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CN111916481B - 显示设备及制造该显示设备的方法 - Google Patents

显示设备及制造该显示设备的方法

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CN111916481B
CN111916481B CN202010381157.9A CN202010381157A CN111916481B CN 111916481 B CN111916481 B CN 111916481B CN 202010381157 A CN202010381157 A CN 202010381157A CN 111916481 B CN111916481 B CN 111916481B
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金相烈
鲁硕原
俞何岚
曹永勳
崔正珉
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

公开了一种显示设备和制造显示设备的方法，该显示设备包括：基底，包括显示区域、形成在显示区域中的开口区域以及围绕开口区域的至少一部分的非显示区域；像素限定层，形成在基底上并且包括至少一个开口；中间层，设置在至少一个开口中；对电极，覆盖中间层和像素限定层；覆盖层，覆盖对电极。中间层、对电极和覆盖层中的至少一者的端部形成在像素限定层上，并且具有远离至少一个开口减小的厚度。

Description

显示设备及制造该显示设备的方法
本申请要求于2019年5月10日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0055167号韩国专利申请和于2020年2月10日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0015835号韩国专利申请的优先权和权益，所述两个韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种设备和一种方法，更具体地，涉及一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。
背景技术
近来，显示设备已被用于各种用途。另外，显示设备由于其减小的厚度和更轻的重量趋于被更广泛地使用。
由于显示设备中的显示区域的面积的增大，因此越来越多的功能被添加到或链接到显示设备。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种显示设备以及制造该显示设备的方法，该显示设备包括具有其中可以布置有各种组件的显示区域的显示面板。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括显示区域、位于显示区域中的开口区域以及围绕开口区域的至少一部分的非显示区域；像素限定层，位于基底上并且包括至少一个开口；中间层，设置在至少一个开口中；对电极，覆盖中间层和像素限定层；覆盖层，覆盖对电极，其中，中间层、对电极和覆盖层中的至少一者的端部设置在像素限定层上，并且具有远离至少一个开口减小的厚度。
在本实施例中，中间层包括第一功能层和第二功能层中的至少一者。
在本实施例中，中间层、对电极和覆盖层顺序地堆叠在像素限定层上。
在本实施例中，显示设备还包括设置在基底上并在基底上方隔开的封装基底。
在本实施例中，显示设备还包括设置在覆盖层上的薄膜封装层。
在本实施例中，穿透孔形成在开口区域中。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在基底上形成像素限定层，其中，基底包括开口区域和至少部分地围绕开口区域的非显示区域；形成屏蔽单元，屏蔽单元覆盖像素限定层的一部分、开口区域和非显示区域；在像素限定层和屏蔽单元上形成中间层、对电极和覆盖层。
在本实施例中，屏蔽单元包括：第一屏蔽单元，屏蔽开口区域；以及第二屏蔽单元，连接到第一屏蔽单元并且在像素限定层的上表面上方隔开。
在本实施例中，第一屏蔽单元和第二屏蔽单元分别在不同的高度处形成。
在本实施例中，屏蔽单元还包括形成在第一屏蔽单元下方的粘合单元。
在本实施例中，粘合单元的至少一部分形成在非显示区域中。
在本实施例中，所述方法还包括从基底去除屏蔽单元。
在本实施例中，所述方法还包括在基底上方并与基底分开地形成封装基底，以及将封装基底附着到基底。
在本实施例中，所述方法还包括在像素限定层上形成薄膜封装层。
在本实施例中，所述方法还包括在基底中形成穿透孔。
根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在基底上形成像素限定层，其中，基底包括显示区域、位于显示区域中的开口区域和至少部分地围绕开口区域的非显示区域；以及将屏蔽单元附着到开口区域或非显示区域，屏蔽单元屏蔽像素限定层的一部分、开口区域和非显示区域。屏蔽单元的一部分与像素限定层间隔开，并且屏蔽单元的第一部分在与屏蔽单元的第二部分的高度不同的高度处形成。
在本实施例中，所述方法包括在像素限定层和屏蔽单元上形成中间层、对电极和覆盖层。
在本实施例中，屏蔽单元被附着到显示区域和/或非显示区域。
在本实施例中，屏蔽单元在显示区域或非显示区域中的多个位置处被附着到显示区域或非显示区域，其中，多个位置彼此间隔开。
在本实施例中，屏蔽单元被附着到非显示区域并且覆盖开口区域。
在本实施例中，所述方法还包括从基底去除屏蔽单元。
在本实施例中，所述方法还包括在基底之上形成与基底间隔开的封装基底，以及将封装基底与基底组合。
在本实施例中，所述方法还包括在像素限定层上形成薄膜封装层。
在本实施例中，所述方法还包括在基底中形成穿透孔。
可以通过使用系统、方法、计算机程序或系统、方法和计算机程序的组合来实现这些一般和具体的方面。
附图说明
图1是根据实施例的显示设备的透视图。
图2是根据实施例的沿着图1的剖面线A-A’截取的显示设备的剖视图。
图3是根据实施例的沿着图1的剖面线A-A’截取的显示设备的剖视图。
图4是根据实施例的显示面板的俯视平面图。
图5是根据实施例的显示面板中的像素的等效电路图。
图6是根据实施例的显示面板的剖视图。
图7是图6中示出的显示面板的剖视图。
图8至图10是示出制造图6中示出的显示面板的方法的剖视图。
图11是根据实施例的显示面板的剖视图。
图12是示出制造图11中示出的显示面板的方法的一部分的剖视图。
图13是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
图14是示出制造图13中示出的显示面板的方法的一部分的剖视图。
图15是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
图16至图22是示出制造图15中示出的显示面板的方法的剖视图。
图23是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
图24是根据另一实施例的显示面板的剖视图。
图25是在制造根据实施例的显示面板时使用的屏蔽单元的透视图。
图26是在制造根据实施例的显示面板时使用的另一屏蔽单元的透视图。
图27是在制造根据实施例的显示面板时使用的另一屏蔽单元的透视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记可以始终表示同样的元件。就这一点而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。
在下文中，将参照附图详细地描述实施例。贯穿描述，可以将同样的附图标记赋予相同或相应的组件，并且将省略其重复的描述。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接在所述另一层、区域或组件上。
为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。
图1是根据实施例的显示设备1的透视图。
参照图1，根据实施例，显示设备1包括开口区域OP和至少部分地围绕开口区域OP的显示区域DA。显示设备1通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来显示图像。在图1中，在显示区域DA中设置有一个开口区域OP，并且该开口区域OP被显示区域DA完全地围绕。开口区域OP容纳下面参照图2描述的组件。
根据实施例，第二非显示区域NDA2设置在开口区域OP与显示区域DA之间，并且显示区域DA被第一非显示区域NDA1围绕。第二非显示区域NDA2和第一非显示区域NDA1是其中未设置像素的非显示区域。第二非显示区域NDA2被显示区域DA完全地围绕，并且显示区域DA被第一非显示区域NDA1完全地围绕。
在下文中，有机发光显示器被描述为根据实施例的显示设备1的示例，但是实施例不限于此。在其他实施例中，显示设备1可以是的另一种类型的显示设备(诸如量子点发光显示器)。
图1示出了一个近似圆形的开口区域OP，但是实施例不限于此。在其他实施例中，开口区域OP的数量可以是两个或更多个，并且每个开口区域OP的形状可以被不同地修改为例如圆形、椭圆形、多边形、星形形状、菱形形状等。
图2是根据实施例的沿着图1的剖面线A-A’截取的显示设备1的剖视图。图3是根据另一实施例的沿着图1的剖面线A-A’截取的显示设备1的剖视图。
参照图2和图3，根据实施例，显示设备1包括显示面板10、设置在显示面板10上的输入感测层40和设置在输入感测层40上的光学功能层50。显示面板10、输入感测层40和光学功能层50被窗60覆盖。显示设备1可以是各种电子设备(诸如移动电话、膝上型计算机或智能手表等)中的一种。
根据实施例，显示面板10显示图像。显示面板10包括设置在显示区域DA中的像素。每个像素包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、量子点有机发光二极管等。
根据实施例，输入感测层40根据触摸事件来获取诸如坐标信息的外部输入。输入感测层40包括感测电极或触摸电极以及连接到感测电极或触摸电极的迹线。输入感测层40设置在显示面板10上。输入感测层40可以通过使用互电容方法或自电容方法来感测外部输入。
根据实施例，输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者单独地形成然后通过使用粘合层(诸如光学透明粘合剂)与显示面板10结合。例如，输入感测层40可以在显示面板10形成后连续地形成。在实施例中，输入感测层40是显示面板10的一部分，并且不需要在输入感测层40与显示面板10之间设置粘合层。尽管图2示出了其中输入感测层40位于显示面板10与光学功能层50之间的实施例，但是在另一实施例中，输入感测层40设置在光学功能层50上。
根据实施例，光学功能层50包括抗反射层。抗反射层减小了通过窗60入射在显示面板10上的外部光的反射率。抗反射层包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2延迟器或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。偏振器包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂覆型偏振器包括处于预定初始排列的液晶。延迟器和偏振器还包括保护膜。延迟器和偏振器或者保护膜形成抗反射层的基体层。
在另一实施例中，抗反射层包括黑矩阵和滤色器。滤色器被布置为与从显示面板10的每个像素发射的光的颜色对应。在另一实施例中，抗反射层包括相消干涉结构。相消干涉结构包括分别位于不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光经历相消干涉，这降低了外部光的反射率。
根据实施例，光学功能层50包括透镜层。透镜层改善从显示面板10发射的光的发光效率或减小色偏。透镜层包括凹透镜的层或凸透镜的层或者分别具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括抗反射层和透镜层两者或者抗反射层和透镜层中的任何一个。
在实施例中，光学功能层50在显示面板10和输入感测层40形成后连续地形成。在这种情况下，粘合层不需要被定位在光学功能层50与显示面板10或者光学功能层50与输入感测层40之间。
根据实施例，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50均包括开口。就这一点而言，图2示出了其中显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括彼此叠置的第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H的实施例。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H与开口区域OP对应。在另一实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或更多个不包括开口。例如，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或两个将不包括开口。可选地，如图3中所示，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中都不包括开口。
如上所述，根据实施例，开口区域OP是可以容纳将各种功能添加到显示设备1的组件30的组件区域(诸如传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。如图2中所示，组件30在第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H中延伸。可选地，如图3中所示，组件30设置在显示面板10下方。
根据实施例，组件30包括电子元件。例如，组件30包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件包括输出或接收光的传感器(诸如红外传感器)、接收光并捕获图像的相机、识别指纹或通过输出和感测光或声音来测量距离的传感器、输出光的小尺寸灯、输出声音的扬声器等。电子元件可以使用各种波段的光，诸如，可见光、红外光、紫外光等。在一些实施例中，开口区域OP是通过其从组件30发送或通过组件30接收光或声音的透射区域。
在另一实施例中，当显示设备1被用作智能手表或车辆的仪表板时，组件30可以是提供一定信息(诸如车辆的速度)的构件(诸如指针或手表的针)。当显示设备1包括时钟或车辆的仪表板时，组件30通过窗60暴露在外部，并且窗60包括与开口区域OP对应的开口。
如上所述，根据实施例，组件30包括涉及显示面板10的功能的元件或诸如改善显示面板10的美学功能的附件的元件。尽管在图2和图3中未示出，但是包括光学透明粘合剂等的层可以设置在窗60与光学功能层50之间。
图4是根据实施例的显示面板10的俯视平面图。图5是根据实施例的显示面板10中的像素P的等效电路图。
参照图4和图5，根据实施例，显示面板10包括开口区域OP、显示区域DA、第二非显示区域NDA2和第一非显示区域NDA1。
根据实施例，显示面板10包括设置在显示区域DA中的多个像素P。如图5中所示，多个像素P中的每个包括像素电路PC和作为与像素电路PC连接的显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射红光、绿光和蓝光中的一种或者发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
根据实施例，作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且基于从扫描线SL接收的开关电压将从数据线DL接收的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和从驱动电压线PL接收的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
根据实施例，作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流以对应于存储在存储电容器Cst中的电压值。有机发光二极管OLED响应于驱动电流而发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(诸如阴极)接收第二电源电压ELVSS。
根据实施例，参照图5将像素电路PC描述为包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是实施例不限于此。在其他实施例中，可以根据像素电路PC的设计来对晶体管的数量和存储电容器的数量进行各种修改。例如，像素电路PC除了以上描述的两个薄膜晶体管之外还可以包括四个或更多个薄膜晶体管。
根据实施例，将扫描信号传输到每个像素P的扫描驱动器1100、将数据信号传输到每个像素P的数据驱动器1200以及传输第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电力线设置在第一非显示区域NDA1中。尽管在图4中将数据驱动器1200示出为与基底100的一侧相邻设置，但是在另一实施例中，数据驱动器1200被布置在与设置在显示面板10的一侧处的垫(pad，或称为“焊盘”)电接触的柔性印刷电路板(FPCB)上。
另外，根据实施例，将各种信号/电力传输到显示区域DA的布线部设置在第一非显示区域NDA1中。在实施例中，布线部包括驱动电路。例如，驱动电路可以包括扫描驱动电路、端子部、驱动电源线和第二布线中的至少一者，并且还可以包括控制传输到显示区域DA的电信号的薄膜晶体管。另外，使在制造显示设备1时使用的有机材料的流动中断的分隔件或沟槽可以设置在第一非显示区域NDA1中。
参照图4，根据实施例，第二非显示区域NDA2在平面上围绕开口区域OP。第二非显示区域NDA2和开口区域OP均缺少发射光的显示元件(诸如有机发光二极管)，并且将信号传输到布置在开口区域OP周围的像素P的信号线可以穿过第二非显示区域NDA2。
根据实施例，除了信号线之外，额外的凹槽形成在第二非显示区域NDA2中。在实施例中，彼此间隔开的多个凹槽设置在第二非显示区域NDA2中。
图6是根据实施例的显示面板10的剖视图。图7是图6中示出的显示面板10的剖视图。在图7中，附图标记C表示穿过开口区域OP的中心的假想直线。
参照图6和图7，根据实施例，显示面板10包括设置在基底100上的显示层200。基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。基底100可以包括多层。例如，如图6的放大图中所示，基底100包括第一基体层100-1、第一阻挡层100-2、第二基体层100-3和第二阻挡层100-4。
根据实施例，第一基体层100-1和第二基体层100-3均包括聚合物树脂。例如，第一基体层100-1和第二基体层100-3均包括聚合物树脂，诸如，聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素等。以上提及的聚合物树脂是透明的。
根据实施例，防止外部异物的渗透的第一阻挡层100-2和第二阻挡层100-4可以均包括包含无机材料(诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx))的单层或多层。
根据实施例，显示层200包括多个像素。显示层200包括：显示元件层200A，包括位于每个像素中的显示元件；以及像素电路层200B，包括位于每个像素中的像素电路和绝缘层。在这种情况下，像素电路层200B的绝缘层可以包括稍后将描述的缓冲层101、第一栅极绝缘层103、第二栅极绝缘层105、层间绝缘层107和平坦化层109中的至少一者。像素电路中的每个包括薄膜晶体管和存储电容器，显示元件中的每个包括有机发光二极管。图7示出了第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、存储电容器Cst和OLED 300。
根据实施例，显示层200中的显示元件被诸如薄膜封装层500的封装构件覆盖，薄膜封装层500包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。当显示面板10包括聚合物树脂基底100并且薄膜封装层500包括无机封装层和有机封装层时，能够增强显示面板10的柔性。
根据实施例，显示面板10包括穿透显示面板10的第一开口10H。第一开口10H位于开口区域OP中。在图6中，基底100和薄膜封装层500分别包括与显示面板10的第一开口10H对应的穿透孔100H和500H。显示层200也包括与开口区域OP对应的穿透孔200H。
根据实施例，显示面板10包括：基底100，包含显示区域DA和非显示区域；以及薄膜封装层500，密封显示区域DA和非显示区域。在实施例中，如上所述，显示面板10包括显示层200和薄膜封装层500。
根据实施例，设置在基底100上的缓冲层101可以减少或防止异物、湿气或外部空气从基底100的下部渗透，并且在基底100上提供平坦化的表面。缓冲层101可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以包括无机材料和有机材料的单层或多层。
根据实施例，第一薄膜晶体管T1包括半导体层A1、第一栅电极G1、源电极S1和漏电极D1，并且第二薄膜晶体管T2包括半导体层A2、第二栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。
在下文中，示出了第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2是顶栅型晶体管的实施例。然而，实施例不限于此，并且在其他实施例中，使用各种其他类型的薄膜晶体管(诸如底栅型晶体管)。
在下文中，描述了其中设置有两个晶体管(第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2)的实施例，但是实施例不限于此。在其他实施例中，显示设备1可以针对一个像素使用两个或更多个薄膜晶体管。可以对薄膜晶体管的数量进行各种修改，在一些实施例中，在一个像素中使用六个薄膜晶体管至七个薄膜晶体管。
根据实施例，半导体层A1和A2可以包括非晶硅或多晶硅。在另一实施例中，半导体层A1和A2包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层A1和A2均包括沟道区以及具有比沟道区高的载流子浓度的源区和漏区。
根据实施例，第一栅电极G1设置在半导体层A1上，且第一栅极绝缘层103置于半导体层A1与第一栅电极G1之间。第一栅电极G1包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Co)和钛(Ti)等中的一种或更多种，并且可以包括单层或多层。例如，第一栅电极G1包括单个Mo层。
根据实施例，第一栅极绝缘层103使半导体层A1与第一栅电极G1绝缘，并且包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、二氧化铪(HfO2)和过氧化锌(ZnO2)等中的一种。
根据实施例，第二栅电极G2设置在半导体层A2上，且第一栅极绝缘层103和第二栅极绝缘层105置于半导体层A2与第二栅电极G2之间。第二栅电极G2包括导电材料(诸如Mo、Al、Cu或Ti等)，并且可以包括包含以上提及的材料中的一种或更多种的多层或单层。例如，第二栅电极G2可以包括单个Mo层或具有Mo/Al/Mo结构的多层。
根据实施例，第二栅极绝缘层105包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第二栅极绝缘层105包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2等中的一种。
根据实施例，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2设置在层间绝缘层107上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2均包括导电材料(诸如Mo、Al、Cu或Ti等)，并且可以包括包含以上提及的材料中的一种或更多种的单层或多层。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2均包括Ti/Al/Ti的多层。
根据实施例，层间绝缘层107包括SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2等中的一种。
如上所述，根据实施例，第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1和第二薄膜晶体管T2的第二栅电极G2分别设置在不同层上。因此，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的驱动范围可以被不同地调整。
根据实施例，存储电容器Cst包括第一电极CE1和第二电极CE2。存储电容器Cst的第一电极CE1与第一栅电极G1设置在同一层上，并且包括与第一栅电极G1相同的材料。存储电容器Cst的第二电极CE2与第一电极CE1叠置，且第二栅极绝缘层105置于第二电极CE2与第一电极CE1之间。第二电极CE2与第二栅电极G2设置在同一层上，并且包括与第二栅电极G2相同的材料。
在图7中，根据实施例，存储电容器Cst不与第一薄膜晶体管T1或第二薄膜晶体管T2叠置。然而，存储电容器Cst的实施例不限于此。例如，存储电容器Cst可以与第一薄膜晶体管T1叠置。在一些实施例中，存储电容器Cst的第一电极CE1与第一栅电极G1一体地形成。即，第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1用作存储电容器Cst的第一电极CE1。
根据实施例，平坦化层109设置在源电极S1和S2以及漏电极D1和D2上，有机发光二极管(OLED)300设置在平坦化层109上。平坦化层109可以包括单层或多层，并且包括包含有机材料的膜。有机材料可包括普通的商业聚合物，诸如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。另外，平坦化层109包括无机绝缘层和有机绝缘层的复合堆叠体。
根据实施例，有机发光二极管300在基底100的显示区域DA中设置在平坦化层109上。有机发光二极管300包括像素电极310、对电极330以及置于像素电极310与对电极330之间的中间层320。
根据实施例，像素电极310通过形成在平坦化层109中的开口与第二薄膜晶体管T2的源电极S2和漏电极D2中的任何一个接触并电连接到第二薄膜晶体管T2。像素电极310包括反射电极。例如，像素电极310包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)，钕(Nd)、铱(Ir)和铬(Cr)中的至少一种或它们的混合物等的反射膜以及设置在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。
根据实施例，像素限定层112设置在平坦化层109上。像素限定层112通过具有与每个子像素对应的开口(即，至少使像素电极310的中心部分暴露的开口)来限定像素。另外，像素限定层112通过增大像素电极310的边缘与位于像素电极310上方的对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘处发生的电弧等。像素限定层112包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机层。
根据实施例，中间层320包括发射层322。发射层322包括发射红光、绿光或蓝光的荧光或磷光有机材料并且被图案化以对应于显示区域DA中的像素P(见图4)。中间层320包括至少一个功能层，诸如，位于发射层322与像素电极310之间的第一功能层321以及位于发射层322与对电极330之间的第二功能层323。
根据实施例，第一功能层321是空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的任何一个。
根据实施例，HIL接收从阳极释放的空穴，HTL将HIL的空穴传输到发射层322。
根据实施例，HIL包括诸如铜酞菁、N-N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4]二胺(DNTPD)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”-三[N,-(2-萘基)-N-苯氨基]三苯胺(2T-NATA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PSS)、聚苯胺(Pani)/十二烷基苯磺酸(DBSA)、Pani/樟脑磺酸(CSA)和Pani/PSS等的酞菁化合物中的至少一种，但HIL的实施例不限于此。
根据实施例，HTL包括咔唑衍生物(诸如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑)和三苯胺类材料(诸如N-N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-(1,1-联苯基)-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)或4,4',4'-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)等)中的至少一种，但是HTL的实施例不限于此。
根据实施例，第二功能层323是电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的任何一个。
根据实施例，EIL接收从阴极释放的电子，ETL将EIL的电子传输到发射层322。
根据实施例，ETL包括Alq3、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(tBu-BPD)、双(2-甲基-8)-喹啉基-N1,O8-(1,1'-联苯-4-芳基)铝(BAlq)、铍双(苯并喹啉-10-酸酯)铍(Bebq2)和9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)等中的至少一种，但是ETL的实施例不限于此。
根据实施例，EIL包括氟化锂(LiF)、氯化钠(NaCl)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li2O)、氧化钡(BaO)和喹啉锂(Liq)等中的至少一种，但是EIL的实施例不限于此。
中间层320不限于上面的实施例，并且在其他实施例中可以具有各种结构。中间层320可以包括在多个像素电极310之上一体地形成的层，或者包括被图案化为与多个像素电极310中的每个对应的层。在下文中，为了便于说明，将详细地描述其中发射层322被图案化为与多个像素电极310中的每个对应并且第一功能层321和第二功能层323在多个像素电极310之上一体地设置在基底100上的实施例。
根据实施例，如图7中所示，对电极330设置在显示区域DA中并覆盖显示区域DA。即，对电极330相对于多个有机发光二极管300一体地形成并且对应于多个像素电极310。在另一实施例中，对电极330覆盖显示区域DA的上部和非显示区域NDA(见图1)的一部分的上部。在下文中，为了便于说明，将详细地描述其中对电极330覆盖显示区域DA的上部和非显示区域NDA的一部分的上部的实施例。
根据实施例，对电极330包括透射电极。例如，对电极330包括透明或半透明电极，并且包括具有小逸出功的金属薄膜，该金属薄膜包括Li、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和它们的混合物中的一种或更多种。此外，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物膜还设置在金属薄膜上。
根据实施例，由于像素电极310是反射电极而对电极330是透射电极，因此显示设备1是其中将从中间层320发射的光朝向对电极330发射的顶发射型。然而，实施例不限于此，在其他实施例中，显示设备1是其中将从中间层320发射的光朝向基底100发射的底发射型。在这种情况下，像素电极310包括透明或半透明电极，对电极330包括反射电极。另外，本实施例的显示设备1可以是在两个方向(顶部和底部两者)上发射光的双发射型。
根据实施例，覆盖层400设置在对电极330上。在这种情况下，覆盖层400与对电极330直接接触。覆盖层400具有比对电极330的折射率低且比第一无机封装层510的折射率高的折射率。覆盖层400减小了从中间层320发射的光被反射的比例，从而改善光效率。
根据实施例，如图7中所示，第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一者的端部的厚度朝向开口区域OP逐渐减小。像素限定层112的平坦的上表面具有其中第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一者的端部的厚度改变的区域。具体地，其中第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一者的端部的厚度改变的区域是像素限定层112的上表面的平坦部分。
根据实施例，薄膜封装层500覆盖显示区域DA和非显示区域NDA以防止外部湿气和氧的渗透。薄膜封装层500包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图7示出了其中薄膜封装层500包括两个无机封装层(诸如第一无机封装层510和第二无机封装层530)以及一个有机封装层520的示例，但是层的堆叠顺序和数量不限于图7中示出的实施例。
根据实施例，第一无机封装层510覆盖对电极330并且包括SiOx、SiNx和SiON等中的一个或更多个。其他层(诸如覆盖层400)根据需要置于第一无机层封装层510与对电极330之间。由于如图7中示出的第一无机封装层510沿着位于其下方的结构形成，因此第一无机封装层510的上表面是不平坦的。
根据实施例，有机封装层520覆盖第一无机封装层510，并且与第一无机封装层510不同，有机封装层520的上表面是大致平坦的。具体地，有机封装层520的上表面在与显示区域DA对应的部分中是大致平坦的。有机封装层520包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚砜、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。第二无机封装层530覆盖有机封装层520，并且包括SiOx、SiNx和SiON等中的一种。
如上所述，根据实施例，薄膜封装层500包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530，通过使用该多层结构，在薄膜封装层500中发生的裂纹不在第一无机封装层510与有机封装层520之间或有机封装层520与第二无机封装层530之间形成连接。通过这样做，可以防止湿气或氧可能通过其渗透到显示区域DA和非显示区域NDA中的路径的形成，或者使湿气或氧可能通过其渗透到显示区域DA和非显示区域NDA中的路径的形成最小化。第二无机封装层530与第一无机封装层510在位于显示区域DA外部的边缘处接触，从而防止有机封装层520被暴露在外部。
根据实施例，分隔件120形成在基底100的非显示区域NDA中。
根据实施例，分隔件120防止在形成使显示区域DA和非显示区域NDA密封的有机封装层520时有机材料流向基底100的边缘，从而防止有机封装层520的边缘尾的形成。
根据实施例，设置一个或更多个分隔件120。在实施例中，当设置多个分隔件120时，多个分隔件120至少包括彼此分开的第一分隔件120A和第二分隔件120B。
根据实施例，第一分隔件120A和第二分隔件120B中的至少一者包括多层。图7将第一分隔件120A示出为包括堆叠在一起的第一层121A和第二层123A并且将第二分隔件120B示出为包括堆叠在一起的第一层121B和第二层123B，第一层121A包括与平坦化层109相同的材料，第二层123A包括与像素限定层112相同的材料，第一层121B包括与平坦化层109相同的材料，第二层123B包括与像素限定层112相同的材料。然而，第一分隔件120A和第二分隔件120B的实施例不限于此。在其他实施例中，可以对第一分隔件120A和第二分隔件120B的结构进行各种修改；第一分隔件120A和第二分隔件120B中的一个可以包括单层，第一分隔件120A和第二分隔件120B两者可以具有两层结构，或者第一分隔件120A和第二分隔件120B两者可以具有三层结构。另外，多个分隔件120还可以包括与第一分隔件120A和第二分隔件120B间隔开的附加分隔件。
另外，间隔件设置在像素限定层112的平坦部分中，该间隔件从像素限定层112的平坦部分突出到薄膜封装层500中。间隔件包括有机材料，诸如，聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷。
根据实施例，由于分隔件120包括多个分隔件，因此可以更有效地防止在形成有机封装层520时有机材料的溢出。
图8至图10是示出制造图6中示出的显示面板10的方法的剖视图。在图8至图10中，附图标记C表示穿过开口区域OP的中心的假想直线，图8至图10中示出的与图6和图7的附图标记相同的附图标记表示与图6和图7的构件相同的构件。
参照图8至图10，根据实施例，当制造显示面板10时，在基底100上形成绝缘层、像素电路等之后形成有机发光二极管300。
根据实施例，在形成像素电极310之前或之后，在基底100上形成屏蔽单元20以屏蔽第二非显示区域NDA2的至少一部分和开口区域OP。在下文中，为了便于说明，将详细描述其中在形成像素电极310之后在基底100上形成屏蔽单元20以屏蔽开口区域OP和第二非显示区域NDA2的整个部分的实施例。
根据实施例，以上描述的屏蔽单元20包括第一屏蔽单元21、第二屏蔽单元22和粘合单元23。第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22可以一体地或单独地形成。例如，第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22包括具有在350摄氏度或更高至450摄氏度或更低的范围内的熔点的耐热材料。具体地，通过使用聚酰亚胺树脂通过射出法等来制造第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22；可选地，将第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22形成为膜并且彼此附着或结合。在另一实施例中，在挤出或压缩包括热固性材料的塑料或金属等的工艺中一体地形成第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22。在另一实施例中，通过使用模具由合成树脂或金属等形成第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22。
根据实施例，在不同的高度处形成以上描述的第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22。在实施例中，将第一屏蔽单元21的一部分弯曲并连接到第二屏蔽单元22。在实施例中，第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22分别屏蔽基底100的不同部分。例如，第一屏蔽单元21屏蔽第二非显示区域NDA2的一部分和开口区域OP。第二屏蔽单元22屏蔽第二非显示区域NDA2的至少一部分。另外，第二屏蔽单元22不接触堆叠在基底100上的被第二屏蔽单元22屏蔽的层的最上层。即，第二屏蔽单元22的下表面在第二非显示区域NDA2中与像素限定层112的最上表面间隔开并且位于像素限定层112的最上表面上方。在实施例中，当额外的间隔件设置在像素限定层112上时，第二屏蔽单元22的下表面可以与或可以不与间隔件的最上表面接触。
根据实施例，粘合单元23包括粘合构件。例如，粘合单元23包括微尺寸的真空油脂。在另一实施例中，粘合单元23包括耐热且不会因高温而变性的硅基粘合剂。
根据实施例，可以在第一屏蔽单元21的下表面上以各种形式设置以上描述的粘合单元23。例如，在第一屏蔽单元21的下表面上将粘合单元23形成为环。在实施例中，开口区域OP位于环形粘合单元23内部。在另一实施例中，将多个粘合单元23彼此分开地设置在第一屏蔽单元21的下表面上。在另一实施例中，粘合单元23具有完全屏蔽开口区域OP的板状。在下文中，为了便于说明，将详细地描述其中粘合单元23为环形的实施例。
根据实施例，在多个位置处设置粘合单元23。可以将粘合单元23设置在开口区域OP的外部，或者设置为完全屏蔽开口区域OP。在实施例中，粘合单元23在第二非显示区域NDA2中的多个位置处具有各种形式。
根据实施例，在形成像素电极310之后将基底100和屏蔽单元20对准，通过使用机械手臂等将屏蔽单元20设置在基底100上。在实施例中，在基底100上形成额外的对准标记以精确地定位屏蔽单元20。在实施例中，屏蔽单元20包括与基底100的对准标记对应的对准标记。
根据实施例，在基底100上设置屏蔽单元20，然后通过使用粘合单元23来固定。在实施例中，通过将粘合单元23粘合到基底100或绝缘层等来固定粘合单元23。
根据实施例，如图9中所示，在将屏蔽单元20固定之后，在基底100和屏蔽单元20上顺序地形成第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400。在实施例中，在非显示区域NDA的至少一部分和显示区域DA中在基底100的顶表面上形成第一功能层321、第二功能层323、对电极330和覆盖层400。对多个发射层322进行图案化以在基底100上且在覆盖层400下方彼此间隔开。
在以上描述的实施例中，在屏蔽单元20上形成第一功能层321A、发射层322A、第二功能层323A、对电极330A和覆盖层400A。在实施例中，在基底100的非显示区域NDA的一部分和开口区域OP中未形成第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400。
在实施例中，第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一者包括在图8中示出的与Z方向相反的方向上蒸发或升华的沉积材料。通过将沉积材料沉积在基底100上来形成第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一者。在实施例中，在显示区域DA中设置喷射沉积材料的沉积源。通过喷射沉积材料形成的第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一部分在像素限定层112上因第二屏蔽单元22的端部22-1而具有不同的厚度。在这种情况下，第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一者的厚度远离第二屏蔽单元22的端部22-1减小。
根据实施例，当完成以上描述的工艺时，将屏蔽单元20从基底100去除。此时，将在屏蔽单元20上形成的第一功能层321A、发射层322A、第二功能层323A、对电极330A和覆盖层400A与屏蔽单元20一起去除。另外，可以容易地从绝缘层去除粘合单元23。在实施例中，当去除粘合单元23时，不损坏绝缘层。
根据实施例，如上所述，在去除屏蔽单元20之后形成薄膜封装层500。可以在去除屏蔽单元20之后并且在从开口区域OP去除基底100和缓冲层101之前或在从开口区域OP去除基底100和缓冲层101之后形成薄膜封装层500。在下文中，为了便于说明，详细地描述其中在去除屏蔽单元20之后并且在从开口区域OP去除基底100和缓冲层101之前形成薄膜封装层500的实施例。
接下来，根据实施例，通过使用去除单元L去除基底100和缓冲层101。在实施例中，去除单元L施用热或光(诸如激光)以从开口区域OP去除基底100和缓冲层101。在另一实施例中，去除单元L通过使用钻头等来施加机械能以从开口区域OP去除基底100和缓冲层101。
在以上描述的实施例中，由于第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400未延伸到开口区域OP中，因此可以防止在穿透开口区域OP时层的分离。
具体地，在现有技术中，当开口区域OP被激光穿透时，第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400之间的距离由于来自激光的热而增大。另外，当将额外的膜附着到第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400上，并且照射激光以去除开口区域OP的一些层或以形成孔时，由于薄膜的附着，因此膜的粘合构件的一部分可能残留在最上层上，并且最上层的一部分与膜一起被去除，或者在最上层与位于最上层下方的层之间发生分离。此外，在以上描述的实施例中，由于激光引起的毛刺可能在对电极330中发生并且污染相邻的区域或增大最上层的粗糙度。在这种情况下，由于薄膜封装层500可能没有牢固地附着到最上层以防止氧或湿气的渗透，因此可能会降低有机发光二极管300的寿命。
然而，在根据实施例的显示面板10中，第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400未延伸到开口区域OP中，在开口区域OP周围不会发生以上提及的现象。
另外，根据实施例，通过使用以上描述的方法制造显示面板10，不需要去除开口区域OP中的第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400。因此，不仅可以减少制造的显示面板10的制造时段，而且可以减少制造的显示面板10的缺陷率。
图11是根据另一实施例的显示面板10的剖视图。图12是示出制造图11中示出的显示面板10的方法的一部分的剖视图。在图11和图12中，附图标记C表示穿过开口区域OP的中心的假想直线，图11和图12中示出的与图6和图7的附图标记相同的附图标记表示与图6和图7的构件相同的构件。
参照图11和图12，根据实施例，基底100不包括与开口区域OP对应的穿透孔。显示层200则包括与开口区域OP对应的穿透孔200H。薄膜封装层500不包括与开口区域OP对应的穿透孔。在这种情况下，在开口区域OP中未设置以上描述的绝缘层。在这种情况下，在形成每个绝缘层时，可以在开口区域OP中不形成像素电路层200B的绝缘层，或者可选地，可以布置屏蔽单元20以执行后续的操作，然后可以在开口区域OP中去除像素电路层200B的绝缘层。在下文中，为了便于描述，将主要详细地描述其中在形成每个绝缘层时在开口区域OP中不形成像素电路层200B的绝缘层的情况。
在以上描述的情况下，通过在第二非显示区域NDA2中在绝缘层上形成粘合单元23来固定屏蔽单元20。由于屏蔽单元20与参照图8至图10描述的屏蔽单元20相同或相似，因此将省略其详细描述。
根据实施例，可以与参照图8至图10描述的显示面板10相同或相似地制造显示面板10。
根据实施例，在形成像素电极310并形成覆盖开口区域OP和第二非显示区域NDA2的屏蔽单元20之后，顺序地形成第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400。在实施例中，在屏蔽单元20上顺序地堆叠第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400。此外，在实施例中，第二屏蔽单元22在显示面板10上方被间隔开并且不与显示面板10的上层接触，在制造显示面板10时不损坏显示面板10的层。接下来，去除屏蔽单元20。
可以通过在去除屏蔽单元20之后在基底100上形成薄膜封装层500来制造根据实施例的显示面板10。
因此，根据实施例，在显示面板10中，可以通过在开口区域OP中不形成额外的孔来使在形成孔时层的分离最小化。另外，由于第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一者未延伸到开口区域OP中，因此显示面板10的开口区域OP可以具有增大的透光率。
根据实施例，可以通过以上描述方法快速地制造显示面板10，并且制造的显示面板10在开口区域OP中具有高的透光率。
图13是根据另一实施例的显示面板10的剖视图。图14是示出制造图13中示出的显示面板10的方法的一部分的剖视图。在图13和图14中，附图标记C表示穿过开口区域OP的中心的假想直线，图13至图14中示出的与图6和图7的附图标记相同的附图标记表示与图6和图7的构件相同的构件。
参照图13和图14，根据实施例，显示层200不包括与开口区域OP对应的穿透孔200H，并且在开口区域OP中未形成显示元件层200A。在这种情况下，在开口区域OP中形成显示层200的像素电路层200B或像素电路层200B的绝缘层。
如以上描述的制造根据实施例的显示面板10的方法与参照图11和图12描述的方法相似。具体地，在形成像素电极310之后形成屏蔽单元20，并且在基底100和屏蔽单元20上顺序地堆叠第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400。在实施例中，在显示区域DA中并且在屏蔽单元20上但不在开口区域OP中形成第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400。另外，粘合单元23完全屏蔽开口区域OP并且将第一屏蔽单元21粘合到绝缘层，从而防止屏蔽单元20移动。接下来，去除屏蔽单元20并且形成薄膜封装层500。
因此，根据实施例，在显示面板10中，可以通过在开口区域OP中不形成额外的孔来使在形成孔时层之间的分离最小化。另外，由于第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400中的至少一者未延伸到开口区域OP中，因此显示面板10的开口区域OP具有增大的透光率。
可以以上述方法快速地制造根据实施例的显示面板10，并且所制造的显示面板10在开口区域OP中具有高的透光率。
图15是根据另一实施例的显示面板10'的剖视图。在图15中，附图标记C表示穿过开口区域OP的中心的假想直线，图15中示出的与图6和图7的附图标记相同的附图标记表示与图6和图7的构件相同的构件。
参照图15，根据实施例，与以上描述的包括薄膜封装层500的显示面板10不同，下面将描述的显示面板10'包括封装基底500A和密封单元700。
根据实施例，基底100、显示层200和封装基底500A中的一个或更多个包括均与开口区域OP对应的穿透孔100H、200H和500AH。在开口区域OP中未形成显示层200。
根据实施例，基底100包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素等中的一种。基底100具有包括无机层和以上描述的聚合物树脂的多层结构。在下文中，为了便于说明，将详细地描述其中基底100包括玻璃的实施例。
根据实施例，密封单元700形成在基底100与封装基底500A之间。在实施例中，密封单元700未形成在开口区域OP之上。然而，密封单元700的实施例不限于此，在另一实施例中，密封单元700形成在开口区域OP和第二非显示区域NDA2中。在这种情况下，密封单元700(图4的SAR)在平面图中完全覆盖开口区域OP。
根据实施例，封装基底500A与基底100相对设置。在实施例中，封装基底500A包括与基底100的材料相同或相似的材料。具体地，封装基底500A包括玻璃。在另一实施例中，封装基底500A包括塑料。在这种情况下，封装基底500A包括包含至少一种树脂的至少一个层。
在以上描述的实施例中，密封单元700将基底100与封装基底500A牢固地结合。
图16至图22是示出制造图15中示出的显示面板10'的方法的剖视图。在图16至图22中，附图标记C表示穿过开口区域OP的中心的假想直线，图16至图22中示出的与图6和图7的附图标记相同的那些附图标记表示与图6和图7的构件相同的构件。
参照图16至图22，根据实施例，在基底100上形成像素电极310之后，形成与开口区域OP和第二非显示区域NDA2对应的屏蔽单元20。在这种情况下，在开口区域OP中可以形成或可以不形成以上描述的绝缘层。在下文中，为了便于说明，将详细地描述其中在开口区域OP中未形成绝缘层的实施例。
根据实施例，在制造源电极S1和S2以及漏电极D1和D2时在第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中形成虚设布线220。具体地，在基底100的将要形成密封单元700的部分中形成虚设布线220。
根据实施例，在虚设布线220的外部形成粘合单元23。例如，粘合单元23与虚设布线220相比形成得在X方向上更靠近线C以屏蔽开口区域OP。在这种情况下，粘合单元23具有环或彼此间隔开的多个凸块的形式。在另一实施例中，粘合单元23具有板或平面膜的形式。在另一实施例中，在虚设布线220与OLED 300之间形成粘合单元23。在这种情况下，粘合单元23具有如以上描述的环或彼此间隔开的凸块的形式。在下文中，为了便于说明，将详细地描述其中在虚设布线220的外部形成粘合单元23的实施例。
现在参照图17，根据实施例，当形成屏蔽单元20时，在基底100上形成第一功能层321并在屏蔽单元20上形成第一功能层321A。在这种情况下，第一功能层321的端部321-1的厚度朝向虚设布线220减小。
现在参照图18，根据实施例，在第一功能层321上对多个发射层322进行图案化并形成为彼此间隔开。在这种情况下，在显示区域DA中形成发射层322，并且在屏蔽单元20中形成发射层322A。
现在参照图19，根据实施例，和第一功能层321一样，将第二功能层323形成在第二非显示区域NDA2的一部分中和显示区域DA的整个部分中，并且将第二功能层323A形成在第二非显示区域NDA2的一部分和开口区域OP中。在这种情况下，第二功能层323屏蔽发射层322。此外，由于屏蔽单元20，在基底100的开口区域OP和第二非显示区域NDA2的至少部分中未形成第二功能层323。
现在参照图20，根据实施例，将对电极330和覆盖层400在形成第二功能层323之后顺序地形成在第二功能层323上。
在以上描述的实施例中，与第一功能层321的端部321-1的厚度相似，发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400的端部的厚度朝向虚设布线220减小。
根据实施例，在如以上描述的形成第一功能层321、发射层322、第二功能层323、对电极330和覆盖层400之后去除屏蔽单元20。在这种情况下，粘合单元23的一部分保留在开口区域OP中。
现在参照图21，根据实施例，在去除屏蔽单元20之后，在虚设布线220上形成密封单元700。接下来，将封装基底500A形成为与基底100相对，并且将电压施加到虚设布线220，通过密封单元700将封装基底500A和基底100彼此结合。密封单元700的实施例不限于此，并且当不设置虚设布线220时，通过激光或外部光使密封单元700固化。接下来，如图22中所示，通过使用去除单元L去除封装基底500A和基底100的与开口区域OP对应的部分。
图23是根据另一实施例的显示面板10'的剖视图。在图23中，附图标记C表示穿过开口区域OP的中心的假想直线，图23中示出的与图6和图7的附图标记相同的那些附图标记表示与图6和图7的构件相同的构件。
参照图23，根据实施例，在显示面板10'中，穿透孔500AH形成在封装基底500A中。另外，显示元件层200A和像素电路层200B未形成在开口区域OP中。
根据实施例，可以与图16至图21中示出的显示面板10'相似地制造以上描述的显示面板10'。在这种情况下，通过使用去除单元L形成封装基底500A的穿透孔500AH。
图24是根据另一实施例的显示面板10'的剖视图。在图24中，附图标记C表示穿过开口区域OP的中心的假想直线，图24中示出的与图6和图7的附图标记相同的那些附图标记表示与图6和图7的构件相同的构件。
参照图24，根据实施例，在显示面板10'中，未在开口区域OP中形成穿透孔。在这种情况下，尽管显示元件层200A未形成在开口区域OP中，但是像素电路层200B形成在开口区域OP中。另外，密封单元700形成在第一非显示区域NDA1中。
在实施例中，可以与参照图16至图22描述的显示面板10'相似地制造显示面板10'。
图25是在制造根据实施例的显示面板10时使用的屏蔽单元20的透视图。
参照图25，根据实施例，屏蔽单元20包括第一屏蔽单元21、第二屏蔽单元22和粘合单元23。在这种情况下，第一屏蔽单元21和第二屏蔽单元22被示出为具有三维形状。例如，第一屏蔽单元21从第二屏蔽单元22突出。在这种情况下，在第一屏蔽单元21中提供内部空间。具体地，屏蔽单元20的在高度方向(诸如图25中所示的Z方向)上的剖面(诸如在YZ平面或XZ平面中的剖面)具有不平坦的形状。
以上描述的第一屏蔽单元21可以具有各种形状。例如，第一屏蔽单元21的与第一屏蔽单元21的高度方向垂直的剖面形状可以是半圆形、圆形、椭圆形、多边形或月牙形。在这种情况下，第一屏蔽单元21的与第一屏蔽单元21的高度方向垂直的剖面与开口区域OP的形状对应。
根据实施例，第二屏蔽单元22的周长大于第一屏蔽单元21的周长。在这种情况下，第二屏蔽单元22从第一屏蔽单元21突出。
根据实施例，粘合单元23形成在第一屏蔽单元21中。在这种情况下，粘合单元23具有环的形式，第一屏蔽单元21的内部空间在平面图中被粘合单元23包围。
在实施例中，以上描述的开口区域OP形成在被粘合单元23包围的内部空间中。在这种情况下，粘合单元23形成在以上描述的第二非显示区域NDA2中。
在另一实施例中，粘合单元23形成在开口区域OP中。在这种情况下，当孔形成在开口区域OP中时，粘合单元23的保留在开口区域OP中的部分当在开口区域OP中形成孔时被去除。
在另一实施例中，粘合单元23同时形成在开口区域OP和第二非显示区域NDA2中。在这种情况下，开口区域OP的一部分形成在粘合单元23的内部空间中。
图26是在制造根据实施例的显示面板10'时使用的另一屏蔽单元20'的透视图。
参照图26，根据实施例，屏蔽单元20'包括第一屏蔽单元21、第二屏蔽单元22和粘合单元23。
根据实施例，在第一屏蔽单元21中不形成内部空间。在这种情况下，第一屏蔽单元21具有柱的形式，第二屏蔽单元22具有平面形状。
根据实施例，彼此间隔开的多个粘合单元23沿着第一屏蔽单元21中的圆来设置。在这种情况下，多个粘合单元23被布置在同一圆周上。在另一实施例中，多个粘合单元23从第一屏蔽单元21的中心到第一屏蔽单元21的外表面以一条线设置。多个粘合单元23的实施例不限于此，在其他实施例中，粘合单元23可以被布置为形成图案或被随机布置在第一屏蔽单元21上。
根据实施例，多个粘合单元23被布置在多个位置处。
在实施例中，当多个粘合单元23形成内部空间时，以上描述的开口区域OP基本上与由多个粘合单元23形成的内部空间对应。另外，多个粘合单元23被布置在以上描述的第二非显示区域NDA2中。
在另一实施例中，多个粘合单元23可以在开口区域OP中彼此间隔开。在这种情况下，当孔形成在开口区域OP中时，当在开口区域OP中形成孔时，粘合单元23的保留在开口区域OP中的部分被去除。
在另一实施例中，多个粘合单元23在开口区域OP和第二非显示区域NDA2中彼此间隔开。
图27是在制造根据实施例的显示面板时使用的另一屏蔽单元20”的透视图。
参照图27，根据实施例，屏蔽单元20”包括第一屏蔽单元21、第二屏蔽单元22和粘合单元23。
根据实施例，粘合单元23形成在第一屏蔽单元21的表面上。在这种情况下，粘合单元23形成为一体。
根据实施例，粘合单元23可以被布置在多个位置处。
在实施例中，屏蔽单元20”设置在开口区域OP中以屏蔽开口区域OP。在这种情况下，保留在开口区域OP中的粘合单元23在屏蔽单元20被去除时以及在穿透孔形成在开口区域OP中时被去除。
在另一实施例中，粘合单元23还设置在开口区域OP中。在这种情况下，在孔形成在开口区域OP中时，粘合单元23被去除。
在另一实施例中，粘合单元23形成在开口区域OP和第二非显示区域NDA2中。在这种情况下，粘合单元23屏蔽开口区域OP。
根据实施例的显示设备具有平坦的表面，显示设备的寿命因防止了氧和湿气的渗透而增加。
根据实施例的制造显示设备的方法可以使显示设备中的缺陷最小化。另外，可以通过根据实施例的制造显示设备的方法来制造具有增加的寿命的显示设备。
应该理解的是，这里描述的示例性实施例应该仅以描述性意义考虑，而不是出于限制的目的。每个示例性实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他示例性实施例中的其他相似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个示例性实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (23)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括显示区域、位于所述显示区域中的开口区域以及围绕所述开口区域的至少一部分的非显示区域；
像素限定层，位于所述基底上，并且包括至少一个开口；
中间层，设置在所述至少一个开口中；
对电极，覆盖所述中间层和所述像素限定层；以及
覆盖层，覆盖所述对电极，
其中，所述中间层、所述对电极和所述覆盖层中的至少一者仅设置在所述显示区域和所述非显示区域的与所述显示区域相邻的部分中，而不设置在所述非显示区域的与所述开口区域相邻的部分中，并且所述中间层、所述对电极和所述覆盖层中的所述至少一者的端部设置在所述像素限定层的上表面上，并且在所述像素限定层的所述上表面上具有朝向所述基底的所述开口区域减小的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述中间层包括第一功能层和第二功能层中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述中间层、所述对电极和所述覆盖层顺序地堆叠在所述像素限定层上。
4.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述基底上并在所述基底上方隔开的封装基底。
5.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述覆盖层上的薄膜封装层。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，穿透孔形成在所述开口区域中。
7.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在基底上形成像素限定层，其中，所述基底包括开口区域和至少部分地围绕所述开口区域的非显示区域；
形成屏蔽单元，所述屏蔽单元覆盖所述像素限定层的一部分、所述开口区域和所述非显示区域；以及
在所述像素限定层和所述屏蔽单元上形成中间层、对电极和覆盖层，
其中，所述屏蔽单元包括：
第一屏蔽单元，屏蔽所述开口区域；以及
第二屏蔽单元，在所述像素限定层的上表面上方隔开，所述第一屏蔽单元的一部分在远离所述基底的方向上弯曲并连接到所述第二屏蔽单元。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一屏蔽单元和所述第二屏蔽单元分别在不同的高度处形成。
9.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括从所述基底去除所述屏蔽单元。
10.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在基底上形成像素限定层，其中，所述基底包括开口区域和至少部分地围绕所述开口区域的非显示区域；
形成屏蔽单元，所述屏蔽单元覆盖所述像素限定层的一部分、所述开口区域和所述非显示区域；
在所述像素限定层和所述屏蔽单元上形成中间层、对电极和覆盖层；以及
从所述基底去除所述屏蔽单元，
其中，所述屏蔽单元包括形成在所述屏蔽单元与所述基底之间的粘合单元。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述粘合单元的至少一部分形成在所述非显示区域中。
12.根据权利要求7或10所述的方法，所述方法还包括在所述基底上方并与所述基底分开地形成封装基底，以及将所述封装基底附着到所述基底。
13.根据权利要求7或10所述的方法，所述方法还包括在所述像素限定层上形成薄膜封装层。
14.根据权利要求7或10所述的方法，所述方法还包括在所述基底中形成穿透孔。
15.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在基底上形成像素限定层，其中，所述基底包括显示区域、位于所述显示区域中的开口区域以及至少部分地围绕所述开口区域的非显示区域；以及
将屏蔽单元附着到所述开口区域或所述非显示区域，所述屏蔽单元屏蔽所述像素限定层的一部分、所述开口区域和所述非显示区域，
其中，所述屏蔽单元的第一部分与所述像素限定层间隔开，并且
其中，所述屏蔽单元的第二部分的一部分在远离所述基底的方向上弯曲并连接到所述屏蔽单元的所述第一部分，使得所述屏蔽单元的所述第一部分在与所述屏蔽单元的所述第二部分的高度不同的高度处形成。
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括：
在所述像素限定层和所述屏蔽单元上形成中间层、对电极和覆盖层。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述屏蔽单元被附着到所述显示区域或所述非显示区域。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，
所述屏蔽单元在所述显示区域或所述非显示区域中的多个位置处被附着到所述显示区域或所述非显示区域，其中，所述多个位置彼此间隔开。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述屏蔽单元被附着到所述非显示区域并且覆盖所述开口区域。
20.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括从所述基底去除所述屏蔽单元。
21.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在所述基底之上形成与所述基底间隔开的封装基底，以及将所述封装基底与所述基底结合。
22.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在所述像素限定层上形成薄膜封装层。
23.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在所述基底中形成穿透孔。
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