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CN111952411A - 一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法 - Google Patents

一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法 Download PDF

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CN111952411A CN202010644554.0A CN202010644554A CN111952411A CN 111952411 A CN111952411 A CN 111952411A CN 202010644554 A CN202010644554 A CN 202010644554A CN 111952411 A CN111952411 A CN 111952411A
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杨均炎
张忠卫
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Abstract

本发明公开了一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法，制作方法如下：（1）以八边形硅片的4条边对称轴为基准线依次印刷正电极、背电极和背电场；（2）以八边形硅片的角对称轴或边对称轴为切割线，将硅片切割为形状为等腰三角向或直角三角形的切割片；（3）将若干个等腰三角形切割片和直角三角形分割片拼接成矩形太阳能电池片，所述的直角三角形切割片位于拼接后的电池片的两侧。按照本发明的方法进行切割制作组件，制作过程中可以大幅提高组件可利用面，提高单位面积内组件发电功率，降低成本。同时也可以降低组件每个主栅承载的电流量，从而进一步降低电阻提升制作出的组件功率。

Description

一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法
技术领域
本发明属于太阳能组件制备领域，具体涉及一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法。
背景技术
在太阳能晶硅电池行业现有的单晶硅片是由圆柱形硅棒通过经过切割边缘然后切片而来。为了更大程度的利用硅棒的利用率，产生了一种正八边形硅片，将硅棒切割成正八边形可以将硅棒的使用率增加约19.85%。但是在后续的工序中使用而正八边形硅片制作组件时，在排列过程中总会留有大量的空白形成光能利用的浪费区域（如图1所示，线条区域为空白浪费区域）。
发明内容
针对正八边形硅棒利用率低的问题，本发明提出一种基于八边形硅片所制作太能电池片及其制作方法，以提供太阳能的空间利用率。
实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：
一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法，包括以下步骤：
（1）以八边形硅片的4条边对称轴为基准线依次印刷正电极、背电极和背电场；
（2）以八边形硅片的角对称轴或边对称轴为切割线，将硅片切割为形状为等腰三角向或直角三角形的切割片；
（3）将若干个等腰三角形切割片和直角三角形分割片拼接成矩形太阳能电池片，所述的直角三角形切割片位于拼接后的电池片的两侧。
作为本发明的进一步改进，所拼接的太阳能电池片中处于同一行的相邻的两个切割片按底边上下交替相对，腰重合的方式拼接，相邻两行的切割片按底边与底边重合，顶点对顶点的方式布置。
作为本发明的进一步改进，还包括采用同一根焊带将相邻两行处置共线位置上的两个切割片的正电极和背电极焊接连接起来。
作为本发明的进一步改进，步骤（2）中包括以八边形硅片的4条角对称轴为切割线，将硅片切割为等腰三角形切割片；还包括以等腰三角形切割片的对称轴为切割线将其均分为直角三角形切割片。
作为本发明的进一步改进，步骤（1）印刷正电极时，在硅片的正面以边对称轴为基准线印刷主栅极，以硅片的外边线为基线，由外而内直至硅片中心点印刷若干条平行于外边线的副栅极，相邻的两条副栅极之间的距离相同。
作为本发明的进一步改进，以边对称轴为对称轴在边对称轴的两侧印刷两条主栅极，两条所述主栅极之间的间距为0.1-1mm。
作为本发明的进一步改进，硅片的背面按与主栅极平行，在边对称轴的两侧对称的印刷背电极和背电场，同一侧的两条背电极之间的间距为0.5-1.5mm，所述的背电场位于所述背电极的外侧，两者单边重合。
一种基于八边形硅片制作太能电池片，采用以上所述的一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法制备的。
本发明的有益效果：
1按照本发明的方法进行切割制作组件，制作过程中可以大幅提高组件可利用面，提高单位面积内组件发电功率，降低成本。同时也可以降低组件每个主栅承载的电流量，从而进一步降低电阻提升制作出的组件功率。
2.通过合理的设计，对间隙的尺寸控制，保证切割后的电池片不会出现带栅线的断面参差不齐、漏电等问题，保证制作组件的质量。
附图说明
图1为采用现有技术中的正八边形硅片制作太阳能电池片的拼接示意图；
图2为采用本发明切割后的正八边形硅片制作太阳能电池片的拼接示意图；
图3为本发明中的正八边形硅片的正电极制作的丝网印刷图；
图4为本发明中的正八边形硅片的背电极制作的丝网印刷图；
图5为本发明中的正八边形硅片的背电场制作的丝网印刷图；
图6为等腰三角形切割片焊接示意图；
图7为直角三角形切割片焊接示意图；
其中：1-八边形硅片，11-等腰三角形切割片，12-直角三角形切割片，21-边对称轴，22-角对称轴，31-主栅极，32-副栅极，4-背电极，5-背电场，6-焊带。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。
如图2所述是本发明所拼接的矩形的太阳能电池片，由图中可以看出，该矩形结构的太阳能电池片除了位于左右两侧的直角三角形拼接片，其中间的主体全由等腰三角形的硅片拼接而成。
为了实现将正八边形硅片1拼接成矩形的电池片，本发明具体通过以下方法进行制作，具体的包括以下步骤：
（1）在丝网印刷阶段，以八边形硅片1的4条边对称轴为基准线依次印刷正电极、背电极4和背电场5。
其中，先在硅片的正面制作正电极，如图3所示，以边对称轴21为基准线印刷主栅极31，以硅片的外边线为基线，由外而内直至硅片中心点印刷若干条平行于外边线的副栅极32，相邻的两条副栅极32之间的距离相同。对于随后切割的每一个等腰三角形切割片，主栅极31位于切割片对称轴的位置，副栅极32平行与底边。另外，在本发明中是以边对称轴21为对称轴在边对称轴21的两侧印刷两条主栅极31，两条所述主栅极31之间的间距为0.1-1mm。
之后，在硅片的背面按与主栅极31平行，在边对称轴21的两侧对称的印刷背电极4和背电场5，印刷背电极4和背电场5的图形如图4和图5所示。同一侧的两条背电极4之间的间距为0.5-1.5mm，所述的背电场5位于所述背电极4的外侧，两者单边重合。
（2）采用激光切割发以八边形硅片1的角对称轴22或边对称轴21为切割线，将硅片切割为形状为等腰三角向或直角三角形的切割片。
具体的为首先以八边形硅片1的4条角对称轴22为切割线，将硅片切割为8个等腰三角形切割片11。之后选取部分等腰三角形切割片11，以等腰三角形切割片11的对称轴为切割线将其均分为直角三角形切割片12。
（3）将若干个等腰三角形切割片11和直角三角形分割片拼接成矩形太阳能电池片，所述的直角三角形切割片12位于拼接后的电池片的两侧。
拼接过程基于以下准则：对于处于同一行的相邻的两个切割片按底边上下交替相对，从侧方向按腰重合的方式拼接，相邻两行的切割片按底边与底边重合，顶点对顶点的方式布置。先用等腰三角形切割片11完成中间主体的拼接，之后用直角三角形切割片12从侧方向按斜边与腰重合的方式将左右两侧的空缺填充完整，形成无空白空间的太阳能电池片。
最后如图6和图7所示，采用同一根焊带6将相邻两行处置共线位置上的两个切割片的正电极和背电极4焊接连接起来。焊接好后，之后经过层压-削边-装框-装接线盒制成成品组件。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (8)

1.一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）以八边形硅片的4条边对称轴为基准线依次印刷正电极、背电极和背电场；
（2）以八边形硅片的角对称轴或边对称轴为切割线，将硅片切割为形状为等腰三角向或直角三角形的切割片；
（3）将若干个等腰三角形切割片和直角三角形分割片拼接成矩形太阳能电池片，所述的直角三角形切割片位于拼接后的电池片的两侧。
2.根据权利要求1所述的一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法，其特征在于：所拼接的太阳能电池片中处于同一行的相邻的两个切割片按底边上下交替相对，腰重合的方式拼接，相邻两行的切割片按底边与底边重合，顶点对顶点的方式布置。
3.根据权利要求2所述的一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法，其特征在于：还包括采用同一根焊带将相邻两行处置共线位置上的两个切割片的正电极和背电极焊接连接起来。
4.根据权利要求1所述的一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法，其特征在于：步骤（2）中包括以八边形硅片的4条角对称轴为切割线，将硅片切割为等腰三角形切割片；还包括以等腰三角形切割片的对称轴为切割线将其均分为直角三角形切割片。
5.根据权利要求1所述的一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法，其特征在于：步骤（1）印刷正电极时，在硅片的正面以边对称轴为基准线印刷主栅极，以硅片的外边线为基线，由外而内直至硅片中心点印刷若干条平行于外边线的副栅极，相邻的两条副栅极之间的距离相同。
6.根据权利要求4或5所述的一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法，其特征在于：以边对称轴为对称轴在边对称轴的两侧印刷两条主栅极，两条所述主栅极之间的间距为0.1-1mm。
7.根据权利要求4所述的一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法，其特征在于：硅片的背面按与主栅极平行，在边对称轴的两侧对称的印刷背电极和背电场，同一侧的两条背电极之间的间距为0.5-1.5mm，所述的背电场位于所述背电极的外侧，两者单边重合。
8.一种基于八边形硅片制作太能电池片，其特征在于：采用权利要求1-7任一项所述的一种基于八边形硅片制作太能电池片的方法制备的。
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