CN111816795A - 激光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种激光装置。激光装置包括:真空腔室;激光模块,布置于所述真空腔室的外部;运载体,布置于所述真空腔室的内部,并放置对象基板;腔室窗口,以与所述运载体重叠的方式布置于所述真空腔室的一侧,并且使由所述激光模块照射的激光束通过;挡板模块,布置于所述运载体和所述腔室窗口之间;保护部件,布置于所述腔室窗口和所述挡板模块之间;以及加热模块,包含与所述保护部件相邻地布置的热源以及布置于所述热源的外侧的反射器。
Description
技术领域
本发明涉及一种激光装置。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置的重要性正在增加。对此呼应地,正在使用诸如液晶显示装置(LCD:Liquid Crystal Display)、有机发光显示装置(OLED:Organic LightEmitting Display)等多种显示装置。
显示装置中,有机发光显示装置利用借由电子和空穴的再结合生成光的有机发光元件(OLED:Organic Light Emitting Diode)显示影像。有机发光显示装置具有较快的响应速度、较高的亮度和较大的视角,并且可以以较低的耗电量驱动。
有机发光显示装置可通过图案形成工序、有机薄膜蒸镀工序、蚀刻工序、封装工序以及将蒸镀有有机薄膜的基板和经过封装工序的基板粘贴的粘合工序而生产为产品。
另外,在多种工序中,蚀刻工序是在基板的表面将不必要的部分以物理或化学方法刻蚀,即,蚀刻(etching)而获得所需的模样的工序。
在蚀刻工序中,与半导体相同地应用物理或化学的多种方法,例如,可应用借由激光的蚀刻方法。相比于其他方法,借由激光的基板的蚀刻方法由于结构简单并且能够减少蚀刻时间,从而正在被广泛采用。
另外,在借由激光模块进行蚀刻工序的情形下,由于从基板剥离而脱落的颗粒堆积在激光装置的保护部件上,因此需将其更换或清理。在此情况下,为了更换或清理而需要开放真空腔室,并且由于在腔室达到真空状态为止需要中断蚀刻工序,从而生产效率可能会降低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够通过减少激光装置的保护部件的污染并且延长腔室的开放周期而提高生产效率的激光装置。
本发明的技术问题并不限于以上所提及的技术问题,本领域技术人员可以通过以下的记载而明确理解未提及的其他技术问题。
根据用于解决上述技术问题的一实施例的激光装置包括:真空腔室;激光模块,布置于所述真空腔室的外部;运载体,布置于所述真空腔室的内部,并放置对象基板;腔室窗口,以与所述运载体重叠的方式布置于所述真空腔室的一侧,并且使由所述激光模块照射的激光束通过;挡板模块,布置于所述运载体和所述腔室窗口之间;保护部件,布置于所述腔室窗口和所述挡板模块之间;以及加热模块,包含与所述保护部件相邻地布置的热源以及布置于所述热源的外侧的反射器。
所述挡板模块可以包括沿第一方向贯通所述挡板模块的第一孔,其中,所述第一孔可以与从所述激光模块照射的激光束所通过的照射区域重叠。
所述保护部件可以包括高温区域,所述高温区域可以与所述第一孔重叠。
所述激光装置包括布置于所述保护部件上的第一涂层以及第二涂层,其中,所述第一涂层可以与所述高温区域重叠,所述第二涂层可以与所述照射区域不重叠。
所述激光装置还可以包括布置于所述保护部件上的第三涂层,其中,所述第三涂层可以与所述照射区域重叠。
所述保护部件可以是所述激光束所通过的保护窗口,所述高温区域可以与所述激光束所通过的照射区域重叠,并且所述热源可以与所述照射区域不重叠。
所述保护部件可以是反射所述激光束的保护镜,所述热源可以与所述高温区域在厚度方向上重叠。
所述挡板模块可以包括板以及从所述板朝向所述保护部件突出的延伸部。
所述加热模块还可以包括布置于所述反射器和所述挡板模块之间的隔热部件,所述隔热部件可以包括第二孔,所述第二孔贯通所述隔热部件并且与从所述激光模块照射的激光束所通过的照射区域不重叠。
所述激光装置还可以包括布置于所述隔热部件和所述挡板模块之间的冷却部件。
所述冷却部件可以与所述挡板模块直接接触。
所述冷却部件可以包括:第一冷却区域,布置于所述挡板模块的板的下部;以及第二冷却区域,布置为围绕所述延伸部。
所述热源可以包括与所述保护部件对向的一侧面,所述反射器可以布置为覆盖所述热源的上面、下面以及与所述一侧面对向的另一侧面。
所述保护部件可以是所述激光束所通过的保护窗口,所述高温区域可以与所述激光束所通过的照射区域重叠,并且所述热源可以是所述激光模块。
所述保护部件可以是反射所述激光束的保护镜,所述热源可以是所述激光模块。
根据用于解决上述技术问题的另一实施例的激光装置包括:真空腔室,包括第一区域以及作为与所述第一区域不同的区域而执行针对基板的加工工艺的第二区域;挡板模块,布置于所述第一区域;保护部件,布置于所述第二区域;以及加热模块,与所述挡板模块或所述保护部件重叠,其中,所述加热模块包括热源以及布置于所述热源的外侧的反射器。
所述挡板模块可以构成为从所述第一区域向第二区域移动。
所述加热模块可以在所述第二区域布置于所述保护部件的下部。
所述保护部件可以构成为从所述第二区域向第一区域移动。
所述加热模块可以在所述第一区域布置于所述挡板模块的下部。
所述保护部件可包括第一保护部件以及第二保护部件,所述第一保护部件可布置于所述第二区域并且从所述第二区域向所述第一区域移动,所述第二保护部件可布置于所述第一区域并且从所述第一区域向所述第二区域移动。
所述第二保护部件可以布置于所述挡板模块和所述加热模块之间。
根据本发明的实施例,可以通过减少激光装置的保护部件的污染而延长腔室的开放周期,因此可以提高激光装置的生产效率。
根据实施例的效果不被限制为以上示出的内容,本说明书中包括更加多样的效果。
附图说明
图1是根据一实施例的激光装置的结构图。
图2是根据一实施例的挡板模块和加热模块的侧视图。
图3及图4是根据多种实施例的加热模块的剖面图。
图5至图9是根据多种实施例的加热模块的剖面图。
图10是根据另一实施例的挡板模块和加热模块的侧视图。
图11是根据又一实施例的激光装置的结构图。
图12及图13是根据又一实施例的激光装置的结构图。
图14及图15是根据又一实施例的激光装置的结构图。
图16是根据又一实施例的激光装置的结构图。
图17是根据又一实施例的激光装置的结构图。
图18是根据又一实施例的挡板模块和加热模块的侧视图。
图19及图20是根据多种实施例的加热模块的剖面图。
图21至图24是根据多种实施例的加热模块的剖面图。
图25是根据又一实施例的挡板模块和加热模块的侧视图。
图26是根据又一实施例的激光装置的结构图。
图27及图28是根据又一实施例的激光装置的结构图。
图29及图30是根据又一实施例的激光装置的结构图。
符号说明:
CH:真空腔室
CW:腔室窗口
LM:激光模块
BF:挡板模块
PW:保护窗口
PM:保护镜
HM:加热模块
HT:热源
RF:反射器
TI:隔热部件
CM:冷却部件
CT1:第一涂层
CT2:第二涂层
具体实施方式
参照附图和详细后述的实施例,则可以明确本发明的优点和特征、以及达成这些的方法。然而,本发明可以呈现为互不相同的多种形态,且并不限于以下公开的实施例,本实施例仅用于使本发明完全公开并为了向本发明所属技术领域中具有普通知识的人完整地告知发明范围而提供,本发明仅由权利要求书记载的范围而定义。在整个说明书中,相同的参照符号指代相同构成要素。
除非另外定义,否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)应使用为本发明所属技术领域的技术人员可以共同理解的含义。并且,除非在一般使用的词典中定义的术语被特别定义,则不会被理想化或过度地解释。
提及元件(element)或者层在其他元件或者层“上(on)”时,将在其他元件的紧邻的上方的情形或者在其中间夹设有其他层或者其他元件的情形全部包括。
以下,参照附图针对实施例进行说明。本说明书中,第一方向DR1是指Z轴方向,第二方向DR2是指X轴方向和Y轴方向中的一个。
图1是根据一实施例的激光装置的结构图。图2是根据一实施例的挡板模块和加热模块的侧视图。图3及图4是根据多种实施例的加热模块的剖面图。图5至图9是根据多种实施例的加热模块的剖面图。
参照图1至图9,根据一实施例的激光装置可包括真空腔室CH、运载体CR、腔室窗口CW、激光模块LM、保护窗口PW、挡板模块BF以及加热模块HM。
真空腔室CH可以是进行针对基板OB的蚀刻工序的空间。图1中示意性地图示了真空腔室CH的一部分。以下说明的基板OB作为根据一实施例的激光装置的被处理体,可应用液晶显示装置以及有机发光显示装置等显示装置的任意种类的基板。
运载体CR可布置于真空腔室CH内。运载体CR起到吸附并移动基板OB的作用,并且可包括用于吸附基板OB的静电吸盘(未图示)。
激光模块LM可布置于真空腔室CH的外部。激光模块LM为了加工基板OB,向基板OB的一面上照射激光束L。从激光模块LM发出的激光束L通过腔室窗口CW等而照射至基板OB,从而可执行蚀刻工序等。虽然未图示于附图,然而激光模块LM可包括激光单元、透镜、镜子、光束扩展器、滤光器或扫描器等。
腔室窗口CW可布置于真空腔室CH的底面。腔室窗口CW可以利用能够使从激光模块LM发出的激光束L透过的透明的材质构成。通过腔室窗口CW,从布置于真空腔室CH外部的激光模块LM发出的激光束L可以进入真空腔室CH内部。腔室窗口CW可以利用石英(quartz)材质构成。虽然图1中示出了腔室窗口CW构成为一个窗口的情形,然而并非局限于此。即,腔室窗口CW可根据激光模块LM的数量而构成为多个窗口。
保护窗口PW可在真空腔室CH内布置于腔室窗口CW上部。具体地,保护窗口PW可布置于运载体CR(或基板OB)和腔室窗口CW之间。保护窗口PW可以利用能够使通过腔室窗口CW而进入到真空腔室CH内的激光束L透过的透明的材质构成。保护窗口PW可以利用石英(quartz)材质构成,并且可以利用与腔室窗口CW相同的物质构成。保护窗口PW可以起到如下作用:在使激光束L透过的同时,防止腔室窗口CW被随着蚀刻工序的进行而从基板OB剥离并脱落的颗粒P污染。虽然图1中示出了保护窗口PW构成为一个窗口的情形,然而并非局限于此。即,保护窗口PW可以根据激光模块LM的数量而构成为多个窗口。保护窗口PW可以如图3所示地具有圆形形态的平面形状,也可以如图4所示地具有四角形形态的平面形状。然而,并非局限于此。
挡板模块BF可在真空腔室CH内布置于保护窗口PW上部。具体地,挡板模块BF可布置于运载体CR(或基板OB)和保护窗口PW之间。在挡板模块BF与激光束L所通过的路径重叠而布置的情形下,挡板模块BF可包括使激光束L所通过的贯通孔。对此的详细说明将进行后述。
挡板模块BF可以起到如下作用:吸附随着基板OB的蚀刻工序的进行而从基板OB剥离并脱落的颗粒P。由于挡板模块BF吸附颗粒P,可以减少保护窗口PW或腔室窗口CW的污染。据此,可以防止由保护窗口PW或腔室窗口CW上的颗粒P导致的折射率或透过率降低,从而可以提高加工品质。并且,无需更换或清理保护窗口PW或腔室窗口CW,或者可以延长为了更换或清理保护窗口PW或腔室窗口CW而开放真空腔室CH的周期,从而可以增加激光装置的生产效率。对此的详细说明将进行后述。
加热模块HM可在真空腔室CH内与保护窗口PW邻接地布置。加热模块HM向保护窗口PW供热,即使随着蚀刻工序的进行而从基板OB剥离的颗粒P脱落到保护窗口PW侧,颗粒P也可借由加热的保护窗口PW的热而朝向挡板模块BF再上升,并吸附于挡板模块BF。
以下,针对挡板模块BF和加热模块HM进行更加详细的说明。
图2至图4中,为了便于说明,以保护窗口PW为中心图示了挡板模块BF和加热模块HM的详细构成。
参照图2,加热模块HM可包括热源HT、反射器RF以及隔热部件TI。
热源HT可以以保护窗口PW为中心布置于保护窗口PW的外侧。即,热源HT可布置为具有预定厚度而围绕保护窗口PW的侧面。热源HT的平面形状可以与保护窗口PW的平面形状对应。即,在保护窗口PW如图3所示地具有圆形形状的情况下,热源HT可以形成为具有预定厚度的圆环形状,在保护窗口PW如图4所示地具有四角形形状的情况下,热源HT还可以形成为具有预定厚度的四边形框架形状。热源HT作为加热模块HM的热源,可以起到向保护窗口PW供热而将保护窗口PW加热的作用。据此,保护窗口PW可以包括表面温度局部地不同的区域。即,保护窗口PW可以局部地包括高温区域HA。保护窗口PW的高温区域HA可相比于保护窗口PW的除了高温区域HA以外的区域具有较高的表面温度。保护窗口PW通过局部地布置后述的涂层,从而可以控制高温区域HA的位置。例如,可以在保护窗口PW与挡板模块BF的第一孔H1重叠的区域布置第一涂层CT1,从而使高温区域HA位于与第一孔H1重叠的区域。对此的详细说明将进行后述。从基板OB剥离的颗粒P可以借由高温区域HA的热而朝向挡板模块BF再上升并吸附于挡板模块BF。平面上高温区域HA可以与激光束L行进的照射区域LA重叠。作为热源HT,可以应用护套加热器(Sheath Heater)等的热传导、护套/灯具(Sheath/LampHeater)加热器等的热辐射以及借由激光的加热方式。
反射器RF可以以保护窗口PW为中心布置于热源HT的外侧。即,热源HT可布置于保护窗口PW和反射器RF之间。反射器RF可布置为覆盖热源HT。即,反射器RF可布置为,除了热源HT的与保护窗口PW对向的一侧面以外,覆盖热源HT的上面、下面以及另一侧面。反射器RF也可以与保护窗口PW局部重叠。反射器RF可以起到将从热源HT产生的热反射而向保护窗口PW传递的作用。为此,反射器RF可包括反射热的反射面。所述反射面可以布置为与热源HT的外侧面对向,以反复反射从热源HT朝向保护窗口PW的相反方向发出的热,从而有效地传递至保护窗口PW。反射器RF的反射面作为硬面,可以构成为利用金属或树脂等的具有光泽的物质构成的平坦面。
隔热部件TI可以以保护窗口PW为中心布置于反射器RF的外侧。即,反射器RF可布置于热源HT和隔热部件TI之间。隔热部件TI可直接朝向加热模块HM的最外侧暴露。隔热部件TI防止朝向反射器RF的外部发出的热向加热模块HM的外部流失,从而可以提高加热模块HM的效率。隔热部件TI可构成为在不锈钢板内部填充有隔热材料的形态。
挡板模块BF可布置于保护窗口PW上面,并且在保护窗口PW上部布置有加热模块HM的隔热部件TI的情况下可布置于隔热部件TI上部。借由隔热部件TI可以阻隔从热源HT发出的热,因此挡板模块BF的表面温度可以低于保护窗口PW的表面温度。颗粒P具有在低温下易于被吸附的倾向,从而颗粒P可以易于吸附于相对具有低温的挡板模块BF的表面。据此,可以防止从保护窗口PW侧沿第一方向DR1再上升的颗粒P再吸附于基板OB等。
挡板模块BF可包括布置于保护窗口PW或隔热部件TI上部的板BFP1。板BFP1防止保护窗口PW由于颗粒P而受污染,为此,板BFP1可布置为覆盖保护窗口PW,并且在第一方向DR1上与保护窗口PW完全重叠。
并且,挡板模块BF可包括从板BFP1沿第一方向DR1的相反方向延伸或突出形成的延伸部BFP2。具体地,延伸部BFP2可具有从板BFP1朝保护窗口PW突出的形状。并且,延伸部BFP2可具有朝保护窗口PW的高温区域HA突出的形状。延伸部BFP2可具有圆形的管状,并且在中央处可包括作为空的空间的后述的第一孔H1。延伸部BFP2可以在第二方向DR2上与隔热部件TI重叠。延伸部BFP2可布置于板BFP1和保护窗口PW的高温区域HA之间,并且可以通过吸附颗粒P而更加有效地防止保护窗口PW的污染。即,即使颗粒P并未吸附于板BFP1,而是朝保护窗口PW下降,颗粒P也可以借由保护窗口PW的高温区域HA的热而朝向基板OB侧再上升。在此情况下,上升的颗粒P可被挡板模块BF的延伸部BFP2吸附,并且可以更有效地防止保护窗口PW的污染。
延伸部BFP2作为从板BFP1延伸的部分,可以利用与板BFP1相同的材质构成。
加热模块HM和挡板模块BF可包括沿第一方向DR1贯通加热模块HM和挡板模块BF的贯通孔。在此,第一方向DR1可以与激光束L的行进方向相同。贯通孔可以是激光束L所通过的区域。贯通孔可包括挡板模块BF的第一孔H1、反射器RF的第二孔H2、隔热部件TI的第三孔H3。第一孔H1至第三孔H3可以提供能够使激光束L穿过挡板模块BF和加热模块HM而到达基板OB的路径。即,第一孔H1至第三孔H3可以与激光束L的照射区域LA重叠。第一孔H1至第三孔H3相互之间可以重叠,第一孔H1至第三孔H3的全部重叠的区域可以被定义为激光束L的照射区域LA。
第一孔H1至第三孔H3可以具有彼此不同的内径。例如,第三孔H3可以小于第二孔H2,第一孔H1可以小于第三孔H3。在此情况下,可通过具有最小内径的第一孔H1定义激光束L的照射区域LA。
另外,激光装置的构成并不局限于图2。即,如图5所示,保护窗口PW可包括布置于保护窗口PW上的涂层。涂层可以包括第一涂层CT1和第二涂层CT2。第一涂层CT1可布置于保护窗口PW的上面。第一涂层CT1可以与保护窗口PW的上面直接接触。并且,第一涂层CT1可以与保护窗口PW的高温区域HA重叠。第一涂层CT1可以吸收从热源HT发出的热而使保护窗口PW的高温区域HA局部地高温化。据此,可以在防止保护窗口PW的其他区域的热变形的同时,使高温区域HA集中地高温化,从而提高热效率。第一涂层CT1可以利用具有高吸收率的物质构成。例如,第一涂层CT1可以包括树脂组成物或金属物质。另外,第一涂层CT1对激光束L的透过率较低,因此可以不被布置在激光束L所通过的照射区域LA。即,第一涂层CT1可不与照射区域LA重叠。第一涂层CT1可以利用具有高反射率的物质构成,并且可以以旋转涂覆、热硬化或紫外线硬化等方法涂覆。
第二涂层CT2可布置于保护窗口PW的上面、侧面以及下面。第二涂层CT2可以在高温区域HA与第一涂层CT1重叠,并且可以与第一涂层CT1直接接触。在除了高温区域HA以外的区域,第二涂层CT2可以与保护窗口PW直接接触。第二涂层CT2反复反射朝向保护窗口PW的相反方向发出的热,从而可以有效地传递至保护窗口PW,并且可以防止从热源HT发出的热向外部流失。第二涂层CT2可以利用具有高反射率的物质构成,并且可以利用与第一涂层CT1不同的物质构成。第二涂层CT2可以以旋转涂覆、热硬化或紫外线硬化等方法涂覆。
另外,第二涂层CT2对激光束L的透过率较低,因此可不被布置在激光束L所通过的照射区域LA。即,第二涂层CT2可与照射区域LA不重叠。并且,由于从热源HT发出的热需传递至保护窗口PW,因此第二涂层CT2可以不被布置在热源HT和保护窗口PW之间。即,第二涂层CT2可以在保护窗口PW的侧面与热源HT不重叠。第二涂层CT2可以起到上述的反射器RF的反射面的作用,因此在保护窗口PW上布置第二涂层CT2的情况下,可以省略反射器RF以及隔热部件TI。然而,并非局限于此,在如图6所示地布置反射器RF的情况下,反射器RF的一端可布置为与第二涂层CT2的一端对齐。据此,可以更加有效地防止热向外部流失。
并且,如图7所示,涂层可包括第三涂层CT3以及第四涂层CT4。第三涂层CT3可布置于保护窗口PW的上面。第三涂层CT3可以与保护窗口PW的上面直接接触。第三涂层CT3可以与保护窗口PW的高温区域HA重叠。第三涂层CT3吸收从热源HT发出的热,从而可以局部地高温化保护窗口PW的高温区域HA。据此,可以在防止保护窗口PW的其他区域的热变形的同时,使高温区域HA集中地高温化,从而提高热效率。第三涂层CT3可以利用具有高吸收率的物质构成。另外,第三涂层CT3可以利用针对激光束L具有高透过率的物质构成。据此,第三涂层CT3可以与激光束L所通过的照射区域LA重叠。第三涂层CT3可以利用与第一涂层CT1以及第二涂层CT2不同的物质构成。第三涂层CT3可以以旋转涂覆、热硬化或紫外线硬化等方法涂覆。
第四涂层CT4可布置于保护窗口PW的下面。第四涂层CT4可以与保护窗口PW的下面直接接触。第四涂层CT4可以利用对激光束L具有高透过率的物质构成。据此,第四涂层CT4可以与激光束L所通过的照射区域LA重叠。并且,第四涂层CT4反射热而向保护窗口PW有效地传递热,并且可以防止从热源HT发出的热向外部流失。第四涂层CT4可以在第一方向DR1上与保护窗口PW的高温区域HA重叠。在布置有第四涂层CT4的区域可以省略第二涂层CT2。第四涂层CT4可以利用具有高反射率的物质构成,并且可以利用与第一涂层CT1至第三涂层CT3不同的物质构成。第四涂层CT4可以以旋转涂覆、热硬化或紫外线硬化等方法涂覆。
并且,如图8所示,热源HT以及反射器RF可布置于保护窗口PW的下部。在此情况下,第二涂层CT2可以不布置于布置有热源HT以及反射器RF的保护窗口PW的下面。即,热源HT以及反射器RF在保护窗口PW的下面上与第二涂层CT2不重叠。并且,热源HT及反射器RF可以与激光束L的照射区域LA不重叠。并且,热源HT以及反射器RF可以在第一方向DR1上与保护窗口PW的高温区域HA重叠,并与布置于高温区域HA的第一涂层CT1重叠。
并且,如图9所示,热源HT可布置于保护窗口PW内部。在此情况下,在热源HT产生的热可易于到达保护窗口PW上的第一涂层CT1,从而热可以有效地集中于保护窗口PW的高温区域HA。
如图8及图9,在热源HT与保护窗口PW的高温区域HA相邻地布置的情况下,从热源HT到保护窗口PW的高温区域HA为止的热路径缩短,从而可以减少向外部流失的热,因此可以提高加热模块HM的热效率。
如上所述,根据一实施例的激光装置中,保护窗口PW借由加热模块HM而被加热,并且借由保护窗口PW的高温区域HA而上升的颗粒P被挡板模块BF吸附,从而可以减少保护窗口PW或腔室窗口CW的污染。据此,可以防止由于保护窗口PW或腔室窗口CW上的颗粒P而导致的折射率或透过率降低,从而可以提高加工品质。并且,无需保护窗口PW或腔室窗口CW的更换或清理,或者可以延长为了更换或清理保护窗口PW或腔室窗口CW而开放真空腔室CH的周期,从而可以提高激光装置的生产效率。
以下,针对另一实施例进行说明。在以下实施例中,针对与已说明构成相同的构成以相同的参照符号指代,并且省略或简化重复说明。
图10是根据另一实施例的挡板模块和加热模块的侧视图。参照图10,根据本实施例的激光装置在还包括冷却部件CM和热传递部件TM的这一点上不同于图2的实施例。
冷却部件CM可以布置于挡板模块BF的下部。冷却部件CM可以起到与挡板模块BF进行热交换而冷却挡板模块BF的作用。在挡板模块BF借由冷却部件CM而使表面温度降低的情况下,颗粒P可以易于吸附于具有相对较低温度的挡板模块BF的表面上。冷却部件CM可应用导热系数较高的铜(Cu)、铝(Al)等的散热板,或者可以应用借由制冷剂的冷却方式。在此情况下,冷却部件CM可包括制冷剂供应装置(未图示)以及制冷剂循环装置(未图示)等。所述制冷剂循环装置可以是制冷剂循环管(未图示)或制冷剂循环路径(未图示)。
冷却部件CM可包括布置于挡板模块BF的板BFP1下部的第一冷却区域CMP1和布置于挡板模块BF的延伸部BFP2下部的第二冷却区域CMP2。第一冷却区域CMP1可以在第一方向DR1上与板BFP1重叠,并且可以与板BFP1直接接触而冷却板BFP1。
第二冷却区域CMP2可布置为围绕延伸部BFP2。第二冷却区域CMP2可以在第二方向DR2上与延伸部BFP2重叠,并且可以与延伸部BFP2直接接触而冷却延伸部BFP2。
另外,与图示于图10的情形不同地,冷却部件CM和挡板模块BF可以通过单独的连接部(未图示)进行热交换而冷却挡板模块BF。
热传递部件TM可布置于热源HT和保护窗口PW之间。热传递部件TM可以与热源HT以及保护窗口PW直接接触。热传递部件TM可以利用导热系数较高的物质构成,并且可以通过热传递而将从热源HT产生的热有效地传递至保护窗口PW。据此,可以使热集中于保护窗口PW的高温区域HA,从而可以提高加热模块HM的效率。
以下,针对又一实施例进行说明。
图11是根据又一实施例的激光装置的结构图。参照图11,根据本实施例的激光装置在包括加热激光模块HLM作为向保护窗口PW的高温区域HA供热的热源的这一点上不同于图1的实施例。
加热激光模块HLM可布置于真空腔室CH的外部。加热激光模块HLM为了加热保护窗口PW的高温区域HA而照射激光束L2。从加热激光模块HLM发出的激光束L2可以通过腔室窗口CW等而照射至保护窗口PW的高温区域HA,从而加热保护窗口PW。在此情况下,可以局部地加热保护窗口PW的高温区域HA,从而可以有效地防止保护窗口PW的热变形及保护窗口PW的周围部件(例如,挡板模块BF等)的热变形。另外,虽然图11中示出了激光模块LM和加热激光模块HLM通过同一个腔室窗口CW而朝向真空腔室CH内部照射激光束L1、L2的情形,然而并不局限于此。即,腔室窗口CW可构成为多个窗口,并且从激光模块LM照射的激光束L1和从加热激光模块HLM照射的激光束L2可以通过彼此不同的窗口的腔室窗口CW而进入真空腔室CH内。并且,可以省略加热激光模块HLM,并使激光模块LM作为热源而工作。
以下,针对又一实施例进行说明。
图12及图13是根据又一实施例的激光装置的结构图。具体地,图12图示了激光束L从激光模块LM照射而进行蚀刻工序的时刻,并且图13图示了蚀刻工序结束的时刻。参照图12及图13,根据本实施例的激光装置在挡板模块BF_M可以在真空腔室CH内移动的这一点上不同于图1的实施例。
真空腔室CH可以包括第一区域A1以及与第一区域A1不同的第二区域A2。这里,第二区域A2可以是真空腔室CH中的除了第一区域A1以外的区域。在真空腔室CH的第二区域A2可以布置有运载体CR以及腔室窗口CW。即,在真空腔室CH的第二区域A2可以进行针对基板OB的蚀刻工序。具体地,如图12所示,在第二区域A2,可以从激光模块LM发出激光束L并照射至基板OB上,从而进行蚀刻工序。在此情况下,加热模块HM可布置于第二区域A2,但是在进行蚀刻工序的期间,加热模块HM可以不进行操作。即,保护窗口PW并不会被加热模块HM加热,因此保护窗口PW可以不包括高温区域HA。并且,挡板模块BF_M可以布置于第一区域A1。即,挡板模块BF_M可以在第一方向DR1上与布置于第二区域A2的保护窗口PW、加热模块HM等构成不重叠。随着蚀刻工序的进行,从基板OB剥离的颗粒P朝保护窗口PW下降,从而可堆积在保护窗口PW的一面上。如图13所示,在蚀刻工序结束的情况下,布置于第一区域A1的挡板模块BF_M可以移动至第二区域A2而吸附堆积于保护窗口PW上的颗粒P。在此情况下,布置于第二区域A2的加热模块HM进行操作而对保护窗口PW进行加热,从而可以在保护窗口PW形成高温区域HA,并且挡板模块BF_M可以移动为与保护窗口PW的高温区域HA重叠。挡板模块BF_M可以包括用于从第一区域A1移动至第二区域A2的滚轮或导轨等移动模块(未图示)。
如上所述,在挡板模块BF_M从第一区域A1移动至第二区域A2的情况下,加热模块HM可以仅在颗粒P被挡板模块BF_M吸附的期间进行操作,从而缩短加热保护窗口PW的时间。据此,可以最小化保护窗口PW的热变形。
以下,针对又一实施例进行说明。
图14及图15是根据又一实施例的激光装置的结构图。具体地,图14图示了激光束L从激光模块LM照射而进行蚀刻工序的时刻,并且图15图示了蚀刻工序结束的时刻。参照图14及图15,根据本实施例的激光装置在保护窗口PW_M可以在真空腔室CH内移动这一点上不同于图12及图13的实施例。
如图14所示,在第二区域A2进行蚀刻工序的情况下,保护窗口PW_M布置于第二区域A2,从基板OB剥离的颗粒P可以堆积在保护窗口PW_M的一面上。
加热模块HM可布置于第一区域A1,并且在进行蚀刻工序的期间加热模块HM并不会进行操作。挡板模块BF在第一区域A1可布置于加热模块HM上部。即,加热模块HM以及挡板模块BF可以在第一方向DR1上与保护窗口PW_M不重叠。
如图15所示,在蚀刻工序结束的情况下,布置于第二区域A2的保护窗口PW_M可以移动至第一区域A1。保护窗口PW_M可以移动至第一区域A1而布置于挡板模块BF和加热模块HM之间。在加热模块HM上部布置有保护窗口PW_M的情况下,加热模块HM进行操作而加热保护窗口PW_M,从而可以在保护窗口PW_M上形成高温区域HA,并且在保护窗口PW_M上堆积的颗粒P可以朝向挡板模块BF上升而吸附于挡板模块BF。保护窗口PW_M可以包括用于从第二区域A2移动至第一区域A1的滚轮或导轨等移动模块(未图示)。
如上所述,在保护窗口PW_M从第二区域A2移动至第一区域A1的情况下,加热模块HM仅在保护窗口PW_M在第一区域A1去除颗粒P的期间进行操作,从而可以缩短加热保护窗口PW_M的时间。据此,可以最小化保护窗口PW_M的热变形。
以下,针对又一实施例进行说明。
图16是根据又一实施例的激光装置的结构图。图16是图示了激光束L从激光模块LM照射而进行蚀刻工序的时刻。参照图16,其在作为保护窗口而包括第一保护窗口PW1以及第二保护窗口PW2的这一点上不同于图14的实施例。
第一保护窗口PW1以及第二保护窗口PW2可以在第一区域A1和第二区域A2之间移动,为此可包括移动模块(未图示)。
如图16所示,在进行蚀刻工序的情况下,第一保护窗口PW1可布置于第二区域A2,第二保护窗口PW2可布置于第一区域A1。在通过第一保护窗口PW1进行蚀刻工序的情况下,第一保护窗口PW1可布置于基板OB和腔室窗口CW之间。在此情况下,从基板OB上剥离的颗粒P可布置于第一保护窗口PW1的一面上。在通过第一保护窗口PW1进行蚀刻工序而导致第一保护窗口PW1受污染的情况下,第一保护窗口PW1可以从第二区域A2移动至第一区域A1,从而借由挡板模块BF去除颗粒P。
在通过第一保护窗口PW1进行蚀刻工序的期间,第二保护窗口PW2可布置于挡板模块BF和加热模块HM之间。第二保护窗口PW2可以是在通过第一保护窗口PW1进行蚀刻工序之前进行了蚀刻工序的保护窗口,并且可以是由于蚀刻工序而被颗粒P污染的保护窗口。第二保护窗口PW2可以被加热模块HM加热,并且堆积于第二保护窗口PW2的一面上的颗粒P可以被挡板模块BF吸附。经清理的第二保护窗口PW2再次从第一区域A1移动至第二区域A2,并通过第二保护窗口PW2执行蚀刻工序,而受污染的第一保护窗口PW1可以从第二区域A2移动至第一区域A1而被清理为如图16所示的第二保护窗口PW2。
如上所述,在第一保护窗口PW1和第二保护窗口PW2在第一区域A1和第二区域A2之间移动而交替地进行蚀刻工序并被清理的情况下,可以连续执行蚀刻工序,从而可以进一步提高生产效率。
以下,针对又一实施例进行说明。
图17是根据又一实施例的激光装置的结构图。图18是根据又一实施例的挡板模块和加热模块的侧视图。图19及图20是根据多种实施例的加热模块的剖面图。图21至图24是根据多种实施例的加热模块的剖面图。
参照图17至图24,根据本实施例的激光装置在包括保护镜PM和反射部件RM,而不包括保护窗口PW的这一点上不同于图1的实施例。
保护镜PM可在真空腔室CH内布置于挡板模块BF下部。保护镜PM在反射从激光模块LM发出的激光束L的同时,可以起到防止腔室窗口CW由于随着执行蚀刻工序而从基板OB剥离并脱落的颗粒P而受到污染的作用。
反射部件RM反射从激光模块LM发出的激光束L而提供至保护镜PM,被提供至保护镜PM的激光束L可以被保护镜PM反射而照射至基板OB,从而进行蚀刻工序。反射部件RM可以在真空腔室CH内布置于激光束L的路径上。反射部件RM可以利用与保护镜PM相同的材质构成。虽然,图16中图示了激光装置包括一个反射部件RM的情形,然而并不局限于此。即,根据激光束L的路径,可以包括多个反射部件RM,并且也可以省略反射部件RM。
保护镜PM可以如图19所示地具有圆形形态的平面形状,而且也可以如图20所示地具有四角形形态的平面形状。然而,并非局限于此。
加热模块HM的热源HT可以起到加热保护镜PM的作用,并且保护镜PM可在其中心部包括高温区域HA。保护镜PM的高温区域HA可以具有比保护镜PM的除了高温区域HA以外的区域相对较高的表面温度。借由高温区域HA的热,从基板OB剥离的颗粒P可以朝向挡板模块BF侧再上升并吸附于挡板模块BF。
热源HT可以布置为在第一方向DR1上与保护镜PM重叠。具体地,热源HT可以布置为与保护镜PM的高温区域HA重叠。在此情况下,热源HT可以与保护镜PM的高温区域HA完全重叠,因此从热源HT发出的热可以有效地传递至保护镜PM的高温区域HA。
并且,热源HT可以布置于激光束L的照射区域LA的外侧。即,热源HT可以与激光束L的照射区域LA不重叠。热源HT的平面形状可以与保护镜PM的平面形状对应。即,如图19所示,在保护镜PM具有圆形形状的情况下,热源HT可以形成为具有预定厚度的圆环形状,并且如图20所示,在保护镜PM具有四边形形状的情况下,热源HT可以形成为具有预定厚度的四边形框架的形状。
加热模块HM和挡板模块BF可包括沿第一方向DR1或第二方向DR2贯通加热模块HM和挡板模块BF的贯通孔。在此,第一方向DR1可以与激光束L被保护镜PM反射而行进的方向相同,第二方向DR2可以与激光束L被反射部件RM反射而行进的方向相同。贯通孔可包括挡板模块BF的第一孔H1、反射器RF的第二孔H2、隔热部件TI的第三孔H3以及第四孔H4。第四孔H4可以提供激光束L被反射部件RM反射而能够横穿加热模块HM并到达保护镜PM的路径。并且,第一孔H1至第三孔H3可以提供激光束L被保护镜PM反射而能够横穿挡板模块BF和加热模块HM并到达基板OB的路径。即,第一孔H1至第四孔H4可以与激光束L的照射区域LA重叠。并且,第一孔H1至第四孔H4可以与保护镜PM的高温区域HA重叠。第一孔H1至第四孔H4可以具有彼此不同的内径。例如,第三孔H3以及第四孔H4可以小于第二孔H2,第一孔H1可以小于第三孔H3以及第四孔H4。在此情况下,可以借由具有最小内径的第一孔H1定义激光束L的照射区域LA。
如上所述,在激光装置包括保护镜PM的情况下,热源HT可以与保护镜PM的高温区域HA完全重叠。据此,从热源HT发出的热可以有效地被传递至保护镜PM的高温区域HA,从而可以提高加热模块HM的效率。
另外,加热模块HM的构成并不局限于图18。即,如图21所示,可以包括布置于保护镜PM上的涂层。涂层可以包括第一涂层CT1和第二涂层CT2。第一涂层CT1可以布置于保护镜PM的上面。第一涂层CT1可以与保护镜PM的上面直接接触。并且,第一涂层CT1可以与保护镜PM的高温区域HA重叠。
第一涂层CT1吸收从热源HT发出的热,从而可以局部地高温化保护镜PM的高温区域HA。据此,可以防止保护镜PM的其他区域的热变形的同时,集中地高温化高温区域HA,从而可以提高热效率。并且,第一涂层CT1也可以布置于激光束L被反射的照射区域LA。即,第一涂层CT1可以与照射区域LA重叠。由于参照图5说明了第一涂层CT1,因此省略重复的内容。
第二涂层CT2可布置于保护镜PM的上面、侧面以及下面。第二涂层CT2可以在高温区域HA与第一涂层CT1重叠,并可以与第一涂层CT1直接接触。在除了高温区域HA以外的区域,第二涂层CT2可以与保护镜PM直接接触。第二涂层CT2可以防止从热源HT发出的热向外部流失。并且,第二涂层CT2可以利用对激光束L的反射率较高的材质构成,并且第二涂层CT2也可以布置于激光束L被反射的照射区域LA。即,第二涂层CT2可以与照射区域LA重叠。并且,由于从热源HT发出的热需要被传递至保护镜PM,因此第二涂层CT2可以不布置在热源HT和保护镜PM之间。即,第二涂层CT2可以在保护镜PM的侧面与热源HT不重叠。如图21所示,在涂层布置于保护镜PM上的情况下,布置于热源HT的外侧面的反射器RF以及隔热部件TI可以被省略。
并且,如图22所示,热源HT以及反射器RF可布置于保护镜PM的下部。在此情况下,第二涂层CT2可不布置于布置热源HT以及反射器RF的保护镜PM的下面。即,热源HT以及反射器RF可在保护镜PM的下面上与第二涂层CT2不重叠。并且,热源HT以及反射器RF可以在第一方向DR1上与激光束L的照射区域LA重叠。并且,热源HT以及反射器RF可以在第一方向DR1上与保护镜PM的高温区域HA重叠,并且可以与布置于高温区域HA的第一涂层CT1重叠。
并且,如图23所示,热源HT可以布置于保护镜PM内部。在此情况下,从热源HT产生的热可以易于到达保护镜PM上的第一涂层CT1,从而热可以有效地集中在保护镜PM的高温区域HA。
并且,如图24所示,可以包括布置于第一涂层CT1上的第五涂层CT5,并且还可以包括布置于热源HT和保护镜PM之间的热传递部件TM。
第五涂层CT5可以与第一涂层CT1在厚度方向上重叠,并且可以直接与第一涂层CT1接触。第五涂层CT5可以在厚度方向上与第二涂层CT2不重叠。第五涂层CT5可以起到反射激光束L的作用,并且可以利用对激光束L具有高反射率的材质构成。第五涂层CT5可以利用与第一涂层CT1至第四涂层CT4不同的物质构成。
热传递部件TM可以与热源HT以及保护镜PM直接接触。热传递部件TM可以利用导热系数较高的物质构成,并且将从热源HT产生的热通过热传递有效地传递至保护镜PM。据此,热可以集中于保护镜PM的高温区域HA,因此可以提高加热模块HM的效率。
以下,针对又一实施例进行说明。
图25是根据又一实施例的挡板模块和加热模块的侧视图。参照图25,根据本实施例的激光装置在还包括布置于挡板模块BF下部的冷却部件CM的这一点上不同于图18的实施例。
冷却部件CM可以起到与挡板模块BF进行热交换而冷却挡板模块BF的作用。在挡板模块BF的表面温度借由冷却部件CM而降低的情况下,颗粒P可以易于吸附于具有相对较低温度的挡板模块BF的表面上。
冷却部件CM可以包括布置于挡板模块BF的板BFP1下部的第一冷却区域CMP1和布置于挡板模块BF的延伸部BFP2下部的第二冷却区域CMP2。第一冷却区域CMP1可以在第一方向DR1上与板BFP1重叠,并且与板BFP1直接接触而冷却板BFP1。
第二冷却区域CMP2可布置为围绕延伸部BFP2。第二冷却区域CMP2可以在第二方向DR2上与延伸部BFP2重叠,并且可以与延伸部BFP2直接接触而冷却延伸部BFP2。
另外,与图示于图25的情形不同地,冷却部件CM和挡板模块BF通过单独的连接部(未图示)进行热交换而冷却挡板模块BF。由于参照图10说明了冷却部件CM,因此省略重复的内容。
以下,针对又一实施例进行说明。
图26是根据又一实施例的激光装置的结构图。参照图26,根据本实施例的激光装置在包括加热激光模块HLM作为向保护镜PM的高温区域HA供热的热源的这一点上不同于图17的实施例。
加热激光模块HLM可布置于真空腔室CH的外部。加热激光模块HLM为了加热保护镜PM的高温区域HA而照射激光束L2。从加热激光模块HLM发出的激光束L2可以通过第二腔室窗口CW2照射至保护镜PM的高温区域HA而加热保护镜PM。在此情况下,由于可以局部地加热保护镜PM的高温区域HA,从而可以有效地防止保护镜PM的热变形以及周围部件(例如,挡板模块BF等)的热变形。
另外,虽然图26中示出了从激光模块LM发出的激光束L1通过第一腔室窗口CW1,并且从加热激光模块HLM发出的激光束L2通过第二腔室窗口CW2而进入真空腔室CH内部的情形,然而并非局限于此。即,从激光模块LM照射的激光束L1和从加热激光模块HLM照射的激光束L2可以通过彼此相同的腔室窗口而进入真空腔室CH内。由于参照图11说明了加热激光模块HLM,因此省略重复的内容。
以下,针对又一实施例进行说明。
图27及图28是根据又一实施例的激光装置的结构图。图27图示了激光束L从激光模块LM照射而进行蚀刻工序的时刻,并且图28图示了蚀刻工序结束的时刻。参照图27及图28,根据本实施例的激光装置在挡板模块BF_M可以在真空腔室CH内移动的这一点上不同于图17的实施例。
真空腔室CH可以包括第一区域A1以及与第一区域A1不同的第二区域A2。这里,第二区域A2可以是真空腔室CH中的除了第一区域A1以外的区域。在真空腔室CH的第二区域A2可以布置有运载体CR、腔室窗口CW以及反射部件RM。即,可以在真空腔室CH的第二区域A2进行针对基板OB的蚀刻工序。具体地,如图27所示,在第二区域A2,可以从激光模块LM发出激光束L而照射至基板OB上,从而进行蚀刻工序。在此情况下,加热模块HM可以布置于第二区域A2,但是在进行蚀刻工序的期间,加热模块HM可以不进行操作。即,保护镜PM不会被加热模块HM加热,因此保护镜PM可以不包括高温区域HA。并且,挡板模块BF_M可以布置于第一区域A1。即,挡板模块BF_M可以在第一方向DR1上与布置于第二区域A2的保护镜PM、反射部件RM以及加热模块HM等的构成不重叠。随着蚀刻工序的进行,从基板OB剥离的颗粒P可以朝向保护镜PM下降,从而堆积于保护镜PM的一面上。如图28所示,在蚀刻工序结束的情况下,布置于第一区域A1的挡板模块BF_M可以移动至第二区域A2,并吸附堆积于保护镜PM上的颗粒P。在此情况下,布置于第二区域A2的加热模块HM进行操作而加热保护镜PM,从而可以在保护镜PM形成高温区域HA,并且挡板模块BF_M可以移动为与保护镜PM的高温区域HA重叠。挡板模块BF_M可以包括用于从第一区域A1移动至第二区域A2的滚轮或导轨等移动模块(未图示)。
如上所述,在挡板模块BF_M从第一区域A1移动至第二区域A2的情况下,加热模块HM仅在颗粒P被挡板模块BF_M吸附的期间进行操作,从而可以缩短加热保护镜PM的时间。据此,可以最小化保护镜PM以及周围部件的热变形。
以下,针对又一实施例进行说明。
图29及图30是根据又一实施例的激光装置的结构图。具体地,图29图示了激光束L从激光模块LM照射而进行蚀刻工序的时刻,并且图30图示了蚀刻工序结束的时刻。参照图29及图30,根据本实施例的激光装置在保护镜PM_M可以在真空腔室CH内移动的这一点上不同于图27及图28的实施例。
如图29所示,当在第二区域A2进行蚀刻工序的情况下,保护镜PM_M可布置于第二区域A2,并且从基板OB剥离的颗粒P可堆积于保护镜PM_M的一面上。
加热模块HM布置于第一区域A1,在进行蚀刻工序的期间,加热模块HM可以不进行操作。挡板模块BF可以在第一区域A1布置于加热模块HM上部。即,加热模块HM及挡板模块BF可以在第一方向DR1上与保护镜PM_M不重叠。
如图30所示,在蚀刻工序结束的情况下,布置于第二区域A2的保护镜PM_M可以移动至第一区域A1。保护镜PM_M可以移动至第一区域A1而布置于挡板模块BF和加热模块HM之间。可以在加热模块HM上部布置保护镜PM_M,并使加热模块HM进行操作而加热保护镜PM_M,从而在保护镜PM_M形成高温区域HA,并且堆积在保护镜PM_M上的颗粒P朝向挡板模块BF上升,从而可以吸附于挡板模块BF。保护镜PM_M可以包括用于从第二区域A2移动至第一区域A1的滚轮或导轨等移动模块(未图示)。
如上所述,在保护镜PM_M从第二区域A2向第一区域A1移动的情况下,加热模块HM仅在保护镜PM_M在第一区域A1去除颗粒P的期间进行操作,从而可以缩短加热保护镜PM_M的时间。据此,可以最小化保护镜PM_M以及周围部件的热变形。
以上参照附图说明了本发明的实施例,但在本发明所属技术领域具有普通知识的人员可以理解的是,可以不改变本发明的技术思想或者必要特征而以其他具体形态实施。因此,以上记载的实施例应当理解为在所有方面均为示例性的而不是限定性的。
Claims (22)
1.一种激光装置,包括:
真空腔室;
激光模块,布置于所述真空腔室的外部;
运载体,布置于所述真空腔室的内部,并放置对象基板;
腔室窗口,以与所述运载体重叠的方式布置于所述真空腔室的一侧,并且使由所述激光模块照射的激光束通过;
挡板模块,布置于所述运载体和所述腔室窗口之间;
保护部件,布置于所述腔室窗口和所述挡板模块之间;以及
加热模块,包含与所述保护部件相邻地布置的热源以及布置于所述热源的外侧的反射器。
2.如权利要求1所述的激光装置,其中,
所述挡板模块包括沿第一方向贯通所述挡板模块的第一孔,
其中,所述第一孔与从所述激光模块照射的所述激光束所通过的照射区域重叠。
3.如权利要求2所述的激光装置,其中,
所述保护部件包括高温区域,所述高温区域与所述第一孔重叠。
4.如权利要求3所述的激光装置,包括:
第一涂层以及第二涂层,布置于所述保护部件上,
其中,所述第一涂层与所述高温区域重叠,
所述第二涂层与所述照射区域不重叠。
5.如权利要求4所述的激光装置,还包括:
第三涂层,布置于所述保护部件上,
其中,所述第三涂层与所述照射区域重叠。
6.如权利要求3所述的激光装置,其中,
所述保护部件是所述激光束所通过的保护窗口,
所述高温区域与所述激光束所通过的照射区域重叠,
并且所述热源与所述照射区域不重叠。
7.如权利要求3所述的激光装置,其中,
所述保护部件是反射所述激光束的保护镜,
所述热源与所述高温区域在厚度方向上重叠。
8.如权利要求1所述的激光装置,其中,
所述挡板模块包括:
板;以及
延伸部,从所述板朝向所述保护部件突出。
9.如权利要求8所述的激光装置,其中,
所述加热模块还包括:
隔热部件,布置于所述反射器和所述挡板模块之间,
所述隔热部件包括:
第二孔,贯通所述隔热部件,并且与从所述激光模块照射的所述激光束所通过的照射区域不重叠。
10.如权利要求9所述的激光装置,其中,
还包括:
冷却部件,布置于所述隔热部件和所述挡板模块之间。
11.如权利要求10所述的激光装置,其中,
所述冷却部件与所述挡板模块直接接触。
12.如权利要求11所述的激光装置,其中,
所述冷却部件包括:
第一冷却区域,布置于所述挡板模块的板的下部;以及
第二冷却区域,布置为围绕所述延伸部。
13.如权利要求1所述的激光装置,其中,
所述热源包括与所述保护部件对向的一侧面,
所述反射器布置为覆盖所述热源的上面、下面以及与所述一侧面对向的另一侧面。
14.如权利要求3所述的激光装置,其中,
所述保护部件是所述激光束所通过的保护窗口,
所述高温区域与所述激光束所通过的照射区域重叠,
并且所述热源是所述激光模块。
15.如权利要求3所述的激光装置,其中,
所述保护部件是反射所述激光束的保护镜,
所述热源是所述激光模块。
16.一种激光装置,包括:
真空腔室,包括第一区域以及作为与所述第一区域不同的区域且执行针对基板的加工工艺的第二区域;
挡板模块,布置于所述第一区域;
保护部件,布置于所述第二区域;以及
加热模块,与所述挡板模块或所述保护部件重叠,
其中,所述加热模块包括热源以及布置于所述热源的外侧的反射器。
17.如权利要求16所述的激光装置,其中,
所述挡板模块被构造为从所述第一区域向第二区域移动。
18.如权利要求17所述的激光装置,其中,
所述加热模块在所述第二区域布置于所述保护部件的下部。
19.如权利要求16所述的激光装置,其中,
所述保护部件被构造为从所述第二区域向第一区域移动。
20.如权利要求19所述的激光装置,其中,
所述加热模块在所述第一区域布置于所述挡板模块的下部。
21.如权利要求16所述的激光装置,其中,
所述保护部件包括第一保护部件以及第二保护部件,
所述第一保护部件布置于所述第二区域,并且能够从所述第二区域向所述第一区域移动,
所述第二保护部件布置于所述第一区域,并且能够从所述第一区域向所述第二区域移动。
22.如权利要求21所述的激光装置,其中,
所述第一保护部件和/或所述第二保护部件在布置于所述第一区域时,被布置在所述挡板模块和所述加热模块之间。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190042549A KR102835790B1 (ko) | 2019-04-11 | 2019-04-11 | 레이저 장치 |
| KR10-2019-0042549 | 2019-04-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111816795A true CN111816795A (zh) | 2020-10-23 |
| CN111816795B CN111816795B (zh) | 2024-08-13 |
Family
ID=72843684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911043068.7A Active CN111816795B (zh) | 2019-04-11 | 2019-10-30 | 激光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102835790B1 (zh) |
| CN (1) | CN111816795B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102821501B1 (ko) | 2021-02-16 | 2025-06-16 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치, 웨이퍼의 세정 방법 및 반도체의 제조 방법 |
| KR102514154B1 (ko) * | 2021-03-02 | 2023-03-27 | 주식회사 에스에프에이 | 하향식 기판 레이저 에칭 장치 |
| KR102775607B1 (ko) * | 2021-11-10 | 2025-03-05 | 주식회사 아큐레이저 | 리플로우 장치를 이용한 솔더 용융 방법 |
| CN117139856A (zh) * | 2023-09-12 | 2023-12-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 激光刻蚀装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1572015A (zh) * | 2001-12-17 | 2005-01-26 | 东京毅力科创株式会社 | 膜除去装置、膜除去方法和基板处理系统 |
| KR101718716B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2017-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 하향식 기판 에칭장치 |
| KR20170081326A (ko) * | 2016-01-04 | 2017-07-12 | 주식회사 에스에프에이 | 하향식 기판 레이저 에칭 장치 |
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| KR20170087586A (ko) * | 2016-01-20 | 2017-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 하향식 기판 에칭장치 |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101324210B1 (ko) * | 2012-10-10 | 2013-11-06 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
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-
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- 2019-04-11 KR KR1020190042549A patent/KR102835790B1/ko active Active
- 2019-10-30 CN CN201911043068.7A patent/CN111816795B/zh active Active
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| KR20170113888A (ko) * | 2016-03-28 | 2017-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 처리 장치 |
| CN107275520A (zh) * | 2016-04-05 | 2017-10-20 | 三星显示有限公司 | 激光蚀刻装置及利用此的激光蚀刻方法 |
| CN107303628A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 三星显示有限公司 | 激光蚀刻设备及使用激光蚀刻设备进行激光蚀刻的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102835790B1 (ko) | 2025-07-18 |
| CN111816795B (zh) | 2024-08-13 |
| KR20200120790A (ko) | 2020-10-22 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |