CN111834201A - 半导体工艺方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体工艺方法，包括步骤：1)提供衬底；2)于衬底上形成待刻蚀材料层，其上表面具有高度差；3)于待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；4)于抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；5)进行选择性曝光以在正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光区域；6)进行负性显影以去除未曝光区域的正性光刻胶；7)于正性光刻胶层的表面形成酸化区域，其包含可与含硅气体发生反应的聚合物；8)采用含硅气体对酸化区域进行处理，以使其转化为掩膜层；9)去除抗反射层及待刻蚀材料层。本发明可以有效用于制作具有高台阶差的超微细图形，有利于确保器件尺寸精度，提高图形质量，进而有助于改善工艺生产良率，降低生产成本。

Description

半导体工艺方法

技术领域

本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种半导体工艺方法。

背景技术

在半导体芯片制造过程中，由于种种原因会使得形成在衬底上的待刻蚀材料层的上表面具有高度差，即待刻蚀材料层部分区域的上表面高于同层的其他区域的高度而在高低交界处形成台阶差(step height)。台阶差的存在会给工艺增加不少难度，比如在薄膜沉积工艺中容易导致薄膜沉积不均匀，在刻蚀工艺中容易导致刻蚀速率的差异等。这其中，台阶差对光刻工艺的不良影响尤为突出，譬如，台阶差容易导致光刻过程中发生散焦(defocus)、解像不充分(sub-resolution)以及影响光刻胶的刻蚀阻挡效果(etchprevention)等问题，进而导致生产良率的下降。

随着半导体器件特征尺寸的日益缩小以及器件集成度越来越高，高密度超微细图形制造过程中面临的技术挑战也越来越大，台阶差现象已经成为制约器件集成度进一步提高及半导体器件特征尺寸进一步缩小的关键因素。如何减小台阶差对工艺的不良影响，尤其是对光刻工艺的不良影响，已经成为半导体器件制造人员急需解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体工艺方法，用于解决现有技术中因台阶导致光刻过程中发生散焦、解析度下降及刻蚀阻挡等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括如下步骤：

1)提供衬底；

2)于所述衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层的上表面具有高度差；

3)于所述待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；

4)于所述抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；

5)对所述正性光刻胶层进行选择性曝光以在所述正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光区域；

6)对曝光后的所述正性光刻胶层进行负性显影，以去除所述未曝光区域的正性光刻胶；

7)于所述曝光区域的所述正性光刻胶层的表面形成酸化区域，所述酸化区域包含可与含硅气体发生反应的聚合物；

8)采用含硅气体对所述酸化区域进行处理，以使所述酸化区域转化为掩膜层；

9)依据所述掩膜层去除所述未曝光区域的所述抗反射层及所述待刻蚀材料层。

可选地，步骤1)与步骤2)之间还包括于所述衬底的上表面形成刻蚀阻挡层的步骤，所述待刻蚀材料层形成于所述刻蚀阻挡层的上表面。

可选地，所述待刻蚀材料层包括待刻蚀区域及非刻蚀区域，所述非刻蚀区域的上表面的高度高于所述待刻蚀区域的上表面的高度。

可选地，所述步骤7)中对所述曝光区域的所述正性光刻胶层进行烘烤以形成所述酸化区域。

更可选地，烘烤温度为100℃～150℃。

可选地，所述含硅气体包括甲硅烷。

可选地，所述掩膜层包括氧化硅层。

可选地，所述步骤9)中采用氧气等离子体刻蚀去除所述未曝光区域的所述抗反射层。

可选地，所述半导体工艺方法还包括在所述步骤9)之后去除所述掩膜层、所述正性光刻胶层及所述抗反射层的步骤。

可选地，所述步骤3)形成的所述抗反射层的上表面具有高度差，所述正性光刻胶层的上表面为水平面。

如上所述，本发明的半导体工艺方法具有以下有益效果：

本发明采用抗反射层降低器件结构中的台阶差，同时顶部采用正性光刻胶进行曝光以确保较高的图形分辨率，之后进行负显影以去除未曝光区域的光刻胶，并对曝光后的光刻胶进行改性处理以作为后续刻蚀的掩膜。本发明可以有效用于制作具有高台阶差的超微细图形，有利于确保器件尺寸精度，提高图形质量，进而有助于改善工艺生产良率。采用本发明的半导体工艺方法，可以有效降低超微细图形的制作难度，降低生产成本。

附图说明

图1显示为本发明的半导体工艺方法的流程图。

图2至图11显示为本发明的半导体工艺方法各步骤所呈现的截面结构示意图。

元件标号说明

11 衬底

12 待刻蚀材料层

121 待刻蚀区域

122 非刻蚀区域

13 抗反射层

14 正性光刻胶层

141 曝光区域

142 非曝光区域

15 掩膜层

17 刻蚀阻挡层

21 斜面

31 掩膜版

h1 待刻蚀材料层的高度差

θ 角度

S1～S9 步骤

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图11。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

请参阅图1，本发明提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括如下步骤：

1)提供衬底；

2)于所述衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层的上表面具有高度差；

3)于所述待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；

4)于所述抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；

5)对所述正性光刻胶层进行选择性曝光以在所述正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光区域；

6)对曝光后的所述正性光刻胶层进行负性显影，以去除所述未曝光区域的正性光刻胶；

7)于所述曝光区域的所述正性光刻胶层的表面形成酸化区域，所述酸化区域包含可与含硅气体发生反应的聚合物；

8)采用含硅气体对所述酸化区域进行处理，以使所述酸化区域转化为掩膜层；

9)依据所述掩膜层去除所述未曝光区域的所述抗反射层及所述待刻蚀材料层。

本发明采用抗反射层降低器件结构中的台阶差，同时顶部采用正性光刻胶进行曝光以确保较高的图形分辨率，之后进行负显影以去除未曝光区域的光刻胶，并对曝光后的光刻胶进行改性处理以作为后续刻蚀的掩膜。本发明可以有效用于制作具有高台阶差的超微细图形，有利于确保器件尺寸精度，提高图形质量，进而有助于改善工艺生产良率。采用本发明的半导体工艺方法，可以有效降低超微细图形的制作难度，降低生产成本。

接下来结合附图对各步骤进行详细说明。

首先请参阅图1中的步骤S1及图2，提供衬底11。

作为示例，所述衬底11可以为任意一种可以起到支撑后续待刻蚀材料层12的任意一种衬底，譬如，半导体衬底、玻璃衬底等；优选地，所述衬底11可以为但不仅限为半导体衬底，如常用的硅衬底、锗衬底或蓝宝石衬底等，更具体地，所述衬底11可以为裸晶圆或内部已经形成有其他器件结构的晶圆等，且可以预先对所述衬底11进行清洗以提高后续的工艺良率。

在步骤2)中，请参阅图1中的步骤S2及图3，于所述衬底11上形成待刻蚀材料层12，所述待刻蚀材料层12的上表面具有高度差h1；所述高度差h1可以为所述衬底11内形成有凹槽等结构以使得所待刻蚀材料层12直接形成于所述衬底11的上表面后所述待刻蚀材料层12的上表面具有高度差；也可以是所述待刻蚀材料层12都形成在所述衬底11的上表面，由于器件结构的需要而在所述待刻蚀材料层12的不同区域形成了高度差，所述高度差h1的具体数值根据器件结构的不同而不同，可以从数十纳米到数百甚至数千纳米，但所述高度差h1的数值越大，对光刻工艺造成的不良影响越大，尤其是器件集成度越高、器件关键尺寸(critical dimension，简称CD)越小，这种不良影响愈加突出，而本发明能有效克服因高度差带来的不良影响。

本实施例中，作为示例，所述待刻蚀材料层12包括待刻蚀区域121及非刻蚀区域122，所述待刻蚀区域121即需通过刻蚀形成所需的图形结构的区域，且本示例中所述非刻蚀区域122的上表面的高度高于所述待刻蚀区域121的上表面的高度，即所述待刻蚀材料层12的上表面在所述待刻蚀区域121及所述非刻蚀区域122的交界处呈台阶状突变，且这种台阶状突变呈垂直状，极易导致曝光缺陷，而本发明对此提出了改善对策。当然，根据不同器件结构的需要，所述台阶的具体位置和形状还可以有其他选择，本实施例中不做严格限制。

所述待刻蚀材料层12的材料根据器件结构的不同而不同，比如如果需形成接触孔结构，则所述待刻蚀材料层12可以包括多晶硅层或介质层等；在其他示例中，所述待刻蚀材料层12也可以是金属层或其他材料层，具体不限。形成所述待刻蚀材料层12的方法依所述待刻蚀材料层12的材料的不同而不同，比如为多晶硅层时优选气相沉积工艺，为金属层时可以选择物理气相沉积或化学气相沉积工艺。

在一示例中(请继续参考图3)，所述步骤1)与所述步骤2)之间还包括于所述衬底11的上表面形成刻蚀阻挡层17的步骤，所述待刻蚀材料层12形成于所述刻蚀阻挡层17的上表面。

作为示例，所述刻蚀阻挡层17可以为与任意一种与后续形成的所述待刻蚀材料层12具有高刻蚀选择比的材料层，即在相同的刻蚀条件下，所述待刻蚀材料层12的刻蚀速率与所述刻蚀阻挡层17的刻蚀速率呈现出显著的不同。故所述刻蚀阻挡层17的材料可以根据所述待刻蚀材料层12的材料而进行选择，比如当所述待刻蚀材料层12为多晶硅层时，所述刻蚀阻挡层17可以是诸如氮化钛层或氮化硅层等中的一种或由多种材料层组成的复合膜层。在进一步的示例中，还可以于所述刻蚀阻挡层17和所述衬底11之间形成缓冲层，比如二氧化硅层，以保护所述衬底11，增强所述刻蚀阻挡层17和所述衬底11之间的粘附性并减小应力影响。且需要说明的是，同样两种材料的刻蚀速率在不同的刻蚀条件下可能呈现出不同的刻蚀速率差，因而所述刻蚀阻挡层17的材料选择不仅应该根据所述待刻蚀材料层12的不同而选择，同时应该考虑后续刻蚀条件的不同而选择，或者说后续的刻蚀条件需根据所述刻蚀阻挡层17和所述待刻蚀材料层12的不同材料而设定。此外，所述刻蚀阻挡层17的材料选择还需要考虑所述刻蚀阻挡层17底部材料的结构，比如本实施例中，所述刻蚀阻挡层17还需与所述衬底11具有高刻蚀选择比。所述刻蚀阻挡层17的厚度根据其本身材料的不同及/或工艺的不同而设定，通常为100～200nm之间，以尽量减少形成所述刻蚀阻挡层17以及后续刻蚀去除的工艺时间，同时尽量减小所述刻蚀阻挡层17的厚度以减小器件尺寸。

在步骤3)中，请参阅图1中的S3步骤及图4，于所述待刻蚀材料层12的上表面形成抗反射层13(bottom antireflective coating，简称BARC)。所述抗反射层13不仅减小后续光刻工艺过程中的光反射和驻波等现象以提高曝光精度，提高图形分辨率，同时本发明通过引入所述抗反射层13以有效减小因所述待刻蚀材料层12的高度差h1带来的不良影响。所述抗反射层13的材料可以根据需要选择，比如可以为有机硅氧烷或高含碳的聚合物，或者还可以是其他材料层，具体不限，重要的是与其他材料层，比如与所述正性光刻胶层14的材料相匹配且易于在后续工艺中去除。本实施例中由于选用正性光刻胶，因而所述抗反射层13材料优选碱溶性材料，比如选择包括线性的三元共聚物、交联剂、光致酸产生剂(photoacid generator，简称PAG)和猝灭剂的混合物，可有效避免显影残渣，同时具有线条陡直度良好和分辨率高等优点。且作为示例，所述抗反射层13的上表面具有高度差，该高度差优选小于所述待刻蚀材料层12的高度差h1，换而言之，所述待刻蚀材料层12的高度差h1并不完全通过所述抗反射层13抵消。更优选地，本实施例中，所述抗反射层13对应所述待刻蚀材料层12的台阶突变处形成一个平缓的斜面21，所述斜面21的倾斜角度θ优选为钝角，更优选地为135°～150°之间(包括端点值)，因为这个角度区间在工艺上更容易实现，通过该角度的设置更容易设定所述抗反射层13的高度差。设置所述斜面21首先有利于提高工艺容差，因为所述抗反射层13通常通过旋涂形成，故通过设置所述斜面21可以在旋涂过程中调整旋涂角度以避免产生旋涂盲区；同时所述斜面21的存在使得所述抗反射层13有了一定的曲折度而具有更大的表面积，这使得所述抗反射层13能与后续涂布的所述正性光刻胶层14更好地贴合，有利于提高后续的光刻工艺良率。所述抗反射层13的最大厚度与所述抗反射层13的上表面的高度差根据所述待刻蚀材料层12的高度差h1、所述正性光刻胶层14的具体材料以及工艺需要的不同而不同，对此将在后续内容中继续说明。

接下来请参阅图1中的步骤S4及图5，于所述抗反射层13的上表面形成正性光刻胶层14，所述正性光刻胶层14的上表面优选为水平面，有利于提高曝光精度。所述正性光刻胶层14可以是市面上常用的正性光刻胶材料，其通常由含有酚醛树脂类的聚合物、光致酸产生剂之类的感光化合物以及丙二醇-甲基乙醚之类的溶剂。正性光刻胶具有很好的对比度，可以使生成的图形具有良好的分辨率，因而尤其适用于线宽为28nm以下的超微细图形的制作。所述正性光刻胶层14可以通过旋涂形成，其最大厚度可以为300nm～2000nm。本实施例中，由于所述抗反射层13的上表面有高度差，因而所述正性光刻胶层14与所述抗反射层13相接的下表面形成了高度差，或者说所述正性光刻胶层14具有厚度差，该厚度差与所述抗反射层13的高度差之和等于所述待刻蚀材料层12的高度差h1，即通过所述抗反射层13的高度差和所述正性光刻胶层14的厚度差共同抵消所述待刻蚀材料层12的高度差h1，避免台阶差对光刻工艺造成的不良影响。在所述待刻蚀材料层12的高度差h1比较大的情况下，该高度差优选尽量由所述抗反射层13的高度差来抵消，比如在所述待刻蚀材料层12的高度差h1大于2000nm的情况下，所述抗反射层13的高度差大于所述h1的二分之一，即在确保所述正性光刻胶层14对应所述待刻蚀区域121(即对应需要形成所需图形的区域)保持最小涂覆厚度(比如为300nm)的情况下尽量降低所述正性光刻胶层14的最大厚度以尽量减小正性光刻胶的使用，降低生产成本，同时，通过降低所述正性光刻胶层14的厚度差(所述厚度差优选大于零)有利于提高光刻精度。且需要说明的是，本示例中，所述正性光刻胶层14的较薄的区域对应所述待刻蚀材料层12的非刻蚀区域122。此外，作为示例，还可以于所述正性光刻胶层14的上表面形成顶部抗反射涂层(未图示)以进一步提高光刻精度。

接下来请参阅图1中的步骤S5及图6及图7，对所述正性光刻胶层14进行选择性曝光以在所述正性光刻胶层14上形成曝光区域141和未曝光区域141。

作为示例，所述选择性曝光通常采用掩膜版31(mask)进行，所述掩膜版31上形成有开口以对应所述曝光区域141，所述曝光区域141通常对应所需形成的图形所在的位置。在设置曝光能量时需尽量减小对所述抗反射层13的影响。本实施例中，作为示例，曝光能量为对应所述待刻蚀区域121的所述正性光刻胶层14的厚度所需的最小曝光能量。

经曝光后，被曝光区域141的正性光刻胶产生降解而可容易溶解于碱性显影液中，比如常用的TMAH(四甲基氢氧化铵)。现有技术中都是在对正性光刻胶曝光后采用碱性水系显影液进行显影。但本发明则在曝光后进行图1的步骤S6，对曝光后的所述正性光刻胶层14进行负性显影(negative tone develop，简称NTD)，以去除所述未曝光区域141的正性光刻胶，更具体地，本发明采用有机溶剂类的负显影液，比如采用二甲苯对曝光后的所述正性光刻胶层14进行显影，由此进行图像反转，有利于进一步提高图像对比度，更有利于制备超微细和高集成度的图形，此外在显影后还可以采用乙酸丁脂、乙醇或三氯乙烯等有机溶剂进行清洗以去除残渣，提高工艺生产良率。经所述负显影后，所述非曝光区域142的正性光刻胶被去除，得到的结构如图7所示。

然后请参考图1中的步骤S7及图8，于所述曝光区域141的所述正性光刻胶层14的表面形成酸化区域15，所述酸化区域15包含可与含硅气体发生反应的聚合物。

作为示例，此步骤可以采用烘烤进行，比如可以将步骤S6得到的结构置于烘烤装置(譬如烘烤箱中)进行烘烤，烘烤温度可以为100℃～150℃，因为发明人发现，在该温度区间进行烘烤，既可以避免温度太高导致光刻胶熔化而引起的分辨率下降，同时可以避免温度太低导致光刻胶粘附性和抗蚀性差等。烘烤的时间根据光刻胶的厚度及材料的不同而设定，通常在1～2分钟。由于所述正性光刻胶包含光致酸产生剂，在烘烤过程中会分解产生氢离子(H⁺)，氢离子游离到所述正性光刻胶层14的表面而在所述正性光刻胶层14的表面形成所述酸化区域15，所述酸化区域15的厚度通常小于所述正性光刻胶层14的最大厚度。

请继续参考图1中的步骤S8和图9，采用含硅气体对所述酸化区域15进行处理，以使所述酸化区域15转化为掩膜层16。所述含硅气体优选甲硅烷，当然在其他示例中，所述含硅气体也可以是诸如已硅烷的其他气体，重要的是其中需含有硅成分。

作为示例，该步骤可以在等离子体腔室内进行，在适当的反应温度下将含硅气体通入到反应腔室内，含硅气体与所述酸化区域15发生反应，其中的硅原子渗透到所述酸化区域15中而使所述酸化区域15的材质发生了改性而生成诸如氧化硅层或碳化硅层(根据所述含硅气体的不同而不同)，即所述掩膜层16。所述掩膜层16可起到很好的刻蚀阻挡效果，因而有利于提高图像解析度和刻蚀精度。

请参考图1的步骤S9和图10，依据所述掩膜层16去除所述未曝光区域141的所述抗反射层13及所述待刻蚀材料层12。

该步骤的具体工艺根据所述抗反射层13和所述待刻蚀材料层12的具体材料不同而不同。比如如果所述抗反射层13为有机硅氧烷或高含碳的聚合物，则去除所述抗反射层13的步骤可以和前述步骤S8在同一步骤中进行，比如在同一等离子体腔室内，通过通入氧气以去除所述抗反射层13；并且可以继续在该腔室内刻蚀所述待刻蚀材料层12以形成所需图形。

在形成有前述的刻蚀阻挡层17的情况下，在完成所述待刻蚀材料层12的刻蚀后还包括去除所述刻蚀阻挡层17的步骤，经刻蚀后在对应所述非曝光区域142的地方暴露出所述衬底11。由于去除所述刻蚀阻挡层17的工艺为本领域技术人员所熟知，对此不做详细展开。

最后去除所述曝光区域141的所述掩膜层16、正性光刻胶层14和抗反射层13即可得到如图11所示的结构。去除所述掩膜层16的方式根据所述掩膜层16的材料不同可以不同，比如如果所述掩膜层16为氧化硅，则可以采用氟化氢气体去除，而去除所述正性光刻胶层14和所述抗反射层13则可以采用氧气等离子体去除，由于这部分内容为本领域技术人员所熟知，出于简洁的目的不赘述。

综上所述，本发明提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法包括如下步骤：1)提供衬底；2)于所述衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层的上表面具有高度差；3)于所述待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；4)于所述抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；5)对所述正性光刻胶层进行选择性曝光以在所述正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光区域；6)对曝光后的所述正性光刻胶层进行负性显影，以去除所述未曝光区域的正性光刻胶；7)于所述曝光区域的所述正性光刻胶层的表面形成酸化区域，所述酸化区域包含可与含硅气体发生反应的聚合物；8)采用含硅气体对所述酸化区域进行处理，以使所述酸化区域转化为掩膜层；9)依据所述掩膜层去除所述未曝光区域的所述抗反射层及所述待刻蚀材料层。本发明采用抗反射层降低器件结构中的台阶差，同时顶部采用正性光刻胶进行曝光以确保较高的图形分辨率，之后进行负显影以去除未曝光区域的光刻胶，并对曝光后的光刻胶进行改性处理以作为后续刻蚀的掩膜。本发明可以有效用于制作具有高台阶差的超微细图形，有利于确保器件尺寸精度，提高图形质量，进而有助于改善工艺生产良率。采用本发明的半导体工艺方法，可以有效降低超微细图形的制作难度，降低生产成本。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括如下步骤：

1)提供衬底；

2)于所述衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层的上表面具有高度差；

3)于所述待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；

4)于所述抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；

5)对所述正性光刻胶层进行选择性曝光以在所述正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光区域；

6)对曝光后的所述正性光刻胶层进行负性显影，以去除所述未曝光区域的正性光刻胶；

7)于所述曝光区域的所述正性光刻胶层的表面形成酸化区域，所述酸化区域包含可与含硅气体发生反应的聚合物；

8)采用含硅气体对所述酸化区域进行处理，以使所述酸化区域转化为掩膜层；

9)依据所述掩膜层去除所述未曝光区域的所述抗反射层及所述待刻蚀材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：步骤1)与步骤2)之间还包括于所述衬底的上表面形成刻蚀阻挡层的步骤，所述待刻蚀材料层形成于所述刻蚀阻挡层的上表面。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述待刻蚀材料层包括待刻蚀区域及非刻蚀区域，所述非刻蚀区域的上表面的高度高于所述待刻蚀区域的上表面的高度。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述步骤7)中对所述曝光区域的所述正性光刻胶层进行烘烤以形成所述酸化区域。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法，其特征在于：烘烤温度为100℃～150℃。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述含硅气体包括甲硅烷。

7.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述掩膜层包括氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述步骤9)中采用氧气等离子体刻蚀去除所述未曝光区域的所述抗反射层。

9.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述半导体工艺方法还包括在所述步骤9)之后去除所述掩膜层、所述正性光刻胶层及所述抗反射层的步骤。

10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述步骤3)形成的所述抗反射层的上表面具有高度差，所述正性光刻胶层的上表面为水平面。

Images