CN111979527A - 一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，包括壳体，所述壳体上开设有反应室，所述反应室内固定设置有固定块，所述固定块呈L型设置，所述固定块的横板紧贴反应室的一侧侧壁设置，且所述固定块的纵板上设有与之对应的固定机构，所述固定块的横板内设有液体腔，所述壳体的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口，两个所述输液口均贯穿壳体和固定块的侧壁与液体腔连通设置，所述固定块的侧壁上还固定设置有抽真空机，所述抽真空机的输出端固定设置有两根抽气管。本发明能够在反应过程中自动的循环进行抽真空和通入气体交替操作，保证了反应的真空环境的同时稳定反应时的气压，提高了半导体制备的成品率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺。
背景技术
在真空状态下制备半导体材料需要将不同反应气体分别送入反应室，在送入反应室之前不同反应气体必须分层隔离且需要冷却，在将不同气体送入反应室后，又要求反应气体在衬底表面充分均匀混合，因而一般都采用喷雾器装置进行送气。
但是，在现有技术中，在对半导体材料的制备过程中，常常由于持续的通入气体导致反应室内气压过高，但在对反应室降压的过程中常常会破坏反应室内的真空环境，大大降低了半导体制备的成品率，为此，我们提出了一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，如：传统半导体制备过程中常常会由于持续通入气体导致压强较大，在降压的过程中难以保证反应的真空环境，而提出的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，包括壳体，所述壳体上开设有反应室，所述反应室内固定设置有固定块，所述固定块呈L型设置，所述固定块的横板紧贴反应室的一侧侧壁设置，且所述固定块的纵板上设有与之对应的固定机构，所述固定块的横板内设有液体腔，所述壳体的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口，两个所述输液口均贯穿壳体和固定块的侧壁与液体腔连通设置，所述固定块的侧壁上还固定设置有抽真空机，所述抽真空机的输出端固定设置有两根抽气管，两个所述抽气管均贯穿固定块的横板和液体腔设置，所述固定块的横板上还固定设置有两根进气管，两根所述进气管均贯穿固定块的横板和液体腔设置，所述固定块的纵板上设有与进气管和抽气管对应的开关控制机构，所述反应室的下壁上还设置有衬底，所述衬底固定设置在的固定块横板的下侧，且所述衬底的侧壁均与固定块的纵板侧壁和反应室的侧壁紧贴设置。
优选地，所述固定机构包括两块卡板，所述固定块的纵板下壁上固定设置有插板，所述反应室的下壁上开设有与插板对应的插槽，所述插槽的侧壁上对称开设有两个伸缩槽，两个所述卡板分别滑动设置在两个伸缩槽内，且两个所述卡板均通过伸缩弹簧与伸缩槽的内壁相连接，所述插板靠近卡板的两侧侧壁上均开设有与卡板对应的卡槽，两个所述卡板上还均固定设置有拨杆.两个所述拨杆均滑动贯穿壳体的侧壁设置，所述壳体的侧壁上对称开设有两个与拨杆对应的条形滑口。
优选地，所述开关控制机构包括滑板，所述滑板滑动设置在固定块的纵板上，且所述滑板的侧壁均紧贴反应室的侧壁设置，两个所述进气管和两个抽气管均滑动贯穿滑板设置，两个所述进气管和两个抽气管内均滑动设置有两块挡板，若干所述挡板两两一组分别滑动设置在进气管的下侧和抽气管的上侧，两个所述进气管和两个抽气管的内壁上均对称开设有两个与挡板对应的收纳槽，每个所述挡板分别滑动设置在收纳槽内，且每个所述挡板均通过第二弹簧与收纳槽的内壁相连接，每个所述挡板靠近第二弹簧的一侧侧壁上均固定设置有拉绳，若干所述拉绳均滑动贯穿抽气管和进气管的侧壁设置，两个所述进气管和两个抽气管的侧壁上均对称滑动设置有滑块，每个所述拉绳远离挡板的一端均固定设置在滑块上，每个所述进气管和抽气管内均设有与挡板对应的限制机构。
优选地，所述限制机构包括若干滑杆，每个所述抽气管和进气管内均对称开设有两个滑槽，若干所述滑杆滑动设置在滑槽内，每个所述滑杆均通过第一弹簧与滑槽的一端内壁相连接，且每个所述滑槽均与收纳槽连通设置，若干所述挡板靠近滑杆的一侧侧壁上均开设有与滑杆对应的卡口，若干所述滑杆靠近挡板的一端侧壁均呈倾斜设置，且若干所述滑杆远离挡板的一端侧壁上均固定设置有推杆，若干所述推杆均贯穿进气管和抽气管的侧壁设置，两个所述进气管和两个抽气管的侧壁上均对称开设有两个与推杆对应的滑口。
优选地，所述进气管和抽气管的外壁上均固定套设有密封套。
一种半导体材料的制备工艺，包括以下步骤：
S1，首先，拨动拨杆带动卡板收入伸缩槽内，将插板插入反应室的下壁上的插槽内后，松开拨杆，使得卡板卡入插板上的卡槽内，即可完成对固定块安装和固定。
S2，开启抽真空机，通过输液口向液体腔内输送冷却液，再通过两个进气管向衬底上喷出两种气体进行反应，即可开始对半导体材料的制备。
S3，装置开启时，进气管内的挡板处于闭合状态，抽气管内的挡板处于打开状态，此时对衬底上方的空间进行抽真空操作，此时滑板下移，当滑板移动至进气管和抽气管的下侧时，抽真空完成，此时滑板推动两个进气管侧壁上的滑块下移从而带动拉绳拉动进气管内的挡板打开，使得滑杆卡入挡板上的卡口，从而打开进气管，同时，滑板推动抽气管侧壁上的推杆下移从而带动抽气管内的滑杆下移从而将滑杆从挡板上的卡口内滑出，从而解除对挡板的限制，在第二弹簧的作用下，抽气管内的挡板闭合，从而关闭抽气管，此时开始通过两个进气管向衬底上喷出经过冷却的两种气体进行反应从而制备半导体。
S4，在进气管喷气进行制备半导体的过程中，由于衬底上侧的气体增多，从而推动滑板上移，在滑板上移至进气管和抽气管的上侧后，滑板推动进气管上侧的推杆带动进气管内的滑杆上移，从而解除进气管内挡板的限制，在第二弹簧的作用下闭合挡板，完成对进气管的关闭，同时，滑板带动抽气管侧壁上的滑块上移，从而拉动拉绳带动抽气管内的挡板打开，从而停止进气进行反应，开始抽气。
S5，抽气开始，降低压强，保证反应过程中的真空环境，再次带动滑板下移，依次开启进气管，关闭抽气管，进行半导体材料的制备，关闭进气管，开启抽气管，进行抽气，循环进行，降压的同时保证真空的反应环境，从而完成对半导体材料的制备。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过卡板与卡槽的配合，实现将插板固定在插槽内，通过设置拨杆，实现了拨动拨杆带动卡板滑出卡槽，从而解除对插板的固定，方便固定块的快速拆卸，获取半导体材料，通过输液口与液体腔的配合，实现了通过输液口输送液体持续的为输入的反应气体进行冷却，提高了半导体材料的制备效果，通过滑杆与挡板的配合，实现了滑板推动滑块时，拉绳带动挡板打开，从而使得滑杆卡入挡板上的卡口，实现对挡板的固定，再当滑板推动推杆时，带动滑杆滑出挡板上的卡口，使得挡板在第二弹簧的作用下复位闭合，即通过滑板、滑块和推杆的配合，实现了进气达到一定时，滑板上移分别推动进气管上的推杆和抽气管上的滑块，从而关闭进气管打开抽气管，从而完成降压并保证了真空的环境，当抽气完成后，滑板下移推动进气管上的滑块和抽气管上的推杆，从而打开进气管关闭抽气管重新进行反应，自动循环交替进行，在保证真空环境的同时维持压强，保证了半导体制备的成品率。
附图说明
图1为本发明提出的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺的结构示意图；
图2为本发明提出的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺的侧面结构示意图；
图3为图2中A处的结构示意图；
图4为进气管内的结构示意图；
图5为抽气管内的结构示意图；
图6为图4中B处的结构示意图。
图中：1壳体、2反应室、3固定块、4插板、5输液口、6抽真空机、7抽气管、8进气管、9液体腔、10滑板、11衬底、12拨杆、 13插槽、14卡板、15伸缩槽、16伸缩弹簧、17卡槽、18滑槽、19 滑杆、20挡板、21第一弹簧、22推杆、23收纳槽、24第二弹簧、25拉绳、26滑块。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1-6，一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，包括壳体1，壳体1上开设有反应室2，反应室2内固定设置有固定块3，固定块3呈L型设置，固定块3的横板紧贴反应室2的一侧侧壁设置，且固定块3的纵板上设有与之对应的固定机构，固定机构包括两块卡板14，固定块3的纵板下壁上固定设置有插板4，反应室2的下壁上开设有与插板4对应的插槽13，插槽13的侧壁上对称开设有两个伸缩槽15，两个卡板14分别滑动设置在两个伸缩槽15内，且两个卡板14均通过伸缩弹簧16与伸缩槽15的内壁相连接，插板4靠近卡板14的两侧侧壁上均开设有与卡板14对应的卡槽17，两个卡板14 上还均固定设置有拨杆12.两个拨杆12均滑动贯穿壳体1的侧壁设置，壳体1的侧壁上对称开设有两个与拨杆12对应的条形滑口，固定块3的横板内设有液体腔9，壳体1的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口5，两个输液口5均贯穿壳体1和固定块3的侧壁与液体腔9连通设置，固定块3的侧壁上还固定设置有抽真空机6，抽真空机6的输出端固定设置有两根抽气管7，两个抽气管7均贯穿固定块 3的横板和液体腔9设置，固定块3的横板上还固定设置有两根进气管8，两根进气管8均贯穿固定块3的横板和液体腔9设置，固定块 3的纵板上设有与进气管8和抽气管7对应的开关控制机构，开关控制机构包括滑板10，滑板10滑动设置在固定块3的纵板上，且滑板 10的侧壁均紧贴反应室2的侧壁设置，两个进气管8和两个抽气管7 均滑动贯穿滑板10设置，进气管8和抽气管7的外壁上均固定套设有密封套，通过设置密封套，避免了滑板10与进气管8和抽气管7 之间的缝隙出现漏气的问题，保证了滑板10能够在气压的作用下上下滑动，两个进气管8和两个抽气管7内均滑动设置有两块挡板20，若干挡板20两两一组分别滑动设置在进气管8的下侧和抽气管7的上侧，两个进气管8和两个抽气管7的内壁上均对称开设有两个与挡板20对应的收纳槽23，每个挡板20分别滑动设置在收纳槽23内，且每个挡板20均通过第二弹簧24与收纳槽23的内壁相连接，每个挡板20靠近第二弹簧24的一侧侧壁上均固定设置有拉绳25，若干拉绳25均滑动贯穿抽气管7和进气管8的侧壁设置，两个进气管8 和两个抽气管7的侧壁上均对称滑动设置有滑块26，每个拉绳25远离挡板20的一端均固定设置在滑块26上，每个进气管8和抽气管7 内均设有与挡板20对应的限制机构，限制机构包括若干滑杆19，每个抽气管7和进气管8内均对称开设有两个滑槽18，若干滑杆19滑动设置在滑槽18内，每个滑杆19均通过第一弹簧21与滑槽18的一端内壁相连接，且每个滑槽18均与收纳槽23连通设置，若干挡板 20靠近滑杆19的一侧侧壁上均开设有与滑杆19对应的卡口，若干滑杆19靠近挡板20的一端侧壁均呈倾斜设置，且若干滑杆19远离挡板20的一端侧壁上均固定设置有推杆22，若干推杆22均贯穿进气管8和抽气管7的侧壁设置，两个进气管8和两个抽气管7的侧壁上均对称开设有两个与推杆22对应的滑口，反应室2的下壁上还设置有衬底11，衬底11固定设置在的固定块3横板的下侧，且衬底11 的侧壁均与固定块3的纵板侧壁和反应室2的侧壁紧贴设置，通过卡板14与卡槽17的配合，实现将插板4固定在插槽13内，通过设置拨杆12，实现了拨动拨杆12带动卡板14滑出卡槽17，从而解除对插板4的固定，方便固定块3的快速拆卸，获取半导体材料，通过输液口5与液体腔9的配合，实现了通过输液口5输送液体持续的为输入的反应气体进行冷却，提高了半导体材料的制备效果，通过滑杆 19与挡板20的配合，实现了滑板10推动滑块26时，拉绳25带动挡板20打开，从而使得滑杆19卡入挡板20上的卡口，实现对挡板 20的固定，再当滑板10推动推杆22时，带动滑杆19滑出挡板20上的卡口，使得挡板20在第二弹簧24的作用下复位闭合，即通过滑板10、滑块26和推杆22的配合，实现了进气达到一定时，滑板10 上移分别推动进气管8上的推杆22和抽气管7上的滑块26，从而关闭进气管8打开抽气管7，从而完成降压并保证了真空的环境，当抽气完成后，滑板10下移推动进气管8上的滑块26和抽气管7上的推杆22，从而打开进气管8关闭抽气管7重新进行反应，自动循环交替进行，在保证真空环境的同时维持压强，保证了半导体制备的成品率。
一种半导体材料的制备工艺，包括以下步骤：
S1，首先，拨动拨杆12带动卡板14收入伸缩槽15内，将插板 4插入反应室2的下壁上的插槽13内后，松开拨杆12，使得卡板14 卡入插板4上的卡槽17内，即可完成对固定块3安装和固定。
S2，开启抽真空机6，通过输液口5向液体腔9内输送冷却液，再通过两个进气管8向衬底11上喷出两种气体进行反应，即可开始对半导体材料的制备。
S3，装置开启时，进气管8内的挡板20处于闭合状态，抽气管 7内的挡板20处于打开状态，此时对衬底11上方的空间进行抽真空操作，此时滑板10下移，当滑板10移动至进气管8和抽气管7的下侧时，抽真空完成，此时滑板10推动两个进气管8侧壁上的滑块26 下移从而带动拉绳25拉动进气管8内的挡板20打开，使得滑杆19 卡入挡板20上的卡口，从而打开进气管8，同时，滑板10推动抽气管7侧壁上的推杆22下移从而带动抽气管7内的滑杆19下移从而将滑杆19从挡板20上的卡口内滑出，从而解除对挡板20的限制，在第二弹簧24的作用下，抽气管7内的挡板20闭合，从而关闭抽气管 7，此时开始通过两个进气管8向衬底11上喷出经过冷却的两种气体进行反应从而制备半导体。
S4，在进气管8喷气进行制备半导体的过程中，由于衬底11上侧的气体增多，从而推动滑板10上移，在滑板10上移至进气管8和抽气管7的上侧后，滑板10推动进气管8上侧的推杆22带动进气管 8内的滑杆19上移，从而解除进气管8内挡板20的限制，在第二弹簧24的作用下闭合挡板20，完成对进气管8的关闭，同时，滑板10 带动抽气管7侧壁上的滑块26上移，从而拉动拉绳25带动抽气管7 内的挡板20打开，从而停止进气进行反应，开始抽气。
S5，抽气开始，降低压强，保证反应过程中的真空环境，再次带动滑板10下移，依次开启进气管8，关闭抽气管7，进行半导体材料的制备，关闭进气管8，开启抽气管7，进行抽气，循环进行，降压的同时保证真空的反应环境，从而完成对半导体材料的制备。
本发明中，工作人员在进行半导体材料的制备过程中，只需拨动拨杆12带动卡板14收入伸缩槽15内，将插板4插入反应室2的下壁上的插槽13内后，松开拨杆12，使得卡板14卡入插板4上的卡槽17内，即可完成对固定块3安装和固定，再开启抽真空机6，通过输液口5向液体腔9内输送冷却液，再通过两个进气管8向衬底 11上喷出两种气体进行反应，即可开始对半导体材料的制备，装置开启时，进气管8内的挡板20处于闭合状态，抽气管7内的挡板20 处于打开状态，此时对衬底11上方的空间进行抽真空操作，此时滑板10下移，当滑板10移动至进气管8和抽气管7的下侧时，抽真空完成，此时滑板10推动两个进气管8侧壁上的滑块26下移从而带动拉绳25拉动进气管8内的挡板20打开，使得滑杆19卡入挡板20上的卡口，从而打开进气管8，同时，滑板10推动抽气管7侧壁上的推杆22下移从而带动抽气管7内的滑杆19下移从而将滑杆19从挡板20上的卡口内滑出，从而解除对挡板20的限制，在第二弹簧24 的作用下，抽气管7内的挡板20闭合，从而关闭抽气管7，此时开始通过两个进气管8向衬底11上喷出经过冷却的两种气体进行反应从而制备半导体，而在进气管8喷气进行制备半导体的过程中，由于衬底11上侧的气体增多，从而推动滑板10上移，在滑板10上移至进气管8和抽气管7的上侧后，滑板10推动进气管8上侧的推杆22 带动进气管8内的滑杆19上移，从而解除进气管8内挡板20的限制，在第二弹簧24的作用下闭合挡板20，完成对进气管8的关闭，同时，滑板10带动抽气管7侧壁上的滑块26上移，从而拉动拉绳25带动抽气管7内的挡板20打开，从而停止进气进行反应，开始抽气，此时，降低压强，保证反应过程中的真空环境，再次带动滑板10下移，依次开启进气管8，关闭抽气管7，进行半导体材料的制备，关闭进气管8，开启抽气管7，进行抽气，循环进行，降压的同时保证真空的反应环境，从而完成对半导体材料的制备。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，包括壳体(1)，其特征在于，所述壳体(1)上开设有反应室(2)，所述反应室(2)内固定设置有固定块(3)，所述固定块(3)呈L型设置，所述固定块(3)的横板紧贴反应室(2)的一侧侧壁设置，且所述固定块(3)的纵板上设有与之对应的固定机构，所述固定块(3)的横板内设有液体腔(9)，所述壳体(1)的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口(5)，两个所述输液口(5)均贯穿壳体(1)和固定块(3)的侧壁与液体腔(9)连通设置，所述固定块(3)的侧壁上还固定设置有抽真空机(6)，所述抽真空机(6)的输出端固定设置有两根抽气管(7)，两个所述抽气管(7)均贯穿固定块(3)的横板和液体腔(9)设置，所述固定块(3)的横板上还固定设置有两根进气管(8)，两根所述进气管(8)均贯穿固定块(3)的横板和液体腔(9)设置，所述固定块(3)的纵板上设有与进气管(8)和抽气管(7)对应的开关控制机构，所述反应室(2)的下壁上还设置有衬底(11)，所述衬底(11)固定设置在的固定块(3)横板的下侧，且所述衬底(11)的侧壁均与固定块(3)的纵板侧壁和反应室(2)的侧壁紧贴设置。
2.根据权利要求1所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，其特征在于，所述固定机构包括两块卡板(14)，所述固定块(3)的纵板下壁上固定设置有插板(4)，所述反应室(2)的下壁上开设有与插板(4)对应的插槽(13)，所述插槽(13)的侧壁上对称开设有两个伸缩槽(15)，两个所述卡板(14)分别滑动设置在两个伸缩槽(15)内，且两个所述卡板(14)均通过伸缩弹簧(16)与伸缩槽(15)的内壁相连接，所述插板(4)靠近卡板(14)的两侧侧壁上均开设有与卡板(14)对应的卡槽(17)，两个所述卡板(14)上还均固定设置有拨杆(12).两个所述拨杆(12)均滑动贯穿壳体(1)的侧壁设置，所述壳体(1)的侧壁上对称开设有两个与拨杆(12)对应的条形滑口。
3.根据权利要求1所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，其特征在于，所述开关控制机构包括滑板(10)，所述滑板(10)滑动设置在固定块(3)的纵板上，且所述滑板(10)的侧壁均紧贴反应室(2)的侧壁设置，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)均滑动贯穿滑板(10)设置，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)内均滑动设置有两块挡板(20)，若干所述挡板(20)两两一组分别滑动设置在进气管(8)的下侧和抽气管(7)的上侧，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)的内壁上均对称开设有两个与挡板(20)对应的收纳槽(23)，每个所述挡板(20)分别滑动设置在收纳槽(23)内，且每个所述挡板(20)均通过第二弹簧(24)与收纳槽(23)的内壁相连接，每个所述挡板(20)靠近第二弹簧(24)的一侧侧壁上均固定设置有拉绳(25)，若干所述拉绳(25)均滑动贯穿抽气管(7)和进气管(8)的侧壁设置，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)的侧壁上均对称滑动设置有滑块(26)，每个所述拉绳(25)远离挡板(20)的一端均固定设置在滑块(26)上，每个所述进气管(8)和抽气管(7)内均设有与挡板(20)对应的限制机构。
4.根据权利要求3所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，其特征在于，所述限制机构包括若干滑杆(19)，每个所述抽气管(7)和进气管(8)内均对称开设有两个滑槽(18)，若干所述滑杆(19)滑动设置在滑槽(18)内，每个所述滑杆(19)均通过第一弹簧(21)与滑槽(18)的一端内壁相连接，且每个所述滑槽(18)均与收纳槽(23)连通设置，若干所述挡板(20)靠近滑杆(19)的一侧侧壁上均开设有与滑杆(19)对应的卡口，若干所述滑杆(19)靠近挡板(20)的一端侧壁均呈倾斜设置，且若干所述滑杆(19)远离挡板(20)的一端侧壁上均固定设置有推杆(22)，若干所述推杆(22)均贯穿进气管(8)和抽气管(7)的侧壁设置，两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)的侧壁上均对称开设有两个与推杆(22)对应的滑口。
5.根据权利要求3所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，其特征在于，所述进气管(8)和抽气管(7)的外壁上均固定套设有密封套。
6.一种半导体材料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1，首先，拨动拨杆(12)带动卡板(14)收入伸缩槽(15)内，将插板(4)插入反应室(2)的下壁上的插槽(13)内后，松开拨杆(12)，使得卡板(14)卡入插板(4)上的卡槽(17)内，即可完成对固定块(3)安装和固定。
S2，开启抽真空机(6)，通过输液口(5)向液体腔(9)内输送冷却液，再通过两个进气管(8)向衬底(11)上喷出两种气体进行反应，即可开始对半导体材料的制备。
S3，装置开启时，进气管(8)内的挡板(20)处于闭合状态，抽气管(7)内的挡板(20)处于打开状态，此时对衬底(11)上方的空间进行抽真空操作，此时滑板(10)下移，当滑板(10)移动至进气管(8)和抽气管(7)的下侧时，抽真空完成，此时滑板(10)推动两个进气管(8)侧壁上的滑块(26)下移从而带动拉绳(25)拉动进气管(8)内的挡板(20)打开，使得滑杆(19)卡入挡板(20)上的卡口，从而打开进气管(8)，同时，滑板(10)推动抽气管(7)侧壁上的推杆(22)下移从而带动抽气管(7)内的滑杆(19)下移从而将滑杆(19)从挡板(20)上的卡口内滑出，从而解除对挡板(20)的限制，在第二弹簧(24)的作用下，抽气管(7)内的挡板(20)闭合，从而关闭抽气管(7)，此时开始通过两个进气管(8)向衬底(11)上喷出经过冷却的两种气体进行反应从而制备半导体。
S4，在进气管(8)喷气进行制备半导体的过程中，由于衬底(11)上侧的气体增多，从而推动滑板(10)上移，在滑板(10)上移至进气管(8)和抽气管(7)的上侧后，滑板(10)推动进气管(8)上侧的推杆(22)带动进气管(8)内的滑杆(19)上移，从而解除进气管(8)内挡板(20)的限制，在第二弹簧(24)的作用下闭合挡板(20)，完成对进气管(8)的关闭，同时，滑板(10)带动抽气管(7)侧壁上的滑块(26)上移，从而拉动拉绳(25)带动抽气管(7)内的挡板(20)打开，从而停止进气进行反应，开始抽气。
S5，抽气开始，降低压强，保证反应过程中的真空环境，再次带动滑板(10)下移，依次开启进气管(8)，关闭抽气管(7)，进行半导体材料的制备，关闭进气管(8)，开启抽气管(7)，进行抽气，循环进行，降压的同时保证真空的反应环境，从而完成对半导体材料的制备。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101469414A (zh) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 中国科学院微电子研究所 | 平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构 |
| US20170087606A1 (en) * | 2015-09-28 | 2017-03-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
| CN107785488A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备及其使用方法和应用 |
| CN109136880A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-01-04 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
-
2020
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101469414A (zh) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 中国科学院微电子研究所 | 平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构 |
| US20170087606A1 (en) * | 2015-09-28 | 2017-03-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
| CN107785488A (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备及其使用方法和应用 |
| CN109136880A (zh) * | 2017-09-11 | 2019-01-04 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
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