CN111883285A - 一种耐划伤高透过的ito透明导电膜 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，包括由下往上层叠设置的加硬层、第二底涂层、基材层、第一底涂层、高折射率加硬层、二氧化硅耐磨层和氧化铟锡层，所述氧化铟锡层的厚度为15‑65nm；所述二氧化硅耐磨层的厚度为5‑25nm，折射率为1.43‑1.58，所述高折射率加硬层的厚度为0.3‑3μm，折射率为1.62‑1.67，在涂敷到高折射率加硬层和氧化铟锡层之间增加了二氧化硅耐磨层，能够有效提升ITO导电膜表面的硬度，使ITO导电膜在生产过程中，其表面更具有耐磨性，不容易被划伤。

Description

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜

技术领域

本发明涉及导电膜领域，尤其涉及一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜。

背景技术

近年来，随着半导体制造技术及光伏技术突飞猛进的发展，诸如平面显示器、触控屏、窗膜、聚合物分散液晶、太阳能电池等技术迅速发展和完善，这些新技术都需要用到透明导电膜作为电极、受光面或者电磁脉冲屏蔽膜。以触控屏为例，触控屏中常用的几种类型如电阻式触控屏、表面电容式触控屏、感应电容式触控屏都需要利用透明导电膜作为电极材料。

在常规的透明导电膜里，ITO(氧化铟与氧化锡混合物)膜是最常用，也是性能最好的一种。ITO是一种氧化锡与三氧化二铟的混合物，不仅导电性和透明性优于其他诸如：AZO、三氧化二铝等材料，而且具有其他透明导电膜所不具备的高硬度与高化学稳定性。

例如目前在大规模生产中，大多选用ITO作为透明导电膜的材料。但缺点是现有的ITO膜在生产过程中,容易被划伤,导致ITO薄膜形成不过多的不良品。

发明内容

本发明目的是：提供一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，以弥补现有技术在这一块的不足。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，包括由下往上层叠设置的加硬层、第二底涂层、基材层、第一底涂层、高折射率加硬层、二氧化硅耐磨层和氧化铟锡层，

所述氧化铟锡层的厚度为15-65nm；

所述二氧化硅耐磨层的厚度为5-25nm，折射率为1.43-1.58，

所述高折射率加硬层的厚度为0.3-3μm，折射率为1.62-1.67。

在某些实施方式中，所述二氧化硅耐磨层中二氧化硅含量为90％-100％，所述二氧化硅耐磨层为二氧化硅层、二氧化硅与氮化硅混合后形成的二氧化硅氮化硅混合层、或者二氧化硅与氧化铝混合后形成的二氧化硅氧化铝混合层。

在某些实施方式中，所述氧化铟锡层厚度为15-50nm，铟锡比例为90:10-93:7，结晶后电阻为25-170欧姆。

在某些实施方式中，所述高折射率加硬层为掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量25-35％，硬度为铅笔硬度1H-3H。

在某些实施方式中，所述加硬层为IM膜，厚度为0.3-3um，折射率为1.48-1.54，硬度为铅笔硬度1H-3H。

在某些实施方式中，所述第二底涂层为丙烯酸树脂层、聚氨酯树脂层、或者有机硅树脂层，厚度为30-200nm，折射率为1.55-1.59。

在某些实施方式中，所述基材层为PET层、透明PI层、PC层、PMMA层、玻璃层、聚酯塑料层、环氧塑料层、芳纶塑料层中的一种，厚度为4-700um。

在某些实施方式中，所述第一底涂层为丙烯酸树脂层，或者聚氨酯树脂层，或者有机硅树脂层，厚度为30-200nm，折射率为1.62-1.67。

在某些实施方式中，所述加硬层厚度为1-3um，折射率为1.5，硬度为铅笔硬度1H-2H；所述第二底涂层厚度为80nm，折射率为1.57；

所述基材层厚度为23-125um；

所述第一底涂层厚度为80nm，折射率为1.57；

所述高折射率加硬层厚度为1-2.5μm，折射率为1.65，硬度为铅笔硬度1H-2H；

二氧化硅耐磨层厚度为12-18nm，折射率为1.46-1.5；

氧化铟锡层厚度为18-25nm，结晶后电阻为100-140欧姆。

本发明的范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

本发明提供的耐划伤高透过的ITO透明导电膜在高折射率加硬层和氧化铟锡层之间增加了二氧化硅耐磨层，能够有效提升ITO导电膜表面的硬度，使ITO导电膜在生产过程中，其表面更具有耐磨性，不容易被划伤。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

实施例：本案提供的这种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其层叠结构如图1所示，具有由下往上层叠设置的：涂布而成的加硬层10、涂布而成的第二底涂层11、基材层12、涂布而成的第一底涂层13、涂布而成的高折射率加硬层14、溅射而成的二氧化硅耐磨层15和溅射而成的氧化铟锡层16，制作工艺可采用常规的涂布法、磁控溅射沉积法，其工艺过程及工艺参数可以参照现有技术，在此不再赘述。

通过对各层材料、或组成含量、或厚度搭配不同选择，可以形成多种不同的实施例。下面我们就例举十六个实施例对我们的产品及其性能加以说明：

实施例1

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为1um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅，厚度为12nm；ITO，厚度为18nm,透过率92％，硬度为1H，

此时耐划伤高透过的ITO透明导电膜具有较佳的性能(包括耐划伤、透明度等)。

实施例2

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为1um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为23um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅与氧化铝混合后形成的二氧化硅氧化铝混合物，厚度为15nm；ITO，厚度为18nm,

ITO透过率92％，硬度为1H。

实施例3

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为1um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅，厚度为18nm；ITO，厚度为18nm,ITO透过率92％，硬度为1H。

实施例4

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为1um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅与氧化铝混合后形成的二氧化硅氧化铝混合物，厚度为15nm；ITO，厚度为18nm,

ITO透过率91.5％，硬度为1H。

实施例5

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为1um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅与氧化铝混合后形成的二氧化硅氧化铝混合物，厚度为15nm；ITO，厚度为25nm,

ITO透过率91.5％，硬度为1H。

实施例6

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为1um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅，厚度为15nm；ITO，厚度为25nm,ITO透过率91.5％，硬度为1H。

实施例7

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为1um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为2.5um；二氧化硅，厚度为12nm；ITO，厚度为18nm,ITO透过率92％，硬度为2H。

实施例8

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为1um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为2.5um；二氧化硅，厚度为15nm；ITO，厚度为25nm,ITO透过率91.5％，硬度为2H。

实施例9

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为3um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为2.5um；二氧化硅，厚度为15nm；ITO，厚度为25nm,ITO透过率91.5％，硬度为2H。

实施例10

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，度为2um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为2.5um；二氧化硅，厚度为15nm；ITO，厚度为25nm,ITO透过率91.5％，硬度为2H。

实施例11

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，为2um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅，厚度为12nm；ITO，厚度为18nm,ITO透过率92％，硬度为1H。

实施例12

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为2um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅，厚度为12nm；ITO，厚度为18nm,ITO透过率92％，硬度为1H。

实施例13

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为2um；丙烯酸树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅，厚度为12nm；ITO，厚度为18nm,ITO透过率92％，硬度为1H。

实施例14

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为2um；有机硅树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅，厚度为12nm；ITO，厚度为18nm,ITO透过率92％，硬度为1H。

实施例15

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为2um；聚氨酯树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；有机硅树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅，厚度为12nm；ITO，厚度为18nm,ITO透过率92％，硬度为1H。

实施例16

一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜构成为由下往上层叠设置的由下往上层叠设置的加硬层10、第二底涂层11、基材层12、第一底涂层13、高折射率加硬层14、二氧化硅耐磨层15和氧化铟锡层16，各层材料分别为IM膜，厚度为2um；有机硅树脂，厚度为80nm；PET，厚度为125um；有机硅树脂，厚度为80nm；掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量30％，厚度为1um；二氧化硅厚度为12nm；ITO，厚度为18nm,ITO透过率92％，硬度为1H。

表1为实施例1-16产品的统计和测试结果

表1

由上表得出结论，耐划伤次数越多表示越耐受磨。

当然上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：包括由下往上层叠设置的加硬层、第二底涂层、基材层、第一底涂层、高折射率加硬层、二氧化硅耐磨层和氧化铟锡层，

所述氧化铟锡层的厚度为15-65nm；

所述二氧化硅耐磨层的厚度为5-25nm，折射率为1.43-1.58，

所述高折射率加硬层的厚度为0.3-3μm，折射率为1.62-1.67。

2.根据权利要求1所述的一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：所述二氧化硅耐磨层中二氧化硅含量为90%-100%，所述二氧化硅耐磨层为二氧化硅层、二氧化硅与氮化硅混合后形成的二氧化硅氮化硅混合层、或者二氧化硅与氧化铝混合后形成的二氧化硅氧化铝混合层。

3.根据权利要求1所述的一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：所述氧化铟锡层厚度为15-50nm，铟锡比例为90:10-93:7，结晶后电阻为25-170欧姆。

4.根据权利要求1所述的一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：所述高折射率加硬层为掺杂有二氧化锆纳米粒子的丙烯酸树脂层，二氧化锆纳米粒子含量25-35%，硬度为铅笔硬度1H-3H。

5.根据权利要求1所述的一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：所述加硬层为IM膜，厚度为0.3-3um，折射率为1.48-1.54，硬度为铅笔硬度1H-3H。

6.根据权利要求1所述的一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：所述第二底涂层为丙烯酸树脂层、聚氨酯树脂层、或者有机硅树脂层，厚度为30-200nm，折射率为1.55-1.59。

7.根据权利要求1所述的一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：所述基材层为PET层、透明PI层、PC层、PMMA层、玻璃层、聚酯塑料层、环氧塑料层、芳纶塑料层中的一种，厚度为4-700um。

8.根据权利要求1所述的一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：所述第一底涂层为丙烯酸树脂层，或者聚氨酯树脂层，或者有机硅树脂层，厚度为30-200nm，折射率为1.62-1.67。

9.根据权利要求1所述的一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，其特征在于：

所述加硬层厚度为1-3um，折射率为1.5，硬度为铅笔硬度1H-2H；

所述第二底涂层厚度为80 nm，折射率为1.57；

所述基材层厚度为23-125um；

所述第一底涂层厚度为80 nm，折射率为1.57；

所述高折射率加硬层厚度为1-2.5μm，折射率为1.65，硬度为铅笔硬度1H-2H；

二氧化硅耐磨层厚度为12-18nm，折射率为1.46-1.5；

氧化铟锡层厚度为18-25nm，结晶后电阻为100-140欧姆。

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