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CN111868902A - 氧浓度评价方法 - Google Patents

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CN111868902A
CN111868902A CN201980018026.XA CN201980018026A CN111868902A CN 111868902 A CN111868902 A CN 111868902A CN 201980018026 A CN201980018026 A CN 201980018026A CN 111868902 A CN111868902 A CN 111868902A
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carbon
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种氧浓度评价方法，其通过PL法或CL法评价单晶硅中的氧浓度，该方法中，对单晶硅照射规定照射量的电子束或除碳和氧以外的离子束，于规定温度下测量C线的强度与G线的强度，求出该C线与该G线的强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)，将强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)及单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价氧浓度[Oi]：[Oi]＝α·(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)·[Cs]，其中，α为比例常数。由此提供以高灵敏度评价单晶硅中的氧浓度的方法。

Description

氧浓度评价方法
技术领域
本发明涉及一种评价单晶硅中的氧浓度的方法。
背景技术
作为以高灵敏度测量单晶硅中的杂质浓度的方法，有低温光致发光(PL)法。
作为基于该低温PL法的氧浓度定量方法，专利文献1中公开了两种方法。第一种方法为通过对试样照射电子束以及碳离子或氧离子而形成复合缺陷，并测量起因于该复合缺陷的发光强度，根据该强度对氧浓度进行定量的方法。第二种方法为对试样照射大量的碳离子束而形成复合缺陷，并测量起因于该复合缺陷的发光强度，根据该强度对氧浓度进行定量的方法。
此外，作为基于低温PL法的碳浓度定量方法，例如，非专利文献1及专利文献1中公开了一种对试样照射电子束及碳离子或氧离子的离子束而形成复合缺陷，并测量起因于该复合缺陷的发光强度，根据该强度对碳浓度进行定量的方法。
专利文献2中公开了一种对碳浓度进行定量的方法，该方法中，将通过对单晶硅照射电子束而导入的间隙硅(I)由来的发光光谱(W线)以硅由来的发光线(TO线)的方式进行标准化，并对标准化得到的值与单晶硅中的碳浓度之间制作检量线，根据通过发光法得到的W线/TO线，对碳浓度进行定量。
专利文献3中公开了一种对碳浓度进行定量的方法，该方法中，向单晶硅中注入除碳和氧以外的离子，对由此形成的间隙碳或Ci-Cs或Ci-Oi的发光光谱强度与碳浓度之间制作检量线，根据碳关连复合缺陷的光谱强度，对碳浓度进行定量。
作为单晶硅中的氧浓度的测量方法，通常使用FT-IR法或SIMS法。关于检测下限值，FT-IR法中为0.07(ppma-JEITA)，SIMS法中为0.02(ppma)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平04-344443号公报
专利文献2：日本特开2015-111615号公报
专利文献3：日本特开2015-156420号公报
非专利文献
非专利文献1：M.Nakamura et al.,J.Electochem.Soc.141,3576(1994)
发明内容
本发明要解决的技术问题
作为通过测量形成在单晶硅中的复合缺陷的强度而高灵敏度地测量杂质浓度的方法，虽有低温PL法，但是如上所述，其多半为碳浓度测量方法。
专利文献1中公开了基于低温PL法的氧浓度测量方法，其为照射大量的碳离子束或电子束及离子束这两者并求出氧浓度的方法。但是，若照射氧或碳的离子束，则所照射的离子会对Ci-Cs、Ci-Oi的形成造成影响，因此使用此发光强度而求出的氧浓度并不准确。
此外，如上所述，通常将FT-IR法或SIMS法作为单晶硅中的氧浓度的测量方法，但是这些方法的灵敏度差，且关于检测下限值，FT-IR法中为0.07(ppma-JEITA)，SIMS法中为0.02(ppma)。
若硅单晶中存在氧，则容易形成Co-Oi。由于此复合缺陷会成为导致寿命减少的寿命杀手，因此特别是在功率器件中要求低氧。因此，高灵敏度地测量氧是很重要的。
本发明鉴于上述技术问题而成，目的在于提供一种以高灵敏度评价单晶硅中的氧浓度的方法。
解决技术问题的技术手段
为了达成上述目的，本发明提供一种氧浓度评价方法，其通过光致发光法或阴极射线发光法评价单晶硅中的氧浓度，该氧浓度评价方法的特征在于，于规定温度下测量对所述单晶硅照射规定照射量的电子束或规定照射量的除碳和氧以外的离子束而形成于所述单晶硅中的间隙碳Ci与间隙氧Oi的复合缺陷Ci-Oi由来的发光线(C线)的强度及间隙碳Ci与代位碳Cs的复合缺陷Ci-Cs由来的发光线(G线)的强度，并求出所述C线与所述G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)，
将该强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)及该单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价该氧浓度[Oi]，
[Oi]＝α·(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)·[Cs]，
其中，α为比例常数。
若为上述本发明的基于光致发光法或阴极射线发光(CL)法的氧浓度评价方法，则能够根据单晶硅中的碳关连复合缺陷(上述的复合缺陷Ci-Oi及复合缺陷Ci-Cs)的发光强度的比及单晶硅中的碳浓度高灵敏度地对氧浓度进行定量。
此时，能够在评价该氧浓度时，预先：
准备试验晶体，该试验晶体为氧浓度及碳浓度为已知的单晶硅，
于规定温度下测量对所述试验晶体照射所述规定照射量的电子束或所述规定照射量的除碳和氧以外的离子束而形成于所述试验晶体中的C线的强度及G线的强度，并求出所述试验晶体中的C线与G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)，
根据所述试验晶体的所述氧浓度及所述碳浓度、所述试验晶体的C线与G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)、以及所述算式，求出所述比例常数α的值。
比例常数α由于根据发光强度的测量时的温度(样本温度)、电子束照射或离子束照射的条件(照射量)而改变，因此以不同的样本温度或电子束照射条件、离子束照射条件测量单晶硅基板的氧浓度时，更优选决定各自的比例常数α。因此，如上所述地使用试验晶体预先进行如上所述的预备试验，能够预先求出以与对评价对象的单晶硅中的氧浓度进行评价时相同的条件下的比例常数α。由此，能够更适当地应对各种条件，进而能够更高灵敏度地评价氧浓度。
此外，能够在将对所述单晶硅进行照射时的电子束的规定照射量设为1.0×1015(electrons/cm2)，将测量所述C线的强度及所述G线的强度时的规定温度设为液氦温度，将所述碳浓度的单位设为(atoms/cm3)，将所述氧浓度的单位设为(ppma-JEITA)，并对所述C线强度及所述G线强度取相对值时，
将所述比例常数α的值设为2.25×10-15。
或者，能够在将对所述单晶硅进行照射时的电子束的规定照射量设为1.0×1015(electrons/cm2)，将测量所述C线的强度及G线的强度时的规定温度设为液氮温度，将所述碳浓度的单位设为(atoms/cm3)，将所述氧浓度的单位设为(ppma-JEITA)，并对所述C线强度及G线强度取相对值时，
将该比例常数α的值设为3.55×10-15。
只要依照上述的样本温度及电子束等的照射量进行单晶硅的评价，则仅通过测量碳关连复合缺陷的发光强度及碳浓度，就能够直接对氧浓度进行定量。如此，只要固定样本温度及电子束等的照射量的条件，就能够无需制作检量线等而更简便地评价氧浓度。
此外，能够将对所述单晶硅照射的除碳和氧以外的离子束设为硼、磷、砷、锑、氢、氦、氩、锗、氟、氮、硅、铝、铟、氙中任一种或多种的离子束。
在使用氧或碳的离子束的以往的方法中，所照射的离子会对碳关连复合缺陷的形成造成影响，因此会对所要评价的氧浓度产生影响。但是，如本发明这样通过使用上述之中任一种或多种的离子束，能够更确实地防止上述影响的产生。
此外，能够将所述单晶硅中的碳浓度设为1.0×1014(atoms/cm3)以上。
求出碳浓度并将碳浓度代入上述算式时，为了能够通过例如FT-IR法或SIMS法更确实地进行测量，能够将评价对象的单晶硅中的碳浓度设为上述范围。
发明效果
如上所述，若为本发明的氧浓度评价方法，则相较于以往的方法，能够更加高灵敏度地评价氧浓度。
附图说明
图1为表示本发明的氧浓度评价方法的工序的一个例子的流程图。
图2为示出单晶硅中的氧浓度与样本温度为液氦温度时的比例常数α的关系的图。
图3为示出实施例与比较例(FT-IR法)所评价的氧浓度的关系的图。
图4为示出实施例的氧浓度低于0.07(ppma-JEITA)的样本的评价数据的图。
具体实施方式
以下，对于本发明，参考附图对实施方式进行说明，但是本发明并不限定于这些实施方式。
首先，对本发明的发明人导出能够由单晶硅中的碳浓度及碳关连复合缺陷的Ci-Oi(C线)与Ci-Cs(G线)的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)评价单晶硅中的氧浓度的算式(氧浓度关系式)的过程进行说明。
根据非专利文献1，若对单晶硅基板照射高能量的电子束，则晶格位置的硅原子会被弹出，生成成对的间隙硅(以下称为I)及作为其空壳的空位(以下称为V)。过度生成的I或V由于在为个体时不稳定，会进行再结合(V+I→0)、或者I彼此簇聚或V彼此簇聚、或者与硅基板中所含有的杂质反应而形成复合体。
单晶硅基板中存在代位碳Cs时，通过电子束照射所生成的I会将Cs弹出，由此生成间隙碳Ci。进一步，Ci通过与其他的Cs反应而形成Ci-Cs(G线)、或者与硅基板中所含有的作为其他杂质的间隙氧Oi反应而形成Ci-Oi(C线)。
若将形成此Ci-Cs及Ci-Oi时的平衡常数设为K1、K2(下列算式(1)、算式(2)、非专利文献1的算式[4]、算式[5])，由于Ci-Cs的形成及Ci-Oi的形成为竞争反应，因此能够得到以下的算式(3)、(4)。
另外，[Oi]表示间隙氧浓度(也仅将其称为氧浓度)，[Cs]表示代位碳浓度(也仅将其称为碳浓度)，[Ci]表示间隙碳浓度，[CiCs]表示G线强度(Ci-Cs强度)，[CiOi]表示C线强度(Ci-Oi强度)。
[数学式1]
Figure BDA0002672044550000061
在此，将算式(3)、算式(4)之中同类项汇整并针对[Oi]解开时，能够得到以下的氧浓度关系式(5)(以下也仅将其称为算式(5)或关系式(5))。
[数学式1]
Figure BDA0002672044550000062
在此，比例常数α为根据样本温度、电子束照射条件或离子束照射条件而不同的常数。这是由于若样本温度不同，则G线及C线的发光效率发生变化，所得到的G线强度及C线强度会发生变化。此外，若电子束照射条件或离子束照射条件不同，则Ci-Cs与Ci-Oi的形成比会不同，因此比例常数α会发生变化。
以下，对使用上述氧浓度关系式(5)的本发明的氧浓度评价方法进行说明。图1为示出本发明的评价方法的工序的流程图。在图1的例子中，由用于对评价用样本进行评价的正式试验、以及用于预先求出算式(5)的α的值的预备试验组成。预备试验的实施只要是在实际将碳浓度等代入算式(5)的正式试验的工序4之前，随时皆可。
[预备试验]
对预备试验进行说明。
如上文所述，算式(5)的比例常数α的值会根据样本温度、电子束照射条件、离子束照射条件而不同。因此，首先准备氧浓度及碳浓度为已知的单晶硅的试验晶体，以与正式试验相同的条件(规定温度的样本温度、规定照射量的电子束或离子束(除碳和氧以外))进行照射及测量，并求出C线与G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)。然后，根据试验晶体的氧浓度及碳浓度、试验晶体的C线与G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)及算式(5)求出比例常数α的值。
能够根据正式试验的各种条件，预先在预备试验中得到将条件设为与正式试验的条件相同时的比例常数α，由此能够在正式试验中更精确地评价氧浓度。
在此，列举更具体的例子进行说明。
通过CZ法，准备碳浓度及氧浓度不同的15种等级的单晶硅基板(试验晶体样本)。
准备碳浓度不同的单晶硅基板的理由在于，为了验证即使为不同的碳浓度也能够由一个关系式对氧浓度进行定量。另外，为了能够更确实地以FT-IR检测氧浓度，并且更确实地防止C线的形成所使用的Ci变多及G线的S/N比变差，在此，对于单晶硅基板的氧浓度范围，以3～17(ppma-JEITA)进行了准备。
此外，为了提升所导出的比例常数α的精确度，至少需要5种等级，在此，准备了15种等级的样本。
接着，对这些样本，以SIMS法测量碳浓度，并以FT-IR法测量氧浓度。
之后，通过电子束照射装置，以2(MV)的加速电压对各单晶硅基板照射1.0×1015(electrons/cm2)的电子束，使单晶硅基板中形成Ci-Cs及Ci-Oi，利用光致发光法测量它们的峰值强度。将进行该测量时的样本温度设为液氦温度。
对于这些单晶硅基板，将所得的氧浓度、碳浓度、G线强度及C线强度代入上述算式(5)，针对氧浓度将所得的比例常数α绘制成图。将结果表示于图2。
由于比例常数α为几乎固定的值，将上述15种等级的样本的平均值作为α，得到2.25×10-15。在此，关于各自的单位，碳浓度为(atoms/cm3)，氧浓度为(ppma-JEITA)，G线强度、C线强度为相对值(a.u.)。
以上述方式求出该条件下的氧浓度关系式(6)。
[数学式3]
Figure BDA0002672044550000081
此外，以同样的方法求出样本温度为液氮温度时的比例常数α，该比例常数α为3.55×10-15。
[正式试验]
接着对正式试验进行说明。
本发明中，首先准备作为评价用样本的单晶硅基板(工序1)。该单晶硅基板并没有特别限定，能够设为通过提拉法(Czochralski process；CZ法)得到的单晶硅基板，或通过浮区法(Floating Zone；FZ法)得到的单晶硅基板。
另外，评价氧浓度时，在后续工序中测量碳浓度并将其代入如上所述的关系式，但是，为了在进行该测量时能够通过例如FT-IR或SIMS等而更确实地进行检测及测量，优选碳浓度例如为1.0×1014(atoms/cm3)以上。即，通过将碳浓度设为1.0×1014(atoms/cm3)以上，能够更精确地求出碳浓度，因此，本发明中所求出的氧浓度的精确度也能够得以提升。碳浓度的上限并没有限定，只要是能够测量的值即可。
此外，氧浓度本身没有特别限定。
接着，测量评价用样本的碳浓度(代位碳浓度)(工序2)。能够通过例如FT-IR法或SIMS法等进行测量。碳浓度的测量方法只要能够求出评价用样本中的碳浓度即可，没有特别限定。
接着，通过PL法或CL法，测量对评价用样本照射电子束或除碳和氧以外的离子束而形成的复合缺陷Ci-Oi由来的发光线(C线)的强度及复合缺陷Ci-Cs由来的发光线(G线)的发光强度，并求出C线与G线的强度比(工序3)。测量各自的峰值强度，从而求出它们的比。
此时，能够将评价用样本的温度设为例如液氦温度或液氮温度。虽然温度没有特别限定，但是只要是这些温度，则能够更有效地防止G线及C线的峰变宽而无法测量正确的强度。
此外，能够将电子束照射量设为例如2.5×1014～2.5×1016(electrons/cm2)的范围。通过设为该范围的照射量，能够更确实地防止电子束照射量过少而产生无法形成Ci-Cs或Ci-Oi等问题。此外，能够更确实地防止电子束照射量过多而使硅的晶格混乱，G线及C线的S/N比变差。
此外，由于在CL法中通过改变电子的加速电压能够改变测量深度，而在PL法中通过改变激光的波长能够改变测量深度，因此通过调节这些条件，能够对试样表面至所需的深度进行评价。
然后，将碳浓度、C线与G线的强度比代入上述氧浓度关系式(5)而评价氧浓度(工序4)。
作为算式(5)的比例常数α的值，能够使用于与正式试验相同的条件下(规定温度的样本温度、规定照射量的电子束或规定照射量的除碳和氧以外的离子束)在预备试验中求出的比例常数α的值。
或者，如已在上文所述的例子中所判明地，在将对单晶硅进行照射时的电子束的规定照射量设为1.0×1015(electrons/cm2)，将测量C线的强度与G线的强度时的规定温度设为液氦温度，将碳浓度的单位设为(atoms/cm3)，将氧浓度的单位设为(ppma-JEITA)，并对C线强度及G线强度取相对值时，可不进行预备试验，而将比例常数α的值设为2.25×10-15(即算式(6))。
另一方面，在将对单晶硅进行照射时的电子束的规定照射量设为1.0×1015(electrons/cm2)，并将测量C线的强度与G线的强度时的规定温度设为液氮温度时，可不进行预备试验，而将比例常数α的值设为3.55×10-15。
在上述条件下，可无需进行预备试验及检量线的制作而确定比例常数α，能够更简便地评价氧浓度。另外，当然比例常数α并不限定于此。
此外，电子束照射量不为1.0×1015(electrons/cm2)时，或者没有进行电子束照射而进行了离子束照射时，比例常数α也会不同。此时，作为预备试验，同样地将进行样本测量而得到的氧浓度、碳浓度、G线强度及C线强度代入关系式(5)，对每个样本算出比例常数α，并求出其平均值，由此能够求出比例常数α。
此外，作为离子束照射条件，例如能够将剂量设为1×1012～1×1014(atoms/cm3)的范围。只要为该范围，就能够形成测量时所需的充分的碳关连复合缺陷，并且照射离子束时所需的时间不会变得过长。
此外，若照射氧或碳的离子束，则会对所测量的氧浓度造成影响，因此，作为离子束，优选选自硼、磷、砷、锑、氢、氦、氩、锗、氟、氮、硅、铝、铟、氙中的一种或多种。
通过上述的本发明的评价方法，对于氧浓度未知的单晶硅基板，能够根据碳浓度、G线强度及C线强度对氧浓度进行定量。
进一步，该方法能够进行定量的氧浓度没有限制，能够对各种范围的氧浓度进行定量。例如，虽然对于氧浓度的检测下限值，FT-IR法中为0.07(ppma-JEITA)，SIMS法中为0.02(ppma)，但是，本发明的氧浓度评价方法能够对这些检测下限值以下的氧浓度进行定量。
实施例
以下示出本发明的实施例及比较例而更具体地说明本发明，但是本发明并不限定于这些实施例。
[实施例]
进行本发明的氧浓度评价方法，对评价对象的单晶硅的氧浓度进行评价。
此处所用到的样本的温度全部为液氦温度，并且对于电子束照射条件，将加速电压设为2(MV)，将照射量设为1.0×1015(electrons/cm2)。
虽然也能够通过实施预备试验而求出算式(5)的α的值，但在上述条件下，先前的具体例子中也已判明，将比例常数α的值设为2.25×10-15。即，在此使用算式(6)。
接着，由以CZ法或FZ法提拉的碳浓度及氧浓度不同的单晶硅锭切出单晶硅晶圆而制作了105片样本(以下称为氧浓度测量用样本)。
接着，利用SIMS法测量氧浓度测量用样本的碳浓度。其结果，105片的样本的碳浓度在1.0×1014～7.3×1015(atoms/cm3)的范围内。
接着，利用电子束照射装置对氧浓度测量用样本照射电子束(加速电压2(MV)，照射量1.0×1015(electrons/cm2))。对经电子束照射的氧浓度测量用样本，使用光致发光测量装置，将样本温度设为液氦温度，并测量发光光谱，得到G线强度及C线强度。
将这些值代入上述关系式(6)，算出各个氧浓度测量用样本的氧浓度。
另外，将在此所求出的氧浓度，与利用作为以往的方法的FT-IR法所求出的值进行比较，从而确认了本发明的评价方法的妥当性。因此，接下来对基于以往的方法的比较例进行说明。
[比较例]
准备与实施例同样的氧浓度测量用样本，通过FT-IR法及SIMS法评价这些样本的氧浓度。
将利用作为以往的方法的FT-IR法对氧浓度测量用样本进行定量的氧浓度(比较例的氧浓度)与通过本发明的方法对氧浓度测量用样本进行定量的氧浓度(实施例的氧浓度)的关系制成图3。
在此，由于无法通过FT-IR法对低于0.07(ppma-JEITA)的氧浓度进行定量，因此，将实施例的氧浓度低于0.07(ppma-JEITA)的样本的评价数据另外示于图4。
根据图3可知，通过本发明的方法得到的氧浓度(实施例)与通过以往的方法得到的氧浓度(比较例)非常一致，由此确认了本发明是有效的。
进一步，图4所示的样本中，通过SIMS法(比较例)评价了2个样本的氧浓度，利用SIMS法所检测的样本的氧浓度(0.022ppma)与根据本发明测得的氧浓度(实施例：0.023ppma)极为一致，确认了本发明的妥当性。此外，在SIMS法(比较例)的检测下限值(0.02ppma)以下的样本的根据本发明测得的氧浓度(实施例)为0.013ppma，结果并没有任何矛盾。
根据以上的结果确认了：由于能够得到C线及G线的发光强度，因此本发明的评价方法还能够对检测下限值为0.07(ppma-JEITA)的FT-IR法或检测下限值为0.02(ppma)的SIMS法无法进行定量的范围的氧浓度进行定量。
只要为上述的本发明的评价方法，则能够根据C线及G线的发光强度的比及单晶硅中的碳浓度对氧浓度进行定量。并且能够以高灵敏度进行评价。
此外，除了将基于PL法进行测量时的样本温度设为液氮温度，并将算出氧浓度的算式的比例常数α的值变更为3.55×10-15以外，以与实施例相同的方式求出氧浓度，得到了与图3、图4相同的结果。
进一步，以另外的电子束照射条件及样本温度，进行预备试验而求出比例常数α并且进行正式试验而求出氧浓度时，依然得到了相同的结果。
另外，本发明并不限定于上述的实施方式。上述实施方式仅为例示，具有与本发明的权利要求书中所记载的发明构思实质相同的构成、产生相同技术效果的技术方案均包含在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种氧浓度评价方法，其通过光致发光法或阴极射线发光法评价单晶硅中的氧浓度，该氧浓度评价方法的特征在于，
于规定温度下测量对所述单晶硅照射规定照射量的电子束或规定照射量的除碳和氧以外的离子束而形成于所述单晶硅中的间隙碳Ci与间隙氧Oi的复合缺陷Ci-Oi由来的发光线(C线)的强度及间隙碳Ci与代位碳Cs的复合缺陷Ci-Cs由来的发光线(G线)的强度，并求出所述C线与所述G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)，
将所述强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)及所述单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价所述氧浓度[Oi]，
[Oi]＝α·(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)·[Cs]，
其中，α为比例常数。
2.根据权利要求1所述的氧浓度评价方法，其特征在于，在评价所述氧浓度时，预先：
准备试验晶体，所述试验晶体为氧浓度及碳浓度为已知的单晶硅，
于规定温度下测量对所述试验晶体照射所述规定照射量的电子束或所述规定照射量的除碳和氧以外的离子束而形成于所述试验晶体中的C线的强度及G线的强度，并求出所述试验晶体的C线与G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)，
根据所述试验晶体的所述氧浓度及所述碳浓度、所述试验晶体的C线与G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)、以及所述算式，求出所述比例常数α的值。
3.根据权利要求1所述的氧浓度评价方法，其特征在于，在将对所述单晶硅进行照射时的电子束的规定照射量设为1.0×1015(electrons/cm2)，将测量所述C线的强度及所述G线的强度时的规定温度设为液氦温度，将所述碳浓度的单位设为(atoms/cm3)，将所述氧浓度的单位设为(ppma-JEITA)，并对所述C线强度及所述G线强度取相对值时，
将所述比例常数α的值设为2.25×10-15。
4.根据权利要求1所述的氧浓度评价方法，其特征在于，在将对所述单晶硅进行照射时的电子束的规定照射量设为1.0×1015(electrons/cm2)，将测量所述C线的强度及所述G线的强度时的规定温度设为液氮温度，将所述碳浓度的单位设为(atoms/cm3)，将所述氧浓度的单位设为(ppma-JEITA)，并对所述C线强度及所述G线强度取相对值时，
将所述比例常数α的值设为3.55×10-15。
5.根据权利要求1或2所述的氧浓度评价方法，其特征在于，将对所述单晶硅照射的除碳和氧以外的离子束设为硼、磷、砷、锑、氢、氦、氩、锗、氟、氮、硅、铝、铟、氙中的任一种或多种的离子束。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的氧浓度评价方法，其特征在于，将所述单晶硅中的碳浓度设为1.0×1014(atoms/cm3)以上。
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