CN112136169A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

在设置于基底基板(10)上的TFT层(30a)中，依次层叠有第一金属膜、第一无机绝缘膜(15)、第二金属膜、第二无机绝缘膜(17)、第三金属膜、第一平坦化膜(19a)、第四金属膜及第二平坦化膜(21)，在边框区域(F)中，在第二平坦化膜(21)以包围显示区域的方式形成有狭缝(S)，在从狭缝(S)露出的第一平坦化膜(19a)上设置有由第四金属膜形成的第一导电层(20a)，在第一导电层(20a)的基底基板(10)侧以与第一导电层(20a)重叠的方式设置有驱动电路(C)的TFT(9)。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置。

背景技术

近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机EL(electroluminescence：电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置受到关注。此处，在有机EL显示装置中，期望设置有进行图像显示的显示区域和在该显示区域的周围的边框区域，并使边框区域缩小的窄边框化。

例如，在专利文献1中公开了一种透射型有机EL显示装置，其具备引出配线，该引出配线从显示区域引出到边框区域，由将显示区域的显示用电极与驱动用IC(integratedcircuit：集成电路)电连接的透明导电材料构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-34996号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，如果边框区域的引出配线由与配置在显示区域的显示用配线(例如，源极线)同一材料形成在同一层，则无法在配置有该引出配线的区域设置构成驱动电路的TFT(thin film transistor)，因此在边框区域，使引出配线与TFT在俯视观察时分离配置。这样，由于边框区域形成为宽度较宽，因此，难以实现窄边框化。

本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于，在边框区域单片地设置有驱动电路的显示装置中，实现窄边框化。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明的显示装置包括：基底基板；TFT层，其设置在上述底基板上，且依次层叠有第一金属膜、第一无机绝缘膜、第二金属膜、第二无机绝缘膜、第三金属膜、第一平坦化膜、第四金属膜及第二平坦化膜；发光元件，其设置在所述TFT层上，并构成显示区域；以及边框区域，其设置在所述显示区域的周围，所述发光元件具备：多个第一电极，其设置在所述第二平坦化膜上；多个发光元件层，其分别设置在各所述第一电极上；以及第二电极，其以在所述多个发光元件层上共用的方式设置，在所述边框区域中，在所述第二平坦化膜上以包围所述显示区域的方式形成有贯通所述第二平坦化膜的狭缝，在从所述狭缝露出的所述第一平坦化膜上，设置有由所述第四金属膜形成的第一导电层，在所述第一导电层的所述基底基板侧，以与所述第一导电层重叠的方式设置有构成驱动电路的TFT。

有益效果

根据本发明，在边框区域中，在第二平坦化膜上以包围显示区域的方式形成有狭缝，在从该狭缝露出的第一平坦化膜上设置有由第四金属膜形成的第一导电层，在第一导电层的基底基板侧设置有构成驱动电路的TFT，因此，在边框区域中单片地设置有驱动电路的显示装置中，能够实现窄边框化。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。

图2是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。

图3是沿图1中的III-III线的有机EL显示装置的显示区域的截面图。图4是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。

图5是表示构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。

图6是沿着图1中的VI—VI线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。

图7是沿着图1中的VII—VII线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。

图8是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的变形例的边框区域的截面图，是相当于图6的图。

图9是本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，是相当于图7的图。

图10是本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的边框区域所设置的多路分用器部的等效电路图。

具体实施方式

以下，基于附图详细地说明本发明的实施方式。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。

《第一实施方式》

图1～图8表示本发明的显示装置的第一实施方式。另外，在以下的各实施方式中，例示具备有机EL元件的有机EL显示装置作为具备发光元件的显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的俯视图。此外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图。此外，图3是沿着图1中的III一III线的有机EL显示装置50a的显示区域D的截面图。此外，图4是构成有机EL显示装置50a的TFT层30a的等效电路图。此外，图5是表示构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的截面图。此外，图6和图7是沿着图1中的VI—VI线和VII—VII线的有机EL显示装置50a的边框区域F的截面图。

如图1所示，有机EL显示装置50a例如具备设置成矩形状的进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。

在显示区域D，如图2所示，多个子像素P排列成矩阵状。此外，在显示区域D中，如图2所示，例如设置成，用于进行红色的显示的具有红色发光区域Lr的子像素P、用于进行绿色的显示的具有绿色发光区域Lg的子像素P以及用于进行蓝色的显示的具有蓝色发光区域Lb的子像素P相互相邻。另外，在显示区域D中，例如，通过具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg和蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。

在边框区域F的图1中下端部，端子部T以沿一个方向(图1中横向)延伸的方式设置。此外，在边框区域F中，如图1所示，在后述的第二平坦化膜21上，贯通第二平坦化膜21的狭缝S以包围显示区域D的方式形成为框状。此外，在边框区域F中，如图1所示，贯通第一平坦化膜19a及第二平坦化膜21的沟槽G呈大致C字状形成在狭缝S与显示区域D之间的后述的第一平坦化膜19a及第二平坦化膜21。在此，如图1所示，沟槽G在俯视观察下以端子部T侧开口的方式形成为大致C字状。

如图3所示，有机EL显示装置50a在显示区域D具备：作为基底基板设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30a、作为构成显示区域D的发光元件设置在TFT层30a上的有机EL元件35以及以覆盖有机EL元件35的方式设置的密封膜40a。

树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。

如图3所示，TFT层30a具备：设置在树脂基板层10上的底涂层膜11、设置在底涂层膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b(参照图4)、多个第三TFT9c以及多个电容器9d、以及依次设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b、各第三TFT9c以及各电容器9d上的第一平坦化膜19a及第二平坦化膜21。

在TFT层30a中，如图3所示，基底涂层膜11、半导体膜、栅极绝缘膜13、第一金属膜、第一层间绝缘膜15(第一无机绝缘膜)、第二金属膜、第二层间绝缘膜17(第二无机绝缘膜)、第三金属膜、第一平坦化膜19a、第四金属膜以及第二平坦化膜21依次层叠在树脂基板层10上。在此，上述半导体膜构成后述的半导体层12a等，上述第一金属膜构成后述的栅极线14d等，上述第二金属膜构成后述的上部导电层16等，上述第三金属膜构成后述的源极线18f等，上述第四金属膜构成后述的电源线20d等。另外，上述第三金属膜以及第四金属膜例如由钛膜、铝膜以及钛膜等的金属层叠膜形成，例如，具有比由钼膜等形成的上述第一金属膜以及第二金属膜更低的电阻。

如图2及图4所示，在TFT层30a中，以沿图中横向上相互平行地延伸的方式设置有多个栅极线14d。此外，在TFT层30a中，如图2和图4所示，以在图中横向上相互平行地延伸的方式设置有多个发光控制线14e。另外，如图2所示，各发光控制线14e以与各栅极线14d相邻的方式设置。此外，如图2和图4所示，在TFT层30a中，以在图中纵向上相互平行地延伸的方式设置有多个源极线18f。此外，在TFT层30a中，电源线20d(参照图1)呈格子状设置在第一平坦化膜19a和第二平坦化膜21之间。此外，在TFT层30a中，如图4所示，在各子像素P中，分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c以及电容器9d。在此，如图7所示，各源极线18f在边框区域F经由接触孔与栅极导电层14f电连接，该接触孔在狭缝S的外侧形成在第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜。

基底涂层膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。

如图4所示，第一TFT9a在各子像素P中与对应的栅极线14d、源极线18f及第二TFT9b电连接。此外，如图3所示，第一TFT9a具备依次设置在基底涂层膜11上的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极18a和漏极18b。在此，如图3所示，半导体层12a呈岛状设置在基底涂层膜11上，如后所述，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图3所示，栅极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14a的方式依次设置。此外，如图3所示，源极18a和漏极18b以相互分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图3所示，源极18a和漏极18b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔分别与半导体层12a的源极区域以及漏极区域电连接。另外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘膜的单层膜或者层叠膜构成。

如图4所示，第二TFT9b在各子像素P中与对应的第一TFT9a、电源线20d以及第三TFT9c电连接。另外，第二TFT9b具有与第一TFT9a和第三TFT9c实质上相同的结构。

如图4所示，第三TFT9c在各子像素P中与对应的第二TFT9b、电源线20d以及发光控制线14e电连接。此外，如图3所示，第三TFT9c具备依次设置在基底涂层膜11上的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及源极18c和漏极18d。此处，如图3所示，半导体层12b呈岛状地设置在基涂层膜11上，与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。此外，如图3所示，栅极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14b的方式依次设置。此外，如图3所示，源极18c和漏极18d以相互分离的方式设置在第二层间绝缘膜17上。此外，如图3所示，源极18c和漏极18d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔分别与半导体层12b的源极区域以及漏极区域电连接。

另外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c作为像素TFT，但第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c也可以是底栅型。

如图4所示，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT9a及电源线20d电连接。在此，如图3所示，电容器9d具备：下部导电层14c，其由与栅极14a等同一材料形成在同一层；第一层间绝缘膜15，以覆盖下部导电层14c的方式设置；以及上部导电层16，其以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上。另外，上部导电层16经由形成在第二层间绝缘膜17及第一平坦化膜19a的接触孔(未图示)与电源线20d电连接。

第一平坦化膜19a在显示区域D具有平坦的表面，例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。另外，在本实施方式中，例示了聚酰亚胺树脂制的第一平坦化膜19a，但第一平坦化膜19a也可以由丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂等有机树脂材料构成。

第二平坦化膜21在显示区域D具有平坦的表面，例如由聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。另外，在本实施方式中，例示了聚酰亚胺树脂制的第二平坦化膜21，但第二平坦化膜21也可以由丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂等有机树脂材料构成。

如图3所示，有机EL元件35具备依次设置在TFT层30a上的多个第一电极31、边缘罩32、多个有机EL层33以及第二电极34。

如图3所示，多个第一电极31以与多个子像素P对应的方式呈矩阵状作为阳极设置在第二平坦化膜21上。在此，如图3所示，第一电极31经由形成在第一平坦化膜19a的接触孔、由第四金属膜形成的第七导电层20e、以及形成在第二平坦化膜21的接触孔与各第三TFT9c的漏极18d电连接。此外，第一电极31具有向有机EL层33注入空穴(hole)的功能。此外，为了提高向有机EL层33的空穴注入效率，更优选第一电极31由功函数大的材料形成。在此，作为构成第一电极31的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极31的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO₂)等的合金。进一步地，构成第一电极31的材料例如也可以是氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的导电性氧化物等。此外，第一电极31也可以层叠多个由上述材料构成的层形成。另外，作为功函数大的化合物材料，例如可列举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。

如图3所示，边缘罩32以覆盖各第一电极31的周缘部的方式设置成格子状。在此，作为构成边缘罩32的材料，例如可列举聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂等有机膜。

如图3所示，多个有机EL层33配置在各第一电极31上，并且以与多个子像素P对应的方式作为发光元件层设置成矩阵状。在此，如图5所示，各有机EL层33包括依次设置在第一电极31上的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4及电子注入层5。

空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极31与有机EL层33之间的能级接近，并改善从第一电极31向有机EL层33注入空穴的效率的功能。此处，构成空穴注入层1的材料例如可列举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。

空穴输送层2具有提高从第一电极31向有机EL层33输送空穴的效率的功能。此处，构成空穴输送层2的材料例如可列举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。

发光层3是如下区域，该区域在利用第一电极31及第二电极34施加电压时，被分别从第一电极31及第二电极34注入空穴及电子，并且供空穴及电子再耦合。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，构成发光层3的材料例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。

电子输送层4具有使电子高效地移动至发光层3为止的功能。此处，构成电子输送层4的材料例如可列举作为有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。

电子注入层5具有使第二电极34与有机EL层33之间的能级接近，并提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，能够利用该功能来降低有机EL元件30的驱动电压。再者，电子注入层5也称为阴极缓冲层。此处，构成电子注入层5的材料例如可列举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF₂)、氟化钙(CaF₂)、氟化锶(SrF₂)、氟化钡(BaF₂)之类的无机碱化合物、氧化铝(Al₂O₃)、氧化锶(SrO)等。

第二电极34以在多个子像素P上共用的方式，即，如图3所示，以覆盖各有机EL层33和边缘罩32的方式作为阴极设置在多个有机EL层33上。另外，第二电极34具有向有机EL层33注入电子的功能。另外，为了提高对有机EL层33的电子注入效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO₂)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极34例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极34也可以是层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。

如图3所示，密封膜40a具备以覆盖第二电极34的方式设置且依次层叠在第二电极34上的第一无机膜36a、有机膜37及第二无机膜38a，具有保护有机EL元件35的有机EL层33不受水分、氧气影响的功能。

第一无机膜36a及第二无机膜38a例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜构成。

有机膜37例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机树脂材料构成。

此外，如图6以及图7所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中具备树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30a、设置在TFT层30a上的第二导电层31a、第二电极34、第一阻挡壁Wa以及第二阻挡壁Wb和以覆盖第二电极34、第一阻挡壁Wa以及第二阻挡壁Wb的方式设置的密封膜40a。

如图6所示，TFT层30a在边框区域F具备设置在第一平坦化膜19a及第二平坦化膜21之间的第一导电层20a、第三导电层20b及第五导电层20c。

如图6所示，第一导电层20a设置在从狭缝S露出的第一平坦化膜19a上，并由上述第四金属膜形成。此外，如图1所示，第一导电层20a构成为，呈大致C字状设置在沟槽G的外侧(与显示区域D相反的一侧)，且其两端部到达端子部T，并通过端子部T输入低电源电压(第一电源电压)。在此，如图6所示，在第一导电层20a的树脂基板层10侧，以与第一导电层20a重叠的方式设置有驱动电路用TFT9，该驱动电路用TFT9构成例如栅极驱动器电路、发光控制电路等驱动电路C。此外，如图6所示，第一导电层20a经由第二导电层31a与第二电极34电连接，该第二导电层31a由于第一电极31相同的材料形成在同一层。另外，构成驱动电路C的驱动电路用TFT9具有与作为像素TFT而设置的第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c实质上相同的结构。此外，如图6所示，沟槽G具备形成在第一平坦化膜19a的沟槽下部Ga和形成在第二平坦化膜21的沟槽上部Gb。

如图6所示，第三导电层20b设置在沟槽下部Ga的内部，由上述第四金属膜形成。在此，如图6所示，在沟槽下部Ga及沟槽上部Gb的内部，第二导电层31a以层叠在第三导电层20b的方式设置，在沟槽G的内部，第二导电层31a与第二电极34电连接。另外，如图6所示，在沟槽G的底部设置有由上述第三金属膜形成的第四导电层18h。

如图6所示，第五导电层20c设置在第一平坦化膜19a上，并由上述第四金属膜形成。此外，如图1所示，第五导电层20c呈框状设置在沟槽G的内侧(显示区域D侧)。此外，如图1及图7所示，在未形成沟槽G的边框区域F的部分，第五导电层20c设置在从狭缝S露出的第一平坦化膜19a上，并配置在狭缝S的底部。此外，第5导电层20c构成为，配置在狭缝S的底部的部分的两端部到达端子部T，并通过端子部T输入高电压(第二电源电压)。在此，呈格子状设置在显示区域D的电源线20d的各端部与第5导电层20c电连接。即，电源线20d从第五导电层20c分支，在显示区域D延伸并呈格子状设置。另外，如图6所示，在沟槽G的内侧(图中左侧、显示区域D侧)设置有例如构成栅极驱动器电路等驱动电路C的驱动电路用TFT9。此外，如图6所示，在沟槽G的外侧(图中右侧、显示区域D的相反侧)，例如设置有构成发光控制电路等驱动电路C的驱动电路用TFT9。

如图6及图7所示，第一阻挡壁Wa构成为，在狭缝S的内部呈框状设置在显示区域D侧，并抑制密封膜40a的有机膜37的扩展的方式。在此，如图6及图7所示，第一阻挡壁Wa由第一树脂层32a构成，该第一树脂层32a由与边缘罩32同一材料形成在同一层。

如图6及图7所示，第二阻挡壁Wb构成为，在狭缝S的外缘部以包围第一阻挡壁Wa的方式呈框状设置，并抑制密封膜40a的有机膜37的扩展。在此，如图6及图7所示，第二阻挡壁Wb由第二树脂层32b构成，该第二树脂层32b由与第二平坦化膜21、以及设置在第二平坦化膜21上且与边缘罩32由同一材料形成的。

如图6及图7所示，构成密封膜40a的有机膜37在边框区域F中，经由第一无机膜36a设置至第一阻挡壁Wa的顶部。另外，在本实施方式中，例示了有机膜37被第一阻挡壁Wa的显示区域D侧的侧面阻挡的构成，但有机膜37例如也可以到达第二阻挡壁Wb的上表面。此外，如图6及图7所示，构成密封膜40a并在边框区域F层叠的第一无机膜36a及第二无机膜38a的层叠膜在第二阻挡壁Wb的外侧与第二层间绝缘膜17接触，并与构成TFT层30a的无机绝缘膜的至少一个接触。即，在本实施方式中，例示了第一无机膜36a及第二无机膜38a的层叠膜在第二阻挡壁Wb的外侧与第二层间绝缘膜17接触的构成，但第一无机膜36a及第二无机膜38a的层叠膜也可以在第二阻挡壁Wb的外侧与构成TFT层30a的无机绝缘膜即基底涂层膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17中的至少一个接触。

另外，在本实施方式中，例示了在第二平坦化膜21设置有狭缝S的有机EL显示装置50a，但是，如图8所示，也可以是狭缝S在第二平坦化膜21的下层的第一平坦化膜19b延伸设置的有机EL显示装置50b。在此，图8是有机EL显示装置50a的变形例即有机EL显示装置50b的边框区域F的截面图，是相当于图6的图。

具体而言，在构成有机EL显示装置50b的TFT层30b中，如图8所示，形成在第二平坦化膜21的狭缝S以在第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb之间(相当于有机EL显示装置50a的第一平坦化膜19a)贯通第一平坦化膜19b的方式延伸设置。在此，如图8所示，在第一阻挡壁Wa与第二阻挡壁Wb之间设置有由所述第三金属膜形成的第六导电层18i，(相当于有机EL显示装置50a的第一导电层20a)第一导电层20ab经由狭缝S的延伸设置部分与第六导电层18i电连接。另外，如图8所示，第一导电层20ab与(相当于有机EL显示装置50a的第二导电层31a)第二导电层31ab电连接。此外，在第一阻挡壁Wa的显示区域D侧，在第一导电层20ab的树脂基板层10侧，如图8所示，以与第一导电层20ab重叠的方式设置有构成例如栅极驱动器电路、发光控制电路等驱动电路C的驱动电路用TFT9。并且，根据有机EL显示装置50b，由于狭缝S，第一平坦化膜19b在狭缝的内侧以及外侧分离，因此能够抑制有机EL层33的劣化，能够提高有机EL显示装置50b的可靠性。此外，如图8所示，有机EL显示装置50b的密封膜40b具备：以覆盖第二电极34的方式设置，依次层叠在第二电极34上的(相当于有机EL显示装置50a的第一无机膜36a)第一无机膜36b、有机膜37以及第二无机膜38b，并具备保护有机EL元件35的有机EL层33免受水分、氧气影响的功能。

在上述的有机EL显示装置50a中，在各子像素P中，经由栅极线14d向第一TFT9a输入栅极信号，由此，第一TFT9a成为导通状态，经由源极线18f向第二TFT9b的栅极14b和电容器9d写入与源极信号对应的规定电压，经由发光控制线14e向第三TFT9c输入发光控制信号时，第三TFT9c成为导通状态，与第二TFT9b的栅极电压对应的电流从电源线20d供给到有机EL层33，由此，有机EL层33的发光层3发光，并进行图像显示。另外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a成为截止状态，第二TFT9b的栅极电压也由电容器9d保持，因此，发光层3的发光被各子像素P维持，直到输入下一帧的栅极信号为止。

接着，对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明。另外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件形成工序以及密封膜形成工序。

<TFT层形成工序＞

例如，使用公知的方法在在玻璃基板上所形成的树脂基板层10的表面形成基底涂层膜11、第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c、电容器9d以及驱动电路用TFT9、第一平坦化膜19a以及第二平坦化膜21，从而形成TFT层30a。

在此，在TFT层形成工序中，在显示区域D形成源极线18f等时，在边框区域F形成第四导电层18h。然后，使用公知的方法形成第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c、电容器9d以及驱动电路用TFT9后，例如涂布感光性的聚酰亚胺树脂等，将该涂布膜图案化，形成具有接触孔以及沟槽下部Ga的第一平坦化膜19a。接着，在第一平坦化膜19a上形成由钛膜、铝膜以及钛膜构成的第四金属膜之后，对该第四金属膜进行图案化，形成第一导电层20a、第三导电层20b、第五导电层20c、电源线20d以及第七导电层20e。进一步地，以覆盖第一导电层20a、第三导电层20b、第五导电层20c、电源线20d以及第七导电层20e的方式涂布例如感光性的聚酰亚胺树脂等，并将该涂布膜图案化，形成具有接触孔、狭缝S以及沟槽上部Gb的第二平坦化膜21。

<有机EL元件形成工序>

在上述TFT层形成工序中形成的TFT层30a的第二平坦化膜21上使用公知的方法形成第一电极31、边缘罩32、有机EL层33(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极34，形成有机EL元件35。在此，在有机EL元件形成工序中，在显示区域D形成第一电极31时，在边框区域F形成第二导电层31a。

<密封膜形成工序>

首先，在上述有机EL元件形成工序中形成有有机EL元件35的基板表面上，使用掩模，并通过等离子体CVD法将例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜成膜为厚度1000nm左右，形成第一无机膜36a。

接着，例如通过喷墨法，在形成有第一无机膜36a的基板表面上将丙烯酸树脂等有机树脂材料成膜为厚度10μm左右，形成有机膜37。

进一步地，对于形成有有机膜37的基板，使用掩模，通过等离子体CVD法将例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜成膜厚度为500nm左右，形成第二无机膜38a，从而形成密封膜40a。

最后，在形成有密封膜40a的基板表面粘贴保护片(未图示)后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，从树脂基板层10的下表面剥离玻璃基板，进一步地，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面粘贴保护片(未图示)。

如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。

如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在边框区域F，在第二平坦化膜21，以包围显示区域D的方式呈框状地形成有狭缝S，在从狭缝S露出的第一平坦化膜19a上设置有由第四金属膜形成的第一导电层20a，在第一导电层20a的树脂基板层10侧设置有构成驱动电路C的驱动电路用TFT9，因此，在边框区域F单片地设置有驱动电路C的有机EL显示装置50a，能够实现窄边框化。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，第二电极34与经由第二导电层31a输入低电源电压(第一电源电压)的第一导电层20a电连接，因此，能够降低第二电极34的电阻，能够抑制显示区域D中的亮度不均的发生。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，输入高电源电压(第二电源电压)的电源线20d通过第四金属膜设置为格子状，因此，能够降低电源线20d的电阻，能够抑制显示区域D中的亮度不均的发生。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在沟槽G的内部(以及底部)设置有第三导电层20b及第四导电层18h，因此，能够可靠地进行沟槽G中的第二电极34与第二导电层31a的电连接。由此，能够经由第二导电层31a向第二电极34a可靠地输入低电源电压(第一电源电压)。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，构成密封膜40a并在边框区域F层叠的第一无机膜36a及第二无机膜38a的层叠膜在第二阻挡壁Wb的外侧与第二层间绝缘膜17接触。由此，由树脂材料构成的第一平坦化膜19a及第二平坦化膜21不露出，因此能够抑制有机EL层33的劣化，并能够提高有机EL显示装置50a的可靠性。

《第二实施方式》

图9以及图10表示本发明的显示装置的第二实施方式。在此，图9是本实施方式的有机EL显示装置50c的边框区域F的截面图，是相当于图7的图。此外，图10是设置在有机EL显示装置50c的边框区域F的多路分用器部100的等效电路图。此外，在以下的各实施方式中，对与图1～图8相同的部分标注相同的附图标记，省略其详细的说明。

在上述第一实施方式中，例示了在第五导电层20c的沿端子部T的部分的下侧配置有源极线18f的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示在第五导电层20c的沿端子部T的部分的下侧设置有第一驱动电路用TFT9sa～第三驱动电路用TFT9sc的有机EL显示装置50c。

有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，包括显示区域D和设置在显示区域D周围的边框区域F。

有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在显示区域D中具备：树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30c、设置在TFT层30c上的有机EL元件35、和以覆盖有机EL元件35的方式设置密封膜40a。

如图9所示，有机EL显示装置50c在边框区域F中具备树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30c、设置在TFT层30c上的第二导电层31a、第二电极34、第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb和以覆盖第二电极34、第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb的方式设置的密封膜40a。

TFT层30c的显示区域D的结构与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的TFT层30a的显示区域D的结构实质上相同。

如图9所示，TFT层30c的边框区域F的结构除了以沿未形成有沟槽G的端子部T的边框区域F的部分中的第五导电层20c的树脂基板层10侧与第五导电层20c重叠的方式设置有构成多路分配器电路Cs的第一驱动电路用TFT9sa～第三驱动电路用TFT9sc这一点以外，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的TFT层30a的边框区域F的结构实质上相同。在此，构成TFT层30c的第一平坦化膜19c与构成上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的TFT层30a的第一平坦化膜19a实质上相同。另外，在图9的截面图中，为了附图的简略化而省略了第二驱动电路用TFT9sb。

多路分配器电路Cs具有将一个信号作为输入而接收，分割为多个信号并输出的功能，如图10所示，按每个数据线101作为源极线驱动电路设置而构成多路分用部100。此外，如图10所示，多路分配器电路Cs具备：第一驱动电路用TFT9sa，其在第一开关信号线102a电连接有栅极；第二驱动电路用TFT9sb，其在第二开关信号线102b电连接有栅极；以及第三驱动电路用TFT9sc，其在第三开关信号线102c电连接有栅极。

第一驱动电路用TFT9sa～第三驱动电路用TFT9sc与驱动电路用TFT9同样地，具有与作为像素TFT设置的第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c实质上相同的结构。在此，如图10所示，第一驱动电路用TFT9sa的源极与分支成各数据线101的三个中的一个(图10左侧)电连接，第一驱动电路用TFT9sa的的漏极与用于进行红色的显示的源极线18fr电连接。此外，如图10所示，第二驱动电路用TFT9sb的源极与分支成各数据线101的三个中的一个(图10中央侧)电连接，第二驱动电路用TFT9sb的漏极与用于进行绿色显示的源极线18fg电连接。此外，如图10所示，第三驱动电路用TFT9sc的源极与分支成各数据线101的三个中的一个(图10右侧)电连接，第三驱动电路用TFT9sc的漏极电与用于进行蓝色的显示的源极线18fb电连接。

上述的多路分配器电路Cs构成为，通过从第一开关信号线102a～第三开关信号线102c输入的开关信号来对第一驱动电路用TFT9sa～第三驱动电路用TFT9sc进行导通截止控制，从而将从各数据线101输入的数据信号分配并输出到源极线18fr、18fg及18fb。此外，在本实施方式中，例示了将一个信号分配为三个的多路分配器电路Cs，但多路分配器电路Cs也可以是将一个信号分配为两个的构成。

上述有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地具有可挠性，并构成为在各子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b和第三TFT9c使有机EL层33的发光层3适当发光，从而进行图像显示。

本实施方式的有机EL显示装置50c能够通过在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置50a的制造方法中，在形成驱动电路用TFT9时，也通过形成第一驱动电路用TFT9sa～第三驱动电路用TFT9sc来制造。

如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在边框区域F，在第二平坦化膜21，以包围显示区域D的方式呈框状地形成有狭缝S，在从狭缝S露出的第一平坦化膜19c上设置有由第四金属膜形成的第一导电层20a，在第一导电层20a的树脂基板层10侧设置有构成驱动电路C的驱动电路用TFT9，因此，在边框区域F单片地设置有驱动电路C的有机EL显示装置50c，能够实现窄边框化。

此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在沿着未形成有沟槽G的端子部T的边框区域F的部分中的第五导电层20c的树脂基板层10侧，以与第五导电层20c重叠的方式设置有构成多路分配器电路Cs的第一驱动电路用TFT9sa～第三驱动电路用TFT9sc，因此，在边框区域F中单片地设置有多路分配器电路Cs的有机EL显示装置50c中，能够实现窄边框化。

《其他实施方式》

在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的五层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的三层层叠结构。

另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极、将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也能应用于将有机EL层的层叠构成反转、将第一电极作为阴极、将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。

另外，在上述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极的有机EL显示装置，但本发明也能应用于将连接于第一电极的TFT的电极称为源极的有机EL显示装置。

此外，在上述各实施方式中，以有机EL显示装置作为显示装置为例进行了说明，但是本发明可以适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，能够应用于具备使用了含有量子点含有层的发光元件即QLED(Quantum-dot lightemitting diode：正交发光二极管)的显示装置。

产业上的可利用性

如上所述，本发明对柔性显示装置是有用的。

附图标记说明

C：驱动电路

Cs：多路分配器电路(源极线驱动电路)

D：显示区域

F：边框区域

G：沟槽

S：狭缝

T：端子部

Wa：第一阻挡壁

Wb：第二阻挡壁

9：驱动电路用TFT

9c：第三TFT(像素TFT)

9sa：第一驱动电路用TFT

9sb：第二驱动电路用TFT

9sc：第三驱动电路用TFT

10：树脂基板层(基底基板)

11：基底涂层膜

13：栅极绝缘膜

14a、14b：栅极

15：第一层间绝缘膜(第一无机绝缘膜)

17：第二层间绝缘膜(第二无机绝缘膜)

18a、18c：源极

18b、18d：漏极

18h：第四导电层

18i：第六导电层

19a～19c：第一平坦化膜

20a：第一导电层

20b：第三导电层

20c：第五导电层

20d电源线

20e：第七导电层

21：第二平坦化膜

30a～30c：TFT层

31：第一电极

31a：第二导电层

33：有机EL层(发光元件层)

34：第二电极

35：有机EL元件(发光元件)

36：第一无机膜

37：有机膜

38：第二无机膜

40a、40b：密封膜

50a～50c：有机EL显示装置

Claims (19)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底基板；

TFT层，其设置在上述底基板上，且依次层叠有第一金属膜、第一无机绝缘膜、第二金属膜、第二无机绝缘膜、第三金属膜、第一平坦化膜、第四金属膜及第二平坦化膜；

发光元件，其设置在所述TFT层上，并构成显示区域；以及

边框区域，其设置在所述显示区域的周围，所述显示装置的特征在于，

所述发光元件具备：

多个第一电极，其设置在所述第二平坦化膜上；

多个发光元件层，其分别设置在各所述第一电极上；以及

第二电极，其以在所述多个发光元件层上共用的方式设置，

在所述边框区域中，在所述第二平坦化膜上以包围所述显示区域的方式形成有贯通所述第二平坦化膜的狭缝，

在从所述狭缝露出的所述第一平坦化膜上，设置有由所述第四金属膜形成的第一导电层，

在所述第一导电层的所述基底基板侧，以与所述第一导电层重叠的方式设置有构成驱动电路的TFT。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述狭缝形成为框状。

3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，

所述第一导电层经由第二导电层与所述第二电极电连接，所述第二导电层由与所述第一电极同一材料形成在同一层。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述第一导电层构成为输入第一电源电压。

5.根据权利要求3或4所述的显示装置，其特征在于，

所述驱动电路是栅极驱动器电路和发光控制电路中的至少一方。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，

在所述边框区域中，在所述第一平坦化膜及所述第二平坦化膜上形成有贯通所述第一平坦化膜及所述第二平坦化膜的沟槽，

在所述槽的内部依次层叠有由所述第四金属膜形成的第三导电层和所述第二导电层，所述第二导电层与所述第二电极电连接。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，

在所述沟道的底部设置有由所述第三金属膜形成的第四导电层。

8.根据权利要求6或7所述的显示装置，其特征在于，

在所述沟槽的显示区域侧呈框状设置有由所述第四金属膜形成的第五导电层，

在所述显示区域设置有由所述第四金属膜形成的电源线，

所述电源线与输入第二电源电压的所述第五导电层电连接。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

所述电源线呈格子状设置在所述显示区域。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

所述电源线从所述第五导电层分支并延伸到所述显示区域。

11.根据权利要求8～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，

在所述边框区域的端部设置有端子部，所述端子部以在一个方向上延伸的方式构成，

所述第五导电层在沿着所述端子部的所述边框区域的部分设置在从所述狭缝露出的所述第一平坦化膜上，

在沿所述端子部的所述边框区域的部分中的所述第五导电层的所述基底基板侧，以与所述第五导电层重叠的方式设置有构成源极线驱动电路的TFT。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，

所述源极线驱动电路是多路分配器电路。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置包括密封膜，其以覆盖所述发光元件的方式设置，并依次层积有第一无机膜、有机膜及第二无机膜，

在所述狭缝的内部呈框状地设置有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁用于抑制所述有机膜的扩散，

在所述狭缝的外缘部呈框状地设置有第二阻挡壁，所述第二阻挡壁以包围所述第一阻挡壁的方式构成，

所述第一无机膜及第二无机膜的层叠膜在所述第二阻挡壁的外侧与包括构成所述TFT层的所述第一无机绝缘膜及第二无机绝缘膜的无机绝缘膜中的至少一个接触。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，

所述狭缝以在所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁之间贯通所述第一平坦化膜的方式延伸设置，

在所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁之间设置有由所述第三金属膜形成的第六导电层，

所述第一导电层经由所述狭缝的延设部分与所述第六导电层电连接。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT设置在所述第一阻挡壁的所述显示区域侧。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT具备由所述第一金属膜形成的栅极和由所述第三金属膜形成的源极及漏极。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述第三金属膜以及所述第四金属膜具有比所述第一金属膜以及所述第二金属膜低的电阻。

18.根据权利要求1～17中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT层具备设置在所述显示区域并分别具有漏极以及源极的多个像素TFT，

所述第一电极经由第七导电层与所述多个像素TFT中的对应的像素TFT的漏极或源极电连接，所述第七导电层由所述第四金属膜形成。

19.根据权利要求1～18中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述发光元件是有机EL元件。

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