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CN111875833A - 一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法 - Google Patents

一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法 Download PDF

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CN111875833A
CN111875833A CN202010547738.5A CN202010547738A CN111875833A CN 111875833 A CN111875833 A CN 111875833A CN 202010547738 A CN202010547738 A CN 202010547738A CN 111875833 A CN111875833 A CN 111875833A
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coating
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王灵慧
董红星
刘楷楷
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NINGBO HUGHSTAR ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY CO LTD
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NINGBO HUGHSTAR ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY CO LTD
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Abstract

本发明提供了一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法，薄膜包括从下到上依次贴合的基膜、底涂层以及高水接抗静电硬化层；方法包括以下步骤：步骤S001，选材；根据需求选择合适厚度和材料的基膜；步骤S002，贴合底涂层；将底涂液涂布在基膜上固化后形成底涂层；步骤S003，配置高水接抗静电涂液；将不饱和的丙烯酸树脂、附着促进剂、抗静电剂、固化剂和特殊助剂溶于溶剂中配置成高水接抗静电涂液；步骤S004，贴合高水接抗静电硬化层；用凹版辊将高水接抗静电涂液涂布在底涂层上经烘箱加热后，再经过UV机固化形成高水接抗静电硬化层。本薄膜具有防指纹、抗脏污以及抗静电的功能并且稳定性好，本方法制备过程简单，能快速实现大批量生产。

Description

一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法
技术领域
本发明涉及薄膜领域，特别是涉及一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法。
背景技术
随着电子工业的迅猛发展，主机电路板电路越来越密集，静电累积的问题越来越突出，用抗静电薄膜从表层减少静电累积的方法被提出；抗静电薄膜主要用于移动电子产品触摸屏、保护膜、各类面板制成品以及出货产品表面的保护。随着保护膜的快速发展，对于抗指纹，防脏污，硬度，耐磨等也有了新的要求。
现有的薄膜抗静电效果差、防指纹效果差并且制备过程繁琐生产效率低。目前，制备抗静电薄膜的方法主要分为两种，一种是在薄膜内添加抗静电剂，另一种是进行二次处理(即在薄膜表面涂布抗静电剂)；薄膜内添加抗静电剂，一般会静电值不稳定，容易受环境影响，对于后道制程有具体限定；二次处理方法中的抗静电剂如聚噻吩，氧化锑和二氧化锡粉体的混合物等一般带有颜色对透明基材的透过率雾度有一定影响，实用性较低。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明所要解决的问题是提供一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法，以克服现有薄膜抗静电效果差、防指纹效果差、制备过程繁琐不适用大批量生产的缺陷。
(二)技术方案
为解决所述技术问题，本发明提供一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法，包括从下到上依次贴合的基膜、底涂层以及高水接抗静电硬化层。通过基膜、底涂层和高水接抗静电硬化层的配合，本薄膜具有抗静电、高水接触角以及兼顾硬度和耐磨度的特点。
进一步的，所述基膜为透明薄膜，材质选自PC、TAC、PET、PP或PMMA，厚度为12μm-300μm。所述底涂层的材质选自PU或亚克力，厚度为50nm-150nm。所述高水接抗静电硬化层由高水接抗静电涂液固化形成，厚度为0.1μm-5.5μm，优选为0.1μm-5μm。
进一步的，以质量百分含量计，所述高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％-50％，附着促进剂0.02％-0.8％，抗静电剂1.5％-4％，固化剂1.2％-3.2％，特殊助剂0.02％-0.8％，溶剂41.8％-57.96％。所述不饱和的丙烯酸树脂选自聚氨酯丙烯酸树脂、聚酯丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂、氟丙烯酸树脂或特殊改性丙烯酸树脂中的一种或几种的组合；所述附着促进剂选自硅烷类促进剂或钛酸酯类促进剂中的一种或两种结合，所述硅烷类促进剂选自水性硅烷、氨基硅烷、酰氧基硅烷、乙烯基硅烷、含硫硅烷、环氧硅烷、脲基硅烷或苯基硅烷中的一种或几种组合，所述钛酸酯类促进剂选自单烷氧基类、螯合型或配位型中的一种或几种组合；所述抗静电剂选自阴离子型、阳离子型或非离子型中的一种或几种组合；所述固化剂选自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羟基环己基苯基甲酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-乙烯基-苯基氧化膦、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉丙酮-1、2-羟基-2-甲基-苯丙酮基-1或2-羟基-2-甲基-对羟乙基醚苯丙酮基-1中的一种或几种组合；所述特殊助剂为含氟助剂；所述溶剂选自乙醇、IPA、丙醇、丙酮、甲基异丁基酮、丁酮、丙二醇甲醚、丙二醇单丁基醚、乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的两种以上的组合。
本发明提供的一种高水接抗静电硬化薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S001，选材；根据需求选择合适厚度和材料的基膜；其中，所述基膜为透明基膜，材质选自PC、TAC、PET、PP或PMMA，厚度为12μm-300μm；
步骤S002，贴合底涂层；将底涂液涂布在所述基膜上固化后形成底涂层；所述底涂层的材质选自PU或亚克力，厚度为50nm-150nm。
步骤S003，配置高水接抗静电涂液；将不饱和的丙烯酸树脂、附着促进剂、抗静电剂、固化剂和特殊助剂溶于溶剂中，调节比例后配置成高水接抗静电涂液；
步骤S004，贴合高水接抗静电硬化层；用凹版辊将所述高水接抗静电涂液涂布在所述底涂层上经烘箱加热后，再经过UV机固化形成高水接抗静电硬化层。其中，所述烘箱的加热温度为50℃-90℃，加热时间为2-5min；所述UV机的能量为：400-500mj/cm2，固化后高水接抗静电硬化层的厚度为0.1μm-5.5μm。
进一步的，在步骤S003中，以质量百分比计，所述高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％-50％，附着促进剂0.02％-0.8％，抗静电剂1.5％-4％，固化剂1.2％-3.2％，特殊助剂0.02％-0.8％，溶剂41.8％-57.96％；所述不饱和的丙烯酸树脂选自聚氨酯丙烯酸树脂、聚酯丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂、氟丙烯酸树脂或特殊改性丙烯酸树脂中的一种或几种的组合；所述附着促进剂选自硅烷类促进剂或钛酸酯类促进剂中的一种或两种结合，所述硅烷类促进剂选自水性硅烷、氨基硅烷、酰氧基硅烷、乙烯基硅烷、含硫硅烷、环氧硅烷、脲基硅烷或苯基硅烷中的一种或几种组合，所述钛酸酯类促进剂选自单烷氧基类、螯合型或配位型中的一种或几种组合；所述抗静电剂选自阴离子型、阳离子型或非离子型中的一种或几种组合；所述固化剂选自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羟基环己基苯基甲酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-乙烯基-苯基氧化膦、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉丙酮-1、2-羟基-2-甲基-苯丙酮基-1或2-羟基-2-甲基-对羟乙基醚苯丙酮基-1中的一种或几种组合；所述特殊助剂为含氟助剂；所述溶剂选自乙醇、IPA、丙醇、丙酮、甲基异丁基酮、丁酮、丙二醇甲醚、丙二醇单丁基醚、乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的两种以上的组合。
(三)有益效果
本发明提供的一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法，本薄膜对水的静态接触角可稳定在110°，阻抗可稳定在1.0×109～1.0×1011之间，能够有效实现防指纹、抗脏污以及抗静电的功能并且稳定性好；本薄膜的制备方法，制备过程简单，加工生产快速，加工成本低，能快速实现大批量生产；克服了现有薄膜抗静电效果差、防指纹效果差、制备过程繁琐不适用大批量生产的缺陷。
附图说明
图1为本发明一种高水接抗静电硬化薄膜的结构示意简图；
图2为本发明一种高水接抗静电硬化薄膜的制备方法的流程图；
图中各个附图标记的对应的部件名称是：1、基膜；2、底涂层；3、高水接抗静电硬化层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例一：
参阅图1，本实施例提供一种高水接抗静电硬化薄膜，包括从下到上依次贴合的基膜1、底涂层2以及高水接抗静电硬化层3。
基膜1为透明薄膜，材质选自PC(聚碳酸酯)、TAC(三醋酸纤维薄膜)、PET(聚对苯二甲酸类塑料)、PP(聚丙烯)或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)，基膜1厚度优选为12μm-300μm，本实施例中，基膜1厚度为50μm。薄膜中的底涂层2一般是为了改善附着力而涂布，一般通过底涂液热固后形成，底涂层2的材质选自PU(聚氨酯)或亚克力，底涂层2厚度为50nm-150nm，本实施例中，底涂层2厚度为50nm。高水接抗静电硬化层3由高水接抗静电涂液固化后形成，厚度为0.1μm-5.5μm，优选为0.1μm-5μm；本实施例中，高水接抗静电硬化层3的厚度为2μm。
以质量百分含量计，高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％-50％，附着促进剂0.02％-0.8％，抗静电剂1.5％-4％，固化剂1.2％-3.2％，特殊助剂0.02％-0.8％，溶剂41.8％-57.96％。不饱和的丙烯酸树脂选自聚氨酯丙烯酸树脂、聚酯丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂、氟丙烯酸树脂或特殊改性丙烯酸树脂中的一种或几种的组合；附着促进剂选自硅烷类促进剂或钛酸酯类促进剂中的一种或两种结合，硅烷类促进剂选自水性硅烷、氨基硅烷、酰氧基硅烷、乙烯基硅烷、含硫硅烷、环氧硅烷、脲基硅烷或苯基硅烷中的一种或几种组合，钛酸酯类促进剂选自单烷氧基类、螯合型或配位型中的一种或几种组合；抗静电剂选自阴离子型、阳离子型或非离子型中的一种或几种组合；固化剂选自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羟基环己基苯基甲酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-乙烯基-苯基氧化膦、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉丙酮-1、2-羟基-2-甲基-苯丙酮基-1或2-羟基-2-甲基-对羟乙基醚苯丙酮基-1中的一种或几种组合；特殊助剂为含氟助剂；溶剂选自乙醇、IPA、丙醇、丙酮、甲基异丁基酮、丁酮、丙二醇甲醚、丙二醇单丁基醚、乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的两种以上的组合。本实施例中，高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％，附着促进剂0.8％，抗静电剂2.5％，固化剂2.4％，特殊助剂0.45％，溶剂53.45％。
参阅图2，本实施例还提供了一种上述薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S001，选材；根据需求选择合适厚度和材料的基膜1；基膜1为透明薄膜，材质选自PC(聚碳酸酯)、TAC(三醋酸纤维薄膜)、PET(聚对苯二甲酸类塑料)、PP(聚丙烯)或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)，基膜1厚度优选为12μm-300μm；本实施例中，基膜1厚度为50μm。
步骤S002，贴合底涂层；将底涂液涂布在基膜1上固化后形成底涂层2；薄膜中的底涂层2一般是为了改善附着力而涂布，一般通过底涂液热固后形成，底涂层2的材质选自PU(聚氨酯)或亚克力，底涂层2厚度为50nm-150nm。本实施例中，底涂层2厚度为50nm。
步骤S003，配置高水接抗静电涂液；将不饱和的丙烯酸树脂、附着促进剂、抗静电剂、固化剂和特殊助剂溶于溶剂中，调节比例后配置成高水接抗静电涂液；以质量百分比计，高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％-50％，附着促进剂0.02％-0.8％，抗静电剂1.5％-4％，固化剂1.2％-3.2％，特殊助剂0.02％-0.8％，溶剂41.8％-57.96％；不饱和的丙烯酸树脂选自聚氨酯丙烯酸树脂、聚酯丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂、氟丙烯酸树脂或特殊改性丙烯酸树脂中的一种或几种的组合；附着促进剂选自硅烷类促进剂或钛酸酯类促进剂中的一种或两种结合，硅烷类促进剂选自水性硅烷、氨基硅烷、酰氧基硅烷、乙烯基硅烷、含硫硅烷、环氧硅烷、脲基硅烷或苯基硅烷中的一种或几种组合，钛酸酯类促进剂选自单烷氧基类、螯合型或配位型中的一种或几种组合；抗静电剂选自阴离子型、阳离子型或非离子型中的一种或几种组合；固化剂选自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羟基环己基苯基甲酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-乙烯基-苯基氧化膦、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉丙酮-1、2-羟基-2-甲基-苯丙酮基-1或2-羟基-2-甲基-对羟乙基醚苯丙酮基-1中的一种或几种组合；特殊助剂为含氟助剂；溶剂选自乙醇、IPA、丙醇、丙酮、甲基异丁基酮、丁酮、丙二醇甲醚、丙二醇单丁基醚、乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的两种以上的组合。本实施例中，高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％，附着促进剂0.8％，抗静电剂2.5％，固化剂2.4％，特殊助剂0.45％，溶剂53.45％。
步骤S004，贴合高水接抗静电硬化层；用凹版辊将高水接抗静电涂液涂布在底涂层2上经烘箱加热后，再经过UV机固化形成高水接抗静电硬化层3。其中，烘箱的加热温度为50℃-90℃，加热时间为2-5min；UV机的能量为：400-500mj/cm2；固化后，高水接抗静电硬化层3的厚度为2μm。
实施例2：
本实施例提供的一种高水接抗静电硬化薄膜与实施例1的区别在于：高水接抗静电硬化层3的厚度为4.1μm。
本实施例制备上述薄膜的方法与实施例1的区别在于：在步骤S004中，固化后，高水接抗静电硬化层3的厚度为4.1μm。
实施例3：
本实施例提供的一种高水接抗静电硬化薄膜与实施例1的区别在于：高水接抗静电硬化层3的厚度为5μm。
本实施例制备上述薄膜的方法与实施例1的区别在于：在步骤S004中，固化后，高水接抗静电硬化层3的厚度为5μm。
实施例4：
本实施例提供的一种高水接抗静电硬化薄膜与实施例2的区别在于：高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％，附着促进剂0.78％，抗静电剂2.4％，固化剂2.4％，特殊助剂0.45％，溶剂54％。
本实施例制备上述薄膜的方法与实施例2的区别在于：在步骤S003中，高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％，附着促进剂0.78％，抗静电剂2.4％，固化剂2.4％，特殊助剂0.45％，溶剂54％。
实施例5：
本实施例提供的一种高水接抗静电硬化薄膜与实施例2的区别在于：高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％，附着促进剂0.7％，抗静电剂1.5％，固化剂2.4％，特殊助剂0.45％，溶剂54.95％。
本实施例制备上述薄膜的方法与实施例2的区别在于：在步骤S003中，高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％，附着促进剂0.7％，抗静电剂1.5％，固化剂2.4％，特殊助剂0.45％，溶剂54.95％。
实施例6：
本实施例提供的一种高水接抗静电硬化薄膜与实施例2的区别在于：高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％，附着促进剂1％，抗静电剂4％，固化剂2.4％，特殊助剂0.45％，溶剂52.15％。
本实施例制备上述薄膜的方法与实施例2的区别在于：在步骤S003中，高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％，附着促进剂1％，抗静电剂4％，固化剂2.4％，特殊助剂0.45％，溶剂52.15％。
对实施例1～6中制备得到的薄膜的水接触角和阻抗进行测试，结果如表1所示：
表1：实施例1至实施例6的薄膜主要性能的检测数据
Figure BDA0002541344580000081
由实施例1、实施例2、实施例3和实施例4可以得出水接触角稳定性较好，对水的静态接触角可稳定在110°，且水解的大小会随着涂布厚度变大而增加；由上述实施例对比并经过多次试验，发现高水接抗静电硬化层厚度在2-5μm时阻抗稳定在1.0×109-1.0×1011；由实施例2、实施例4、实施例5和实施例6对比相同涂布厚度，不同抗静电剂添加量对阻抗的影响，经过多次试验，抗静电剂在1.5％-4％时，阻抗稳定在1.0×109-1.0×1011之间。综上所述，本发明制备的薄膜具有高水接触角和抗静电的特点。
本发明提供的一种高水接抗静电硬化薄膜及制备方法，本薄膜对水的静态接触角可稳定在110°，阻抗稳定在1.0×109-1.0×1011之间，能够有效实现防指纹、抗脏污以及抗静电的功能并且稳定性好；本薄膜的制备方法，制备过程简单，加工生产快速，加工成本低，能快速实现大批量生产；克服了现有薄膜抗静电效果差、防指纹效果差、制备过程繁琐不适用大批量生产的缺陷，具有很好的应用前景。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种高水接抗静电硬化薄膜，其特征在于：包括从下到上依次贴合的基膜(1)、底涂层(2)以及高水接抗静电硬化层(3)。
2.如权利要求1所述的高水接抗静电硬化薄膜，其特征在于：所述基膜(1)为透明薄膜，材质选自PC、TAC、PET、PP或PMMA，厚度为12μm-300μm。
3.如权利要求1所述的高水接抗静电硬化薄膜，其特征在于：所述底涂层(2)的材质选自PU或亚克力，厚度为50nm-150nm。
4.如权利要求1所述的高水接抗静电硬化薄膜，其特征在于：所述高水接抗静电硬化层(3)由高水接抗静电涂液固化形成，厚度为0.1μm-5.5μm。
5.如权利要求4所述的高水接抗静电硬化薄膜，其特征在于：以质量百分含量计，所述高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％-50％，附着促进剂0.02％-0.8％，抗静电剂1.5％-4％，固化剂1.2％-3.2％，特殊助剂0.02％-0.8％，溶剂41.8％-57.96％。
6.如权利要求5所述的高水接抗静电硬化薄膜，其特征在于：所述不饱和的丙烯酸树脂选自聚氨酯丙烯酸树脂、聚酯丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂、氟丙烯酸树脂或特殊改性丙烯酸树脂中的一种或几种的组合；所述附着促进剂选自硅烷类促进剂或钛酸酯类促进剂中的一种或两种结合，所述硅烷类促进剂选自水性硅烷、氨基硅烷、酰氧基硅烷、乙烯基硅烷、含硫硅烷、环氧硅烷、脲基硅烷或苯基硅烷中的一种或几种组合，所述钛酸酯类促进剂选自单烷氧基类、螯合型或配位型中的一种或几种组合；所述抗静电剂选自阴离子型、阳离子型或非离子型中的一种或几种组合；所述固化剂选自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羟基环己基苯基甲酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-乙烯基-苯基氧化膦、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉丙酮-1、2-羟基-2-甲基-苯丙酮基-1或2-羟基-2-甲基-对羟乙基醚苯丙酮基-1中的一种或几种组合；所述特殊助剂为含氟助剂；所述溶剂选自乙醇、IPA、丙醇、丙酮、甲基异丁基酮、丁酮、丙二醇甲醚、丙二醇单丁基醚、乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的两种以上的组合。
7.一种高水接抗静电硬化薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S001，选材；根据需求选择合适厚度和材料的基膜(1)；
步骤S002，贴合底涂层；将底涂液涂布在所述基膜(1)上固化后形成底涂层(2)；
步骤S003，配置高水接抗静电涂液；将不饱和的丙烯酸树脂、附着促进剂、抗静电剂、固化剂和特殊助剂溶于溶剂中，调节比例后配置成高水接抗静电涂液；
步骤S004，贴合高水接抗静电硬化层；用凹版辊将所述高水接抗静电涂液涂布在所述底涂层(2)上经烘箱加热后，再经过UV机固化形成高水接抗静电硬化层(3)。
8.如权利要求7所述的高水接抗静电硬化薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤S003中，以质量百分比计，所述高水接抗静电涂液的原料组成包括：不饱和的丙烯酸树脂40％-50％，附着促进剂0.02％-0.8％，抗静电剂1.5％-4％，固化剂1.2％-3.2％，特殊助剂0.02％-0.8％，溶剂41.8％-57.96％；所述不饱和的丙烯酸树脂选自聚氨酯丙烯酸树脂、聚酯丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂、氟丙烯酸树脂或特殊改性丙烯酸树脂中的一种或几种的组合；所述附着促进剂选自硅烷类促进剂或钛酸酯类促进剂中的一种或两种结合，所述硅烷类促进剂选自水性硅烷、氨基硅烷、酰氧基硅烷、乙烯基硅烷、含硫硅烷、环氧硅烷、脲基硅烷或苯基硅烷中的一种或几种组合，所述钛酸酯类促进剂选自单烷氧基类、螯合型或配位型中的一种或几种组合；所述抗静电剂选自阴离子型、阳离子型或非离子型中的一种或几种组合；所述固化剂选自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羟基环己基苯基甲酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-乙烯基-苯基氧化膦、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉丙酮-1、2-羟基-2-甲基-苯丙酮基-1或2-羟基-2-甲基-对羟乙基醚苯丙酮基-1中的一种或几种组合；所述特殊助剂为含氟助剂；所述溶剂选自乙醇、IPA、丙醇、丙酮、甲基异丁基酮、丁酮、丙二醇甲醚、丙二醇单丁基醚、乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯中的两种以上的组合。
9.如权利要求7所述的高水接抗静电硬化薄膜的制备方法，其特征在于：在所述步骤S001中，所述基膜(1)为透明基膜，材质选自PC、TAC、PET、PP或PMMA，厚度为12μm-300μm；在步骤S002中，所述底涂层(2)的材质选自PU或亚克力，厚度为50nm-150nm。
10.如权利要求7所述的高水接抗静电硬化薄膜的制备方法，其特征在于：在所述步骤S004中，所述烘箱的加热温度为50℃-90℃，加热时间为2-5min；所述UV机的能量为：400-500mj/cm2。
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