面及端面研磨至给定的表面粗糙度(例如主表面以Rq计为0.2nm以下)。
接下来，通过以下的方法在上述的3片透光性基板上分别形成了由下部区域、中部区域及上部区域这三个区域构成的遮光膜。
首先，在溅射室内准备了放置透光性基板1的旋转台和具备铬(Cr)靶的单片式溅射装置。在该溅射室内的旋转台设置上述透光性基板，在氩(Ar)、氮(N2)、二氧化碳(CO2)、及氦(He)的混合气体(流量比Ar：N2：CO2：He＝4：3：6：8、压力＝1.0×10-4Pa)的气氛中，将对Cr靶施加的DC功率设为2.0kW(恒电流控制)，进行反应性溅射(DC溅射)，由此在上述透光性基板上形成了遮光膜的下部区域。
接下来，停止对Cr靶施加DC功率，将溅射室内的氩(Ar)、一氧化氮(NO)、及氦(He)的混合气体(流量比Ar：NO：He＝1：1：2、压力＝1.0×10-4Pa)改变成溅射气体的气氛后，开始对Cr靶施加DC功率(功率：2.0kW、恒电流控制)，进行反应性溅射(DC溅射)，由此与上述下部区域相接地形成了中部区域。
接下来，停止对Cr靶施加DC功率，将溅射室内改变成氩(Ar)、氮(N2)、二氧化碳(CO2)、及氦(He)的混合气体(流量比Ar：N2：CO2：He＝4：3：8：8、压力＝1.0×10-4Pa)的气氛后，开始对Cr靶施加DC功率(功率：2.0kW、恒电流控制)，进行反应性溅射(DC溅射)，由此与上述中部区域相接地形成了上部区域。通过以上的方法，制作了在上述透光性基板上具备由下部区域、中部区域及上部区域这三个区域构成的遮光膜的比较例1的掩模坯料。
需要说明的是，该比较例1的遮光膜的光密度例如在i射线的波长(365nm)下为3.0以上。
接下来，对第一片比较例1的掩模坯料的遮光膜进行了利用X射线光电子能谱法(XPS)的分析。其结果，遮光膜的膜厚为86nm，各区域的膜厚和组成为下部区域(膜厚约41nm，组成Cr：C：O：N＝56原子％：11原子％：22原子％：11原子％)、中部区域(膜厚约31nm，组成Cr：O：N＝85原子％：7原子％：8原子％)、上部区域(膜厚约14nm，组成Cr：C：O：N＝47原子％：9原子％：34原子％：10原子％)。
接下来，对第二片本比较例1的掩模坯料的遮光膜进行了截面TEM图像的观察、和利用电子衍射法的结晶性的观察。图16示出比较例1的掩模坯料中的遮光膜的上部区域的电子束衍射图像。图17示出比较例1的掩模坯料中的遮光膜的中部区域的电子束衍射图像。另外，图18示出比较例1的掩模坯料中的遮光膜的下部区域的电子束衍射图像。
另外，图19示出比较例1的掩模坯料中的遮光膜的截面TEM图像。
可知在图16所示的遮光膜的上部区域的电子束衍射图像中，未观察到来自结晶结构的衍射图像，上部区域为非晶结构。
在图17所示的遮光膜的中部区域的电子束衍射图像中，结晶性小，衍射图像不太清晰。
可知在图18所示的遮光膜的下部区域的电子束衍射图像中，与图17的中部区域相比，清晰地观察到格点，与中部区域相比，晶粒稍大。
另外，根据上述的电子束衍射图像的结果可以确认，本比较例1的上述遮光膜的上部区域为非晶结构，但下部区域及中部区域均为多晶结构。另外，根据上述的电子束衍射图像和截面TEM图像的各结果可以确认，比较例1的上述遮光膜的任意区域中均不具有柱状结构。
另外，利用电子衍射法获得的本比较例1的上述遮光膜的下部区域的晶面间距d＝0.217nm，中部区域的晶面间距d＝0.218nm。
接下来，使用第三片本比较例1的掩模坯料，与上述的实施例1同样地按照图3所示的制造工序制造了在透光性基板上具备成为转印图案的遮光膜图案的转印用掩模。需要说明的是，对遮光膜进行湿法蚀刻时，测定了遮光膜的各区域的蚀刻速率。其结果，下部区域为1.0nm/sec，中部区域为0.6nm/sec，上部区域为0.9nm/sec。即，可知成为该比较例1的遮光膜的湿法蚀刻速率按照中部区域、上部区域、下部区域的顺序变快的构成。然而，可知与上述的实施例1～3的遮光膜2相比，在全部区域中，湿法蚀刻速率大幅减慢。
对于本比较例1的掩模坯料而言，特别是遮光膜的上部区域为非晶结构，因此，对于湿法蚀刻的蚀刻速率与实施例1～3的遮光膜2的上部区域相比大幅减慢。因此，对于由本比较例1的掩模坯料制造的上述的转印用掩模而言，不能提高图案侧壁的垂直性，难以形成截面形状良好的转印图案。
此外，将该比较例1的转印用掩模设置于将i射线的光作为曝光光的曝光装置的掩模台，从转印用掩模的透光性基板侧起照射曝光光，将图案曝光转印至半导体器件的抗蚀膜。然后，对曝光转印后的抗蚀膜实施给定的处理，形成抗蚀图案，通过CD-SEM对该抗蚀图案进行观察。其结果，可以确认抗蚀图案的CD精度低。根据该结果可以说，将由本比较例1的掩模坯料制造的上述转印用掩模设置于曝光装置的掩模台，并对半导体器件上的抗蚀膜进行曝光转印时，最终难以以高精度在半导体器件上形成电路图案。

Claims (15)

1.一种掩模坯料，其具备基板和位于基板上的图案形成用薄膜，
所述薄膜由含有铬的材料形成，
所述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，
所述上部区域的结晶尺寸比除所述上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，
所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。
3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
利用电子衍射法获得的所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域的各晶面间距均为0.2nm以上。
4.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均具有柱状结构。
5.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，所述薄膜的除上部区域以外的区域从基板侧起由下部区域及中部区域这两个区域构成，
所述薄膜的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。
6.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
所述薄膜是所述铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。
7.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
所述薄膜是对于曝光光具有3以上的光密度的遮光膜。
8.一种转印用掩模，其具备基板和位于基板上的具有转印图案的薄膜，
所述薄膜由含有铬的材料形成，
所述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成，
所述上部区域的结晶尺寸比除所述上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
9.根据权利要求8所述的转印用掩模，其中，
所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均为多晶结构。
10.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，
利用电子衍射法获得的所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域的各晶面间距均为0.2nm以上。
11.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，
所述薄膜的上部区域和除上部区域以外的区域均具有柱状结构。
12.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，
所述薄膜的除上部区域以外的区域从基板侧起由下部区域及中部区域这两个区域构成，
所述薄膜的结晶尺寸按照中部区域、下部区域、上部区域的顺序变大。
13.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，
所述薄膜为所述铬的含量在厚度方向上变化的组成梯度膜。
14.根据权利要求8或9所述的转印用掩模，其中，
所述薄膜是对于曝光光具有3以上的光密度的遮光膜。
15.一种半导体器件的制造方法，该方法具备：
使用权利要求8～14中任一项所述的转印用掩模，将转印图案曝光转印至半导体基板上的抗蚀膜的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI834325B (zh) * 2021-10-07 2024-03-01 南韓商Ｓｋ恩普士股份有限公司 空白遮罩以及使用其之光罩

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102554083B1 (ko) 2022-06-23 2023-07-10 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP2024142243A (ja) * 2023-03-29 2024-10-10 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、および半導体装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007099910A1 (ja) * 2006-02-28 2007-09-07 Hoya Corporation フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにそれらの製造方法
JP2012042983A (ja) * 2011-12-02 2012-03-01 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスク
JP2019003109A (ja) * 2017-06-16 2019-01-10 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6146821A (ja) 1984-08-10 1986-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気スト−ブ
JPH10213893A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
EP1022614B1 (en) * 1998-07-31 2012-11-14 Hoya Corporation Photomask blank, photomask, methods of manufacturing the same, and method of forming micropattern
US6472107B1 (en) 1999-09-30 2002-10-29 Photronics, Inc. Disposable hard mask for photomask plasma etching
WO2003085709A1 (fr) 2002-04-11 2003-10-16 Hoya Corporation Ebauche de masque de type reflechissant et masque de type reflechissant et leurs procedes de production
KR100864375B1 (ko) * 2006-01-03 2008-10-21 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크의 제조방법
US8304147B2 (en) 2008-03-31 2012-11-06 Hoya Corporation Photomask blank, photomask, and method for manufacturing photomask blank
JP2009294682A (ja) 2009-09-24 2009-12-17 Hoya Corp マスクブランク及びフォトマスク
JP6292581B2 (ja) 2014-03-30 2018-03-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
US9690016B2 (en) * 2014-07-11 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with amorphous layers and method of manufacturing thereof
JP7062377B2 (ja) 2017-05-31 2022-05-16 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007099910A1 (ja) * 2006-02-28 2007-09-07 Hoya Corporation フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにそれらの製造方法
JP2012042983A (ja) * 2011-12-02 2012-03-01 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスク
JP2019003109A (ja) * 2017-06-16 2019-01-10 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI834325B (zh) * 2021-10-07 2024-03-01 南韓商Ｓｋ恩普士股份有限公司 空白遮罩以及使用其之光罩

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