CN111834527B - 一种电容器及其形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电容器的形成方法，包括以下步骤：提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；在通孔内沉积第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。采用本发明提供的电容器的形成方法制造出的电容器的重复率和成功率较高，且采用该方法制造出来的电容器，呈现立体三维结构，可有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。本发明还提供一种电容器，解决现有技术中电容器呈平板结构，因而电容值较小的问题。

Description

一种电容器及其形成方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容器及其形成方法。

背景技术

电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质(包括空气)构成的。

电容值是指在给定电位差下的电容器的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉(F)。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。

目前，常用的平板电容器结构，依靠一维平面上的两个极板的相对面积定义了电容器的有效面积，一维平面的面积有限，这极大的限制了电容器的电容值。提高电容密度是有效增大电容器电容值的方法。

如申请号为201480063001.9的专利文献，公开了一种用于制造电容器结构的方法，包括在半导体基板上制造多晶硅结构(PO)。该方法进一步包括在半导体基板上制造M1至扩散(MD)互连。该多晶硅结构被设置在具有MD互连的交织布局中。该方法还包括选择性地连接MD互连的交织式布局和/或多晶硅结构作为电容器结构。

上述专利文献公开的制造电容器结构的方法，通过多个互连的多晶硅结构来可制造电容密度较高的电容器。但采用上述专利文献公开的制造电容器结构的方法，制造出来的电容器的重复率和成功率较低，因而制造成本比较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电容器及其形成方法，解决现有技术中电容器的制造方法生产出的电容器的重复率和成功率都较低、制造成本较高的问题及现有技术中的电容器大都为平板结构，电容器的电容值较小的问题。

本发明提供的电容器的形成方法包括以下步骤：

提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；

在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；

在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；

在通孔内沉积第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。

采用上述技术方案，在第一金属层上形成第一极板层图案和第二极板层图案，第一极板层图案和第二极板层图案，在第二极板层远离第一金属层的一侧沉积第二金属层，第一极板层图案和第二极板层图案通过第一金属层和第二金属层连接，使得电容器呈现立体三维结构，可以有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。

进一步地，提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案，包括：

提供衬底，在衬底上镀金属材料，形成第一金属层；

在第一金属层上沉积第一极板层；

在第一极板层上形成第一光刻胶图案，刻蚀第一极板层，形成第一极板层图案。

采用上述技术方案，第一金属层可通过在衬底上镀金属材料来获得。衬底可为普通的多晶硅材料，在衬底上镀金属材料，实现金属导电。另外，在第一金属层上形成第一极板层图案，第一极板层图案即为电容器的下极板。

进一步地，在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案，包括：

在第一极板层图案的侧壁、第一极板层图案远离第一金属层的一侧及第一极板层图案的间隔对应的第一金属层上沉积介质层；

在介质层远离第一金属层的一侧沉积第二极板层；

在第一极板层图案远离第一金属层一侧的第二极板层上形成第二光刻胶图案；

刻蚀去除第二光刻胶图案之间的第一金属层上的介质层和第二极板层，形成第二极板层图案。

采用上述技术方案，在第一金属层上形成第二极板层图案，第二极板层图案即为电容器的上极板。

进一步地，在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层，包括：

在第二极板层图案的侧壁、第二极板层图案远离第一金属层的一侧及间隔的第二极板层图案之间的第一金属层上沉积隔离材料；

在隔离材料上远离第一金属层的一侧形成第三光刻胶图案；

刻蚀隔离材料，形成具有通孔的隔离层。

采用上述技术方案，在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层，隔离层用于阻隔电容器的第二极板层图案和第一极板层图案，隔离层为绝缘物质，所以整个电容器在直流电路中是不导电的。

进一步地，在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层，还包括：在至少一个第二极板层图案的间隔之间形成通孔，且在第二极板层图案远离第一金属层的一侧形成通孔。

进一步地，隔离层远离第一金属层的一侧高于第二极板层图案，隔离层与第二极板层图案和第二金属层接触，在远离第一金属层的一侧，第二金属层与隔离层平齐；且在第一金属层的延伸方向上，第二金属层的宽度小于或等于第二极板层图案的宽度。

进一步地，在第二极板层远离第一金属层的一侧沉积第二金属层后，还包括：对第二金属层进行抛光。

采用上述技术方案，对第二金属层进行抛光平坦化，有利于后续制成，进而提高电容器的性能。

进一步地，第一极板层图案、第二极板层图案的材料为氮化金属；

介质层的材料为三元氧化物和二元氧化物中的至少一种；

隔离层的材料为氧化硅或者氮化硅。

进一步地，本发明还提供一种电容器，电容器基于前述的电容器的形成方法制成，电容器包括第一金属层，第一金属层上具有间隔的第一极板层图案；

第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积有介质层和第二极板层图案；

第一金属层上的第二极板层图案的间隔中设置有具有通孔的隔离层；

通孔内沉积有第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。

进一步地，通孔包括在至少一个第二极板层图案的间隔之间形成的通孔，及在第二极板层图案远离第一金属层的一侧形成的通孔。

本发明的有益效果是：

本发明提供的电容器的形成方法，包括以下步骤：提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；在第一金属层上间隔的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；在通孔内沉积第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。本发明提供的电容器的形成方法，制造出来的电容器的重复率和成功率较高，有效节约了制造成本，且采用该方法制造出来的电容器，其第一极板层图案和第二极板层图案通过第一金属层和第二金属层连接，使得电容器呈现立体三维结构，可以有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。

另外，本发明还提供一种电容器，与现有技术相比，本发明提供的电容器呈现立体三维结构，解决了现有技术中，电容器呈平板结构，因而电容值较小的问题。

附图说明

图1为本发明实施例提供的电容器的形成方法的流程图；

图2a-2k为本发明实施例提供的电容器的制作工艺流程的示意图。

附图标记：

11：第一金属层；12：第二金属层；21：第一极板层；22：第二极板层；211：第一极板层图案；221：第二极板层图案；31：第一光刻胶图案；32：第二光刻胶图案；33：第三光刻胶图案；4：介质层；51：隔离材料；52：隔离层；521：通孔；6：电容器。

具体实施方式

下面通过附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是为了指示或者暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或者暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非有另有明确的规定和限制，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以是通过中间媒介连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的含义。

为解决现有技术中电容器的制造方法生产出的电容器的重复率和成功率都较低、制造成本较高的问题及现有技术中的电容器大都为平板结构，电容器的电容值较小的问题。

如图1所示，本实施例提供一种电容器的形成方法，包括以下步骤：

S11：提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案。

如图2c所示，具体的，本实施例中，提供第一金属层11，在第一金属层11上形成具有间隔的第一极板层图案211。第一极板层图案211的材料可以为氮化金属，比如为氮化钛或氮化钽等，也可以为其他导电材料，本实施例对此不作具体限定。进一步地，在第一金属层11上形成具有间隔的第一极板层图案211，第一极板层图案211之间的间隔宽度可以相等，也可以不相等，第一极板层图案211之间的间隔宽度根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。第一极板层图案211即为电容器的下极板，用于后续与其他金属结构连接，实现电容器的导通。

进一步地，提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案，包括：提供衬底，在衬底上镀金属材料，形成第一金属层；在第一金属层上沉积第一极板层；在第一极板层上形成第一光刻胶图案，刻蚀第一极板层，形成第一极板层图案。

如图2a所示，提供衬底，在衬底上镀金属材料，形成第一金属层11。衬底的材料可以为多晶硅、氮化硅、氧化硅等材料，本实施例对此不作具体限定。另外，在衬底上镀金属材料，形成第一金属层11时，第一金属层11的材料可以为铜、铝、钌或者钴等，也可以不仅限于本实施例提供的金属材料，具体根据实际需要选择。为使得第一金属层11在后续使用中的导电性能更好，可在衬底上镀金属材料后，再对衬底上镀的金属材料进行抛光处理，形成导电性能较好的第一金属层11。进一步地，如图2a所示，在第一金属层11上沉积第一极板层21，沉积的第一极板层21用于后续形成电容器的极板。第一极板层21的材料可以为氮化金属，比如可以为氮化钛或氮化钽，第一极板层21作为后续形成电容器的极板的刻蚀材料，为保证电容器在交流电路中的导电性能，第一极板层21的材料为氮化类金属，一方面较易沉积在第一金属层11上，一方面能保证电容器在交流电路中的导电性能，具体的第一极板层21的材料，根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。

如图2b所示，在第一极板层21上形成第一光刻胶图案31。第一光刻胶图案31用于接下来形成所需要的第一极板层图案211。因此，第一光刻胶图案31与接下来形成的第一极板层图案211形状一致。即第一光刻胶图案31之间的间隔宽度可以相等，也可以不相等，第一光刻胶图案31之间的间隔宽度与接下来形成的第一极板层图案211形状一致即可。

如图2c所示，刻蚀第一极板层21，形成第一极板层图案211。通过在第一极板层21上形成第一光刻胶图案31，然后按照第一光刻胶图案31的图案来刻蚀形成相应的第一极板层图案211。第一极板层图案211即为电容器的下极板。

S12：在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案。

如图2g所示，在第一极板层图案211的侧壁及第一极板层图案211远离第一金属层11的一侧，沿远离第一极板层图案211的方向依次沉积介质层4和第二极板层图案221。第二极板层图案221、介质层4沿远离第一极板层图案211的方向依次沉积的厚度可根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。另外，介质层4的材料可以为二元氧化物和者三元氧化物中的至少一种或者其混合物，比如可以是氧化锆、氧化铪、氮氧化铪、氮氧化锆或者其任意的混合物等，也可以不仅限于本实施例给出的材料，具体可根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。本实施例提供的方法，通过预设的第一光刻胶图案31和第二光刻胶图案32，可以较为容易获得电容器的上下极板，且可以重复制造出标准一致的电容器的上下极板，即本实施例中的第一极板层图案211和第二极板层图案221，有效节约了制造成本。

进一步地，在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案包括，在第一极板层图案的侧壁、第一极板层图案远离第一金属层的一侧及第一极板层图案的间隔对应的第一金属层上沉积介质层；在介质层远离第一金属层的一侧沉积第二极板层；在第一极板层图案远离第一金属层一侧的第二极板层上形成第二光刻胶图案；刻蚀去除第二光刻胶图案之间的第一金属层上的介质层和第二极板层，形成第二极板层图案。

如图2d所示，在第一极板层图案211的侧壁、第一极板层图案211远离第一金属层的11一侧及第一极板层图案211的间隔对应的第一金属层11上沉积介质层4。介质层4用于分隔第一极板层图案211和第二极板层图案221，起到分隔绝缘的作用，因此介质层4的材料可以为二元氧化物或者三元氧化物或者其混合物，比如可以是氧化锆、氧化铪、氮氧化铪、氮氧化锆或者其任意的混合物等，也可以不仅限于本实施例给出的材料，具体可根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。

如图2e所示，在介质层4远离第一金属层11的一侧沉积第二极板层22。第二极板层22的厚度根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。另外，第二极板层22的材料可以为氮化金属，比如可以为氮化钛或氮化钽，第二极板层22作为后续形成电容器的极板的材料，为保证电容器在交流电路中的导电性能，第二极板层22的材料为氮化金属，因为介质层4的材料为二元氧化物或者三元氧化物或者其混合物，比如可以是氧化锆、氧化铪、氮氧化铪、氮氧化锆或者其任意的混合物等，因此氮化金属一方面较易沉积在介质层4上，另一方面氮化类金属能保证电容器在交流电路中的导电性能，具体的第二极板层22的材料，根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。

如图2f所示，在第一极板层图案211远离第一金属层11一侧的第二极板层22上形成第二光刻胶图案32。再具体操作中，沿着第二光刻胶图案32的外侧壁，进行接下来的刻蚀工作。第二光刻胶图案32之间的间隔宽度可以相等，也可以不相等，且第二光刻胶图案32之间的间隔宽度等于第一光刻胶图案31之间的宽度减去第二光刻胶图案32的宽度。

如图2g所示，刻蚀去除第二光刻胶图案221之间的第一金属层11上的介质层和第二极板层22，形成第二极板层图案221。即沿着第二光刻胶图案221的外侧壁，刻蚀去除第二光刻胶图案221之间的第一金属层11上的介质层4和第二极板层22，形成第二极板层图案221。第二极板层图案221即为电容器的上极板。

S13：在第一金属层上间隔的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层。

如图2h所示，在第二极板层图案221的侧壁、第二极板层图案221远离第一金属层11的一侧及间隔的第二极板层图案221之间的第一金属层11上沉积隔离材料51。隔离材料51可以为氧化硅或者氮化硅等，用于阻隔电容器的第二极板层图案221和第一极板层图案211。隔离材料51的具体材料，可以不仅限于本实施例给出的材料，具体可根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。

如图2j所示，在第一金属层11上间隔的第二极板层图案221的间隔中形成具有通孔521的隔离层52。该通孔521用于后续填充金属材料。隔离层52为绝缘物质，隔离层52用于阻隔电容器的第二极板层图案221和第一极板层图案211，所以整个电容器在直流电路中是不导电的。隔离层52的材料可以为氧化硅或者氮化硅等，用于阻隔电容器的第二极板层图案221和第一极板层图案211。隔离层52的具体材料，可以不仅限于本实施例给出的材料，具体可根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。

进一步地，在第一金属层上的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层，还包括：在至少一个第二极板层图案的间隔之间形成通孔，且在第二极板层图案远离第一金属层的一侧形成通孔。

如图2i所示，刻蚀隔离材料51，形成具有通孔的隔离层52。隔离层52为绝缘材料，具体可以为氧化硅或者氮化硅等，用于阻隔电容器的第二极板层图案221和第一极板层图案211。隔离层52的具体材料，可以不仅限于本实施例给出的材料，具体可根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。

如图2j所示，在第一金属层11上的第二极板层图案221的间隔中形成具有通孔521的隔离层52，还包括：在至少一个第二极板层图案221的间隔之间形成通孔521，且在第二极板层图案221远离第一金属层11的一侧形成通孔521。

S14：在通孔内沉积第二金属层，第二金属层分别与第二极板层图案和第一金属层接触。

如图2k所示，在通孔521内沉积第二金属层12，第二金属层12分别与第二极板层图案221和第一金属层11接触。第二金属层12与第二极板层图案221接触，第一金属层11与第一极板层图案211接触，在交流电路中，通过第一金属层11、第二金属层12连接导通电容器的第一极板层图案211和第二极板层图案221。本实施例提供的电容器的形成方法，制造出来的电容器的重复率和成功率较高，有效节约了制造成本，且采用该方法制成的电容器，其第一极板层图案211和第二极板层图案221通过第一金属层11和第二金属层12连接，该电容器呈现立体三维结构，可以有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。第二金属层12的材料可以为铜、铝、钌或者钴等，并且第二金属层12的材料可以与第一金属层11的材料相同，也可以不相同，具体根据实际需要选择，本实施例对此不作具体限定。

如图2k所示，进一步地，在第二极板层图案221远离第一金属层11的一侧沉积第二金属层12后，还包括：对第二金属层12进行抛光。对第二金属层12进行抛光平坦化，有利于后续制成，进而提高电容器的性能。

如图2k所示，进一步地，隔离层52远离第一金属层11的一侧高于第二极板层图案221，隔离层52与第二极板层图案221和第二金属层12接触，在远离第一金属层11的一侧，第二金属层12与隔离层52平齐；且在第一金属层11的延伸方向上，第二金属层12的宽度小于或等于第二极板层图案221的宽度。在远离第一金属层11的一侧，第二金属层12与隔离层52平齐；且在第一金属层11的延伸方向上，第二金属层12的宽度小于或等于第二极板层图案221的宽度，电容器的使用性能较好。

本实施例提供的电容器的形成方法，包括以下步骤：提供第一金属层，在第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；在第一极板层图案的侧壁及第一极板层图案远离第一金属层的一侧，沿远离第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；在第一金属层上间隔的第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；在第二极板层图案远离第一金属层的一侧沉积第二金属层。本发明提供的电容器的形成方法，制造出来的电容器的重复率和成功率较高，有效节约了制造成本，且采用该方法制造出来的电容器，其第一极板层图案和第二极板层图案通过第一金属层和第二金属层连接，使得电容器呈现立体三维结构，可以有效提升电容器的密度，继而提升电容器的电容值。

进一步地，本实施例还提供一种电容器，电容器基于前述的电容器的形成方法制成。

如图2k所示，电容器6基于前述的电容器6的形成方法制成，此处不再赘述。

如图2k所示，电容器6包括第一金属层11，第一金属层11上具有间隔的第一极板层图案211；第一极板层图案211的侧壁及第一极板层图案211远离第一金属层11的一侧，远离第一极板层图案211的方向依次沉积有介质层4和第二极板层图案221；第一金属层11上间隔的第二极板层图案221的间隔中设置有具有通孔521的隔离层52；通孔521内有第二金属层12，第二金属层12分别与第二极板层图案221和第一金属层11接触。在本实施例中，该电容器在第一金属层11上形成第一极板层图案211和第二极板层图案221，第一极板层图案211和第二极板层图案221，在第二极板层221远离第一金属层11的一侧沉积第二金属层12，第一极板层图案211和第二极板层图案221通过第一金属层11和第二金属层12连接，该电容器6呈现立体三维结构，可以有效提升电容器6的密度，继而提升电容器6的电容值。

进一步地，如图2k所示，通孔521包括在至少一个第二极板层图案221的间隔之间形成的通孔，及在第二极板层图案221远离第一金属层11的一侧形成的通孔。本实施例提供的电容器6，其第一极板层图案211和第二极板层图案221通过第一金属层11和第二金属层12连接，该电容器6呈现立体三维结构，可以有效提升电容器6的密度，继而提升电容器6的电容值。

本实施例提供的电容器，与现有技术相比，本实施例提供的电容器呈现立体三维结构，解决了现有技术中，电容器呈平板结构，因而电容值较小的问题。

以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一金属层，在所述第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案；

在所述第一极板层图案的侧壁及所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧，沿远离所述第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案；

在所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层；

在所述通孔内沉积第二金属层，所述第二金属层分别与所述第二极板层图案和所述第一金属层接触，所述第一极板层图案和所述第二极板层图案通过所述第一金属层和所述第二金属层连接。

2.根据权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，提供第一金属层，在所述第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案，包括：

提供衬底，在所述衬底上镀金属材料，形成所述第一金属层；

在所述第一金属层上沉积第一极板层；

在所述第一极板层上形成第一光刻胶图案，刻蚀所述第一极板层，形成所述第一极板层图案。

3.根据权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，在所述第一极板层图案的侧壁及所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧，沿远离所述第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案，包括：

在所述第一极板层图案的侧壁、所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧及所述第一极板层图案的间隔对应的所述第一金属层上沉积所述介质层；

在所述介质层远离所述第一金属层的一侧沉积第二极板层；

在所述第一极板层图案远离所述第一金属层一侧的所述第二极板层上形成第二光刻胶图案；

刻蚀去除所述第二光刻胶图案之间的所述第一金属层上的所述介质层和所述第二极板层，形成所述第二极板层图案。

4.根据权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，在所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层，包括：

在所述第二极板层图案的侧壁、所述第二极板层图案远离所述第一金属层的一侧及所述第二极板层图案之间的所述第一金属层上沉积隔离材料；

在所述隔离材料上远离所述第一金属层的一侧形成第三光刻胶图案；

刻蚀所述隔离材料，形成具有通孔的所述隔离层。

5.根据权利要求4所述的电容器的形成方法，其特征在于，在所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层，还包括：

在至少一个所述第二极板层图案的间隔之间形成通孔，且在所述第二极板层图案远离所述第一金属层的一侧形成通孔。

6.根据权利要求5所述的电容器的形成方法，其特征在于，所述隔离层远离所述第一金属层的一侧高于所述第二极板层图案，所述隔离层与所述第二极板层图案和所述第二金属层接触，在远离所述第一金属层的一侧，所述第二金属层与所述隔离层平齐；且在所述第一金属层的延伸方向上，所述第二金属层的宽度小于或等于所述第二极板层图案的宽度。

7.根据权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，在所述第二极板层远离所述第一金属层的一侧沉积第二金属层后，还包括：

对第二金属层进行抛光。

8.根据权利要求1所述的电容器的形成方法，其特征在于，

所述第一极板层图案、所述第二极板层图案的材料为氮化金属；

所述介质层的材料为三元氧化物和二元氧化物中的至少一种；

所述隔离层的材料为氧化硅或氮化硅。

9.一种电容器，其特征在于，所述电容器基于权利要求1-8任意一项所述的电容器的形成方法制成，所述电容器包括所述第一金属层，所述第一金属层上具有间隔的所述第一极板层图案；

所述第一极板层图案的侧壁及所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧，沿远离所述第一极板层图案的方向依次沉积有所述介质层和所述第二极板层图案；

所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中设置有具有通孔的所述隔离层；

所述通孔内沉积有所述第二金属层，所述第二金属层分别与所述第二极板层图案和所述第一金属层接触。

10.根据权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述通孔包括在至少一个所述第二极板层图案的间隔之间形成的通孔，及在所述第二极板层图案远离所述第一金属层的一侧形成的通孔。