CN111865337A - 高频模块和通信装置 - Google Patents

Abstract

提供一种高频模块和通信装置，抑制第一匹配电路的第一电感器部与第二匹配电路的第二电感器部之间的耦合。第一功率放大器将第一频带的第一发送信号放大后输出。第一匹配电路包括多个第一电感器部，与第一功率放大器的输出用焊盘电极连接。第二功率放大器将比第一频带高的第二频带的第二发送信号放大后输出。第二匹配电路包括至少1个第二电感器部，与第二功率放大器的输出侧连接。多层基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，设置有第一功率放大器、第一匹配电路、第二功率放大器以及第二匹配电路。多个第一电感器部中的最接近输出用焊盘电极的第一电感器部具有设置在多层基板中的内层电感器部。

Description

高频模块和通信装置

技术领域

本发明一般来说涉及一种高频模块以及具备该高频模块的通信装置，更详细地说，涉及一种能够支持第一频带和比第一频带高的第二频带的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

背景技术

以往，已知一种高频模块以及在前端电路中使用了该高频模块的通信装置(例如，参照专利文献1)。

专利文献1所记载的高频模块是对多个频段的高频信号进行处理的复合部件，由形成于单个基板的多个电路模块构成。多个电路模块例如包括低噪声放大电路和功率放大电路。

低噪声放大电路具有多个低噪声放大器(low noise amplifier)和多个滤波器。多个低噪声放大器和多个滤波器设置于与不同的频段对应的多个信号路径。

功率放大电路具有多个功率放大器(power amplifier)和多个滤波器。多个功率放大器和多个滤波器设置于与不同的频段对应的信号路径。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-137522号公报

发明内容

发明要解决的问题

在高频模块中，例如具备具有第一功率放大器和第一匹配电路的第一发送电路以及具有第二功率放大器和第二匹配电路的第二发送电路，在作为第一发送电路的第一发送信号的谐波之一的二次谐波的频率与第二发送电路的第二发送信号的频带重叠的情况下，有时第一匹配电路的电感器部与第二匹配电路的电感器部发生耦合。另外，在高频模块中，例如具备具有功率放大器和第一匹配电路的发送电路以及具有低噪声放大器和第二匹配电路的接收电路，在作为发送电路的发送信号的谐波之一的二次谐波的频率与接收电路的接收信号的频带重叠的情况下，有时第一匹配电路的电感器部与第二匹配电路的电感器部发生耦合。

本发明的目的在于提供一种能够抑制第一匹配电路的第一电感器部与第二匹配电路的第二电感器部之间的耦合的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式所涉及的高频模块具备第一功率放大器、第一匹配电路、第二功率放大器、第二匹配电路以及多层基板。第一功率放大器具有输出用焊盘电极，将第一频带的第一发送信号放大后从所述输出用焊盘电极输出。所述第一匹配电路包括多个第一电感器部，与所述第一功率放大器的所述输出用焊盘电极连接。所述第二功率放大器将比所述第一频带高的第二频带的第二发送信号放大后输出。所述第二匹配电路包括至少1个第二电感器部，与所述第二功率放大器的输出侧连接。所述多层基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，设置有所述第一功率放大器、所述第一匹配电路、所述第二功率放大器以及所述第二匹配电路。所述多个第一电感器部中的最接近所述输出用焊盘电极的第一电感器部具有设置在所述多层基板中的内层电感器部。

本发明的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块以及对所述第一发送信号和所述第二发送信号进行处理的信号处理电路。

本发明的一个方式所涉及的高频模块具备功率放大器、第一匹配电路、低噪声放大器、第二匹配电路以及多层基板。所述功率放大器具有输出用焊盘电极，将第一频带的发送信号放大后从所述输出用焊盘电极输出。所述第一匹配电路包括多个第一电感器部，与所述功率放大器的所述输出用焊盘电极连接。所述低噪声放大器将比所述第一频带高的第二频带的接收信号放大后输出。所述第二匹配电路包括至少1个第二电感器部，与所述低噪声放大器的输入用焊盘电极连接。所述多层基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，设置有所述功率放大器、所述第一匹配电路、所述低噪声放大器以及所述第二匹配电路。所述多个第一电感器部中的最接近所述输出用焊盘电极的第一电感器部具有设置在所述多层基板中的内层电感器部。

本发明的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块以及对所述发送信号和所述接收信号进行处理的信号处理电路。

发明的效果

本发明的上述方式所涉及的高频模块以及通信装置能够抑制第一匹配电路的第一电感器部与第二匹配电路的第二电感器部之间的耦合。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的高频模块的电路图。

图2是同上的高频模块中的第一匹配电路的电路图。

图3是同上的高频模块中的第二匹配电路的电路图。

图4是具备同上的高频模块的通信装置的电路图。

图5的(A)是同上的高频模块的主要部分俯视图。图5的(B)是同上的高频模块的剖切了一部分的主要部分俯视图。

图6是同上的高频模块的截面图。

图7是实施方式2所涉及的高频模块的截面图。

图8是实施方式3所涉及的高频模块的截面图。

图9是实施方式4所涉及的高频模块的截面图。

图10是具备实施方式5所涉及的高频模块的通信装置的电路图。

图11是同上的高频模块的截面图。

图12是实施方式6所涉及的高频模块的截面图。

图13是示出第一匹配电路的另一例的电路图。

图14是示出第一匹配电路的又一例的电路图。

图15是示出第一匹配电路的再一例的电路图。

附图标记说明

1、1a、1b、1c：高频模块(第一高频模块)；1d、1e：高频模块；2：高频模块(第二高频模块)；5：多层基板；50：电介质基板；501：第一主面；502：第二主面；51：内层电感器部(第一内层电感器部)；511：第一端；512：第二端；52：地层；521：孔；53：第二内层电感器部；531：第一端；54：导体部；55：通路导体；56：通路导体；57：导体部；58：裸片焊盘；59：裸片焊盘；60：导体部；61：通路导体；62：通路导体；63：导体部；65：芯片电感器；66：芯片电感器；7：天线开关；70：公共端子；71、72：选择端子；10：低噪声放大器；101：输入端子(输入用焊盘电极)；102：输出端子；11：功率放大器(第一功率放大器)；110：第一发送电路；111：输入端子；112：输出端子(输出用焊盘电极)；12：第二功率放大器；120：第二发送电路；121：输入端子；122：输出端子(输出用焊盘电极)；13：第三功率放大器；130：第三发送电路；131：输入端子；132：输出端子；14：第一匹配电路；15：第二匹配电路；16：第三匹配电路；17：频段切换开关；170：公共端子；171～173：选择端子；18：第二匹配电路；19：天线开关；190：公共端子；191～194：选择端子；20：控制电路；21：第四功率放大器；210：第四发送电路；211：输入端子；212：输出端子；22：频段切换开关；220：公共端子；221～223：选择端子；24：天线开关；240：公共端子；241～244：选择端子；31～33：双工器；81～83：双工器；100：控制电路；180：旁路路径；200：天线；300：同向双工器；301：滤波器；302：滤波器；400、400d：通信装置；401、401d：信号处理电路；402、402d：RF信号处理电路；403、403d：基带信号处理电路；Ax1～Ax6：天线侧端子；B101：凸块；B112：凸块；B122：凸块；C10：电容器；C11～C14：电容器；C15～C17：电容器；C18、C19：电容器；C21～C25：电容器；D1：厚度方向；E122：焊盘；L10：第一电感器部；L11～L16：第一电感器部；L17：第一电感器部；L21～L26：第二电感器部；L61：第二电感器部；LT1：信号路径；LT2：信号路径；LT4：信号路径；MT1：发送路径；MR1：接收路径；N11～N14：节点；N21～N24：节点；N111、N112：节点；N121、N122：节点；N131、N132：节点；Rx1～Rx6：接收端子；TX1～Tx6：发送端子；T10：天线端子；T11：信号输入端子；T12：信号输入端子；T13：信号输入端子；T15：旁路端子；T20：天线端子；T21：信号输入端子；T25：中继端子；T31～T33：信号输出端子；T81～T83：信号输出端子；W1：接合线；W2：接合线。

具体实施方式

在下面的实施方式1～5等中参照的图5的(A)～图9、图11及图12均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。

(实施方式1)

下面，参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

(1)高频模块以及具备该高频模块的通信装置的电路结构

参照图1～图6来说明实施方式1所涉及的高频模块1以及具备该高频模块1的通信装置400的电路结构。实施方式1所涉及的高频模块1例如构成支持多频段以及支持2个频带的同时使用(例如，载波聚合)的移动体通信机(例如，便携式电话等)的高频前端电路250。高频模块1是能够支持2G(第二代移动通信)标准的中频段与4G(第四代移动通信)标准的低频段的载波聚合的模块，但是不限于此。例如，高频模块1也可以是能够支持2G标准的中频段和5G(第五代移动通信)标准的低频段的双连接(dual connectivity)的模块。2G标准例如是GSM(注册商标)标准(GSM：Global System for Mobile Communications(全球移动通信系统))。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution(长期演进))。5G标准例如是5G NR(New Radio(新空口))。作为GSM(注册商标)标准的低频段，有GSM850、GSM900。作为GSM(注册商标)标准的中频段，有GSM1800、GSM1900。作为3GPP LTE标准的低频段，例如有Band12。Band12的下行链路频带是729MHz-746MHz。Band12的上行链路频带是699MHz-716MHz。作为3GPP LTE标准的中频段，例如有Band3、Band1。Band3的下行链路频带是1805MHz-1880MHz。Band3的上行链路频带是1710MHz-1785MHz。Band1的下行链路频带是2110MHz-2170MHz。Band1的上行链路频带是1920MHz-1980MHz。

具备高频模块1的通信装置400能够支持在下行链路(Downlink)中同时使用多个(在实施方式1中为2个)频带的载波聚合(下行链路-载波聚合)。另外，具备高频模块1的通信装置400能够支持在上行链路(Uplink)中同时使用多个(在实施方式1中为2个)频带的载波聚合(上行链路-载波聚合)。作为3GPP LTE标准的低频段，例如有Band8。Band8的下行链路频带是925MHz-960MHz。Band8的上行链路频带是880MHz-915MHz。另外，也可以是，具备高频模块1的通信装置400不支持载波聚合而能够支持上述的双连接。在该情况下，作为5G NR的低频段，例如有n8、n28。n8的下行链路频带是925MHz-960MHz。n8的上行链路频带是880MHz-915MHz。n28的下行链路频带是758MHz-803MHz。n28的上行链路频带是703MHz-748MHz。

(1.1)高频模块的电路结构

如图1所示，高频模块1具备第一发送电路110、第二发送电路120以及第三发送电路130。第一发送电路110具有功率放大器11(下面也称为第一功率放大器11)和第一匹配电路14。第二发送电路120具有第二功率放大器12和第二匹配电路15。第三发送电路130具有第三功率放大器13和第三匹配电路16。另外，高频模块1具备天线端子T10和多个(在图示例中为3个)信号输入端子T11、T12、T13。另外，高频模块1具备旁路端子T15和天线开关19。另外，高频模块1还具备多个(在图示例中为3个)信号输出端子T81、T82、T83。

第一功率放大器11具有输入端子111和输出端子112(下面也称为输出用焊盘电极112)。第一功率放大器11将输入到输入端子111的4G标准或5G标准的低频段的第一发送信号放大后从输出端子112输出。第一发送信号是与4G标准或5G标准对应的第一频带的发送信号。第一功率放大器11的输入端子111与信号输入端子T11连接。第一功率放大器11的输出端子112与第一匹配电路14连接。也就是说，第一功率放大器11的输出用焊盘电极112与第一匹配电路14连接。

第二功率放大器12具有输入端子121和输出端子122(下面也称为输出用焊盘电极122)。第二功率放大器12将输入到输入端子121的2G标准的中频段的第二发送信号放大后从输出端子122输出。第二发送信号是与2G标准对应的第二频带的发送信号。第二频带的下限频率比第一频带的上限频率高。第二功率放大器12的输入端子121与信号输入端子T12连接。第二功率放大器12的输出端子122与第二匹配电路15连接。也就是说，第二功率放大器12的输出用焊盘电极122与第二匹配电路15连接。

第三功率放大器13具有输入端子131和输出端子132。第三功率放大器13将输入到输入端子131的2G标准的低频段的第三发送信号放大后从输出端子132输出。第三发送信号是与2G标准对应的第三频带的发送信号。第三功率放大器13的输入端子131与信号输入端子T13连接。第三功率放大器13的输出端子132与第三匹配电路16连接。

第一发送信号的频带(第一频带)例如包含LTE标准的Band12的频带。第三发送信号的频带(第三频带)例如包含GSM850的频带和GSM900的频带。第二发送信号的频带(第二频带)例如包含GSM1800的频带和GSM1900的频带。

天线端子T10与天线200(参照图4)电连接。

旁路端子T15与第二功率放大器12的输出端子122电连接。更详细地说，旁路端子T15经由第二匹配电路15来与第二功率放大器12的输出端子122电连接。旁路端子T15经由第二匹配电路15来与第二功率放大器12的输出用焊盘电极122连接，旁路端子T15是用于向外部(例如，图4所示的高频模块2)输出来自第二功率放大器12的第二发送信号的端子。

天线开关19设置于第一功率放大器11的输出端子112及第三功率放大器13的输出端子132与天线端子T10之间。天线开关19具有1个公共端子190和多个(4个)选择端子191～194。天线开关19的公共端子190与天线端子T10连接。

第一匹配电路14设置于第一功率放大器11的输出端子112与天线开关19的选择端子192～194之间。在此，高频模块1在第一匹配电路14与天线开关19之间具备频段切换开关17和多个(在图示例中为3个)双工器81、82、83。因此，详细地说，第一匹配电路14设置于第一功率放大器11的输出端子112与频段切换开关17之间。第一匹配电路14是用于使在第一匹配电路14的前级设置的电路的输出阻抗与在第一匹配电路14的后级设置的电路的输入阻抗匹配的阻抗匹配电路。更详细地说，第一匹配电路14将从第一功率放大器11观察到的天线端子T10侧的、第一发送信号的基本频率下的阻抗(第一功率放大器11的输出阻抗)例如调整为50Ω。

第二匹配电路15设置于第二功率放大器12的输出端子122与旁路端子T15之间。第二匹配电路15是用于使在第二匹配电路15的前级设置的电路的输出阻抗与在第二匹配电路15的后级设置的电路的输入阻抗匹配的阻抗匹配电路。更详细地说，第二匹配电路15将从第二功率放大器12观察到的旁路端子T15侧的、第二发送信号的基本频率下的阻抗(第二功率放大器12的输出阻抗)例如调整为50Ω。

第三匹配电路16设置于第三功率放大器13的输出端子132与天线开关19的选择端子191之间。第三匹配电路16是用于使在第三匹配电路16的前级设置的电路的输出阻抗与在第三匹配电路16的后级设置的电路的输入阻抗匹配的阻抗匹配电路。更详细地说，第三匹配电路16将从第三功率放大器13观察到的天线端子T10侧的、第三发送信号的基本频率下的阻抗(第三功率放大器13的输出阻抗)例如调整为50Ω。

多个双工器81～83各自具备接收滤波器和发送滤波器。接收滤波器是使接收频带的信号通过、使接收频带以外的信号衰减的滤波器。发送滤波器是使发送频带的信号通过、使发送频带以外的信号衰减的滤波器。接收滤波器和发送滤波器例如分别是SAW(SurfaceAcoustic Wave：声表面波)滤波器，但是不限于SAW滤波器，例如也可以是BAW(BulkAcoustic Wave：体声波)滤波器、电介质滤波器。

多个双工器81～83具有互不相同的发送频带，具有互不相同的接收频带。

多个双工器81～83分别具有天线侧端子Ax1、Ax2、Ax3、发送端子Tx1、Tx2、Tx3、以及接收端子Rx1、Rx2、Rx3。多个双工器81～83的天线侧端子Ax1～Ax3与天线开关19连接。在多个双工器81～83中，接收滤波器的输出端子被用作接收端子Rx1、Rx2、Rx3，与多个信号输出端子T81、T82、T83连接。另外，在多个双工器81～83中，发送滤波器的输入端子被用作发送端子Tx1、Tx2、Tx3，与频段切换开关17的选择端子171～173连接。另外，在多个双工器81～83中，与发送滤波器的输出端子及接收滤波器的输入端子连接的端子(ANT端子)被用作天线侧端子Ax1、Ax2、Ax3，与天线开关19的选择端子192～194连接。

天线开关19设置于天线端子T10与多个(3个)双工器81～83之间。在天线开关19中，4个选择端子191～194中的1个选择端子191与第三匹配电路16连接，剩余的3个选择端子192～194与多个双工器81～83一对一地连接。天线开关19例如是开关IC(IntegratedCircuit：集成电路)。

频段切换开关17设置于第一功率放大器11的输出端子112与多个双工器81～83的发送端子Tx1～Tx3之间。频段切换开关17将多个双工器81～83中的1个双工器连接到第一功率放大器11的输出端子112。

高频模块1还具备控制电路100。控制电路100例如从外部的基带信号处理电路403(参照图4)接收控制信号，基于控制信号来对第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、天线开关19以及频段切换开关17分别进行控制。控制电路100例如是IC(Integrated Circuit)。

例如，第一匹配电路14如图2所示那样包括多个(在图示例中为6个)第一电感器部L11～L16。另外，第一匹配电路14如图2所示那样包括多个(在图示例中为4个)电容器C11～C14。在第一匹配电路14中，第一电感器部L11的一端与第一功率放大器11的输出端子112连接，第一电感器部L11的另一端经由第一电感器部L12与电容器C14的串联电路来与天线开关19连接。在第一匹配电路14中，第一电感器部L11、第一电感器部L12以及电容器C14设置在与第一功率放大器11的输出端子112(输出用焊盘电极112)连接的信号路径LT1上。因而，第一匹配电路14具有第一电感器部L11和第一电感器L12作为设置在信号路径LT1上的串联电感器部。在第一匹配电路14中，电容器C11与第一电感器部L14的串联电路连接于信号路径LT1上的2个第一电感器部L11、L12之间的节点N11与地之间。另外，在第一匹配电路14中，电容器C12与第一电感器部L15的串联电路连接于信号路径LT1上的2个第一电感器部L11、L12之间的节点N12与地之间。另外，在第一匹配电路14中，电容器C13与第一电感器部L16的串联电路连接于信号路径LT1上的第一电感器部L12同电容器C14之间的节点N13与地之间。另外，在第一匹配电路14中，第一电感器部L13连接于设置在信号路径LT1上的电容器C14同天线开关19之间的节点N14与地之间。第一匹配电路14兼做第一滤波器。第一滤波器使第一频带的第一发送信号通过，使第一频带以外的信号衰减。

例如，上述的第二匹配电路15如图3所示那样包括至少1个第二电感器部L21。在此，第二匹配电路15包括多个(6个)第二电感器部L21～L26。另外，第二匹配电路15如图3所示那样包括多个(5个)电容器C21～C25。在第二匹配电路15中，第二电感器部L21的一端与第二功率放大器12的输出端子122连接，第二电感器部L21的另一端经由2个第二电感器部L22、L23与电容器C21的串联电路来与旁路端子T15连接。在第二匹配电路15中，第二电感器部L21～L23和电容器C21设置在与第二功率放大器12的输出端子122(输出用焊盘电极122)连接的信号路径LT2上。因而，第二匹配电路15具有第二电感器部L21、第二电感器部L22以及第二电感器部L23作为设置在信号路径LT2上的串联电感器部。另外，在第二匹配电路15中，电容器C22连接于信号路径LT2上的2个第二电感器部L21、L22之间的节点N21与地之间。另外，在第二匹配电路15中，电容器C23与第二电感器部L24的串联电路同电容器C22并联连接于信号路径LT2上的2个第二电感器部L21、L22之间的节点N22与地之间。另外，在第二匹配电路15中，电容器C24与第二电感器部L25的串联电路连接于2个第二电感器部L22、L23之间的节点N23与地之间。另外，在第二匹配电路15中，电容器C25与第二电感器部L26的串联电路连接于第二电感器部L23同电容器C21之间的节点N24与地之间。第二匹配电路15兼做第二滤波器。第二滤波器使第二频带的第二发送信号通过，使第二频带以外的信号衰减。

第三匹配电路16例如包括多个(2个)第三电感器部和多个(2个)电容器。第三匹配电路16兼做第三滤波器。第三滤波器使第三频带的第三发送信号通过，使第三频带以外的信号衰减。

此外，高频模块1还具备用于从控制电路100向第一功率放大器11、第二功率放大器12以及第三功率放大器13分别提供偏置电压的第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路。控制电路100例如通过改变分别经由第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路向第一功率放大器11、第二功率放大器12以及第三功率放大器13提供的动作电压的电压值来对第一功率放大器11、第二功率放大器12以及第三功率放大器13进行控制。

(1.2)通信装置的电路结构

如图4所示，通信装置400具备同向双工器300、高频模块1(下面也称为第一高频模块1)以及高频模块2(下面也称为第二高频模块2)。另外，通信装置400还具备信号处理电路401。信号处理电路401对第一发送信号和第二发送信号进行处理。信号处理电路401具有RF信号处理电路402和基带信号处理电路403。

同向双工器300具有滤波器301和滤波器302，与天线200连接。滤波器301是低通滤波器。滤波器302是高通滤波器。

第一高频模块1与同向双工器300的滤波器301电连接。因此，第一高频模块1经由滤波器301来与天线200电连接。

第二高频模块2与同向双工器300的滤波器302电连接。因此，第二高频模块2经由滤波器302来与天线200电连接。

在第一高频模块1中，天线端子T10与滤波器301连接。

第一高频模块1的多个信号输入端子T11～T13及多个信号输出端子T81～T83与信号处理电路401(的RF信号处理电路402)连接。

第二高频模块2具备天线端子T20、具有第四功率放大器21的第四发送电路210、信号输入端子T21以及天线开关24。另外，第二高频模块2具备发送路径MT1、多个(在图示例中为3个)双工器31、32、33、频段切换开关22、以及多个(在图示例中为3个)信号输出端子T31、T32、T33。另外，第二高频模块2还具备与发送路径MT1连接的中继端子T25。

天线端子T20与同向双工器300的滤波器302连接。

第四功率放大器21具有输入端子211和输出端子212。第四功率放大器21将输入到输入端子211的4G标准或5G标准的中频段的第四发送信号放大后从输出端子212输出。第四发送信号是与4G标准或5G标准对应的第四频带的发送信号。第四功率放大器21的输入端子211与信号输入端子T21连接。

天线开关24设置于第四功率放大器21的输出端子212与天线端子T20之间。天线开关24设置于天线端子T20与多个(在图示例中为3个)双工器31～33之间。天线开关24具有1个公共端子240和多个(在图示例中为4个)选择端子241～244。天线开关24的公共端子240与天线端子T20连接。在天线开关24中，4个选择端子241～244中的3个选择端子241～243与3个双工器31～33一对一地连接，剩余的1个选择端子244经由发送路径MT1来与中继端子T25连接。天线开关24例如是开关IC(Integrated Circuit)。此外，天线开关24的隔离度例如为20dB～30dB左右。

发送路径MT1与天线开关24连接，并与第一高频模块1的旁路端子T15连接。更详细地说，发送路径MT1经由中继端子T25来与第一高频模块1的旁路端子T15连接。

多个(3个)双工器31、32、33分别具有天线侧端子Ax4、Ax5、Ax6、发送端子Tx4、Tx5、Tx6、以及接收端子Rx4、Rx5、Rx6。多个双工器31～33的天线侧端子Ax4～Ax6与天线开关24连接。在多个双工器31～33中，接收滤波器的输出端子被用作接收端子Rx4、Rx5、Rx6，与多个信号输出端子T31、T32、T33连接。另外，在多个双工器31～33中，发送滤波器的输入端子被用作发送端子Tx4、Tx5、Tx6，与频段切换开关22的选择端子221～223连接。另外，在多个双工器31～33中，与发送滤波器的输出端子及接收滤波器的输入端子连接的端子(ANT端子)被用作天线侧端子Ax4、Ax5、Ax6，与天线开关24的选择端子241～243连接。

频段切换开关22设置于第四功率放大器21的输出端子212与多个双工器31、32、33的发送端子Tx4、Tx5、Tx6之间。频段切换开关22将多个双工器31～33中的1个双工器连接到第四功率放大器21的输出端子212。

多个(3个)信号输出端子T31、T32、T33与多个(3个)双工器31、32、33的接收端子Rx4、Rx5、Rx6一对一地连接。

RF信号处理电路402与第一高频模块1及第二高频模块2连接。更详细地说，RF信号处理电路402与第一高频模块1的多个信号输入端子T11～T13及多个信号输出端子T81～T83连接。另外，RF信号处理电路402与第二高频模块2的信号输入端子T21及多个信号输出端子T31～T33连接。

RF信号处理电路402例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)。RF信号处理电路402对从多个信号输出端子T81～T83和多个中频段用信号输出端子T31～T33分别输出的高频信号(接收信号)进行信号处理。RF信号处理电路402对从天线200经由第一高频模块1或第二高频模块2输入的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将通过该信号处理生成的接收信号输出到基带信号处理电路403。

基带信号处理电路403例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。被基带信号处理电路403处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通话。

另外，RF信号处理电路402例如对从基带信号处理电路403输出的发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的发送信号(高频信号)输出到第一高频模块1或第二高频模块2。基带信号处理电路403例如对来自通信装置400的外部的发送信号进行规定的信号处理。

通信装置400还具备旁路路径180和控制电路20。

旁路路径180将旁路端子T15与发送路径MT1电连接。更详细地说，旁路路径180将旁路端子T15与连接于发送路径MT1的中继端子T25电连接。旁路路径180例如包括安装了第一高频模块1和第二高频模块2的印刷电路板的布线导体。在该情况下，通信装置400包括印刷电路板作为其结构要素。

控制电路20对天线开关24进行切换，使得多个双工器31～33和发送路径MT1中的1个与同向双工器300的滤波器302连接。

在通信装置400中，第一发送信号的第一频带例如包含LTE标准的Band12的频带。第二发送信号的第二频带例如包含GSM1800的频带和GSM1900的频带。第三发送信号的第三频带例如包含GSM850的频带和GSM900的频带。第四发送信号的第四频带例如包含LTE标准的Band3的频带。第二高频模块2的多个双工器31～33中的1个(双工器31)是支持4G标准或5G标准的双工器，例如是支持LTE标准的Band3的双工器或支持5G NR的n8的双工器。在第二高频模块2中，天线开关24与信号输出端子T31之间的信号路径构成了接收路径MR1。因而，通信装置400能够支持Band8与Band3的下行链路-载波聚合或者n8与Band3的双连接。双工器32是支持4G标准或5G标准的双工器，例如是支持LTE标准的Band12的双工器。另外，双工器33是支持4G标准或5G标准的双工器，例如是支持LTE标准的Band20的双工器。

(2)高频模块的构造

下面，参照图1、图5的(A)、(B)以及图6来说明高频模块1的构造。此外，图5的(A)是省略了后述的地层52(参照图5的(B))的图示的主要部分俯视图。另外，图6的左半部分与图5的(B)的X-X截面对应。

如上所述，高频模块1具备第一功率放大器11、第一匹配电路14、第二功率放大器12以及第二匹配电路15。另外，例如，高频模块1如图5的(A)、(B)以及图6所示那样具备多层基板5。在多层基板5至少设置有第一功率放大器11、第一匹配电路14、第二功率放大器12以及第二匹配电路15。第一功率放大器11、第二功率放大器12分别是半导体芯片。第一功率放大器11和第二功率放大器12安装于多层基板5。

另外，高频模块1还具备上述的旁路端子T15。另外，如上所述，高频模块1具有第三功率放大器13和第三匹配电路16。另外，高频模块1具备天线端子T10、频段切换开关17以及天线开关19。

第三功率放大器13是半导体芯片。频段切换开关17是开关IC。另外，天线开关19是开关IC。第三功率放大器13、频段切换开关17以及天线开关19安装于多层基板5。另外，构成控制电路100的IC安装于多层基板5。

多层基板5具有在其厚度方向D1上互为相反侧的第一主面501和第二主面502。即，多层基板5具有彼此相向的第一主面501和第二主面502。在此，第一主面501和第二主面502分别是与多层基板5的厚度方向D1交叉的面。从多层基板5的厚度方向D1观察多层基板5时，多层基板5的外周形状是长方形状。

多层基板5是包括多个电介质层和多个导体图案层的多层基板。多个电介质层和多个导体图案层在多层基板5的厚度方向D1上进行层叠。多个导体图案层分别形成为规定图案。多个导体图案层中的各导体图案层在与多层基板5的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。多层基板5例如是多层陶瓷基板或印刷电路板，具有电介质基板50。电介质基板50包括多个电介质层。电介质基板50具有电绝缘性。电介质基板50呈板状。在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，电介质基板50和多层基板5例如是长方形状，但是不限于此，例如也可以是正方形状。

第一功率放大器11和第二功率放大器12安装于多层基板5的第一主面501。第一功率放大器11配置在多层基板5的裸片焊盘58上。裸片焊盘58的与电介质基板50侧相反的一侧的表面构成第一主面501的一部分。裸片焊盘58具有导电性。

在高频模块1中，第一匹配电路14的第一电感器部L11具有设置在多层基板5中(位于其内层)的内层电感器部51。内层电感器部51位于多层基板5的第一主面501与第二主面502之间，且与第一主面501及第二主面502远离。内层电感器部51的材料是导电性材料。在此，第一电感器部L11是第一匹配电路14的多个第一电感器部L11～L16中的在与第一功率放大器11的输出用焊盘电极112连接的信号路径LT1上最接近输出用焊盘电极112的串联电感器部。“最接近输出用焊盘电极112”表示就电路而言最接近输出用焊盘电极112。

第一电感器部L11除了包括内层电感器部51以外，还包括接合线W1、导体部54、通路导体55、通路导体56以及导体部57的一部分。在此，导体部57的一部分例如是导体部57中的连接通路导体56的连接部位与导体部57中的连接了电容器C11的节点N11之间的部分。节点N11是多个节点N11～N14中的在与第一功率放大器11的输出用焊盘电极112连接的信号路径LT1上就电路而言最接近输出用焊盘电极112的节点。但是，在实施方式1所涉及的高频模块1中，就电路而言，第一电感器部L11和节点N11中的第一电感器部L11更接近第一功率放大器11的输出用焊盘电极112。

内层电感器部51的材料例如是与导体部54、通路导体55、通路导体56及导体部57相同的材料，但是也可以是不同的材料。

在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，内层电感器部51例如呈C字状。内层电感器部51具有第一端511和第二端512。在图5的(A)和(B)的例子中，内层电感器部51的匝数不足1，但是不限于此，也可以是1个以上。内层电感器部51既可以是3维的螺旋状，也可以是2维的螺旋状(在从多层基板5的厚度方向D1俯视时呈漩涡状)。另外，也可以是，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，内层电感器部51呈蛇行状。

接合线W1是将第一功率放大器11的输出用焊盘电极112与多层基板5的第一主面501上的导体部54连接的线(金属细线)。接合线W1的材料例如是金、铝合金、铜等。

导体部54在多层基板5的第一主面501上与裸片焊盘58相邻。

通路导体55呈柱状(在图示例中为圆柱状)。在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，通路导体55与导体部54及内层电感器部51的第一端511重叠。通路导体55插入安装在导体部54与内层电感器部51的第一端511之间，将导体部54与内层电感器部51的第一端511电连接。

在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，通路导体56与导体部57及内层电感器部51的第二端512重叠。通路导体56插入安装在导体部57与内层电感器部51的第二端512之间，将导体部57与内层电感器部51的第二端512电连接。

从导体部54观察时，导体部57位于与第一功率放大器11侧相反的一侧。导体部57与导体部54远离。

图2中示出的第一匹配电路14的第一电感器部L12～L16例如安装于多层基板5的第一主面501，但是不限于此，也可以设置在多层基板5中。第一匹配电路14的第一电感器部L12～L16中的各第一电感器部例如包括安装于多层基板5的第一主面501的芯片电感器。与此相对地，第一电感器部L11不包括如芯片电感器那样安装于多层基板5的电子部件。

另外，第一匹配电路14的多个电容器C11～C14中的各电容器例如是芯片电容器，安装于多层基板5的第一主面501。

在高频模块1中，第二功率放大器12安装于多层基板5的第一主面501。更详细地说，第二功率放大器12以倒装芯片的安装方式安装于多层基板5。在此，第二功率放大器12的输出用焊盘电极122经由凸块B122来与多层基板5的焊盘E122连接。凸块B122具有导电性。凸块B122的材料例如是Au、Cu、焊料等。

图3中示出的第二匹配电路15的第二电感器部L21～L26例如安装于多层基板5的第一主面501。第二匹配电路15的第二电感器部L21例如包括安装于多层基板5的第一主面501的芯片电感器65。另外，第二匹配电路15的第二电感器部L22～L26中的各第二电感器部例如包括安装于多层基板5的第一主面501的芯片电感器。另外，第二匹配电路15的多个电容器C21～C25中的各电容器例如是芯片电容器，安装于多层基板5的第一主面501。

在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，第二匹配电路15的第二电感器部L21位于以第二功率放大器12为基准的、与第一匹配电路14的第一电感器部L11侧相反的一侧。第二匹配电路15的第二电感器部L21是第二匹配电路15的多个第二电感器部L21～L26中的在与第二功率放大器12的输出用焊盘电极122连接的信号路径LT2上最接近输出用焊盘电极122的串联电感器部。“最接近输出用焊盘电极122”表示就电路而言最接近输出用焊盘电极122。

另外，第三匹配电路16的多个第三电感器部中的各第三电感器部例如包括芯片电感器。另外，第三匹配电路16的多个电容器中的各电容器是芯片电容器。第三匹配电路16的多个第三电感器部和多个电容器安装于多层基板5。

多层基板5具有地层52(参照图5的(B)和图6)。地层52位于第一主面501与第二主面502之间且与第一主面501及第二主面502远离的位置，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，地层52与内层电感器部51至少有一部分重叠。在图5的(B)的例子中，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，地层52遍及内层电感器部51的大致全长地与内层电感器部51重叠。地层52例如由上述的多个导体图案层中的1个导体图案层构成。

另外，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，地层52形成在比内层电感器部51大的范围。在此，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，内层电感器部51位于地层52的外周的内侧。

从内层电感器部51观察时，地层52位于第一主面501和第二主面502中的安装了第二功率放大器12的主面即第一主面501侧。也就是说，在多层基板5的厚度方向D1上，第一主面501与地层52的靠内层电感器部51侧的表面之间的距离比第一主面501与内层电感器部51之间的最短距离短。

地层52经由未图示的通路导体等来与裸片焊盘58电连接。地层52是在高频模块1的使用时等提供例如地电位的导体部。

在地层52设置有沿多层基板5的厚度方向D1贯通的多个孔521(参照图5的(B))。由此，例如，能够抑制地层52与多层基板5中的导体部分(包括内层电感器部51)之间的电容耦合。多个孔521各自的开口形状是圆形状。多个孔521各自的内径比内层电感器部51的线宽窄。多个孔521各自的内径例如只要在设计时根据第一发送信号的频率来适当决定即可，第一发送信号的频率越低，则能够使该内径越大。多个孔521的开口形状不限于圆形状，例如也可以是多边形状。

另外，地层52在多层基板5的厚度方向D1上位于第一电感器部L11所具有的内层电感器部51与第二电感器部L21所具有的芯片电感器65之间，并且，在从厚度方向D1俯视时，地层52与内层电感器部51至少有一部分重叠。在此，第二电感器部L21是第二匹配电路15的多个第二电感器部L21～L26中的在信号路径LT2上最接近第二功率放大器12的输出用焊盘电极122的电感器部。信号路径LT2是与第二功率放大器12的输出用焊盘电极122连接的信号路径。

另外，在高频模块1中，内层电感器部51与地层52之间的距离比第二匹配电路15的第二电感器部L21与地层52之间的距离短。

另外，在高频模块1中，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，包括接合线W1的第一电感器部L11位于以第一功率放大器11为基准的与第二功率放大器12及第二电感器部L21侧相反的一侧。

此外，在高频模块1中，天线端子T10、信号输入端子T11～T13、旁路端子T15以及多个信号输出端子T81～T83分别作为外部连接端子来在多层基板5的第二主面502侧从多层基板5突出地设置。另外，在高频模块1中，经由通路导体等与地层52连接的地端子作为外部连接端子来在多层基板5的第二主面502侧从多层基板5突出地设置。

另外，高频模块1也可以还具备在多层基板5的第一主面501侧覆盖在多层基板5安装的多个电子部件的覆盖层。在此，多个电子部件包括上述的第一功率放大器11、第二功率放大器12以及第二匹配电路15的第二电感器部L21。另外，多个电子部件包括第三功率放大器13、第一匹配电路14的第一电感器部L12～L16及电容器C11～C14、第二匹配电路15的第二电感器部L22～L26及电容器C21～C25、第三匹配电路16的多个第三电感器部及多个电容器、多个双工器81～83、天线开关19、频段切换开关17、控制电路100等。

覆盖层具有电绝缘性。覆盖层密封了多个电子部件等。另外，覆盖层还密封了接合线W1。覆盖层的材料例如是电绝缘性的树脂(例如，环氧树脂)。

另外，实施方式1所涉及的高频模块1也可以还具备覆盖覆盖层的屏蔽层。屏蔽层的材料例如是金属。

(3)效果

另外，有时要求如下一种高频模块：具备支持4G标准的低频段的功率放大器(第一功率放大器)和支持2G标准的中频段的功率放大器(第二功率放大器)，能够同时使用第一功率放大器和第二功率放大器。

另外，有时要求如下一种高频模块：具备支持4G标准的低频段的功率放大器和支持2G标准的中频段的低噪声放大器，能够同时使用功率放大器和低噪声放大器。

然而，在高频模块中，在作为发送信号的谐波之一的二次谐波的频率与第二频带重叠的情况下，该谐波(的不需要的辐射)会跳到与第二频带对应的信号路径。例如，在使4G标准的低频段的频带(第一频带)为Band12、使2G标准的中频段的频带(第二频带)为Band4来同时使用的情况下，作为Band12的发送信号的谐波之一的二次谐波的频率与第二频带重叠，因此该谐波(的不需要的辐射)会跳到与第二频带对应的信号路径。在该信号路径上例如连接有低噪声放大器这样的情况下，有时会使包括低噪声放大器的接收电路的接收性能劣化。

在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一功率放大器11将第一频带的第一发送信号放大后从输出用焊盘电极112输出。第一匹配电路14包括多个第一电感器部L11～L16，与第一功率放大器11的输出用焊盘电极112连接。第二功率放大器12将比第一频带高的第二频带的第二发送信号放大后输出。第二匹配电路15包括至少1个第二电感器部L21，与第二功率放大器12的输出侧(第二功率放大器12的输出用焊盘电极122)连接。多层基板5设置有第一功率放大器11、第一匹配电路14、第二功率放大器12以及第二匹配电路15。第一匹配电路14的多个第一电感器部L11～L16中的最接近第一功率放大器11的输出用焊盘电极112的第一电感器部L11具有设置在多层基板5中(位于其内层)的内层电感器部51。

实施方式1所涉及的高频模块1能够抑制第一匹配电路14的第一电感器部L11与第二匹配电路15的第二电感器部L21之间的耦合(磁耦合)。

在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够抑制以下情况：作为4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器的第一功率放大器11的输出侧的不需要的辐射跳到作为2G标准的中频段用的功率放大器的第二功率放大器12的输出侧。在此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够抑制以下情况：在使用支持4G标准或5G标准的低频段的第一功率放大器11来发送例如Band12的第一发送信号时从第一匹配电路14的第一电感器部L11辐射的不需要的辐射(第一发送信号的谐波)跳到支持2G标准的中频段的第二功率放大器12的输出侧的第二匹配电路15的第二电感器部L21。也就是说，在高频模块1中，能够抑制以下情况：由于第一匹配电路14的第一电感器部L11与第二匹配电路15的第二电感器部L21之间的磁耦合，发生不需要的辐射的跳跃。

另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，第二电感器部L21具有安装于多层基板5的第一主面501和第二主面502中的任一个主面的芯片电感器65。多层基板5具有地层52，该地层52在多层基板5的厚度方向D1上位于内层电感器部51与芯片电感器65之间，并且，在从厚度方向D1俯视时，该地层52与内层电感器部51至少有一部分重叠。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够抑制从内层电感器部51辐射的不需要的辐射(第一发送信号的谐波)跳到第二匹配电路15的至少1个第二电感器部L21。

另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，包括接合线W1的第一电感器部L11位于以第一功率放大器11为基准的与第二功率放大器12及第二电感器部L21侧相反的一侧。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，来自与第一功率放大器11的输出用焊盘电极112连接的接合线W1的不需要的辐射不容易到达第二匹配电路15的第二电感器部L21。

另外，实施方式1所涉及的高频模块1还具备旁路端子T15。旁路端子T15经由第二匹配电路15来与第二功率放大器12连接，旁路端子T15是用于向外部(第二高频模块2)输出来自第二功率放大器12的第二发送信号的端子。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够抑制在第二高频模块2中接收第二频带的信号的接收路径MR1的双工器、与接收路径MR1连接的低噪声放大器等接收电路的接收性能的劣化。

另外，实施方式1所涉及的高频模块1还具备天线开关19和接收滤波器。天线开关19设置于第一功率放大器11的输出端子112及第三功率放大器13的输出端子132与天线端子T10之间。接收滤波器设置于天线开关19与第一匹配电路14之间，支持4G标准或5G标准的低频段。也就是说，接收滤波器使与4G标准或5G标准对应的第一频带的接收信号通过。由此，在实施方式1所涉及的通信装置400中，例如，在进行Band12与Band3的同时通信(在此为2个下行链路-载波聚合)的情况下，能够抑制Band12的谐波经由旁路端子T15流入到第二高频模块2的双工器31，能够实现通信性能的提高。同时通信不限于载波聚合，例如也可以是双连接。作为进行双连接的情况下的2个频段的组合，例如有n8(Band8)与Band3的组合、n28(Band28)与Band1的组合等。

此外，通信装置400不同时进行2G标准的中频段的发送和4G或5G标准的中频段的接收。

(实施方式2)

下面，参照图7来说明实施方式2所涉及的高频模块1a。关于实施方式2所涉及的高频模块1a，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。

在实施方式2所涉及的高频模块1a中，第二功率放大器12配置在多层基板5的裸片焊盘59上。裸片焊盘59的与电介质基板50侧相反的一侧的表面构成第一主面501的一部分。裸片焊盘59具有导电性。

在高频模块1a中，第二匹配电路15的第二电感器部L21具有设置在多层基板5中(位于其内层)的第二内层电感器部53。第二内层电感器部53位于多层基板5的第一主面501与第二主面502之间，且与第一主面501及第二主面502远离。第二内层电感器部53的材料是导电性材料。在此，第二电感器部L21是第二匹配电路15的多个第二电感器部L21～L26中的在与第二功率放大器12的输出用焊盘电极122连接的信号路径LT2上最接近输出用焊盘电极122的串联电感器部。

第二电感器部L21除了包括第二内层电感器部53以外，还包括接合线W2、导体部60、通路导体61、通路导体62、以及导体部63的一部分。在此，导体部63的一部分例如是导体部63中的连接通路导体62的连接部位与导体部63中的连接了电容器C22(参照图3)的节点N21之间的部分。节点N21是多个节点N21～N24中的在与第二功率放大器12的输出用焊盘电极122连接的信号路径LT2上就电路而言最接近输出用焊盘电极122的节点。但是，在实施方式2所涉及的高频模块1a中，就电路而言，第二电感器部L21和节点N21中的第二电感器部L21更接近第二功率放大器12的输出用焊盘电极122。

第二内层电感器部53的材料例如是与导体部60、通路导体61、通路导体62及导体部63相同的材料，但是也可以是不同的材料。

在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，第二内层电感器部53例如呈漩涡状(2维的螺旋状)。第二内层电感器部53具有第一端531和第二端。在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，第二内层电感器部53可以呈C字状，也可以呈蛇行状。另外，第二内层电感器部53也可以呈3维的螺旋状。

接合线W2是将第二功率放大器12的输出用焊盘电极122与多层基板5的第一主面501上的导体部60连接的线(金属细线)。接合线W2的材料例如是金、铝合金、铜等。

导体部60在多层基板5的第一主面501上与裸片焊盘59相邻。

通路导体61呈柱状(在图示例中为圆柱状)。在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，通路导体61与导体部60及第二内层电感器部53的第一端531重叠。通路导体61插入安装在导体部60与第二内层电感器部53的第一端531之间，将导体部60与第二内层电感器部53的第一端531电连接。

在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，通路导体62与导体部63及第二内层电感器部53的第二端重叠。通路导体62插入安装在导体部63与第二内层电感器部53的第二端之间，将导体部63与第二内层电感器部53的第二端电连接。

从导体部60观察时，导体部63位于与第二功率放大器12侧相反的一侧。导体部63与导体部60远离。

实施方式2所涉及的高频模块1a与实施方式1所涉及的高频模块1同样地，能够抑制第一匹配电路14的第一电感器部L11与第二匹配电路15的第二电感器部L21之间的耦合(磁耦合)。总之，实施方式2所涉及的高频模块1a能够抑制以下情况：作为4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器的第一功率放大器11的输出侧的不需要的辐射跳到作为2G标准的中频段用的功率放大器的第二功率放大器12的输出侧。也可以采用高频模块1a来代替实施方式1所涉及的通信装置400的第一高频模块1。

另外，在实施方式2所涉及的高频模块1a中，第二电感器部L21具有与作为第一匹配电路14的内层电感器部51的第一内层电感器部独立地设置在多层基板5中(位于其内层)的第二内层电感器部53。第一内层电感器部(内层电感器部51)与第二内层电感器部53在多层基板5的厚度方向D1上位于互不相同的位置。在实施方式2所涉及的高频模块1a中的多层基板5中，地层52在厚度方向D1上位于第一内层电感器部(内层电感器部51)与第二内层电感器部53之间，并且，在从厚度方向D1俯视时，地层52与第一内层电感器部(内层电感器部51)至少有一部分重叠。由此，实施方式2所涉及的高频模块1a能够抑制从第一匹配电路14的第一内层电感器部(内层电感器部51)辐射的不需要的辐射(第一发送信号的谐波)跳到第二匹配电路15的至少1个第二电感器部L21所具有的第二内层电感器部53。

(实施方式3)

下面，参照图8来说明实施方式3所涉及的高频模块1b。关于实施方式3所涉及的高频模块1b，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。

实施方式3所涉及的高频模块1b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：第一功率放大器11以倒装芯片的安装方式安装于多层基板5。

在实施方式3所涉及的高频模块1b中，第一功率放大器11的输出用焊盘电极112经由凸块B112来与多层基板5的第一主面501上的导体部54连接。凸块B112具有导电性。凸块B112的材料例如是Au、Cu、焊料等。

在实施方式3所涉及的高频模块1b中，第一匹配电路14的第一电感器部L11包括凸块B112来代替实施方式1所涉及的高频模块1的第一匹配电路14中的接合线W1。也就是说，在实施方式3所涉及的高频模块1b中，第一电感器部L11除了包括内层电感器部51、导体部54、通路导体55、通路导体56、以及导体部57的一部分以外，还包括凸块B112。

实施方式3所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1同样地，能够抑制第一匹配电路14的第一电感器部L11与第二匹配电路15的第二电感器部L21之间的耦合(磁耦合)。总之，实施方式3所涉及的高频模块1b能够抑制以下情况：作为4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器的第一功率放大器11的输出侧的不需要的辐射跳到作为2G标准的中频段用的功率放大器的第二功率放大器12的输出侧。也可以采用高频模块1b来代替实施方式1所涉及的通信装置400的第一高频模块1。

另外，在实施方式3所涉及的高频模块1b中，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，地层52位于第一功率放大器11与第二功率放大器12之间。由此，实施方式3所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1相比，能够实现在多层基板5的俯视视角中变得小型。另外，实施方式3所涉及的高频模块1b不需要实施方式1所涉及的高频模块1中的接合线W1，因此与实施方式1所涉及的高频模块1相比，能够实现在多层基板5的厚度方向D1上降低高度。

(实施方式4)

下面，参照图9来说明实施方式4所涉及的高频模块1c。关于实施方式4所涉及的高频模块1c，对与实施方式3所涉及的高频模块1b相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。

实施方式4所涉及的高频模块1c在以下方面与实施方式3所涉及的高频模块1b不同：第二功率放大器12安装于多层基板5的第二主面502。即，在实施方式4所涉及的高频模块1c中，第一功率放大器11安装于多层基板5的第一主面501，另一方面，第二功率放大器12安装于多层基板5的第二主面502。

从内层电感器部51观察时，地层52位于第一主面501和第二主面502中的安装了第二功率放大器12的主面即第二主面502侧。也就是说，在多层基板5的厚度方向D1上，第二主面502与地层52的靠内层电感器部51侧的表面之间的距离比第二主面502与内层电感器部51之间的最短距离短。

实施方式4所涉及的高频模块1c与实施方式3所涉及的高频模块1b同样地，能够抑制第一匹配电路14的第一电感器部L11与第二匹配电路15的第二电感器部L21之间的耦合(磁耦合)。总之，实施方式4所涉及的高频模块1c能够抑制以下情况：作为4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器的第一功率放大器11的输出侧的不需要的辐射跳到作为2G标准的中频段用的功率放大器的第二功率放大器12的输出侧。也可以采用高频模块1c来代替实施方式1所涉及的通信装置400的高频模块1。

(实施方式5)

下面，参照图10及图11来说明实施方式5所涉及的高频模块1d。关于实施方式5所涉及的高频模块1d，对与实施方式3所涉及的高频模块1b相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。另外，关于具备实施方式5所涉及的高频模块1d的通信装置400d，对与具备实施方式1所涉及的高频模块1的通信装置400相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。

如图10所示，实施方式5所涉及的高频模块1d具备功率放大器11、第一匹配电路14、低噪声放大器10以及第二匹配电路18。

功率放大器11具有输入端子111和输出端子112(下面也称为输出用焊盘电极112)，将第一频带的发送信号放大后从输出用焊盘电极112输出。

第一匹配电路14与功率放大器11的输出用焊盘电极112连接。也就是说，第一匹配电路14是输出匹配电路。第一匹配电路14是用于使在第一匹配电路14的前级设置的电路的输出阻抗与在第一匹配电路14的后级设置的电路的输入阻抗匹配的阻抗匹配电路。更详细地说，第一匹配电路14将从功率放大器11观察到的天线端子T10侧的、第一发送信号的基本频率下的阻抗(功率放大器11的输出阻抗)例如调整为50Ω。

低噪声放大器10具有输入端子101(下面也称为输入用焊盘电极101)和输出端子102，将比第一频带高的第二频带的接收信号放大后输出。

第二匹配电路18与低噪声放大器10的输入用焊盘电极101连接。也就是说，第二匹配电路18是输入匹配电路。第二匹配电路18设置于低噪声放大器10的输入用焊盘电极101与天线端子T10之间。第二匹配电路18是用于使在第二匹配电路18的前级设置的电路的输出阻抗与在第二匹配电路18的后级设置的电路的输入阻抗匹配的阻抗匹配电路。更详细地说，第二匹配电路18将从低噪声放大器10观察到的天线端子T10侧的、接收信号的基本频率下的阻抗(低噪声放大器10的输入阻抗)例如调整为50Ω。

另外，实施方式5所涉及的高频模块1d还具备天线开关7。天线开关7具有1个公共端子70和多个(在图示例中为2个)选择端子71、72。

天线开关7设置于天线端子T10与第一匹配电路14及第二匹配电路18之间。在天线开关7中，2个选择端子71、72中的1个选择端子71与第一匹配电路14连接，剩余的1个选择端子72与第二匹配电路18连接。天线开关7例如是开关IC(Integrated Circuit)。

在高频模块1d中，例如，功率放大器11、低噪声放大器10和天线开关7由信号处理电路401d来控制，但是不限于此。例如，高频模块1d也可以具备基于来自外部(例如，信号处理电路401d)的控制信号来控制功率放大器11、低噪声放大器10以及天线开关7的控制电路。控制电路例如是IC(Integrated Circuit)。

高频模块1d进行利用了功率放大器11的通信和利用了低噪声放大器10的通信的同时通信。高频模块1d例如能够同时进行Band8的发送信号的发送和Band3的接收信号的接收。同时通信既可以是载波聚合，也可以是双连接。

第一匹配电路14与实施方式1所涉及的高频模块1同样地，如图2所示那样包括多个(在图示例中为6个)第一电感器部L11～L16。另外，第一匹配电路14如图2所示那样包括多个(在图示例中为4个)电容器C11～C14。第一匹配电路14兼做第一滤波器。第一滤波器使第一频带的发送信号通过，使第一频带以外的信号衰减。

第二匹配电路18包括与低噪声放大器10的输入用焊盘电极101连接的至少1个第二电感器部L61(参照图11)。第二电感器部L61是第二匹配电路18所包括的多个第二电感器部中的在与输入用焊盘电极101连接的信号路径LT4上最接近输入用焊盘电极101的电感器部。“最接近输入用焊盘电极101”表示就电路而言最接近输入用焊盘电极101。第二匹配电路18兼做第二滤波器。第二滤波器使第二频带的接收信号通过，使第二频带以外的信号衰减。

实施方式5所涉及的高频模块1d如图11所示那样具备多层基板5。多层基板5具有彼此相向的第一主面501和第二主面502，设置有功率放大器11、第一匹配电路14、低噪声放大器10以及第二匹配电路18。

第一电感器部L11具有设置在多层基板5中(位于其内层)的内层电感器部51。内层电感器部51与多层基板5的第一主面501及第二主面502远离。第一电感器部L11是多个第一电感器部L11～L16中的就电路而言最接近功率放大器11的输出用焊盘电极112的电感器部。

在实施方式5所涉及的高频模块1d中，与实施方式3所涉及的高频模块1b同样地，多层基板5具有地层52(参照图11)。地层52位于第一主面501与第二主面502之间且与第一主面501及第二主面502远离的位置，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，地层52与内层电感器部51至少有一部分重叠。在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，地层52遍及内层电感器部51的大致全长地与内层电感器部51重叠。

另外，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，地层52形成在比内层电感器部51大的范围。在此，在从多层基板5的厚度方向D1俯视时，内层电感器部51位于地层52的外周的内侧。

从内层电感器部51观察时，地层52位于第一主面501和第二主面502中的安装了低噪声放大器10的主面即第一主面501侧。也就是说，在多层基板5的厚度方向D1上，第一主面501与地层52的靠内层电感器部51侧的表面之间的距离比第一主面501与内层电感器部51之间的最短距离短。

地层52是在高频模块1d的使用时等提供例如地电位的导体部。

在地层52设置有沿多层基板5的厚度方向D1贯通的多个孔521(参照图5的(B))。

另外，地层52位于内层电感器部51与第二匹配电路18的第二电感器部L61之间。

另外，在高频模块1d中，内层电感器部51与地层52之间的距离比第二匹配电路18的第二电感器部L61与地层52之间的距离短。

如图10所示，通信装置400d具备高频模块1d和信号处理电路401d。信号处理电路401d对发送信号和接收信号进行处理。信号处理电路401d具有RF信号处理电路402d和基带信号处理电路403d。

RF信号处理电路402d与高频模块1d连接。更详细地说，RF信号处理电路402d与高频模块1d的功率放大器11的输入端子111及低噪声放大器10的输出端子102连接。

RF信号处理电路402d例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)。RF信号处理电路402d对从低噪声放大器10的输出端子102输出的高频信号(接收信号)进行信号处理。RF信号处理电路402d对从天线200经由高频模块1d输入的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将通过该信号处理生成的接收信号输出到基带信号处理电路403d。

基带信号处理电路403d例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit)。被基带信号处理电路403d处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通话。

另外，RF信号处理电路402d例如对从基带信号处理电路403d输出的发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的发送信号(高频信号)输出到高频模块1d。基带信号处理电路403d例如对来自通信装置400d的外部的发送信号进行规定的信号处理。进行了信号处理的发送信号被输入到功率放大器11的输入端子111。

实施方式5所涉及的高频模块1d能够抑制第一匹配电路14的第一电感器部L11与第二匹配电路18的第二电感器部L61之间的耦合(磁耦合)。总之，实施方式5所涉及的高频模块1d能够抑制以下的情况：4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器11的输出侧的不需要的辐射跳到2G标准的中频段用的低噪声放大器10的输入侧。由此，实施方式5所涉及的高频模块1d能够抑制包括低噪声放大器10的接收电路的接收性能的劣化。

另外，在实施方式5所涉及的高频模块1d中，至少1个第二电感器部L61具有安装于多层基板5的第一主面501和第二主面502中的任一个主面(在图11的例子中为第一主面501)的芯片电感器66。多层基板5具有地层52，该地层52在多层基板5的厚度方向D1上位于内层电感器部51与芯片电感器66之间，并且，在从厚度方向D1俯视时，该地层52与内层电感器部51至少有一部分重叠。由此，实施方式5所涉及的高频模块1d能够进一步抑制从内层电感器部51辐射的不需要的辐射(发送信号的谐波)跳到第二匹配电路18的第二电感器部L61。

(实施方式6)

下面，参照图12来说明实施方式6所涉及的高频模块1e。关于实施方式6所涉及的高频模块1e，对与实施方式5所涉及的高频模块1d相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。

实施方式6所涉及的高频模块1e在以下方面与实施方式5所涉及的高频模块1d不同：低噪声放大器10安装于多层基板5的第二主面502。即，在实施方式6所涉及的高频模块1e中，功率放大器11安装于多层基板5的第一主面501，另一方面，低噪声放大器10安装于多层基板5的第二主面502。

从内层电感器部51观察时，地层52位于第一主面501和第二主面502中的安装了低噪声放大器10的主面即第二主面502侧。也就是说，在多层基板5的厚度方向D1上，第二主面502与地层52的靠内层电感器部51侧的表面之间的距离比第二主面502与内层电感器部51之间的最短距离短。

实施方式6所涉及的高频模块1e与实施方式5所涉及的高频模块1d同样地，能够抑制第一匹配电路14的第一电感器部L11与第二匹配电路18的第二电感器部L61之间的耦合(磁耦合)。总之，实施方式6所涉及的高频模块1e能够抑制以下的情况：4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器11的输出侧的不需要的辐射跳到2G标准的中频段用的低噪声放大器10的输入侧。也可以采用高频模块1e来代替实施方式5所涉及的通信装置400d的高频模块1d。

上述的实施方式1～6不过是本发明的各种实施方式之一。关于上述的实施方式1～6，只要能够达到本发明的目的即可，能够根据设计等来进行各种变更。

例如，在实施方式1所涉及的高频模块1中，将第一功率放大器11的输出用焊盘电极112与导体部54连接的接合线W1的数量不限于1个，也可以是多个。利用接合线W1将第一功率放大器11的输出用焊盘电极112与导体部54连接起来的结构也可以在其它高频模块1c、1d、1e中应用。另外，在实施方式2所涉及的高频模块1a中，将第二功率放大器12的输出用焊盘电极122与导体部60连接的接合线W2的数量不限于1个，也可以是多个。

另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一匹配电路14的第一电感器部L11～L16中的第一电感器部L11需要包括内层电感器部51，但是其它第一电感器部L12～L16的结构和配置没有特别限定。

另外，第一匹配电路14和第二匹配电路15分别兼做滤波器(发送滤波器)，但是不限于此。例如，也可以是，第一发送电路110具备与第一匹配电路14独立的发送滤波器，第二发送电路120具备与第二匹配电路15独立的发送滤波器。

另外，实施方式1所涉及的高频模块1也可以分别具备发送滤波器和接收滤波器来代替双工器81～83。双工器81～83未必安装于多层基板5。另外，实施方式1所涉及的高频模块1也可以具备多工器来代替双工器81～83。

另外，实施方式1所涉及的高频模块1也可以包括第二高频模块2的结构的一部分或全部。另外，实施方式1所涉及的高频模块1也可以包括第二高频模块2的结构的一部分或全部以及同向双工器300。

另外，具备实施方式1所涉及的高频模块1的通信装置400只要是能够支持至少2个下行链路的结构即可，例如也可以是能够支持3个下行链路的结构。在该情况下，只要具备三工器来代替同向双工器300即可。

另外，第一匹配电路14的电路结构不限于图2的例子，例如也可以是图13～图15中的任一个电路结构，还可以是它们以外的电路结构。

图13中示出的第一匹配电路14具有2个第一电感器部L11、L12和3个电容器C11、C12、C14。在该第一匹配电路14中，第一电感器部L11的一端与功率放大器11的输出端子112连接，在第一电感器部L11的另一端连接有第一电感器部L12与电容器C14的串联电路。在该第一匹配电路14中，第一电感器部L11、第一电感器部L12以及电容器C14设置在与功率放大器11的输出端子112(输出用焊盘电极112)连接的信号路径LT1上。因而，该第一匹配电路14具有第一电感器部L11和第一电感器L12作为设置在信号路径LT1上的串联电感器部。在该第一匹配电路14中，电容器C11连接于信号路径LT1上的2个第一电感器部L11、L12之间的节点N111与地之间。另外，在该第一匹配电路14中，电容器C12连接于信号路径LT1上的第一电感器部L12同电容器C14之间的节点N112与地之间。

图14中示出的第一匹配电路14具有2个第一电感器部L11、L17和3个电容器C15～C17。在该第一匹配电路14中，第一电感器部L11的一端与功率放大器11的输出端子112连接，在第一电感器部L11的另一端连接有电容器C15与电容器C16的串联电路。在该第一匹配电路14中，第一电感器部L11、电容器C15以及电容器C16设置在与功率放大器11的输出端子112(输出用焊盘电极112)连接的信号路径LT1上。因而，该第一匹配电路14具有第一电感器部L11作为设置在信号路径LT1上的串联电感器部。在该第一匹配电路14中，电容器C17连接于信号路径LT1上的第一电感器部L11同电容器C15之间的节点N121与地之间。另外，在该第一匹配电路14中，第一电感器部L17连接于信号路径LT1上的电容器C15同电容器C16之间的节点N122与地之间。

图15中示出的第一匹配电路14具有2个第一电感器部L11、L10和3个电容器C10、C18及C19。在该第一匹配电路14中，第一电感器部L11的一端经由电容器C10来与功率放大器11的输出端子112连接，在第一电感器部L11的另一端连接有电容器C18。在该第一匹配电路14中，电容器C10、第一电感器部L11以及电容器C18设置在与功率放大器11的输出端子112(输出用焊盘电极112)连接的信号路径LT1上。因而，该第一匹配电路14具有第一电感器部L11作为设置在信号路径LT1上的串联电感器部。在该第一匹配电路14中，第一电感器部L10连接于信号路径LT1上的电容器C10同第一电感器部L11之间的节点N131与地之间。第一电感器部L10是设置于信号路径LT1与地之间的并联电感器部。另外，在该第一匹配电路14中，电容器C19连接于信号路径LT1上的第一电感器部L11同电容器C18之间的节点N132与地之间。

在图15中示出的例子中，就电路而言最接近功率放大器11的输出用焊盘电极112的第一电感器部是设置在第一匹配电路14中的与输出用焊盘电极112连接的信号路径LT1上的串联电感器部(第一电感器部L11)以及设置于信号路径LT1与地之间的并联电感器部(第一电感器部L10)中的至少1个。

(方式)

本说明书公开了以下的方式。

第1方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)具备第一功率放大器(11)、第一匹配电路(14)、第二功率放大器(12)、第二匹配电路(15)以及多层基板(5)。第一功率放大器(11)具有输出用焊盘电极(112)，将第一频带的第一发送信号放大后从输出用焊盘电极(112)输出。第一匹配电路(14)包括多个第一电感器部(L11～L16)，与第一功率放大器(11)的输出用焊盘电极(112)连接。第二功率放大器(12)将比第一频带高的第二频带的第二发送信号放大后输出。第二匹配电路(15)包括至少1个第二电感器部(L21)，与第二功率放大器(12)的输出侧连接。多层基板(5)具有彼此相向的第一主面(501)和第二主面(502)，设置有第一功率放大器(11)、第一匹配电路(14)、第二功率放大器(12)以及第二匹配电路(15)。多个第一电感器部(L11～L16)中的最接近输出用焊盘电极(112)的第一电感器部(L11)具有设置在多层基板(5)中的内层电感器部(51)。

第1方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)能够抑制第一匹配电路的第一电感器部与第二匹配电路的第二电感器部之间的耦合。

第2方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)如下：在第1方式中，至少1个第二电感器部(L21)具有安装于多层基板(5)的第一主面(501)和第二主面(502)中的任一个主面的芯片电感器(65)。多层基板(5)具有地层(52)，该地层(52)在多层基板(5)的厚度方向(D1)上位于内层电感器部(51)与芯片电感器(65)之间，并且，在从厚度方向(D1)俯视时，该地层(52)与内层电感器部(51)至少有一部分重叠。

第2方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)能够抑制从内层电感器部(51)辐射的不需要的辐射(第一发送信号的谐波)跳到第二匹配电路(15)的至少1个第二电感器部(L21)。

第3方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)如下：在第1方式中，至少1个第二电感器部(L21)具有与作为第一匹配电路(14)的内层电感器部(51)的第一内层电感器部独立地设置在多层基板(5)中的第二内层电感器部。第一内层电感器部(内层电感器部51)与第二内层电感器部(53)在多层基板(5)的厚度方向(D1)上位于互不相同的位置。多层基板(5)具有地层(52)，该地层(52)在厚度方向(D1)上位于第一内层电感器部(内层电感器部51)与第二内层电感器部(53)之间，并且，在从厚度方向(D1)俯视时，该地层(52)与第一内层电感器部(内层电感器部51)至少有一部分重叠。

第3方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)能够抑制从第一匹配电路(14)的第一内层电感器部(内层电感器部51)辐射的不需要的辐射(第一发送信号的谐波)跳到第二匹配电路(15)的至少1个第二电感器部(L21)所具有的第二内层电感器部(53)。

第4方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)如下：在第2方式或第3方式中，最接近输出用焊盘电极(112)的第一电感器部(L11)是设置在第一匹配电路(14)中的与输出用焊盘电极(112)连接的信号路径(LT1)上的串联电感器部以及设置于信号路径(LT1)与地之间的并联电感器部中的至少1个。

在第5方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，在第2方式～第4方式中的任一个方式中，第二功率放大器(12)安装于多层基板(5)的第一主面(501)和第二主面(502)中的一方的主面。从内层电感器部(51)观察时，地层(52)位于第一主面(501)和第二主面(502)中的安装了第二功率放大器(12)的主面侧。

第5方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)能够进一步抑制从内层电感器部(51)辐射的不需要的辐射(第一发送信号的谐波)跳到第二匹配电路(15)的至少1个第二电感器部(L21)。

第6方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)如下：在第2方式～第5方式中的任一个方式中，第二功率放大器(12)具有输出用焊盘电极(122)。至少1个第二电感器部(L21)包括多个第二电感器部(L21～L26)。地层(52)位于内层电感器部(51)与多个第二电感器部(L21～L26)中的在与第二功率放大器(12)的输出用焊盘电极(122)连接的信号路径(LT2)上最接近第二功率放大器(12)的输出用焊盘电极(122)的第二电感器部(L21)之间。

第6方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)能够抑制从内层电感器部(51)辐射的不需要的辐射(第一发送信号的谐波)跳到最接近第二功率放大器(12)的输出用焊盘电极(122)的第二电感器部(L21)。

第7方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)如下：在第6方式中，内层电感器部(51)与地层(52)之间的距离比多个第二电感器部(L21～L26)中的最接近第二功率放大器(12)的输出用焊盘电极(122)的第二电感器部(L21)与地层(52)之间的距离短。

在第7方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够进一步抑制从第一内层电感器部(内层电感器部51)辐射的不需要的辐射(第一发送信号的谐波)跳到最接近第二功率放大器12的输出用焊盘电极(122)的第二电感器部(L21)。

第8方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)如下：在第1方式～第7方式中的任一个方式中，还具备旁路端子(T15)。旁路端子(T15)经由第二匹配电路(15)来与第二功率放大器(12)连接，是用于向外部输出来自第二功率放大器(12)的第二发送信号的端子。

在第8方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够抑制与旁路端子(T15)连接的接收电路等的接收性能的劣化。

第9方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)如下：在第1方式～第8方式中的任一个方式中，进行利用了第一功率放大器(11)的通信和利用了第二功率放大器(12)的通信的同时通信。

第10方式所涉及的通信装置(400)具备第1方式～第9方式中的任一个方式的高频模块(1；1a；1b；1c)以及对第一发送信号和第二发送信号进行处理的信号处理电路(401)。

第10方式所涉及的通信装置(400)能够抑制第一匹配电路(14)的第一电感器部(L11)与第二匹配电路(15)的第二电感器部(L21)之间的耦合。

第11方式所涉及的高频模块(1d；1e)具备功率放大器(11)、第一匹配电路(14)、低噪声放大器(10)、第二匹配电路(18)以及多层基板(5)。功率放大器(11)具有输出用焊盘电极(112)，将第一频带的发送信号放大后从输出用焊盘电极(112)输出。第一匹配电路(14)包括多个第一电感器部(L11～L16)，与功率放大器(11)的输出用焊盘电极(112)连接。低噪声放大器(10)将比第一频带高的第二频带的接收信号放大后输出。第二匹配电路(18)包括至少1个第二电感器部(L61)，与低噪声放大器(10)的输入用焊盘电极(101)连接。多层基板(5)具有彼此相向的第一主面(501)和第二主面(502)，设置有功率放大器(11)、第一匹配电路(14)、低噪声放大器(10)以及第二匹配电路(18)。多个第一电感器部(L11～L16)中的最接近输出用焊盘电极(112)的第一电感器部(L11)具有设置在多层基板(5)中的内层电感器部(51)。

第11方式所涉及的高频模块(1d；1e)能够抑制第一匹配电路(14)的第一电感器部(L11)与第二匹配电路(15)的第二电感器部(L21)之间的耦合。

第12方式所涉及的高频模块(1d；1e)如下：在第11方式中，至少1个第二电感器部(L61)具有安装于多层基板(5)的第一主面(501)和第二主面(502)中的任一个主面的芯片电感器(66)。多层基板(5)具有地层(52)，该地层(52)在多层基板(5)的厚度方向(D1)上位于内层电感器部(51)与芯片电感器(66)之间，并且，在从厚度方向(D1)俯视时，该地层(52)与内层电感器部(51)至少有一部分重叠。

第12方式所涉及的高频模块(1d；1e)能够抑制从内层电感器部(51)辐射的不需要的辐射(发送信号的谐波)跳到第二匹配电路(18)的至少1个第二电感器部(L61)。

在第13方式所涉及的高频模块(1d；1e)中，在第12方式中，最接近输出用焊盘电极(112)的第一电感器部(L11)是设置在第一匹配电路(14)中的与输出用焊盘电极(112)连接的信号路径(LT1)上的串联电感器部以及设置于信号路径(LT1)与地之间的并联电感器部中的至少1个。

在第14方式所涉及的高频模块(1d；1e)中，在第12方式或第13方式中，低噪声放大器(10)安装于多层基板(5)的第一主面(501)和第二主面(502)中的一方的主面。从内层电感器部(51)观察时，地层(52)位于第一主面(501)和第二主面(502)中的安装了低噪声放大器(10)的主面侧。

在第14方式所涉及的高频模块(1d；1e)中，能够进一步抑制从内层电感器部(51)辐射的不需要的辐射(发送信号的谐波)跳到第二匹配电路(18)的至少1个第二电感器部(L61)。

在第15方式所涉及的高频模块(1d；1e)中，在第12方式～第14方式中的任一个方式中，至少1个第二电感器部(L61)包括多个第二电感器部。地层(52)位于内层电感器部(51)与第二匹配电路(18)的多个第二电感器部中的在与输入用焊盘电极(101)连接的信号路径(LT4)上最接近输入用焊盘电极(101)的第二电感器部(L61)之间。

第15方式所涉及的高频模块(1d；1e)能够抑制第一频带的发送信号的谐波跳到在与低噪声放大器(10)的输入用焊盘电极(101)连接的信号路径(LT4)上最接近输入用焊盘电极(101)的第二电感器部(L61)。

在第16方式所涉及的高频模块(1d；1e)中，在第15方式中，内层电感器部(51)与地层(52)之间的距离比第二匹配电路(18)的多个第二电感器部中的最接近输入用焊盘电极(101)的第二电感器部(L61)与地层(52)之间的距离短。

在第16方式所涉及的高频模块(1d；1e)中，能够进一步抑制从内层电感器部(51)辐射的不需要的辐射(发送信号的谐波)跳到最接近低噪声放大器10的输入用焊盘电极(101)的第二电感器部(L61)。

第17方式所涉及的高频模块(1d；1e)如下：在第11方式～第16方式中的任一个方式中，进行利用了功率放大器(11)的通信和利用了低噪声放大器(10)的通信的同时通信。

第18方式所涉及的通信装置(400d)具备第11方式～第17方式中的任一个方式的高频模块(1d；1e)以及对发送信号和接收信号进行处理的信号处理电路(401d)。

第18方式所涉及的通信装置(400d)能够抑制第一匹配电路(14)的第一电感器部(L11)与第二匹配电路(18)的第二电感器部(L61)之间的耦合。

Claims (18)

1.一种高频模块，具备：

第一功率放大器，其具有输出用焊盘电极，将第一频带的第一发送信号放大后从所述输出用焊盘电极输出；

第一匹配电路，其包括多个第一电感器部，与所述第一功率放大器的所述输出用焊盘电极连接；

第二功率放大器，其将比所述第一频带高的第二频带的第二发送信号放大后输出；

第二匹配电路，其包括至少1个第二电感器部，与所述第二功率放大器的输出侧连接；以及

多层基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，设置有所述第一功率放大器、所述第一匹配电路、所述第二功率放大器以及所述第二匹配电路，

其中，所述多个第一电感器部中的最接近所述输出用焊盘电极的第一电感器部具有设置在所述多层基板中的内层电感器部。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述至少1个第二电感器部具有安装于所述多层基板的所述第一主面和所述第二主面中的任一个主面的芯片电感器，

所述多层基板具有地层，所述地层在所述多层基板的厚度方向上位于所述内层电感器部与所述芯片电感器之间，并且，在从所述厚度方向俯视时，所述地层与所述内层电感器部至少有一部分重叠。

3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述至少1个第二电感器部具有与第一内层电感器部独立地设置在所述多层基板中的第二内层电感器部，所述第一内层电感器部是所述第一匹配电路的所述内层电感器部，

所述第一内层电感器部与所述第二内层电感器部在所述多层基板的厚度方向上位于互不相同的位置，

所述多层基板具有地层，所述地层在所述厚度方向上位于所述第一内层电感器部与所述第二内层电感器部之间，并且，在从所述厚度方向俯视时，所述地层与所述第一内层电感器部至少一部分重叠。

4.根据权利要求2或3所述的高频模块，其特征在于，

最接近所述输出用焊盘电极的所述第一电感器部是串联电感器部和并联电感器部中的至少1个，所述串联电感器部设置在所述第一匹配电路中的与所述输出用焊盘电极连接的信号路径上，所述并联电感器部设置于所述信号路径与地之间。

5.根据权利要求2～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

所述第二功率放大器安装于所述多层基板的所述第一主面和所述第二主面中的一方的主面，

从所述内层电感器部观察时，所述地层位于所述第一主面和所述第二主面中的安装了所述第二功率放大器的所述主面侧。

6.根据权利要求2～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

所述第二功率放大器具有输出用焊盘电极，

所述至少1个第二电感器部包括多个第二电感器部，

所述地层位于所述内层电感器部与所述多个第二电感器部中的在同所述第二功率放大器的所述输出用焊盘电极连接的信号路径上最接近所述第二功率放大器的所述输出用焊盘电极的第二电感器部之间。

7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，

所述内层电感器部与所述地层之间的距离比所述多个第二电感器部中的最接近所述第二功率放大器的所述输出用焊盘电极的第二电感器部与所述地层之间的距离短。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

还具备旁路端子，所述旁路端子经由所述第二匹配电路来与所述第二功率放大器连接，用于向外部输出来自所述第二功率放大器的发送信号。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

所述高频模块进行利用了所述第一功率放大器的通信和利用了所述第二功率放大器的通信的同时通信。

10.一种通信装置，具备：

根据权利要求1～9中的任一项所述的高频模块；以及

信号处理电路，其对所述第一发送信号和所述第二发送信号进行处理。

11.一种高频模块，具备：

功率放大器，其具有输出用焊盘电极，将第一频带的发送信号放大后从所述输出用焊盘电极输出；

第一匹配电路，其包括多个第一电感器部，与所述功率放大器的所述输出用焊盘电极连接；

低噪声放大器，其具有输入用焊盘电极，将比所述第一频带高的第二频带的接收信号放大后输出；

第二匹配电路，其包括至少1个第二电感器部，与所述低噪声放大器的所述输入用焊盘电极连接；以及

多层基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，设置有所述功率放大器、所述第一匹配电路、所述低噪声放大器以及所述第二匹配电路，

其中，所述多个第一电感器部中的最接近所述输出用焊盘电极的第一电感器部具有设置在所述多层基板中的内层电感器部。

12.根据权利要求11所述的高频模块，其特征在于，

所述至少1个第二电感器部具有安装于所述多层基板的所述第一主面和所述第二主面中的任一个主面的芯片电感器，

所述多层基板具有地层，所述地层在所述多层基板的厚度方向上位于所述内层电感器部与所述芯片电感器之间，并且，在从所述厚度方向俯视时，所述地层与所述内层电感器部至少有一部分重叠。

13.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于，

最接近所述输出用焊盘电极的所述第一电感器部是串联电感器部和并联电感器部中的至少1个，所述串联电感器部设置在所述第一匹配电路中的与所述输出用焊盘电极连接的信号路径上，所述并联电感器部设置于所述信号路径与地之间。

14.根据权利要求12或13所述的高频模块，其特征在于，

所述低噪声放大器安装于所述多层基板的所述第一主面和所述第二主面中的一方的主面，

从所述内层电感器部观察时，所述地层位于所述第一主面和所述第二主面中的安装了所述低噪声放大器的所述主面侧。

15.根据权利要求12～14中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

所述至少1个第二电感器部包括多个第二电感器部，

所述地层位于所述内层电感器部与所述多个第二电感器部中的在同所述输入用焊盘电极连接的信号路径上最接近所述输入用焊盘电极的第二电感器部之间。

16.根据权利要求15所述的高频模块，其特征在于，

所述内层电感器部与所述地层之间的距离比所述第二匹配电路的所述多个第二电感器部中的最接近所述输入用焊盘电极的所述第二电感器部与所述地层之间的距离短。

17.根据权利要求11～16中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

所述高频模块进行利用了所述功率放大器的通信和利用了所述低噪声放大器的通信的同时通信。

18.一种通信装置，具备：

根据权利要求11～17中的任一项所述的高频模块；以及

信号处理电路，其对所述发送信号和所述接收信号进行处理。

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