CN111864037A - 微元件阵列基板、显示面板及其制备方法 - Google Patents
微元件阵列基板、显示面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111864037A CN111864037A CN201910342736.XA CN201910342736A CN111864037A CN 111864037 A CN111864037 A CN 111864037A CN 201910342736 A CN201910342736 A CN 201910342736A CN 111864037 A CN111864037 A CN 111864037A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solder
- pad
- substrate
- micro
- defining unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H10P72/74—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
-
- H10P72/7432—
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种微元件阵列基板、显示面板及其制备方法。微元件阵列基板包括:第一衬底;微发光二极管阵列,设置在第一衬底上,包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分微发光二极管背离第一衬底的表面设置有第一焊盘及焊料界定单元,焊料界定单元设置于第一焊盘的外周侧。本发明提供的微元件阵列基板结构稳定,易于剥离第一衬底,能够对第一焊盘进行有效保护。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种微元件阵列基板、显示面板及其制备方法。
背景技术
微发光二极管显示(Micro-LED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小发光二极管阵列为像素实现发光显示的技术。目前,Micro-LED技术逐渐成为研究热门,工业界期待有高品质的Micro-LED产品进入市场。高品质Micro-LED产品会对市场上已有的诸如LCD(液晶显示器)/OLED(有机发光二极管显示)的显示产品产生深刻影响。但是由于微发光二极管尺寸较小,且相邻微发光二极管间距较小,使得目前微发光二极管的制造例如对衬底的剥离过程存在许多困难。
发明内容
本发明实施例提供一种微元件阵列基板、显示面板及制备方法,其中,微元件阵列基板结构稳定,易于剥离第一衬底,能够对第一焊盘进行有效保护。
第一方面,根据本发明实施例提供一种微元件阵列基板,包括:第一衬底和微发光二极管阵列,微发光二极管阵列设置在第一衬底上,包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分微发光二极管背离第一衬底的表面设置有第一焊盘及焊料界定单元,焊料界定单元设置于第一焊盘的外周侧。
根据本发明的一个方面,微元件阵列基板进一步包括多个焊料,焊料界定单元围绕第一焊盘的外周侧形成容纳空间,焊料设置在容纳空间内;可选择地,焊料界定单元由感光胶制成。
根据本发明的一个方面,焊料界定单元的厚度h1、第一焊盘的厚度h3和焊料的厚度h5满足:h1-h3≤h5。
根据本发明的一个方面,焊料界定单元的厚度h1、第一焊盘的厚度h3和焊料的厚度h5满足:h5/3≤h1-h3≤2h5/3。
第二方面,本发明实施例提供一种显示面板,包括:微发光二极管阵列,包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分微发光二极管表面设置的第一焊盘及焊料界定单元,焊料界定单元设置于第一焊盘的外周侧;驱动电路基板,与微发光二极管阵列相对设置且通过焊料电连接,驱动电路基板具有朝向微发光二极管阵列且设有多个第二焊盘的连接面,多个第二焊盘呈阵列分布,至少部分第二焊盘与第一焊盘在显示面板的厚度方向上的投影交叠;其中,焊料界定单元与连接面连接,焊料置于在显示面板的厚度方向上的投影交叠的第一焊盘与第二焊盘之间,通过焊料使第一焊盘与第二焊盘电连接。
根据本发明的一个方面,驱动电路基板进一步包括介质层,焊料界定单元通过介质层与连接面连接,焊料穿过介质层与连接面上的第二焊盘电性连接。可选择地,介质层为非导电性绝缘膜。
第三方面,本发明实施例提供一种微发光二极管阵列基板的制备方法,包括:在第一衬底上形成微发光二极管阵列,微发光二极管阵列包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分微发光二极管背离第一衬底的表面设置有第一焊盘;在微发光二极管上形成焊料界定单元,焊料界定单元设置于第一焊盘的外周侧;在第一焊盘背离第一衬底一侧形成焊料。
第四方面,本发明实施例提供一种显示面板的制备方法,包括:在第一衬底上形成微发光二极管阵列,微发光二极管阵列包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分微发光二极管背离第一衬底的表面设置有第一焊盘;在微发光二极管上形成焊料界定单元,焊料界定单元设置于第一焊盘的外周侧;在第一焊盘背离第一衬底一侧形成焊料;提供驱动电路基板,驱动电路基板具有朝向第一衬底且设有多个第二焊盘的连接面,多个第二焊盘呈阵列分布;将第一衬底、微发光二极管阵列、焊料界定单元和焊料翻转并对准,以使至少部分第二焊盘与第一焊盘在厚度方向上的投影交叠;通过焊料将第一焊盘和第二焊盘电性连接,焊料界定单元与连接面连接;剥离第一衬底,形成包括微发光二极管阵列、焊料界定单元和连接面的显示面板。
根据本发明的一个方面,提供驱动电路基板,驱动电路基板具有朝向第一衬底且设有多个第二焊盘的连接面,多个第二焊盘呈阵列分布的步骤还包括:在连接面上形成介质层,其中,介质层覆盖第二焊盘。
根据本发明的一个方面,在第一衬底上形成焊料界定单元,焊料界定单元设置于第一焊盘的外周侧的步骤包括:在第一衬底上涂覆第一溶液,固化形成第一层结构;对第一层结构进行图案化处理,形成焊料界定单元。
第五方面,本发明实施例提供一种显示面板的制备方法,包括:在第一衬底上形成微发光二极管阵列,微发光二极管阵列包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分微发光二极管背离第一衬底的表面设置有第一焊盘;提供驱动电路基板,驱动电路基板具有朝向第一衬底且设有多个第二焊盘的连接面,多个第二焊盘呈阵列分布;在连接面上形成焊料界定单元,焊料界定单元设置于第二焊盘的外周侧;在第二焊盘背离连接面一侧形成焊料;将第一衬底和微发光二极管阵列翻转并对准,以使至少部分第二焊盘与第一焊盘在厚度方向上的投影交叠;通过焊料将第一焊盘和第二焊盘电性连接,焊料界定单元与微发光二极管背离第一衬底的表面连接;剥离第一衬底,形成包括微发光二极管阵列、焊料界定单元和连接面的显示面板。
本发明实施例中提供的微元件阵列基板,在微发光二极管背离第一衬底的表面设置有焊料界定单元,且焊料界定单元设置于第一焊盘的外周侧,以使焊料界定单元对第一焊盘进行保护,防止第一焊盘收到污染或损坏,且能够加强第一焊盘与微发光二极管的连接稳定性,在第一衬底与微发光二极管阵列剥离的过程中,由于焊料界定单元的保护防止第一焊盘在第一衬底的剥离过程受到损坏,进而可以保证微元件阵列基板的性能和产品良率。
附图说明
下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单的介绍,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例的一种显示面板母板的结构示意图;
图2是本发明实施例的一种微元件阵列基板的结构示意图;
图3是本发明实施例的一种微元件阵列基板的俯视图;
图4是本发明实施例的一种驱动电路基板的俯视图;
图5是本发明实施例的另一种显示面板母板的结构示意图;
图6是本发明实施例的一种第一衬底剥离后的显示面板的结构示意图;
图7是本发明实施例的另一种第一衬底剥离后的显示面板的结构示意图;
图8是本发明实施例的一种显示面板的制备方法流程图;
图9至图19是本发明实施例的一种显示面板的制备方法各步骤对应的结构示意图;
图20是本发明实施例的另一种显示面板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明,并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。此外,下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
Micro-LED是在衬底上形成LED的磊晶薄膜层,并在LED的磊晶薄膜层上用感应耦合等离子蚀刻,然后直接形成微米等级的Micro-LED磊晶薄膜结构,再将包括有衬底和形成在衬底上的磊晶层的Micro-LED磊晶薄膜结构键接于驱动电路基板上,最后使用物理或化学机制剥离衬底,此时仅剩4μm~5μm的Micro-LED磊晶薄膜结构在驱动电路基板上形成像素。Micro LED磊晶薄膜结构之间的间距即为显示像素所需的间距,在需要高分辨率时,可以减小像素之间的间距,为满足高分辨率要求,Micro-LED磊晶薄膜结构之间的间距很小,且在衬底上形成大量的Micro-LED磊晶薄膜结构,这样会使得剥离衬底过程中会发生一些问题,例如,由于大量的Micro-LED磊晶薄膜结构均与衬底连接,使得衬底不容易被剥掉或剥离不完全;为进行充分剥离则需要施加较大的外力,但是在较大的外力作用下焊盘容易发生破裂而出现开路现象。而且由于Micro-LED像素点非常密集,电极之间间距非常细小,在微发光二极管阵列基板和驱动电路基板倒装焊绑定过程中很容易出现电极间桥接而出现短路现象。
为解决上述问题,本发明实施例提出了一种显示面板母板,请参阅图1,图1示出本发明实施例的一种显示面板母板的结构示意图。
本发明的实施例提供的显示面板母板包括微元件阵列基板10和驱动电路基板20。其中,驱动电路基板20与微元件阵列基板10相对设置且通过焊料13电连接。
本发明提供的显示面板母板,其为通过刻蚀工艺对微发光二极管121进行阵列化,且将微发光二极管121倒装焊接在驱动电路基板20上。在本发明实施例中,在制造微发光二极管121时通过刻蚀工艺对微发光二极管121进行图形化,并且倒装焊接在驱动电路基板20上,以便使各微发光二极管能够单独驱动。
具体的,请参阅图2和图3,图2示出了本发明实施例的一种微元件阵列基板的结构示意图,图3示出了本发明实施例的一种微元件阵列基板的俯视图。本发明实施例提供的微元件阵列基板10是Micro-LED微发光阵列基板,包括多个阵列排布的微发光二极管121,多个微发光二极管121的内部结构大致相同,以下将对Micro-LED微元件阵列基板进行详细说明。为清楚示出导电结构的连接关系,上述立体示意图中将部分绝缘层隐藏绘示。
本实施例的微元件阵列基板10包括第一衬底11和微发光二极管阵列12,微发光二极管阵列12设置在第一衬底11上且包括呈阵列分布的多个微发光二极管121,至少部分微发光二极管121背离第一衬底11的表面设置有第一焊盘122及焊料界定单元123,焊料界定单元123设置于第一焊盘122的外周侧,用于容纳和保护焊料13。
根据本发明实施例的微元件阵列基板10,在微发光二极管121背离第一衬底11的表面设置有焊料界定单元123,且焊料界定单元123设置于第一焊盘122的外周侧,以使焊料界定单元123对第一焊盘122进行保护,防止第一焊盘122受到污染或损坏,且能够加强第一焊盘122与微发光二极管121之间连接的稳定性,在第一衬底11与微发光二极管阵列12剥离的过程中,由于焊料界定单元123的保护防止第一焊盘122在第一衬底11剥离过程受到损坏,进而可以保证微元件阵列基板10的性能和产品良率。在一些可选实施例中,每个第一焊盘122的外周侧均设置有焊料界定单元123,以对各第一焊盘122进行保护。
第一衬底11可以是蓝宝石衬底,也可以是硅衬底或者砷化镓衬底。
在第一衬底11上,形成LED磊晶的多个层结构,其中在第一衬底11上依次形成第一导电型半导体层、发光层以及第二导电型半导体层。其中,第一导电型半导体层可以为N型半导体层,第二导电型半导体层可以为P型半导体层。发光层是在施加电源时来自第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的电子和空穴复合的区域,当电子和空穴结合时使得微发光二极管121发光。可选择的,本发明实施例中的微发光二极管121可以为任意形状,例如方形或圆形等,方形微发光二极管121的边长例如为5μm~100μm,圆形微发光二极管121的直径例如为5μm~100μm。
进一步的,在微发光二极管阵列基板中,在微发光二极管上形成第一焊盘122,第一焊盘122具有规定的宽度,便于与驱动电路基板进行电性连接。
在本发明的一个可选实施例中,微元件阵列基板10进一步包括多个焊料13,焊料界定单元123围绕第一焊盘122的外周侧形成容纳空间1231,焊料13设置在容纳空间1231内。在这些实施例中,由于焊料界定单元123围绕第一焊盘122的外周侧形成连续封闭的容纳空间1231,且焊料13形成在容纳空间1231内,使得焊料界定单元123能够对第一焊盘122以及设置在第一焊盘122上的焊料13进行全面保护。
焊料界定单元123可以由感光胶制成,进一步的,焊料界定单元123可以是有机材料以及氧化物材料等制成,包括但不限于通过聚酰亚胺、硅树脂、酚醛树脂、环氧树脂等材料制成。
第一焊盘122可以是导体材料制成,例如是金属或氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)制成。例如在一些实施例中,第一焊盘122采用钼、钛、铝、铜、金、银、镍、铂等材料制成。
焊料13可以是由金属合金材料制成,例如是铜锌合金、银铜合金或锡铅合金制成。例如在一些实施例中,焊料13采用共晶焊锡制成,其中,共晶焊锡为含锡约60%,含铅约40%的焊锡。
进一步的,在一些可选的实施例中,焊料界定单元123的厚度h1、第一焊盘122的厚度h3和焊料13的厚度h5满足:h1-h3≤h5;可选择地,焊料界定单元123的厚度h1、第一焊盘122的厚度h3和焊料13的厚度h5满足:h5/3≤h1-h3≤2h5/3。通过合理设定焊料界定单元123的厚度,可以对第一焊盘122和焊料13进行有效保护,同时焊料界定单元123背离微发光二极管121的表面低于焊料13背离微发光二极管121的表面,便于将微元件阵列基板10和驱动电路基板20进行连接时始终保持焊料13与驱动电路基板20先连接,防止第一焊盘122与驱动电路基板20电性连接不稳定或污染第二焊盘22。
请参阅图4,图4示出本发明实施例的一种驱动电路基板的俯视图。驱动电路基板20具有朝向微元件阵列基板10且设有多个第二焊盘22的连接面21,多个第二焊盘22呈阵列分布,至少部分第二焊盘22与第一焊盘122在显示面板母板的厚度方向上的投影交叠;其中,焊料界定单元123与连接面21连接,焊料13置于在厚度方向上的投影交叠的第一焊盘122与第二焊盘22之间,通过焊料13使第一焊盘122与第二焊盘22电连接。
第二焊盘22可以是导体材料制成,例如是金属或氧化铟锡(indium tinoxide,ITO)制成。其中,第一焊盘122和第二焊盘22可以采用不同的导电材料制成,例如在一些实施例中,第一焊盘122采用钼材料制成,第二焊盘22可以采用钛、铝等材料制成。
本发明实施例提供的显示面板母板,通过在多个微发光二极管121背离第一衬底11的表面设置有焊料界定单元123,焊料界定单元123设置于第一焊盘122的周向外侧,以使焊料界定单元123对微发光二极管121以及第一焊盘122起保护作用,进一步的,在厚度方向上的投影交叠的第一焊盘122与第二焊盘22之间设置有焊料13,通过焊料13使第一焊盘122与第二焊盘22电性连接,其中焊料界定单元123与连接面21连接,对微发光二极管121的封装提供支撑,且焊料界定单元123能对第二焊盘22以及焊料13进行有效保护,加强第一焊盘122与第二焊盘22之间电性连接的稳定性。
进一步的,请参阅图5,图5示出了本发明实施例的另一种显示面板母板的结构示意图。根据本发明实施例,驱动电路基板20进一步包括介质层23,焊料界定单元123通过介质层23与连接面21连接,焊料13穿过介质层23与连接面21上的第二焊盘22电性连接。通过介质层23将焊料13与第二焊盘22连接在一起,使得第一焊盘122通过焊料13与第二焊盘22实现电连接,同时微元件阵列基板10整体被介质层23固定,实现了对微发光二极管121封装的支撑和散热,而且,由于微发光二极管121之间的布置非常密集,与之对应的驱动电路基板20上的第二焊盘22布置非常密集,通过在驱动电路基板20上设置介质层23,可以有效防止第二焊盘22以及与第二焊盘22连接的焊料13和第一焊盘122之间接触发生短路现象,提高显示面板的发光稳定性和产品良率。
介质层23为非导电性绝缘膜(non-conductive film,NCF),具体的,介质层23可以是高分子聚合物等制成,包括但不限于树脂材料。通过在驱动电路基板20的连接面21上设置NCF膜,可以对连接的第一焊盘122、焊料13以及第二焊盘22进行保护,并且NCF膜不透光,可以防止微发光二极管121在发光时向下漏光,进而可以有效提高微发光二极管121的发光效率,减少光的损失。
本发明实施例还提供了一种显示面板,请参阅图6所述,图6是本发明实施例的一种第一衬底11剥离后的显示面板的结构示意图。本实施例的显示面板包括微发光二极管阵列12和驱动电路基板20,微发光二极管阵列12包括呈阵列分布的多个微发光二极管121,至少部分微发光二极管121表面设置的第一焊盘122及焊料界定单元123,焊料界定单元123设置于第一焊盘122的外周侧;驱动电路基板20与微发光二极管阵列12相对设置且通过焊料13电连接,驱动电路基板20具有朝向微发光二极管阵列12且设有多个第二焊盘22的连接面21,多个第二焊盘22呈阵列分布,至少部分第二焊盘22与第一焊盘122在显示面板的厚度方向上的投影交叠;其中,焊料界定单元123与连接面21连接,焊料13置于在显示面板的厚度方向上的投影交叠的第一焊盘122与第二焊盘22之间,通过焊料13使第一焊盘122与第二焊盘22电连接。本发明实施例提供的显示面板能够适用于头戴式显示器或平视显示器之类的微型显示器。
本发明实施例中的显示面板,通过在至少部分微发光二极管121表面设置的第一焊盘122及焊料界定单元123,焊料界定单元123设置于第一焊盘122的周向外侧,以使焊料界定单元123对微发光二极管121以及第一焊盘122起保护作用,进一步的,在厚度方向上的投影交叠的第一焊盘122与第二焊盘22之间设置有焊料13,通过焊料13使第一焊盘122与第二焊盘22电性连接,其中焊料界定单元123与连接面21连接,以使焊料界定单元123能对第二焊盘22以及焊料13进行有效保护,加强第一焊盘122与第二焊盘22之间电性连接的稳定性,提高了显示面板的产品性能和产品良率。
进一步的,请参阅图7,图7示出了是本发明实施例的另一种第一衬底11剥离后的显示面板的结构示意图。根据本发明实施例,驱动电路基板20进一步包括介质层23,焊料界定单元123通过介质层23与连接面21连接,焊料13穿过介质层23与连接面21上的第二焊盘22电性连接。通过介质层23将焊料13与第二焊盘22连接在一起,使得第一焊盘122通过焊料13与第二焊盘22实现电连接,同时微元件阵列基板10整体被介质层23固定,实现了对微发光二极管121封装的支撑和散热,而且,由于微发光二极管121之间的布置非常密集,与之对应的驱动电路基板20上的第二焊盘22布置非常密集,通过在驱动电路基板20上设置介质层23,可以有效防止第二焊盘22以及与第二焊盘22连接的焊料13和第一焊盘122之间接触发生短路现象,提高显示面板的发光稳定性和产品良率。
可以理解的是,显示面板是由显示面板母板通过机械剥离掉第一衬底11形成,因此,详细结构不再赘述。
本发明的实施例还提供了一种显示面板的制备方法,请参阅图8所示,图8是本发明实施例的一种显示面板的制备方法800的流程图。本发明实施例的显示面板的制备方法包括步骤S810至步骤S870。
S810,在第一衬底上形成微发光二极管阵列,微发光二极管阵列包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分微发光二极管背离第一衬底的表面设置有第一焊盘。
S820,在微发光二极管上形成焊料界定单元,焊料界定单元设置于第一焊盘的外周侧。
S830,在第一焊盘背离第一衬底一侧形成焊料。
S840,提供驱动电路基板,驱动电路基板具有朝向第一衬底且设有多个第二焊盘的连接面,多个第二焊盘呈阵列分布。
S850,将第一衬底、微发光二极管阵列、焊料界定单元和焊料翻转并对准,以使至少部分第二焊盘与第一焊盘在厚度方向上的投影交叠。
S860,通过焊料将第一焊盘和第二焊盘电性连接,焊料界定单元与连接面连接。
S870,剥离第一衬底,形成包括微发光二极管阵列、焊料界定单元和连接面的显示面板。
下面结合附图9至附图15对显示面板的制备方法800进行详细介绍。
请参阅图9,图9示出了S810步骤的结构示意图。步骤S810中,在第一衬底11上形成微发光二极管阵列12,所述微发光二极管阵列12包括呈阵列分布的多个微发光二极管121,至少部分所述微发光二极管121背离所述第一衬底11的表面设置有第一焊盘122。
请参阅图10至图13,图10至图13示出了S820步骤的结构示意图。步骤S820中,在微发光二极管121上形成焊料界定单元123,焊料界定单元123设置于第一焊盘122的外周侧。
具体的,步骤S820可以包括在第一衬底11上涂覆第一溶液,固化形成第一层结构;然后,对所述第一层结构进行图案化处理,形成焊料界定单元123,此时,焊料界定单元123设置在微发光二极管121背离第一衬底11的表面上,可选择的,本发明实施例中,焊料界定单元123围绕第一焊盘122的外周侧形成容纳空间1231。焊料界定单元123设置于第一焊盘122的外侧可以对第一焊盘122进行保护,使得第一焊盘122与微发光二极管121之间的连接更牢固,同时焊料界定单元123设置在微发光二极管121背离第一衬底11的表面上,相较于在第一衬底11上也设置有焊料界定单元123的情况,本发明实施例更有利于第一衬底11的剥离。
请参阅图14,图11示出了S830步骤的结构示意图。S830步骤中,在第一焊盘122背离第一衬底11一侧形成焊料。
具体的,步骤S830中在焊料界定单元123的容纳空间1231内形成焊料13,可以使用电镀的方法形成焊料13,将电镀焊料13填充在焊料界定单元123的容纳空间1231内,然后经过高温回流电镀形成焊料13,其中焊料13可以是锡-银(Sn-Ag)焊料13,可选择的,焊料13的厚度可以为110μm~120μm。
可以理解的是,通过步骤S810、步骤S820和步骤S830可以制备微元件阵列基板。
请参阅图15至图16,图15至图16示出了S840步骤的结构示意图。步骤S840中,提供驱动电路基板20,驱动电路基板20具有朝向第一衬底11且设有多个第二焊盘22的连接面21,多个第二焊盘22呈阵列分布。
具体的,步骤S840可以包括:首先,在连接面21上设置有多个第二焊盘22,然后,在连接面21上形成介质层23,其中,介质层23覆盖第二焊盘22。可以理解的是,多个第二焊盘22可以呈阵列分布于连接面21上,且至少部分第二焊盘22之间的间距与第一焊盘122之间的间距相同。其中,介质层23可以是非导电性薄膜,可以第二焊盘22进行保护。
请参阅图17,图17示出了S850步骤的结构示意图。步骤S850中,将第一衬底11、微发光二极管阵列12、焊料界定单元123和焊料13翻转并对准,以使至少部分第二焊盘22与第一焊盘122在厚度方向上的投影交叠。
具体的,步骤S850中,通过真空或静电吸附将第一衬底11、微发光二极管阵列12、焊料界定单元123和焊料13作为微元件阵列基板10整体抓取并翻转180°,使得微发光二极管阵列12、焊料界定单元123和焊料13朝向第二焊盘22设置,通过电荷藕合器件图像传感器(Charge Coupled Device,CCD)与驱动电路基板20上的第二焊盘22对准,使得至少部分第二焊盘22与第一焊盘122在厚度方向上的投影交叠,便于第二焊盘22与第一焊盘122的准确对准并通过焊料13实现电连接。
请参阅图18,图18示出了S860步骤的结构示意图。步骤S860中,通过焊料13将第一焊盘122和第二焊盘22电性连接,焊料界定单元123与连接面21连接。
具体的,步骤S860中,使抓取微元件阵列基板10机械臂向靠近驱动电路基板20方向移动,在完成对准后使得微元件阵列基板10与驱动电路基板20压合,在该过程中,焊料13挤压NCF膜使得NCF膜向远离第二焊盘22外周侧移动,最终焊料13与第二焊盘22在高温环境下连接,且焊料界定单元123与连接面21连接,其中,高温是指温度为100℃~400℃。焊料界定单元123与介质层23形成围绕覆盖在第一焊盘122、焊料13和第二焊盘22周侧的封闭空间能够对焊盘进行保护,提升电性连接的稳定性,有效防止空气、水分等污染焊盘,造成焊盘的污染。
请参阅图19,图19示出了S870步骤的结构示意图。步骤S870中,剥离所述第一衬底11,形成包括所述微发光二极管阵列12、所述焊料界定单元123和所述连接面21的显示面板。
根据本发明的上述实施例的显示面板的制作方法800,其制得的显示面板的多个微发光二极管121朝向驱动电路基板20表面设置有焊料界定单元123,焊料界定单元123设置于第一焊盘122的周向外侧,以使焊料界定单元123对微元件器以及第一焊盘122起保护作用,进一步的,在厚度方向上的投影交叠的第一焊盘122与第二焊盘22之间设置有焊料13,通过焊料13使第一焊盘122与第二焊盘22电性连接,其中焊料界定单元123与连接面21连接,以使焊料界定单元123能对第二焊盘22以及焊料13进行有效保护,加强第一焊盘122与第二焊盘22之间电性连接的稳定性。同时,由于焊料界定单元123设置在微发光二极管121表面,与第一衬底11之间不交叠,能够减少第一衬底11剥离的应力,减小对相互连接的连接第一焊盘122和第二焊盘22的损坏。
本发明实施例还提供了另一种显示面板的制备方法2000,请参阅图20所示,图20是本发明实施例的一种显示面板的制备方法2000的流程图。本发明实施例的显示面板的之别方法包括步骤S2010至步骤S2070。
步骤S2010中,在第一衬底上形成微发光二极管阵列,微发光二极管阵列包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分微发光二极管背离第一衬底的表面设置有第一焊盘。
步骤S2020中,提供驱动电路基板,驱动电路基板具有朝向第一衬底且设有多个第二焊盘的连接面,多个第二焊盘呈阵列分布。
步骤S2030中,在连接面上形成焊料界定单元,焊料界定单元设置于第二焊盘的外周侧。
步骤S2040中,在第二焊盘背离连接面一侧形成焊料。
步骤S2050中,将第一衬底和微发光二极管阵列翻转并对准,以使至少部分第二焊盘与第一焊盘在厚度方向上的投影交叠。
步骤S2060中,通过焊料将第一焊盘和第二焊盘电性连接,焊料界定单元与微发光二极管背离第一衬底的表面连接。
步骤S2070中,剥离第一衬底,形成包括微发光二极管阵列、焊料界定单元和连接面的显示面板。
本发明实施例中的显示面板的制备方法与第一实施例中的显示面板的制备方法不同之处在于将焊料界定单元123与焊料13形成在驱动电路基板20上,其他的具体步骤实现方式以及有益效果相同,不再赘述。
应理解,术语“第一”、“第二”、等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。需要理解,如此使用的术语在适当的情况下是可以互换的,以使本文所描述的发明中的实施例,例如,能够按照除了本文说明的或其他方式描述的那些顺次而工作或排列。
本发明可以以其他的具体形式实现,而不脱离其精神和本质特征。因此,当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的,本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义,并且,落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。并且,在不同实施例中出现的不同技术特征可以进行组合,以取得有益效果。本领域技术人员在研究附图、说明书及权利要求书的基础上,应能理解并实现所揭示的实施例的其他变化的实施例。
Claims (10)
1.一种微元件阵列基板,其特征在于,包括:
第一衬底;
微发光二极管阵列,设置在所述第一衬底上,包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分所述微发光二极管背离所述第一衬底的表面设置有第一焊盘及焊料界定单元,所述焊料界定单元设置于所述第一焊盘的外周侧。
2.根据权利要求1所述的微元件阵列基板,其特征在于,进一步包括多个焊料,所述焊料界定单元围绕所述第一焊盘的外周侧形成容纳空间,所述焊料设置在所述容纳空间内;
优选地,所述焊料界定单元由感光胶制成。
3.根据权利要求2所述的微元件阵列基板,其特征在于,所述焊料界定单元的厚度h1、所述第一焊盘的厚度h3和所述焊料的厚度h5满足:h1-h3≤h5。
4.根据权利要求3所述的微元件阵列基板,其特征在于,所述焊料界定单元的厚度h1、所述第一焊盘的厚度h3和所述焊料的厚度h5满足:h5/3≤h1-h3≤2h5/3。
5.一种显示面板,其特征在于,包括:
微发光二极管阵列,包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分所述微发光二极管表面设置的第一焊盘及焊料界定单元,所述焊料界定单元设置于所述第一焊盘的外周侧;
驱动电路基板,与所述微发光二极管阵列相对设置且通过焊料电连接,所述驱动电路基板具有朝向所述微发光二极管阵列且设有多个第二焊盘的连接面,多个所述第二焊盘呈阵列分布,至少部分所述第二焊盘与所述第一焊盘在所述显示面板的厚度方向上的投影交叠;
其中,所述焊料界定单元与所述连接面连接,所述焊料置于在所述显示面板的厚度方向上的投影交叠的所述第一焊盘与所述第二焊盘之间,通过所述焊料使所述第一焊盘与所述第二焊盘电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路基板进一步包括介质层,所述焊料界定单元通过所述介质层与所述连接面连接,所述焊料穿过所述介质层与所述连接面上的所述第二焊盘电性连接;
优选地,所述介质层为非导电性绝缘膜。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在第一衬底上形成微发光二极管阵列,所述微发光二极管阵列包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分所述微发光二极管背离所述第一衬底的表面设置有第一焊盘;
在所述微发光二极管上形成焊料界定单元,所述焊料界定单元设置于所述第一焊盘的外周侧;
在所述第一焊盘背离所述第一衬底一侧形成焊料;
提供驱动电路基板,所述驱动电路基板具有朝向所述第一衬底且设有多个第二焊盘的连接面,多个所述第二焊盘呈阵列分布;
将所述第一衬底、所述微发光二极管阵列、所述焊料界定单元和所述焊料翻转并对准,以使所述至少部分所述第二焊盘与所述第一焊盘在厚度方向上的投影交叠;
通过所述焊料将所述第一焊盘和所述第二焊盘电性连接,所述焊料界定单元与所述连接面连接;
剥离所述第一衬底,形成包括所述微发光二极管阵列、所述焊料界定单元和所述连接面的显示面板。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述提供驱动电路基板,所述驱动电路基板具有朝向所述第一衬底且设有多个第二焊盘的连接面,多个所述第二焊盘呈阵列分布的步骤还包括:在连接面上形成介质层,其中,所述介质层覆盖所述第二焊盘。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述第一衬底上形成焊料界定单元,所述焊料界定单元设置于所述第一焊盘的外周侧的步骤包括:
在所述第一衬底上涂覆第一溶液,固化形成第一层结构;
对所述第一层结构进行图案化处理,形成焊料界定单元。
10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在第一衬底上形成微发光二极管阵列,所述微发光二极管阵列包括呈阵列分布的多个微发光二极管,至少部分所述微发光二极管背离所述第一衬底的表面设置有第一焊盘;
提供驱动电路基板,所述驱动电路基板具有朝向所述第一衬底且设有多个第二焊盘的连接面,多个所述第二焊盘呈阵列分布;
在所述连接面上形成焊料界定单元,所述焊料界定单元设置于所述第二焊盘的外周侧;
在所述第二焊盘背离所述连接面一侧形成焊料;
将所述第一衬底和所述微发光二极管阵列翻转并对准,以使所述至少部分所述第二焊盘与所述第一焊盘在厚度方向上的投影交叠;
通过所述焊料将所述第一焊盘和所述第二焊盘电性连接,所述焊料界定单元与所述微发光二极管背离所述第一衬底的表面连接;
剥离所述第一衬底,形成包括所述微发光二极管阵列、所述焊料界定单元和所述连接面的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910342736.XA CN111864037B (zh) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 微元件阵列基板、显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910342736.XA CN111864037B (zh) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 微元件阵列基板、显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111864037A true CN111864037A (zh) | 2020-10-30 |
| CN111864037B CN111864037B (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=72951323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910342736.XA Active CN111864037B (zh) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 微元件阵列基板、显示面板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111864037B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024255611A1 (zh) * | 2023-06-15 | 2024-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光面板及其制备方法、显示装置 |
| WO2025091224A1 (en) * | 2023-10-31 | 2025-05-08 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Micro-led array layer and micro-led display panel |
| WO2025160697A1 (zh) * | 2024-01-29 | 2025-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光组件和显示基板 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102237470A (zh) * | 2010-04-29 | 2011-11-09 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法以及其基座的制造方法 |
| CN105140380A (zh) * | 2011-05-27 | 2015-12-09 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的发光设备 |
| CN105304807A (zh) * | 2014-07-18 | 2016-02-03 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管、发光装置及其制造方法 |
| CN205488228U (zh) * | 2014-12-12 | 2016-08-17 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光装置 |
| CN108496250A (zh) * | 2016-01-28 | 2018-09-04 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 多芯片组件的制造 |
| CN108682312A (zh) * | 2018-05-12 | 2018-10-19 | 汕头超声显示器技术有限公司 | 一种led阵列装置的制造方法 |
| CN109473532A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-03-15 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种Micro LED显示基板的制作方法 |
-
2019
- 2019-04-26 CN CN201910342736.XA patent/CN111864037B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102237470A (zh) * | 2010-04-29 | 2011-11-09 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法以及其基座的制造方法 |
| CN105140380A (zh) * | 2011-05-27 | 2015-12-09 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有该发光器件的发光设备 |
| CN105304807A (zh) * | 2014-07-18 | 2016-02-03 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管、发光装置及其制造方法 |
| CN205488228U (zh) * | 2014-12-12 | 2016-08-17 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光装置 |
| CN108496250A (zh) * | 2016-01-28 | 2018-09-04 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 多芯片组件的制造 |
| CN108682312A (zh) * | 2018-05-12 | 2018-10-19 | 汕头超声显示器技术有限公司 | 一种led阵列装置的制造方法 |
| CN109473532A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-03-15 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种Micro LED显示基板的制作方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024255611A1 (zh) * | 2023-06-15 | 2024-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光面板及其制备方法、显示装置 |
| WO2025091224A1 (en) * | 2023-10-31 | 2025-05-08 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Micro-led array layer and micro-led display panel |
| WO2025160697A1 (zh) * | 2024-01-29 | 2025-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光组件和显示基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111864037B (zh) | 2022-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11424227B2 (en) | Display panel, display module, and display device | |
| US12113161B2 (en) | Display device using micro LED and method for manufacturing same | |
| US11289633B2 (en) | LED array package and manufacturing method thereof | |
| KR101614370B1 (ko) | 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 이송 헤드, 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법 | |
| JP6483246B2 (ja) | 微小持ち上げ・接合組立法 | |
| KR101529934B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| KR101968527B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 | |
| KR102711807B1 (ko) | 디스플레이 패널 및 이의 제조방법 | |
| CN108336077A (zh) | 像素阵列基板及其制造方法 | |
| KR20190076929A (ko) | 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN110444561B (zh) | 一种显示基板和显示面板 | |
| KR20190092331A (ko) | 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20180082003A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| CN110034224A (zh) | 一种基于条形Micro-LED的转印方法 | |
| TW202147656A (zh) | 發光裝置 | |
| KR20180120527A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| CN112531091B (zh) | 发光装置 | |
| CN111864037A (zh) | 微元件阵列基板、显示面板及其制备方法 | |
| KR20180015940A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| CN108877520A (zh) | 一种显示装置及其制作方法 | |
| WO2021098094A1 (zh) | Micro-led显示器件的制作方法 | |
| US12300767B2 (en) | Display apparatus using micro LED and method for manufacturing same | |
| KR20180130845A (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| CN112531093B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| KR20230002650A (ko) | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20201208 Address after: No.146 Tianying Road, high tech Zone, Chengdu, Sichuan Province Applicant after: Chengdu CHENXIAN photoelectric Co.,Ltd. Address before: 065500 Gu'an Emerging Demonstration Industrial Park, Langfang City, Hebei Province Applicant before: Yungu (Gu'an) Technology Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |