CN112166466A

CN112166466A - 显示装置

Info

Publication number: CN112166466A
Application number: CN201980035565.4A
Authority: CN
Inventors: 池田雅延; 金谷康弘; 尾崎匡史
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2018-05-31
Filing date: 2019-01-31
Publication date: 2021-01-01
Anticipated expiration: 2039-01-31
Also published as: US11621291B2; CN112166466B; WO2019230050A1; US20210082995A1; DE112019002234B4; DE112019002234T5

Abstract

一种显示装置具有：基板；多个像素,排列在基板上；多个无机发光元件,与多个像素对应地设置，该无机发光元件具有第一侧面和第一侧面的相反侧的第二侧面；以及第一遮光部，与无机发光元件的阴极电连接，抑制射出与无机发光元件的第一侧面交叉的方向的光。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置。

背景技术

近年来，使用无机发光二极管(微型LED(microLED))作为显示元件的无机EL显示器备受关注(例如参照专利文献1)。无机EL显示器在阵列基板上排列有射出不同颜色的光的多个发光元件。无机EL显示器使用自发光元件，因而不需要光源，另外，由于是不经由滤色器而射出光，因而光的利用效率高。另外，与使用有机发光二极管(OLED：Organic LightEmitting Diode)作为显示元件的有机EL显示器相比，无机EL显示器的耐环境性优异。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2017-529557号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在无机EL显示器中，由于射出不同颜色的光的多个发光元件相邻而配置，因而有可能发生光的混色。

本发明的目的在于，提供一种能够抑制光的混色的显示装置。

用于解决技术问题的方案

本发明的一方式的显示装置具有：基板；多个像素，排列在所述基板上；多个无机发光元件，与多个所述像素对应地设置，所述无机发光元件具有第一侧面和所述第一侧面的相反侧的第二侧面；以及第一遮光部，与所述无机发光元件的阴极电连接，抑制射出与所述无机发光元件的所述第一侧面交叉的方向的光。

附图说明

图1是示意性地示出第一实施方式涉及的显示装置的俯视图。

图2是沿图1的II-II线的剖视图。

图3是表示多个像素的俯视图。

图4是沿图3的IV-IV’线的剖视图。

图5是表示第一实施方式涉及的发光元件的剖视图。

图6是表示第一实施方式涉及的发光元件的变形例的剖视图。

图7是表示像素电路的电路图。

图8是表示显示装置的动作例的时序波形图。

图9是示意性示出第一实施方式的变形例涉及的显示装置的剖视图。

图10是表示第二实施方式涉及的显示装置的多个像素的俯视图。

图11是用于说明第三实施方式涉及的显示装置的、发光元件与阴极布线的连接的剖视图。

图12是表示第三实施方式涉及的显示装置的多个像素的剖视图。

图13是表示第四实施方式涉及的显示装置的多个像素的俯视图。

图14是沿图13的XIV-XIV’线的剖视图。

图15是表示第五实施方式涉及的显示装置的多个像素的剖视图。

图16是表示第六实施方式涉及的显示装置的多个像素的俯视图。

图17是沿图16的XVII-XVII’线的剖视图。

图18是表示第六实施方式的变形例涉及的显示装置的多个像素的剖视图。

图19是表示像素电路的变形例的电路图。

具体实施方式

参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)详细进行说明。本发明并不受以下的实施方式中记载的内容限定。另外，以下所记载的构成要素包括本领域技术人员容易想到的要素、实质上相同的要素。进而，以下所记载的构成要素能够适当地进行组合。需要说明的是，公开仅为一个例子，本领域技术人员容易想到的保持发明主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更加明确，与实际形态相比，附图的各部分的宽度、厚度、形状等有时示意性地表示，说到底只是一个例子，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，针对已经出现的图，对于与上述要素相同的要素标注相同的附图标记，并适当地省略详细的说明。

(第一实施方式)

图1是示意性地示出第一实施方式涉及的显示装置的俯视图。图2是沿图1的II-II线的剖视图。图3是表示多个像素的俯视图。图4是沿图3的IV-IV’线的剖视图。

如图1所示，显示装置1包括阵列基板2、像素Pix、驱动电路12、驱动IC(IntegratedCircuit：集成电路)200以及阴极布线26。阵列基板2是用于驱动各像素Pix的驱动电路基板，也被称为底板或有源矩阵基板。阵列基板2设置有基板21、第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2等、栅极线晶体管TrG(参照图2)、各种布线等。第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2等是与像素Pix对应地设置的开关元件。栅极线晶体管TrG是驱动电路12所包含的开关元件。

如图1所示，显示装置1具有显示区域AA和周边区域GA。显示区域AA是配置有多个像素Pix的区域，且是显示图像的区域。周边区域GA是不与多个像素Pix重叠的区域，配置于显示区域AA的外侧。

多个像素Pix在基板21的显示区域AA中沿第一方向Dx和第二方向Dy排列。多个像素Pix分别具有发光元件3，通过每个发光元件3射出不同颜色的光来显示图像。发光元件3是俯视时具有3μm以上且300μm以下左右的大小的无机发光二极管(LED：Light EmittingDiode)芯片，被称为微型LED(microLED)。在各像素具备微型LED的显示装置也被称为微型LED显示装置。此外，微型LED的微型并不限定发光元件3的大小。

此外，第一方向Dx和第二方向Dy是与基板21的表面平行的方向。第一方向Dx与第二方向Dy正交。但是，第一方向Dx也可以与第二方向Dy交叉而非正交。第三方向Dz是与第一方向Dx及第二方向Dy正交的方向。第三方向Dz例如对应于基板21的法线方向。此外，在以下，所谓俯视是表示从第三方向Dz观察时的位置关系。

驱动电路12是根据来自驱动IC200的各种控制信号驱动多个栅极线(第一栅极线GCL1和第二栅极线GCL2(参照图7))的电路。驱动电路12依次或同时选择多条栅极线，并向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，驱动电路12选择与栅极线连接的多个像素Pix。

驱动IC200是控制显示装置1的显示的电路。驱动IC200也可以作为COG(Chip OnGlass：玻璃芯片)安装于基板21的周边区域GA中。并不限定于此，驱动IC200也可以作为COF(Chip On Film：覆晶薄膜)安装在与基板21的周边区域GA连接的柔性印刷基板、刚性基板上。

阴极布线26设置于基板21的周边区域GA中。阴极布线26设置为将显示区域AA的多个像素Pix和周边区域GA的驱动电路12包围。多个发光元件3的阴极与共用的阴极布线26连接，例如从阴极布线26供给固定电位(例如接地电位)。更为具体而言，发光元件3的阴极端子22p(第二端子)经由TFT基板侧的第一电极22e(阴极电极)与阴极布线26连接。

如图2所示，发光元件3设置于阵列基板2上。阵列基板2具有基板21、第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2等的开关元件、以及各种布线及各种绝缘层。基板21是绝缘基板，例如使用玻璃基板、树脂基板或者树脂薄膜等。

在本说明书中，在与基板21的表面垂直的方向(第三方向Dz)上，将从基板21朝向平坦化层98的表面98b的方向设为“上侧”。另外，将从平坦化层98的表面98b朝向基板21的方向设为“下侧”。另外，“俯视”是指从与基板21的表面垂直的方向(第三方向Dz)观察的情况。

第一晶体管Tr1和第二晶体管Tr2与各像素Pix对应地设置。第一晶体管Tr1和第二晶体管Tr2是由薄膜晶体管构成的，在该例中，由n沟道的MOS(Metal OxideSemiconductor：金属氧化物半导体)型的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)构成。第一晶体管Tr1包括半导体61、源极电极62、漏极电极63、第一栅极电极64A以及第二栅极电极64B。第一栅极电极64A隔着第一绝缘层91设置于基板21上。

第二绝缘层92将第一栅极电极64A覆盖地设置于第一绝缘层91上。半导体61设置于第二绝缘层92上。第三绝缘层93将半导体61覆盖地设置于第二绝缘层92上。第二栅极电极64B设置于第三绝缘层93上。半导体61在与基板21垂直的方向(以下，记为第三方向Dz。)上设置于第一栅极电极64A与第二栅极电极64B之间。在半导体61的与第一栅极电极64A及第二栅极电极64B重叠的部分上形成有沟道区域。

在图2所示的例子中，第一晶体管Tr1是所谓的双栅结构。但是，第一晶体管Tr1也可以是设置有第一栅极电极64A而未设置第二栅极电极64B的底栅结构，也可以是未设置第一栅极电极64A而仅设置有第二栅极电极64B的顶栅结构。

半导体61例如由非晶硅、微晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、多晶硅、低温多晶硅(以下，记为LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicone))或氮化镓(GaN)构成。作为氧化物半导体，可例示IGZO、氧化锌(ZnO)、ITZO。IGZO为铟镓锌氧化物。ITZO为铟锡锌氧化物。

第四绝缘层94将第二栅极电极64B覆盖地设置在第三绝缘层93上。源极电极62和漏极电极63设置于第四绝缘层94上。在本实施方式中，源极电极62经由接触孔H5与半导体61电连接。漏极电极63经由接触孔H3与半导体61电连接。

第五绝缘层95将源极电极62和漏极电极63覆盖地设置在第四绝缘层94上。第五绝缘层95是使第一晶体管Tr1、由各种布线形成的凹凸平坦化的平坦化层。第一绝缘层91、第二绝缘层92、第三绝缘层93、第四绝缘层94是无机绝缘层，例如使用氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)或者氮氧化硅膜(SiON)等无机绝缘材料。另外，各无机绝缘层不限于单层，也可以是层叠膜。另外，第五绝缘层95例如是有机绝缘层。

第二晶体管Tr2包括半导体65、源极电极66、漏极电极67、第一栅极电极68A以及第二栅极电极68B。第二晶体管Tr2具有类似于第一晶体管Tr1的层构成，故省略详细的说明。第二晶体管Tr2的漏极电极67经由接触孔H8与连接布线69连接。连接布线69与第一晶体管Tr1的第一栅极电极64A及第二栅极电极64B连接。

此外，半导体65、源极电极66、漏极电极67、第一栅极电极68A以及第二栅极电极68B分别与第一晶体管Tr1的半导体61、源极电极62、漏极电极63、第一栅极电极64A以及第二栅极电极64B设置于同一层上，但也可以设置于不同的层上。

栅极线晶体管TrG包括半导体71、源极电极72、漏极电极73、第一栅极电极74A以及第二栅极电极74B。栅极线晶体管TrG是包含于驱动电路12中的开关元件。栅极线晶体管TrG也具有类似于第一晶体管Tr1的层构成，故省略详细的说明。另外，栅极线晶体管TrG也可以使用与第一晶体管Tr1及第二晶体管Tr2不同的层而形成。

发光元件3隔着第六绝缘层96及第七绝缘层97设置在第五绝缘层95上。平坦化层98将发光元件3覆盖地设置在第七绝缘层97上。发光元件3是阳极(阳极端子23p)设置于下侧而阴极(阴极端子22p)设置于上侧的所谓面朝上(face up)结构。第二电极23e是与发光元件3的阳极(阳极端子23p)连接的阳极电极。第二电极23e设置于第六绝缘层96上，经由接触孔H7与第三电极24连接。第三电极24设置于第五绝缘层95上，并经由接触孔H2与漏极电极63连接。这样，第二电极23e及第三电极24将发光元件3的阳极和第一晶体管Tr1的漏极电极63连接。另外，第四电极25与第三电极24设置于同一层上，并经由接触孔H4与源极电极62连接。此外，第六绝缘层96、第七绝缘层97例如与第一绝缘层91同样是由无机绝缘材料构成的无机绝缘层，平坦化层98例如与第五绝缘层95同样是由有机绝缘材料构成的有机绝缘层。

另外，第四电极25在第五绝缘层95上延伸，在第三方向Dz上隔着第六绝缘层96与第二电极23e对置。由此，在第二电极23e与第四电极25之间形成电容。形成于第二电极23e与第四电极25之间的电容被用作像素电路28的保持电容Cs。

发光元件3具有第一侧面3a和与第一侧面3a相反侧的第二侧面3b。第一遮光部51与发光元件3的第一侧面3a相对而设置。第一遮光部51与发光元件3的阴极(阴极端子22p)电连接，且经由接触孔H1与第一电极22e连接。第一电极22e是与发光元件3的阴极连接的阴极电极。第一电极22e经由部分阴极布线sLC(参照图3)与设置于周边区域GA中的连接部27连接。连接部27在设置于第五绝缘层95的接触孔H6的底部与阴极布线26电连接。由此，各发光元件3的阴极经由第一遮光部51及第一电极22e与阴极布线26电连接。第二遮光部52与发光元件3的第二侧面3b相对而设置。

在显示装置1中，阵列基板2包括从基板21至第一电极22e和第二电极23e为止的各层。阵列基板2中不包括平坦化层98、发光元件3、第一遮光部51以及第二遮光部52。

如图3所示，各像素Pix具有发光元件3、第二电极23e、像素电路28、第一遮光部51以及第二遮光部52。多个发光元件3包括与像素Pix对应地设置并射出不同颜色的光的第一发光元件3R、第二发光元件3G以及第三发光元件3B。第一发光元件3R射出第一原色(例如红色)的光。第二发光元件3G射出第二原色(例如绿色)的光。第三发光元件3B射出第三原色(例如蓝色)的光。此外，在以下的说明中，在无需区分第一发光元件3R、第二发光元件3G及第三发光元件3B进行说明时，仅记为发光元件3。此外，多个发光元件3也可以射出四种以上的不同颜色的光。

具有第一发光元件3R的像素Pix、具有第二发光元件3G的像素Pix以及具有第三发光元件3B的像素Pix按该顺序在第一方向Dx上重复排列。即，第一发光元件3R、第二发光元件3G以及第三发光元件3B按该顺序在第一方向Dx上重复排列。第一发光元件3R、第二发光元件3G以及第三发光元件3B分别在第二方向Dy上排列有多个。也就是说，在图2所示的例子中，各发光元件3在第一方向Dx上与射出不同颜色的光的其他发光元件3相邻而配置，在第二方向Dy上与射出相同颜色的光的其他发光元件3相邻而配置。

如图3所示，从第三方向Dz观察时，第二电极23e具有比发光元件3大的面积。此外，在图3中，发光元件3的外形表示下表面3f(参照图4)的外形。换言之，从第三方向Dz观察时，第二电极23e具有比下表面3f大的面积。第二电极23e使用反射光的金属材料。第二电极23e将从发光元件3射出的光L中被平坦化层98的表面98b、盖部件等反射而朝向阵列基板2的光朝向显示面反射。由此，显示装置1能够提高从发光元件3射出的光L的利用效率。作为第二电极23e的材料，例如可以举出铝(Al)或铝合金材料、铜(Cu)、铜合金、银(Ag)或银合金材料等。这样，第二电极23e兼作为反射光的反射板和保持电容Cs的电极。

像素电路28是驱动发光元件3的驱动电路。像素电路28包括与发光元件3对应地设置的多个第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2等。

如图4所示，第一遮光部51隔着绝缘层57与发光元件3的第一侧面3a相对而设置。在此，第一侧面3a及第二侧面3b分别是发光元件3的侧面中与第一方向Dx交叉的面，在一个发光元件3中相对而设置。此外，在沿第一方向Dx相邻的发光元件3中，第一发光元件3R的第二侧面3b与第二发光元件3G的第一侧面3a相对。另外，第二发光元件3G的第二侧面3b与第三发光元件3B的第一侧面3a相对。

第一遮光部51使用以钼(Mo)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)等为成分的金属材料、以及以上述材料为主成分的合金材料。由此，第一遮光部51能够反射从发光元件3的第一侧面3a射出的光，并抑制射出与第一侧面3a交叉的方向的光。绝缘层57在与发光元件3的上表面重叠的区域形成有开口。发光元件3的上表面从第一遮光部51、第二遮光部52以及绝缘层57露出。绝缘层57例如由氧化硅膜(SiO₂)、氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiON)等无机绝缘材料构成。绝缘层57并不限定于单层，也可以是层叠膜。绝缘层57也可以是化学性稳定的氧化铝(例如Al₂O₃)。

另外，第一遮光部51将发光元件3的阴极与第一电极22e电连接。具体而言，第一遮光部51设置于发光元件3的上表面3e的一部分中，并与阴极端子22p电连接。第一遮光部51沿着第一侧面3a设置，第一遮光部51的下端经由设置于第七绝缘层97的接触孔H1与第一电极22e连接。如图3所示，第一电极22e与在第一方向Dx上排列的多个发光元件3分别连接。在第一方向Dx上排列的多个第一电极22e与共用的部分阴极布线sLC连接。多个部分阴极布线sLC沿第二方向Dy排列，各个部分阴极布线sLC在周边区域GA中与图1所示的阴极布线26连接。这样，发光元件3的阴极经由第一遮光部51及第一电极22e等与阴极布线26连接。即，第一遮光部51兼作为反射光L的反射板和连接发光元件3的阴极与阴极布线26的连接布线。

如图4所示，第二遮光部52隔着绝缘层58与发光元件3的第二侧面3b相对而设置。第二遮光部52使用与第一遮光部51相同的金属材料或合金材料。由此，第二遮光部52能够反射从发光元件3的第二侧面3b射出的光，并抑制射出与第二侧面3b交叉的方向的光。第二遮光部52设置于发光元件3的上表面3e的一部分中，并与阴极(阴极端子22p)电连接。另外，第二遮光部52沿着第二侧面3b设置，第二遮光部52的下端设置于第七绝缘层97上。第二遮光部52与第二电极23e电隔离。此外，第二遮光部52也可以经由设置于第七绝缘层97上的接触孔与第一电极22e或部分阴极布线sLC连接。

第一遮光部51及第二遮光部52可以任意形成，例如，可以使用包含上述金属材料或合金材料的浆料，通过毛细管、分配器等涂布于每个发光元件3上而形成。或者，第一遮光部51及第二遮光部52也可以通过喷墨印刷等进行涂布而形成。

如图3所示，第一遮光部51的第二方向Dy上的宽度W2及第二遮光部52的第二方向Dy上的宽度W3大于发光元件3的第二方向Dy上的宽度W1。另外，第一遮光部51的第二方向Dy上的宽度W2及第二遮光部52的第二方向Dy上的宽度W3小于第二电极23e的第二方向Dy上的宽度W4。

通过如此构成，第一遮光部51与发光元件3的阴极电连接，抑制射出与发光元件3的第一侧面3a交叉的方向的光。第二遮光部52抑制射出与发光元件3的第二侧面3b交叉的方向的光。因此，光L从发光元件3的上表面3e中的第一遮光部51与第二遮光部52之间的部位射出。由此，显示装置1能够抑制来自在第一方向Dx上相邻的发光元件3的不同颜色的光L混色。

在本说明书中，光L的混色是指在显示装置1的内部不同颜色的光L混合、或者从平坦化层98的表面98b射出多种不同的颜色混合而成的光L。换言之，显示装置1使来自各发光元件3的光L独立地从平坦化层98的表面98b射出。

在图3及图4所示的例子中，显示装置1能够在第一方向Dx上相邻的第一发光元件3R及第二发光元件3G中，抑制从第一发光元件3R射出的红色的光L与从第二发光元件3G射出的绿色的光L发生混色。另外，显示装置1能够在第一方向Dx上相邻的第二发光元件3G及第三发光元件3B中，抑制从第二发光元件3G射出的绿色的光L与从第三发光元件3B射出的蓝色的光L发生混色。

另外，如图3所示，在第一侧面3a与第二侧面3b之间的第三侧面3c及第四侧面3d上未设置遮光部。因此，第三侧面3c及第四侧面3d在第一遮光部51与第二遮光部52之间露出。在本实施方式中，射出相同颜色的光的多个发光元件3在第二方向Dy上相邻而排列。因此，即使在第三侧面3c及第四侧面3d上未设置遮光部的情况下，显示装置1也能够抑制混色。

图5是表示第一实施方式涉及的发光元件的剖视图。如图5所示，发光元件3具有多个部分发光元件3s、覆盖多个部分发光元件3s的保护层39、p型电极37以及n型电极38。多个部分发光元件3s在p型电极37与n型电极38之间分别形成为柱状。多个部分发光元件3s具有n型包覆层33、活性层34以及p型包覆层35。n型电极38包括阴极端子22p(第一端子)，并与n型包覆层33电连接。p型电极37包含阳极端子23p(第二端子)，并与p型包覆层35电连接。在p型电极37上，按照p型包覆层35、活性层34、n型包覆层33的顺序层叠。

n型包覆层33、活性层34以及p型包覆层35是发光层，例如使用氮化镓(GaN)、铝铟磷(AlInP)等化合物半导体。

n型电极38是ITO等具有透光性的导电性材料。n型电极38是发光元件3的阴极，并经由第一遮光部51与第一电极22e连接。另外，p型电极37是发光元件3的阳极，具有Pt层37a和通过电镀形成的厚膜Au层37b。厚膜Au层37b与第二电极23e的载置面23a连接。

保护层39例如为SOG(Spin on Glass：旋涂玻璃)。保护层39的侧面成为发光元件3的第一侧面3a和第二侧面3b。第一遮光部51及第二遮光部52分别与保护层39的侧面相对而设置。

图5所示的构成只是一个例子，例如也可以是所谓的面朝下(face down)结构。图6是表示第一实施方式涉及的发光元件的变形例的剖视图。图6所示的发光元件3A在透光性基板31上依次层叠有缓冲层32、n型包覆层33、活性层34、p型包覆层35以及p型电极36(阳极端子23p)。发光元件3A以透光性基板31为上侧、p型电极36为下侧的方式安装。另外，在n型包覆层33中，在与第一电极22e相对的面侧设置有从活性层34露出的区域。该区域中设置有n型电极38(阴极端子22p)。

p型电极36由反射来自发光层的光的具有金属光泽的材料形成。p型电极36经由凸块39A与作为阳极电极的第二电极23e连接。n型电极38经由凸块39B与作为阴极电极的第一电极22e连接。

第一遮光部51及第二遮光部52与透光性基板31、缓冲层32、n型包覆层33、活性层34、p型包覆层35以及p型电极36的侧面相对而设置。在发光元件3A中，p型包覆层35和n型包覆层33不直接接合，两者之间导入有其他的层(发光层(活性层34))。由此，能够使电子、空穴这样的载流子集中在发光层中，从而能够高效地再结合(发光)。为了高效率化，发光层也可以采用周期性地层叠由数个原子层构成的阱层和阻挡层而成的多量子阱结构(MQW结构)。

图7是表示像素电路的电路图。图8是表示显示装置的动作例的时序波形图。如图7所示，像素电路28具有多个开关元件(第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2、第三晶体管Tr3以及第四晶体管Tr4)、和第一栅极线GCL1、第二栅极线GCL2、信号线SGL以及电源线LVdd。

第一晶体管Tr1是驱动用TFT。第二晶体管Tr2是选择期间TS(参照图8)和发光期间FT(参照图8)的切换用TFT。第三晶体管Tr3及第四晶体管Tr4是电流切换用TFT。信号线SGL与恒流源连接。电源线LVdd与恒压源连接。

另外，在第二晶体管Tr2的漏极与发光元件3的阳极之间形成保持电容Cs1。另外，在发光元件3的阳极与电源线LVdd之间形成保持电容Cs2。像素电路28能够利用保持电容Cs1、Cs2抑制由第二晶体管Tr2的漏电流导致栅极电压变动。

如图8所示，在选择期间TS中，供给至第一栅极线GCL1的第一选择信号VSEL1导通(高电平电压)。另外，供给至第二栅极线GCL2的第二选择信号VSEL2断开(低电平电压)。由此，第二晶体管Tr2及第三晶体管Tr3导通，第四晶体管Tr4断开。从信号线SGL向发光元件3的阳极供给电流Idata。

在发光期间FT，第一选择信号VSEL1断开，第二选择信号VSEL2导通。由此，第二晶体管Tr2及第三晶体管Tr3断开，第四晶体管Tr4导通。从电源线LVdd向发光元件3的阳极供给电流Id。此外，图7、图8只不过是一个例子，像素电路28的构成和显示装置1的动作可以适当地变更。

图9是示意性示出第一实施方式的变形例涉及的显示装置的剖视图。如图9所示，绝缘层57设置为将发光元件3的第一侧面3a、第二侧面3b以及上表面3e覆盖。绝缘层57仅在与第一遮光部51的连接部分设置有开口，在不与第一遮光部51及第二遮光部52重叠的区域未形成开口。通过这样构成，在本变形例中，能够减少加工绝缘层57的工序，能够抑制绝缘层57的加工对发光元件3造成损伤。另外，在显示装置1的制造工序中，能够抑制在形成平坦化层98为止的期间内混入水分、异物。此外，图9示出了一个发光元件3(第一发光元件3R)，但本变形例的构成也可以适用于图4所示的多个第一发光元件3R、第二发光元件3G、第三发光元件3B。另外，本变形例的构成也可以适用于图15、17、18所示的各发光元件3。

(第二实施方式)

图10是表示第二实施方式涉及的显示装置的多个像素的俯视图。此外，在以下的说明中，对于上述实施方式中已说明的构成要素，标注相同的附图标记并省略说明。如图10所示，在本实施方式的显示装置1A中，具有第二发光元件3G的像素Pix和具有第三发光元件3B的像素Pix在第二方向Dy上相邻而配置。在该第二方向Dy上相邻的两个像素Pix与具有第一发光元件3R的一个像素Pix在第一方向Dx上相邻而配置。

即，第一发光元件3R和第二发光元件3G在第一方向Dx上相邻而配置。第二发光元件3G和第三发光元件3B在第二方向Dy上相邻而配置。这样，在本实施方式中，射出不同颜色的光的多个发光元件3在第一方向Dx上相邻而排列，并且在第二方向Dy上相邻而排列。在这样的配置关系下，第一发光元件3R、第二发光元件3G以及第三发光元件3B呈矩阵状地设置于显示区域AA中。此外，第一发光元件3R也可以与第三发光元件3B在第一方向Dx上相邻而配置。

显示装置1A在第一遮光部51及第二遮光部52的基础上，还具有第三遮光部53及第四遮光部54。第三遮光部53及第四遮光部54分别与发光元件3的第三侧面3c及第四侧面3d相对而设置。第一遮光部51、第二遮光部52、第三遮光部53以及第四遮光部54在俯视时连结成框状，将发光元件3的周围包围。第一遮光部51、第二遮光部52、第三遮光部53以及第四遮光部54与发光元件3的上表面3e的周缘重叠并与阴极(阴极端子22p)电连接。

如图10所示，第三遮光部53的第一方向Dx上的宽度W6和第四遮光部54的第一方向Dx上的宽度W7大于发光元件3的第一方向Dx上的宽度W5。另外，第三遮光部53的第一方向Dx上的宽度W6和第四遮光部54的第一方向Dx上的宽度W7小于第二电极23e的第一方向Dx上的宽度W8。

由此，第三遮光部53抑制射出与发光元件3的第三侧面3c交叉的方向的光。第四遮光部54抑制射出与发光元件3的第四侧面3d交叉的方向的光。因此，光L从发光元件3的上表面3e中被第一遮光部51、第二遮光部52、第三遮光部53以及第四遮光部54包围的部分射出。由此，显示装置1能够抑制来自在第二方向Dy上相邻的发光元件3的不同颜色的光L混色。在图10所示的例子中，显示装置1A能够在第二方向Dy上相邻的第二发光元件3G及第三发光元件3B中，抑制从第二发光元件3G射出的绿色的光L与从第三发光元件3B射出的蓝色的光L发生混色。

(第三实施方式)

图11是用于说明第三实施方式涉及的显示装置的发光元件与阴极布线的连接的剖视图。图12是表示第三实施方式涉及的显示装置的多个像素的剖视图。如图11所示，在本实施方式的显示装置1B中，平坦化层98至少将发光元件3的侧面(第一侧面3a、第二侧面3b)覆盖地设置于第七绝缘层97的表面上。发光元件3的上表面3e的至少一部分(阴极端子22p)从平坦化层98露出。

第一电极22eA设置于平坦化层98的表面98b上，并与发光元件3的阴极电连接。另外，第一电极22eA延伸至周边区域GA，并经由设置于平坦化层98上的接触孔H9与阴极布线26电连接。第一电极22eA连续设置于多个像素Pix上，并与多个发光元件3的阴极电连接。第一电极22eA例如是ITO等具有透光性的导电性材料。

第一遮光部51A和第二遮光部52A设置于第一电极22eA上，并经由第一电极22eA与发光元件3的阴极电连接。第一遮光部51A和第二遮光部52A在第一方向Dx上相分离地设置，分别设置于俯视时与第一侧面3a和第二侧面3b重叠的区域。第一遮光部51A及第二遮光部52A的俯视时的构成与图3所示的第一遮光部51及第二遮光部52相同。

第一遮光部51A反射从第一侧面3a射出并朝向斜上侧的光。另外，第二遮光部52A反射从第二侧面3b射出并朝向斜上侧的光。由此，第一遮光部51A及第二遮光部52A分别能够抑制与第一侧面3a及第二侧面3b交叉的方向的光从平坦化层98的表面98b射出。光L从发光元件3的上表面3e穿过第一遮光部51A和第二遮光部52A之间而射出。

如图12所示，在第一发光元件3R、第二发光元件3G以及第三发光元件3B上分别设置有第一遮光部51A和第二遮光部52A。由此，显示装置1B能够抑制来自在第一方向Dx上相邻的发光元件3的不同颜色的光L混色。在图12所示的例子中，在第一方向Dx上相邻的第一发光元件3R和第二发光元件3G中，第二遮光部52A能够抑制从第一发光元件3R射出的红色的光L中的斜上侧的靠近第二发光元件3G的方向的光。另外，第一遮光部51A能够抑制从第二发光元件3G射出的绿色的光L中的斜上侧的靠近第一发光元件3R的方向的光。由此，显示装置1B能够抑制红色的光L与绿色的光L发生混色。另外，显示装置1B在第一方向Dx上相邻的第二发光元件3G和第三发光元件3B中也同样能够抑制绿色的光L与蓝色的光L发生混色。

此外，在本实施方式中，与图10所示的第二实施方式同样，也可以在第一遮光部51A和第二遮光部52A之间设置第三遮光部和第四遮光部。该情况下，多个遮光部也可以设置成框状。

(第四实施方式)

图13是表示第四实施方式涉及的显示装置的多个像素的俯视图。图14是沿图13的XIV-XIV’线的剖视图。如图13所示，本实施方式的显示装置1C在相邻的发光元件3之间设置有第一遮光部51B。第一遮光部51B设置在不与发光元件3和第二电极23e重叠的位置处。另外，第一遮光部51B的第二方向Dy上的宽度W2A大于发光元件3的第二方向Dy上的宽度W1，且小于第二电极23e的第二方向Dy上的宽度W4。

如图14所示，平坦化层98上设置有沿第三方向Dz延伸的槽部98a。槽部98a沿第三方向Dz贯通平坦化层98。并不限定于此，槽部98a只要至少在平坦化层98的表面98b上开口即可，也可以在第三方向Dz上使槽部98a的底部与第七绝缘层97分离。

第一遮光部51B埋入槽部98a。第一遮光部51B沿着槽部98a在第三方向Dz上延伸并在第二方向Dy上延伸。第一遮光部51B形成为与第一方向Dx交叉的壁状。第一遮光部51B的上表面51Ba与第一电极22eA接触。由此，第一遮光部51B经由第一电极22eA与发光元件3的阴极电连接。另外，第一遮光部51B的下表面51Bb与第七绝缘层97接触。

第一遮光部51B分别反射来自隔着第一遮光部51B相邻的两个发光元件3的光。例如，设置于第一发光元件3R和第二发光元件3G之间的第一遮光部51B反射来自第二发光元件3G的第一侧面3a的光，并反射来自第一发光元件3R的第二侧面3b的光。另外，设置于第二发光元件3G与第三发光元件3B之间的第一遮光部51B反射来自第三发光元件3B的第一侧面3a的光，并反射来自第二发光元件3G的第二侧面3b的光。由此，显示装置1C能够抑制来自在第一方向Dx上相邻的发光元件3的不同颜色的光L发生混色。

(第五实施方式)

图15是表示第五实施方式涉及的显示装置的多个像素的剖视图。在本实施方式的显示装置1D中，第二发光元件3G和第三发光元件3B设置于第五绝缘层95上设置有的凹部95a中。凹部95a的底面95b与基板21之间的第三方向Dz上的距离比第五绝缘层95的表面95c与基板21之间的第三方向Dz上的距离短。换言之，凹部95a的底面95b与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离比第五绝缘层95的表面95c与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离长。需要说明的是，第五绝缘层95的表面95c是指第五绝缘层95的表面中未设置凹部95a和接触孔H2、H4的部分。

在此，将第二电极23e中的与第一发光元件3R的阳极连接的电极设为第一连接电极23eR，将与第二发光元件3G的阳极连接的电极设为第二连接电极23eG，将与第三发光元件3B的阳极连接的电极设为第三连接电极23eB。第一连接电极23eR、第二连接电极23eG以及第三连接电极23eB分别具有与发光元件3的阳极连接的载置面23a。

将第一连接电极23eR的载置面23a与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第一距离D1R。将第二连接电极23eG的载置面23a与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第二距离D1G。将第三连接电极23eB的载置面23a与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第三距离D1B。第一距离D1R比第二距离D1G和第三距离D1B短。更优选第一距离D1R比第二距离D1G短，且第二距离D1G比第三距离D1B短。

另外，将第一发光元件3R的上表面3e与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第四距离D2R。将第二发光元件3G的上表面3e与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第五距离D2G。将第三发光元件3B的上表面3e与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第六距离D2B。第四距离D2R比第五距离D2G及第六距离D2B短。更优选第四距离D2R比第五距离D2G短，且第五距离D2G比第六距离D2B短。

另外，将第一发光元件3R的发光面3g与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第七距离D3R。将第二发光元件3G的发光面3g与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第八距离D3G。将第三发光元件3B的发光面3g与平坦化层98的表面98b之间的第三方向Dz上的距离设为第九距离D3B。第七距离D3R比第八距离D3G及第九距离D3B短。更优选第七距离D3R比第八距离D3G短，且第八距离D3G比第九距离D3B短。

通过这样构成，显示装置1D能够按像素Pix调整来自各发光元件3的光L的提取效率。此外，在本说明书中，光L的提取效率是指从平坦化层98的表面98b射出的光的强度与从各发光元件3射出的光L的强度之比。由此，即使在第一发光元件3R的发光效率比第二发光元件3G及第三发光元件3B的发光效率小的情况下，也能够抑制从平坦化层98的表面98b射出的光的强度在每个像素Pix中的偏差。另外，通过第一遮光部51及第二遮光部52限制从发光元件3射出的光L的方向。因此，能够通过调整发光元件3的第三方向Dz上的位置而有效地调整光L的提取效率。

此外，显示装置1D并不限定于在第五绝缘层95的凹部95a中设置第二发光元件3G及第三发光元件3B的构成，只要是能够调整各发光元件3的第三方向Dz上的位置的构成即可。例如，显示装置1D也可以在第二电极23e上设置按照每个发光元件3具有不同高度的载置部。或者，显示装置1D也可以使发光元件3所具有的基板的厚度按光L的颜色不同。

(第六实施方式)

图16是表示第六实施方式涉及的显示装置的多个像素的俯视图。图17是沿图16的XVII-XVII’线的剖视图。如图16所示，本实施方式的显示装置1E具有散射部件81。散射部件81设置为将多个像素Pix的表面覆盖，使来自发光元件3的光L散射并射出。散射部件81具有散射强度不同的第一散射区域82、第二散射区域83以及第三散射区域84。

第一散射区域82是与具有第一发光元件3R的像素Pix重叠的区域。第二散射区域83是与具有第二发光元件3G的像素Pix重叠的区域。第三散射区域84是与具有第三发光元件3B的像素Pix重叠的区域。第一散射区域82、第二散射区域83以及第三散射区域84在第一方向Dx上相邻。另外，第一散射区域82、第二散射区域83以及第三散射区域84分别沿第二方向Dy延伸，并配置为与具有同色的发光元件3的多个像素Pix重叠。

如图17所示，散射部件81设置于平坦化层98的表面98b上。散射部件81包括透光性的电介质层85和分散于电介质层85上的多个散射粒子86。作为电介质层85的材料，例如可以使用氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂等。作为散射粒子86的材料，使用以钼(Mo)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)等为成分的金属材料、以及以上述材料为主成分的合金材料。散射部件81例如能够通过喷墨印刷等在每个区域涂布形成。

散射粒子86的粒径为光L的波长的1/10以下。该情况下，透过散射部件81的光L通过瑞利散射而被散射。瑞利散射的相对散射强度与光L的波长的4次方成反比。即，波长按照红色的光L、绿色的光L、蓝色的光L的顺序变短，而瑞利散射的相对散射强度变大。

在本实施方式中，第一散射区域82的散射粒子86的密度比第二散射区域83及第三散射区域84的散射粒子86的密度高。更优选散射粒子86的密度按照第三散射区域84、第二散射区域83、第一散射区域82的顺序变高。此外，各区域中的散射粒子86的材料、粒径相同，散射部件81的各区域的厚度t1、t2、t3也相同。散射粒子86的密度是指散射部件81的每单位体积的散射粒子86的数量。由此，在光L为相同的波长的情况下，通过散射部件81时的散射强度按第三散射区域84、第二散射区域83、第一散射区域82的顺序增高。因此，从第一发光元件3R、第二发光元件3G以及第三发光元件3B射出的不同颜色(波长)的光L分别被第一散射区域82、第二散射区域83以及第三散射区域84散射并射出，从而抑制瑞利散射引起的散射强度的差。

图18是表示第六实施方式的变形例涉及的显示装置的多个像素的剖视图。在本变形例中，第一散射区域82、第二散射区域83以及第三散射区域84的散射粒子86的密度相同，第一散射区域82的厚度t1比第二散射区域83的厚度t2及第三散射区域84的厚度t3厚。更优选按照第三散射区域84的厚度t3、第二散射区域83的厚度t2、第一散射区域82的厚度t1的顺序变厚。在本变形例中，在光L的波长相同的情况下，散射强度也按照第三散射区域84、第二散射区域83、第一散射区域82的顺序变高。因此，从第一发光元件3R、第二发光元件3G以及第三发光元件3B射出的不同颜色的光L能够抑制瑞利散射引起的散射强度的差。

此外，散射部件81的构成、散射粒子86的材料可以适当地变更。例如，作为散射粒子86，也可以使用光L的波长的1/2左右的粒子。该情况下，使用具有透光性的材料作为散射粒子86，透过散射部件81的光L通过米氏散射而被散射。在使用米氏散射的情况下，不存在散射强度的波长依赖性。因此，在散射部件81中，第一散射区域82、第二散射区域83以及第三散射区域84的散射粒子86的密度相同，可以使第三散射区域84的厚度t3、第二散射区域83的厚度t2、第一散射区域82的厚度也相同。

以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于这样的实施方式。实施方式所公开的内容只不过是一个例子，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。关于在不脱离本发明的主旨的范围内进行的适当的变更，当然也属于本发明的技术范围。在不脱离上述各实施方式以及各变形例的主旨的范围内，能够进行构成要素的各种省略、替换以及变更中的至少一个。

例如，像素电路28并不限定于图7。图19是表示像素电路的变形例的电路图。如图19所示，像素电路128具有驱动晶体管Tr6、点亮开关Tr7、写入开关Tr8、发光控制开关Tr9、初始化开关Tr10以及复位开关Tr11。

发光元件3的阴极(阴极端子22p)与电源线174连接。另外，发光元件3的阳极(阳极端子23p)经由驱动晶体管Tr6和点亮开关Tr7与电源线176连接。

电源线176从驱动电源被施加规定的高电位作为驱动电位V_DD，电源线174从电源电路被施加规定的低电位作为基准电位V_SS。

发光元件3通过这些驱动电位V_DD与基准电位V_SS的电位差(V_DD-V_SS)而被供给正向电流(驱动电流)并发光。即，驱动电位V_DD相对于基准电位V_SS具有使发光元件3发光的电位差。发光元件3作为等效电路，在阳极端子23p-阴极端子22p之间并联连接电容191而构成。另外，在发光元件3的阳极端子23p与供给驱动电位V_DD的电源线176之间设置有附加电容199。此外，电容191也可以与阳极端子23p和阴极端子22p以外的基准电位连接。

在本实施方式中，驱动晶体管Tr6、点亮开关Tr7以及发光控制开关Tr9分别由n型TFT构成。驱动晶体管Tr6的源极电极与发光元件3的阳极端子23p连接，漏极电极与发光控制开关Tr9的源极电极连接。发光控制开关Tr9的栅极电极与发光控制线179连接。发光控制开关Tr9的漏极电极与点亮开关Tr7的源极电极连接。点亮开关Tr7的栅极电极与点亮控制线166连接。点亮开关Tr7的漏极电极与电源线176连接。复位开关Tr11的栅极电极与复位控制线170连接。写入开关Tr8的栅极电极与写入控制线168连接。初始化开关Tr10的栅极电极与初始化控制线214连接。

另外，驱动晶体管Tr6的漏极电极也经由复位开关Tr11与复位电源连接。在本变形例中，按每个像素行设置复位线178和复位开关Tr11。各复位线718沿像素行延伸，经由该像素行的发光控制开关Tr9共同连接于该像素行的驱动晶体管Tr6的漏极电极上。即，构成像素行的多个像素Pix共用复位线178和复位开关Tr11。复位开关Tr11例如配置在像素行的端部，并切换复位线178与复位电源之间的接断，即，切换将复位线178与复位电源之间连接还是断开。在本变形例中，复位开关Tr11与驱动晶体管Tr6、点亮开关Tr7以及发光控制开关Tr9相同地由n型TFT构成。

作为驱动晶体管Tr6的控制端子的栅极电极经由写入开关Tr8与视频信号线172连接，经由初始化开关Tr10与初始化信号线210连接。在驱动晶体管Tr6的栅极电极与源极电极之间连接有保持电容198。在本实施方式中，写入开关Tr8和初始化开关Tr10与驱动晶体管Tr6、点亮开关Tr7以及复位开关Tr11同样由n型TFT构成。

此外，在本实施方式中，示出了驱动晶体管Tr6、点亮开关Tr7、复位开关Tr11、写入开关Tr8、发光控制开关Tr9以及初始化开关Tr10由n型TFT构成的电路例，但并不限于此。例如，驱动晶体管Tr6、点亮开关Tr7、复位开关Tr11、写入开关Tr8、发光控制开关Tr9以及初始化开关Tr10也可以是由p型TFT构成的电路。另外，也可以是将p型TFT和n型TFT组合而成的电路构成。

在图19中，作为各种信号，示出了针对写入开关Tr8的写入控制信号SG、针对点亮开关Tr7的点亮控制信号BG、针对复位开关Tr11的复位控制信号RG、针对发光控制开关Tr9的发光控制信号CG、以及针对初始化开关Tr10的初始化控制信号IG。

在本变形例中，对每一帧的图像反复进行如下动作：从起始行(例如，在图1中的显示区域AA中，位于最上部的像素行)起依次选择多个像素行，并向所选择的像素行的像素Pix写入视频电压信号VSIG的电位Vsig(视频写入电位)，而使发光元件3发光。驱动电路在每一个水平扫描期间，对视频信号线172施加视频电压信号VSIG的电位Vsig(视频写入电位)，对初始化信号线210施加初始化电压信号VINI的电位Vini(初始化电位)。

本变形例中的写入动作详细而言分为复位动作、偏移消除动作、视频信号设置动作。复位动作是将电容191、保持电容198以及附加电容199所保持的电压复位的动作。偏移消除动作是补偿驱动晶体管Tr6的阈值电压Vth的偏差的动作。视频信号设置动作是将视频电压信号VSIG的电位Vsig(视频写入电位)写入像素Pix的动作。

上述写入动作(复位操作、偏移消除操作、视频信号设置动作)和发光动作针对每个像素行依次执行。像素行例如以视频信号的一个水平扫描期间为周期而依次选择，每一像素行的写入动作和发光动作以一帧周期重复。

各像素行的可发光期间被设定在从上述视频信号设置动作结束到下一帧图像的该像素行的写入动作开始为止的期间内。显示装置1在可发光期间设置使发光元件3以与写入各像素Pix的视频电压信号VSIG的电位Vsig(视频写入电位)相应的强度发光的发光期间、和强制停止向发光元件3供给的驱动电流的非发光期间。具体而言，在发光期间，通过将发光控制信号CG设为H电平而使发光控制开关Tr9导通，从而从驱动电源向发光元件3供给正向电流(驱动电流)，在非发光期间，通过将发光控制信号CG设为L电平而使发光控制开关Tr9断开，从而将驱动电源与保持为导通状态的驱动晶体管Tr6之间切断，强制地使向发光元件3供给的正向电流(驱动电流)停止。

附图标记说明

1：显示装置

2：阵列基板

3、3A：发光元件

3R：第一发光元件

3G：第二发光元件

3B：第三发光元件

3a：第一侧面

3b：第二侧面

3c：第三侧面

3d：第四侧面

3e：上表面

3f：下表面

12：驱动电路

21：基板

22e、22eA：第一电极

23e：第二电极

23eR：第一连接电极

23eG：第二连接电极

23eB：第三连接电极

24：第三电极

25：第四电极

26：阴极布线

27：连接部

28：像素电路

51、51A、51B：第一遮光部

52、52A：第二遮光部

53：第三遮光部

54：第四遮光部

57、58：绝缘层

81：散射部件

82：第一散射区域

83：第二散射区域

84：第三散射区域

98：平坦化层

Pix：像素。

Claims

1.一种显示装置，具有：

基板；

多个像素，排列在所述基板上；

多个无机发光元件，与多个所述像素对应地设置，所述无机发光元件具有第一侧面和所述第一侧面的相反侧的第二侧面；以及

第一遮光部，与所述无机发光元件的阴极电连接，抑制射出与所述无机发光元件的所述第一侧面交叉的方向的光。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述显示装置具有第二遮光部，所述第二遮光部抑制射出与所述无机发光元件的所述第二侧面交叉的方向的光。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

射出不同颜色的光的多个所述无机发光元件在第一方向上相邻排列，并且射出相同颜色的光的多个所述无机发光元件在与所述第一方向交叉的第二方向上相邻排列，

各个所述无机发光元件的所述第一侧面和所述第二侧面与所述第一方向交叉地设置，

所述第一遮光部与所述第一侧面对置，所述第二遮光部与所述第二侧面对置，

所述第一侧面与所述第二侧面之间的第三侧面及第四侧面在所述第一遮光部与所述第二遮光部之间露出。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

射出不同颜色的光的多个所述无机发光元件在第一方向上相邻排列，并且射出不同颜色的光的多个所述无机发光元件在与所述第一方向交叉的第二方向上相邻排列，

所述无机发光元件具有位于所述第一侧面与所述第二侧面之间的第三侧面和第四侧面，

所述显示装置具有与第三侧面对置的第三遮光部和与第四侧面对置的第四遮光部。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，

所述第三遮光部和所述第四遮光部在所述第一方向上的宽度大于所述无机发光元件在所述第一方向上的宽度。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述显示装置具有：

平坦化层，将所述无机发光元件的至少侧面覆盖；以及

第一电极，设置于所述平坦化层的表面上，并与所述无机发光元件的阴极电连接，

在从与所述基板垂直的方向观察时，所述第一遮光部和所述第二遮光部分别在与所述第一侧面和所述第二侧面重叠的位置设置于所述第一电极上。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述显示装置具有：

平坦化层，将所述无机发光元件的至少侧面覆盖；以及

所述第一遮光部设置于从所述平坦化层的表面沿着厚度方向延伸的槽部中。

8.根据权利要求3至5中任一项所述的显示装置，其中，

所述第一遮光部在所述第二方向上的宽度比所述无机发光元件在所述第二方向上的宽度长。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置，其中，

多个所述无机发光元件包括射出不同颜色的光的第一无机发光元件、第二无机发光元件以及第三无机发光元件。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述显示装置具有平坦化层，所述平坦化层将所述第一无机发光元件、所述第二无机发光元件以及所述第三无机发光元件的至少侧面覆盖，

在所述基板上设置有与所述第一无机发光元件、所述第二无机发光元件以及所述第三无机发光元件各自的阳极连接的第一连接电极、第二连接电极以及第三连接电极，

在与所述基板垂直的方向上，所述平坦化层的表面与所述第一连接电极之间的距离小于所述平坦化层的表面与所述第二连接电极之间的距离及所述平坦化层的表面与所述第三连接电极之间的距离。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述显示装置具有：

平坦化层，将所述第一无机发光元件、所述第二无机发光元件以及所述第三无机发光元件的至少侧面覆盖；以及

散射部件，将所述第一无机发光元件、所述第二无机发光元件以及所述第三无机发光元件覆盖地设置在所述平坦化层之上，并包含多个散射粒子，

所述散射部件包括：与所述第一无机发光元件重叠的第一散射区域、与所述第二无机发光元件重叠的第二散射区域、以及与所述第三无机发光元件重叠的第三散射区域，

所述第一散射区域的所述散射粒子的密度大于所述第二散射区域及所述第三散射区域的所述散射粒子的密度。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的显示装置，其中，

所述第一无机发光元件射出红色的光，

所述第二无机发光元件射出绿色的光，

所述第三无机发光元件射出蓝色的光。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的显示装置，其中，

所述显示装置具有：

开关元件，设置于所述基板上，并与多个所述无机发光元件各自对应地设置；以及

第二电极，设置于所述基板上，并将所述无机发光元件的阳极与所述开关元件电连接，

在从与所述基板垂直的方向观察时，所述第二电极具有比所述无机发光元件大的面积。